KR930004808A - 네거티브형 감광성 조성물 및 레지스트 패턴의 형성방법 - Google Patents

네거티브형 감광성 조성물 및 레지스트 패턴의 형성방법 Download PDF

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노리아끼 다까하시
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Abstract

내용 없음.

Description

네거티브형 감광성 조성물 및 레지스트 패턴의 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (15)

  1. 알칼리 가용성 수지, 광산발생제 및 산성 조건하에서 작용하는 알칼리 수용성 수지의 가교제를 함유하는 네거티브형 감광성 조성물에 있어서, 가교제가 하기식(I)로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 네거티브형 감광성 조성물.
    (식 중, A1∼A10은 각기 서로 독립적으로 수소원자, -CH2OH 또는 -CH2OR(R은 C1-C4직쇄 또는 측쇄 알킬을 나타낸다.)이고, X는 C2-c10직쇄 또는 측쇄 알킬렌을 나타내며, 단, A1-A10중의 적어도 4개는 -CH2OR이며, 복수의 -CH2OR은 동일하거나 상이할 수 있다.)
  2. 제1항에 있어서, 상기 식(I)의 X가 C2∼C4의 알킬렌인 네거티브형 감광성 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 상기 식(I)에서 A1∼A10중의 적어도 6개의 -CH2OR인 네거티브형 조성물.
  4. 제1항에 있어서, 상기 식(I)의 R이 메틸렌인 네거티브형 감광성 조성물.
  5. 제1항에 있어서, 상기 식(I)의 X가 에틸렌이며, 상기 식(I)에서 A1-A10중의 8개가 메톡시메틸인 내거티브형 감광성 조성물.
  6. 제1항에 있어서 알칼리 가용성 수지가 폴리비닐페놀류인 네거티브형 감광성 조성물,
  7. 제1항에 있어서, 알칼리 가용성 수지가 노볼랙 수지인 네거티브형 감광성 조성물.
  8. 제1항에 있어서, 알칼리 가용성 수지가 크레졸과 포름 알데히드와의 중축합물인 네거티브형 감광성 조성물.
  9. 제1항에 있어서, 광산발생제가 유기 할로겐 화합물, 오늄염 및 술폰산 에스테르로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1종인 네거티브형 감광성 조성물.
  10. 제1항에 있어서, 광산 발산체가 유기 할로겐 화합물인 네거티브형 감광성 조성물.
  11. 제1항에 있어서 광산 발생제가 할로겐 치환 파라핀계 탄화수소 또는 할로겐치환 이소시아누레이트인 네거티브형 감광성 조성물.
  12. 제1항에 있어서, 알칼리 가용성 수지, 광산 발생제 및 가교제의 비율이 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대하여 광산 발생제가 0.05∼20중량부, 가교제 1-50중량부인 네거티브형 감광성 조성물.
  13. 제1항에 있어서, 알칼리 가용성 수지, 광산 발생제 및 가교제의 비율이 알칼리 가용성 수지 100중량부에 대하여 광산 발생제가 0.1∼10중량부, 가교제가 5-30중량부인 네거티브형 감광성 조성물.
  14. 제1항에 있어서, 광증감제로서 페노티아진류를 더 함유하는 네거티브형 감광성 조성물.
  15. 알칼라 가용성 수지, 광산 발생제 및 산성 조건하에서 작용하는 알칼리 가용성 수지의 가교제로서 하기식(I)
    [식중, A1∼A10은 각기 서로 독립적으로 수소원자, -CH2OH 또는 -CH2OR(R은 C1∼C4의 직쇄 또는 측쇄알킬이다.)이고, X는 C2-C10직쇄 또는 측쇄 알킬렌이며, 단, A1-A10중의 적어도 4개는 -CH2OR이며, 복수의 -CH2OR은 동일하거나 상이할 수 있다]로 표시되는 화합물을 함유하는 네거티브형 감광성 조성물을 기판상에 도포하고 수은등 또는 엑시머 레이저에 의해 노광하여 패턴을 복제하고 또 가열처리후 알칼리 수용액으로 현상하여 기판상에 레지스트 패턴을 형성하는 반도체용 기판상 레지스트 패턴의 형성 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920013900A 1991-08-02 1992-08-01 네거티브형 감광성 조성물 및 레지스트 패턴의 형성방법 KR930004808A (ko)

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