JP2861309B2 - ネガ型感光性組成物 - Google Patents
ネガ型感光性組成物Info
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- JP2861309B2 JP2861309B2 JP2184648A JP18464890A JP2861309B2 JP 2861309 B2 JP2861309 B2 JP 2861309B2 JP 2184648 A JP2184648 A JP 2184648A JP 18464890 A JP18464890 A JP 18464890A JP 2861309 B2 JP2861309 B2 JP 2861309B2
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- JP
- Japan
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- photosensitive composition
- alkali
- negative photosensitive
- soluble resin
- alkyl group
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は一般に輻射線に感応するネガ型感光性組成物
に関するものであり、更に詳しくは、半導体集積回路の
作成に有用なネガ型レジストに関するものである。
に関するものであり、更に詳しくは、半導体集積回路の
作成に有用なネガ型レジストに関するものである。
［従来の技術］ 半導体集積回路の高集積度化は、一般に言われるよう
に、３年間に４倍のスピードで進行し、例えばダイナミ
ックランダムアクセスメモリーを例に取れば、現在では
4Mビットの記憶容量を持つものが本格生産されている。
に、３年間に４倍のスピードで進行し、例えばダイナミ
ックランダムアクセスメモリーを例に取れば、現在では
4Mビットの記憶容量を持つものが本格生産されている。
集積回路の生産に不可欠のフォトリソグラフィー技術
に対する要求も年々厳しくなってきており、例えば、4M
ビットDRAMの生産には、0.8μｍレベルのリソグラフィ
ー技術が必要とされ、更に高集積度化が進んだ16M、64M
DRAMにおいては、それぞれ0.5μｍ、0.3μｍレベルのリ
ソグラフィーが必要とされると予想されている。したが
ってハーフミクロンリソグラフィに対応できるレジスト
の開発が切望されている。
に対する要求も年々厳しくなってきており、例えば、4M
ビットDRAMの生産には、0.8μｍレベルのリソグラフィ
ー技術が必要とされ、更に高集積度化が進んだ16M、64M
DRAMにおいては、それぞれ0.5μｍ、0.3μｍレベルのリ
ソグラフィーが必要とされると予想されている。したが
ってハーフミクロンリソグラフィに対応できるレジスト
の開発が切望されている。
フォトリソグラフィーに使用されるレジストとして、
環化ゴムと架橋剤としてビスアジドを使用するネガ型レ
ジストは周知である。しかしながらこの系は現像に有機
溶剤を必要とするため、現像時に膨潤が起こり、画像の
解像力は３μｍ程度が限界であり、高集積度のデバイス
を製造するには不適当である。また、現像に用いる有機
溶剤は環境上、健康上問題であり、引火性の点でも問題
が多い。
環化ゴムと架橋剤としてビスアジドを使用するネガ型レ
ジストは周知である。しかしながらこの系は現像に有機
溶剤を必要とするため、現像時に膨潤が起こり、画像の
解像力は３μｍ程度が限界であり、高集積度のデバイス
を製造するには不適当である。また、現像に用いる有機
溶剤は環境上、健康上問題であり、引火性の点でも問題
が多い。
更に、ナフトキノンジアジドとアルカリ可溶性ノボラ
ック樹脂からなるポジ型レジストも周知である。しかし
ながらこの系は、300nm以下に大きな吸収があり、短波
長露光を行うとパターンプロフィールが著しく劣化する
欠点がある。従って350nm程度以上の波長で露光せざる
を得ず、従って解像力に限界が生じハーフミクロンリソ
グラフィーには対応できない。
ック樹脂からなるポジ型レジストも周知である。しかし
ながらこの系は、300nm以下に大きな吸収があり、短波
長露光を行うとパターンプロフィールが著しく劣化する
欠点がある。従って350nm程度以上の波長で露光せざる
を得ず、従って解像力に限界が生じハーフミクロンリソ
グラフィーには対応できない。
一方、高解像力リソグラフィーに対応できる候補とし
て、Ｘ線リソグラフィー、エレクトロンビームリソグラ
フィー等があげられるが、前者はハードウェアー及び、
レジストの面からの立ち後れがめだち、後者はスループ
ットの面で大量生産に対応できない。
て、Ｘ線リソグラフィー、エレクトロンビームリソグラ
フィー等があげられるが、前者はハードウェアー及び、
レジストの面からの立ち後れがめだち、後者はスループ
ットの面で大量生産に対応できない。
従って、現時点においては、より高い解像力を得るた
め、低圧水銀灯やエキシマーレーザー等を光源とするデ
ィープUV領域の光を用いて露光でき、しかも、ハーフミ
クロンリソグラフィーに対応できるパターンプロフィー
ルの良好なレジストの開発が強く望まれている。
め、低圧水銀灯やエキシマーレーザー等を光源とするデ
ィープUV領域の光を用いて露光でき、しかも、ハーフミ
クロンリソグラフィーに対応できるパターンプロフィー
ルの良好なレジストの開発が強く望まれている。
［発明が解決しようとする課題］ 前述したように、現像時に膨潤をおこさず、しかもデ
ィープUV領域の吸収の小さいレジストがハーフミクロン
対応のレジストには不可欠であるが、従来の環化ゴム系
のレジストや、ナフトキノンジアジドーノボラック系レ
ジストはいずれもこの２つの条件を満足していない。
ィープUV領域の吸収の小さいレジストがハーフミクロン
対応のレジストには不可欠であるが、従来の環化ゴム系
のレジストや、ナフトキノンジアジドーノボラック系レ
ジストはいずれもこの２つの条件を満足していない。
本発明の目的は、前記従来技術の問題点を解決し、デ
ィープUV領域の光を用いて露光出来、しかも、ハーフミ
クロンリソグラフィに対応できるパターンプロフィール
の良好なレジストを開発することにある。
ィープUV領域の光を用いて露光出来、しかも、ハーフミ
クロンリソグラフィに対応できるパターンプロフィール
の良好なレジストを開発することにある。
［課題を解決するための手段］ 本発明者等は、上記目的を達成すべく種々検討を重ね
た結果、アルカリ可溶性樹脂、光酸発生剤および特定の
架橋剤を組み合わせたレジスト組成物を露光後アルカリ
水で現像することにより、非膨潤、高解像力のネガ型フ
ォトレジスト組成物とすることが出来るとの知見を得
た。
た結果、アルカリ可溶性樹脂、光酸発生剤および特定の
架橋剤を組み合わせたレジスト組成物を露光後アルカリ
水で現像することにより、非膨潤、高解像力のネガ型フ
ォトレジスト組成物とすることが出来るとの知見を得
た。
本発明は、かかる知見を基に完成されたものであり、
その要旨は、アルカリ可溶性樹脂、光酸発生剤および酸
性条件下で作用するアルカリ可溶性樹脂の架橋剤を含有
してなるネガ型感光性組成物において、該架橋剤が、下
記式［Ｉ］で示される物質を含むことを特徴とするネガ
型感光性組成物に存する。
その要旨は、アルカリ可溶性樹脂、光酸発生剤および酸
性条件下で作用するアルカリ可溶性樹脂の架橋剤を含有
してなるネガ型感光性組成物において、該架橋剤が、下
記式［Ｉ］で示される物質を含むことを特徴とするネガ
型感光性組成物に存する。
（式中、R1、R2、R3、およびR4はそれぞれ独立して水素
原子または置換基を有していてもよいアルキル基を示
す） 以下本発明を詳細に説明する。
原子または置換基を有していてもよいアルキル基を示
す） 以下本発明を詳細に説明する。
本発明で用いられるアルカリ可溶性樹脂としては特に
限定されないが、水酸基、カルボキシル基、またはスル
ホン酸基等を有するもの等が挙げられる。なかでもフェ
ノール性水酸基を持つものが好ましく、特に膜厚１ミク
ロンにおける透過率が20％以上となる露光波長を150〜3
00nmの範囲に有するものであることが好ましい。かかる
樹脂の例としては、フェノール、クレゾール、エチルフ
ェノール、ｔ−ブチルフェノール、キシレノール、ナフ
トール、1,4−ジヒドロキシベンゼン、1,3−ジヒドロキ
シベンゼン等のヒドロキシ芳香族化合物をホルムアルデ
ヒド、アセトアルデヒド、ベンズアルデヒド、フルフラ
ール等のアルデヒドで縮重合させたノボラック樹脂、メ
チル基、エチル基等の低級アルキル基等がベンゼン環又
はビニル基に置換していてもよいビニルフェノール誘導
体の重合体即ち低級アルキル基等の置換基を有していて
もよいポリビニルフェノール誘導体、Ｎ−（ｐ−ヒドロ
キシフェニル）マレイミドポリマー等が挙げられる。中
でもポリビニルフェノール誘導体またはクレゾールとホ
ルムアルデヒドとの重縮合物が好ましい。
限定されないが、水酸基、カルボキシル基、またはスル
ホン酸基等を有するもの等が挙げられる。なかでもフェ
ノール性水酸基を持つものが好ましく、特に膜厚１ミク
ロンにおける透過率が20％以上となる露光波長を150〜3
00nmの範囲に有するものであることが好ましい。かかる
樹脂の例としては、フェノール、クレゾール、エチルフ
ェノール、ｔ−ブチルフェノール、キシレノール、ナフ
トール、1,4−ジヒドロキシベンゼン、1,3−ジヒドロキ
シベンゼン等のヒドロキシ芳香族化合物をホルムアルデ
ヒド、アセトアルデヒド、ベンズアルデヒド、フルフラ
ール等のアルデヒドで縮重合させたノボラック樹脂、メ
チル基、エチル基等の低級アルキル基等がベンゼン環又
はビニル基に置換していてもよいビニルフェノール誘導
体の重合体即ち低級アルキル基等の置換基を有していて
もよいポリビニルフェノール誘導体、Ｎ−（ｐ−ヒドロ
キシフェニル）マレイミドポリマー等が挙げられる。中
でもポリビニルフェノール誘導体またはクレゾールとホ
ルムアルデヒドとの重縮合物が好ましい。
本発明で用いられる光酸発生剤は150〜300nmの範囲の
光で酸を発生する酸発生剤であることが好ましい。
光で酸を発生する酸発生剤であることが好ましい。
かかる光酸発生剤としては、例えばハロゲン含有アル
キル基の置換したトリアジン化合物、ハロゲン含有アル
キル基を有するイソシアヌリック酸誘導体、ハロゲン含
有アルキル基を有するスルホン化合物などの感光性有機
ハロゲン化合物、オニウム塩、スルホン酸エステル等が
挙げられる。具体的には、ポリメニックマテリアルズサ
イエンスアンドエンジニアリング第61巻63ページ、特公
昭54−23574号公報などに示されている物質等が使用さ
れる。
キル基の置換したトリアジン化合物、ハロゲン含有アル
キル基を有するイソシアヌリック酸誘導体、ハロゲン含
有アルキル基を有するスルホン化合物などの感光性有機
ハロゲン化合物、オニウム塩、スルホン酸エステル等が
挙げられる。具体的には、ポリメニックマテリアルズサ
イエンスアンドエンジニアリング第61巻63ページ、特公
昭54−23574号公報などに示されている物質等が使用さ
れる。
本発明のネガ型感光性組成物は、アルカリ可溶性樹
脂、光酸発生剤及び酸性条件下で作用するアルカリ可溶
性樹脂の架橋剤を含有するが、かかる架橋剤として前記
一般式［Ｉ］で示される物質を使用することを特徴とす
る。R1、R2、R3、およびR4で表わされるアルキル基とし
ては、炭素数１から５の低級アルキル基が好ましく、該
アルカル基の置換基としては、フッ素原子、塩素原子、
臭素原子等のハロゲン原子、フェニル基等が挙げられ
る。R1、R2、R3、及びR4は好ましくは水素原子又は非置
換の低級アルキル基であり、特に好適にはメチル基、エ
チル基である。また、本発明においては架橋剤として前
記一般式［Ｉ］で示される物質が含有されていればよ
く、更に他の架橋剤が含まれていてもよい。他の架橋剤
としては、例えば下記式［II］で示される物質、あるい
は前記式［Ｉ］で示される物質が複数分子反応した重合
体、ヘキサメトキシメチルメラミン等が挙げられる。
脂、光酸発生剤及び酸性条件下で作用するアルカリ可溶
性樹脂の架橋剤を含有するが、かかる架橋剤として前記
一般式［Ｉ］で示される物質を使用することを特徴とす
る。R1、R2、R3、およびR4で表わされるアルキル基とし
ては、炭素数１から５の低級アルキル基が好ましく、該
アルカル基の置換基としては、フッ素原子、塩素原子、
臭素原子等のハロゲン原子、フェニル基等が挙げられ
る。R1、R2、R3、及びR4は好ましくは水素原子又は非置
換の低級アルキル基であり、特に好適にはメチル基、エ
チル基である。また、本発明においては架橋剤として前
記一般式［Ｉ］で示される物質が含有されていればよ
く、更に他の架橋剤が含まれていてもよい。他の架橋剤
としては、例えば下記式［II］で示される物質、あるい
は前記式［Ｉ］で示される物質が複数分子反応した重合
体、ヘキサメトキシメチルメラミン等が挙げられる。
（式中、R5、R6、及びR7はそれぞれ独立して水素原子ま
たは置換基を有していてもよいアルキル基を示す） R5〜R7で表わされるアルキル基及びアルキル基の置換
基としてはR1〜R4と同様のものが挙げられる。
たは置換基を有していてもよいアルキル基を示す） R5〜R7で表わされるアルキル基及びアルキル基の置換
基としてはR1〜R4と同様のものが挙げられる。
尚、架橋剤が前記式［Ｉ］で示される物質以外の架橋
剤を含む場合、前記式［Ｉ］で示される物質が架橋剤
中、少なくとも50重量％であるのが好ましい。
剤を含む場合、前記式［Ｉ］で示される物質が架橋剤
中、少なくとも50重量％であるのが好ましい。
本発明のネガ型感光性組成物に於けるアルカリ可溶性
樹脂、光酸発生剤および架橋剤の割合は、アルカリ可溶
性樹脂100重量部に対し光酸発生剤0.05〜20重量部、好
ましくは0.1〜10重量部で、また架橋剤は１〜60重量
部、好ましくは５〜40重量部の割合で用いられる。
樹脂、光酸発生剤および架橋剤の割合は、アルカリ可溶
性樹脂100重量部に対し光酸発生剤0.05〜20重量部、好
ましくは0.1〜10重量部で、また架橋剤は１〜60重量
部、好ましくは５〜40重量部の割合で用いられる。
本発明の感光性組成物は溶媒に溶解して使用される
が、樹脂及び感光剤に対して十分な溶解度を持ち、良好
な塗膜性を与える溶媒であれば特に制限はなく、例え
ば、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、メチルセロ
ソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート等のセ
ロソルブ系溶媒、酢酸ブチル、酢酸アミル、乳酸メチ
ル、乳酸エチル等のエステル系溶媒、ジメチルフォルム
アミド、Ｎ−メチルピロリドン等の高極性溶媒、あるい
はこれらの混合溶媒、さらには芳香族炭化水素を添加し
た混合溶媒等が挙げられる。溶媒の使用割合は、固形分
の総量に対し重量比として１〜20倍の範囲である。
が、樹脂及び感光剤に対して十分な溶解度を持ち、良好
な塗膜性を与える溶媒であれば特に制限はなく、例え
ば、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、メチルセロ
ソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート等のセ
ロソルブ系溶媒、酢酸ブチル、酢酸アミル、乳酸メチ
ル、乳酸エチル等のエステル系溶媒、ジメチルフォルム
アミド、Ｎ−メチルピロリドン等の高極性溶媒、あるい
はこれらの混合溶媒、さらには芳香族炭化水素を添加し
た混合溶媒等が挙げられる。溶媒の使用割合は、固形分
の総量に対し重量比として１〜20倍の範囲である。
本発明のネガ型感光性組成物は従来公知の方法に従
い、塗布、露光、露光後加熱（ポストエクスポージャー
ベイク;PEB）現像の各工程を通し、フォトレジストとし
て使用される。
い、塗布、露光、露光後加熱（ポストエクスポージャー
ベイク;PEB）現像の各工程を通し、フォトレジストとし
て使用される。
露光には、ディープUV領域の光、例えば低圧水銀灯を
光源とする254nmの光や、エキシマーレーザー等を光源
とする157nm、193nm、222nm、249nmの光が好適に使用さ
れる。露光の際の光は単色光でなくブロードであっても
よい。
光源とする254nmの光や、エキシマーレーザー等を光源
とする157nm、193nm、222nm、249nmの光が好適に使用さ
れる。露光の際の光は単色光でなくブロードであっても
よい。
露光後加熱（PEB）の条件はホットプレートをもち
い、90℃〜140℃、１分〜10分程度の条件が好適に使用
される。ホットプレートのかわりにコンベンションオー
ブンを用いても良い。この場合は通常ホットプレートを
使用した場合より長い時間が必要とされる。
い、90℃〜140℃、１分〜10分程度の条件が好適に使用
される。ホットプレートのかわりにコンベンションオー
ブンを用いても良い。この場合は通常ホットプレートを
使用した場合より長い時間が必要とされる。
そして、現像液には、水酸化カリウム、炭酸ナトリウ
ム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモ
ニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、ｎ−プロピ
ルアミン等の第一級アミン類、ジエチルアミン、ジ−ｎ
−プロピルアミン等の第二級アミン、トリエチルアミ
ン、トリメチルアミン等の第３級アミン類、テトラメチ
ルアンモニウムハイドロオキサイド、トリメチルヒドロ
キシエチルアンモニウムハイドロキサイド等の第４級ア
ンモニウム塩よりなるアルカリ現像液が好適に使用され
る。現像液には必要に応じて、アルコール、界面活性剤
等を添加して使用することもある。
ム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモ
ニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、ｎ−プロピ
ルアミン等の第一級アミン類、ジエチルアミン、ジ−ｎ
−プロピルアミン等の第二級アミン、トリエチルアミ
ン、トリメチルアミン等の第３級アミン類、テトラメチ
ルアンモニウムハイドロオキサイド、トリメチルヒドロ
キシエチルアンモニウムハイドロキサイド等の第４級ア
ンモニウム塩よりなるアルカリ現像液が好適に使用され
る。現像液には必要に応じて、アルコール、界面活性剤
等を添加して使用することもある。
なお、フォトレジスト溶液、現像液は、使用に際しろ
過して固形分を除去して使用される。
過して固形分を除去して使用される。
本発明のネガ型感光性組成物は、超LSIの製造のみな
らず、一般のIC製造用に有用である。
らず、一般のIC製造用に有用である。
［実施例］ 次に実施例を挙げて本発明を更に詳しく説明するが、
本発明はその要旨を越えない限り実施例により何等制約
は受けない。
本発明はその要旨を越えない限り実施例により何等制約
は受けない。
実施例１ ｍ−クレゾール142.5g（1.32モル）、ｐ−クレゾール
190.0g（1.76モル）、2,5−キシレノール161.0g（1.29
モル）の混合物を37重量％ホルマリン溶液276.3g（ホル
ムアルデヒドとして3.4モル）と、蓚酸10.0g（0.079モ
ル）を触媒として91〜94℃で縮合させてノボラック樹脂
414gを得た（Mw＝6700）。
190.0g（1.76モル）、2,5−キシレノール161.0g（1.29
モル）の混合物を37重量％ホルマリン溶液276.3g（ホル
ムアルデヒドとして3.4モル）と、蓚酸10.0g（0.079モ
ル）を触媒として91〜94℃で縮合させてノボラック樹脂
414gを得た（Mw＝6700）。
上記ノボラック樹脂20g、トリストリクロロメチルト
リアジン0.6g、テトラメトキシメチル尿素4gを乳酸エチ
ル70gに溶解し、0.2ミクロンのテフロン製濾紙を用いて
精密ろ過し、フォトレジスト組成物を調製した。このフ
ォトレジスト組成物を直径４インチのシリコンウエハ上
に、スピンコーティング装置（ミカサ製1H−2D）を用い
て、1.0ミクロンの厚さに塗布し、オーブン中で90℃、3
0分間乾燥した。これを6W低圧水銀灯（ウシオ電機製）
を用いて、フォトマスク（凸版印刷製）と密着させて60
秒露光した後、ホットプレート上で90℃、30秒間加熱し
た（PEB）。その後2.38％テトラメチルアンモニウムハ
イドロオキサイド溶液で60秒現像する事によりネガ型画
像を形成した。得られたレジストパターンを走査型電子
顕微鏡（明石製作所製）で観察すると0.5ミクロンのラ
イン＆スペースが解像されていた。
リアジン0.6g、テトラメトキシメチル尿素4gを乳酸エチ
ル70gに溶解し、0.2ミクロンのテフロン製濾紙を用いて
精密ろ過し、フォトレジスト組成物を調製した。このフ
ォトレジスト組成物を直径４インチのシリコンウエハ上
に、スピンコーティング装置（ミカサ製1H−2D）を用い
て、1.0ミクロンの厚さに塗布し、オーブン中で90℃、3
0分間乾燥した。これを6W低圧水銀灯（ウシオ電機製）
を用いて、フォトマスク（凸版印刷製）と密着させて60
秒露光した後、ホットプレート上で90℃、30秒間加熱し
た（PEB）。その後2.38％テトラメチルアンモニウムハ
イドロオキサイド溶液で60秒現像する事によりネガ型画
像を形成した。得られたレジストパターンを走査型電子
顕微鏡（明石製作所製）で観察すると0.5ミクロンのラ
イン＆スペースが解像されていた。
実施例２ ノボラック樹脂20gに代えて、重量平均分子量6800の
ポリビニルフェノール20gを用いた以外は実施例１と同
様にしてフォトレジスト組成物を調製し、評価を行なっ
たところ、0.5ミクロンのライン＆スペースが解像され
ていた。
ポリビニルフェノール20gを用いた以外は実施例１と同
様にしてフォトレジスト組成物を調製し、評価を行なっ
たところ、0.5ミクロンのライン＆スペースが解像され
ていた。
実施例３ 重量平均分子量6800のポリビニルフェノール20g、２
−（ｐ−メトキシフェノール）−4,6−ビストリクロロ
メチル−Ｓ−トリアジン0.8g、テトラメトキシメチル尿
素3g、ヘキサメトキシメチルメラミン1gを乳酸エチル70
gに溶解し、実施例１と同様にして得たフォトレジスト
組成物を用い、実施例１と同様に評価したところ0.5ミ
クロンのライン＆スペースが解像されていた。
−（ｐ−メトキシフェノール）−4,6−ビストリクロロ
メチル−Ｓ−トリアジン0.8g、テトラメトキシメチル尿
素3g、ヘキサメトキシメチルメラミン1gを乳酸エチル70
gに溶解し、実施例１と同様にして得たフォトレジスト
組成物を用い、実施例１と同様に評価したところ0.5ミ
クロンのライン＆スペースが解像されていた。
比較例 ２、３、４、４′−テトラヒドロキシベンゾフェノン
17.2g（70ミリモル）と１、２−ナフトキノンジアジド
−５−スルフォニルクロリド56.4g（210ミリモル）をジ
オキサン/Nメチルピロリドンの混合溶媒中でトリエチル
アミンの存在下で反応させ、感光剤を合成した。この感
光剤0.063gと実施例１で用いたノボラック樹脂1.00gを
乳酸エチル4.0gとＮ−メチルピロリドン0.5gの混合溶媒
に溶解し、0.2ミクロンのテフロン製濾紙を用いて精密
ろ過し、フォトレジスト組成物を調製した。このフォト
レジスト組成物を直径４インチのシリコンウエハ上に、
スピンコーティング装置（ミカサ製1H−2D）を用いて、
1.0ミクロンの厚さに塗布し、オーブン中で90℃、30分
間乾燥した。これを6W低圧水銀灯（ウシオ電機製）を用
いて、フォトマスク（凸版印刷製）と密着させて1600秒
露光した。その後2.38％テトラメチルアンモニウムハイ
ドロオキサイド溶液で60秒現像する事によりポジ型画像
を形成した。得られたレジストパターンを走査型電子顕
微鏡（明石製作所製）で観察すると0.8ミクロンのライ
ン＆スペースまでしか解像されていなかった。
17.2g（70ミリモル）と１、２−ナフトキノンジアジド
−５−スルフォニルクロリド56.4g（210ミリモル）をジ
オキサン/Nメチルピロリドンの混合溶媒中でトリエチル
アミンの存在下で反応させ、感光剤を合成した。この感
光剤0.063gと実施例１で用いたノボラック樹脂1.00gを
乳酸エチル4.0gとＮ−メチルピロリドン0.5gの混合溶媒
に溶解し、0.2ミクロンのテフロン製濾紙を用いて精密
ろ過し、フォトレジスト組成物を調製した。このフォト
レジスト組成物を直径４インチのシリコンウエハ上に、
スピンコーティング装置（ミカサ製1H−2D）を用いて、
1.0ミクロンの厚さに塗布し、オーブン中で90℃、30分
間乾燥した。これを6W低圧水銀灯（ウシオ電機製）を用
いて、フォトマスク（凸版印刷製）と密着させて1600秒
露光した。その後2.38％テトラメチルアンモニウムハイ
ドロオキサイド溶液で60秒現像する事によりポジ型画像
を形成した。得られたレジストパターンを走査型電子顕
微鏡（明石製作所製）で観察すると0.8ミクロンのライ
ン＆スペースまでしか解像されていなかった。
［発明の効果］ 本発明のネガ型感光性組成物は、高感度のレジスト組
成物であり、ディープUV領域の光を用いて露光でき、し
かも高解像力のリソグラフィーが極めて短時間の露光に
より可能となり極めて有用である。
成物であり、ディープUV領域の光を用いて露光でき、し
かも高解像力のリソグラフィーが極めて短時間の露光に
より可能となり極めて有用である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−230757（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−149402（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G03F 7/00 - 7/42
Claims (3)
- 【請求項１】アルカリ可溶性樹脂、光酸発生剤および酸
性条件下で作用するアルカリ可溶性樹脂の架橋剤を含有
してなるネガ型感光性組成物において、該架橋剤として
下記式［Ｉ］で示される物質を含むことを特徴とする半
導体集積回路作成用ネガ型感光性組成物。 （式中、R1、R2、R3、およびR4はそれぞれ独立して水素
原子または置換基を有していてもよいアルキル基を示
す） - 【請求項２】光酸発生剤が、150〜300nmの範囲の光で、
酸を発生する物質であることを特徴とする特許請求の範
囲第一項記載の感光性組成物 - 【請求項３】アルカリ可溶性樹脂が、ノボラック樹脂、
ポリビニルフェノール、Ｎ−（ｐ−ヒドロキシフェニ
ル）マレイミドポリマー、ヒドロキシフェニル（メタ）
アクリルアミド（共）重合体から選ばれることを特徴と
する特許請求の範囲第一項または第二項記載の感光性組
成物
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2184648A JP2861309B2 (ja) | 1990-07-12 | 1990-07-12 | ネガ型感光性組成物 |
| DE69130003T DE69130003T2 (de) | 1990-05-25 | 1991-05-23 | Negative lichtempfindliche Zusammensetzung und Verfahren zur Bildung eines Photolackmusters |
| EP91108335A EP0458325B1 (en) | 1990-05-25 | 1991-05-23 | Negative photosensitive composition and method for forming a resist pattern |
| KR1019910008575A KR0184602B1 (ko) | 1990-05-25 | 1991-05-25 | 네가티브 감광성 조성물 및 레지스트 패턴의 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2184648A JP2861309B2 (ja) | 1990-07-12 | 1990-07-12 | ネガ型感光性組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0470833A JPH0470833A (ja) | 1992-03-05 |
| JP2861309B2 true JP2861309B2 (ja) | 1999-02-24 |
Family
ID=16156912
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2184648A Expired - Lifetime JP2861309B2 (ja) | 1990-05-25 | 1990-07-12 | ネガ型感光性組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2861309B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7432034B2 (en) | 2002-08-19 | 2008-10-07 | Fujifilm Corporation | Negative resist composition |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5389491A (en) * | 1992-07-15 | 1995-02-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Negative working resist composition |
| US5691101A (en) | 1994-03-15 | 1997-11-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Photosensitive composition |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0245641B2 (ja) * | 1980-03-07 | 1990-10-11 | Ciba Geigy | Hikarijugoseisoseibutsuoyobisonojugoho |
| JPH04230757A (ja) * | 1990-05-25 | 1992-08-19 | Mitsubishi Kasei Corp | ネガ型感光性組成物 |
-
1990
- 1990-07-12 JP JP2184648A patent/JP2861309B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7432034B2 (en) | 2002-08-19 | 2008-10-07 | Fujifilm Corporation | Negative resist composition |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0470833A (ja) | 1992-03-05 |
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