JPH09301948A - グリオキシム系エステル、その製法および用途 - Google Patents

グリオキシム系エステル、その製法および用途

Info

Publication number
JPH09301948A
JPH09301948A JP8113473A JP11347396A JPH09301948A JP H09301948 A JPH09301948 A JP H09301948A JP 8113473 A JP8113473 A JP 8113473A JP 11347396 A JP11347396 A JP 11347396A JP H09301948 A JPH09301948 A JP H09301948A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
glyoxime
formula
camphorsulfonyl
ester
acid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP8113473A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3879139B2 (ja
Inventor
Atsushi Tomioka
淳 富岡
Haruki Ozaki
晴喜 尾崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Chemical Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Chemical Co Ltd filed Critical Sumitomo Chemical Co Ltd
Priority to JP11347396A priority Critical patent/JP3879139B2/ja
Publication of JPH09301948A publication Critical patent/JPH09301948A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3879139B2 publication Critical patent/JP3879139B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】 【課題】 酸の作用により開裂しうる保護基を有するア
ルカリ可溶性樹脂を含有するレジスト組成物の酸発生剤
として使用できる化合物を提供し、これを用いて諸性能
に優れるレジスト組成物を提供する。 【解決手段】 式(I)で示されるグリオキシム系エス
テル。 式中、Q1 およびQ2 は互いに独立に、水素、アルキ
ル、シクロアルキル、アリールもしくはヘテロアリール
を表すか、またはQ1 とQ2 が結合して環を形成する。
式(I)のエステルは、対応するグリオキシム系N−O
H体を、10−カンファースルホニルハライドと反応さ
せることにより、製造できる。式(I)のエステルを酸
発生剤として用い、酸の作用により開裂しうる保護基を
有するアルカリ可溶性樹脂と配合して、レジスト組成物
が得られる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、新規なグリオキシ
ム系エステル、それの製造方法およびそれのレジスト分
野への適用に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体集積回路の高集積化に伴っ
て、クォーターミクロンのパターン形成が要求されるよ
うになっている。特に、フッ化クリプトン(KrF) やフッ
化アルゴン(ArF) からのエキシマーレーザーを利用する
リソグラフィーは、64MDRAMおよび256MDRAM の製
造を可能とすることから、注目されている。従来、リソ
グラフィープロセスには、主として近紫外線が使われて
いたが、光源の変更に伴い、レジストには、従来からの
耐熱性、残膜率、プロファイルなどの諸性能に加えて、
新たに次のような性能も要求されるようになっている。 a)KrF やArF エキシマーレーザー光源に対して高感度
であること、および b)高解像度であること。
【0003】このような状況のもとで、酸触媒の化学増
幅効果を利用した、いわゆる化学増幅型レジストが提案
されている。化学増幅型レジストは、放射線照射により
酸発生剤から発生した酸を触媒とする反応によって、露
光部のアルカリ現像液に対する溶解性を発現させるもの
であり、これによってポジ型レジストが得られる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】化学増幅型レジストに
おいては、露光によって発生した酸が、露光後の熱処理
(post exposure bake : 以下、PEBと略すことがあ
る)によって拡散し、樹脂等の保護基を脱離させるとと
もに、酸を再生成することにより、高感度を実現してい
るが、一層の高感度化が望まれており、また解像度の向
上も望まれている。さらに、このような化学増幅型レジ
ストには、露光からPEBまでの放置時間によって性能
が大きく変化する、いわゆるタイム・ディレイ(time de
lay)効果がある。こうしたタイム・ディレイ効果によ
り、解像度が低下するとともに、現像後のパターンに膜
張り現象(T−シェープ化)や小パターン倒れなど、プ
ロファイルの悪化が起こり、寸法の再現性が損なわれる
ことになる。
【0005】本発明の目的は、酸の作用により開裂しう
る保護基を有するアルカリ可溶性樹脂を含有するレジス
ト組成物の酸発生剤として用いた場合に優れた効果を発
揮する新規な化合物を製造し、提供することにある。
【0006】本発明の別の目的は、かかる化合物を用い
て、耐熱性、残膜率、塗布性などの諸性能を高い水準に
維持しつつ、感度、解像度およびプロファイルが改良さ
れ、またタイム・ディレイ効果も小さいレジスト組成物
を提供することにある。
【0007】本発明者らは、かかる目的を達成すべく鋭
意研究を行った結果、グリオキシム系の新規な化合物を
見出し、そしてこの化合物を、酸の作用により開裂しう
る保護基を有するアルカリ可溶性樹脂とともに配合した
レジスト組成物が優れた性能を発揮することを併せて見
出し、本発明を完成した。
【0008】
【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、次式
(I)で示されるグリオキシム系エステルを提供するも
のである。
【0009】
【0010】式中、Q1 およびQ2 は互いに独立に、水
素、アルキル、シクロアルキル、アリールもしくはヘテ
ロアリールを表すか、またはQ1 とQ2 が結合して環を
形成する。
【0011】式(I)で示されるグリオキシム系エステ
ルは、式(II)
【0012】
【0013】(式中、Q1 およびQ2 は前記の意味を表
す)で示されるグリオキシム系化合物と10−カンファ
ースルホニルハライドとを、塩基性触媒の存在下で反応
させることにより、製造することができる。
【0014】また本発明は、式(I)のグリオキシム系
エステルを有効成分とする酸発生剤を提供し、さらに
は、この酸発生剤を、酸の作用により開裂しうる保護基
を有するアルカリ可溶性樹脂とともに配合してなるレジ
スト組成物をも提供する。
【0015】
【発明の実施の形態】式(I)において、Q1 およびQ
2 は互いに独立に、水素、アルキル、シクロアルキル、
アリールもしくはヘテロアリールであるか、またはQ1
とQ2 が結合して環を形成する。アルキルは、炭素数1
〜20程度であることができ、なかでも炭素数1〜12
程度のものが好ましく、例えば、メチル、エチル、プロ
ピルなどが挙げられる。シクロアルキルは、炭素数3〜
7程度であることができ、なかでも炭素数5〜7程度の
ものが好ましく、例えば、シクロペンチル、シクロヘキ
シル、シクロヘプチルなどが挙げられる。アリールは、
炭素数6〜18程度であることができ、なかでも炭素数
6〜14程度のものが好ましく、例えば、フェニル、ト
リル、キシリルなどが挙げられる。またヘテロアリール
は、酸素、窒素、イオウのようなヘテロ環原子を1個、
2個または3個含有する炭素数3〜20程度であること
ができ、なかでも炭素数3〜12程度が好ましい。Q1
とQ2 が結合して環を形成する場合、Q1 とQ2 の炭素
数の合計は、2〜5程度がよい。この場合、Q1 、Q2
およびそれらが結合する2個の炭素原子の間で、シクロ
アルカン環を形成するのが一般的であり、このシクロア
ルカン環からは、さらにアルキルなどが枝分かれしてい
てもよい。
【0016】式(I)で示されるエステルは、式(II)
で示されるグリオキシム系化合物と10−カンファース
ルホニルハライドとの反応により、製造することができ
る。ここで用いる10−カンファースルホニルハライド
は、光学活性体でもラセミ体でも構わない。10−カン
ファースルホニルハライドを構成するハロゲンは、フッ
素、塩素、臭素、ヨウ素などであることができる。ま
た、式(II)のグリオキシム系化合物としては、例え
ば、グリオキシム、ジメチルグリオキシム、ベンジルジ
オキシム(別名:ジフェニルグリオキシム)、ニオキシ
ム(別名:シクロヘキサン−1,2−ジオン ジオキシ
ム)などが挙げられる。
【0017】この反応において、10−カンファースル
ホニルハライドは、式(II)のグリオキシム系化合物に
対し、一般には0.7〜1.5のモル比、好ましくは1.1〜
1.2のモル比で用いられる。このモル比が0.7未満にな
ると、未反応の原料グリオキシム系化合物が、またモル
比が1.5を越えると、未反応の10−カンファースルホ
ニルハライドがそれぞれ多量に残るため、反応後の精製
が難しくなる。この反応は塩基性触媒の存在下で行わ
れ、塩基性触媒としては、トリエチルアミンのような脂
肪族アミン類、ピリジンのような環状アミン類、炭酸水
素ナトリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウムのような
無機塩基類などが挙げられるが、なかでもトリエチルア
ミンやピリジンなどの有機アミン類が好ましく用いられ
る。
【0018】式(II)のグリオキシム系化合物と10−
カンファースルホニルハライドとの反応は、極性溶媒中
で行うのが好ましい。ここで用いる極性溶媒としては、
アセトン、テトラヒドロフラン、1,4−ジオキサン、
1,3−ジオキソラン、ジメチルホルムアミド、アセト
ニトリル、γ−ブチロラクトン、ジメチルスルホキシド
のような親水性溶媒の一種または二種以上、ジクロロメ
タンやクロロホルムのような疎水性溶媒の一種または二
種以上、イオン交換水や蒸留水を包含する水などが挙げ
られる。極性溶媒は、反応原料である式(II)のグリオ
キシム系化合物と10−カンファースルホニルハライド
の合計に対し、2〜10重量倍、さらには4〜8重量倍
の範囲で用いるのが好ましい。溶媒の量があまり多いと
反応時間が長くなり、またその量があまり少ないと溶解
度の制限や攪拌動力の問題が生じやすい。
【0019】この反応は、通常20〜50℃の範囲の温
度で行われる。温度があまり高いと副反応が起こりやす
くなり、また温度があまり低いと反応時間が長くなる。
反応時間は、通常0.5〜5時間程度である。
【0020】反応終了後は、必要に応じて精製すること
ができる。例えば、反応後の生成物を、水への溶解度が
9g/100g以下である溶媒に溶解し、水洗分液を行
って金属含量を低減させておくのが好ましい。水への溶
解度が9g/100g以下とは、20℃の水100gに
溶ける最大量が9g以下であることを意味する。この溶
媒は特に、水への溶解度が5g/100g以下であるの
が好ましい。このような溶媒としては、例えば、トルエ
ン、酢酸エチル、塩化メチレン、n−ヘプタンなどが挙
げられる。
【0021】また、反応により生成した、あるいは上記
のようにして金属分の低減を図った式(I)のエステル
は、適当な溶媒から晶析させることができる。ここで用
いる晶析溶媒としては、例えば、四塩化炭素やクロロホ
ルムのようなハロゲン化炭化水素類単独、またはそれを
主体とする混合溶媒、n−ヘプタンやn−ヘキサン、シ
クロヘキサンのような脂肪族または脂環式炭化水素と、
ベンゼン、トルエン、キシレンのような芳香族炭化水素
との混合溶媒などが挙げられる。晶析温度は、40℃以
下、さらには25℃以下が好ましい。
【0022】かくして得られるグリオキシム系エステル
は、式(I)から明らかなように不斉炭素を有し、光学
活性体またはラセミ体であることができる。式(I)の
エステルとして、具体的には例えば、次のような化合物
が挙げられる。
【0023】O,O′−ビス(10−カンファースルホ
ニル)グリオキシム、O,O′−ビス(10−カンファ
ースルホニル)ジメチルグリオキシム、O,O′−ビス
(10−カンファースルホニル)ジフェニルグリオキシ
ム、O,O′−ビス(10−カンファースルホニル)ニ
オキシム(次式の構造を有する)
【0024】
【0025】式(I)のグリオキシム系エステルは、レ
ジスト用の酸発生剤、とりわけ、酸の作用により開裂し
うる保護基を有するアルカリ可溶性樹脂を含有するレジ
スト組成物に用いられる酸発生剤として、有用である。
【0026】レジスト組成物を構成するアルカリ可溶性
樹脂は、酸の作用により開裂しうる保護基を有する。そ
のベースポリマーとしては、フェノール性水酸基を有す
るものや、カルボキシル基を有するものが好ましい。具
体的には、フェノールノボラック樹脂;クレゾールノボ
ラック樹脂;キシレノールノボラック樹脂;ビニルフェ
ノール樹脂;イソプロペニルフェノール樹脂;ビニルフ
ェノールと、(メタ)アクリル酸もしくはその誘導体、
アクリロニトリル、スチレンもしくはその誘導体などと
の共重合体;イソプロペニルフェノールと、(メタ)ア
クリル酸もしくはその誘導体、アクリロニトリル、スチ
レンもしくはその誘導体などとの共重合体;スチレンも
しくはその誘導体と、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、
アクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸、無水マレイン
酸、アクリロニトリルなどとの共重合体;これらのポリ
マー鎖中にケイ素を含む化合物が導入された樹脂などを
挙げることができる。
【0027】これらのベースポリマーにおける水酸基ま
たはカルボキシル基の少なくとも一部を、酸の作用によ
り開裂しうる保護基で修飾したもの、すなわち、水酸基
またはカルボキシル基中の水素原子の少なくとも一部
を、こうした保護基で置換したものが、本発明のレジス
ト組成物におけるアルカリ可溶性樹脂となりうる。保護
基としては、以下の構造のものが好ましい。
【0028】
【0029】式中、nは4〜6の整数を表し;R1 、R
4 、R7 およびR11は互いに独立に、直鎖状アルキル、
分枝状アルキル、環状アルキル、アルケニル、アリール
またはアラルキルを表し;R2 、R3 、R5 、R6 、R
9 、R10およびR12は互いに独立に、水素、直鎖状アル
キル、分枝状アルキル、環状アルキル、アルケニル、ア
リールまたはアラルキルを表し;R8 は、水素、直鎖状
アルキル、分枝状アルキル、環状アルキル、 アルケニ
ル、アリール、アラルキルまたはアルコキシを表し;R
13は、水素、直鎖状アルキル、分枝状アルキル、環状ア
ルキル、 アルケニル、アリールもしくはアラルキルを
表し、R14は、直鎖状アルキル、分枝状アルキル、環状
アルキル、アルケニル、アリールもしくはアラルキルを
表すか、またはR13とR14が結合して炭素数3〜6の非
分枝アルキレンを形成する。
【0030】ここで、直鎖状アルキルとしては、例えば
炭素数1〜5のものが挙げられ、分枝状アルキルとして
は、例えば炭素数3〜8のものが挙げられ、環状アルキ
ルとしては、例えば炭素数5〜16のものが挙げられ、
これはシクロアルキルの他、シクロアルキルアルキルで
あってもよく、アルケニルとしては、例えば炭素数2〜
7のものが挙げられ、アリールとしては、例えば、フェ
ニル、トリル、キシリルなど、炭素数6〜16のものが
挙げられ、アラルキルとしては、例えば、ベンジル、モ
ノまたはジメチルベンジル、フェネチルなど、炭素数7
〜16のものが挙げられ、またアルコキシとしては、例
えば炭素数1〜5のものが挙げられる。これらの基は置
換基を有していてもよく、例えば、直鎖状アルキル、分
枝状アルキルまたはアルケニルに置換してもよい基とし
ては、ハロゲンなどが挙げられ、環状アルキルを構成す
るシクロアルカン環に置換してもよい基としては、ハロ
ゲンなどが挙げられ、アリールまたはアラルキルを構成
するベンゼン環などの芳香環に置換してもよい基として
は、ハロゲンやニトロなどが挙げられる。またもちろ
ん、ここでいうシクロアルカン環や芳香環には、上記炭
素数の範囲内でアルキルなどの炭化水素基が結合してい
てもよい。
【0031】本発明のレジスト組成物は、以上説明した
アルカリ可溶性樹脂および酸発生剤を含有するものであ
るが、その他必要に応じて、電子供与体、溶解阻止剤、
増感剤、染料、接着性向上剤、塩基性物質など、この分
野で使用されている通常の添加物を含有することもでき
る。またレジスト組成物は、全固形分重量を基準に、ア
ルカリ可溶性樹脂が40〜95重量%の範囲、酸発生剤
が0.1〜20重量%の範囲で配合されているのが好まし
い。
【0032】本発明のレジスト組成物は、通常、全固形
分濃度が10〜50重量%となるよう、上記各成分を溶
剤に混合してレジスト液が調製され、シリコンウェハー
などの基体上に塗布される。ここで用いる溶剤は、各成
分を溶解するものであればよく、この分野で通常用いら
れているものであることができる。例えば、エチルセロ
ソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート、プロ
ピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロ
ピレングリコールモノエチルエーテルアセテートのよう
なグリコールエーテルエステル類、エチルセロソルブ、
メチルセロソルブ、プロピレングリコールモノメチルエ
ーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジ
エチレングリコールジメチルエーテルのようなグリコー
ルモノまたはジエーテル類、乳酸エチル、酢酸ブチル、
ピルビン酸エチルのようなエステル類、2−ヘプタノ
ン、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトンのよう
なケトン類、キシレンのような芳香族炭化水素類などが
挙げられる。 これらの溶剤は、それぞれ単独で、また
は2種以上組み合わせて用いることができる。
【0033】
【実施例】次に実施例を挙げて、本発明をさらに具体的
に説明するが、本発明はこれらの実施例によってなんら
限定されるものではない。例中、含有量ないし使用量を
表す%および部は、特にことわらないかぎり重量基準で
ある。
【0034】合成例1 200mlの四つ口フラスコに、ニオキシム2.86g、
(+)−10−カンファースルホニルクロリド10.44
g、およびアセトン66.45gを仕込み、25℃で30
分間攪拌したあと、トリエチルアミン4.29gを10分
かけて滴下した。滴下終了後、3時間攪拌し、次に酢酸
0.75gおよびトリエチルアミン1.01gを添加し、さ
らに1時間攪拌したあと、反応マスを濾過した。濾過物
をアセトン20gで洗浄し、この濾液および洗液を合わ
せて、そこへ酢酸エチル180gおよびトルエン140
gを加え、次に400gの蒸留水で2回洗浄した。その
後、1.71gの酢酸ナトリウムを200gの蒸留水に溶
かした水溶液を有機層に加えて洗浄し、さらにこの有機
層を200gの蒸留水で4回洗浄した。有機層を濃縮
し、得られた濃縮物13.18gにトルエン13gおよび
n−ヘキサン7.27gを加えて、析出した固体を濾別し
た。このウェットケーキを室温で一昼夜減圧乾燥して、
3.16gのO,O′−ビス(10−カンファースルホニ
ル)ニオキシムを得た。
【0035】 質量分析: SIMS(FAB) 571(M+H)+ 1 H−NMR(ジメチルスルホキシド) δ(ppm) :0.8
1 (s, 6H); 1.01 (s, 6H); 1.39-1.47 (m, 2H);1.54-1.
64 (m, 2H); 1.71 (brs, 4H);1.92-2.01 (m, 4H); 2.06
-2.10 (m, 2H);2.16-2.25 (m, 2H); 2.31-2.41 (m, 2
H);2.78-2.83 (m, 4H); 3.48-3.74 (m, 4H).
【0036】適用例1 特開平 5-181279 号公報に記載の方法により得られ、ポ
リ(p−ビニルフェノール)中の水酸基のうち26モル
%がtert−ブトキシカルボニルメチルエーテル化された
ポリマー13.5部、O,O′−ビス(10−カンファー
スルホニル)ニオキシム1.0部、電子供与体として2−
ヒドロキシカルバゾール0.27部、および塩基性物質と
して2,6−ジイソプロピルアニリン0.054部を、プ
ロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート62
部に混合溶解し、孔径0.2μm のフッ素樹脂製フィルタ
ーで濾過して、レジスト液とした。
【0037】常法により洗浄したシリコンウェハーに、
スピンコーターを用いて上記レジスト液を回転塗布し、
乾燥後の膜厚が0.539μm のレジスト膜を形成させ
た。次いで、このシリコンウェハーをホットプレート上
にて、100℃で90秒間プリベークした。プリベーク
後の塗膜を、パターンを有するクロムマスクを介して、
248nmの露光波長を有する KrFエキシマーレーザース
テッパー〔(株)ニコン製の "NSR-1755 EX8A"、NA=0.4
5 〕を用いて露光した。露光後のウェハーを、ホットプ
レート上にて100℃で90秒間加熱して、PEBを行
った。これを、テトラメチルアンモニウムハイドロオキ
サイドの2.38%水溶液で現像して、ポジ型パターンを
得た。得られたポジ型パターンにつき、以下のようにし
て評価し、それぞれの結果を得た。
【0038】感度: 0.3μm ラインアンドスペースの
断面を走査型電子顕微鏡で観察し、ベストフォーカスに
おけるラインアンドスペースが1:1になる露光量から
感度(実効感度)を求めたところ、60mJ/cm2 であっ
た。
【0039】解像度: 実効感度の露光量において膜減
りなく分離する最小のラインアンドスペースの幅から解
像度を求めたところ、0.26μm であった。
【0040】プロファイル: 実効感度の露光量におけ
る0.3μm ラインアンドスペースの断面形状を走査型電
子顕微鏡で観察したところ、パターンがほぼ垂直に切れ
ており、パターントップの平坦部も明瞭に観察された。
【0041】小パターン倒れ: 露光後1時間放置し、
次いでPEBを行った試料につき、レジストパターンの
倒れ具合を観察したところ、パターン倒れは認められな
かった。
【0042】適用例2 適用例1におけるポリ(p−ビニルフェノール)中の水
酸基のうち26モル%がtert−ブトキシカルボニルメチ
ルエーテル化されたポリマーに代え、ポリ(p−ビニル
フェノール)中の水酸基のうち23モル%がtert−ブト
キシカルボニルメチルエーテル化されたポリマーを同量
用い、レジスト液の回転塗布、乾燥後の膜厚が0.653
μm であった以外は、適用例1と同様に操作して、ポジ
型パターンを得た。得られたポジ型パターンにつき、適
用例1と同様の方法で、感度、解像度およびプロファイ
ルを評価し、結果を表1に示した。
【0043】比較例1 適用例2におけるO,O′−ビス(10−カンファース
ルホニル)ニオキシムに代え、ビス(シクロヘキシルス
ルホニル)ジアゾメタンを同量用いた以外は、適用例2
と同様に操作して、ポジ型パターンを得た。得られたポ
ジ型パターンにつき、適用例1と同様の方法で、感度、
解像度およびプロファイルを評価し、結果を表1に示し
た。
【0044】
【表1】 ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ 例 No. 感 度 解像度 プロファイル* ──────────────────────── 適用例2 40 mJ/cm2 0.28μm A 比較例1 228 mJ/cm2 0.29μm B ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
【0045】(表1の脚注)* プロファイルA:裾部に若干の広がりが認められる以
外は、ほぼ垂直に切れており、パターントップの平坦部
も明瞭 プロファイルB:裾広がりの山型で、パターントップの
平坦部なし
【0046】
【発明の効果】本発明のグリオキシム系エステルは、レ
ジスト用の酸発生剤、特に、酸の作用により開裂しうる
保護基を有するアルカリ可溶性樹脂を含むレジスト用の
酸発生剤として有用である。そして、この化合物を酸発
生剤として用いたレジスト組成物は、耐熱性、残膜率、
塗布性などの諸性能が高い水準に維持され、また感度、
解像度およびプロファイルに優れ、タイム・ディレイ効
果も抑制される。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】式(I) (式中、Q1 およびQ2 は互いに独立に、水素、アルキ
    ル、シクロアルキル、アリールもしくはヘテロアリール
    を表すか、またはQ1 とQ2 が結合して環を形成する)
    で示されるグリオキシム系エステル。
  2. 【請求項2】O,O′−(10−カンファースルホニ
    ル)ニオキシムである請求項1記載のエステル。
  3. 【請求項3】式(II) (式中、Q1 およびQ2 は請求項1記載の意味を表す)
    で示されるグリオキシム系化合物と10−カンファース
    ルホニルハライドとを、塩基性触媒の存在下で反応させ
    ることを特徴とする、請求項1記載のグリオキシム系エ
    ステルの製造方法。
  4. 【請求項4】請求項1または2記載のエステルを有効成
    分とする酸発生剤。
  5. 【請求項5】酸の作用により開裂しうる保護基を有する
    アルカリ可溶性樹脂、および請求項4記載の酸発生剤を
    含有することを特徴とするレジスト組成物。
JP11347396A 1996-05-08 1996-05-08 グリオキシム系エステル、その製法および用途 Expired - Fee Related JP3879139B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11347396A JP3879139B2 (ja) 1996-05-08 1996-05-08 グリオキシム系エステル、その製法および用途

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11347396A JP3879139B2 (ja) 1996-05-08 1996-05-08 グリオキシム系エステル、その製法および用途

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH09301948A true JPH09301948A (ja) 1997-11-25
JP3879139B2 JP3879139B2 (ja) 2007-02-07

Family

ID=14613159

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11347396A Expired - Fee Related JP3879139B2 (ja) 1996-05-08 1996-05-08 グリオキシム系エステル、その製法および用途

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3879139B2 (ja)

Cited By (68)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6713612B2 (en) 2002-05-01 2004-03-30 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Sulfonyldiazomethanes, photoacid generators, resist compositions, and patterning process
US6916591B2 (en) 2002-03-22 2005-07-12 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Photoacid generators, chemically amplified resist compositions, and patterning process
US7056640B2 (en) 2002-08-09 2006-06-06 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Sulfonydiazomethanes, photoacid generators, resist compositions, and patterning process
JP2006151897A (ja) * 2004-11-30 2006-06-15 Eiweiss Kk 光酸発生剤および感光性樹脂組成物
JP2006517950A (ja) * 2003-02-19 2006-08-03 チバ スペシャルティ ケミカルズ ホールディング インコーポレーテッド ハロゲン化オキシム誘導体及び潜在的酸としてのそれらの使用
US7101651B2 (en) 2003-02-13 2006-09-05 Shin-Etsu Chemical Co.,Ltd. Sulfonyldiazomethanes, photoacid generators, resist compositions, and patterning process
US7109311B2 (en) 2003-02-13 2006-09-19 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Sulfonyldiazomethanes, photoacid generators, resist compositions, and patterning process
EP1710230A1 (en) 2005-04-06 2006-10-11 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Novel sulfonate salts and derivatives, photoacid generators, resist compositions, and patterning process
US7157207B2 (en) 2003-09-03 2007-01-02 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymer, resist material and patterning processing
US7235343B2 (en) 2003-05-12 2007-06-26 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Photoacid generators, chemically amplified resist compositions, and patterning process
US7261995B2 (en) 2004-04-23 2007-08-28 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Nitrogen-containing organic compound, chemically amplified resist composition and patterning process
US7265234B2 (en) 2005-04-01 2007-09-04 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Silsesquioxane compound mixture, method of making, resist composition, and patterning process
US7276324B2 (en) 2003-11-14 2007-10-02 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Nitrogen-containing organic compound, resist composition and patterning process
US7282316B2 (en) 2003-08-28 2007-10-16 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Sulfonyldiazomethane compounds, photoacid generator, resist materials and patterning using the same
JP2008007410A (ja) * 2006-06-27 2008-01-17 Shin Etsu Chem Co Ltd 新規スルホン酸塩及びその誘導体、光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法
JP2008007409A (ja) * 2006-06-27 2008-01-17 Shin Etsu Chem Co Ltd 新規スルホン酸塩及びその誘導体、光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法
US7335458B2 (en) 2005-02-18 2008-02-26 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Chemically amplified positive resist composition and patterning process
US7468236B2 (en) 2005-10-14 2008-12-23 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Amine compound, chemically amplified resist composition and patterning process
US7494760B2 (en) 2006-06-09 2009-02-24 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Photoacid generators, chemically amplified resist compositions, and patterning process
US7498126B2 (en) 2006-06-14 2009-03-03 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Photoacid generators, chemically amplified resist compositions, and patterning process
EP2033966A2 (en) 2007-09-05 2009-03-11 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Movel photoacid generators, resist compositons, and patterning processes
US7510816B2 (en) 2004-10-05 2009-03-31 Shin-Estu Chemical Co., Ltd. Silicon-containing resist composition and patterning process
US7514202B2 (en) 2006-05-15 2009-04-07 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Thermal acid generator, resist undercoat material and patterning process
US7514204B2 (en) 2006-10-24 2009-04-07 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist composition and patterning process
US7527912B2 (en) 2006-09-28 2009-05-05 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Photoacid generators, resist compositions, and patterning process
US7531290B2 (en) 2005-10-31 2009-05-12 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Sulfonate salts and derivatives, photoacid generators, resist compositions, and patterning process
US7537880B2 (en) 2006-10-04 2009-05-26 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymer, resist composition, and patterning process
US7541133B2 (en) 2006-11-29 2009-06-02 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Positive resist composition and patterning process
EP2070901A1 (en) 2006-01-31 2009-06-17 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Fluoroalcohol preparation method, fluorinated monomer, polymer, resist composition and patterning process
US7550247B2 (en) 2004-08-19 2009-06-23 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist composition and patterning process
US7556909B2 (en) 2005-10-31 2009-07-07 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Sulfonate salts and derivatives, photoacid generators, resist compositions, and patterning process
EP2081083A1 (en) 2008-01-18 2009-07-22 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Positive resist compositions and patterning process
EP2081084A1 (en) 2008-01-18 2009-07-22 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Positive resist compositions and patterning process
EP2081085A1 (en) 2008-01-18 2009-07-22 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Positive resist compositions and patterning process
EP2090598A1 (en) 2008-02-14 2009-08-19 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymer, resist composition, and patterning process
EP2103592A2 (en) 2008-03-18 2009-09-23 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Hydroxyl-containing monomer, polymer, resist composition, and patterning process
EP2105794A1 (en) 2008-03-25 2009-09-30 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Novel photoacid generator, resist composition, and patterning process
US7598015B2 (en) 2004-06-21 2009-10-06 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymer, resist composition and patterning process
US7598016B2 (en) 2007-03-29 2009-10-06 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist composition and patterning process
US7601479B2 (en) 2003-09-12 2009-10-13 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymer, resist composition and patterning process
US7611821B2 (en) 2006-07-06 2009-11-03 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Positive resist compositions and patterning process
US7618764B2 (en) 2006-11-22 2009-11-17 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Positive resist compositions and patterning process
US7622242B2 (en) 2007-09-26 2009-11-24 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist composition and patterning process
US7638260B2 (en) 2006-11-29 2009-12-29 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Positive resist compositions and patterning process
US7678530B2 (en) 2006-01-06 2010-03-16 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Lactone-containing compound, polymer, resist composition, and patterning process
WO2010029948A1 (ja) * 2008-09-09 2010-03-18 国立大学法人千葉大学 光酸発生剤材料、フォトリソグラフィー材料及びこれを用いたパターン膜の製造方法。
US7687222B2 (en) 2006-07-06 2010-03-30 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymerizable ester compounds, polymers, resist compositions and patterning process
US7691561B2 (en) 2006-07-06 2010-04-06 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Positive resist compositions and patterning process
US7718342B2 (en) 2005-12-27 2010-05-18 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymers, resist compositions and patterning process
US7727704B2 (en) 2006-07-06 2010-06-01 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Positive resist compositions and patterning process
US7745094B2 (en) 2006-02-13 2010-06-29 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist composition and patterning process using the same
US7771913B2 (en) 2006-04-04 2010-08-10 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist composition and patterning process using the same
US7771914B2 (en) 2006-10-17 2010-08-10 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist composition and patterning process
US7902385B2 (en) 2006-07-06 2011-03-08 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Ester compounds and their preparation, polymers, resist compositions and patterning process
US7981589B2 (en) 2007-07-30 2011-07-19 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Fluorinated monomer, fluorinated polymer, resist composition and patterning process
US7985528B2 (en) 2008-09-05 2011-07-26 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Positive resist composition and patterning process
US8003295B2 (en) 2007-09-20 2011-08-23 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Patterning process and resist composition used therein
US8043788B2 (en) 2007-07-04 2011-10-25 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist composition and patterning process
US8057981B2 (en) 2008-02-14 2011-11-15 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist composition, resist protective coating composition, and patterning process
US8101335B2 (en) 2008-05-12 2012-01-24 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist composition and patterning process
US8114571B2 (en) 2008-05-01 2012-02-14 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Photoacid generator, resist composition, and patterning process
JP2012041362A (ja) * 2011-11-01 2012-03-01 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 新規スルホン酸塩及びその誘導体並びにそれらの製造方法
JP2012056956A (ja) * 2011-11-01 2012-03-22 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 新規スルホン酸塩及びその誘導体並びにそれらの製造方法
US8158330B2 (en) 2008-05-12 2012-04-17 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist protective coating composition and patterning process
US8349533B2 (en) 2008-11-07 2013-01-08 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist lower-layer composition containing thermal acid generator, resist lower layer film-formed substrate, and patterning process
US8394577B2 (en) 2009-04-08 2013-03-12 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Patterning process
US8741548B2 (en) 2007-08-22 2014-06-03 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Patterning process
US8795942B2 (en) 2006-12-25 2014-08-05 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Positive resist composition and patterning process

Cited By (84)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6916591B2 (en) 2002-03-22 2005-07-12 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Photoacid generators, chemically amplified resist compositions, and patterning process
US6713612B2 (en) 2002-05-01 2004-03-30 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Sulfonyldiazomethanes, photoacid generators, resist compositions, and patterning process
US7056640B2 (en) 2002-08-09 2006-06-06 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Sulfonydiazomethanes, photoacid generators, resist compositions, and patterning process
US7101651B2 (en) 2003-02-13 2006-09-05 Shin-Etsu Chemical Co.,Ltd. Sulfonyldiazomethanes, photoacid generators, resist compositions, and patterning process
US7109311B2 (en) 2003-02-13 2006-09-19 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Sulfonyldiazomethanes, photoacid generators, resist compositions, and patterning process
JP2006517950A (ja) * 2003-02-19 2006-08-03 チバ スペシャルティ ケミカルズ ホールディング インコーポレーテッド ハロゲン化オキシム誘導体及び潜在的酸としてのそれらの使用
US7235343B2 (en) 2003-05-12 2007-06-26 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Photoacid generators, chemically amplified resist compositions, and patterning process
US7282316B2 (en) 2003-08-28 2007-10-16 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Sulfonyldiazomethane compounds, photoacid generator, resist materials and patterning using the same
US7157207B2 (en) 2003-09-03 2007-01-02 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymer, resist material and patterning processing
US7601479B2 (en) 2003-09-12 2009-10-13 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymer, resist composition and patterning process
US7276324B2 (en) 2003-11-14 2007-10-02 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Nitrogen-containing organic compound, resist composition and patterning process
US7261995B2 (en) 2004-04-23 2007-08-28 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Nitrogen-containing organic compound, chemically amplified resist composition and patterning process
US7598015B2 (en) 2004-06-21 2009-10-06 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymer, resist composition and patterning process
US7550247B2 (en) 2004-08-19 2009-06-23 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist composition and patterning process
US7510816B2 (en) 2004-10-05 2009-03-31 Shin-Estu Chemical Co., Ltd. Silicon-containing resist composition and patterning process
JP2006151897A (ja) * 2004-11-30 2006-06-15 Eiweiss Kk 光酸発生剤および感光性樹脂組成物
JP4519621B2 (ja) * 2004-11-30 2010-08-04 アイバイツ株式会社 光酸発生剤および感光性樹脂組成物
US7335458B2 (en) 2005-02-18 2008-02-26 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Chemically amplified positive resist composition and patterning process
US7265234B2 (en) 2005-04-01 2007-09-04 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Silsesquioxane compound mixture, method of making, resist composition, and patterning process
EP1710230A1 (en) 2005-04-06 2006-10-11 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Novel sulfonate salts and derivatives, photoacid generators, resist compositions, and patterning process
US7919226B2 (en) 2005-04-06 2011-04-05 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Sulfonate salts and derivatives, photoacid generators, resist compositions, and patterning process
US7511169B2 (en) 2005-04-06 2009-03-31 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Sulfonate salts and derivatives, photoacid generators, resist compositions, and patterning process
US7468236B2 (en) 2005-10-14 2008-12-23 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Amine compound, chemically amplified resist composition and patterning process
US7556909B2 (en) 2005-10-31 2009-07-07 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Sulfonate salts and derivatives, photoacid generators, resist compositions, and patterning process
US7531290B2 (en) 2005-10-31 2009-05-12 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Sulfonate salts and derivatives, photoacid generators, resist compositions, and patterning process
US7718342B2 (en) 2005-12-27 2010-05-18 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymers, resist compositions and patterning process
US7678530B2 (en) 2006-01-06 2010-03-16 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Lactone-containing compound, polymer, resist composition, and patterning process
US7868199B2 (en) 2006-01-31 2011-01-11 Eudyna Devices Inc. Fluoroalcohol preparation method, fluorinated monomer, polymer, resist composition and patterning process
EP2070901A1 (en) 2006-01-31 2009-06-17 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Fluoroalcohol preparation method, fluorinated monomer, polymer, resist composition and patterning process
US7745094B2 (en) 2006-02-13 2010-06-29 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist composition and patterning process using the same
US7771913B2 (en) 2006-04-04 2010-08-10 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist composition and patterning process using the same
US7514202B2 (en) 2006-05-15 2009-04-07 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Thermal acid generator, resist undercoat material and patterning process
US7494760B2 (en) 2006-06-09 2009-02-24 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Photoacid generators, chemically amplified resist compositions, and patterning process
US7498126B2 (en) 2006-06-14 2009-03-03 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Photoacid generators, chemically amplified resist compositions, and patterning process
US7928262B2 (en) 2006-06-27 2011-04-19 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Sulfonate salts and derivatives, photoacid generators, resist compositions, and patterning process
US8030515B2 (en) 2006-06-27 2011-10-04 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Sulfonate salts and derivatives, photoacid generators, resist compositions, and patterning process
US7569324B2 (en) 2006-06-27 2009-08-04 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Sulfonate salts and derivatives, photoacid generators, resist compositions, and patterning process
JP2008007409A (ja) * 2006-06-27 2008-01-17 Shin Etsu Chem Co Ltd 新規スルホン酸塩及びその誘導体、光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法
JP2008007410A (ja) * 2006-06-27 2008-01-17 Shin Etsu Chem Co Ltd 新規スルホン酸塩及びその誘導体、光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法
US7611821B2 (en) 2006-07-06 2009-11-03 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Positive resist compositions and patterning process
US7687222B2 (en) 2006-07-06 2010-03-30 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymerizable ester compounds, polymers, resist compositions and patterning process
US7998657B2 (en) 2006-07-06 2011-08-16 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Ester compounds and their preparation, polymers, resist compositions and patterning process
US7902385B2 (en) 2006-07-06 2011-03-08 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Ester compounds and their preparation, polymers, resist compositions and patterning process
US7727704B2 (en) 2006-07-06 2010-06-01 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Positive resist compositions and patterning process
US7691561B2 (en) 2006-07-06 2010-04-06 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Positive resist compositions and patterning process
US7527912B2 (en) 2006-09-28 2009-05-05 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Photoacid generators, resist compositions, and patterning process
US7537880B2 (en) 2006-10-04 2009-05-26 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymer, resist composition, and patterning process
US7771914B2 (en) 2006-10-17 2010-08-10 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist composition and patterning process
US7514204B2 (en) 2006-10-24 2009-04-07 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist composition and patterning process
US7618764B2 (en) 2006-11-22 2009-11-17 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Positive resist compositions and patterning process
US7638260B2 (en) 2006-11-29 2009-12-29 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Positive resist compositions and patterning process
US7541133B2 (en) 2006-11-29 2009-06-02 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Positive resist composition and patterning process
US8795942B2 (en) 2006-12-25 2014-08-05 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Positive resist composition and patterning process
US7598016B2 (en) 2007-03-29 2009-10-06 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist composition and patterning process
US8043788B2 (en) 2007-07-04 2011-10-25 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist composition and patterning process
US7981589B2 (en) 2007-07-30 2011-07-19 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Fluorinated monomer, fluorinated polymer, resist composition and patterning process
US8741548B2 (en) 2007-08-22 2014-06-03 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Patterning process
EP2033966A2 (en) 2007-09-05 2009-03-11 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Movel photoacid generators, resist compositons, and patterning processes
US7670751B2 (en) 2007-09-05 2010-03-02 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Photoacid generator, resist composition, and patterning process
US8003295B2 (en) 2007-09-20 2011-08-23 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Patterning process and resist composition used therein
US7622242B2 (en) 2007-09-26 2009-11-24 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist composition and patterning process
EP2081083A1 (en) 2008-01-18 2009-07-22 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Positive resist compositions and patterning process
US7993811B2 (en) 2008-01-18 2011-08-09 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Positive resist compositions and patterning process
EP2081084A1 (en) 2008-01-18 2009-07-22 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Positive resist compositions and patterning process
US8017302B2 (en) 2008-01-18 2011-09-13 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Positive resist compositions and patterning process
US8021822B2 (en) 2008-01-18 2011-09-20 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Positive resist compositions and patterning process
EP2081085A1 (en) 2008-01-18 2009-07-22 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Positive resist compositions and patterning process
US8252504B2 (en) 2008-02-14 2012-08-28 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymer, resist composition, and patterning process
EP2090598A1 (en) 2008-02-14 2009-08-19 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymer, resist composition, and patterning process
US8057981B2 (en) 2008-02-14 2011-11-15 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist composition, resist protective coating composition, and patterning process
EP2103592A2 (en) 2008-03-18 2009-09-23 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Hydroxyl-containing monomer, polymer, resist composition, and patterning process
US8053165B2 (en) 2008-03-18 2011-11-08 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Hydroxyl-containing monomer, polymer, resist composition, and patterning process
US8114570B2 (en) 2008-03-25 2012-02-14 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Photoacid generator, resist composition, and patterning process
EP2105794A1 (en) 2008-03-25 2009-09-30 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Novel photoacid generator, resist composition, and patterning process
US8114571B2 (en) 2008-05-01 2012-02-14 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Photoacid generator, resist composition, and patterning process
US8101335B2 (en) 2008-05-12 2012-01-24 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist composition and patterning process
US8158330B2 (en) 2008-05-12 2012-04-17 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist protective coating composition and patterning process
US7985528B2 (en) 2008-09-05 2011-07-26 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Positive resist composition and patterning process
JP5483115B2 (ja) * 2008-09-09 2014-05-07 国立大学法人 千葉大学 光酸発生剤材料、フォトリソグラフィー材料及びこれを用いたパターン膜の製造方法。
WO2010029948A1 (ja) * 2008-09-09 2010-03-18 国立大学法人千葉大学 光酸発生剤材料、フォトリソグラフィー材料及びこれを用いたパターン膜の製造方法。
US8349533B2 (en) 2008-11-07 2013-01-08 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist lower-layer composition containing thermal acid generator, resist lower layer film-formed substrate, and patterning process
US8394577B2 (en) 2009-04-08 2013-03-12 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Patterning process
JP2012041362A (ja) * 2011-11-01 2012-03-01 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 新規スルホン酸塩及びその誘導体並びにそれらの製造方法
JP2012056956A (ja) * 2011-11-01 2012-03-22 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 新規スルホン酸塩及びその誘導体並びにそれらの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP3879139B2 (ja) 2007-02-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3879139B2 (ja) グリオキシム系エステル、その製法および用途
JP2964874B2 (ja) 化学増幅ポジ型レジスト材料
JP3935267B2 (ja) 新規なレジスト用酸発生剤
KR101334046B1 (ko) 설포늄염 개시제
US6153733A (en) (Disulfonyl diazomethane compounds)
KR100549556B1 (ko) 포토레지스트조성물
JP3351424B2 (ja) スルホニウム塩化合物及びレジスト組成物、並びにそれを用いたパターン形成方法
JP4288445B2 (ja) 新規オニウム塩及びレジスト材料用光酸発生剤並びにレジスト材料及びパターン形成方法
JP6671381B2 (ja) 潜在酸およびそれらの使用
KR100275019B1 (ko) 단파장 광선용 네거티브형 포토레지스트 조성물 및 이를이용한 패턴 형성법
KR100273854B1 (ko) 네가티브형 레지스트 재료, 이를 사용한 패턴 형성 방법,및 반도체 소자 제조 방법
JPH11271977A (ja) フォトレジスト組成物
CA2112285A1 (en) Positive photoresist composition
KR100219303B1 (ko) 아세탈기가 치환된 방향족 히드록시 화합물 및 이를 함유하는 네가티브형 포토레지스트 조성물
JP3279059B2 (ja) フォトレジスト組成物
KR19980018953A (ko) 너 거티브형 레지스트 조성물 (negative resist composition)
JPH0683055A (ja) 新規なネガ型レジスト材料及びパタ−ン形成方法
JP3791083B2 (ja) ポジ型フォトレジスト組成物
JP3399141B2 (ja) 化学増幅ポジ型レジスト材料
KR19990006907A (ko) 포지티브형 포토레지스트 조성물
JPH04226456A (ja) 深uv放射で露光するための陽画作用放射感応性混合物および放射感応性記録材料
JPH09124598A (ja) スクシンイミド誘導体、その製法及び用途
US20040224251A1 (en) Positive resist composition
US5965748A (en) Succinimide derivative, process for production and use thereof
JP3810211B2 (ja) 新規化学増幅型ポジ型ホトレジスト

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060725

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060912

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20061017

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20061030

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091117

Year of fee payment: 3

RD05 Notification of revocation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D05

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091117

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101117

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101117

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111117

Year of fee payment: 5

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees