KR940005993A - 네거티브 작용의 레지스트 물질 및 패턴 형성 방법 - Google Patents

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Abstract

(a)알칼리 가용성 수지, (b)R1이 알킬 또는 아르알킬인 2이상의 식 -OCH20R1의 기를 갖는 방향족 화합물, (c)광산 발생제, 및 (d)용매를 함유하는 네거티브 작동의 레지스트 조성물은 광투과성이 높고 감도가 높기 때문에 원자외선, KfF 엑시머 레이저 광등에 노출될때 고분해의 미세 패턴을 형성할 수 있다.

Description

네거티브 작용의 레지스트 물질 및 패턴 형성 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A∼1C도는 본 발명의 네거티브 작용의 패턴 형성 방법을 설명하는 단면도이다.
제2A∼2C도는 불량한 광투과성으로 인한 역사다리꼴 패턴이 형성된 선행 기술의 방법을 설명하는 단면도이다.
제3A∼3C도는 레지스트필름의 표면적상에의 산의 불활성화로 인한 둥근 형태의 패턴이 형성된 또 다른 선행 기술의 방법을 설명하는 단면도이다.

Claims (7)

  1. (a)알칼리-가용성 수지, (b)하기식[Ⅰ]의 화합물 :
    [식중 R1은 탄소수 1~10의 알킬기 또는 아르알킬기이고, R2는 수소원자, 히드록시기, 탄소수 1~5의 알콕시기, 탄소수 1~10의 알칼기 또는 식 -OCH2OR1의 기이다.](c)노광상에서 산을 발생할 수 있는 광감성 화합물, 및 (d)성분 (a)~(c)를 용해할 수 있는 용매를 함유하는 네거티브 작용의 레지스트 물질.
  2. 제1항에 있어서, 성분(c)가 하기식[Ⅱ]의 화합물인 레지스터 조성물.
    [식중, R3및 R4는 독립적으로 탄소수 1~10의 직쇄, 측쇄 또는 고리형 알킬기, 탄소수 1~10의 할로알킬기 또는 하기 식[Ⅲ]의 기이다;
    (식중, R5및 R6는 독립적으로 수소원자 탄소수 1~5의 직쇄 또는 측쇄 알킬기이거나 또는 탄소수 1~5의 직쇄 또는 측쇄 할로알칼기고, p는 0 또는 1이상의 정수이다.)]
  3. 제1항에 있어서, 성분(c)가 하기식[Ⅳ]의 화합물인 레지스트 조성물.
    [식중, R7은 탄소수 1~10의 직쇄, 측쇄 또는 고리형 알칼기, 트리플루오로메틸기, 페닐기 또는 톨릴기이고, R8및 R9은 독립적으로 수소원자 또는 탄소수 1~5의 직쇄 또는 측쇄 알킬기이며, R10은 탄소수 1~10의 직쇄,측쇄 또는 고리형 알킬기, 페닐기, 할로겐 치환 페닐기, 알킬치환 페닐기, 알콕시 치환 페닐기 또는 알킬티오 치환 페닐기이다.]
  4. 제1항에 있어서, 성분(c)가 하기식[Ⅴ]의 화합물인 레지스트 조성물.
    [식중, R11은 트리클로로아세틸기, p-톨루엔술포닐기, p-트리플루오로메틸벤젠술포닐기, 메탄술포닐기 또는 트리플루오로메탄술포닐기이고, R12및 R13은 독립적으로 수소원자, 할로겐원자 또는 니트로기이다.]
  5. 제1항에 있어서, 성분(c)가 하기식[Ⅵ]의 화합물의 레지스트 조성물.
    [식중, R14은 탄소수 1~10의 직쇄, 측쇄 또는 고리형 알킬기, 아르알킬기 또는 아릴기이고, R15은 탄소수 1~10의 직쇄, 측쇄 또는 고리형 알킬기 또는 아르알킬기이다,]
  6. 제1항에 있어서, 성분(a)가 1중량부의 양으로 함유되어 있고, 성분(b)가 0.01∼0.5중량부의 양으로 함유되어 있고, 성분(c)가 0.01∼0.3중랑부의 양으로 함유되어 있고, 성분(d)가 1∼20중량부의 양으로 함유된 레지스터 조성물.
  7. (i)기판상에 제1항의 레지스트 조성물을 코팅하고 용매를 중발시켜 필름을 형성하고, (ⅱ)마스크를 통해서 필름을 광에 노출하고, (ⅲ)수득한 필름을 열처리하고, 및 (ⅳ)알칼리 수용액으로 현상하는 단계를 포함하는 네거티브 작용의 패턴 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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