KR960001893A - 포지티브 포토레지스트 - Google Patents

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Abstract

수성-알칼리 매체에서 현상가능한 하기(a) 내지 (d)를 포함하는 포지티브 포토레지스트 조성물은 높은 감광성, 성분 및 이로 부터 생성된 코팅의 긴 저장 수명을 가지고 인쇄 회로의 생성을 위한 에칭 레지스트로서 특히 적합하다 : (a) 산-불안정성 α-알콕시알킬 에스테르기를 포함하는 공중합체 또는 단일 중합체 1이상, (b)
카르복시기의 함량이 0.40 내지 5.50몰/kg인 카르복시기-함유 공중합체 1이상, (c) 화학선에 노출시 산을 형성하는 화합물 1이상, 및 (d) 유기 용매.

Description

포지티브 포토레지스트
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (16)

  1. 수성-알칼리 매체에서 현상가능한 하기(a) 내지 (d)를 포함하는 포지티브 포토레지스트 조성물 : (a) 산-불안정성 α-알콕시알킬 에스테르기를 포함하는 공중합체 또는 단일 중합체 하나 이상, (b)카르복시기의 함량이 0.40 내지 5.50몰/인 카르복시기-함유 공주합체 하나 이상, (c)화학선에 노출시 산을 형성하는 화합물 하나 이상, 및 (d) 유기 용매.
  2. 제1항에 있어서, 성분(a)는 일반식(Ia)의 반복 구조 단위체 8-100중량% 및 일반식(Ib)의 반복 구조 단위체 92-0중량%를 포함하는 공중합체 또는 단일 중합체이다. :
    @ 117
    상기식에서, X는 직접 결합 또는 탄수 원자 1이상이 산소, 황 또는 비염기성 질소 원자로 치환가능한 탄소수 1-18의 2가 유기기이고, R1,R2 및 R3은 각각 독립적으로 수소, C1-C6알킬, C5-C14아릴, C6-C20 아르알킬, 할로겐, -COOH, -COOR12 또는 -CONR13R14이며, 여기서 R12은 비치환 또는 C1-C6알콕시-, 히드록시- 또는 할로겐으로 치환된 C1-C18알킬기 또는 히드록시-말단의 폴리에테르 또는 폴리에스테르의 라디칼이고, R13 및 R14은 각각 독립적으로 수소, C1-C16알킬, C5-C14알킬 또는 C-6-C20아르알킬이며, R4은 C1-C6알킬 또는 페닐이고, R5은 수소 또는 C1-C6알킬이며, R6 및 R7은 각각 독립적으로 수소, C1-C6알킬 또는 C1-C6알콕시, 또는 결합되는 탄소 또는 산소 원자와 함께 라디칼 R4,R5,R6 또는 R7중의 둘은 5 내지 8의 원자로 이루어진 고리를 형성하고, R8,R9,R10 및 R11은 각각 독립적으로 수소, C1-C18알킬, 비치환 또는 C1-C6알킬, C1-C6알콕시 또는 할로겐으로 치환된 페닐, 할로겐, C1-C18알콕시, -COOR12, -OCOR12 또는 -COOH이며, R12은 상술한 바와 같고 또는 R9 및 R11은 결합한 탄소 원자와 함께 5의 원자로 이루어진 @117@ 의 구조를 갖는 고리이며, 여기서 R15은 수소, C1-C18알킬, C5-C14아릴, C6-C20아르알킬 또는 히드록시-, 알콕시- 또는 할로겐으로 치환된 페닐이고, 단, 단일 중합체 또는 공중합체의 평균 분자량(평균 중량)이 1000-500,000이며 COOH기의 양은 0.4몰/kg 이하이다.
  3. 제2항에 있어서, 성분(a)가 R1및 R2가 수소이고 R3가 수소 또는 메틸인 일반식(Ia)의 반복 구조 단위체를 포함하는 공중합체 또는 단일 중합체 1이상인 조성물.
  4. 제2항에 있어서, 성분(a)가 하기 일반삭(III)의 반복 구조 단위체를 포함하는 공중합체 또는 단일 중합체 1이상인 조성물.
    @118
    상기식에서, R1,R2 및 R3은 제2항에서 정의한 바와 같다.
  5. 제4항에 있어서, 성분(a)가 R1 및 R2가 수소이고 R3이 수소 또는 메틸인 일반식(III)의 반복 구조 단위체를 포함하는 공중합체 또는 단일 중합체 1이상인 ㅈ조성물 :
  6. 제1항에 있어서, 성분(b)가 일반식(IIa)의 반복구조 단위체 5-40중량% 및 일반식(IIb)의 반복 구조 단위체 95-60중량%를 포함하는 공중합체 또는 단일 중합체 1이상인 조성물 :
    @118
    상기식에서, R1,R2,R3,R8,R9,R10,R11 및 X는 제2항에서 정의한 바와 같고, 단 공중합체의 평균 분자량(중량평균)은 1000-500,000달톤이며 카르복시기의 함량은 0.40 내지 5.50몰/kg이다.
  7. 제6항에 있어서, 성분(b)가 R1 및 R2가 수소이고, R3이 수소 또는 메틸이고 X가 직접 결합인 일반식(IIa)의 반복 구조 단위체를 포함하는 공중합체 또는 단일 중합체 1이상인 조성물이다.
  8. 제6항에 있어서, 성분(b)가 R8 및 R9이 수소이고, R10이 수소 또는 메틸이고 R11이 페닐 또는 -COOR12이며, R12이 C1-C18알킬, 또는 하기 일반식의 반복 구조 단위체를 포함하는 공중합체 1이상인 조성물 :
    @ 118
    상기식에서, R15이 페닐이다.
  9. 제2항에 있어서, 성분(a)가 일반식(Ia)의 반복 구조 단위체 20-100중량% 및 일반식(Ib)의 반복 구조 단위체 80-0중량%를 포함하는 공중합체 또는 단일 중합체 1이상인 조성물.
  10. 제6항에 있어서, 성분(b)가 일반식(IIa)의 반복 구조 단위체 5-35중량% 및 일반식(IIb)의 반복 구조 단위체 95-65중량%를 포함하는 공중합체 1이상인 조성물.
  11. 제1항에 있어서, 성분(a)+(b)의 총량을 기준으로 성분(a) 10-95중량% 및 성분(b) 90-5중량%를 포함하는 조성물.
  12. 제1항에 있어서, 성분(c)가 감광성 디아조늄, 술포늄, 술포옥소늄 또는 이오도늄 염 또는 감광성 술폰산 에스테르인 조성물.
  13. 제1항에 있어서, 성분(c)가 트리페닐술포늄, 트리플루오로메탄술포네이트, 트리페닐술포늄 헥사플루오로안티모네이트, 트리페닐술포늄 헥사플루오로포스페이트, 트리페닐술포늄 헥사플루오로아르세네이트 또는 헥사플루오로포스페이트 또는 하기 술포늄 이온의 헥사플루오로안티모네이트인 조성물 :
    @119
    상기식에서, m은 1 내지 10의 정수이다.
  14. 제1항에 있어서, 성분(d)가 메톡시프로필 아세테이트인 조성물.
  15. 제1항에 따른 조성물로 기판을 코팅하고 용매를 제거한 후 얻어진 막을 이미지화 노출하고 이어서 수성-알칼리 매체에서 노출된 막을 현상하는 것을 포함하는 회로 기판상에 양각 구조를 구현하는 방법.
  16. 제15항에 있어서, 하기(A) 내지 (F)단계를 포함하는 방법 : (A) 공지의 방법에 따라 액체 레지스트를 도포하여 청구 범위 1항에 따른 조성물로 구리-적층 기판을 코팅하는 단계; (B) 30℃ 내지 130℃의 온도에서 건조하여 용매를 제거하는 단계; (C) 마스크를 통해 또는 직접 레이저를 조사하여 화학선에 노출하는 단계; (D)알칼리 수용액 또는 알칼리 반수용액 현상액을 사용하여 현상하는 단계; (E)산성 또는 약알칼리성 에칭제로 에칭하는 단계; (F)수성 강 염기 및/또는 유기 용매로 벗겨 잔존한 포토레지스트 코팅을 제거하는 단계.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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