KR950004378A - 심자외선 흡수제 및 패턴 형성시 그의 용도 - Google Patents

심자외선 흡수제 및 패턴 형성시 그의 용도 Download PDF

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Abstract

분자내에 1개 이상의 글리시딜기를 갖는 1종 이상의 화합물 및 1종 이상의 안트라센 유도체 및 이들 화합물을 용해시킬 수 있는 용매를 포함하는 심자외선 흡수제는 레지스트 패턴 형성동안 기질로부터 심자외선의 반사를 저해하고 노칭 및 할레이션없이 초미세 패턴을 형성시킨다.

Description

심자외선 흡수제 및 패턴 형성시 그의 용도
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3(a) 내지 3(e)도는 본 발명의 심자외선 흡수제를 언더코트로 사용한 실시예 3에 따른 패턴 형성 방법을 설명한 단면도이다.

Claims (9)

  1. 분자내에 1개 이상의 글리시딜기를 갖는 1종 이상의 화합물, 하기식[Ⅰ]로 나타내는 1종 이상의 안트라센 유도체 및 이들 화합물을 용해시킬 수 있는 용매를 포함하는 심자외선 흡수제:
    [상기식에서, X는 -O-SO2-,-O-CO- 또는 -CO-를 나타내고; R1및 R2는 독립적으로 수소원자, 알킬기, 알콕시기, 할로겐원자 또는 히드록시기를 나타내고; R3,R4,R5및 R6는 독립적으로 수소원자, 알킬기, 알콕시기, 할로겐원자, 또는 하기식[2];
    (상기에서 X, R1및 R2는 상기 정의와 같다)으로 나타내는 기이며; 단, R3내지 R6중 1개 이상은 식[2]의 기이고, 식[2]의 기가 세개 존재할 때 안트라센 고리의 1,8 및 9위치에 동시에 존재할 수 없다)
  2. 제1항에 있어서, 식[1] 및 [2]에서 X가 -O-CO-인 심자외선 흡수제.
  3. 제1항에 있어서, 식[1] 및 [2]에서 X가 -O-SO2-인 심자외선 흡수제.
  4. 제1항에 있어서, 식[1] 및 [2]에서 1개 이상의 페놀 히드록시기가 X에 대하여 파라 및/또는 메타위치에 위치하는 심자외선 흡수제.
  5. (ⅰ)반도체 기질상에 제1항의 심자외선 흡수제를 코팅하고 코팅을 가열하고 가교 결합 반응을 실행시키어, 상기 기질상에 필름을 형성하고, (ⅱ)단에서 (ⅰ)에서 형성된 심자외선 흡수 필름상에 레지스트물질을 코팅하고, 코팅을 베이킹하여 레지스트 필름을 형성한 다음; (ⅲ)마스크를 통하여 KrF엑시머 레이저광 또는 심자외선에 레지스트 막을 노출시키고 노출된 필름을 열처리하고; (ⅳ)알칼리성 현상 용액으로 필름을 현상하는 단계를 포함하는 패턴 형성 방법.
  6. 하기식 [1′]의 안트라센 유도체:
    [상기에서, R1및 R2는 독립적으로 수소원자, 알킬기, 알콕시기, 할로겐원자 또는 히드록시기이고; R3,R4,R5및 R6는 독립적으로 수소원자, 알킬기, 알콕시기, 할로겐원자, 또는 하기식[2′]:
    [상기에서, R1및 R2는 상기 정의와 같다)의 기를 나타내고; 단, R3내지 R6중 1개 이상은 식[2′]의 기이다.
  7. 제6항에 있어서, 식[1′]에서 R3내지 R6중 하나가 식[2′]의 기인 안트라센 유도체.
  8. 제6항에 있어서, 식[1′]에서 R3내지 R6중 두개가 식[2′]의 기인 안트라센 유도체.
  9. 제6항에 있어서, 식[1′] 및 [2′]에서 1개 이상의 페놀 히드록시기가 -O-SO2-기에 대하여 파라 및/또는 메타위치에 존재하는 안트라센 유도체.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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