KR970022548A - 감광성 조성물 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 소자 등의 제조에 있어서 미세 가공에 유용한 감광성 조성물에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 산 분해성 기를 가진 화합물 및 하기 화학식(1)로 표시되는 화합물로 이루어진, ArF 엑시머 레이저 및 F2엑시머 레이저 중 하나에 의한 노광을 통해 패턴을 형성하기 위한 감광성 조성물이 제공된다.
식 중, Ar1및 Ar2는 개별적으로 방향족 고리 또는 축합된 방향족 고리이고, R1및 R2는 개별적으로 할로겐 원자 또는 일가의 유기 기이고, X는 CF3SO3, CH3SO3, CF3COOH, ClO4, SbF6, AsF6, PF6, BF6로 이루어진 군에서 선택된 기이고, Z는 Cl, Br, I, S-R, Sr-r(여기서, R은 탄소 원자수 1 내지 10의 알킬기 또는 탄소원자수 1 내지 10의 퍼플루오로알킬기임)로 이루어진 군에서 선택된 기이고, m 및 n은 0 또는 양의 정수이다.

Description

감광성 조성물
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명 및 비교예의 감광성 조성물의 자외선 흡수 스펙트럼을 보여주는 다이아그램.

Claims (20)

  1. 산 분해성 기를 가진 화합물 및 하기 화학식(1)로 표시되는 화합물로 이루어진, ArF 엑시머 레이저 및 F2엑시머 레이저 중 하나에 의한 노광을 통해 패턴을 형성하기 위한 감광성 조성물.
    식 중, Ar1및 Ar2는 개별적으로 방향족 고리 또는 축합된 방향족 고리이고, R1및 R2는 개별적으로 할로겐원자 또는 일가의 유기 기이고, X는 CF3SO3, CH3SO3, CF3COOH, ClO4, SbF6, AsF6, PF6, BF6로 이루어진 군에서 선택된 기이고, Z는 Cl, Br, I, S-R, Se-R(여기서, R은 탄소 원자수 1 내지 10의 알킬기 또는 탄소원자수 1 내지 10의 퍼플루오로알킬기임)로 이루어진 군에서 선택된 기이고, m 및 n은 0 또는 양의 정수이다.
  2. 제1항에 있어서, Ar1및 Ar2가 모두 벤젠 고리로 형성된 감광성 조성물.
  3. 제2항에 있어서, 상기 화학식(1)로 표시되는 화합물이 1종 이상의 하기 화학식(2), (3) 및 (4)로 표시되는 화합물들로부터 선택되는 감광성 조성물.
    식 중, R1및 R2는 개별적으로 할로겐원자 또는 일가의 유기 기이고, X는 CF3SO3, CH3SO3, CF3COOH, ClO4, SbF6, AsF6, PF6, BF6로 이루어진 군에서 선택된 기이고, m 및 n은 0 또는 양의 정수이다.
  4. 제3항에 있어서, R1및 R2가 개별적으로 탄소 원자수 6 이하의 알킬기인 감광성 조성물.
  5. 제1항에 있어서, 상기 화학식(1)로 표시되는 화합물의 함량이 상기 산 분해성 기를 기준으로 0. 1몰% 이상인 감광성 조성물.
  6. 제5항에 있어서, 상기 화학식(1)로 표시되는 화합물의 함량이 상기 산 분해성 기를 기준으로 0.5몰% 내지 5몰% 범위내인 감광성 조성물.
  7. 제1항에 있어서, 알칼리 가용성 수지를 더 함유하는 감광성 조성물.
  8. 제7항에 있어서, 상기 화학식(1)로 표시되는 화합물이 1종 이상의 하기 화학식(2), (3) 및 (4)로 표시되는 화합물로부터 선택되는 감광성 조성물.
    식 중, R1및 R2는 개별적으로 할로겐원자 또는 일가의 유기 기이고, X는 CF3SO3, CH3SO3, CF3COOH, ClO4, SbF6, AsF6, PF6, BF6로 이루어진 군에서 선택된 기이고, m 및 n은 0 또는 양의 정수이다.
  9. 산 분해성 기를 가진 수지 및 하기 화학식(1)로 표시되는 화합물로 이루어진, ArF 엑시머 레이저 및 F2엑시머 레이저 중 하나에 의한 노광을 통해 패턴을 형성하기 위한 감광성 조성물.
    식 중, Ar1및 Ar2는 개별적으로 방향족 고리 또는 축합된 방향족 고리이고, R1및 R2는 개별적으로 할로겐원자 또는 일가의 유기 기이고, X는 CF3SO3, CH3SO3, CF3COOH, ClO4, SbF6, AsF6, PF6, BF6로 이루어진 군에서 선택된 기이고, Z는 Cl, Br, I, S-R, Se-R(여기서, R은 탄소 원자수 1 내지 10의 알킬기 또는 탄소원자수 1 내지 10의 퍼플루오로알킬기임)로 이루어진 군에서 선택된 기이고, m 및 n은 0 또는 양의 정수이다.
  10. 제9항에 있어서, 상기 화학식(1)로 표시되는 화합물이 1종 이상의 하기 화학식(2), (3) 및 (4)로 표시되는 화합물들로부터 선택되는 감광성 조성물.
    식 중, R1및 R2는 개별적으로 할로겐원자 또는 일가의 유기 기이고, X는 CF3SO3, CH3SO3, CF3COOH, ClO4, SbF6, AsF6, PF6, BF6로 이루어진 군에서 선택된 기이고, m 및 n은 0 또는 양의 정수이다.
  11. 산 가교성 기를 가진 화합물 및 하기 화학식(1)로 표시되는 화합물로 이루어진, ArF 엑시머 레이저 및 F2엑시머 레이저 중 하나에 의한 노광을 통해 패턴을 형성하기 위한 감광성 조성물.
    식 중, Ar1및 Ar2는 개별적으로 방향족 고리 또는 축합된 방향족 고리이고, R1및 R2는 개별적으로 할로겐원자 또는 일가의 유기 기이고, X는 CF3SO3, CH3SO3, CF3COOH, ClO4, SbF6, AsF6, PF6, BF6로 이루어진 군에서 선택된 기이고, Z는 Cl, Br, I, S-R, Se-R(여기서, R은 탄소 원자수 1 내지 10의 알킬기 또는 탄소원자수 1 내지 10의 퍼플루오로알킬기임)로 이루어진 군에서 선택된 기이고, m 및 n은 0 또는 양의 정수이다.
  12. 제11항에 있어서, Ar1및 Ar2가 모두 벤진 고리로 형성된 감광성 조성물.
  13. 제12항에 있어서, 상기 화학식(1)로 표시되는 화합물이 1종 이상의 하기 화학식(2), (3) 및 (4)로 표시되는 화합물로부터 선택되는 감광성 조성물.
    식 중, R1및 R2는 개별적으로 할로겐 원자 또는 일가의 유기 기이고, X는 CF3SO3, CH3SO3, CF3COOH, ClO4, SbF6, AsF6, PF6, BF6로 이루어진 군에서 선택된 기이고, m 및 n은 0 또는 양의 정수이다.
  14. 제13항에 있어서, R1및 R2가 개별적으로 탄소 원자수 6 이하의 알킬기인 감광성 조성물.
  15. 제11항에 있어서 상기 화학식(1)로 표시되는 화합물의 함량이 상기 산 가교성 기를 기준으로 1몰% 이상인 감광성 조성물.
  16. 제15항에 있어서, 상기 화학식(1)로 표시되는 화합물의 함량이 상기 산 가교성 기를 기준으로 5몰% 내지 20몰% 범위내인 감광성 조성물.
  17. 제11항에 있어서, 알칼리 가용성 수지를 더 함유하는 감광성 조성물.
  18. 제17항에 있어서, 상기 화학식(1)로 표시되는 화합물이 1종 이상의 하기 화학식(2), (3) 및 (4)로 표시되는 화합물로부터 선택되는 감광성 조성물.
    식 중, R1및 R2는 개별적으로 할로겐원자 또는 일가의 유기 기이고, X는 CF3SO3, CH3SO3, CF3COOH, ClO4, SbF6, AsF6, PF6, BF6로 이루어진 군에서 선택된 기이고, m 및 n은 0 또는 양의 정수이다.
  19. 산 가교성 기를 가진 수지 및 하기 화학식(1)로 표시되는 화합물로 이루어진, ArF 엑시머 레이저 및 F2엑시머 레이저 중 하나에 의한 노광을 통해 패턴을 형성하기 위한 감광성 조성물.
    식 중, Ar1및 Ar2는 개별적으로 방향족 고리 또는 축합된 방향족 고리이고, R1및 R2는 개별적으로 할로겐원자 또는 일가의 유기 기이고, X는 CF3SO3, CH3SO3, CF3COOH, ClO4, SbF6, AsF6, PF6, BF6로 이루어진 군에서 선택된 기이고, Z는 Cl, Br, I, S-R, Se-R(여기서, R은 탄소 원자수 1 내지 10의 알킬기 또는 탄소원자수 1 내지 10의 퍼플루오로알킬기임)로 이루어진 군에서 선택된 기이고, m 및 n은 0 또는 양의 정수이다.
  20. 제19항에 있어서, 상기 화학식(1)로 표시되는 화합물이 1종 이상의 하기 화학식(2), (3) 및 (4)로 표시되는 화합물들로부터 선택되는 감광성 조성물.
    식 중, R1및 R2는 개별적으로 할로겐원자 또는 일가의 유기 기이고, X는 CF3SO3, CH3SO3, CF3COOH, ClO4, SbF6, AsF6, PF6, BF6로 이루어진 군에서 선택된 기이고, m 및 n은 0 또는 양의 정수이다.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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