KR920006340A - 비 중합성 화합물, 이를 함유하는 조성물 그리고 포지티브 및 네가티브상의 형성방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (18)
- 하기 일반식(Ⅰ)의 테트라히드로피라닐옥시 치환기를 한개 또는 그 이상 갖는 한개 이상의 방향족 고리계를 함유하는 비 중합성 화합물:상기 식에서, R1은 수소, 할로겐, 알킬, 시클로알킬, 아릴, 알콕시 또는 아릴옥시이고, R2는 수소, 알킬, 시클로알킬 또는 아릴이며, R3는 포화 또는 불포화 탄화수소 라디칼이고, R4및 R5는 서로 독립해서 수소, 할로겐, 알킬, 알콕시 또는 아릴옥시이며, 또 X는 직접 단일 결합 또는 메틸렌 또는 에틸렌 브릿지임.
- 제1항에 있어서, R1은 수소, 할로겐, C1-C5알킬, 페닐, 치환된 페닐, C1-C5알콕시, 페녹시 또는 치환된 페녹시이고, R2는 수소, C1-C4알킬 또는 페닐이며, R3는 1 내지 20개 탄소 원자의 포화 또는 불포화 탄화수소라디칼이고, 또 R4및 R5는 서로 독립적으로, 수소, 할로겐, C1-C5알킬, C1-C5알콕시, 페녹시 또는 치환된 페녹시인 화합물.
- 제2항에 있어서, R1은 수소, 메틸 또는 페닐이고, R2, R4, R5는 각각 수소이며, R3는 1 내지 8개 탄소원자의 포화 또는 불포화 비고리형 탄화수소 라디칼 또는 페닐인 화합물.
- 제1항에 있어서, X가 직접 결합인 화합물.
- 제1항에 있어서, 모든 탄소 및 헤테로 원자는 포함하고 수소 원자 및 테트라히드로피라닐옥시기의 어떤 원자는 포함하지 않는 최대 100개 원자를 분자내에 함유하고, 이들중 75% 이상의 원자가 방향족계에 포함되며, 2개이상의 일반식(Ⅰ)의 테트라히드록피라닐옥시 치환기를 함유하며 또 여기에 존재하는 일반식(Ⅰ)의 치환기의 총수는 화합물중의 2개의 방향족 고리에 대하여 한개 이상의 일반식(Ⅰ)의 치환기가 존재하도록 커야 하고, "방향족 고리"라는 표현은 방향족계의 각개 방향족 고리를 의미하는 것으로 이해되는 화합물.
- 제1항에 있어서, 방향족 계로서 6개 고리 탄소 원자를 함유하는 비콘쥬게이트형 계 만을 함유하는 화합물.
- 제6항에 있어서, 하기 일반식(Ⅱ) 또는 (Ⅲ)으로 표시되는 화합물:상기 식에서, Y는 일반식(Ⅰ)의 테트라히드록피라닐옥시 치환기이고, Z는 직접적 단일 결합 또는 -S-; -O-; -SO-; -SO2-; -CO-; -C(R6)(R7)-로 구성된 군으로 부터 선정되며 이때 R6는 수소, 메틸 또는 아릴이고, 또 R7는 수소 또는 메틸임.
- 화학선에 노출되면 산을 발생시키는 제1항에 정의된 화합물, 및 결합제를 포함하는 조성물.
- 기판을 제8항에서 청구된 바와 같은 감광성 조성물로 코팅하고, 코팅된 기판을 지시된 패턴으로 화학선에 노출시키며 또 100℃이하의 온도로 잠기 가열시킨 후 층의 노출 영역을 현상제로 용해시키는 것을 포함하는 포지티브 상의 제조방법.
- 기판을 제8항에서 청구된 바와 같은 조성물로 코팅하고, 코팅된 기판을 지시된 패턴으로 화학선에 노출시키며 또 100 내지 170℃의 범위의 온도로 가열시키고 또 층의 비노출 영역을 현상제로 사용하여 용해시키는 것을 포함하는 네가티브 상의 제조방법.
- 제9항에 있어서, 조사에 사용된 화학선이 300nm이하의 파장을 갖는 방법.
- 제10항에 있어서, 조사에 사용된 화학선이 300nm이하의 파장을 갖는 방법.
- 제11항에 있어서, 기판을 1㎛이하의 구조적 특성을 갖는 패턴으로 화학선에 조사시키는 방법.
- 제12항에 있어서, 기판을 1㎛이하의 구조적 특성을 갖는 패턴으로 화학선에 조사시키는 방법.
- 제9항에 있어서, 코팅된 기판을 조사 및 형상 단계 사이에 더 이상 열처리시키지 않는 방법.
- 제9항에 청구된 바와 같은 방법에 의해 수득할 수 있는 제품.
- 제10항에 청구된 바와 같은 방법에 의해 수득할 수 있는 제품.
- 제16항에 있어서, 1㎛이하의 인위적으로 제조된 구조적 특성을 갖는 제품.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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