KR100894218B1 - 흡광제 및 이를 포함하는 유기 반사 방지막 조성물 - Google Patents
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Abstract
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Claims (14)
- 제 1항 또는 제2항에 있어서,상기 화학식1a, 1b또는 화학식2로 표시된 화합물은 염기 환경에서 반응시켜 제조된 것임을 특징으로 하는 유기 반사 방지막 형성용 흡광제.
- 제 3항에 있어서,상기 염기는 디메틸아미노피리딘, 피리딘, 1,4-디아자바이사이클로 2,2,2 옥 탄, 1,5-디아자바이사이클로 4,3,0 노네인, 트리에틸아민, 2,6-디터트부틸피리딘, 디이소프로필에틸아민, 디아자바이사이클로운데센, 테트라메틸에틸렌디아민으로 이루어진 군으로부터 선택된 화합물인 것을 특징으로 하는 유기 반사 방지막 형성용 흡광제.
- 흡광제, 중합체, 열산발생제, 가교결합제 및 용매를 포함하며, 상기 흡광제는 제1항에 기재된 화학식1a, 1b또는 1a및1b의 혼합물, 또는 제2항에 기재된 화학식2로 표시된 화합물인 유기 반사 방지막 조성물.
- 제 5항에 있어서,상기 조성물은, 흡광제 0.1내지 40중량%, 중합체 0.1내지 20 중량%, 열산발생제 0.01 내지 20 중량% 및 가교결합제 0.01 내지 10 중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 반사 방지막 조성물.
- 제 5항에 있어서,상기 중합체는 직쇄 또는 측쇄 말단에 가교 사이트(Site)를 갖는 수지를 특징으로 하는 유기 반사 방지막 조성물.
- 제 5항에 있어서,상기 가교결합제는 2개 이상의 가교 형성 관능기를 갖는 아미노플라스틱 화합물, 다관능성 에폭시 수지, 언하이드라이드 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 유기 반사 방지막 조성물.
- 제 5항에 있어서,상기 열산발생제는 톨루엔 술폰산, 톨루엔 술폰산의 아민염 또는 피리딘염 화합물, 알킬술폰산, 알킬술폰산의 아민염 또는 피리딘염인 것을 특징으로 하는 유기 반사 방지막 조성물.
- 제 5항에 있어서,상기 용매는 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르(PGME), 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트(PGMEA), 시클로헥사논, 에틸락테이트, 프로필렌 글리콜 n-프로필 에테르, 디메틸 포름아미드(DMF), 감마-부티로락톤, 에톡시 에탄올, 메톡시 에탄올, 메틸3-메톡시프로피오네이트(MMP), 에틸3-에톡시프로피오네이트(EEP)으로 이루어진 그룹에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 유기 반사 방지막 조성물.
- 제 5항에 의한 유기 반사 방지막 조성물을 피식각층 상부에 도포하는 단계도포된 조성물을 베이킹 공정을 통해 경화시키고, 가교 결합을 형성시켜 유기 반사 방지막을 형성하는 방지막형성 단계유기 반사 방지막 상부에 포토레지스트를 도포하고, 노광 후 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계 및포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 하여 유기 반사 방지막을 식각한 후, 피식각층을 식각하여 피식각층의 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 패턴 형성 방법.
- 제 11항에 있어서,상기 방지막형성단계 중 베이킹 공정은 150 내지 250℃에서 1 내지 5분간 진행하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 패턴 형성 방법.
- 제 11항에 있어서,포토레지스트 패턴 형성 단계 중 노광하기 전후에 제2베이킹 공정이 더 포함되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 패턴 형성 방법.
- 제 11항에 의한 패턴 형성 방법을 통하여 제조된 반도체 소자.
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