JPH06118646A - ネガ型感光性組成物 - Google Patents

ネガ型感光性組成物

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JPH06118646A
JPH06118646A JP4265190A JP26519092A JPH06118646A JP H06118646 A JPH06118646 A JP H06118646A JP 4265190 A JP4265190 A JP 4265190A JP 26519092 A JP26519092 A JP 26519092A JP H06118646 A JPH06118646 A JP H06118646A
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JP
Japan
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resin
alkali
soluble resin
photosensitive composition
glass transition
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JP4265190A
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English (en)
Inventor
Tameichi Ochiai
為一 落合
Ryuichiro Takasaki
龍一郎 高崎
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Mitsubishi Kasei Corp
Original Assignee
Mitsubishi Kasei Corp
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Publication date
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【構成】 アルカリ可溶性樹脂、酸性条件下でアルカリ
可溶性樹脂に作用する架橋剤、及び酸発生剤を含有する
ネガ型感光性組成物において、該アルカリ可溶性樹脂が
75℃以上のガラス転移温度をもつノボラック樹脂であ
ることを特徴とするネガ型感光性組成物。 【効果】 本発明のネガ型感光性組成物は、紫外光によ
るハーフミクロンリソグラフィーが可能である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は一般に輻射線に感応する
ネガ型感光性組成物に関するものであり、詳しくは半導
体集積回路を作製する際に使用するネガ型フォトレジス
トに関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体集積回路の高集積度化は、一般に
いわれるように、3年間に4倍のスピードで進行し、例
えばダイナミックランダムアクセスメモリー(DRA
M)を例にとれば、現在では4Mビットの記憶容量を持
つものが本格生産されている。集積回路の生産に不可欠
のフォトリソグラフィー技術に対する要求も年々厳しく
なっている。例えば、4MビットDRAMの生産には、
0.8μmレベルのリソグラフィー技術が必要とされ、
さらに高集積度化が進んだ16Mビット、64Mビット
DRAMにおいては、それぞれ0.5μm、0.3μm
レベルのリソグラフィーが必要と予想されている。した
がって、ハーフミクロンリソグラフィーに対応できるレ
ジストの開発が切望されている。
【0003】近年、解像力を上げる手段として、レベン
ソン氏等により提案された位相シフトマスクを使用する
方法があり、この方法を用いると従来のマスクを用いた
ものと比較して5割程度の解像力の向上が期待できる。
しかしながら、この方法は、パターン配置によってはネ
ガ型レジストの使用が必要となる。したがって高性能ネ
ガ型レジストの開発が待たれている。
【0004】一方、フォトリソグラフィーに使用される
ネガ型レジストとして、環化ゴムと架橋剤としてのビス
アジドとを使用するレジストは周知である。しかしなが
ら、この系は現像に有機溶剤を必要とするため、現像時
に膨潤が起こり、画像の解像力は3μm程度が限界であ
る。したがって高集積度のデバイスを製造するには不適
当である。また、現像に用いる有機溶剤は環境上、健康
上、引火性の点で問題が多い。
【0005】さらに、ナフトキノンジアジドとアルカリ
可溶性ノボラック樹脂とからなるポジ型レジストも周知
である。しかしながら、この系はポジ型であるためにハ
ーフミクロンリソグラフィーに有力な位相シフト法に適
応することが困難である。また、このレジストは300
nm以下に大きな吸収があり、短波長露光を行うとパタ
ーンプロフィールが著しく劣化する欠点がある。
【0006】一方、高解像力リソグラフィーに対応でき
る候補として、X線リソグラフィー、エレクトロンビー
ムリソグラフィー等も挙げられるが、前者はハードウェ
ア及びレジストの面からの立ち後れが目立ち、後者はス
ループットの面で大量生産に対応できない。近年、酸硬
化性樹脂系、紫外線酸発生剤を含有する化学増幅型ネガ
型レジストが提案されてきている(例えば、特開昭62
−164045号)。化学増幅を利用するためこのレジ
スト組成物は高感度であるが、解像性は充分でなく、1
6Mビット、64Mビットの半導体量産に適応させる為
にはさらに高解像力化をはかる必要がある。
【0007】従って、現時点においては、現像時に膨潤
を起こさず、高解像力で、紫外光に感光性を有し、位相
シフト法に対応することが可能なネガ型感光性組成物を
開発することが、ハーフミクロンリソグラフィーに対応
するため強く望まれている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】前述したように、現像
時に膨潤をおこさず、しかも位相シフト法に適応できる
レジストが、ハーフミクロンリソグラフィーに不可欠な
レジストであり、従来の環化ゴム系レジストや、ナフト
キノンジアジド−ノボラック系レジストはいずれもこの
2つの条件を満たしていない。
【0009】本発明の目的は、前述の従来技術の問題点
を解決し、紫外光に感光性を有する、パターンプロフィ
ールが良好で高感度なレジストを開発することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記目的
を達成すべく種々検討を重ねた結果、アルカリ可溶性樹
脂、架橋剤、及び酸発生剤を組み合わせたレジスト組成
物において、特にアルカリ可溶性樹脂としてガラス転移
温度が75℃以上のノボラック樹脂を使用すると、膨潤
をおこさず、高解像力のパターンプロフィールを形成す
ることができる高性能のネガ型フォトレジスト組成物が
得られることを見い出した。
【0011】本発明はかかる知見を基に完成されたもの
であり、その要旨は、アルカリ可溶性樹脂、酸性条件下
でアルカリ可溶性樹脂に作用する架橋剤、及び酸発生剤
を含有するネガ型感光性組成物において、該アルカリ可
溶性樹脂が75℃以上のガラス転移温度をもつノボラッ
ク樹脂であることを特徴とするネガ型感光性組成物、に
存する。
【0012】以下、本発明を詳細に説明する。本発明で
用いられるアルカリ可溶性樹脂は、ガラス転移温度が7
5℃以上のノボラック樹脂である。この樹脂は、フェノ
ール類を酸性触媒下、アルデヒド類で重縮合させること
によって得ることができる。フェノール類としては、フ
ェノール、o−,m−,またはp−クレゾール、キシレ
ノール、レゾルシノール、ピロガロール、ビスフェノー
ル、ビスフェノールA、トリスフェノール、o−,m
−,またはp−エチルフェノール、n−,またはi−プ
ロピルフェノール、n−,s−,またはt−ブチルフェ
ノール、1−,または2−ナフトール等が挙げられる。
アルデヒド類としては、ホルムアルデヒドが最も好まし
いが、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ベン
ズアルデヒド、フルフラール等も用いることができる。
これらのフェノール類及びアルデヒド類は各々、単独あ
るいは2種以上を混合して用いることができる。ガラス
転移温度を上げることは、通常、分子量を大きくするこ
と、あるいは高分子鎖のフレキシビリティを小さくする
こと等によって達成される。この中で、分子量を大きく
する為には反応温度や反応時間等の反応条件を最適化す
る外、フェノール類中のm−クレゾールの割合を増やす
方法も用いることができる。この方法を用いる場合、ガ
ラス転移温度を75℃以上にするには、通常、フェノー
ル類の40モル%以上、好ましくは65モル%以上、さ
らに好ましくは75モル%以上をm−クレゾールとす
る。
【0013】より良好なパターンプロフィールを得るた
めには、本発明において、前記ノボラック樹脂の中でも
現像液に対する溶解速度が特定範囲内のノボラック樹脂
を用いるのが好ましい。具体的には、25℃における、
現像液としてのテトラメチルアンモニウムヒドロキシド
の2.38重量%水溶液に対する該ノボラック樹脂の膜
の膜厚方向の溶解速度(以下、単に溶解速度という)
は、250〜20,000Å/sが好ましく、さらに5
00〜10,000Å/sがより好ましい。溶解速度が
大きすぎるノボラック樹脂を用いると、形成されたレジ
スト組成物の感度が著しく低下するため好ましくない。
該ノボラック樹脂の溶解速度は、通常、フェノール類や
アルデヒド類の種類や量、反応条件等を適宜選択するこ
とによって制御することができる。
【0014】本発明の感光性組成物の第2成分である、
酸性条件下でアルカリ可溶性樹脂に作用する架橋剤とし
ては、用いるアルカリ可溶性樹脂と架橋反応する化合物
であれば特に限定されないが、例として、メラミン、ベ
ンゾグアナミン、グリコールウリルもしくは尿素にホル
マリンを作用させた化合物またはそれらのアルキル変性
化合物、エポキシ化合物、レゾール化合物等が挙げられ
る。
【0015】具体的には、三井サイアナミド社のサイメ
ル(登録商標)300,301,303,350,73
6,738,370,771,325,327,70
3,701,266,267,285,232,23
5,238,1141,272,254,202,11
56,1158を、メラミンにホルマリンを作用させた
化合物またはそのアルキル変性物の例として挙げること
ができる。また、サイメル(登録商標)1123,11
25,1128は、ベンゾグアナミンにホルマリンを作
用させた化合物またはそのアルキル変性物の例として挙
げることができる。サイメル(登録商標)1170,1
171,1174,1172は、グリコールウリルにホ
ルマリンを作用させた化合物またはそのアルキル変性物
の例として挙げることができる。尿素にホルマリンを作
用させた化合物またはそのアルキル変性物の例として
は、三井サイアナミド社のUFR(登録商標)65,3
00を挙げることができる。
【0016】エポキシ化合物の例としては、ノボラック
エポキシ樹脂(東都化成社製、YDP N−638,7
01,702,703,704等)、アミンエポキシ樹
脂(東都化成社製、YH−434等)、ビスフェノール
Aエポキシ樹脂、ソルビトール(ポリ)グリシジルエー
テル、(ポリ)グリセロール(ポリ)グリシジルエーテ
ル、ペンタエリスリトール(ポリ)グリシジルエーテ
ル、トリグリシジルトリスヒドロキシエチルイソシアヌ
レート、アリルグリシジルエーテル、エチルヘキシルグ
リシジルエーテル、フェニルグリシジルエーテル、フェ
ノールグリシジルエーテル、ラウリルアルコールグリシ
ジルエーテル、アジピン酸グリシジルエーテル、フタル
酸グリシジルエーテル、ジブロモフェニルグリシジルエ
ーテル、ジブロモネオペンチルグリコールジグリシジル
エーテル、グリシジルフタルイミド、(ポリ)エチレン
グリコールグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコ
ールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジ
グリシジルエーテル、グリセリンポリグリシジルエーテ
ル、トリメチロールプロパンポリグリシジルエーテル、
ブチルグリシジルエーテル等を挙げることができる。
【0017】この中で特に好ましい化合物として、分子
中に−N(CH2 OR)2 基(式中、Rはアルキル基ま
たは水素原子を示す)を有する化合物が挙げられる。詳
しくは、尿素あるいはメラミンに、ホルマリンを作用さ
せた化合物またはそのアルキル変性物が特に好ましい。
【0018】本発明の組成物の第3成分は酸発生剤であ
る。本発明で用いられる酸発生剤は150〜400nm
程度の範囲の光で酸を発生する化合物であれば特に制限
はないが、例えば、ポリメリックマテリアルズサイエン
スアンドエンジニアリング第61巻63頁(アメリカン
ケミカルソサエティ)にJ.V.クリベロが開示してい
るようなオニウム塩やスルホン酸エステル、あるいは特
公昭54−23574号に開示されているような感光性
有機ハロゲン化合物等が挙げられる。具体的には、3,
4−ジブロモスルホラン、3,4−ジクロロスルホラ
ン、四臭化炭素、1,2,3,4−テトラブロモブタ
ン、1,1,2,2−テトラブロモエタン、ヘキサブロ
モシクロヘキサン、ヘキサブロモシクロドデカン、トリ
ブロモメチルフェニルスルホン、トリス(2,3−ジブ
ロモプロピル)イソシアヌレート、メチレングリコール
ビス(2,3−ジブロモプロピル)エーテル、トリス
(トリブロモメチル)−s−トリアジン、トリス(ジブ
ロモメチル)−s−トリアジン、トリス(トリクロロメ
チル)−s−トリアジン、トリス(ジクロロメチル)−
s−トリアジン、ジフェニルヨードニウム塩、ペンタエ
リスリトールテトラブロミド、2,3−ジブロモプロペ
ン、1,2,3−トリブロモプロパン、3,4,5−ト
リブロモサリシルアニリド、1,1,3,3−テトラブ
ロモアセトン、2,3−ジブロモプロパノール、ジブロ
モテトラクロロエタン、1,6−ジブロモヘキサン、
1,4−ジブロモブタン、ヨードホルム、ヘキサクロロ
アセトン等が挙げられる。
【0019】本発明のレジスト組成物におけるアルカリ
可溶性樹脂、架橋剤及び酸発生剤の混合割合は、通常、
アルカリ可溶性樹脂100重量部に対し架橋剤5〜70
重量部、酸発生剤0.1〜30重量部である。本発明の
レジスト組成物は、高感度化あるいは感光波長領域の拡
大のために、増感剤の添加が有効である。好ましい増感
剤の例としては、N−フェニル−1−ナフチルアミン、
N,N−ジフェニル−1−ナフチルアミン、N−フェニ
ル−N−ベンジル−1−ナフチルアミン、N−フェニル
−N−スチリル−1−ナフチルアミン、フェノチアジン
誘導体、フェノキサジン誘導体等が挙げられる。増感剤
を添加する場合、その添加量は通常アルカリ可溶性樹脂
100重量部に対し0.1〜30重量部である。
【0020】本発明の組成物は通常、溶媒に溶解して使
用されるが、溶媒としては樹脂及び感光剤に対して十分
な溶解度を持ち、良好な塗膜性を与える溶媒であれば特
に制限はなく、例えば、メチルセロソルブ、エチルセロ
ソルブ、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソル
ブアセテート等のセロソルブ系溶媒、酢酸ブチル、酢酸
エチル、酢酸メチル、酢酸アミル、乳酸メチル、乳酸エ
チル、メトキシプロピオン酸メチル、メトキシプロピオ
ン酸エチル、エトキシプロピオン酸メチル、エトキシプ
ロピオン酸エチル等のエステル系溶媒、ジグライム、ジ
メチルホルムアミド、N−メチルピロリドン等の高極性
溶媒、または、これらの混合溶媒、もしくは、これらに
芳香族炭化水素を添加した混合溶媒等が挙げられる。溶
媒の使用割合は、通常、固形分の総量に対し重量比で1
〜20倍の範囲である。
【0021】なお、本発明の組成物は、さらに種々の添
加剤、例えば、染料、顔料、塗布性改良剤、現像改良
剤、密着性改良剤等を含んでいてもよい。本発明のネガ
型感光性組成物は、以下に述べるような塗布、露光、露
光後加熱(ポストエクスポージャーベーク:以下PEB
と略す)、現像の各工程を経て、フォトレジストとして
使用される。
【0022】塗布には通常スピンコーターが使用され、
膜厚としては0.5μm〜2μm程度が適当である。露
光には、水銀灯の436nm、365nm、254n
m、エキシマーレーザーの157nm、193nm、2
22nm、248nmの光が好適に使用される。露光の
際の光は単色光でなくブロードであってもよい。特に3
00nm〜380nmが好適であり、なかでもi線(3
65nm)が好適である。
【0023】PEBは、通常、ホットプレートを用い、
70〜140℃程度の温度で、15秒〜10分間程度行
なわれる。ホットプレートのかわりにコンベクションオ
ーブンを用いてもよい。この場合は、ホットプレートを
使用した場合よりも一般に長い時間が必要とされる。本
発明の組成物の現像には、水酸化カリウム、水酸化ナト
リウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、ケイ酸ナトリ
ウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機ア
ルカリ類、エチルアミン、n−プロピルアミン等の第1
級アミン類、ジエチルアミン、ジ−n−プロピルアミン
等の第2級アミン類、トリエチルアミン、トリメチルア
ミン等の第3級アミン類、テトラメチルアンモニウムヒ
ドロキシド、トリメチルヒドロキシエチルアンモニウム
ヒドロキシド等の第4級アンモニウム塩等のアルカリ性
化合物の水溶液よりなるアルカリ現像液が好適に使用さ
れる。現像液には必要に応じて、アルコール、界面活性
剤等を添加して使用することもできる。
【0024】なお、フォトレジスト溶液及び現像液は、
各々使用に際しダストを除去するため、ミクロフィルタ
ーで濾過して使用される。本発明のネガ型感光性組成物
は、超LSIの製造のみならず、一般のIC製造用、さ
らにはマスクの製造、平版、凹版、凸版等の印刷版の作
成、プリント配線板用のフォトレジスト、ソルダーレジ
スト、液晶表示素子用のカラーフィルターまたはレジス
ト、レリーフ像や画像複製などの画像形成、光硬化性の
インク、塗料、接着剤等に利用できる。
【0025】
【実施例】次に実施例を挙げて本発明の具体的態様を更
に詳しく説明するが、本発明はその要旨を越えない限
り、以下の実施例によって限定されるものではない。 合成例1 m−クレゾール270g、シュウ酸5gを1リットル4
口フラスコに仕込み、窒素シールを行なった。これを攪
拌しながら37重量%ホルマリンを172g滴下した。
滴下時間は30分であった。その後、リフラックス下、
3時間反応させた。蒸留により水を除去し、さらに減圧
(20mmHg)下で未反応のモノマーを留去した。溶解さ
せた状態でバットに移し、ノボラック樹脂(以下、NO
V−1と略す。溶解速度3900Å/s)280gを得
た。DSC(示差走査熱量計)によってガラス転移温度
を測定したところ91℃であった。
【0026】合成例2 m−クレゾール345g、p−クレゾール86g、シュ
ウ酸8gを1リットル4口フラスコに仕込み、窒素シー
ルを行なった。これを攪拌しながら37重量%ホルマリ
ン242gを30分で滴下した。その後リフラックス下
5時間反応させた後、合成例1と同様にしてノボラック
樹脂(以下、NOV−2と略す。溶解速度2700Å/
s)を取りだした。収量は398gであった。DSCに
よってガラス転移温度を測定したところ78℃であっ
た。
【0027】合成例3 m−クレゾール259g、p−クレゾール173g、シ
ュウ酸12gを1リットル4口フラスコに仕込み、窒素
シールした。これを攪拌しながら37重量%ホルマリン
211gを30分で滴下し、リフラックス下、5時間反
応させた。その後、合成例1と同様にしてノボラック樹
脂(以下、NOV−3と略す。溶解速度2700Å/
s)を取りだした。収量は352gであった。DSCに
よってガラス転移温度を測定したところ73℃であっ
た。以上の合成例において、溶解速度の測定は全て溶解
速度モニター装置(パーキンエルマー社製)を用いて行
なわれた。
【0028】実施例1〜2及び比較例1 合成例1〜3で合成した各ノボラック樹脂2g、サイメ
ル(登録商標)300(三井サイアナミド社製、主成
分:ヘキサメトキシメチルメラミン)0.3g、トリス
(2,3−ジブロモプロピル)イソシアヌレート0.1
g、及びN−フェニル−1−ナフチルアミン0.2gを
メトキシプロピオン酸メチル6gに溶解し、0.2μm
フィルターで濾過し、フォトレジスト組成物を調製し
た。スピンコーティング装置(ミカサ1H−2D)を用
いて、このフォトレジスト組成物を直径5インチのシリ
コンウエハー上に1μmの厚さで塗布した。その後、ホ
ットプレート上で100℃、90秒間乾燥し、NA=
0.5のi線ステッパーを用いてi線による露光を行な
った。ホットプレート上で100℃、60秒間PEBを
行なった後、2.38重量%テトラメチルアンモニウム
ヒドロキシド水溶液で室温下60秒間現像した。得られ
たレジスト像をSEMにより観察し、解像度を測定し
た。結果を表−1に示す。
【0029】
【表1】
【0030】
【発明の効果】本発明のネガ型感光性組成物は、現像時
に膨潤を起こさず、紫外光に感光性を有し、高解像性の
良好なパターンプロフィールを得ることができる。その
結果、特に半導体集積回路用フォトレジストとして有用
である。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 アルカリ可溶性樹脂、酸性条件下でアル
    カリ可溶性樹脂に作用する架橋剤、及び酸発生剤を含有
    するネガ型感光性組成物において、該アルカリ可溶性樹
    脂が75℃以上のガラス転移温度をもつノボラック樹脂
    であることを特徴とするネガ型感光性組成物。
  2. 【請求項2】 25℃におけるテトラメチルアンモニウ
    ムヒドロキシドの2.38重量%水溶液に対するアルカ
    リ可溶性樹脂の溶解速度が250〜20,000Å/s
    である請求項1に記載のネガ型感光性組成物。
JP4265190A 1992-10-02 1992-10-02 ネガ型感光性組成物 Pending JPH06118646A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6190833B1 (en) * 1997-03-30 2001-02-20 Jsr Corporation Radiation-sensitive resin composition
US6399275B1 (en) 1999-11-15 2002-06-04 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Negative-working photolithographic patterning material and method for the preparation of ion-implanted and metal-plated substrates by using the same

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