JP2722870B2 - レジスト組成物 - Google Patents
レジスト組成物Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レジスト組成物に関
し、さらに詳しくは、遠紫外線、ＫｒＦエキシマレーザ
ー光などの照射によるパターン形成が可能なレジスト材
料に関する。本発明のレジスト組成物は、特に、半導体
素子の微細加工用ネガ型レジストとして好適である。
し、さらに詳しくは、遠紫外線、ＫｒＦエキシマレーザ
ー光などの照射によるパターン形成が可能なレジスト材
料に関する。本発明のレジスト組成物は、特に、半導体
素子の微細加工用ネガ型レジストとして好適である。
【０００２】
【従来の技術】レジストを用いる微細加工により半導体
素子を製造する場合、シリコンウエーハ表面にレジスト
を塗布して感光膜を作り、光を照射して潜像を形成し、
次いでそれを現像してネガまたはポジの画像を形成する
リソグラフィー技術によって画像（パターン）を得てい
る。シリコンウエーハ上に残ったレジストを保護膜とし
て、エッチングを行なった後、レジスト膜を除去するこ
とにより微細加工は終了する。
素子を製造する場合、シリコンウエーハ表面にレジスト
を塗布して感光膜を作り、光を照射して潜像を形成し、
次いでそれを現像してネガまたはポジの画像を形成する
リソグラフィー技術によって画像（パターン）を得てい
る。シリコンウエーハ上に残ったレジストを保護膜とし
て、エッチングを行なった後、レジスト膜を除去するこ
とにより微細加工は終了する。
【０００３】ところで、近年、ＩＣ、ＬＳＩさらにＶＬ
ＳＩへと半導体素子の高集積化、高密度化、小型化に伴
って、１μｍ以下の微細パターンを形成する技術が要求
されている。しかしながら、近紫外線または可視光線を
用いる従来のフォトリソグラフィー技術では、１μｍ以
下の微細パターンを精度よく形成することは極めて困難
であり、歩留りの低下も著しい。
ＳＩへと半導体素子の高集積化、高密度化、小型化に伴
って、１μｍ以下の微細パターンを形成する技術が要求
されている。しかしながら、近紫外線または可視光線を
用いる従来のフォトリソグラフィー技術では、１μｍ以
下の微細パターンを精度よく形成することは極めて困難
であり、歩留りの低下も著しい。
【０００４】このため、光（波長３５０〜４５０ｎｍの
紫外光）を利用する従来のフォトリソグラフィーにかえ
て、露光の解像度を高めるために、波長の短い遠紫外線
（短波長紫外線）、ＫｒＦエキシマレーザー光（波長２
４９ｎｍの光を出すクリプトンフルオライドレーザー）
などを用いるリソグラフィー技術が研究されている。こ
のリソグラフィー技術の中心となるレジスト材料には、
多数の高度な特性が要求されているが、その中でも重要
なのは、感度、解像度、耐エッチング性および保存安定
性である。
紫外光）を利用する従来のフォトリソグラフィーにかえ
て、露光の解像度を高めるために、波長の短い遠紫外線
（短波長紫外線）、ＫｒＦエキシマレーザー光（波長２
４９ｎｍの光を出すクリプトンフルオライドレーザー）
などを用いるリソグラフィー技術が研究されている。こ
のリソグラフィー技術の中心となるレジスト材料には、
多数の高度な特性が要求されているが、その中でも重要
なのは、感度、解像度、耐エッチング性および保存安定
性である。
【０００５】しかし、従来開発されたレジスト材料は、
これら全ての性能を充分に満足するものではなく、性能
の向上が強く望まれていた。例えば、ポリメタクリル酸
グリシジルのようなネガ型レジストは、高感度ではある
が、解像度や耐ドライエッチング性が劣る。また、ポリ
メタクリル酸メチルのようなポジ型レジストは、解像度
は良好であるが、感度や耐ドライエッチング性が劣る。
これら全ての性能を充分に満足するものではなく、性能
の向上が強く望まれていた。例えば、ポリメタクリル酸
グリシジルのようなネガ型レジストは、高感度ではある
が、解像度や耐ドライエッチング性が劣る。また、ポリ
メタクリル酸メチルのようなポジ型レジストは、解像度
は良好であるが、感度や耐ドライエッチング性が劣る。
【０００６】近年、基材高分子、光酸発生剤（活性光線
の照射により酸を生成する化合物）および感酸物質（酸
の存在下で架橋する化合物）の３成分系からなる微細加
工用レジストが開発されている。これは、光によって発
生した酸を触媒として感酸物質が反応し、基材高分子の
溶解性などが変化して、ポジ型またはネガ型レジストと
なるものである。例えば、ノボラック樹脂、メチロール
メラミン、光酸発生剤からなるネガ型レジストが知られ
ている。光によって生成する酸を触媒として、メチロー
ルメラミンがフェノール樹脂を架橋して不溶化させるも
のである。また、ノボラック樹脂−エポキシ化合物など
のカチオン重合性の官能基を含むポリマーに、光酸発生
剤の存在下で光照射すると、官能基の重合により架橋構
造となり不溶化する現象を利用したネガ型レジストも知
られている。
の照射により酸を生成する化合物）および感酸物質（酸
の存在下で架橋する化合物）の３成分系からなる微細加
工用レジストが開発されている。これは、光によって発
生した酸を触媒として感酸物質が反応し、基材高分子の
溶解性などが変化して、ポジ型またはネガ型レジストと
なるものである。例えば、ノボラック樹脂、メチロール
メラミン、光酸発生剤からなるネガ型レジストが知られ
ている。光によって生成する酸を触媒として、メチロー
ルメラミンがフェノール樹脂を架橋して不溶化させるも
のである。また、ノボラック樹脂−エポキシ化合物など
のカチオン重合性の官能基を含むポリマーに、光酸発生
剤の存在下で光照射すると、官能基の重合により架橋構
造となり不溶化する現象を利用したネガ型レジストも知
られている。
【０００７】ところが、ノボラック樹脂系のフォトレジ
ストを遠紫外線で露光すると、レジスト自体の光吸収が
大きすぎるために、感度や解像度が不充分となり、良好
な微細パターンの形成ができず、最近の高度な要求性能
基準から見て、いまだ充分ではない。
ストを遠紫外線で露光すると、レジスト自体の光吸収が
大きすぎるために、感度や解像度が不充分となり、良好
な微細パターンの形成ができず、最近の高度な要求性能
基準から見て、いまだ充分ではない。
【０００８】最近、高エネルギー照射線の作用下に酸を
生成する化合物として、テトラブロモビスフェノールＡ
などの芳香族炭化水素原子に結合した塩素原子または臭
素原子を含有する化合物を用いたネガ型レジストが提案
されている（特開平２−５２３４８号）。しかしなが
ら、このレジストは、感度がいまだ不十分である。さら
に、この酸生成化合物は、アルカリ可溶性フェノール樹
脂に対する相溶性が不十分であり、レジスト組成物の溶
剤に対する溶解性や保存性も十分であるとはいえない。
そこで、前記性能のバランスのとれた新規なレジストの
開発が強く望まれていた。
生成する化合物として、テトラブロモビスフェノールＡ
などの芳香族炭化水素原子に結合した塩素原子または臭
素原子を含有する化合物を用いたネガ型レジストが提案
されている（特開平２−５２３４８号）。しかしなが
ら、このレジストは、感度がいまだ不十分である。さら
に、この酸生成化合物は、アルカリ可溶性フェノール樹
脂に対する相溶性が不十分であり、レジスト組成物の溶
剤に対する溶解性や保存性も十分であるとはいえない。
そこで、前記性能のバランスのとれた新規なレジストの
開発が強く望まれていた。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、感
度、解像度、耐エッチング性および保存安定性などのレ
ジスト特性が高度にバランスのとれたレジスト材料を提
供することにある。また、本発明の目的は、波長の短い
遠紫外線やＫｒＦエキシマレーザー光を用いるリソグラ
フィーに適したレジスト材料を提供することにある。本
発明の他の目的は、特に、半導体素子の微細加工用ネガ
型レジストとして好適なレジスト組成物を提供すること
にある。
度、解像度、耐エッチング性および保存安定性などのレ
ジスト特性が高度にバランスのとれたレジスト材料を提
供することにある。また、本発明の目的は、波長の短い
遠紫外線やＫｒＦエキシマレーザー光を用いるリソグラ
フィーに適したレジスト材料を提供することにある。本
発明の他の目的は、特に、半導体素子の微細加工用ネガ
型レジストとして好適なレジスト組成物を提供すること
にある。
【００１０】本発明者らは、前記従来技術の有する問題
点を解決するために鋭意研究した結果、アルカリ可溶性
フェノール樹脂、活性光線の照射により酸を生成する化
合物および酸の存在下で架橋する化合物を含有するレジ
スト組成物において、活性光線の照射により酸を生成す
る化合物として、塩素化アルコキシ基または臭素化アル
コキシ基などのハロゲン化アルコキシ基を置換基として
有する芳香族化合物を使用することにより、従来よりも
感度が向上したレジスト組成物の得られることを見出し
た。この酸生成化合物は、アルカリ可溶性フェノール樹
脂との相溶性が良好である。そして、この酸生成化合物
を用いたレジスト組成物は、塗布のための溶剤に対する
溶解性が良好で、保存安定性にも優れている。本発明
は、これらの知見に基づいて完成するに至ったものであ
る。
点を解決するために鋭意研究した結果、アルカリ可溶性
フェノール樹脂、活性光線の照射により酸を生成する化
合物および酸の存在下で架橋する化合物を含有するレジ
スト組成物において、活性光線の照射により酸を生成す
る化合物として、塩素化アルコキシ基または臭素化アル
コキシ基などのハロゲン化アルコキシ基を置換基として
有する芳香族化合物を使用することにより、従来よりも
感度が向上したレジスト組成物の得られることを見出し
た。この酸生成化合物は、アルカリ可溶性フェノール樹
脂との相溶性が良好である。そして、この酸生成化合物
を用いたレジスト組成物は、塗布のための溶剤に対する
溶解性が良好で、保存安定性にも優れている。本発明
は、これらの知見に基づいて完成するに至ったものであ
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】かくして本発明によれ
ば、アルカリ可溶性フェノール樹脂、活性光線の照射に
より酸を生成する化合物および酸の存在下で架橋する化
合物を含有するレジスト組成物において、活性光線の照
射により酸を生成する化合物が塩素および臭素から選ば
れる少なくとも１種のハロゲンで置換されたアルコキシ
基（炭素数３〜１０）を有する芳香族化合物であること
を特徴とするレジスト組成物が提供される。以下、本発
明について詳述する。
ば、アルカリ可溶性フェノール樹脂、活性光線の照射に
より酸を生成する化合物および酸の存在下で架橋する化
合物を含有するレジスト組成物において、活性光線の照
射により酸を生成する化合物が塩素および臭素から選ば
れる少なくとも１種のハロゲンで置換されたアルコキシ
基（炭素数３〜１０）を有する芳香族化合物であること
を特徴とするレジスト組成物が提供される。以下、本発
明について詳述する。
【００１２】（アルカリ可溶性フェノール樹脂）本発明
において用いられるアルカリ可溶性フェノール樹脂とし
ては、例えば、フェノール類とアルデヒド類との縮合反
応生成物、フェノール類とケトン類との縮合反応生成
物、ビニルフェノール系重合体、イソプロペニルフェノ
ール系重合体、これらのフェノール樹脂の水素添加反応
生成物などが挙げられる。
において用いられるアルカリ可溶性フェノール樹脂とし
ては、例えば、フェノール類とアルデヒド類との縮合反
応生成物、フェノール類とケトン類との縮合反応生成
物、ビニルフェノール系重合体、イソプロペニルフェノ
ール系重合体、これらのフェノール樹脂の水素添加反応
生成物などが挙げられる。
【００１３】ここで用いるフェノール類の具体例として
は、フェノール、クレゾール、キシレノール、エチルフ
ェノール、プロピルフェノール、ブチルフェノール、フ
ェニルフェノールなどの一価のフェノール類；レゾルシ
ノール、ピロカテコール、ハイドロキノン、ビスフェノ
ールＡ、ピロガロールなどの多価のフェノール類などが
挙げられる。
は、フェノール、クレゾール、キシレノール、エチルフ
ェノール、プロピルフェノール、ブチルフェノール、フ
ェニルフェノールなどの一価のフェノール類；レゾルシ
ノール、ピロカテコール、ハイドロキノン、ビスフェノ
ールＡ、ピロガロールなどの多価のフェノール類などが
挙げられる。
【００１４】アルデヒド類の具体例としては、ホルムア
ルデヒド、アセトアルデヒド、ベンズアルデヒド、テレ
フタルアルデヒドなどが挙げられる。ケトン類の具体例
としては、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケ
トン、ジフェニルケトンなどが挙げられる。これらの縮
合反応は、常法にしたがって行なうことができる。
ルデヒド、アセトアルデヒド、ベンズアルデヒド、テレ
フタルアルデヒドなどが挙げられる。ケトン類の具体例
としては、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケ
トン、ジフェニルケトンなどが挙げられる。これらの縮
合反応は、常法にしたがって行なうことができる。
【００１５】また、ビニルフェノール系重合体は、ビニ
ルフェノールの単独重合体およびビニルフェノールと共
重合可能な成分との共重合体から選択される。共重合可
能な成分の具体例としては、アクリル酸、メタクリル
酸、スチレン、無水マレイン酸、マレイン酸イミド、酢
酸ビニル、アクリロニトリル、およびこれらの誘導体な
どが挙げられる。
ルフェノールの単独重合体およびビニルフェノールと共
重合可能な成分との共重合体から選択される。共重合可
能な成分の具体例としては、アクリル酸、メタクリル
酸、スチレン、無水マレイン酸、マレイン酸イミド、酢
酸ビニル、アクリロニトリル、およびこれらの誘導体な
どが挙げられる。
【００１６】また、イソプロペニルフェノール系重合体
は、イソプロペニルフェノールの単独重合体およびイソ
プロペニルフェノールと共重合可能な成分との共重合体
から選択される。共重合可能な成分の具体例としては、
アクリル酸、メタクリル酸、スチレン、無水マレイン
酸、マレイン酸イミド、酢酸ビニル、アクリロニトリ
ル、およびこれらの誘導体などが挙げられる。
は、イソプロペニルフェノールの単独重合体およびイソ
プロペニルフェノールと共重合可能な成分との共重合体
から選択される。共重合可能な成分の具体例としては、
アクリル酸、メタクリル酸、スチレン、無水マレイン
酸、マレイン酸イミド、酢酸ビニル、アクリロニトリ
ル、およびこれらの誘導体などが挙げられる。
【００１７】フェノール樹脂の水素添加反応は、公知の
方法によって実施することが可能であって、フェノール
樹脂を有機溶剤に溶解し、均一系または不均一系の水素
添加触媒の存在下、水素を導入することによって達成さ
れる。
方法によって実施することが可能であって、フェノール
樹脂を有機溶剤に溶解し、均一系または不均一系の水素
添加触媒の存在下、水素を導入することによって達成さ
れる。
【００１８】水素添加反応におけるフェノール樹脂溶液
の濃度は、１〜７０重量％、好ましくは１〜４０重量％
である。溶媒としては、水素添加触媒に悪影響を与えな
いでフェノール樹脂を溶解させるものであれば特に制限
はない。水素添加触媒は、水素添加反応の活性を有する
金属あるいは非金属触媒であれば特に限定はない。具体
例としては、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉ
ｒ、Ｏｓ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｔｅ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、
Ｍｏ、Ｗ系水素添加触媒が挙げられる。これらの触媒
は、単独あるいは併用することもできる。
の濃度は、１〜７０重量％、好ましくは１〜４０重量％
である。溶媒としては、水素添加触媒に悪影響を与えな
いでフェノール樹脂を溶解させるものであれば特に制限
はない。水素添加触媒は、水素添加反応の活性を有する
金属あるいは非金属触媒であれば特に限定はない。具体
例としては、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉ
ｒ、Ｏｓ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｔｅ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、
Ｍｏ、Ｗ系水素添加触媒が挙げられる。これらの触媒
は、単独あるいは併用することもできる。
【００１９】水素添加反応の反応温度は、通常０〜３０
０℃、好ましくは２０〜１５０℃である。３００℃以上
でも可能であるが、副反応が起こり易いので好ましくな
い。水素圧は、大気圧〜４００ｋｇ／ｃｍ2、好ましく
は５〜２００ｋｇ／ｃｍ2である。水素添加反応後、再
沈精製、沈降法、遠心分離法、濾過法などにより、水素
添加反応樹脂溶液から触媒を除去することが可能であ
る。
０℃、好ましくは２０〜１５０℃である。３００℃以上
でも可能であるが、副反応が起こり易いので好ましくな
い。水素圧は、大気圧〜４００ｋｇ／ｃｍ2、好ましく
は５〜２００ｋｇ／ｃｍ2である。水素添加反応後、再
沈精製、沈降法、遠心分離法、濾過法などにより、水素
添加反応樹脂溶液から触媒を除去することが可能であ
る。
【００２０】水素添加は、水素添加率が通常０．１〜７
０％、好ましくは１〜５０％、さらに好ましくは３〜４
０％の範囲となるように行なう。水素添加率が７０％を
超えると水素添加フェノール樹脂がアルカリ不溶性にな
るので、レジスト用の基材高分子としては不適当であ
る。また、水素添加率が低すぎると、水素添加による性
能向上効果が小さくなる。これらのアルカリ可溶性フェ
ノール樹脂は、単独でも用いられるが、２種以上を混合
して用いても良い。
０％、好ましくは１〜５０％、さらに好ましくは３〜４
０％の範囲となるように行なう。水素添加率が７０％を
超えると水素添加フェノール樹脂がアルカリ不溶性にな
るので、レジスト用の基材高分子としては不適当であ
る。また、水素添加率が低すぎると、水素添加による性
能向上効果が小さくなる。これらのアルカリ可溶性フェ
ノール樹脂は、単独でも用いられるが、２種以上を混合
して用いても良い。
【００２１】本発明のレジスト組成物には必要に応じ
て、現像性、保存安定性、耐熱性などを改善するため
に、例えば、スチレンとアクリル酸、メタクリル酸また
は無水マレイン酸との共重合体、アルケンと無水マレイ
ン酸との共重合体、ビニルアルコール重合体、ビニルピ
ロリドン重合体、ロジン、シェラックなどを添加するこ
とができる。これらの任意成分の添加量は、アルカリ可
溶性フェノール樹脂１００重量部に対して、０〜５０重
量部、好ましくは５〜２０重量部である。
て、現像性、保存安定性、耐熱性などを改善するため
に、例えば、スチレンとアクリル酸、メタクリル酸また
は無水マレイン酸との共重合体、アルケンと無水マレイ
ン酸との共重合体、ビニルアルコール重合体、ビニルピ
ロリドン重合体、ロジン、シェラックなどを添加するこ
とができる。これらの任意成分の添加量は、アルカリ可
溶性フェノール樹脂１００重量部に対して、０〜５０重
量部、好ましくは５〜２０重量部である。
【００２２】（酸架橋性化合物）本発明において用いら
れる酸の存在下で架橋する化合物（以下、「酸架橋性化
合物」と略記）は、活性光線の照射により酸を生成する
化合物に由来する酸の存在下で架橋し、活性光線の照射
部のフェノール樹脂のアルカリ現像液に対する溶解性を
低下させる物質であれば、特に限定されるものではない
が、その中でも、Ｃ−Ｏ−Ｒ基（Ｒは水素またはアルキ
ル基）を有する化合物、あるいはエポキシ基を有する化
合物が好ましい。
れる酸の存在下で架橋する化合物（以下、「酸架橋性化
合物」と略記）は、活性光線の照射により酸を生成する
化合物に由来する酸の存在下で架橋し、活性光線の照射
部のフェノール樹脂のアルカリ現像液に対する溶解性を
低下させる物質であれば、特に限定されるものではない
が、その中でも、Ｃ−Ｏ−Ｒ基（Ｒは水素またはアルキ
ル基）を有する化合物、あるいはエポキシ基を有する化
合物が好ましい。
【００２３】Ｃ−Ｏ−Ｒ基を有する化合物の具体例とし
ては、メラミン−ホルムアルデヒド樹脂、アルキルエー
テル化メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、アルキル
エーテル化ベンゾグアナミン樹脂、ユリア樹脂、アルキ
ルエーテル化ユリア樹脂、ウレタン−ホルムアルデヒド
樹脂、アルキルエ−テル基含有フェノール系化合物など
が挙げられる。
ては、メラミン−ホルムアルデヒド樹脂、アルキルエー
テル化メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、アルキル
エーテル化ベンゾグアナミン樹脂、ユリア樹脂、アルキ
ルエーテル化ユリア樹脂、ウレタン−ホルムアルデヒド
樹脂、アルキルエ−テル基含有フェノール系化合物など
が挙げられる。
【００２４】メラミン−ホルムアルデヒド樹脂は、常法
にしたがって、メラミンとホルムアルデヒドを塩基性条
件下で縮合して得られる。アルキルエーテル化メラミン
樹脂は、メラミンとホルムアルデヒドを塩基性条件下で
縮合して得られたメチロールメラミンをアルコールでア
ルキルエーテル化して得られる。アルキルエーテル化メ
ラミン樹脂としては、保存安定性が良好であることか
ら、ヘキサアルキルエーテル化メラミンを主成分とする
メラミン樹脂が好ましく、その中でも特にヘキサメチル
エーテル化メラミン樹脂が好ましい。
にしたがって、メラミンとホルムアルデヒドを塩基性条
件下で縮合して得られる。アルキルエーテル化メラミン
樹脂は、メラミンとホルムアルデヒドを塩基性条件下で
縮合して得られたメチロールメラミンをアルコールでア
ルキルエーテル化して得られる。アルキルエーテル化メ
ラミン樹脂としては、保存安定性が良好であることか
ら、ヘキサアルキルエーテル化メラミンを主成分とする
メラミン樹脂が好ましく、その中でも特にヘキサメチル
エーテル化メラミン樹脂が好ましい。
【００２５】メラミン−ホルムアルデヒド樹脂のメラミ
ンの代わりに、メラミン系化合物であるアセトグアナミ
ン、ベンゾグアナミンなどとホルムアルデヒドとを同様
に反応して得た樹脂を用いることもできる。アルキルエ
ーテル化ベンゾグアナミン樹脂は、アルキルエーテル化
メラミン樹脂のメラミンの代わりにベンゾグアナミンを
用いることにより容易に合成することが可能である。ア
ルキルエーテル化ベンゾグアナミン樹脂としては、保存
安定性が良好であることから、テトラアルキルエーテル
化ベンゾグアナミン樹脂が好ましく、特にその中でもテ
トラメチルエーテル化ベンゾグアナミン樹脂が好まし
い。
ンの代わりに、メラミン系化合物であるアセトグアナミ
ン、ベンゾグアナミンなどとホルムアルデヒドとを同様
に反応して得た樹脂を用いることもできる。アルキルエ
ーテル化ベンゾグアナミン樹脂は、アルキルエーテル化
メラミン樹脂のメラミンの代わりにベンゾグアナミンを
用いることにより容易に合成することが可能である。ア
ルキルエーテル化ベンゾグアナミン樹脂としては、保存
安定性が良好であることから、テトラアルキルエーテル
化ベンゾグアナミン樹脂が好ましく、特にその中でもテ
トラメチルエーテル化ベンゾグアナミン樹脂が好まし
い。
【００２６】ユリア樹脂は、常法にしたがって、尿素と
ホルムアルデヒドを縮合して得られる。アルキルエーテ
ル化ユリア樹脂は、尿素とホルムアルデヒドを縮合して
得られたメチロール尿素をアルコールでアルキルエーテ
ル化して得られる。アルキルエーテル化ユリア樹脂とし
ては、モノメチロール尿素、ジメチロール尿素、トリメ
チロール尿素、ウロン化合物のアルキルエーテル化物が
好ましく、さらに好ましくはトリメチロール尿素のアル
キルエーテル化物が挙げられる。
ホルムアルデヒドを縮合して得られる。アルキルエーテ
ル化ユリア樹脂は、尿素とホルムアルデヒドを縮合して
得られたメチロール尿素をアルコールでアルキルエーテ
ル化して得られる。アルキルエーテル化ユリア樹脂とし
ては、モノメチロール尿素、ジメチロール尿素、トリメ
チロール尿素、ウロン化合物のアルキルエーテル化物が
好ましく、さらに好ましくはトリメチロール尿素のアル
キルエーテル化物が挙げられる。
【００２７】ユリア樹脂の尿素の代わりに、尿素系化合
物であるグリコールウリル、ウロン系化合物、メチレン
尿素、プロピレン尿素などの環状尿素化合物などとホル
ムアルデヒドを同様の方法で反応して得た樹脂を用いる
こともできる。
物であるグリコールウリル、ウロン系化合物、メチレン
尿素、プロピレン尿素などの環状尿素化合物などとホル
ムアルデヒドを同様の方法で反応して得た樹脂を用いる
こともできる。
【００２８】ウレタン−ホルムアルデヒド樹脂として
は、下記一般式（１）で示される化合物が挙げられる。 一般式（１）
は、下記一般式（１）で示される化合物が挙げられる。 一般式（１）
【００２９】
【化１０】 （式中、Ｒ1は水素またはアルキル基）
【００３０】アルキルエーテル基含有フェノール系化合
物としては、一般式（２）で示される化合物が挙げられ
る。 一般式（２）
物としては、一般式（２）で示される化合物が挙げられ
る。 一般式（２）
【００３１】
【化１１】 （式中、Ｒ2はアルキル基、アルコキシ基、アルケニル
基またはアルケニルオキシ基、Ｒ3は水素、アルキル基
または水酸基、Ｒ4は水素またはアルキル基を示し、ｎ
は２〜４の整数を表わす。）
基またはアルケニルオキシ基、Ｒ3は水素、アルキル基
または水酸基、Ｒ4は水素またはアルキル基を示し、ｎ
は２〜４の整数を表わす。）
【００３２】エポキシ基を有する化合物の具体例として
は、ビフェノールＡ系エポキシ、ビスフェノールＦ系エ
ポキシ、ビスフェノールＳ系エポキシ、ビスフェノール
Ｅ系エポキシ、ノボラック系エポキシ、臭素化エポキシ
などのグリシジルエーテル系エポキシ樹脂；シクロヘキ
センオキサイド基、トリシクロデセンオキサイド基、シ
クロペンテンオキサイド基などを含む脂環式脂肪族エポ
キシ樹脂；グリシジルエステル系エポキシ樹脂；グリシ
ジルアミン系エポキシ樹脂；複素環式エポキシ樹脂；多
官能性エポキシ樹脂；などが挙げられる。これらエポキ
シ樹脂は、常法にしたがって合成することが可能であ
る。
は、ビフェノールＡ系エポキシ、ビスフェノールＦ系エ
ポキシ、ビスフェノールＳ系エポキシ、ビスフェノール
Ｅ系エポキシ、ノボラック系エポキシ、臭素化エポキシ
などのグリシジルエーテル系エポキシ樹脂；シクロヘキ
センオキサイド基、トリシクロデセンオキサイド基、シ
クロペンテンオキサイド基などを含む脂環式脂肪族エポ
キシ樹脂；グリシジルエステル系エポキシ樹脂；グリシ
ジルアミン系エポキシ樹脂；複素環式エポキシ樹脂；多
官能性エポキシ樹脂；などが挙げられる。これらエポキ
シ樹脂は、常法にしたがって合成することが可能であ
る。
【００３３】これら酸架橋性化合物は、単独でも２種以
上を混合して用いてもよく、アルカリ可溶性フェノール
樹脂１００重量部に対して、通常０．２〜５０重量部、
好ましくは３〜４０重量部である。酸架橋性化合物の配
合割合が過小であると、パターン形成が不可能となり、
逆に、過大であると、現像残が発生し易くなる。
上を混合して用いてもよく、アルカリ可溶性フェノール
樹脂１００重量部に対して、通常０．２〜５０重量部、
好ましくは３〜４０重量部である。酸架橋性化合物の配
合割合が過小であると、パターン形成が不可能となり、
逆に、過大であると、現像残が発生し易くなる。
【００３４】（ハロゲン化アルコキシ基を有する芳香族
化合物）本発明においては、活性光線の照射により酸を
生成する化合物（酸開裂可能な化合物ともいう）とし
て、塩素および臭素から選ばれる少なくとも１種のハロ
ゲンで置換されたアルコキシ基（ハロゲン化アルコキシ
基）を有する芳香族化合物を使用する。
化合物）本発明においては、活性光線の照射により酸を
生成する化合物（酸開裂可能な化合物ともいう）とし
て、塩素および臭素から選ばれる少なくとも１種のハロ
ゲンで置換されたアルコキシ基（ハロゲン化アルコキシ
基）を有する芳香族化合物を使用する。
【００３５】ハロゲン化アルコキシ基におけるアルコキ
シ基１個当りの置換ハロゲンの数は、１または２以上で
あり、また、芳香族化合物におけるハロゲン化アルコキ
シ基の置換数は１または２以上である。ハロゲンは、塩
素および臭素から選ばれる少なくとも１種を使用する。
ハロゲン化アルコキシ基は、通常、塩素化アルコキシ基
または臭素化アルコキシ基である。ハロゲン化アルコキ
シ基の炭素数は、３〜１０、好ましくは３〜５である。
ハロゲン化アルコキシ基を有する芳香族化合物は、水酸
基やニトロ基などの他の置換基を有するもの、あるいは
ヘテロ原子を含むものであってもよい。
シ基１個当りの置換ハロゲンの数は、１または２以上で
あり、また、芳香族化合物におけるハロゲン化アルコキ
シ基の置換数は１または２以上である。ハロゲンは、塩
素および臭素から選ばれる少なくとも１種を使用する。
ハロゲン化アルコキシ基は、通常、塩素化アルコキシ基
または臭素化アルコキシ基である。ハロゲン化アルコキ
シ基の炭素数は、３〜１０、好ましくは３〜５である。
ハロゲン化アルコキシ基を有する芳香族化合物は、水酸
基やニトロ基などの他の置換基を有するもの、あるいは
ヘテロ原子を含むものであってもよい。
【００３６】ハロゲン化アルコキシ基を有する芳香族化
合物は、フェノール性水酸基を有する芳香族化合物の水
酸基の一部または全部をハロゲン化エーテル化した化合
物が好ましい。
合物は、フェノール性水酸基を有する芳香族化合物の水
酸基の一部または全部をハロゲン化エーテル化した化合
物が好ましい。
【００３７】ハロゲン化アルコキシ基を有する芳香族化
合物の具体的な構造としては、例えば、一般式（Ｉ）〜
（ＩＸ）で示される。 一般式（Ｉ）
合物の具体的な構造としては、例えば、一般式（Ｉ）〜
（ＩＸ）で示される。 一般式（Ｉ）
【００３８】
【化１２】 Ｒ1 ；炭素数３〜１０のハロゲン化アルコキシ基（た
だし、ハロゲンは塩素および臭素から選ばれる。） Ｒ2，Ｒ3；水素、ハロゲン、水酸基、アルキル基、置換
アルキル基、アルコキシ基、置換アルコキシ基、ニトロ
基、アミノ基、 一般式（ＩＩ）
だし、ハロゲンは塩素および臭素から選ばれる。） Ｒ2，Ｒ3；水素、ハロゲン、水酸基、アルキル基、置換
アルキル基、アルコキシ基、置換アルコキシ基、ニトロ
基、アミノ基、 一般式（ＩＩ）
【００３９】
【化１３】 Ｒ1 ；炭素数３〜１０のハロゲン化アルコキシ基（た
だし、ハロゲンは塩素および臭素から選ばれる。） Ｒ2〜Ｒ6；水素、ハロゲン、水酸基、アルキル基、置換
アルキル基、アルコキシ基、置換アルコキシ基、 一般式（ＩＩＩ）
だし、ハロゲンは塩素および臭素から選ばれる。） Ｒ2〜Ｒ6；水素、ハロゲン、水酸基、アルキル基、置換
アルキル基、アルコキシ基、置換アルコキシ基、 一般式（ＩＩＩ）
【００４０】
【化１４】 Ｒ1 ；炭素数３〜１０のハロゲン化アルコキシ基（た
だし、ハロゲンは塩素および臭素から選ばれる。） Ｒ2〜Ｒ6；水素、ハロゲン、水酸基、アルキル基、置換
アルキル基、アルコキシ基、置換アルコキシ基、 一般式（ＩＶ）
だし、ハロゲンは塩素および臭素から選ばれる。） Ｒ2〜Ｒ6；水素、ハロゲン、水酸基、アルキル基、置換
アルキル基、アルコキシ基、置換アルコキシ基、 一般式（ＩＶ）
【００４１】
【化１５】 Ｒ1 ；炭素数３〜１０のハロゲン化アルコキシ基（た
だし、ハロゲンは塩素および臭素から選ばれる。） Ｒ2〜Ｒ6；水素、ハロゲン、水酸基、アルキル基、置換
アルキル基、アルコキシ基、置換アルコキシ基、 Ａ ；−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、−Ｏ−、−ＣＯ
−、−ＣＯＯ−、−ＣＲ7Ｒ8− Ｒ7，Ｒ8；水素、アルキル基、アルケニル基 一般式（Ｖ）
だし、ハロゲンは塩素および臭素から選ばれる。） Ｒ2〜Ｒ6；水素、ハロゲン、水酸基、アルキル基、置換
アルキル基、アルコキシ基、置換アルコキシ基、 Ａ ；−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、−Ｏ−、−ＣＯ
−、−ＣＯＯ−、−ＣＲ7Ｒ8− Ｒ7，Ｒ8；水素、アルキル基、アルケニル基 一般式（Ｖ）
【００４２】
【化１６】 Ｒ1 ；炭素数３〜１０のハロゲン化アルコキシ基（た
だし、ハロゲンは塩素および臭素から選ばれる。） Ｒ2〜Ｒ9；水素、ハロゲン、水酸基、アルキル基、置換
アルキル基、アルコキシ基、置換アルコキシ基、 Ｒ10 ；水素、アルキル基、 一般式（ＶＩ）
だし、ハロゲンは塩素および臭素から選ばれる。） Ｒ2〜Ｒ9；水素、ハロゲン、水酸基、アルキル基、置換
アルキル基、アルコキシ基、置換アルコキシ基、 Ｒ10 ；水素、アルキル基、 一般式（ＶＩ）
【００４３】
【化１７】 Ｒ1 ；炭素数３〜１０のハロゲン化アルコキシ基（た
だし、ハロゲンは塩素および臭素から選ばれる。） Ｒ2〜Ｒ8；水素、ハロゲン、水酸基、アルキル基、置換
アルキル基、アルコキシ基、置換アルコキシ基、 Ｒ9〜Ｒ12；水素、アルキル基、 一般式（ＶＩＩ）
だし、ハロゲンは塩素および臭素から選ばれる。） Ｒ2〜Ｒ8；水素、ハロゲン、水酸基、アルキル基、置換
アルキル基、アルコキシ基、置換アルコキシ基、 Ｒ9〜Ｒ12；水素、アルキル基、 一般式（ＶＩＩ）
【００４４】
【化１８】 Ｒ1 ；炭素数３〜１０のハロゲン化アルコキシ基（た
だし、ハロゲンは塩素および臭素から選ばれる。） Ｒ2〜Ｒ9；水素、ハロゲン、水酸基、アルキル基、置換
アルキル基、アルコキシ基、置換アルコキシ基、 Ｒ10〜Ｒ11；水素、ハロゲン、アルキル基、 Ｒ12〜Ｒ14；水素、アルキル基、 一般式（ＶＩＩＩ）
だし、ハロゲンは塩素および臭素から選ばれる。） Ｒ2〜Ｒ9；水素、ハロゲン、水酸基、アルキル基、置換
アルキル基、アルコキシ基、置換アルコキシ基、 Ｒ10〜Ｒ11；水素、ハロゲン、アルキル基、 Ｒ12〜Ｒ14；水素、アルキル基、 一般式（ＶＩＩＩ）
【００４５】
【化１９】 Ｒ1 ；炭素数３〜１０のハロゲン化アルコキシ基（た
だし、ハロゲンは塩素および臭素から選ばれる。） Ｒ2〜Ｒ9；水素、ハロゲン、水酸基、アルキル基、置換
アルキル基、アルコキシ基、置換アルコキシ基、 Ｒ10〜Ｒ11；水素、ハロゲン、アルキル基、 Ｒ12〜Ｒ17；水素、アルキル基、 一般式（ＩＸ）
だし、ハロゲンは塩素および臭素から選ばれる。） Ｒ2〜Ｒ9；水素、ハロゲン、水酸基、アルキル基、置換
アルキル基、アルコキシ基、置換アルコキシ基、 Ｒ10〜Ｒ11；水素、ハロゲン、アルキル基、 Ｒ12〜Ｒ17；水素、アルキル基、 一般式（ＩＸ）
【００４６】
【化２０】 Ｒ1 ；炭素数３〜１０のハロゲン化アルコキシ基（た
だし、ハロゲンは塩素および臭素から選ばれる。） Ｒ2〜Ｒ12；水素、ハロゲン、水酸基、アルキル基、置
換アルキル基、アルコキシ基、置換アルコキシ基、 Ｒ13〜Ｒ14；水素、アルキル基、 Ａ ；単結合、アルキレン基、置換アルキレン基、アル
ケニル基、置換アルケニル基、アリーレン基、置換アリ
ーレン基
だし、ハロゲンは塩素および臭素から選ばれる。） Ｒ2〜Ｒ12；水素、ハロゲン、水酸基、アルキル基、置
換アルキル基、アルコキシ基、置換アルコキシ基、 Ｒ13〜Ｒ14；水素、アルキル基、 Ａ ；単結合、アルキレン基、置換アルキレン基、アル
ケニル基、置換アルケニル基、アリーレン基、置換アリ
ーレン基
【００４７】なお、一般式（Ｉ）〜（ＩＸ）で示される
化合物中のアルキル基は、好ましくは炭素数１〜４のア
ルキル基であり、アルコキシ基は、好ましくは炭素数１
〜８のアルコキシ基であり、アルケニル基は、好ましく
は炭素数２〜５のアルケニル基であり、また、アリーレ
ン基は、好ましくは炭素数６〜１５のアリーレン基であ
る。
化合物中のアルキル基は、好ましくは炭素数１〜４のア
ルキル基であり、アルコキシ基は、好ましくは炭素数１
〜８のアルコキシ基であり、アルケニル基は、好ましく
は炭素数２〜５のアルケニル基であり、また、アリーレ
ン基は、好ましくは炭素数６〜１５のアリーレン基であ
る。
【００４８】本発明で使用するハロゲン化アルコキシ基
を有する芳香族化合物の具体例としては、例えば、以下
の化学式で示される化合物を挙げることができる。
を有する芳香族化合物の具体例としては、例えば、以下
の化学式で示される化合物を挙げることができる。
【００４９】一般式（Ｉ）の具体例としては、化２１〜
化５０が挙げられる。
化５０が挙げられる。
【００５０】
【化２１】
【００５１】
【化２２】
【００５２】
【化２３】
【００５３】
【化２４】
【００５４】
【化２５】
【００５５】
【化２６】
【００５６】
【化２７】
【００５７】
【化２８】
【００５８】
【化２９】
【００５９】
【化３０】
【００６０】
【化３１】
【００６１】
【化３２】
【００６２】
【化３３】
【００６３】
【化３４】
【００６４】
【化３５】
【００６５】
【化３６】
【００６６】
【化３７】
【００６７】
【化３８】
【００６８】
【化３９】
【００６９】
【化４０】
【００７０】
【化４１】
【００７１】
【化４２】
【００７２】
【化４３】
【００７３】
【化４４】
【００７４】
【化４５】
【００７５】
【化４６】
【００７６】
【化４７】
【００７７】
【化４８】
【００７８】
【化４９】
【００７９】
【化５０】
【００８０】一般式（ＩＩ）の具体例としては、化５１
〜化６８が挙げられる。
〜化６８が挙げられる。
【００８１】
【化５１】
【００８２】
【化５２】
【００８３】
【化５３】
【００８４】
【化５４】
【００８５】
【化５５】
【００８６】
【化５６】
【００８７】
【化５７】
【００８８】
【化５８】
【００８９】
【化５９】
【００９０】
【化６０】
【００９１】
【化６１】
【００９２】
【化６２】
【００９３】
【化６３】
【００９４】
【化６４】
【００９５】
【化６５】
【００９６】
【化６６】
【００９７】
【化６７】
【００９８】
【化６８】
【００９９】一般式（ＩＩＩ）の具体例としては、化６
９〜化９０が挙げられる。
９〜化９０が挙げられる。
【０１００】
【化６９】
【０１０１】
【化７０】
【０１０２】
【化７１】
【０１０３】
【化７２】
【０１０４】
【化７３】
【０１０５】
【化７４】
【０１０６】
【化７５】
【０１０７】
【化７６】
【０１０８】
【化７７】
【０１０９】
【化７８】
【０１１０】
【化７９】
【０１１１】
【化８０】
【０１１２】
【化８１】
【０１１３】
【化８２】
【０１１４】
【化８３】
【０１１５】
【化８４】
【０１１６】
【化８５】
【０１１７】
【化８６】
【０１１８】
【化８７】
【０１１９】
【化８８】
【０１２０】
【化８９】
【０１２１】
【化９０】
【０１２２】一般式（ＩＶ）の具体例としては、化９１
〜化１４６が挙げられる。
〜化１４６が挙げられる。
【０１２３】
【化９１】
【０１２４】
【化９２】
【０１２５】
【化９３】
【０１２６】
【化９４】
【０１２７】
【化９５】
【０１２８】
【化９６】
【０１２９】
【化９７】
【０１３０】
【化９８】
【０１３１】
【化９９】
【０１３２】
【化１００】
【０１３３】
【化１０１】
【０１３４】
【化１０２】
【０１３５】
【化１０３】
【０１３６】
【化１０４】
【０１３７】
【化１０５】
【０１３８】
【化１０６】
【０１３９】
【化１０７】
【０１４０】
【化１０８】
【０１４１】
【化１０９】
【０１４２】
【化１１０】
【０１４３】
【化１１１】
【０１４４】
【化１１２】
【０１４５】
【化１１３】
【０１４６】
【化１１４】
【０１４７】
【化１１５】
【０１４８】
【化１１６】
【０１４９】
【化１１７】
【０１５０】
【化１１８】
【０１５１】
【化１１９】
【０１５２】
【化１２０】
【０１５３】
【化１２１】
【０１５４】
【化１２２】
【０１５５】
【化１２３】
【０１５６】
【化１２４】
【０１５７】
【化１２５】
【０１５８】
【化１２６】
【０１５９】
【化１２７】
【０１６０】
【化１２８】
【０１６１】
【化１２９】
【０１６２】
【化１３０】
【０１６３】
【化１３１】
【０１６４】
【化１３２】
【０１６５】
【化１３３】
【０１６６】
【化１３４】
【０１６７】
【化１３５】
【０１６８】
【化１３６】
【０１６９】
【化１３７】
【０１７０】
【化１３８】
【０１７１】
【化１３９】
【０１７２】
【化１４０】
【０１７３】
【化１４１】
【０１７４】
【化１４２】
【０１７５】
【化１４３】
【０１７６】
【化１４４】
【０１７７】
【化１４５】
【０１７８】
【化１４６】
【０１７９】一般式（Ｖ）の具体例としては、化１４７
〜化１６６が挙げられる。
〜化１６６が挙げられる。
【０１８０】
【化１４７】
【０１８１】
【化１４８】
【０１８２】
【化１４９】
【０１８３】
【化１５０】
【０１８４】
【化１５１】
【０１８５】
【化１５２】
【０１８６】
【化１５３】
【０１８７】
【化１５４】
【０１８８】
【化１５５】
【０１８９】
【化１５６】
【０１９０】
【化１５７】
【０１９１】
【化１５８】
【０１９２】
【化１５９】
【０１９３】
【化１６０】
【０１９４】
【化１６１】
【０１９５】
【化１６２】
【０１９６】
【化１６３】
【０１９７】
【化１６４】
【０１９８】
【化１６５】
【０１９９】
【化１６６】
【０２００】一般式（ＶＩ）の具体例としては、化１６
７〜化１７４が挙げられる。
７〜化１７４が挙げられる。
【０２０１】
【化１６７】
【０２０２】
【化１６８】
【０２０３】
【化１６９】
【０２０４】
【化１７０】
【０２０５】
【化１７１】
【０２０６】
【化１７２】
【０２０７】
【化１７３】
【０２０８】
【化１７４】
【０２０９】一般式（ＶＩＩ）の具体例としては、化１
７５〜化１８０が挙げられる。
７５〜化１８０が挙げられる。
【０２１０】
【化１７５】
【０２１１】
【化１７６】
【０２１２】
【化１７７】
【０２１３】
【化１７８】
【０２１４】
【化１７９】
【０２１５】
【化１８０】
【０２１６】一般式（ＶＩＩＩ）の具体例としては、化
１８１〜化１８６が挙げられる。
１８１〜化１８６が挙げられる。
【０２１７】
【化１８１】
【０２１８】
【化１８２】
【０２１９】
【化１８３】
【０２２０】
【化１８４】
【０２２１】
【化１８５】
【０２２２】
【化１８６】
【０２２３】一般式（ＩＸ）の具体例としては、化１８
７〜化２００が挙げられる。
７〜化２００が挙げられる。
【０２２４】
【化１８７】
【０２２５】
【化１８８】
【０２２６】
【化１８９】
【０２２７】
【化１９０】
【０２２８】
【化１９１】
【０２２９】
【化１９２】
【０２３０】
【化１９３】
【０２３１】
【化１９４】
【０２３２】
【化１９５】
【０２３３】
【化１９６】
【０２３４】
【化１９７】
【０２３５】
【化１９８】
【０２３６】
【化１９９】
【０２３７】
【化２００】
【０２３８】酸生成化合物としてのハロゲン化アルコキ
シ基を有する芳香族化合物の使用割合は、アルカリ可溶
性フェノール樹脂１００重量部に対して、通常０．０１
〜５０重量部、好ましくは０．１〜２０重量部である。
この使用割合が０．０１重量部未満ではパターン形成が
困難となり、５０重量部を越えると現像残が発生し易く
なって、いずれの場合もレジスト性能が低下する。
シ基を有する芳香族化合物の使用割合は、アルカリ可溶
性フェノール樹脂１００重量部に対して、通常０．０１
〜５０重量部、好ましくは０．１〜２０重量部である。
この使用割合が０．０１重量部未満ではパターン形成が
困難となり、５０重量部を越えると現像残が発生し易く
なって、いずれの場合もレジスト性能が低下する。
【０２３９】（レジスト組成物）本発明のレジスト組成
物は、基板に塗布してレジスト膜を形成するために、通
常、溶剤に溶解して用いる。
物は、基板に塗布してレジスト膜を形成するために、通
常、溶剤に溶解して用いる。
【０２４０】溶剤としては、アセトン、メチルエチルケ
トン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、シクロヘ
プタノン、ブチロラクトンなどのケトン類；ｎ−プロピ
ルアルコール、ｉｓｏ−プロピルアルコール、ｎ−ブチ
ルアルコール、ｔ−ブチルアルコール、などのアルコー
ル類；エチレングリコールジメチルエーテル、エチレン
グリコールジエチルエーテル、ジオキサン、などのエー
テル類；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチ
レングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコ
ールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエ
チルエーテルなどのアルコールエーテル類；ギ酸プロピ
ル、ギ酸ブチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、プロピオ
ン酸メチル、プロピオン酸エチル、酪酸メチル、酪酸エ
チル、などのエステル類；２−オキシプロピオン酸メチ
ル、２−オキシプロピオン酸エチル、２−メトキシプロ
ピオン酸メチル、２−メトキシプロピオン酸エチル、な
どのモノオキシカルボン酸エステル類；セロソルブアセ
テート、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソル
ブアセテート、プロピルセロソルブアセテート、ブチル
セロソルブアセテート、などのセロソルブエステル類；
プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチ
ルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーチル
アセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテル
アセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテ
ル、などのプロピレングリコール類；ジエチレングリコ
ールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエ
チルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテ
ル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレ
ングリコールメチルエチルエーテル、などのジエチレン
グリコール類；トリクロロエチレンなどのハロゲン化炭
化水素類；トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素
類；ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、Ｎ
−メチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドンなどの極
性溶媒；などが挙げられる。これらは、単独でも２種類
以上を混合して用いてもよい。
トン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、シクロヘ
プタノン、ブチロラクトンなどのケトン類；ｎ−プロピ
ルアルコール、ｉｓｏ−プロピルアルコール、ｎ−ブチ
ルアルコール、ｔ−ブチルアルコール、などのアルコー
ル類；エチレングリコールジメチルエーテル、エチレン
グリコールジエチルエーテル、ジオキサン、などのエー
テル類；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチ
レングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコ
ールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエ
チルエーテルなどのアルコールエーテル類；ギ酸プロピ
ル、ギ酸ブチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、プロピオ
ン酸メチル、プロピオン酸エチル、酪酸メチル、酪酸エ
チル、などのエステル類；２−オキシプロピオン酸メチ
ル、２−オキシプロピオン酸エチル、２−メトキシプロ
ピオン酸メチル、２−メトキシプロピオン酸エチル、な
どのモノオキシカルボン酸エステル類；セロソルブアセ
テート、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソル
ブアセテート、プロピルセロソルブアセテート、ブチル
セロソルブアセテート、などのセロソルブエステル類；
プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチ
ルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーチル
アセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテル
アセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテ
ル、などのプロピレングリコール類；ジエチレングリコ
ールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエ
チルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテ
ル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレ
ングリコールメチルエチルエーテル、などのジエチレン
グリコール類；トリクロロエチレンなどのハロゲン化炭
化水素類；トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素
類；ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、Ｎ
−メチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドンなどの極
性溶媒；などが挙げられる。これらは、単独でも２種類
以上を混合して用いてもよい。
【０２４１】本発明のレジスト組成物には、必要に応じ
て界面活性剤、保存安定剤、増感剤、ストリエーション
防止剤、可塑剤、ハレーション防止剤などの添加剤を含
有させることができる。
て界面活性剤、保存安定剤、増感剤、ストリエーション
防止剤、可塑剤、ハレーション防止剤などの添加剤を含
有させることができる。
【０２４２】本発明のレジスト組成物の現像液として
は、アルカリ水溶液を用いるが、具体的には、水酸化ナ
トリウム、水酸化カリウム、ケイ酸ナトリウム、アンモ
ニアなどの無機アルカリ類；エチルアミン、プロピルア
ミンなどの第一アミン類；ジエチルアミン、ジプロピル
アミンなどの第二アミン類；トリメチルアミン、トリエ
チルアミンなどの第三アミン類；ジエチルエタノールア
ミン、トリエタノールアミンなどのアルコールアミン
類；テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエ
チルアンモニウムヒドロキシド、トリメチルヒドロキシ
メチルアンモニウムヒドロキシド、トリエチルヒドロキ
シメチルアンモニウムヒドロキシド、トリメチルヒドロ
キシエチルアンモニウムヒドロキシドなどの第四級アン
モニウム塩；などが挙げられる。
は、アルカリ水溶液を用いるが、具体的には、水酸化ナ
トリウム、水酸化カリウム、ケイ酸ナトリウム、アンモ
ニアなどの無機アルカリ類；エチルアミン、プロピルア
ミンなどの第一アミン類；ジエチルアミン、ジプロピル
アミンなどの第二アミン類；トリメチルアミン、トリエ
チルアミンなどの第三アミン類；ジエチルエタノールア
ミン、トリエタノールアミンなどのアルコールアミン
類；テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエ
チルアンモニウムヒドロキシド、トリメチルヒドロキシ
メチルアンモニウムヒドロキシド、トリエチルヒドロキ
シメチルアンモニウムヒドロキシド、トリメチルヒドロ
キシエチルアンモニウムヒドロキシドなどの第四級アン
モニウム塩；などが挙げられる。
【０２４３】さらに、必要に応じて上記アルカリ水溶液
にメタノール、エタノール、プロパノール、エチレング
リコールなどの水溶性有機溶剤、界面活性剤、保存安定
剤、樹脂の溶解抑制剤などを適量添加することができ
る。
にメタノール、エタノール、プロパノール、エチレング
リコールなどの水溶性有機溶剤、界面活性剤、保存安定
剤、樹脂の溶解抑制剤などを適量添加することができ
る。
【０２４４】本発明のレジスト組成物は、その溶剤溶液
を用いて、シリコンウエーハなどの基板表面に常法によ
り塗布した後、溶剤を乾燥除去することにより、レジス
ト膜を形成することができるが、塗布法としては、特
に、スピンコーティングが賞用される。
を用いて、シリコンウエーハなどの基板表面に常法によ
り塗布した後、溶剤を乾燥除去することにより、レジス
ト膜を形成することができるが、塗布法としては、特
に、スピンコーティングが賞用される。
【０２４５】また、露光は、遠紫外線照射装置やクリプ
トン／フッ素ガスを封入したエキシマレーザー装置を用
い、短波長紫外線やＫｒＦエキシマレーザー光を照射す
ることにより、微細なパターンを形成することができ
る。
トン／フッ素ガスを封入したエキシマレーザー装置を用
い、短波長紫外線やＫｒＦエキシマレーザー光を照射す
ることにより、微細なパターンを形成することができ
る。
【０２４６】光照射後、熱処理（露光後ベーク）を行な
うことにより、酸と酸架橋性化合物との反応（酸触媒反
応）が促進され、さらに高感度化することができる。
うことにより、酸と酸架橋性化合物との反応（酸触媒反
応）が促進され、さらに高感度化することができる。
【０２４７】
【実施例】以下に、実施例および比較例を挙げて、本発
明についてさらに具体的に説明する。なお、各例中の部
および％は特に断りのない限り重量基準である。
明についてさらに具体的に説明する。なお、各例中の部
および％は特に断りのない限り重量基準である。
【０２４８】［実施例１］ポリビニルフェノール（重量
平均分子量５０００）１００部、アルキルエーテル化メ
ラミン−ホルムアルデヒド樹脂（三和ケミカル社製、ニ
カラックＭＷ−３０）１５部、前記の化９５で示される
化合物１．５部、フッ素系界面活性剤０．０１部を２−
メトキシプロピオン酸エチル３８０部に溶解し、０．１
μｍのポリテトラフルオロエチレン製フィルター（ミリ
ポア社製）で濾過してレジスト溶液を調製した。
平均分子量５０００）１００部、アルキルエーテル化メ
ラミン−ホルムアルデヒド樹脂（三和ケミカル社製、ニ
カラックＭＷ−３０）１５部、前記の化９５で示される
化合物１．５部、フッ素系界面活性剤０．０１部を２−
メトキシプロピオン酸エチル３８０部に溶解し、０．１
μｍのポリテトラフルオロエチレン製フィルター（ミリ
ポア社製）で濾過してレジスト溶液を調製した。
【０２４９】上記レジスト溶液をシリコンウエーハ上に
スピナーで塗布した後、９０℃で９０秒間ベークし、厚
さ１．０μｍのレジスト膜を形成した。このウエーハを
遠紫外線照射装置ＰＬＡ−５２１ＦＡ（キャノン社製）
とテスト用マスクを用いて露光を行なった。次に、１１
０℃で６０秒間露光後ベークした後、テトラメチルアン
モニウムヒドロキシド水溶液（濃度２．３８％）で２３
℃、１分間、浸漬法により現像してネガ型パターンを得
た。
スピナーで塗布した後、９０℃で９０秒間ベークし、厚
さ１．０μｍのレジスト膜を形成した。このウエーハを
遠紫外線照射装置ＰＬＡ−５２１ＦＡ（キャノン社製）
とテスト用マスクを用いて露光を行なった。次に、１１
０℃で６０秒間露光後ベークした後、テトラメチルアン
モニウムヒドロキシド水溶液（濃度２．３８％）で２３
℃、１分間、浸漬法により現像してネガ型パターンを得
た。
【０２５０】パターンの膜厚を膜厚計アルファステップ
２００（テンコー社製）で測定すると０．９５μｍであ
った。パターンの形成されたウエーハを取り出して電子
顕微鏡で観察したところ、０．４５μｍのパターンが解
像していた。
２００（テンコー社製）で測定すると０．９５μｍであ
った。パターンの形成されたウエーハを取り出して電子
顕微鏡で観察したところ、０．４５μｍのパターンが解
像していた。
【０２５１】［実施例２］実施例１のパターンの形成さ
れたウエーハをドライエッチング装置ＤＥＭ−４５１Ｔ
（日電アネルバ社製）を用いてパワー３００Ｗ、圧力
０．０３Ｔｏｒｒ、ガスＣＦ4／Ｈ2＝３０／１０、周波
数１３．５６ＭＨｚでエッチングしたところ、パターン
のなかったところのみエッチングされていることが観察
された。エッチング後のレジストのパターンを観察する
と、ほぼエッチング前の形状を維持していた。このこと
により、実施例１のレジスト組成物が耐ドライエッチン
グ性に優れていることが分かった。
れたウエーハをドライエッチング装置ＤＥＭ−４５１Ｔ
（日電アネルバ社製）を用いてパワー３００Ｗ、圧力
０．０３Ｔｏｒｒ、ガスＣＦ4／Ｈ2＝３０／１０、周波
数１３．５６ＭＨｚでエッチングしたところ、パターン
のなかったところのみエッチングされていることが観察
された。エッチング後のレジストのパターンを観察する
と、ほぼエッチング前の形状を維持していた。このこと
により、実施例１のレジスト組成物が耐ドライエッチン
グ性に優れていることが分かった。
【０２５２】［実施例３］ポリビニルフェノール（重量
平均分子量５０００）１００部、アルキルエーテル化メ
ラミン−ホルムアルデヒド樹脂（三和ケミカル社製、ニ
カラックＭＷ−３０）１５部、前記の化９９で示される
化合物１．０部、フッ素系界面活性剤０．０１部を２−
メトキシプロピオン酸エチル３８０部に溶解し、０．１
μｍのポリテトラフルオロエチレン製フィルターで濾過
してレジスト溶液を調製した。
平均分子量５０００）１００部、アルキルエーテル化メ
ラミン−ホルムアルデヒド樹脂（三和ケミカル社製、ニ
カラックＭＷ−３０）１５部、前記の化９９で示される
化合物１．０部、フッ素系界面活性剤０．０１部を２−
メトキシプロピオン酸エチル３８０部に溶解し、０．１
μｍのポリテトラフルオロエチレン製フィルターで濾過
してレジスト溶液を調製した。
【０２５３】上記レジスト溶液をシリコンウエーハ上に
スピナーで塗布した後、８５℃で９０秒間ベークし、厚
さ１．０μｍのレジスト膜を形成した。このウエーハを
ＫｒＦエキシマレーザーステッパーＮＳＲ １５０５Ｅ
Ｘ（ニコン社製、ＮＡ＝０．４２）とテスト用マスクを
用いて露光を行なった。次に、１２５℃で６０秒間露光
後ベークした後、テトラメチルアンモニウムヒドロキシ
ド水溶液で２３℃、１分間、浸漬法により現像してネガ
型パターンを得た。パターンの形成されたウエーハを取
り出して電子顕微鏡で観察したところ、０．４５μｍの
パターンが解像していた。
スピナーで塗布した後、８５℃で９０秒間ベークし、厚
さ１．０μｍのレジスト膜を形成した。このウエーハを
ＫｒＦエキシマレーザーステッパーＮＳＲ １５０５Ｅ
Ｘ（ニコン社製、ＮＡ＝０．４２）とテスト用マスクを
用いて露光を行なった。次に、１２５℃で６０秒間露光
後ベークした後、テトラメチルアンモニウムヒドロキシ
ド水溶液で２３℃、１分間、浸漬法により現像してネガ
型パターンを得た。パターンの形成されたウエーハを取
り出して電子顕微鏡で観察したところ、０．４５μｍの
パターンが解像していた。
【０２５４】［実施例４］水添ポリビニルフェノール
（水添率＝８％、重量平均分子量４９００）１００部、
アルキルエーテル基含有フェノール化合物（ＧＥＮＥＲ
ＡＬ ＥＬＥＣＴＲＩＣ社製Ｍｅｔｈｙｌｏｎ Ｒｅｓ
ｉｎ ７５１０８のメチロール化物）２５部、前記の化
１１４で示される化合物０．５部、フッ素系界面活性剤
０．０１部をプロピレングリコールモノメチルエーテル
アセテート３５０部に溶解し、０．１μｍのポリテトラ
フルオロエチレン製フィルターで濾過してレジスト溶液
を調製した。
（水添率＝８％、重量平均分子量４９００）１００部、
アルキルエーテル基含有フェノール化合物（ＧＥＮＥＲ
ＡＬ ＥＬＥＣＴＲＩＣ社製Ｍｅｔｈｙｌｏｎ Ｒｅｓ
ｉｎ ７５１０８のメチロール化物）２５部、前記の化
１１４で示される化合物０．５部、フッ素系界面活性剤
０．０１部をプロピレングリコールモノメチルエーテル
アセテート３５０部に溶解し、０．１μｍのポリテトラ
フルオロエチレン製フィルターで濾過してレジスト溶液
を調製した。
【０２５５】上記レジスト溶液をシリコンウエーハ上に
スピナーで塗布した後、９０℃で９０秒間ベークし、厚
さ１．０μｍのレジスト膜を形成した。このウエーハを
ＫｒＦエキシマレーザーステッパーＮＳＲ １５０５Ｅ
Ｘとテスト用マスクを用いて露光を行なった。次に、１
１０℃で６０秒間露光後ベークした後、テトラメチルア
ンモニウムヒドロキシド水溶液で２３℃、１分間、浸漬
法により現像してネガ型パターンを得た。パターンの形
成されたウエーハを取り出して電子顕微鏡で観察したと
ころ、０．３５μｍのパターンが解像していた。
スピナーで塗布した後、９０℃で９０秒間ベークし、厚
さ１．０μｍのレジスト膜を形成した。このウエーハを
ＫｒＦエキシマレーザーステッパーＮＳＲ １５０５Ｅ
Ｘとテスト用マスクを用いて露光を行なった。次に、１
１０℃で６０秒間露光後ベークした後、テトラメチルア
ンモニウムヒドロキシド水溶液で２３℃、１分間、浸漬
法により現像してネガ型パターンを得た。パターンの形
成されたウエーハを取り出して電子顕微鏡で観察したと
ころ、０．３５μｍのパターンが解像していた。
【０２５６】［実施例５］水添ポリビニルフェノール
（水添率＝８％、重量平均分子量４９００）１００部、
アルキルエーテル化尿素−ホルムアルデヒド樹脂（ＣＹ
ＡＮＡＭＩＤ社製、ＵＦＲ−６５）２５部、前記の化１
４９で示される化合物１．０部、フッ素系界面活性剤
０．０１部をプロピレングリコールモノメチルエーテル
アセテート３５０部に溶解し、０．１μｍのポリテトラ
フルオロエチレン製フィルターで濾過してレジスト溶液
を調製した。
（水添率＝８％、重量平均分子量４９００）１００部、
アルキルエーテル化尿素−ホルムアルデヒド樹脂（ＣＹ
ＡＮＡＭＩＤ社製、ＵＦＲ−６５）２５部、前記の化１
４９で示される化合物１．０部、フッ素系界面活性剤
０．０１部をプロピレングリコールモノメチルエーテル
アセテート３５０部に溶解し、０．１μｍのポリテトラ
フルオロエチレン製フィルターで濾過してレジスト溶液
を調製した。
【０２５７】上記レジスト溶液をシリコンウエーハ上に
スピナーで塗布した後、９０℃で９０秒間ベークし、厚
さ１．０μｍのレジスト膜を形成した。このウエーハを
ＫｒＦエキシマレーザーステッパーＮＳＲ １５０５Ｅ
Ｘとテスト用マスクを用いて露光を行なった。次に、１
３０℃で６０秒間露光後ベークした後、テトラメチルア
ンモニウムヒドロキシド水溶液で２３℃、１分間、浸漬
法により現像してネガ型パターンを得た。パターンの形
成されたウエーハを取り出して電子顕微鏡で観察したと
ころ、０．３５μｍのパターンが解像していた。
スピナーで塗布した後、９０℃で９０秒間ベークし、厚
さ１．０μｍのレジスト膜を形成した。このウエーハを
ＫｒＦエキシマレーザーステッパーＮＳＲ １５０５Ｅ
Ｘとテスト用マスクを用いて露光を行なった。次に、１
３０℃で６０秒間露光後ベークした後、テトラメチルア
ンモニウムヒドロキシド水溶液で２３℃、１分間、浸漬
法により現像してネガ型パターンを得た。パターンの形
成されたウエーハを取り出して電子顕微鏡で観察したと
ころ、０．３５μｍのパターンが解像していた。
【０２５８】［実施例６］水添ポリビニルフェノール
（水添率＝８％、重量平均分子量４９００）１００部、
エーテル化ウレタン−ホルムアルデヒド樹脂１５部、前
記の化１７１で示される化合物２．０部、フッ素系界面
活性剤０．０１部をシクロヘキサノン３３０部に溶解
し、０．１μｍのポリテトラフルオロエチレン製フィル
ターで濾過してレジスト溶液を調製した。
（水添率＝８％、重量平均分子量４９００）１００部、
エーテル化ウレタン−ホルムアルデヒド樹脂１５部、前
記の化１７１で示される化合物２．０部、フッ素系界面
活性剤０．０１部をシクロヘキサノン３３０部に溶解
し、０．１μｍのポリテトラフルオロエチレン製フィル
ターで濾過してレジスト溶液を調製した。
【０２５９】上記レジスト溶液をシリコンウエーハ上に
スピナーで塗布した後、９０℃で９０秒間ベークし、厚
さ０．８μｍのレジスト膜を形成した。このウエーハを
遠紫外線照射装置ＰＬＡ−５２１ＦＡとテスト用マスク
を用いて露光を行なった。次に、１３０℃で６０秒間露
光後ベークした後、テトラメチルアンモニウムヒドロキ
シド水溶液で２３℃、１分間、浸漬法により現像してネ
ガ型パターンを得た。パターンの形成されたウエーハを
取り出して電子顕微鏡で観察したところ、０．５０μｍ
のパターンが解像していた。
スピナーで塗布した後、９０℃で９０秒間ベークし、厚
さ０．８μｍのレジスト膜を形成した。このウエーハを
遠紫外線照射装置ＰＬＡ−５２１ＦＡとテスト用マスク
を用いて露光を行なった。次に、１３０℃で６０秒間露
光後ベークした後、テトラメチルアンモニウムヒドロキ
シド水溶液で２３℃、１分間、浸漬法により現像してネ
ガ型パターンを得た。パターンの形成されたウエーハを
取り出して電子顕微鏡で観察したところ、０．５０μｍ
のパターンが解像していた。
【０２６０】［実施例７］ｍ−クレゾールノボラック樹
脂（重量平均分子量６１００）１００部、アルキルエー
テル化ウレタン−ホルムアルデヒド樹脂２０部、前記の
化１８１で示される化合物２．０部、フッ素系界面活性
剤０．０１部を２−メトキシプロピオン酸エチル３８０
部に溶解し、０．１μｍのポリテトラフルオロエチレン
製フィルターで濾過してレジスト溶液を調製した。
脂（重量平均分子量６１００）１００部、アルキルエー
テル化ウレタン−ホルムアルデヒド樹脂２０部、前記の
化１８１で示される化合物２．０部、フッ素系界面活性
剤０．０１部を２−メトキシプロピオン酸エチル３８０
部に溶解し、０．１μｍのポリテトラフルオロエチレン
製フィルターで濾過してレジスト溶液を調製した。
【０２６１】上記レジスト溶液をシリコンウエーハ上に
スピナーで塗布した後、９０℃で９０秒間ベークし、厚
さ０．８μｍのレジスト膜を形成した。このウエーハを
遠紫外線照射装置ＰＬＡ−５２１ＦＡとテスト用マスク
を用いて露光を行なった。次に、１２５℃で６０秒間露
光後ベークした後、テトラメチルアンモニウムヒドロキ
シド水溶液で２３℃、１分間、浸漬法により現像してネ
ガ型パターンを得た。パターンの形成されたウエーハを
取り出して電子顕微鏡で観察したところ、０．５０μｍ
のパターンが解像していた。
スピナーで塗布した後、９０℃で９０秒間ベークし、厚
さ０．８μｍのレジスト膜を形成した。このウエーハを
遠紫外線照射装置ＰＬＡ−５２１ＦＡとテスト用マスク
を用いて露光を行なった。次に、１２５℃で６０秒間露
光後ベークした後、テトラメチルアンモニウムヒドロキ
シド水溶液で２３℃、１分間、浸漬法により現像してネ
ガ型パターンを得た。パターンの形成されたウエーハを
取り出して電子顕微鏡で観察したところ、０．５０μｍ
のパターンが解像していた。
【０２６２】［実施例８］ｍ−クレゾールノボラック樹
脂（重量平均分子量６１００）１００部、アルキルエー
テル化尿素−ホルムアルデヒド樹脂（ＣＹＡＮＡＭＩＤ
社製、ＵＦＲ−６５）２０部、前記の化９６で示される
化合物０．８部、フッ素系界面活性剤０．０１部をシク
ロヘキサノン３３０部に溶解し、０．１μｍのポリテト
ラフルオロエチレン製フィルターで濾過してレジスト溶
液を調製した。
脂（重量平均分子量６１００）１００部、アルキルエー
テル化尿素−ホルムアルデヒド樹脂（ＣＹＡＮＡＭＩＤ
社製、ＵＦＲ−６５）２０部、前記の化９６で示される
化合物０．８部、フッ素系界面活性剤０．０１部をシク
ロヘキサノン３３０部に溶解し、０．１μｍのポリテト
ラフルオロエチレン製フィルターで濾過してレジスト溶
液を調製した。
【０２６３】上記レジスト溶液をシリコンウエーハ上に
スピナーで塗布した後、９０℃で９０秒間ベークし、厚
さ１．２μｍのレジスト膜を形成した。このウエーハを
遠紫外線照射装置ＰＬＡ−５２１ＦＡとテスト用マスク
を用いて露光を行なった。次に、１２５℃で６０秒間露
光後ベークした後、テトラメチルアンモニウムヒドロキ
シド水溶液で２３℃、１分間、浸漬法により現像してネ
ガ型パターンを得た。パターンの形成されたウエーハを
取り出して電子顕微鏡で観察したところ、０．４５μｍ
のパターンが解像していた。
スピナーで塗布した後、９０℃で９０秒間ベークし、厚
さ１．２μｍのレジスト膜を形成した。このウエーハを
遠紫外線照射装置ＰＬＡ−５２１ＦＡとテスト用マスク
を用いて露光を行なった。次に、１２５℃で６０秒間露
光後ベークした後、テトラメチルアンモニウムヒドロキ
シド水溶液で２３℃、１分間、浸漬法により現像してネ
ガ型パターンを得た。パターンの形成されたウエーハを
取り出して電子顕微鏡で観察したところ、０．４５μｍ
のパターンが解像していた。
【０２６４】［実施例９］水添ポリビニルフェノール
（水添率＝８％、重量平均分子量４９００）１００部、
アルキルエーテル化メラミン−ホルムアルデヒド樹脂
（三和ケミカル社製、ニカラックＭＷ−３０）１５部、
前記の化１１３で示される化合物１．０部、フッ素系界
面活性剤０．０１部を２−メトキシプロピオン酸エチル
３８０部に溶解し、０．１μｍのポリテトラフルオロエ
チレン製フィルターで濾過してレジスト溶液を調製し
た。
（水添率＝８％、重量平均分子量４９００）１００部、
アルキルエーテル化メラミン−ホルムアルデヒド樹脂
（三和ケミカル社製、ニカラックＭＷ−３０）１５部、
前記の化１１３で示される化合物１．０部、フッ素系界
面活性剤０．０１部を２−メトキシプロピオン酸エチル
３８０部に溶解し、０．１μｍのポリテトラフルオロエ
チレン製フィルターで濾過してレジスト溶液を調製し
た。
【０２６５】上記レジスト溶液をシリコンウエーハ上に
スピナーで塗布した後、９０℃で９０秒間ベークし、厚
さ０．８μｍのレジスト膜を形成した。このウエーハを
ＫｒＦエキシマレーザーステッパーＮＳＲ １５０５Ｅ
Ｘとテスト用マスクを用いて露光を行なった。次に、１
３０℃で６０秒間露光後ベークした後、テトラメチルア
ンモニウムヒドロキシド水溶液で２３℃、１分間、浸漬
法により現像してネガ型パターンを得た。
スピナーで塗布した後、９０℃で９０秒間ベークし、厚
さ０．８μｍのレジスト膜を形成した。このウエーハを
ＫｒＦエキシマレーザーステッパーＮＳＲ １５０５Ｅ
Ｘとテスト用マスクを用いて露光を行なった。次に、１
３０℃で６０秒間露光後ベークした後、テトラメチルア
ンモニウムヒドロキシド水溶液で２３℃、１分間、浸漬
法により現像してネガ型パターンを得た。
【０２６６】感度の評価を行なったところ、５．０ｍＪ
／ｃｍ2であった。パターンの形成されたウエーハを取
り出して電子顕微鏡で観察したところ、０．３０μｍの
パターンが解像していた。
／ｃｍ2であった。パターンの形成されたウエーハを取
り出して電子顕微鏡で観察したところ、０．３０μｍの
パターンが解像していた。
【０２６７】［比較例１］実施例９において、化１１３
で示される化合物の代わりに、特開平２−５２３４８号
で酸生成化合物として使用されているテトラブロモビス
フェノールＡを用いたこと以外は、同様にしてレジスト
溶液を調製した。そして、実施例９と同様の方法でネガ
型のパターンを得た。感度の評価を行なったところ、
７．３ｍＪ／ｃｍ2であり、実施例９のレジスト組成物
と比較して３０％以上感度が低下していた。
で示される化合物の代わりに、特開平２−５２３４８号
で酸生成化合物として使用されているテトラブロモビス
フェノールＡを用いたこと以外は、同様にしてレジスト
溶液を調製した。そして、実施例９と同様の方法でネガ
型のパターンを得た。感度の評価を行なったところ、
７．３ｍＪ／ｃｍ2であり、実施例９のレジスト組成物
と比較して３０％以上感度が低下していた。
【０２６８】
【発明の効果】本発明によれば、感度、解像度、耐エッ
チング性、保存安定性などのバランスの優れたレジスト
組成物が得られる。本発明のレジスト組成物は、短波長
光を用いるリソグラフィーに適したパターン形成材料で
あり、特に、半導体素子の微細加工用ネガ型レジストと
して好適である。
チング性、保存安定性などのバランスの優れたレジスト
組成物が得られる。本発明のレジスト組成物は、短波長
光を用いるリソグラフィーに適したパターン形成材料で
あり、特に、半導体素子の微細加工用ネガ型レジストと
して好適である。
フロントページの続き (72)発明者 阿部 信紀 神奈川県川崎市川崎区夜光一丁目２番１ 号 日本ゼオン株式会社 研究開発セン ター内 (56)参考文献 特開 平３−107162（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−87746（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−33747（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−52348（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−291258（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−291259（ＪＰ，Ａ)
Claims (4)
- 【請求項１】 アルカリ可溶性フェノール樹脂、活性光
線の照射により酸を生成する化合物および酸の存在下で
架橋する化合物を含有するレジスト組成物において、活
性光線の照射により酸を生成する化合物が一般式（Ｉ）
〜（ＩＸ）で示される化合物からなる群より選択される
少なくとも１種の芳香族化合物であることを特徴とする
レジスト組成物。一般式（Ｉ） 【化１】 Ｒ 1 ；炭素数３〜１０のハロゲン化アルコキシ基（た
だし、ハロゲンは塩素および臭素から選ばれる。） Ｒ 2 ，Ｒ 3 ；水素、ハロゲン、水酸基、アルキル基、置換
アルキル基、アルコキシ基、置換アルコキシ基、ニトロ
基、アミノ基、 一般式（ＩＩ） 【化２】 Ｒ 1 ；炭素数３〜１０のハロゲン化アルコキシ基（た
だし、ハロゲンは塩素および臭素から選ばれる。） Ｒ 2 〜Ｒ 6 ；水素、ハロゲン、水酸基、アルキル基、置換
アルキル基、アルコキシ基、置換アルコキシ基、 一般式（ＩＩＩ） 【化３】 Ｒ 1 ；炭素数３〜１０のハロゲン化アルコキシ基（た
だし、ハロゲンは塩素および臭素から選ばれる。） Ｒ 2 〜Ｒ 6 ；水素、ハロゲン、水酸基、アルキル基、置換
アルキル基、アルコキシ基、置換アルコキシ基、 一般式（ＩＶ） 【化４】 Ｒ 1 ；炭素数３〜１０のハロゲン化アルコキシ基（た
だし、ハロゲンは塩素および臭素から選ばれる。） Ｒ 2 〜Ｒ 6 ；水素、ハロゲン、水酸基、アルキル基、置換
アルキル基、アルコキシ基、置換アルコキシ基、 Ａ ；−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ 2 −、−Ｏ−、−ＣＯ
−、−ＣＯＯ−、−ＣＲ 7 Ｒ 8 − Ｒ 7 ，Ｒ 8 ；水素、アルキル基、アルケニル基 一般式（Ｖ） 【化５】 Ｒ 1 ；炭素数３〜１０のハロゲン化アルコキシ基（た
だし、ハロゲンは塩素および臭素から選ばれる。） Ｒ 2 〜Ｒ 9 ；水素、ハロゲン、水酸基、アルキル基、置換
アルキル基、アルコキシ基、置換アルコキシ基、 Ｒ 10 ；水素、アルキル基、 一般式（ＶＩ） 【化６】 Ｒ 1 ；炭素数３〜１０のハロゲン化アルコキシ基（た
だし、ハロゲンは塩素および臭素から選ばれる。） Ｒ 2 〜Ｒ 8 ；水素、ハロゲン、水酸基、アルキル基、置換
アルキル基、アルコキシ基、置換アルコキシ基、 Ｒ 9 〜Ｒ 12 ；水素、アルキル基、 一般式（ＶＩＩ） 【化７】 Ｒ 1 ；炭素数３〜１０のハロゲン化アルコキシ基（た
だし、ハロゲンは塩素および臭素から選ばれる。） Ｒ 2 〜Ｒ 9 ；水素、ハロゲン、水酸基、アルキル基、置換
アルキル基、アルコキシ基、置換アルコキシ基、 Ｒ 10 〜Ｒ 11 ；水素、ハロゲン、アルキル基、 Ｒ 12 〜Ｒ 14 ；水素、アルキル基、 一般式（ＶＩＩＩ） 【化８】 Ｒ 1 ；炭素数３〜１０のハロゲン化アルコキシ基（た
だし、ハロゲンは塩素および臭素から選ばれる。） Ｒ 2 〜Ｒ 9 ；水素、ハロゲン、水酸基、アルキル基、置換
アルキル基、アルコキシ基、置換アルコキシ基、 Ｒ 10 〜Ｒ 11 ；水素、ハロゲン、アルキル基、 Ｒ 12 〜Ｒ 17 ；水素、アルキル基、 一般式（ＩＸ） 【化９】 Ｒ 1 ；炭素数３〜１０のハロゲン化アルコキシ基（た
だし、ハロゲンは塩素および臭素から選ばれる。） Ｒ 2 〜Ｒ 12 ；水素、ハロゲン、水酸基、アルキル基、置
換アルキル基、アルコキシ基、置換アルコキシ基、 Ｒ 13 〜Ｒ 14 ；水素、アルキル基、 Ａ ；単結合、アルキレン基、置換アルキレン基、アル
ケニル基、置換アルケニル基、アリーレン基、置換アリ
ーレン基 - 【請求項２】 アルカリ可溶性フェノール樹脂がアルカ
リ可溶性の水素添加フェノール樹脂である請求項１記載
のレジスト組成物。 - 【請求項３】 活性光線の照射により酸を生成する化合
物がフェノール性水酸基を有する芳香族化合物の水酸基
の少なくとも１部をハロゲン化エーテル化した芳香族化
合物である請求項１記載のレジスト組成物。 - 【請求項４】 酸の存在下で架橋する化合物がＣ−Ｏ−
Ｒ基（Ｒは水素またはアルキル基）またはエポキシ基を
有する化合物である請求項１記載のレジスト組成物。
Priority Applications (4)
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|---|---|---|---|
| JP3170723A JP2722870B2 (ja) | 1991-06-14 | 1991-06-14 | レジスト組成物 |
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| JP2943379B2 (ja) * | 1991-03-19 | 1999-08-30 | 日本ゼオン株式会社 | レジスト組成物 |
| JPH04291259A (ja) * | 1991-03-19 | 1992-10-15 | Nippon Zeon Co Ltd | レジスト組成物 |
-
1991
- 1991-06-14 JP JP3170723A patent/JP2722870B2/ja not_active Expired - Fee Related
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