JP2973585B2 - ネガ型感光性組成物 - Google Patents
ネガ型感光性組成物Info
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- JP2973585B2 JP2973585B2 JP3131270A JP13127091A JP2973585B2 JP 2973585 B2 JP2973585 B2 JP 2973585B2 JP 3131270 A JP3131270 A JP 3131270A JP 13127091 A JP13127091 A JP 13127091A JP 2973585 B2 JP2973585 B2 JP 2973585B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はディープＵＶ領域の光に
感応するネガ型感光性組成物に関するものであり、更に
詳しくは半導体集積回路を作成するネガ型レジストに関
するものである。
感応するネガ型感光性組成物に関するものであり、更に
詳しくは半導体集積回路を作成するネガ型レジストに関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路の高集積度化は、一般に
言われるように３年間に４倍のスピードで進行し、例え
ばダイナミックランダムアクセスメモリーを例に取れ
ば、現在では４Ｍビットの記憶容量を持つものが本格生
産されている。集積回路の生産に不可欠のフォトリソグ
ラフィー技術に対する要求も年々厳しくなってきてい
る。例えば、４ＭビットＤＲＡＭの生産には、０．８μ
ｍレベルのリソグラフィー技術が必要とされ、更に高集
積度化が進んだ１６Ｍ，６４ＭＤＲＡＭにおいては、そ
れぞれ０．５μｍ，０．３μｍレベルのリソグラフィー
が必要とされると予想されている。したがってハーフミ
クロンリソグラフィに対応できるレジストの開発が切望
されていた。
言われるように３年間に４倍のスピードで進行し、例え
ばダイナミックランダムアクセスメモリーを例に取れ
ば、現在では４Ｍビットの記憶容量を持つものが本格生
産されている。集積回路の生産に不可欠のフォトリソグ
ラフィー技術に対する要求も年々厳しくなってきてい
る。例えば、４ＭビットＤＲＡＭの生産には、０．８μ
ｍレベルのリソグラフィー技術が必要とされ、更に高集
積度化が進んだ１６Ｍ，６４ＭＤＲＡＭにおいては、そ
れぞれ０．５μｍ，０．３μｍレベルのリソグラフィー
が必要とされると予想されている。したがってハーフミ
クロンリソグラフィに対応できるレジストの開発が切望
されていた。
【０００３】フォトリソグラフィーに使用されるレジス
トとして、環化ゴムと架橋剤としてビスアジドを使用す
るネガ型レジストは周知である。しかしながらこの系は
現像に有機溶剤を必要とするため、現像時に膨潤が起こ
り、画像の解像力は３μｍ程度が限界であり、高集積度
のデバイスを製造するには不適当である。また、現像に
用いる有機溶剤は環境上、健康上等の面、或は、引火性
の点で問題が多い。
トとして、環化ゴムと架橋剤としてビスアジドを使用す
るネガ型レジストは周知である。しかしながらこの系は
現像に有機溶剤を必要とするため、現像時に膨潤が起こ
り、画像の解像力は３μｍ程度が限界であり、高集積度
のデバイスを製造するには不適当である。また、現像に
用いる有機溶剤は環境上、健康上等の面、或は、引火性
の点で問題が多い。
【０００４】更に、ナフトキノンジアジドとアルカリ可
溶性ノボラック樹脂からなるポジ型レジストも周知であ
る。しかしながらこの系は、３００ｎｍ以下に大きな吸
収があり、短波長露光を行うとパターンプロフィールが
著しく劣化する欠点がある。従って３５０ｎｍ程度以上
の波長で露光せざるを得ず、従って解像力に限界が生じ
ハーフミクロンリソグラフィーには対応できないでい
た。
溶性ノボラック樹脂からなるポジ型レジストも周知であ
る。しかしながらこの系は、３００ｎｍ以下に大きな吸
収があり、短波長露光を行うとパターンプロフィールが
著しく劣化する欠点がある。従って３５０ｎｍ程度以上
の波長で露光せざるを得ず、従って解像力に限界が生じ
ハーフミクロンリソグラフィーには対応できないでい
た。
【０００５】一方、高解像力リソグラフィーに対応でき
る候補として、Ｘ線リソグラフィー、エレクトロンビー
ムリソグラフィー等があげられるが、前者はハードウェ
アー及びレジストの面からの立ち後れがめだち、後者は
スループットの面で大量生産に対応できない。従って、
現時点において、より高い解像力を得るためには低圧水
銀灯やエキシマーレーザー等を光源とするディープＵＶ
領域の光を用いて露光出来、しかもハーフミクロンリソ
グラフィに対応できるパターンプロフィールの良好なレ
ジストの開発が強く望まれている。
る候補として、Ｘ線リソグラフィー、エレクトロンビー
ムリソグラフィー等があげられるが、前者はハードウェ
アー及びレジストの面からの立ち後れがめだち、後者は
スループットの面で大量生産に対応できない。従って、
現時点において、より高い解像力を得るためには低圧水
銀灯やエキシマーレーザー等を光源とするディープＵＶ
領域の光を用いて露光出来、しかもハーフミクロンリソ
グラフィに対応できるパターンプロフィールの良好なレ
ジストの開発が強く望まれている。
【０００６】ディープＵＶ領域の光で露光できるレジス
トとして、特開昭６２−１６４０４５号公報には、酸硬
化性樹脂と光酸発生剤であるハロゲン化有機化合物を含
有するネガ型フォトレジスト組成物が記載されており、
ハロゲン化有機化合物として例えばトリス（２，３−ジ
ブロモプロピル）イソシアヌレート等が記載されてい
る。しかしながら、かかる光酸発生剤では感度あるいは
解像性が十分でなく、良好なパターンプロフィールが得
られない。
トとして、特開昭６２−１６４０４５号公報には、酸硬
化性樹脂と光酸発生剤であるハロゲン化有機化合物を含
有するネガ型フォトレジスト組成物が記載されており、
ハロゲン化有機化合物として例えばトリス（２，３−ジ
ブロモプロピル）イソシアヌレート等が記載されてい
る。しかしながら、かかる光酸発生剤では感度あるいは
解像性が十分でなく、良好なパターンプロフィールが得
られない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、前記
従来技術の問題点を解決し、ディープＵＶ領域の光を用
いて露光出来、しかもハーフミクロンリソグラフィに対
応できるパターンプロフィールの良好なレジストを開発
することにある。
従来技術の問題点を解決し、ディープＵＶ領域の光を用
いて露光出来、しかもハーフミクロンリソグラフィに対
応できるパターンプロフィールの良好なレジストを開発
することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記目的を
達成すべく種々検討を重ねた結果、アルカリ可溶性樹
脂、特定の光酸発生剤および架橋剤を組み合わせたレジ
スト組成物は露光後アルカリ水で現像することにより、
非膨潤、高解像力のパターンプロフィールを得ることが
できる高性能のネガ型フォトレジスト組成物であるとの
知見を得た。
達成すべく種々検討を重ねた結果、アルカリ可溶性樹
脂、特定の光酸発生剤および架橋剤を組み合わせたレジ
スト組成物は露光後アルカリ水で現像することにより、
非膨潤、高解像力のパターンプロフィールを得ることが
できる高性能のネガ型フォトレジスト組成物であるとの
知見を得た。
【０００９】本発明はかかる知見を基に完成されたもの
であり、その要旨はアルカリ可溶性樹脂、光酸発生剤お
よび酸性条件で作用するアルカリ可溶性樹脂の架橋剤を
含有するネガ型感光性組成物において、該光酸発生剤が
ディープＵＶ領域の光により酸を発生する前記式〔Ｉ〕
で示されるｓ−トリアジン誘導体であることを特徴とす
るネガ型感光性組成物に存する。以下本発明を詳細に説
明する。
であり、その要旨はアルカリ可溶性樹脂、光酸発生剤お
よび酸性条件で作用するアルカリ可溶性樹脂の架橋剤を
含有するネガ型感光性組成物において、該光酸発生剤が
ディープＵＶ領域の光により酸を発生する前記式〔Ｉ〕
で示されるｓ−トリアジン誘導体であることを特徴とす
るネガ型感光性組成物に存する。以下本発明を詳細に説
明する。
【００１０】本発明で用いられるアルカリ可溶性樹脂と
しては、特に限定されないが、フェノール性水酸基を有
するものが好ましく、特に膜厚１ミクロンにおける透過
率が２０％以上となる露光波長を１５０〜３００ｎｍの
範囲に有するものであることが好ましい。かかる樹脂の
例としては、フェノール、クレゾール、エチルフェノー
ル、ｔ−ブチルフェノール、キシレノール、ナフトー
ル、１，４−ジヒドロキシベンゼン、１，３−ジヒドロ
キシベンゼン等のヒドロキシ芳香族化合物をホルムアル
デヒド、アセトアルデヒド、ベンズアルデヒド、フルフ
ラール等のアルデヒドで縮重合させたノボラック樹脂、
メチル基、エチル基等の低級アルキル基等がベンゼン環
又はビニル基に置換していてもよいビニルフェノール誘
導体の重合体即ち低級アルキル基等の置換基を有してい
てもよいポリビニルフェノール誘導体、Ｎ−（ｐ−ヒド
ロキシフェニル）マレイミドポリマー等が挙げられる。
中でもポリビニルフェノール誘導体またはクレゾールと
ホルムアルデヒドとの重縮合物が好ましい。
しては、特に限定されないが、フェノール性水酸基を有
するものが好ましく、特に膜厚１ミクロンにおける透過
率が２０％以上となる露光波長を１５０〜３００ｎｍの
範囲に有するものであることが好ましい。かかる樹脂の
例としては、フェノール、クレゾール、エチルフェノー
ル、ｔ−ブチルフェノール、キシレノール、ナフトー
ル、１，４−ジヒドロキシベンゼン、１，３−ジヒドロ
キシベンゼン等のヒドロキシ芳香族化合物をホルムアル
デヒド、アセトアルデヒド、ベンズアルデヒド、フルフ
ラール等のアルデヒドで縮重合させたノボラック樹脂、
メチル基、エチル基等の低級アルキル基等がベンゼン環
又はビニル基に置換していてもよいビニルフェノール誘
導体の重合体即ち低級アルキル基等の置換基を有してい
てもよいポリビニルフェノール誘導体、Ｎ−（ｐ−ヒド
ロキシフェニル）マレイミドポリマー等が挙げられる。
中でもポリビニルフェノール誘導体またはクレゾールと
ホルムアルデヒドとの重縮合物が好ましい。
【００１１】架橋剤としては、酸存在下にアルカリ可溶
性樹脂と架橋反応をする化合物であれば特に限定されな
いが、好ましくは、特開昭５９−１１３４３５号、特開
昭６０−２６３１４３号、特開昭６２−１６４０４５号
各公報に記載されている化合物、Ａ．ｋｎｏｐ，Ｌ．
Ａ．Ｐｉｌａｔｏ著 Ｐｈｅｎｏｌｉｃ Ｒｅｓｉｎｓ
記載の化合物が挙げられる。特に好ましくは、Ｒ4 ＯＣ
Ｈ2 ＮＨＣＯＮＨＣＨ2 ＯＲ5 （Ｒ4 及びＲ5 は水素原
子またはアルキル基を示し、Ｒ4 とＲ5 は同一でも異な
っていてもよい。）または下記式〔II〕で示される化合
物が挙げられる。
性樹脂と架橋反応をする化合物であれば特に限定されな
いが、好ましくは、特開昭５９−１１３４３５号、特開
昭６０−２６３１４３号、特開昭６２−１６４０４５号
各公報に記載されている化合物、Ａ．ｋｎｏｐ，Ｌ．
Ａ．Ｐｉｌａｔｏ著 Ｐｈｅｎｏｌｉｃ Ｒｅｓｉｎｓ
記載の化合物が挙げられる。特に好ましくは、Ｒ4 ＯＣ
Ｈ2 ＮＨＣＯＮＨＣＨ2 ＯＲ5 （Ｒ4 及びＲ5 は水素原
子またはアルキル基を示し、Ｒ4 とＲ5 は同一でも異な
っていてもよい。）または下記式〔II〕で示される化合
物が挙げられる。
【００１２】
【化２】
【００１３】〔式中、Ｚは−Ｎ（ＣＨ2 ＯＲ6 ）ＣＨ2
ＯＲ7 を示す。（Ｒ6 及びＲ7 は夫々独立に水素原子ま
たはアルキル基を示す。）〕尚、Ｒ4 〜Ｒ6 のアルキル
基の炭素数は１〜４程度である。本発明では、特に光酸
発生剤として、前記式〔Ｉ〕で表わされる、１以上の臭
素原子またはヨウ素原子で置換されたメチル基がｓ−ト
リアジン環に少くとも１つ結合したｓ−トリアジン誘導
体であって、かつディープＵＶ領域の光、特に１７５〜
２５４ｎｍの光で酸を発生するものを用いることを特徴
とする。前記式〔Ｉ〕に於てＲ1 〜Ｒ3 及びＸで表わさ
れるアルキル基としては、メチル基、エチル基、直鎖又
は分岐鎖のプロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシ
ル基等のＣ1 〜Ｃ6 アルキル基が挙げられる。Ｒ1 〜Ｒ
3 で表わされるアルケニル基としては、ビニル基、アリ
ル基、クロチル基等のＣ2 〜Ｃ6 アルケニル基が挙げら
れる。Ｒ1 〜Ｒ3 で表わされるアリール基としてはフェ
ニル基等が挙げられる。又、Ｒ1 〜Ｒ3 の置換基として
は塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子、
Ｃ1 〜Ｃ4 アルキル基、Ｃ1 〜Ｃ4 アルコキシ基、アリ
ール基、Ｃ1 〜Ｃ4 アルコキシ置換アリール基等が挙げ
られる。好ましくは、前記一般式〔Ｉ〕において、
Ｒ 1 、Ｒ 2 およびＲ 3 が、それぞれ独立して、置換基を
有していてもよいアルキル基、アルケニル基、ピペリジ
ノ基、−ＮＸ 2 、−ＯＸもしくは−ＳＸ（ここでＸは水
素原子またはアルキル基を示す。）、又はアルキル基、
アルコキシ基およびハロゲン原子よりなる群から選ばれ
た置換基を有していてもよいフェニル基であり、かつＲ
1 、Ｒ 2 およびＲ 3 のうち少なくとも１つは１以上の臭
素原子またはヨウ素原子で置換されたメチル基である光
酸発生剤を用いる。かかる光酸発生剤自体は、例えば、
若林ら著、Ｂｕｌｌ．Ｃｈｅｍ，Ｓｏｃ．Ｊａｐａｎ，
４２，２９２４（１９６９）、米国特許第３，９８７，
０３７号明細書、Ｆ．Ｃ．Ｓｃｈａｅｆｅｒ ｅｔ ａ
ｌ，Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，２９，１５２７（１９６
４）に記載されている。
ＯＲ7 を示す。（Ｒ6 及びＲ7 は夫々独立に水素原子ま
たはアルキル基を示す。）〕尚、Ｒ4 〜Ｒ6 のアルキル
基の炭素数は１〜４程度である。本発明では、特に光酸
発生剤として、前記式〔Ｉ〕で表わされる、１以上の臭
素原子またはヨウ素原子で置換されたメチル基がｓ−ト
リアジン環に少くとも１つ結合したｓ−トリアジン誘導
体であって、かつディープＵＶ領域の光、特に１７５〜
２５４ｎｍの光で酸を発生するものを用いることを特徴
とする。前記式〔Ｉ〕に於てＲ1 〜Ｒ3 及びＸで表わさ
れるアルキル基としては、メチル基、エチル基、直鎖又
は分岐鎖のプロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシ
ル基等のＣ1 〜Ｃ6 アルキル基が挙げられる。Ｒ1 〜Ｒ
3 で表わされるアルケニル基としては、ビニル基、アリ
ル基、クロチル基等のＣ2 〜Ｃ6 アルケニル基が挙げら
れる。Ｒ1 〜Ｒ3 で表わされるアリール基としてはフェ
ニル基等が挙げられる。又、Ｒ1 〜Ｒ3 の置換基として
は塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子、
Ｃ1 〜Ｃ4 アルキル基、Ｃ1 〜Ｃ4 アルコキシ基、アリ
ール基、Ｃ1 〜Ｃ4 アルコキシ置換アリール基等が挙げ
られる。好ましくは、前記一般式〔Ｉ〕において、
Ｒ 1 、Ｒ 2 およびＲ 3 が、それぞれ独立して、置換基を
有していてもよいアルキル基、アルケニル基、ピペリジ
ノ基、−ＮＸ 2 、−ＯＸもしくは−ＳＸ（ここでＸは水
素原子またはアルキル基を示す。）、又はアルキル基、
アルコキシ基およびハロゲン原子よりなる群から選ばれ
た置換基を有していてもよいフェニル基であり、かつＲ
1 、Ｒ 2 およびＲ 3 のうち少なくとも１つは１以上の臭
素原子またはヨウ素原子で置換されたメチル基である光
酸発生剤を用いる。かかる光酸発生剤自体は、例えば、
若林ら著、Ｂｕｌｌ．Ｃｈｅｍ，Ｓｏｃ．Ｊａｐａｎ，
４２，２９２４（１９６９）、米国特許第３，９８７，
０３７号明細書、Ｆ．Ｃ．Ｓｃｈａｅｆｅｒ ｅｔ ａ
ｌ，Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，２９，１５２７（１９６
４）に記載されている。
【００１４】前記式〔Ｉ〕で示される光酸発生剤として
は、具体的には、２，４，６−トリス（トリブロモメチ
ル）−ｓ−トリアジン、２−メチル−４，６−ビス（ト
リブロモメチル）−ｓ−トリアジン、２−フェニル−
４，６−ビス（トリブロモメチル）−ｓ−トリアジン、
２−（ｐ−クロルフェニル）−４，６−ビス（トリブロ
モメチル）−ｓ−トリアジン、２−（２，４−ジブロモ
フェニル）−４，６−ビス（トリブロモメチル）−ｓ−
トリアジン、２−（ｐ−ブロモフェニル）−４，６−ビ
ス（トリブロモメチル）−ｓ−トリアジン、２−（ｐ−
トリル）−４，６−ビス（トリブロモメチル）−ｓ−ト
リアジン、２−（ｐ−メトキシフェニル）−４，６−ビ
ス（トリブロモメチル）−ｓ−トリアジン、２−ｎ−プ
ロピル−４，６−ビス（トリブロモメチル）−ｓ−トリ
アジン、２−（α，α，β−トリクロルエチル）−４，
６−ビス（トリブロモメチル）−ｓ−トリアジン、２−
スチリル−４，６−ビス（トリブロモメチル）−ｓ−ト
リアジン、２，４，６−トリス（ジブロモメチル）−ｓ
−トリアジン、２，４，６−トリス（モノブロモメチ
ル）−ｓ−トリアジン、２−（ｐ−メトキシスチリル）
−４，６−ビス（トリブロモメチル）−ｓ−トリアジ
ン、２，４，６−トリス（トリヨードメチル）−ｓ−ト
リアジン、２−メチル−４，６−ビス（トリヨードメチ
ル）−ｓ−トリアジン、２，４，６−トリス（ジヨード
メチル）−ｓ−トリアジン、２−メトキシ−４，６−ビ
ス（トリブロモメチル）−ｓ−トリアジン、２−アミノ
−４，６−ビス（トリブロモメチル）−ｓ−トリアジ
ン、２−ピペリジノ−４，６−ビス（トリブロモメチ
ル）−ｓ−トリアジン等が挙げられる。
は、具体的には、２，４，６−トリス（トリブロモメチ
ル）−ｓ−トリアジン、２−メチル−４，６−ビス（ト
リブロモメチル）−ｓ−トリアジン、２−フェニル−
４，６−ビス（トリブロモメチル）−ｓ−トリアジン、
２−（ｐ−クロルフェニル）−４，６−ビス（トリブロ
モメチル）−ｓ−トリアジン、２−（２，４−ジブロモ
フェニル）−４，６−ビス（トリブロモメチル）−ｓ−
トリアジン、２−（ｐ−ブロモフェニル）−４，６−ビ
ス（トリブロモメチル）−ｓ−トリアジン、２−（ｐ−
トリル）−４，６−ビス（トリブロモメチル）−ｓ−ト
リアジン、２−（ｐ−メトキシフェニル）−４，６−ビ
ス（トリブロモメチル）−ｓ−トリアジン、２−ｎ−プ
ロピル−４，６−ビス（トリブロモメチル）−ｓ−トリ
アジン、２−（α，α，β−トリクロルエチル）−４，
６−ビス（トリブロモメチル）−ｓ−トリアジン、２−
スチリル−４，６−ビス（トリブロモメチル）−ｓ−ト
リアジン、２，４，６−トリス（ジブロモメチル）−ｓ
−トリアジン、２，４，６−トリス（モノブロモメチ
ル）−ｓ−トリアジン、２−（ｐ−メトキシスチリル）
−４，６−ビス（トリブロモメチル）−ｓ−トリアジ
ン、２，４，６−トリス（トリヨードメチル）−ｓ−ト
リアジン、２−メチル−４，６−ビス（トリヨードメチ
ル）−ｓ−トリアジン、２，４，６−トリス（ジヨード
メチル）−ｓ−トリアジン、２−メトキシ−４，６−ビ
ス（トリブロモメチル）−ｓ−トリアジン、２−アミノ
−４，６−ビス（トリブロモメチル）−ｓ−トリアジ
ン、２−ピペリジノ−４，６−ビス（トリブロモメチ
ル）−ｓ−トリアジン等が挙げられる。
【００１５】本発明に於ける光酸発生剤としては、前記
一般式〔Ｉ〕に於て、Ｒ1 〜Ｒ3 が夫々独立に前述の置
換基で置換されていてもよいアルキル基、フェニル基、
またはアルケニル基であり、Ｒ1 〜Ｒ3 の少なくとも１
つがジ若しくはトリブロモメチル基、又はジ若しくはト
リヨードメチル基であるのが好ましい。更にＲ1 〜Ｒ3
の少なくとも２つがジブロモメチル基又はトリブロモメ
チル基であるのが好ましい。特に好ましくは、Ｒ1 〜Ｒ
3 は臭素又はヨウ素で置換されていてもよいＣ1 〜Ｃ4
アルキル基又はフェニル基であり、Ｒ1 〜Ｒ3 の少なく
とも２つがジブロモメチル基又はトリブロモメチル基で
あるのが好ましく、かかる具体例としては、２，４，６
−トリス（トリブロモメチル）−ｓ−トリアジン、２−
フェニル−４，６−ビス（トリブロモメチル）−ｓ−ト
リアジン、２−（ｐ−ブロモフェニル）−４，６−ビス
（トリブロモメチル）−ｓ−トリアジン、２−メチル−
４，６−ビス（トリブロモメチル）−ｓ−トリアジン、
２，４，６−トリス（ジブロモメチル）−ｓ−トリアジ
ン、２−フェニル−４，６−ビス（ジブロモメチル）−
ｓ−トリアジン等が挙げられる。
一般式〔Ｉ〕に於て、Ｒ1 〜Ｒ3 が夫々独立に前述の置
換基で置換されていてもよいアルキル基、フェニル基、
またはアルケニル基であり、Ｒ1 〜Ｒ3 の少なくとも１
つがジ若しくはトリブロモメチル基、又はジ若しくはト
リヨードメチル基であるのが好ましい。更にＲ1 〜Ｒ3
の少なくとも２つがジブロモメチル基又はトリブロモメ
チル基であるのが好ましい。特に好ましくは、Ｒ1 〜Ｒ
3 は臭素又はヨウ素で置換されていてもよいＣ1 〜Ｃ4
アルキル基又はフェニル基であり、Ｒ1 〜Ｒ3 の少なく
とも２つがジブロモメチル基又はトリブロモメチル基で
あるのが好ましく、かかる具体例としては、２，４，６
−トリス（トリブロモメチル）−ｓ−トリアジン、２−
フェニル−４，６−ビス（トリブロモメチル）−ｓ−ト
リアジン、２−（ｐ−ブロモフェニル）−４，６−ビス
（トリブロモメチル）−ｓ−トリアジン、２−メチル−
４，６−ビス（トリブロモメチル）−ｓ−トリアジン、
２，４，６−トリス（ジブロモメチル）−ｓ−トリアジ
ン、２−フェニル−４，６−ビス（ジブロモメチル）−
ｓ−トリアジン等が挙げられる。
【００１６】これらｓ−トリアジン誘導体は上記文献に
準じて、対応するニトリル化合物を臭化アルミニウムと
塩化水素の存在下で反応させるか、対応するイミデート
を経由して合成することができる。本発明の感光性組成
物におけるアルカリ可溶性樹脂、酸発生剤および架橋剤
の割合は、アルカリ可溶性樹脂１００重量部に対し酸発
生剤０．０５〜２０重量部、好ましくは０．１〜１０重
量部、また架橋剤はアルカリ可溶性樹脂１００重量部に
対し１〜５０重量部、好ましくは５〜３０重量部の割合
で用いられる。
準じて、対応するニトリル化合物を臭化アルミニウムと
塩化水素の存在下で反応させるか、対応するイミデート
を経由して合成することができる。本発明の感光性組成
物におけるアルカリ可溶性樹脂、酸発生剤および架橋剤
の割合は、アルカリ可溶性樹脂１００重量部に対し酸発
生剤０．０５〜２０重量部、好ましくは０．１〜１０重
量部、また架橋剤はアルカリ可溶性樹脂１００重量部に
対し１〜５０重量部、好ましくは５〜３０重量部の割合
で用いられる。
【００１７】本発明の組成物は通常溶媒に溶解して使用
されるが、溶媒としては樹脂及び感光剤に対して十分な
溶解度を持ち、良好な塗膜性を与える溶媒であれば特に
制限はなく、例えば、メチルセロソルブ、エチルセロソ
ルブ、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブ
アセテート等のセロソルブ系溶媒、酢酸ブチル、酢酸ア
ミル、乳酸メチル、乳酸エチル等のエステル系溶媒、ジ
メチルフォルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン等の高極
性溶媒、あるいは、これらの混合溶媒さらには、芳香族
炭化水素を添加した混合溶媒等が挙げられる。溶媒の使
用割合は、固形分の総量に対し重量比として１〜２０倍
の範囲である。
されるが、溶媒としては樹脂及び感光剤に対して十分な
溶解度を持ち、良好な塗膜性を与える溶媒であれば特に
制限はなく、例えば、メチルセロソルブ、エチルセロソ
ルブ、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブ
アセテート等のセロソルブ系溶媒、酢酸ブチル、酢酸ア
ミル、乳酸メチル、乳酸エチル等のエステル系溶媒、ジ
メチルフォルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン等の高極
性溶媒、あるいは、これらの混合溶媒さらには、芳香族
炭化水素を添加した混合溶媒等が挙げられる。溶媒の使
用割合は、固形分の総量に対し重量比として１〜２０倍
の範囲である。
【００１８】本発明のネガ型感光性組成物は、以下に述
べるような塗布、露光、露光後加熱（ポストエクスポー
ジャーベイク；ＰＥＢ）、現像の各工程を経てフォトレ
ジストとして使用される。塗布には通常スピンコーター
が使用され、膜厚としては０．５ミクロン〜２ミクロン
程度が適当である。
べるような塗布、露光、露光後加熱（ポストエクスポー
ジャーベイク；ＰＥＢ）、現像の各工程を経てフォトレ
ジストとして使用される。塗布には通常スピンコーター
が使用され、膜厚としては０．５ミクロン〜２ミクロン
程度が適当である。
【００１９】露光には、ディープＵＶ領域の光、例えば
低圧水銀灯を光源とする２５４ｎｍの光や、エキシマー
レーザー等を光源とする１５７ｎｍ，１９３ｎｍ、２２
２ｎｍ、２４９ｎｍの光などのような１５７ｎｍ〜２５
４ｎｍの光が好適に使用される。露光の際の光は単色光
でなくブロードであってもよい。露光後加熱（ＰＥＢ）
の条件はホットプレートをもちい、９０〜１４０℃、１
分〜１０分程度の条件が好適に使用される。ホットプレ
ートのかわりにコンベンションオーブンを用いても良
い。この場合は通常ホットプレートを使用した場合より
長い時間が必要とされる。
低圧水銀灯を光源とする２５４ｎｍの光や、エキシマー
レーザー等を光源とする１５７ｎｍ，１９３ｎｍ、２２
２ｎｍ、２４９ｎｍの光などのような１５７ｎｍ〜２５
４ｎｍの光が好適に使用される。露光の際の光は単色光
でなくブロードであってもよい。露光後加熱（ＰＥＢ）
の条件はホットプレートをもちい、９０〜１４０℃、１
分〜１０分程度の条件が好適に使用される。ホットプレ
ートのかわりにコンベンションオーブンを用いても良
い。この場合は通常ホットプレートを使用した場合より
長い時間が必要とされる。
【００２０】そして、現像液には水酸化カリウム、炭酸
ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウ
ム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、
ｎ−プロピルアミン等の第一級アミン類、ジエチルアミ
ン、ジ−ｎ−プロピルアミン等の第二級アミン、トリエ
チルアミン、トリメチルアミン等の第３級アミン類、テ
トラメチルアンモニウムハイドロオキサイド、トリメチ
ルヒドロキシエチルアンモニウムハイドロオキサイド等
の第４級アンモニウム塩の水溶液よりなるアルカリ現像
液が好適に使用される。現像液には必要に応じて、アル
コール、界面活性剤等を添加して使用することもある。
ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウ
ム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、
ｎ−プロピルアミン等の第一級アミン類、ジエチルアミ
ン、ジ−ｎ−プロピルアミン等の第二級アミン、トリエ
チルアミン、トリメチルアミン等の第３級アミン類、テ
トラメチルアンモニウムハイドロオキサイド、トリメチ
ルヒドロキシエチルアンモニウムハイドロオキサイド等
の第４級アンモニウム塩の水溶液よりなるアルカリ現像
液が好適に使用される。現像液には必要に応じて、アル
コール、界面活性剤等を添加して使用することもある。
【００２１】なお、フォトレジスト溶液及び現像液は、
使用に際し、ろ過して不溶分を除去して使用される。本
発明のネガ型感光性組成物は、超ＬＳＩの製造のみなら
ず、一般のＩＣ製造用、さらには、マスク製造用、平
板、凹版、凸版等の作成、プリント配線作成の為のフォ
トレジスト、ソルダーレジスト、レリーフ像や画像複製
などの画像形成、光硬化のインク、塗料、接着剤等に利
用できる。
使用に際し、ろ過して不溶分を除去して使用される。本
発明のネガ型感光性組成物は、超ＬＳＩの製造のみなら
ず、一般のＩＣ製造用、さらには、マスク製造用、平
板、凹版、凸版等の作成、プリント配線作成の為のフォ
トレジスト、ソルダーレジスト、レリーフ像や画像複製
などの画像形成、光硬化のインク、塗料、接着剤等に利
用できる。
【００２２】
【実施例】次に実施例を挙げて本発明を更に詳しく説明
するが、本発明はその要旨を越えない限り以下の実施例
により何等制約は受けない。 実施例１ ｍ−クレゾール１４２．５ｇ（１．３２モル）、ｐ−ク
レゾール１９０．０ｇ（１．７６モル）、２，５−キシ
レノール１６１．０ｇ（１．２９モル）の混合物を３７
重量％ホルマリン溶液２７６．３ｇ（ホルムアルデヒド
として３．４モル）と、蓚酸１０．０ｇ（０．０７９モ
ル）を触媒として９１〜９４℃で縮合させてノボラック
樹脂４１４ｇを得た。（Ｍｗ＝６７００，露光波長２４
８ｎｍに於ける透過率：３５％）該ノボラック樹脂３０
ｇ、架橋剤としてヘキサメトキシメチルメラミン６ｇ、
光酸発生剤としてトリス（トリブロモメチル）−ｓ−ト
リアジン１．６ｇを乳酸エチル１００ｇに溶解し、０．
２ミクロンのテフロン製濾紙を用いて精密ろ過し、フォ
トレジスト組成物を調製した。このフォトレジスト組成
物を直径４インチのシリコンウエハ上に、スピンコーテ
ィング装置（ミカサ製１Ｈ−２Ｄ）を用いて、１．０ミ
クロンの厚さに塗布し、オーブン中で９０℃、３０分間
乾燥した。これをフォトマスク（凸版印刷製）と密着さ
せ、６Ｗ低圧水銀灯（ウシオ電機製）の下、２０cmの場
所に置いた。この時レジスト塗膜表面での単位時間当り
の光エネルギー密度は０．４０mW/cm2であった。このサ
ンプルを６０秒間露光し（照射された光エネルギー密度
は、２４mJ/cm2である）、その後オーブン中で９０℃、
３０分間加熱した（ＰＥＢ）。その後２．３８％テトラ
メチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液で６０秒
現像する事によりネガ型画像を形成した。得られたレジ
ストパターンを走査型電子顕微鏡（明石製作所製）で観
察すると０．５ミクロンのライン＆スペースが解像され
ていた。
するが、本発明はその要旨を越えない限り以下の実施例
により何等制約は受けない。 実施例１ ｍ−クレゾール１４２．５ｇ（１．３２モル）、ｐ−ク
レゾール１９０．０ｇ（１．７６モル）、２，５−キシ
レノール１６１．０ｇ（１．２９モル）の混合物を３７
重量％ホルマリン溶液２７６．３ｇ（ホルムアルデヒド
として３．４モル）と、蓚酸１０．０ｇ（０．０７９モ
ル）を触媒として９１〜９４℃で縮合させてノボラック
樹脂４１４ｇを得た。（Ｍｗ＝６７００，露光波長２４
８ｎｍに於ける透過率：３５％）該ノボラック樹脂３０
ｇ、架橋剤としてヘキサメトキシメチルメラミン６ｇ、
光酸発生剤としてトリス（トリブロモメチル）−ｓ−ト
リアジン１．６ｇを乳酸エチル１００ｇに溶解し、０．
２ミクロンのテフロン製濾紙を用いて精密ろ過し、フォ
トレジスト組成物を調製した。このフォトレジスト組成
物を直径４インチのシリコンウエハ上に、スピンコーテ
ィング装置（ミカサ製１Ｈ−２Ｄ）を用いて、１．０ミ
クロンの厚さに塗布し、オーブン中で９０℃、３０分間
乾燥した。これをフォトマスク（凸版印刷製）と密着さ
せ、６Ｗ低圧水銀灯（ウシオ電機製）の下、２０cmの場
所に置いた。この時レジスト塗膜表面での単位時間当り
の光エネルギー密度は０．４０mW/cm2であった。このサ
ンプルを６０秒間露光し（照射された光エネルギー密度
は、２４mJ/cm2である）、その後オーブン中で９０℃、
３０分間加熱した（ＰＥＢ）。その後２．３８％テトラ
メチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液で６０秒
現像する事によりネガ型画像を形成した。得られたレジ
ストパターンを走査型電子顕微鏡（明石製作所製）で観
察すると０．５ミクロンのライン＆スペースが解像され
ていた。
【００２３】実施例２ 光酸発生剤として、２，４−ビス（ジブロモメチル）−
６−フェニル−ｓ−トリアジン１．６ｇを用いた以外は
実施例１と同様にしてフォトレジスト組成物を調製、処
理し、低圧水銀灯で露光、評価を行なったところ、０．
５ミクロンのライン＆スペースが解像されていた。
６−フェニル−ｓ−トリアジン１．６ｇを用いた以外は
実施例１と同様にしてフォトレジスト組成物を調製、処
理し、低圧水銀灯で露光、評価を行なったところ、０．
５ミクロンのライン＆スペースが解像されていた。
【００２４】実施例３ 重量平均分子量５１００のポリビニルフェノール２０
ｇ、架橋剤としてヘキサメトキシメチルメラミン４ｇ及
び光酸発生剤として実施例１と同じトリス（トリブロモ
メチル）−ｓ−トリアジン０．２ｇをプロピレングリコ
ールモノエチルエーテルアセテート７０ｇに溶解し、
０．２ミクロンのテフロン製濾紙を用いて精密ろ過し、
フォトレジスト組成物を調製した。このフォトレジスト
組成物を直径４インチのシリコンウエハ上に、スピンコ
ーティング装置（ミカサ製１Ｈ−２Ｄ）を用いて、１．
０ミクロンの厚さに塗布し、ホットプレート上で１００
℃、７０秒間乾燥した。これをエキシマーレーザー縮小
投影露光装置を用いて露光量を変化させて露光した後、
ホットプレート上で１１０℃、９０秒間加熱した（ＰＥ
Ｂ）。その後１．２３％テトラメチルアンモニウムハイ
ドロオキサイド水溶液で６０秒現像する事によりネガ型
画像を形成した。得られたレジストパターンを走査型電
子顕微鏡（明石製作所製）で観察すると、０．３５μの
ライン＆スペースが解像されており又、最適露光量は１
５mJ/cm2で感度は良好であった。
ｇ、架橋剤としてヘキサメトキシメチルメラミン４ｇ及
び光酸発生剤として実施例１と同じトリス（トリブロモ
メチル）−ｓ−トリアジン０．２ｇをプロピレングリコ
ールモノエチルエーテルアセテート７０ｇに溶解し、
０．２ミクロンのテフロン製濾紙を用いて精密ろ過し、
フォトレジスト組成物を調製した。このフォトレジスト
組成物を直径４インチのシリコンウエハ上に、スピンコ
ーティング装置（ミカサ製１Ｈ−２Ｄ）を用いて、１．
０ミクロンの厚さに塗布し、ホットプレート上で１００
℃、７０秒間乾燥した。これをエキシマーレーザー縮小
投影露光装置を用いて露光量を変化させて露光した後、
ホットプレート上で１１０℃、９０秒間加熱した（ＰＥ
Ｂ）。その後１．２３％テトラメチルアンモニウムハイ
ドロオキサイド水溶液で６０秒現像する事によりネガ型
画像を形成した。得られたレジストパターンを走査型電
子顕微鏡（明石製作所製）で観察すると、０．３５μの
ライン＆スペースが解像されており又、最適露光量は１
５mJ/cm2で感度は良好であった。
【００２５】実施例４ 光酸発生剤として実施例２と同じ２，４−ビス（ジブロ
モメチル）−６−フェニル−ｓ−トリアジン０．２ｇを
用いた以外実施例３と同様にしてフォトレジスト組成物
を調製、処理し、エキシマレーザー縮小投影露光装置を
用いて露光し、評価を行なったところ０．３５ミクロン
のライン＆スペースが解像されており、又、最適露光量
は１８mJ/cm2で感度は良好であった。
モメチル）−６−フェニル−ｓ−トリアジン０．２ｇを
用いた以外実施例３と同様にしてフォトレジスト組成物
を調製、処理し、エキシマレーザー縮小投影露光装置を
用いて露光し、評価を行なったところ０．３５ミクロン
のライン＆スペースが解像されており、又、最適露光量
は１８mJ/cm2で感度は良好であった。
【００２６】実施例５ 光酸発生剤としてトリス（ジブロモメチル）−ｓ−トリ
アジン０．２４ｇを用いた以外実施例３と同様にしてフ
ォトレジスト組成物を調製、処理し、エキシマレーザー
縮小投影露光装置を用いて露光し、評価を行なったとこ
ろ、０．３５ミクロンのライン＆スペースが解像観察さ
れており、最適露光量は１５mJ/cm2で感度が良好であ
り、未露光部の溶解速度も７００Å/secと充分に大きい
ことから、現像性は極めて良好であった。
アジン０．２４ｇを用いた以外実施例３と同様にしてフ
ォトレジスト組成物を調製、処理し、エキシマレーザー
縮小投影露光装置を用いて露光し、評価を行なったとこ
ろ、０．３５ミクロンのライン＆スペースが解像観察さ
れており、最適露光量は１５mJ/cm2で感度が良好であ
り、未露光部の溶解速度も７００Å/secと充分に大きい
ことから、現像性は極めて良好であった。
【００２７】比較例１ 光酸発生剤としてトリス（トリクロロメチル）−ｓ−ト
リアジンを０．１２ｇ用いた以外は実施例３と同様にし
てフォトレジスト組成物を調製、処理し、エキシマレー
ザー縮小投影露光装置を用いて露光し、評価を行なった
ところ、０．５ミクロンまでしかライン＆スペースが解
像されていなかった。
リアジンを０．１２ｇ用いた以外は実施例３と同様にし
てフォトレジスト組成物を調製、処理し、エキシマレー
ザー縮小投影露光装置を用いて露光し、評価を行なった
ところ、０．５ミクロンまでしかライン＆スペースが解
像されていなかった。
【００２８】比較例２ 光酸発生剤として２，４−ビス（トリクロロメチル）−
６−（ｐ−クロロフェニル）−ｓ−トリアジン０．１２
ｇを用いた以外は実施例３と同様にしてフォトレジスト
組成物を調製、処理し、エキシマレーザー縮小投影露光
装置を用いて露光し、評価を行なったところ、０．５ミ
クロンまでしかライン＆スペースが解像されていなかっ
た。
６−（ｐ−クロロフェニル）−ｓ−トリアジン０．１２
ｇを用いた以外は実施例３と同様にしてフォトレジスト
組成物を調製、処理し、エキシマレーザー縮小投影露光
装置を用いて露光し、評価を行なったところ、０．５ミ
クロンまでしかライン＆スペースが解像されていなかっ
た。
【００２９】比較例３ ２，３，４，４′−テトラヒドロキシベンゾフェノン１
７．２ｇ（７０ミリモル）と１，２−ナフトキノンジア
ジド−５−スルフォニルクロリド５６．４ｇ（２１０ミ
リモル）を、ジオキサン／Ｎ−メチルピロリドンの混合
溶媒中でトリエチルアミンの存在下で反応させ、感光剤
を合成した。この感光剤０．０６３ｇと実施例１で用い
たノボラック樹脂１．００ｇを乳酸エチル４．０ｇとＮ
−メチルピロリドン０．５ｇの混合溶媒に溶解し、０．
２ミクロンのテフロン製濾紙を用いて精密ろ過し、フォ
トレジスト組成物を調製した。このフォトレジスト組成
物を直径４インチのシリコンウエハ上に、スピンコーテ
ィング装置（ミカサ製１Ｈ−２Ｄ）を用いて１．０ミク
ロンの厚さに塗布し、オーブン中で９０℃、３０分間乾
燥した。これをフォトマスク（凸版印刷製）と密着さ
せ、６Ｗ低圧水銀灯（ウシオ電機製）を用いて１６００
秒露光した。その後２．３８％テトラメチルアンモニウ
ムハイドロオキサイド水溶液で６０秒現像する事により
ポジ型画像を形成した。得られたレジストパターンを走
査型電子顕微鏡（明石製作所製）で観察すると０．８ミ
クロンのライン＆スペースまでしか解像されていなかっ
た。また、このフォトレジスト組成物を実施例３と同様
に処理し、エキシマレーザー縮小投影露光装置を用いて
露光し、評価したところ、０．８ミクロンまでしか解像
されていなかった。
７．２ｇ（７０ミリモル）と１，２−ナフトキノンジア
ジド−５−スルフォニルクロリド５６．４ｇ（２１０ミ
リモル）を、ジオキサン／Ｎ−メチルピロリドンの混合
溶媒中でトリエチルアミンの存在下で反応させ、感光剤
を合成した。この感光剤０．０６３ｇと実施例１で用い
たノボラック樹脂１．００ｇを乳酸エチル４．０ｇとＮ
−メチルピロリドン０．５ｇの混合溶媒に溶解し、０．
２ミクロンのテフロン製濾紙を用いて精密ろ過し、フォ
トレジスト組成物を調製した。このフォトレジスト組成
物を直径４インチのシリコンウエハ上に、スピンコーテ
ィング装置（ミカサ製１Ｈ−２Ｄ）を用いて１．０ミク
ロンの厚さに塗布し、オーブン中で９０℃、３０分間乾
燥した。これをフォトマスク（凸版印刷製）と密着さ
せ、６Ｗ低圧水銀灯（ウシオ電機製）を用いて１６００
秒露光した。その後２．３８％テトラメチルアンモニウ
ムハイドロオキサイド水溶液で６０秒現像する事により
ポジ型画像を形成した。得られたレジストパターンを走
査型電子顕微鏡（明石製作所製）で観察すると０．８ミ
クロンのライン＆スペースまでしか解像されていなかっ
た。また、このフォトレジスト組成物を実施例３と同様
に処理し、エキシマレーザー縮小投影露光装置を用いて
露光し、評価したところ、０．８ミクロンまでしか解像
されていなかった。
【００３０】比較例４ 実施例１において、光酸発生剤としてトリス（２，３−
ジブロモプロピル）イソシアヌレート（特開昭６２−１
６４０４５号公報記載化合物）０．８９ｇを用いた以外
は実施例１と同様にしてフォトレジスト組成物を調製、
処理し、低圧水銀灯で露光し、評価したところ、露光量
不足で良好な画像が形成されなかった。充分露光した場
合には０．５ミクロンのライン＆スペースは解像された
が、その場合５分以上の露光が必要であり、すなわち低
感度のフォトレジストしか得られなかった。
ジブロモプロピル）イソシアヌレート（特開昭６２−１
６４０４５号公報記載化合物）０．８９ｇを用いた以外
は実施例１と同様にしてフォトレジスト組成物を調製、
処理し、低圧水銀灯で露光し、評価したところ、露光量
不足で良好な画像が形成されなかった。充分露光した場
合には０．５ミクロンのライン＆スペースは解像された
が、その場合５分以上の露光が必要であり、すなわち低
感度のフォトレジストしか得られなかった。
【００３１】
【発明の効果】本発明のネガ型感光性組成物は、低圧水
銀灯密着露光では０．５ミクロンのライン＆スペースが
解像され、更にエキシマーレーザー縮小投影露光では
０．３５ミクロンのライン＆スペースが解像され、ディ
ープＵＶ領域の波長の光で露光することにより高解像力
のリソグラフィーを可能とするものであり、極めて有用
である。
銀灯密着露光では０．５ミクロンのライン＆スペースが
解像され、更にエキシマーレーザー縮小投影露光では
０．３５ミクロンのライン＆スペースが解像され、ディ
ープＵＶ領域の波長の光で露光することにより高解像力
のリソグラフィーを可能とするものであり、極めて有用
である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G03F 7/00 - 7/42 H01L 21/027
Claims (6)
- 【請求項１】 アルカリ可溶性樹脂、光酸発生剤および
酸性条件で作用するアルカリ可溶性樹脂の架橋剤を含有
するネガ型感光性組成物において、該光酸発生剤が、デ
ィープＵＶ領域の光により酸を発生する下記式〔１〕で
示されるｓ−トリアジン誘導体であることを特徴とする
ネガ型感光性組成物。 【化１】 〔式中、Ｒ1 ，Ｒ2 およびＲ3 はそれぞれ独立して置換
基を有していてもよいアルキル基、アリール基、アルケ
ニル基、ピペリジノ基、−ＮＸ2 、−ＯＸまたは−ＳＸ
（ここでＸは水素原子またはアルキル基を示す。）を示
し、Ｒ1 ，Ｒ2およびＲ3 のうち少なくとも１つは１以
上の臭素原子またはヨウ素原子で置換されたメチル基を
示す。〕 - 【請求項２】 ディープＵＶ領域の光が、１５７ｎｍ〜
２５４ｎｍの波長のものであることを特徴とする請求項
１記載のネガ型感光性組成物。 - 【請求項３】 ｓ−トリアジン誘導体が下記式（III)で
示されるものであることを特徴とする請求項１又は２記
載のネガ型感光性組成物。 【化２】 （式中、Ｒ 1 ，Ｒ 2 およびＲ 3 は、それぞれ独立して、
置換基を有していてもよいアルキル基、アルケニル基、
ピペリジノ基、−ＮＸ 2 、−ＯＸもしくは−ＳＸ（ここ
でＸは水素原子またはアルキル基を示す。）、又はアル
キル基、アルコ キシ基およびハロゲン原子よりなる群か
ら選ばれた置換基を有していてもよいフェニル基を示
し、かつＲ 1 ，Ｒ 2 およびＲ 3 のうち少なくとも１つは
１以上の臭素原子またはヨウ素原子で置換されたメチル
基を示す。） - 【請求項４】 式〔III 〕で示されるｓ−トリアジン誘
導体において、Ｒ 1 〜Ｒ 3 が臭素またはヨウ素で置換さ
れていてもよいＣ 1 〜Ｃ 4 のアルキル基またはフェニル
基であり、かつＲ 1 〜Ｒ 3 の少なくとも２つがジブロモ
メチルまたはトリブロモメチル基であることを特徴とす
る請求項３記載のネガ型感光性組成物。 - 【請求項５】 アルカリ可溶性樹脂が、膜厚１ミクロン
における透過率が２０％以上となる波長を１５０〜３０
０ｎｍの範囲に有するものであることを特徴とする請求
項１ないし４のいずれかに記載のネガ型感光性組成物。 - 【請求項６】 半導体集積回路作成用であることを特徴
とする請求項１ないし５のいずれかに記載のネガ型感光
性組成物。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3131270A JP2973585B2 (ja) | 1990-06-15 | 1991-06-03 | ネガ型感光性組成物 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2-157146 | 1990-06-15 | ||
| JP15714690 | 1990-06-15 | ||
| JP3131270A JP2973585B2 (ja) | 1990-06-15 | 1991-06-03 | ネガ型感光性組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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| JP2973585B2 true JP2973585B2 (ja) | 1999-11-08 |
Family
ID=26466156
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3131270A Expired - Fee Related JP2973585B2 (ja) | 1990-06-15 | 1991-06-03 | ネガ型感光性組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
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|---|---|---|---|---|
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| JPH04110945A (ja) * | 1990-08-31 | 1992-04-13 | Mitsubishi Kasei Corp | ネガ型感光性組成物 |
| JPH04107560A (ja) * | 1990-08-29 | 1992-04-09 | Mitsubishi Kasei Corp | ネガ型感光性組成物 |
| JP2538117B2 (ja) * | 1990-09-28 | 1996-09-25 | 東京応化工業株式会社 | ネガ型放射線感応レジスト組成物 |
| JP2538118B2 (ja) * | 1990-09-28 | 1996-09-25 | 東京応化工業株式会社 | ネガ型放射線感応性レジスト組成物 |
| JP2583651B2 (ja) * | 1990-09-28 | 1997-02-19 | 東京応化工業株式会社 | ネガ型感放射線レジスト組成物 |
| US5691101A (en) | 1994-03-15 | 1997-11-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Photosensitive composition |
| JP3929653B2 (ja) | 1999-08-11 | 2007-06-13 | 富士フイルム株式会社 | ネガ型レジスト組成物 |
| JP3989149B2 (ja) | 1999-12-16 | 2007-10-10 | 富士フイルム株式会社 | 電子線またはｘ線用化学増幅系ネガ型レジスト組成物 |
| US7521168B2 (en) | 2002-02-13 | 2009-04-21 | Fujifilm Corporation | Resist composition for electron beam, EUV or X-ray |
-
1991
- 1991-06-03 JP JP3131270A patent/JP2973585B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| JPH04226454A (ja) | 1992-08-17 |
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