KR950004378A - 심자외선 흡수제 및 패턴 형성시 그의 용도 - Google Patents
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Abstract
분자내에 1개 이상의 글리시딜기를 갖는 1종 이상의 화합물 및 1종 이상의 안트라센 유도체 및 이들 화합물을 용해시킬 수 있는 용매를 포함하는 심자외선 흡수제는 레지스트 패턴 형성동안 기질로부터 심자외선의 반사를 저해하고 노칭 및 할레이션없이 초미세 패턴을 형성시킨다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3(a) 내지 3(e)도는 본 발명의 심자외선 흡수제를 언더코트로 사용한 실시예 3에 따른 패턴 형성 방법을 설명한 단면도이다.
Claims (9)
- 분자내에 1개 이상의 글리시딜기를 갖는 1종 이상의 화합물, 하기식[Ⅰ]로 나타내는 1종 이상의 안트라센 유도체 및 이들 화합물을 용해시킬 수 있는 용매를 포함하는 심자외선 흡수제:[상기식에서, X는 -O-SO2-,-O-CO- 또는 -CO-를 나타내고; R1및 R2는 독립적으로 수소원자, 알킬기, 알콕시기, 할로겐원자 또는 히드록시기를 나타내고; R3,R4,R5및 R6는 독립적으로 수소원자, 알킬기, 알콕시기, 할로겐원자, 또는 하기식[2];(상기에서 X, R1및 R2는 상기 정의와 같다)으로 나타내는 기이며; 단, R3내지 R6중 1개 이상은 식[2]의 기이고, 식[2]의 기가 세개 존재할 때 안트라센 고리의 1,8 및 9위치에 동시에 존재할 수 없다)
- 제1항에 있어서, 식[1] 및 [2]에서 X가 -O-CO-인 심자외선 흡수제.
- 제1항에 있어서, 식[1] 및 [2]에서 X가 -O-SO2-인 심자외선 흡수제.
- 제1항에 있어서, 식[1] 및 [2]에서 1개 이상의 페놀 히드록시기가 X에 대하여 파라 및/또는 메타위치에 위치하는 심자외선 흡수제.
- (ⅰ)반도체 기질상에 제1항의 심자외선 흡수제를 코팅하고 코팅을 가열하고 가교 결합 반응을 실행시키어, 상기 기질상에 필름을 형성하고, (ⅱ)단에서 (ⅰ)에서 형성된 심자외선 흡수 필름상에 레지스트물질을 코팅하고, 코팅을 베이킹하여 레지스트 필름을 형성한 다음; (ⅲ)마스크를 통하여 KrF엑시머 레이저광 또는 심자외선에 레지스트 막을 노출시키고 노출된 필름을 열처리하고; (ⅳ)알칼리성 현상 용액으로 필름을 현상하는 단계를 포함하는 패턴 형성 방법.
- 하기식 [1′]의 안트라센 유도체:[상기에서, R1및 R2는 독립적으로 수소원자, 알킬기, 알콕시기, 할로겐원자 또는 히드록시기이고; R3,R4,R5및 R6는 독립적으로 수소원자, 알킬기, 알콕시기, 할로겐원자, 또는 하기식[2′]:[상기에서, R1및 R2는 상기 정의와 같다)의 기를 나타내고; 단, R3내지 R6중 1개 이상은 식[2′]의 기이다.
- 제6항에 있어서, 식[1′]에서 R3내지 R6중 하나가 식[2′]의 기인 안트라센 유도체.
- 제6항에 있어서, 식[1′]에서 R3내지 R6중 두개가 식[2′]의 기인 안트라센 유도체.
- 제6항에 있어서, 식[1′] 및 [2′]에서 1개 이상의 페놀 히드록시기가 -O-SO2-기에 대하여 파라 및/또는 메타위치에 존재하는 안트라센 유도체.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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