KR930004809A - 네거티브 감광성 조성물 및 이를 이용한 레지스트 패턴의 형성방법 - Google Patents

네거티브 감광성 조성물 및 이를 이용한 레지스트 패턴의 형성방법 Download PDF

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Abstract

내용 없음.

Description

네거티브 감광성 조성물 이를 이용한 레지스트 패턴의 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (19)

  1. (a-1) 하기 일반식(I)
    (상기 식에서, R1은 알킬기이다)의 적어도 2개의 유기기를 분자내에 갖는 화합물과 알칼리 가용성 수지, 또는 (a-2) 상기 일반식(I)의 적어도 2개의 유기기를 분자내에 갖는 알칼리 가용성 수지, 및 (b) 광산발생제를 함유하는 것을 특징으로 하는 네거티브 감광성 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 일반식(I)의 적어도 2개의 유기기를 분자내에 갖는 화합물이, (1)하나의 방향족 환과 결합된 하나의 히드록실기를 각각 갖는 다수의 구조가 직접적으로나 2가 이상의 유기기를 통하여 결합되는 구조를 갖는 페놀류, (2) 2개 이상의 히드록실기가 하나의 방향족 환과 결합되어진 구조를 갖는 다기 알콜류, 및 (3) 하나의 방향족 환과 결합된 적어도 2개의 히드록실기를 각각 갖는 다수의 구조, 또는 하나의 방향족 환과 결합된 적어도 2개의 히드록실기를 갖는 구조를 포함하는 다수의 구조, 및 하나의 방향족환과 결합된 하나의 히드록실기를 갖는 구조가, 직접적으로나 2가 이상의 유기 기를 통하여 결합되는 구조를 갖는 다가 페놀류로 구성된 군으로부터 선택된 하나 이상의 페놀의 2개 이상의 히드록실기를 치환시킨 일반식(I)의 유기기를 갖는 화합물인 네거티브감광성 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 일반식(I)의 2개 이상의 유기기를 분자내에 갖는 화합물이 하기 식(i) 내지 (iv)의 화합물로 구성된 군으로 부터 선택된 적어도 하나의 페놀의 2개 이상의 히드록실기를 치환시킨 일반식(I) 또는 2개이상의 히드록실기가 하나의 방향족 환에 결합된 구조를 폴리히드록시페놀의 유기기를 갖는 화합물인 네거티브 감광성 조성물.
    상기 식에서, A1내 지 A6의 각각은 치환기를 갖을 수 있는 저급 알킬렌, 페닐렌 또는 저급 알킬렌페닐기렌기이거나, 직접 결합되고, R2는 수소원자 또는 치환기를 갖을 수 있는 저급 알킬 또는 페닐기이며, n 및 m의 각각은 정수이지만 단 n 및 m중 하나의 2이상의 정수이다.
  4. 제3항에 있어서, 일반식(I)의 2개 이상의 유기기를 분자내에 갖는 화합물이 일반식(ii)의 페놀의 2개 이상의 히드록실기를 치환시킨 일반식(I)의 유기기를 갖는 화합물인 네거티브 감광성 조성물.
  5. 제1항에 있어서, 일반식(I)의 2개 이상의 유기기를 분자내에 갖는 알칼리 가용성 수지가 하기 식(v) 또는 (vi)의 반복단위를 갖는 중합체의 2개 이상의 히드록실기를 치환시킨 일반식(I)의 유기기를 갖는 화합물인 네거티브 감광성 조성물.
    (상기 식에서, R3내지 R7의 각각의 수소원자 또는 저급 알킬기이다)
  6. 제5항에 있어서, 일반식(I)의 2개 이상의 유기기를 분자내에 갖는 알칼리 가용성 수지가 일반식(vi)의 반복 단위를 갖는 중합체의 2개 이상의 히드록실기를 치환시킨 일반식(I)의 유기기를 갖는 화합물인 네거티브 감광성조성물.
  7. 제1항에 있어서, 일반식(I) 2개 이상의 유기기를 분자내에 갖는 화합물이 하기 식(vi)의 반복단위를 갖는 중합체의 2개 이상의 히드록실기를 치환시킨 일반식(I)의 유기기를 갖는 화합물인 네거티브 감광성 조성물.
  8. 제1항에 있어서, 일반식(I)의 2개 이상의 유기기를 분자내에 갖는 알칼리 가용성 수지가 하기식(xiii) 또는 (xiv)의 반복단위를 갖는 중합체인 네거티브 감광성 조성물.
  9. 제1항에 있어서, 알칼리 가용성 수지가 폴리비닐페놀인 네거터브 감광성 조성물.
  10. 제1항에 있어서, 알칼리 가용성 수지가 노볼락 수지인 네거티브 감광성 조성물.
  11. 제1항에 있어서, 알칼리 가용성 가용성 수지가 크레졸과 포름알데히드와의 종축합 생성물인 네거티브 감광성 조성물.
  12. 제1항에 있어서, 광산 발생제가 유기 할로겐 화합물, 오늄염 및 술폰산 에스테르로 구성된 군으로 부터 선택된 적어도 하나인 네거티브 감광성 조성물.
  13. 제1항에 있어서, 광산 발생제가 유기 할로겐 화합물인 네거티브 감광성 조성물.
  14. 제1항에 있어서, (a-1)일반식(I)의 적어도 2개의 유기기를 분자내에 갖는 화합물과 알칼리 가용성 수지, 및 (b) 광산 발생제를 함유하는 조성물에서, 알칼리 가용성 수지 100중량부당 일반식(I)의 적어도 2개의 유기기를 분자내에 갖는 화합물이 1 내지 50중량부이고, 광산발생제가 0. 05 내지 20중량부인 네거티브 갑광성 조성물.
  15. 제14항에 있어서, 알칼리 수용성 수지 100중량부당, 일반식(I)의 적어도 2개의 유기기를 분자내에 갖는 화합물이 5 내지 30중량부이고, 광산발생재가 0. 1 내지 10중량부인 네거티브 감광성 조성물
  16. 제1항에 있어서, (a-2) 일반식(I)의 적어도 2개의 유기기를 분자내에 갖는 알칼리 가용성 수지, 및 (b) 광산 발생제를 함유하는 조성물에서, 광산 발생제가 일반식(I)의 적어도 유기기를 분자내에 갖는 알칼리 가용성수지 100중량부당 1 내지 100중량부를 갖는 네거티브 감광성 조성물.
  17. 제16항에 있어서, 광산 발생제가 일반식(I)의 적어도 2개의 유기기를 분자내에 갖는 알칼리가용성 수지 100중량부당 5 내지 50중량부인 네거티브인 감광성 조성물.
  18. 제1항에 있어서, 증감제로서 페노티아진을 함유하는 네거티브 감광성 조성물.
  19. 반도체용 기판상에, (a-1) 하기 일반식(I):
    (상기 식에서, R1은 알킬기이다)의 적어도 2개의 유기기를 분자내에 갖는 화합물과 알칼리 가용성 수지, 또는 (a-2) 상기 식(I)의 적어도 2개의 유기기를 분자내에 갖는 알칼리 가용성 수지, 및 (b) 광산발생제를 함유하는 네거티브 감광성 조성물을 도포하고, 이를 가열건조한 다음, 수은 램프 또는 엑시머 레이저로 노광시켜 패턴을 전사시키고, 이어서 열처리를 행한 후 알칼리 수용액으로 이를 현상하여 기판상에 레지스터 패턴을 헝성함을 특징으로 하는, 기판상에 레지스트 패턴을 형성하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920015417A 1991-08-27 1992-08-26 네거티브 감광성 조성물 및 이를 이용한 레지스트 패턴의 형성방법 KR930004809A (ko)

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