DE3821585A1 - Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial fuer hochenergetische strahlung - Google Patents
Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial fuer hochenergetische strahlungInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein positiv arbeitendes strahlungsempfindliches
Gemisch, enthaltend eine Verbindung,
die unter Einwirkung von hochenergetischer Strahlung
eine Säure bildet sowie eine Verbindung, die durch Säure
spaltbar ist.
Bei der klassischen UV-Lithographie ist die Grenze der
Auflösung durch die Wellenlänge der verwendeten Strahlung
vorgegeben. Die stetige Verkleinerung der Dimensionen bei
der Chip-Herstellung erfordert daher im Submikrobereich
neue Lithographietechniken, wobei wegen ihrer extrem kurzen
Wellenlänge Elektronen- oder Röntgenstrahlung eingesetzt
werden. Dabei hat sich gezeigt, daß Resistmaterialien,
die als Elektronenstrahlresist geeignet sind, auch
als Röntgenstrahlresist eingesetzt werden können und umgekehrt.
Bekannte Resistmaterialien für diese Anwendung sind Acrylate
und Methacrylate (G. M. Taylor, Solid State Technology,
124 [1984]). Bei diesen Materialien zeigte sich, daß
Empfindlichkeit und Strukturauflösung meist gegenläufige
Eigenschaften sind. Sollen höhere Empfindlichkeiten erreicht
werden können, werden meist Halogene in den Resist
eingebaut. Dabei wird in positiv arbeitenden Resists
meist Fluor und Chlor, in negativ arbeitenden Resists dagegen
neben Chlor eher Brom und Iod eingesetzt (T. Yamaoka
et al., Phot. Sci. Eng. 23, 196 [1979]).
Im allgemeinen zeigen negativ arbeitende Resists eine
höhere Empfindlichkeit als positiv arbeitende, können dagegen
aber nicht - wie oben ausgeführt - gleichzeitig
eine hohe Auflösung im Submikrobereich aufweisen. Andererseits
erreichen positiv arbeitende Resists auf Methacrylatbasis
eine hohe Auflösung, sind aber mit Ausnahme
der Resists auf Polymethacrylnitril-Basis nicht gegen die
zur Halbleiterstrukturierung verwendeten Plasmaätzprozesse
stabil. Die Methacrylate sind aber nicht
genügend empfindlich.
Die Polymeren mit der bisher höchsten bekannten Strahlungsempfindlichkeit
für Elektronen- bzw. Röntgenstrahlen
sind Polyalkensulfone, insbesondere das Polybuten-1-sulfon.
Der Nachteil dieser Verbindungsklasse liegt aber in
ihrer weniger guten Resistenz gegenüber Plasmaätzprozessen;
sie sind daher zwar für die Maskenherstellung geeignet,
nicht aber für die Halbleiterfertigung mit einer
Maske aus diesem Material. Es wurde daher vorgeschlagen,
Polyalkensulfone mit den bekanntermaßen plasmaätzresistenten
Novolakharzen zu kombinieren (M. J. Bowden et al.,
J. Electrochem. Soc. 128, 1304 [1981]; US-A-42 89 845).
Es zeigte sich aber eine starke Unverträglichkeit der
beiden Polymeren miteinander, wodurch die Auflösung
beeinträchtigt wird. Auch der Versuch, die Verträglichkeit
durch Beimischung weiterer Komponenten zu verbessern,
mußte mit einem Verlust an Empfindlichkeit erkauft
werden (US-A-43 98 001).
Photokatalytische Systeme werden für die Anwendung mit
Elektronen- und Röntgenstrahlung in der DE-A-27 18 254
und DE-A-29 28 636 beschrieben. In diesen positiv arbeitenden
Systemen werden als Verbindungen, die unter Einwirkung
von aktinischer Strahlung eine Säure bilden,
chlorhaltige Verbindungen, insbesondere des substituierten
Triazintyps, eingesetzt. Bei der Strukturierung dieser
Materialien mit Elektronen- oder Röntgenstrahlung
zeigte sich aber, daß die Flanken der Resiststrukturen
nach dem Entwickeln stark negativ unterhöhlt sind (Flankenwinkel
um 60° nach einer Aufnahme mit einem Rasterelektronenmikroskop
(REM)) und als Folge davon Strukturen
unter ca. 2 µm nicht mehr aufgelöst bzw. abgebildet werden
können oder aber zum Teil sehr stark ausgefranst ist.
In der DE-A-29 28 636 wird, wie auch in der DE-A-26 10 842,
als chlorhaltige Verbindung u. a. 2,3,4,5-Tetrachloranilin
genannt. Darüber hinaus werden in der
DE-A-26 10 842 auch Verbindungen offenbart, die aliphatisch
gebundenes Brom enthalten sowie eine, die Brom aromatisch
gebunden trägt: 2,2′,4,4′,6,6′-Hexabromdiphenylamin.
Es zeigte sich aber, daß mit der aromatischen Chlorverbindung
keine genügend hohe Auflösung erzielt werden
kann; mit der genannten Verbindung, die aromatisch gebundenes
Brom enthält, traten dagegen unerwünschte Bildschleier
auf.
Es bestand daher die Aufgabe, ein positiv arbeitendes
strahlungsempfindliches Gemisch bereitzustellen, das für
die Anwendung als Elektronen- bzw. Röntgenresist geeignet
ist, eine höhere Empfindlichkeit und eine verbesserte
Auflösung aufweist, keine Bildschleier nach dem Entwickeln
mit einem wäßrig alkalischen Entwickler zeigt und
eine hinreichende Resistenz gegenüber dem Plasmaätzen besitzt.
Gelöst wird die Aufgabe durch Bereitstellen eines positiv
arbeitenden strahlungsempfindlichen Gemisches, enthaltend
eine Verbindung, die unter Einwirkung von hochenergetischer
Strahlung eine Säure bildet, sowie eine Verbindung,
die durch Säure spaltbar ist, dadurch gekennzeichnet, daß
die Verbindung, die eine Säure bildet, aromatisch gebundenes
Chlor oder Brom enthält und einen pKa-Wert von
kleiner als 12 aufweist oder ein Derivat einer Verbindung
mit einem derartigen pKa-Wert ist.
Es war völlig überraschend, daß Verbindungen bzw. Starter,
die aromatisch gebundenes Chlor oder Brom enthalten
und einen pKa-Wert von kleiner als 12 aufweisen, bzw.
deren Derivate diese vorteilhaften Eigenschaften besitzen,
nachdem die im Stand der Technik (DE-A-26 10 842)
geoffenbarten, aromatisch gebundenes Halogen, insbesondere
Brom enthaltenden Verbindungen, sich als wenig geeignet
erwiesen hatten.
Von den säurebildenden Startern, die aromatisch gebundenes
Chlor oder Brom enthalten, werden solche bevorzugt,
die einen pKa-Wert im Bereich von 6 bis 10 aufweisen bzw.
Derivate dieser Verbindungen.
Der pKa-Wert von chemischen Verbindungen läßt sich nach
herkömmlichen Methoden bestimmen, es ist aber auch eine
theoretische Berechnung mit dem Programm "CAMEO" u. ä.
möglich.
Darüber hinaus zeigen die als Starter eingesetzten Verbindungen
im Gegensatz zu den bekannten Startern eine
geringe Absorption im Spektralbereich oberhalb etwa
300 nm und ermöglichen somit das Arbeiten auch unter konventioneller
Laborbeleuchtung. Gegenüber der in der
EP-A-0 111 274 genannten Kombination von bromiertem Poly-p-vinylphenol
mit Starterverbindungen, die im wesentlichen
im Bereich des nahen UV-Lichts oberhalb 300 nm
absorbieren, ergeben sich neben diesen Vorteilen auch
vereinfachte Formulierungen, geringere Probleme mit Verträglichkeiten
und schließlich durch die Abmischung mit
Novolaken als Bindemitteln eine gezielte Steuerungsmöglichkeit
der Entwicklungsgeschwindigkeit und damit auch
der Strahlungsempfindlichkeit.
Als säurebildende Starter kommen solche in Betracht, die
mindestens ein in dem genannten pKa-Bereich als Proton
abspaltbares H-Atom aufweisen. Hierzu gehören insbesondere
Verbindungen mit Carboxylgruppen, phenolischen
OH-Gruppen, SH-Gruppen oder entsprechend aktivierten
Säureamidgruppen. Es ist jedoch nicht erforderlich, daß
diese sauren Gruppen in freier Form vorliegen. Sie können
auch durch geeignete, unter den Bedingungen der Verarbeitung
abspaltbare Schutzgruppen, z. B. Acetal-, Ester-
und bestimmte Ethergruppen, wie sie in den weiter unten
aufgeführten säurespaltbaren Verbindungen enthalten sind,
geschützt sein. Unter bestimmten Voraussetzungen sind
auch solche Verbindungen als Starter geeignet, in denen
die genannten sauren Gruppen irreversibel substituiert
sind. Wenn derartige Verbindungen in wäßrig entwickelbaren
Gemischen eingesetzt werden sollen, ist es jedoch
erforderlich, daß diese Gemische wesentliche Mengenanteile
an alkalilöslichen Bindemitteln enthalten.
Besonders bevorzugt sind säurebildende Starter der allgemeinen
Formel I
mit mindestens einem aromatisch gebundenen Chlor- oder
Bromatom, worin
R Carboxyl, OR′ oder SR′,
R₁ und R₂ gleich oder verschieden sind und Wasserstoff, Chlor, Brom, Alkyl, ggf. substituiert durch Aryl-, Alkoxy-, Aryloxy-, Hydroxygruppen oder Fluoratome; Aryl, ggf. substituiert durch Alkoxy-, Aryloxy-, Hydroxygruppen oder Halogenatome,
R′ Wasserstoff, Alkyl, ggf. substituiert durch Aryl-, Alkoxy-, Aryloxy-, Hydroxygruppen oder Fluoratome; Aryl, ggf. substituiert durch Alkoxy-, Aryloxy-, Hydroxygruppen oder Halogenatome; Acyl, Alkylsulfonyl, Arylsulfonyl, Alkoxycarbonyl, Triorganosilyl, Triorganostannyl oder eine Alkylen-, Arylen-, Bisacyl-, Sulfonyl-, Alkylendisulfonyl-, Arylendisulfonyl-, Diorganosilyl- oder Diorganostannylgruppe ist, deren zweite Valenz an das O-Atom einer weiteren Einheit der Formel I gebunden ist, wobei die Alkylen- und Arylengruppen entsprechend substituiert sein können wie die Alkyl- und Arylreste,
und n 0 bis 3 bedeutet, wobei
für n = 0:
A Wasserstoff, Chlor, Brom, Alkyl, ggf. substituiert durch Alkoxy-, Aryloxy-, Hydroxy-, Arylreste oder Fluoratome; Aryl, ggf. substituiert durch Alkoxy-, Aryloxy-, Hydroxy-, Carboxylreste oder Halogenatome,
für n =1:
A eine Einfachbindung, -O-, -S-, -SO₂-, -NH-, -NR₃-, Alkylen, Perfluoralkylen,
R Carboxyl, OR′ oder SR′,
R₁ und R₂ gleich oder verschieden sind und Wasserstoff, Chlor, Brom, Alkyl, ggf. substituiert durch Aryl-, Alkoxy-, Aryloxy-, Hydroxygruppen oder Fluoratome; Aryl, ggf. substituiert durch Alkoxy-, Aryloxy-, Hydroxygruppen oder Halogenatome,
R′ Wasserstoff, Alkyl, ggf. substituiert durch Aryl-, Alkoxy-, Aryloxy-, Hydroxygruppen oder Fluoratome; Aryl, ggf. substituiert durch Alkoxy-, Aryloxy-, Hydroxygruppen oder Halogenatome; Acyl, Alkylsulfonyl, Arylsulfonyl, Alkoxycarbonyl, Triorganosilyl, Triorganostannyl oder eine Alkylen-, Arylen-, Bisacyl-, Sulfonyl-, Alkylendisulfonyl-, Arylendisulfonyl-, Diorganosilyl- oder Diorganostannylgruppe ist, deren zweite Valenz an das O-Atom einer weiteren Einheit der Formel I gebunden ist, wobei die Alkylen- und Arylengruppen entsprechend substituiert sein können wie die Alkyl- und Arylreste,
und n 0 bis 3 bedeutet, wobei
für n = 0:
A Wasserstoff, Chlor, Brom, Alkyl, ggf. substituiert durch Alkoxy-, Aryloxy-, Hydroxy-, Arylreste oder Fluoratome; Aryl, ggf. substituiert durch Alkoxy-, Aryloxy-, Hydroxy-, Carboxylreste oder Halogenatome,
für n =1:
A eine Einfachbindung, -O-, -S-, -SO₂-, -NH-, -NR₃-, Alkylen, Perfluoralkylen,
sowie
Carboxyl, substituiertes Carbonyl, insbesondere
Alkyl- oder Arylcarbonyl-, Carboxyalkyl sowie substituiertes
Sulfonylimidocarbonyl und
R₃ Alkyl, insbesondere (C₁-C₃)Alkyl, oder Aryl, insbesondere Phenyl,
bedeutet.
R₃ Alkyl, insbesondere (C₁-C₃)Alkyl, oder Aryl, insbesondere Phenyl,
bedeutet.
Ganz besonders bevorzugt ist, wenn
R₁ und R₂ gleich sind und insbesondere Brom bedeuten, wobei sie jeweils in ortho-Position zu R stehen, sowie
R eine freie oder durch eine mittels Säure abspaltbare Gruppe geschützte Hydroxygruppe ist.
Dabei wird ebenso besonders bevorzugt, wenn
R₁ und R₂ gleich sind und insbesondere Brom bedeuten, wobei sie jeweils in ortho-Position zu R stehen, sowie
R eine freie oder durch eine mittels Säure abspaltbare Gruppe geschützte Hydroxygruppe ist.
Dabei wird ebenso besonders bevorzugt, wenn
Propylen oder Perfluorpropylen, wobei die beiden zuletzt
genannten Substituenten vorzugsweise jeweils am
gleichen C-Atom durch
substituiert sind,
oder
A (für n =1 und B gleich Alkylcarbonyl, insbesondere Methylcarbonyl, Carboxyalkyl, insbesondere Carboxymethyl, substituiertes Sulfonylimidocarbonyl, insbesondere p-Toluolsulfonylimidocarbonyl) -O-, -NH- oder -NR₃- oder
A (für n =0) Hydroxyl, Carboxyl oder Alkyl, welches an jedem zweiten C-Atom durch Phenyl, ggf. ein- oder mehrfach Brom enthaltend, substituiert ist,
bedeutet.
A (für n =1 und B gleich Alkylcarbonyl, insbesondere Methylcarbonyl, Carboxyalkyl, insbesondere Carboxymethyl, substituiertes Sulfonylimidocarbonyl, insbesondere p-Toluolsulfonylimidocarbonyl) -O-, -NH- oder -NR₃- oder
A (für n =0) Hydroxyl, Carboxyl oder Alkyl, welches an jedem zweiten C-Atom durch Phenyl, ggf. ein- oder mehrfach Brom enthaltend, substituiert ist,
bedeutet.
Ebenso besonders bevorzugt sind Phenolharze, bei denen
die unsubstituierten o- bzw. p-Positionen relativ zur
Hydroxyl-Funktion teilweise oder vollständig chloriert
und/oder bromiert wurden.
Insbesondere bevorzugt sind Novolaktypen, die durch
Kondensation von p-Brom-o,o′-bis-methylolphenol und ggf.
bromsubstituiertem m-Kresol erhalten werden, oder solche
Verbindungen, bei denen ein Teil der phenolischen
Hydroxylgruppen durch abspaltbare Gruppen geschützt ist.
Insbesondere bevorzugt sind Verbindungen, in denen
für n =0 und A gleich substituiertes Carbonyl:
R Hydroxyl und
R₁ und R₂ jeweils in ortho-Position zu R stehend Brom bedeuten, oder
für n =0 und A gleich ggf. substituiertes Alkyl:
R Hydroxyl und
R₁ und R₂ jeweils in ortho-Position zu R stehend Wasserstoff oder Brom bedeuten.
R Hydroxyl und
R₁ und R₂ jeweils in ortho-Position zu R stehend Brom bedeuten, oder
für n =0 und A gleich ggf. substituiertes Alkyl:
R Hydroxyl und
R₁ und R₂ jeweils in ortho-Position zu R stehend Wasserstoff oder Brom bedeuten.
Der Gehalt an säurebildenden Startern in dem erfindungsgemäßen
strahlungsempfindlichen Gemisch liegt im allgemeinen
bei 2 bis 50 Gew.-%, vorzugsweise bei 4 bis
25 Gew.-%, jeweils bezogen auf das Gesamtgewicht der
Schicht.
Liegt der Starter in polymerer Form, insbesondere als
Teil des Bindemittels vor, so gelten als Obergrenze die
Gehalte, die unter den entsprechenden polymeren Bindemitteln
angegeben sind. Aus den Mischungsverhältnissen
der monomeren Ausgangsbestandteile läßt sich der jeweilige
Gehalt des Starters bzw. der für den Start verantwortlichen
Molekülgruppen im Polymeren berechnen.
Als säurespaltbares Material in dem erfindungsgemäßen
strahlungsempfindlichen Gemisch haben sich vor allem
folgende Verbindungsklassen bewährt:
- a) solche mit mindestens einer Orthocarbonsäureester- und bzw. oder Carbonsäureamidacetalgruppierung, wobei die Verbindungen auch polymeren Charakter haben und die genannten Gruppierungen als verknüpfende Elemente in der Hauptkette oder als seitenständige Substituenten auftreten können,
- b) Oligomer- oder Polymerverbindungen mit wiederkehrenden Acetal- und/oder Ketalgruppierungen in der Hauptkette,
- c) Verbindungen mit mindestens einer Enolether-, oder N-Acyliminocarbonatgruppierung,
- d) cyclische Acetale oder Ketale von β-Ketoestern oder -amiden,
- e) Verbindungen mit Silylethergruppierungen,
- f) Verbindungen mit Silyl-enolethergruppierungen,
- g) Monoacetale bzw. Monoketale, deren Aldehyd- bzw. Ketonkomponente eine Löslichkeit im Entwickler zwischen 0,1 und 100 g/l aufweisen,
- h) Ether auf Basis tertiärer Alkohole und
- i) Carbonsäureester und Carbonate tertiärer, allylischer oder benzylischer Alkohole
Durch Säure spaltbare Verbindungen des Typs a) als Komponenten
strahlungsempfindlicher Gemische sind in der
EP-A-0 022 571 und der DE-A-26 10 842 ausführlich beschrieben;
Gemische, die Verbindungen des Typs b) enthalten,
sind in der DE-C-23 06 248 und der DE-C-27 18 254
dargestellt; Verbindungen des Typs c) werden
in den EP-A-0 006 626 und 0 006 627 beschrieben; Verbindungen
des Typs d) werden in der EP-A-0 202 196 und Verbindungen,
die dem Typ e) zuzurechnen sind, in den DE-A-35 44 165
und DE-A-36 01 264 vorgestellt; Verbindungen
des Typs f) findet man in der gleichzeitig eingereichten
Patentanmeldung P 37 30 783.5, während Verbindungen vom
Typ g) in den ebenfalls gleichzeitig eingereichten Patentanmeldungen
P 37 30 785.1 und P 37 30 787.8 behandelt
werden. Verbindungen vom Typ h) werden z. B. in der
US-A-46 03 101 beschrieben, Verbindungen vom Typ i) z. B.
in der US-A-44 91 628 und von J. M. Fr´chet et al.,
J. Imaging Sci. 30, 59-64 (1986).
Es können auch Mischungen der genannten säurespaltbaren
Materialien eingesetzt werden. Bevorzugt ist allerdings
ein säurespaltbares Material, welches einem der oben genannten
Typen zuzuordnen ist. Besonders bevorzugt sind
von den Materialien diejenigen, die den Typen a), b), g)
und i) angehören. Unter Typ b) sind insbesondere die
polymeren Acetale hervorzuheben; von den säurespaltbaren
Materialien des Typs g) insbesondere diejenigen, deren
Aldehyd- bzw. Ketonkomponente einen Siedepunkt von
größer als 150°C, vorzugsweise größer als 200°C, aufweist.
Der Gehalt an säurespaltbarem Material in dem erfindungsgemäßen
strahlungsempfindlichen Gemisch sollte bei
1 bis 50 Gew.-%, vorzugsweise bei 5 bis 25 Gew.-%, jeweils
bezogen auf das Gesamtgewicht der Schicht, liegen.
Das erfindungsgemäße strahlungsempfindliche Gemisch enthält
ferner ein in Wasser unlösliches, in organischem
Lösemittel und wäßrigem Alkali aber lösliches, zumindest
quellbares Bindemittel. Hierunter zählen vor allem Phenolharze
vom Novolak-Typ. Genannt werden Phenol-Formaldehyd-Harze,
Kresol-Formaldehyd-Harze, deren Mischkondensate
und deren Mischungen sowie Phenol- und Kresol-Kondensate
mit Formaldehyd.
Daneben können auch noch Vinylpolymerisate wie Polyvinylacetate,
Polymethacrylate, Polyacrylate, Polyvinylether,
Polyvinylpyrrolidone sowie Styrolpolymerisate,
jeweils ggf. durch Comonomere modifiziert, selbst oder
in Mischung mit anderen, eingesetzt werden.
Im besonderen sind zu nennen: Polymere von Styrol mit
Einheiten von Alkenylsulfonyl-aminocarbonyloxy- oder
Cycloalkenylsulfonylaminocarbonyloxy- (EP-A-0 184 804),
Polymere der Acryl-, Methacryl-, Malein-, Itaconsäure
etc. mit seitenständigen, vernetzenden -CH₂OR-Gruppen
(EP-A-0 184 044), Polymerisate aus Vinylmonomeren mit
Alkenylphenoleinheiten (EP-A-0 153 682), Polyvinylphenole
als Novolakersatz (DE-C-23 22 230), polymere Bindemittel
mit seitenständigen, phenolischen Hydroxylgruppen
(EP-A-0 212 439 und 0 212 440), Styrol-Maleinsäureanhydrid-Mischpolymerisate
(DE-A-31 30 987),
Polymere aus ungesättigten (Thio)phosphinsäureiso(thio)cyanaten
mit einem aktiven Wasserstoff enthaltenden
Polymeren (DE-A-36 15 612 und 36 15 613), Polymere mit
Vinylacetat-, Vinylalkohol- und Vinylacetaleinheiten
(EP-A-0 216 083) sowie Polyvinylacetale mit Einheiten aus
Hydroxyaldehyden (DE-A-36 44 162).
Die Menge des Bindemittels beträgt im allgemeinen 1 bis
90, insbesondere 5 bis 90 Gew.-%, vorzugsweise 50 bis
90 Gew.-%, bezogen auf das Gesamtgewicht der strahlungsempfindlichen
Mischung.
Auf die genannten, in Wasser unlöslichen, in Alkali aber
löslichen Bindemittel kann ggf. verzichtet werden, wenn
polymere Starter verwendet werden. Insbesondere kommen
hierfür bromierte Polystyrole oder Polyvinylphenole in
Frage. Dies hat zur Folge, daß der Gehalt des polymeren
Starters auch über den für den Starter beschriebenen
Bereich hinausgehen kann. Insbesondere werden Gehalte
von größer als 50 Gew.-% und bis zu 100 Gew.-%, abzüglich
des Gehalts der Verbindung, die durch Säure spaltbar
ist, in Anspruch genommen.
Daneben ist es auch möglich, das Bindemittel durch Kondensation
aus einem erfindungsgemäß beanspruchten chlor-
oder bromhaltigen aromatischen Starter mit einem Ausgangsmonomeren,
das für die Darstellung herkömmlicher
Bindemittel bekannt ist, herzustellen. Voraussetzung ist,
daß das säurebildende chlor- oder bromhaltige Material
zur Kondensation oder Polymerisation fähige Gruppen aufweist.
Von seiten der monomeren Bestandteile herkömmlicher Bindemittel
werden für diese Kondensation in erster Linie
Penole und Kresole, insbesondere m-Kresol bevorzugt.
Die Kondensation erfolgt vorzugsweise mit etwa äquimolaren
Mengen.
Neben dieser "Einkondensation" des chlor- oder bromhaltigen
Starters mit monomeren Bestandteilen bekannter Bindemittel
zu einem polymeren Starter, der gleichzeitig als
Bindemittel wirkt, ist auch ein einfaches Mischen, in
diesem Fall aber von einem polymeren Starter und herkömmlichen
Bindemitteln möglich. Insbesondere werden bromhaltige
Styrolderivate mit Novolakharzen gemischt, vorzugsweise
in etwa äquimolaren Anteilen.
Ferner können den erfindungsgemäßen strahlungsempfindlichen
Gemischen ggf. Farbstoffe, Pigmente, Weichmacher,
Netzmittel und Verlaufmittel, aber auch Polyglykole,
Celluloseether, z. B. Ethylcellulose, zur Verbesserung
spezieller Erfordernisse wie Flexibilität, Haftung und
Glanz zugesetzt werden.
Vorzugsweise wird das erfindungsgemäße strahlungsempfindliche
Gemisch in Lösungsmitteln wie Ethylenglykol,
Glykolethern wie Glykolmonomethylether, Glykoldimethylether,
Glykolmonoethylether oder Propylenglykolmonoalkylethern,
insbesondere Propylenglykolmethylether; aliphatische
Estern wie Ethylacetat, Hydroxyethylacetat,
Alkoxyethylacetat, n-Butylacetat, Propylenglykolmonoalkyletheracetat,
insbesondere Propylenglykolmethyletheracetat
oder Amylacetat; Ethern wie Dioxan, Ketonen
wie Methylethylketon, Methyl-isobutylketon, Cyclopentanon
und Cyclohexanon; Dimethylformamid, Dimethylacetamid,
Hexamethylphosphorsäureamid, N-Methyl-pyrrolidon,
Butyrolaceton, Tetrahydrofuran, und in Mischungen derselben
gelöst. Besonders bevorzugt werden Glykolether,
aliphatische Ester sowie Ketone.
Die mit den Bestandteilen des strahlungsempfindlichen
Gemisches entstehenden Lösungen haben in der Regel einen
Feststoffgehalt von 5 bis 60 Gew.-%, vorzugsweise bis
50 Gew.-%.
Erfindungsgemäß wird ferner ein strahlungsempfindliches
Aufzeichnungsmaterial beansprucht, im wesentlichen bestehend
aus einem Substrat und dem darauf aufgetragenen
strahlungsempfindlichen Gemisch.
Als Substrate kommen alle Materialien in Frage, aus denen
Kondensatoren, Halbleiter, mehrlagige gedruckte
Schaltungen oder integrierte Schaltkreise bestehen bzw.
hergestellt werden können. Insbesondere sind Oberflächen
aus thermisch oxidiertem und/oder mit Aluminium beschichtetem
Siliciummaterial zu nennen, die gegebenenfalls
auch dotiert sein können, einschließlich aller anderen
in der Halbleitertechnologie üblichen Substrate wie
beispielsweise Siliciumnitrid, Galliumarsenid, Indiumphosphid.
Weiterhin kommen in Frage die aus der Flüssigkristalldisplay-Herstellung
bekannten Substrate wie
Glas, Indium-Zinnoxid; ferner Metallplatten und -folien,
beispielsweise aus Aluminium, Kupfer, Zink; Bimetall-
und Trimetallfolien, aber auch elektrisch nicht leitende
Folien, die mit Metallen bedampft sind, ggf. mit Aluminium
beschichtete SiO₂-Materialien und Papier. Diese
Substrate können einer Temperatur-Vorbehandlung unterzogen
werden, oberflächlich angerauht, angeätzt oder zur
Verbesserung erwünschter Eigenschaften, z. B. der Erhöhung
der Hydrophilie, mit Chemikalien behandelt sein.
In einer besonderen Ausführungsform kann das strahlungsempfindliche
Gemisch zur besseren Haftung in dem Resist
oder zwischen dem Resist und dem Substrat einen Haftvermittler
enthalten. Bei Silicium- bzw. Siliciumdioxid-Substraten
kommen hierfür Haftvermittler vom Aminosilan-Typ,
wie z. B. 3-Aminopropyl-triethoxysilan oder Hexamethyl-disilazan
in Frage.
Beispiele für Träger, die zur Herstellung von photomechanischen
Aufzeichnungsschichten wie Druckformen für
den Hochdruck, den Flachdruck, den Siebdruck, den Tiefdruck
sowie von Reliefkopien Verwendung finden können,
sind Aluminiumplatten, ggf. anodisch oxidiert, gekörnte
und/oder silikatisierte Aluminiumplatten, Zinkplatten,
Stahlplatten, die ggf. verchromt wurden, sowie Kunststoffolien
oder Papier.
Bestrahlt wird das erfindungsgemäße Aufzeichnungsmaterial
bildmäßig mit hochenergetischen Strahlungsquellen;
bevorzugt ist Elektronen- oder Röntgenstrahlung.
Die Schichtstärke variiert in Abhängigkeit von ihrem
Einsatzgebiet. Sie beträgt zwischen 0,1 und 100 µm,
insbesondere zwischen 1 und 10 µm.
Gegenstand der Erfindung ist ferner ein Verfahren zur
Herstellung eines strahlungsempfindlichen Aufzeichnungsmaterials.
Das Auftragen des strahlungsempfindlichen
Gemisches auf das Substrat kann durch Aufsprühen, Fließbeschichten,
Walzen, Schleuderbeschichten und Tauchbeschichten
erfolgen. Danach wird das Lösungsmittel
durch Verdampfen entfernt, so daß auf der Oberfläche des
Substrates die strahlungsempfindliche Schicht zurückbleibt.
Die Entfernung des Lösemittels kann gegebenenfalls
durch Erhitzen der Schicht auf Temperaturen von bis zu
150°C gefördert werden. Das Gemisch kann aber auch zunächst
auf obengenannte Weise auf einen Zwischenträger
aufgetragen werden, von dem aus es unter Druck und erhöhter
Temperatur auf das endgültige Trägermaterial
übertragen wird. Als Zwischenträger können grundsätzlich
alle auch als Trägermaterialien ausgewiesene Materialien
Anwendung finden. Anschließend wird die Schicht bildmäßig
bestrahlt. Besonders bevorzugt sind energiereiche
Strahlungen wie Röntgen- oder Elektronenstrahlung. Besonders
bevorzugt wird energiereiche Synchrotronstrahlung
mit Dosiswerten von 20 bis 200 mJ/cm² oder Strahlung
eines Elektronenstrahlschreibers. In der strahlungsempfindlichen
Schicht wird anschließend durch Entwicklung
ein Bildmuster freigelegt, indem die Schicht
mit einer Entwicklerlösung behandelt wird, die die bestrahlten
Bereiche des Materials löst bzw. entfernt.
Als Entwickler werden Lösungen von alkalischen Reagenzien
wie z. B. Silikaten, Metasilikaten, Hydroxiden,
Hydrogen- bzw. Dihydrogenphosphaten, Carbonaten bzw.
Hydrogencarbonaten, insbesondere von Alkali- oder Ammoniumionen,
aber auch Ammoniak und organische Ammoniumbasen
und dergleichen verwendet. Der Gehalt dieser Substanzen
in der Entwicklerlösung beträgt im allgemeinen
0,1 bis 15 Gew.-%, vorzugsweise 0,5 bis 5 Gew.-%, bezogen
auf das Gewicht der Entwicklerlösung.
Zur Erhöhung der Resistenz gegen mechanische und chemische
Einflüsse, insbesondere gegen Ätzmedien, können
die entwickelten Schichten noch einige Zeit, z. B. 5 bis
40 Minuten, auf erhöhte Temperatur, z. B. oberhalb 200°C,
erhitzt werden, wobei diese Wirkung noch durch Belichten
mit UV-Strahlung unterstützt werden kann.
Anhand der folgenden Beispiele soll die Herstellung der
im erfindungsgemäßen strahlungsempfindlichen Gemisch
enthaltenen und zum Teil neuen, aromatisches Chlor oder
Brom enthaltenden Verbindungen verdeutlicht werden:
0,2 mol Hexafluor-Bisphenol A (2,2-Bis-4-hydroxyphenyl)-
1,1,1,3,3,3-hexafluorpropan) wurden in 100 ml Eisessig
unter Rühren gelöst. Bei einer Temperatur von 30 bis
60°C wurde eine Lösung aus 0,8 mol Brom in 100 ml Eisessig
zugetropft und das Reaktionsgemisch anschließend
so lange unter Rückfluß erhitzt, bis die HBr-Abspaltung
beendet war. Die heiße Reaktionsmischung wurde in 2 l
warmes Wasser eingerührt, auf Raumtemperatur abgekühlt,
und die entstandenen Kristalle wurden über eine Nutsche
abgesaugt. Der Schmelzpunkt des durch Sublimation gereinigten
Produktes wurde zu 255°C bestimmt.
102 g Tris-(4-hydroxyphenyl)ethan wurden in einer Mischung
aus 500 ml Eisessig und 250 ml Wasser suspendiert.
Bei 10°C wurden anschließend in die gerührte
Suspension 334 g Brom zugetropft. Nach erfolgter Abreaktion
des Broms wurden 750 ml Wasser zugegeben und die
ausgefallenen Kristalle über eine Nutsche abgesaugt. Sie
wurden mit Wasser gewaschen, aus Toluol umkristallisiert
und anschließend getrocknet. Das Produkt hatte einen
Schmelzpunkt von 276-278°C. Das NMR-Spektrum (CDCl₃)
zeigte folgende Signale: CH₃: δ =2,05 (3 H)s; OH: δ =5,89
(3 H)s; Phenyl: δ =7,1 (6 H)s.
50 mmol 2,4,6-Tribromanilin wurden in 20 ml Tetrahydrofuran
gelöst. Bei Raumtemperatur wurde eine Lösung aus
50 mmol Toluolsulfonylisocyanat in 20 ml Tetrahydrofuran
zugetropft und anschließend die gerührte Reaktionsmischung
3 h auf 40°C gehalten. Die ausgefallenen Kristalle
wurden über eine Nutsche abgesaugt. Das Produkt
hatte nach dem Umkristallisieren aus Toluol einen
Schmelzpunkt von 230°C.
Die folgenden Anwendungsbeispiele, in denen Gt Gewichtsteile
bedeutet, sollen die Erfindung näher erläutern.
56,6 g Tetrabrom-bisphenol A werden in 50 ml Tetrahydrofuran
(THF) gelöst und 14,8 g Divinyloxybutan werden zugegeben.
Nach 3 h Rühren bei Raumtemperatur werden die
leichtflüchtigen Bestandteile am Rotationsverdampfer
unter Wasserstrahlvakuum abdestilliert. Der verbleibende
farblose Feststoff hat einen Schmelzpunkt von 79°C und
zeigt ¹H-NMR-Signale bei 7,25 ppm (s, arom.), 5,60 ppm
(g, Acetal) und 1,57 ppm (Methyl).
56,6 g Tetrabrom-bisphenol A werden in 50 ml Tetrahydrofuran
gelöst, dann werden 15 g Vinylethylether und 0,2 g
Amberlyst zugegeben. Nach 3 h unter Rückfluß werden 5 g
Kaliumcarbonat bei Raumtemperatur zugegeben, es wird eine
Stunde nachgerührt, dann filtriert und eingeengt. Das
zurückbleibende hochviskose braune Öl zeigt NMR-Signale
bei 7,27 ppm (s, arom.), 5,60 ppm (q, Acetal) und
1,60 ppm (Methyl).
56,6 g Tetrabrom-bisphenol A werden in 50 ml THF gelöst.
Nach Zugabe von 40 g Pyridin werden 22,5 g Trimethylchlorsilan
bei Raumtemperatur zugetropft. Nach einstündigem
Erhitzen unter Rückfluß wird durch Ausschütteln mit
Diethylether und Wasser aufgearbeitet. Nach dem Einengen
der Etherfraktion erhält man Kristalle, die aus Isopropanol
umkristallisiert einen Schmelzpunkt von 141°C
aufweisen. NMR: 7,26 ppm (s, arom.) ,160 (s, Me₃Si).
56,6 g Tetrabrom-bisphenol A werden in 50 ml THF gelöst.
Nach Zugabe von 17,5 g Dihydropyran und 0,25 g Amberlyst
wird 3 h unter Rückfluß erhitzt, nach dem Abkühlen durch
Zugabe von 5 g Kaliumcarbonat neutralisiert, eine Stunde
nachgerührt und nach Filtration zur Trockne eingeengt:
Öl. NMR: 7,27 ppm (arom.), 6,0 ppm (t, Acetal), 1.57 ppm
(Methyl).
13,6 g Tetrabrom-bisphenol A werden in 50 ml THF gelöst.
Nach langsamer Zugabe von 2,65 g Natriumhydrid (50%ig)
werden 10,9 g Di-t-butylcarbonat zugetropft. Nach vierstündigem
Rühren bei 60°C wird auf Eiswasser gegossen,
dreimal mit je 150 ml Ethylacetat ausgeschüttelt, die
organische Phase getrocknet und filtriert. Die nach dem
Einengen erhaltenen Kristalle ergeben nach Umkristallisation
aus Isopropanol einen Schmelzpunkt von 172°C. NMR:
7,22 ppm (arom.), 1,57 ppm (s, 6 H), 1,52 ppm (s, 18 H).
27,2 g Tetrabrom-bisphenol A werden in 176 ml Pyridin
gelöst. Dazu werden langsam unter Kühlung 7,8 g Acetylchlorid
getropft und das so erhaltene Reaktionsgemisch
über Nacht bei Raumtemperatur gehalten. Nach Filtration
wird auf Eiswasser gegeben, mit konz. HCl angesäuert. Der
ausgefallene Ester wird abgesaugt, in Methylenchlorid
aufgenommen und mit Natriumbicarbonatlösung und Wasser
gewaschen, getrocknet und eingeengt. Das Produkt wird aus
Acetonitril umkristallisiert, F.: 169°C, NMR: 7,42 ppm,
2,40 ppm, 1,68 ppm.
Herstellung analog Herstellungsbeispiel 9, jedoch unter
Verwendung von Benzoylchlorid anstelle des Acetylchlorids.
Weiße Kristalle (aus Acetonitril): F 219°C, NMR
1,75 ppm (6 H, Methyl), 14 H arom.
Es wird vorgegangen wie in Herstellungsbeispiel 9, jedoch
unter Verwendung von Benzolsulfonylchlorid anstelle von
Acetylchlorid. Kristalle (aus Acetonitril), F: 208°C,
NMR: 1,65 (6 H, Methyl), arom: 14 H.
Es wird vorgegangen wie in Herstellungsbeispiel 5 mit dem
Unterschied, daß anstelle von Bisphenol A die Verbindung
aus Herstellungsbeispiel 2 und der Vinylether in
dreifachem moralem Überschuß eingesetzt wird. NMR: 1,17 ppm
(Methyl, t), 1,57 ppm (Methyl, d), 5,57 ppm (q, Acetal),
7,10 (s, arom.).
54,4 g Tetrabrom-bisphenol A werden in 200 ml 5%iger NaOH
gelöst. Bei Raumtemperatur werden 30,3 g Dimethylsulfat
zugetropft, eine Stunde bei Raumtemperatur gerührt, dann
auf 40°C erwärmt und 50 ml konz. Ammoniaklösung zugegeben.
Das Produkt wird mit Methylenchlorid extrahiert, die
organische Phase gewaschen, getrocknet und eingeengt.
NMR: 7,3 ppm (arom. 4 H, s), 3,88 ppm (s, CH₃O, 6 H), 1,6 ppm
(s, CH₃, 6 H).
Es wurde eine Beschichtungslösung hergestellt aus
17 Gt eines Kresol-Formaldehyd-Novolaks mit einem Erweichungsbereich
von 105-120°C,
5 Gt eines polymeren Acetals aus Benzaldehyd und Hexan-1,6-diol entsprechend dem Herstellungsbeispiel in Beispiel 11 und
4 Gt Tetrabrom-Bisphenol A in
74 Gt Propylenglykolmethyletheracetat.
5 Gt eines polymeren Acetals aus Benzaldehyd und Hexan-1,6-diol entsprechend dem Herstellungsbeispiel in Beispiel 11 und
4 Gt Tetrabrom-Bisphenol A in
74 Gt Propylenglykolmethyletheracetat.
Die Lösung wurde auf einen mit einem Haftvermittler
(Hexamethyl-disilazan) behandelten Siliciumwafer bei
3000 U/min aufgeschleudert. Nach der Trocknung bei
85°C für 30 min in einem Umluftofen wurde eine Schichtdicke
von 1 µm erhalten. Bildmäßig bestrahlt wurde mit
Synchrotron-Strahlung (BESSY, Berlin, Luftspalt 2 mm)
einer Dosis von 44 mJ/cm² durch eine Gold-auf-Silicium-Maske.
Den experimentellen Aufbau findet man bei A. Heuberger,
"X-Ray Lithography", Microelectronic Engineering
3, 535-556 (1985). Nach dem Belichten wurde die Resistschicht
30 Minuten bei Raumtemperatur belassen. Entwickelt
wurde mit einem alkalischen Entwickler folgender
Zusammensetzung:
5,3 Gt Natriummetasilikat × 9 H₂O,
3,4 Gt Trinatriumphosphat × 12 H₂O,
0,3 Gt Natriumdihydrogenphosphat und
91 Gt vollentsalztes Wasser.
3,4 Gt Trinatriumphosphat × 12 H₂O,
0,3 Gt Natriumdihydrogenphosphat und
91 Gt vollentsalztes Wasser.
Nach einer Entwicklungsdauer von 30 s erhielt man ein
fehlerfreies Bild mit allen Details der Maske. Die Resistflanken
waren nicht negativ unterhöhlt und zeigten
Winkel von nahezu 90° (in einer Aufnahme eines Rasterelektronenmikroskops
[REM]).
Es wurde eine Beschichtungslösung und ein Resist entsprechend
Beispiel 1 hergestellt; anstelle des dort
angegebenen Starters wurde allerdings Hexafluortetrabrom-
Bisphenol A (Herstellungsbeispiel 1) in gleicher
Menge zugegeben. Die Ergebnisse hinsichtlich Auflösung
und Winkel der Resistflanken zum Trägermaterial nach dem
Entwickeln mit dem Entwickler aus Beispiel 1 waren mit
denen aus Beispiel 1 vergleichbar.
Es wurde eine Beschichtungslösung entsprechend Beispiel 1
hergestellt. Anstelle von Tetrabrom-Bisphenol A wurde
als Starter allerdings Bis(3,5-dibrom-4-hydroxyphenyl)-
sulfon in Cyclohexanon als Lösungsmittel eingesetzt. Nach
Belichtung des Resists wurde dieser in dem Entwickler
gemäß Beispiel 1 entwickelt, wobei sich die Entwicklungsdauer
auf 20 s verkürzte; die Ergebnisse hinsichtlich
Auflösung und Resistflanken entsprachen wiederum denen,
die auch in Beispiel 1 entwickelt werden konnten.
Anstelle des in Beispiel 1 eingesetzten Tetrabrom-Bisphenols A
wurde Tetrachlor-Bisphenol A in einer Beschichtungslösung,
die sonst völlig der des Beispiel 1
entsprach, verwendet. Die Lösung wurde auf einen mit
einem Haftvermittler gemäß Beispiel 1 versehenen Siliciumwafer
aufgeschleudert (3000 U/min). Nach 1 Minute
Trocknen bei 110°C auf einer beheizten Platte (hotplate)
konnte eine Schichtdicke von 1 µm erhalten werden.
Bestrahlt wurde mit Synchrotronstrahlung (Dosis:
22 mJ/cm²). Die Entwicklung erfolgte nach einer Wartezeit
von nur zwei Minuten mit einem Entwickler, der durch Verdünnen
des Entwicklers von Beispiel 1 mit entionisiertem
Wasser im Verhältnis 1 : 1 erhalten worden war, innerhalb
von 25 Sekunden. Unter diesen Bedingungen war es möglich,
Strukturwiedergaben wie in Beispiel 1 zu erzielen.
Es wurde eine Beschichtungslösung wie in Beispiel 1 hergestellt,
nur daß anstelle des Tetrabrom-Bisphenols A
4-Iodphenol eingesetzt wurde. Beschichtet wurde entsprechend
Beispiel 1. In diesem Beispiel konnte allerdings
auch mit Synchrotronstrahlung einer Dosis von 250 mJ/cm²
nach dem Entwickeln gemäß Beispiel 1 kein Bild erhalten
werde.
Dieses Beispiel entsprach Beispiel 1, mit der Ausnahme,
daß anstelle des dort angegebenen Starters 1,1,1-Tris-
(3,5-dibrom-4-hydroxyphenyl)ethan eingesetzt wurde. Bestrahlt
wurde bildmäßig mit Synchrotronstrahlung einer
Dosis von 30 mJ/cm². Nach dem Entwickeln gemäß Beispiel 1
wurden Ergebnisse in Auflösung und Winkel der Resistflanken
zum Träger erhalten, die denen aus Beispiel 1
entsprachen. Zusätzlich wies der Resist gemäß diesem
Beispiel einen verbesserten Wärmezustand auf.
Anstelle von Tetrabrom-Bisphenol A wurde in diesem Beispiel
als Starter 2,4,6-Tribromacetanilid verwendet. Alle
übrigen Parameter entsprachen denen des Beispiels 1, mit
der Ausnahme, daß mit Synchrotronstrahlung einer Dosis
von 170 mJ/cm² bildmäßig bestrahlt wurde. Die Ergebnisse
waren mit denen aus Beispiel 1 vergleichbar.
In diesem Beispiel wurde als Starter N-(2,4,6-Tribromphenyl)-
N′-(p-toluolsulfonyl)harnstoff entsprechend den
Vorschriften aus Beispiel 1 eingesetzt. Bestrahlt wurde
mit Synchrotronstrahlung einer Dosis von 160 mJ/cm².
Alle übrigen Parameter entsprachen denen des Beispiels 1.
Die Ergebnisse hinsichtlich Auflösung und Resistflanken
waren ebenfalls mit denen des Beispiel 1 vergleichbar.
Anstelle des in Beispiel 1 verwendeten Starters wurde in
diesem Beispiel 2,4,6-Tribromphenoxyessigsäure eingesetzt.
Bestrahlt wurde mit Synchrotronstrahlung einer
Dosis von 160 mJ/cm². Entwickelt wurde mit dem Entwickler
aus Beispiel 1, in diesem Falle wurde allerdings mit
vollentsalztem Wasser im Verhältnis 1 : 1 verdünnt. Alle
übrigen Parameter waren mit denen aus Beispiel 1 identisch.
Es konnte ein fehlerfreies Bild hoher Auflösung
gemäß Beispiel 1 erreicht werden.
Dieses Beispiel entsprach Beispiel 9, mit der Ausnahme,
daß 3,5-Dibrom-4-hydroxy-benzoesäure als Starter verwendet
wurde. Die Ergebnisse entsprachen denen aus Beispiel 8.
Es wurde eine Beschichtungslösung hergestellt, enthaltend
22 Gt eines bromierten Poly-(p-hydroxy)styrols mit einem
Bromgehalt von 50 Gew.-% (kommerzielles Produkt der
Maruzen),
5 Gt eines Acetals aus Benzaldehyd und Phenoxyethanol gemäß der unten angefügten Herstellungsvorschrift in
73 Gt Propylenglykolmethylether-acetat.
5 Gt eines Acetals aus Benzaldehyd und Phenoxyethanol gemäß der unten angefügten Herstellungsvorschrift in
73 Gt Propylenglykolmethylether-acetat.
Es wurde entsprechend Beispiel 1 beschichtet, bestrahlt
und entwickelt. Mit Synchrotronstrahlung einer Dosis von
35 mJ/cm² ergaben sich ein Auflösungsvermögen und ein
Verhalten der Resistflanken, die mit denen aus Beispiel 1
identisch waren.
Zu einer Mischung aus 1 mol Benzaldehyd, 2 mol Phenoxyethanol
und 1,1 mol Orthoameisensäuretrimethylester wurden
unter Kühlung 0,5 g p-Toluolsulfonsäure gegeben. Es
wurde 2 h bei Raumtemperatrur gerührt. Anschließend wurde
an die Mischungsapparatur ein Wasserstrahlvakuum angelegt
und jeweils 2 h bei 20°C, 40°C und 60°C weitergerührt.
Abschließend wurde die Reaktionsmischung bei
80°C und einem Druck von 0,1 Torr über einen Dünnschichtverdampfer
gegeben. Gegebenenfalls kann eine
weitere Destillation im Dünnschichtverdampfer bei entsprechend
erhöhter Temperatur erfolgen.
Das resultierende Acetal wurde mit Na₂CO₃, K₂CO₃ oder
basischem Aluminiumoxid verrührt, wodurch der saure
Katalysator neutralisiert wurde. Die festen Bestandteile
wurden abgetrennt und das Filtrat im Vakuum eingeengt.
Das Acetal konnte in der nun vorliegenden Form in einem
Aufzeichnungsmaterial eingesetzt werden. Es wies einen
Schmelzpunkt von 22-24°C auf; im IR-Spektrum war kein
CO-Signal erkennbar; das NMR-Spektrum (CDCl₃) zeigte ein
Acetalsignal bei δ = 5,76 ppm.
Es wurde eine Beschichtungslösung hergestellt, enthaltend
22 Gt eines bromhaltigen Novolaks, hergestellt aus einer
Mischung von 2,6-Dimethylol-4-bromphenol und m-
Kresol (Molverhältnis 1 : 1, saure Kondensation),
5 Gt des Acetals aus Piperonal und Phenoxyethanol in
73 Gt Propylenglykolmethylether-acetat.
5 Gt des Acetals aus Piperonal und Phenoxyethanol in
73 Gt Propylenglykolmethylether-acetat.
Analog zu Beispiel 1 wurde ein Siliciumwafer mit der Beschichtungslösung
beschichtet und getrocknet, anschließend
mit Synchrotronstrahlung einer Dosis von 81 mJ/cm²
bildmäßig bestrahlt und entwickelt.
Die Ergebnisse waren mit denen aus Beispiel 1 vergleichbar.
Neben der Säure und dem Lösungsmittel aus Herstellungsbeispiel
in Beispiel 11 wurden 1 mol Piperonal und
2 mol Phenoxyethanol vorgelegt. Entsprechend den Ausführungen
im Beispiel 11 konnte ein Acetal, das als Öl
anfiel, isoliert werden. Es zeigte im NMR-Spektrum
(CDCl₃) das für Acetale charakteristische Signal bei
δ = 5,66 ppm.
Es wurde eine Beschichtungslösung hergestellt, enthaltend
11 Gt eines Kresol-Formaldehyd-Novolaks mit einem Erweiterungsbereich
von 105-120°C,
11 Gt eines bromierten Poly-(p-hydroxy)styrols mit einem Bromgehalt von 50 Gew.-% entsprechend den Herstellungsbeispielen 1 bis 3 und
5 Gt eines Acetals aus Cyclohexanon und Phenoxyethanol, das gemäß den Herstellungsangaben aus den Beispielen 11 und 12 dargestellt worden war, in
73 Gt Propylenglykolmethylether-acetat.
11 Gt eines bromierten Poly-(p-hydroxy)styrols mit einem Bromgehalt von 50 Gew.-% entsprechend den Herstellungsbeispielen 1 bis 3 und
5 Gt eines Acetals aus Cyclohexanon und Phenoxyethanol, das gemäß den Herstellungsangaben aus den Beispielen 11 und 12 dargestellt worden war, in
73 Gt Propylenglykolmethylether-acetat.
Es wurde entsprechend Beispiel 1 beschichtet, bestrahlt
und entwickelt. Mit Synchrotronstrahlung einer Dosis von
41 mJ/cm² konnten Ergebnisse analog zu Beispiel 1 erreicht
werden.
Es wurde eine Beschichtungslösung entsprechend Beispiel 13
hergestellt, mit der Maßgabe, daß als säurespaltbares
Material, insbesondere α ,p-Bis-trimethylsilyloxy-styrol
gemäß dem unten angeführten Herstellungsbeispiel eingesetzt
wurde. Die Ergebnisse waren analog zu denen des
Beispiels 12.
0,72 mol Trimethylchlorsilan und 1 mol Triethylamin wurden
in 100 ml Dimethylformamid vorgelegt. Unter Rühren
bei Raumtemperatur wurden 0,35 mol p-Hydroxyacetophenon
zugetropft und anschließend 4 h unter Rühren auf 110°C
erhitzt. Nach Abkühlen der Reaktionsmischung wurden
100 ml Hexan dazugegeben und mit Wasser gewaschen. Nach
der Extraktion wurde die organische Phase einer fraktionierten
Destillation unterworfen. Dabei erhielt man 19 g
des gewünschten Bisethers (Siedepunkt: 125°C/4 Torr).
Das NMR-Spektrum zeigte anhand von enolischen Protonen
bei w = 4,19 und 4,65 ppm, daß die Carbonylgruppen vollständig
in Enolethergruppen übergegangen waren.
Es wurde eine Beschichtungslösung hergestellt, enthaltend
16 Gt Poly-(4-tert.-butoxycarbonyl)styrol und
4 Gt Tetrabrom-Bisphenol A in
80 GT Propylenglykolmethyletheracetat.
4 Gt Tetrabrom-Bisphenol A in
80 GT Propylenglykolmethyletheracetat.
Entsprechend Beispiel 1 wurde beschichtet und bestrahlt.
Nach der Bestrahlung wurde 30 min in einem Umluftofen
bei 120°C getrocknet. Die abgebildete Probe wurde anschließend
wieder entsprechend Beispiel 1 weiterverarbeitet.
Die Ergebnisse hinsichtlich Auflösungsvermögen
und Resistflankenausgestaltung entsprachen denen aus
Beispiel 1.
Es wurde eine Beschichtungslösung hergestellt, enthaltend
7 Gt eines Kresol-Formaldehyd-Novolaks mit einem Erweiterungsbereich
von 105-120°C,
7 Gt aus bromiertem Poly-(p-hydroxy)styrol mit einem
Bromgehalt von 50 Gew.-% entsprechend den Herstellungsbeispielen 1
bis 3 und
3 Gt eines Acetals aus 4-Ethylbenzaldehyd und Phenoxyethanol entsprechend dem unten angeführten Herstellungsbeispiel in
83 Gt Propylenglykolmethyletheracetat.
3 Gt eines Acetals aus 4-Ethylbenzaldehyd und Phenoxyethanol entsprechend dem unten angeführten Herstellungsbeispiel in
83 Gt Propylenglykolmethyletheracetat.
Entsprechend Beispiel 1 wurde beschichtet. Nach dem
Trocknen des Resists in einem Umluftofen gemäß Beispiel 1
wurde eine Trockenschichtdicke von 0,3 µm erhalten.
Bildmäßig bestrahlt wurde mit einem Elektronenstrahlschreiber
bei einer Beschleunigungsspannung von 50 kV
mit einer Strahlendosis von 1 µC/cm².
Die anschließende Entwicklung mit dem Entwickler gemäß
Beispiel 1 konnte bei einer Entwicklungsdauer von 30 s
ein fehlerfreies Bild mit einem Auflösungsvermögen von
0,3 µm liefern.
Es wurden 1 mol 4-Ethylbenzaldehyd, 2 mol Phenoxyethanol
entsprechend den Herstellungsangaben in Beispiel 11 umgesetzt.
Es konnte ein Acetal mit einem Schmelzpunkt von
48°C isoliert werden. Das NMR-Spektrum (CDCl₃) zeigte
ein Signal für ein Acetal bei w = 5,74 ppm.
Es wurden Beschichtungslösungen mit den Starterverbindungen
der Herstellungsbeispiele 4 bis 13 mit folgender
Zusammensetzung hergestellt:
17 Gt eines Kresol-Formaldehyd-Novolaks mit einem Erweichungsbereich
von 105-120°C
5 Gt eines Acetals aus Benzaldehyd und Phenoxyethanol, hergestellt wie in Beispiel 11 beschrieben,
4 Gt des jeweiligen Starters in
74 Gt Propylenglykolmethyletheracetat.
5 Gt eines Acetals aus Benzaldehyd und Phenoxyethanol, hergestellt wie in Beispiel 11 beschrieben,
4 Gt des jeweiligen Starters in
74 Gt Propylenglykolmethyletheracetat.
Die Herstellung des Resistfilms sowie die Bestrahlung mit
Röntgenstrahlung erfolgte in Analogie zu Beispiel 1. Nach
Entwicklung unter den in Tabelle 1 angegebenen Bedingungen
wurden jeweils Strukturwiedergaben erzielt, die den auf
der Maske enthaltenen 0,3 µm Strukturen entsprachen.
Die Resistflanken waren nicht negativ unterhöhlt und
wiesen einen Flankenwinkel von nahezu 90° bei REM-Beurteilung
auf.
Es wurde verfahren wie in Beispiel 17, jedoch mit dem
Unterschied, daß als Starter die Verbindung aus Herstellungsbeispiel 5
und als Lösungsinhibitor der Silylether
gem. Beispiel 14 verwendet wurde. Nach einer bildmäßigen
Bestrahlung mit 90 mJ/cm² und einer Entwicklung mit 1 : 0,5
verdünntem Entwickler gemäß Beispiel 1 wurde innerhalb
von 60 s ein sehr gutes Resistmuster erhalten.
Analog erhält man bei Verwendung des Starters aus Herstellungsbeispiel 10
und Orthoameisensäure-tris-phenoxyethylester
nach Bestrahlung mit 90 mJ/cm² und Entwicklung
während 150 s in dem Entwickler von Beispiel 1 ein sehr
gutes Resistmuster.
Claims (9)
1. Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches Gemisch,
enthaltend eine Verbindung, die unter Einwirkung
von hochenergetischer Strahlung eine Säure bildet, sowie
eine Verbindung, die durch Säure spaltbar ist, dadurch
gekennzeichnet, daß die Verbindung, die eine Säure bildet,
aromatisch gebundenes Chlor oder Brom enthält und
einen pKa-Wert von kleiner als 12 aufweist oder ein Derivat
einer Verbindung mit einem derartigen pKa-Wert ist.
2. Strahlungsempfindliches Gemisch nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß die säurebildende Verbindung
einen pKa-Wert von 6 bis 10 aufweist bzw. ein Derivat
einer derartigen Verbindung ist.
3. Strahlungsempfindliches Gemisch nach den Ansprüchen
1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die säurebildende
Verbindung eine Verbindung der allgemeinen Formel
I
mit mindestens einem aromatisch gebundenen Chlor- oder
Bromatom ist, wobei
R Carboxyl, OR′ oder SR′,
R₁ und R₂ gleich oder verschieden sind und Wasserstoff, Chlor, Brom, Alkyl, ggf. substituiert durch Aryl-, Alkoxy-, Aryloxy-, Hydroxygruppen oder Fluoratome; Aryl, ggf. substituiert durch Alkoxy-, Aryloxy-, Hydroxygruppen oder Halogenatome,
R′ Wasserstoff, Alkyl, ggf. substituiert durch Aryl-, Alkoxy-, Aryloxy-, Hydroxygruppen oder Fluoratome; Aryl, ggf. substituiert durch Alkoxy-, Aryloxy-, Hydroxygruppen oder Halogenatome; Acyl, Alkylsulfonyl, Arylsulfonyl, Alkoxycarbonyl, Triorganosilyl, Triorganostannyl oder eine Alkylen-, Arylen-, Bisacyl-, Sulfonyl-, Alkylendisulfonyl-, Arylendisulfonyl-, Diorganosilyl- oder Diorganostannylgruppe ist, deren zweite Valenz an das O-Atom einer weiteren Einheit der Formel I gebunden ist, wobei die Alkylen- und Arylengruppen entsprechend substituiert sein können wie die Alkyl- und Arylreste,
und n 0 bis 3 bedeutet, wobei
für n = 0:
A Wasserstoff, Chlor, Brom, Alkyl, ggf. substituiert durch Alkoxy-, Aryloxy-, Hydroxy-, Arylreste oder Fluoratome; Aryl, ggf. substituiert durch Alkoxy-, Aryloxy-, Hydroxy-, Carboxylreste oder Halogenatome, für n =1:
A eine Einfachbindung, -O-, -S-, -SO₂-, -NH-, -NR₃-, Alkylen, Perfluoralkylen, sowie Carboxyl, substituiertes Carbonyl, insbesondere Alkyl- oder Arylcarbonyl-, Carboxyalkyl sowie substituiertes Sulfonylimidocarbonyl und
R₃ Alkyl, insbesondere (C₁-C₃)Alkyl, oder Aryl, insbesondere Phenyl,
bedeutet.
R Carboxyl, OR′ oder SR′,
R₁ und R₂ gleich oder verschieden sind und Wasserstoff, Chlor, Brom, Alkyl, ggf. substituiert durch Aryl-, Alkoxy-, Aryloxy-, Hydroxygruppen oder Fluoratome; Aryl, ggf. substituiert durch Alkoxy-, Aryloxy-, Hydroxygruppen oder Halogenatome,
R′ Wasserstoff, Alkyl, ggf. substituiert durch Aryl-, Alkoxy-, Aryloxy-, Hydroxygruppen oder Fluoratome; Aryl, ggf. substituiert durch Alkoxy-, Aryloxy-, Hydroxygruppen oder Halogenatome; Acyl, Alkylsulfonyl, Arylsulfonyl, Alkoxycarbonyl, Triorganosilyl, Triorganostannyl oder eine Alkylen-, Arylen-, Bisacyl-, Sulfonyl-, Alkylendisulfonyl-, Arylendisulfonyl-, Diorganosilyl- oder Diorganostannylgruppe ist, deren zweite Valenz an das O-Atom einer weiteren Einheit der Formel I gebunden ist, wobei die Alkylen- und Arylengruppen entsprechend substituiert sein können wie die Alkyl- und Arylreste,
und n 0 bis 3 bedeutet, wobei
für n = 0:
A Wasserstoff, Chlor, Brom, Alkyl, ggf. substituiert durch Alkoxy-, Aryloxy-, Hydroxy-, Arylreste oder Fluoratome; Aryl, ggf. substituiert durch Alkoxy-, Aryloxy-, Hydroxy-, Carboxylreste oder Halogenatome, für n =1:
A eine Einfachbindung, -O-, -S-, -SO₂-, -NH-, -NR₃-, Alkylen, Perfluoralkylen, sowie Carboxyl, substituiertes Carbonyl, insbesondere Alkyl- oder Arylcarbonyl-, Carboxyalkyl sowie substituiertes Sulfonylimidocarbonyl und
R₃ Alkyl, insbesondere (C₁-C₃)Alkyl, oder Aryl, insbesondere Phenyl,
bedeutet.
4. Strahlungsempfindliches Gemisch nach den Ansprüchen
1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die säurebildende
Verbindung monomer ist und das Gemisch ein in
Wasser unlösliches, in wäßrigem Alkali aber lösliches
Bindemittel enthält.
5. Strahlungsempfindliches Gemisch nach den Ansprüchen
1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die säurebildende
Verbindung polymer ist.
6. Strahlungsempfindliches Gemisch nach Anspruch 5,
dadurch gekennzeichnet, daß die säurebildende Verbindung
ein Hydroxystyrolpolymerisat oder -copolymerisat oder
ein Phenolharz ist.
7. Strahlungsempfindliches Gemisch nach den Ansprüchen
5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Gemisch
zusätzlich ein in Wasser unlösliches, in wäßrigem Alkali
aber lösliches, polymeres Bindemittel enthält.
8. Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches Aufzeichnungsmaterial
für hochenergetische Strahlung, im
wesentlichen bestehend aus einem Träger und einer strahlungsempfindlichen
Schicht, dadurch gekennzeichnet, daß
ein strahlungsempfindliches Gemisch gemäß den Ansprüchen
1 bis 7 verwendet wird.
9. Verfahren zur Herstellung eines positiv arbeitenden
strahlungsempfindlichen Aufzeichnungsmaterials für
hochenergetische Strahlung, dadurch gekennzeichnet, daß
ein strahlungsempfindliches Gemisch gemäß den Ansprüchen
1 bis 7 auf einen ggf. mit einem Haftvermittler beaufschlagten
Träger aufgebracht wird, das Material getrocknet,
anschließend mit energiereicher Strahlung, insbesondere
Röntgen- oder Elektronenstrahlung, bildmäßig
bestrahlt und abschließend das Bild durch Entwickeln mit
einem wäßrig-alkalischen Entwickler freigelegt wird.
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