JP2005003862A - ネガ型レジスト組成物、及びそれを用いたレジストパターン形成方法 - Google Patents
ネガ型レジスト組成物、及びそれを用いたレジストパターン形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005003862A JP2005003862A JP2003166307A JP2003166307A JP2005003862A JP 2005003862 A JP2005003862 A JP 2005003862A JP 2003166307 A JP2003166307 A JP 2003166307A JP 2003166307 A JP2003166307 A JP 2003166307A JP 2005003862 A JP2005003862 A JP 2005003862A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- monomer
- resist composition
- negative resist
- represented
- general formula
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- MWMWRSCIFDZZGW-UHFFFAOYSA-N C=CC(OC(CCO1)C1=O)=O Chemical compound C=CC(OC(CCO1)C1=O)=O MWMWRSCIFDZZGW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFEBHSBLASAYEU-UHFFFAOYSA-N CC(CC(C1)(C2)C1(C1)O)CC21OC(C=C)O Chemical compound CC(CC(C1)(C2)C1(C1)O)CC21OC(C=C)O UFEBHSBLASAYEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
Abstract
【解決手段】モノマー成分として少なくともα−(ヒドロキシアルキル)アクリル酸、α−(ヒドロキシアルキル)アクリル酸アルキルエステル、及び(メタ)アクリル酸ヒドロキシアルキルエステルの中から選ばれる少なくとも1種のモノマーと、他のエチレン性不飽和カルボン酸及びエチレン性不飽和カルボン酸エステルの中から選ばれる少なくとも1種のモノマーとを有する共重合体と、酸発生剤とを含有するネガ型レジスト組成物であって、前記共重合体のモノマー成分として、さらに少なくとも親水性部位を有する脂環式構造を有するモノマーを含むことを特徴とする。
【選択図】 なし
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、ネガ型レジスト組成物に関し、さらに詳しくはホトレジスト層に用いて好適な、ドライエッチング耐性および走査電子顕微鏡からの電子線に対する耐性を有し、かつ、アルカリ現像液に対する溶解性が維持されたネガ型レジスト組成物に関する。
【0002】
【従来の技術】
これまで、酸発生剤とノボラック樹脂やポリヒドロキシスチレンなどのアルカリ可溶性樹脂とメラミン樹脂や尿素樹脂などのアミノ樹脂との組合せを露光部がアルカリ不溶性となるための基本成分として含む化学増幅型のネガ型レジストは知られている(例えば、特許文献1など)。このようなネガ型レジストは、放射線の照射により生じた酸の作用により、アルカリ可溶性樹脂とアミノ樹脂が架橋反応を起こし、露光部分をアルカリ不溶性に変化させ、未露光部分をアルカリで溶解して、ネガ型のパターンを形成させるものである。
【0003】
このような酸発生剤とアルカリ可溶性樹脂とアミノ樹脂との組合せからなる化学増幅型のネガ型レジストは、i線やKrFエキシマレーザー光(248nm)を光源とするプロセスには十分使用しうるが、近年半導体素子の高集積化に対応すべく開発されたArFエキシマレーザー光(193nm)を用いたリソグラフィー用のレジスト(ArF用ネガ型レジスト)としては、透過性等の問題があり必ずしも満足しうるものとはいえない。
【0004】
そこで、ArF用ネガ型レジストについては、これまで、例えば、5−メチレン−ビシクロ[2.2.1]−2−ヘプタンとマレイン酸との共重合体であって、マレイン酸部分の片方のカルボキシル基をエステル化したものを基材樹脂成分とし、これに脂肪族環状多価アルコールからなる架橋剤と酸発生剤を配合したArF用ネガ型レジスト(例えば、非特許文献1など)、エポキシ基含有環状炭化水素基をエステル部分に有するアクリル酸エステルとカルボキシル基含有環状炭化水素基をエステル部分に有するアクリル酸エステルとの共重合体を基材樹脂成分とし、これに上記と同様な架橋剤と酸発生剤を配合したArF用ネガ型レジスト(例えば、非特許文献2など)、ヒドロキシル基含有環状炭化水素基をエステル部分に有するアクリル酸エステルとカルボキシル基含有環状炭化水素基をエステル部分に有するアクリル酸エステルとの共重合体を基材樹脂成分とし、これに上記と同様な架橋剤と酸発生剤を配合したArF用ネガ型レジスト(例えば、非特許文献3など)が提案されている。
【0005】
これらのArF用ネガ型レジストは、基材樹脂成分のArFエキシマレーザー光(193nm)に対する透過性を高めるとともに、アルカリ可溶性とするためにカルボキシル基含有橋かけ型脂環式炭化水素基を樹脂中に導入した点、及び架橋を行わせるためにエポキシ基やアルコール性水酸基を樹脂中に導入した点に主な特徴がある。
【0006】
しかしながら、このような組成のネガ型レジストにおいては、ArFエキシマレーザー光により酸の存在下に架橋剤と基材樹脂成分とのエステル又はエーテル結合の結果、ネガ型のパターンを形成しうるものの、露光部分で未架橋のカルボキシル基やアルコール性水酸基が残存するため、これらがアルカリ現像時に膨潤し、それによってレジストパターン形状が丸みを帯びたものとなるという欠点がある。
【0007】
そこで、前記問題点を解決するために(A)放射線の照射により酸を発生する化合物と、(B)酸によりアルカリ不溶性になる樹脂とを含有するアルカリ現像可能なネガ型レジスト組成物において、(B)成分が、(a)α−(ヒドロキシアルキル)アクリル酸及びα−(ヒドロキシアルキル)アクリル酸アルキルエステルの中から選ばれる少なくとも1種のモノマーと、(b)他のエチレン性不飽和カルボン酸及びエチレン性不飽和カルボン酸エステルの中から選ばれる少なくとも1種のモノマーとの共重合体(以下、「第一世代共重合体」という。)であることを特徴とするネガ型レジスト組成物が提案されている(例えば、特許文献2など)。
【0008】
【特許文献1】
特公平8−3635号公報
【特許文献2】
特開2000−206694号公報
【非特許文献1】
ジャーナル・オブ・フォトポリマー・サイエンス・アンド・テクノロジー(J.Photopolym.Sci.Tech.),第10巻,第4号,第579〜584ページ(1997年)
【非特許文献2】
ジャーナル・オブ・フォトポリマー・サイエンス・アンド・テクノロジー(J.Photopolym.Sci.Tech.),第11巻,第3号,第507〜512ページ(1998年)
【非特許文献3】
SPIE Advances in Resist Technology and Processing XIV,第3333巻,第417〜424ページ(1998年)
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記第一世代共重合体は、ドライエッチング耐性に欠けるという問題点、および、得られたレジストのパターンを走査電子顕微鏡(SEM)で評価する際、電子線によりパターンの収縮が引き起こされ、パターンの正確な評価ができないという問題点があった。特に、得られたパターンの正確な評価ができないということは、データの信頼性を疑わせ、ひいては商品等の信頼性をも疑わせるものとなるため大きな問題となっていた。
【0010】
ここで、一般的には、共重合体の炭素密度を上げればドライエッチング耐性は、向上すると言われており、また炭素密度と電子線によるパターン自体の収縮とは何らかの関係があると示唆されていた。そこで、第一世代共重合体の上記問題点を解決するため、炭素密度を上げる目的で脂環式の構造を有するモノマーを共重合体の成分として導入するということが考えられてはいたが、単に脂環式の構造を導入しただけではアルカリ現像液への溶解性が極めて悪くなり、パターンが得られないという新たな問題が生じていた。
【0011】
一般に、化合物の水溶液に対する溶解性を上げるのには水酸基等の親水性の基が修飾された化合物を用いることが考えられるが、単に水酸基が修飾された、脂環式構造を有するモノマーを共重合体のモノマー成分として用いただけではアルカリ現像液への溶解性が向上するとは限らなかった。つまり、多数の脂環式構造を持つ化合物、またその修飾化合物の中からアルカリ現像液への溶解性を維持しつつ、炭素密度を上げることができる脂環式構造を有するモノマーを得ることは容易ではない。
【0012】
そこで、本発明は上記問題点に鑑みてなされたもので、ドライエッチング耐性および走査電子顕微鏡(SEM)からの電子線に対する耐性(以下、「SEM耐性」という)を有し、かつ、アルカリ現像液に対する溶解性が維持されたネガ型レジスト組成物を提供することを課題とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、前記従来の問題点を解決するために、鋭意、実験検討を重ねたところ、モノマー成分として少なくともα−(ヒドロキシアルキル)アクリル酸、α−(ヒドロキシアルキル)アクリル酸アルキルエステル、及び(メタ)アクリル酸ヒドロキシアルキルエステルの中から選ばれる少なくとも1種のモノマーと、他のエチレン性不飽和カルボン酸及びエチレン性不飽和カルボン酸エステルの中から選ばれる少なくとも1種のモノマーとを有する共重合体と、酸発生剤とを含有するネガ型レジスト組成物であって、前記共重合体のモノマー成分として、さらに少なくとも親水性部位を有する脂環式構造を有するモノマーを含有させてネガ型レジスト材料を構成すれば、良好な作用および効果が得られることを知るに至った。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を詳細に説明するが、各材料については特に断らない限りは市販のものを用いることができる。
【0015】
(I)共重合体
本発明のネガ型レジスト組成物を構成する共重合体は、α−(ヒドロキシアルキル)アクリル酸、α−(ヒドロキシアルキル)アクリル酸アルキルエステル、及び(メタ)アクリル酸ヒドロキシアルキルエステルの中から選ばれる少なくとも1種のモノマーと、他のエチレン性不飽和カルボン酸及びエチレン性不飽和カルボン酸エステルの中から選ばれる少なくとも1種のモノマーと、少なくとも親水性部位を有する脂環式構造を有するモノマーとの共重合体である。
【0016】
前記他のエチレン性不飽和カルボン酸やエチレン性不飽和カルボン酸エステルの例としては、アクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸、フマル酸などの不飽和カルボン酸、これらの不飽和カルボン酸のメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、n−ブチル、イソブチル、n−ヘキシル、オクチルエステルなどのアルキルエステルなどが挙げられる。また、エステル部分のアルキル基として、ビシクロ[2.2.1]ヘプチル基、ボルニル基、アダマンチル基、テトラシクロ[4.4.0.12. 5.17. 10]ドデシル基、トリシクロ[5.2.1.02. 6]デシル基などの橋かけ型脂環式環状炭化水素基を有するアクリル酸又はメタクリル酸のエステルも用いることができる。これらの中で、安価で容易に入手できることから、アクリル酸及びメタクリル酸のメチル、エチル、プロピル、n−ブチルエステルなどの低級アルキルエステルが好ましい。
【0017】
前記脂環式構造を有するモノマーは、少なくとも親水性部位を有する脂環式構造を有するモノマーである。親水性部位としては、特にラクトン構造が挙げられ、このようなラクトン構造からなる親水性部位を持つモノマー構造を取り入れることにより、アルカリ現像液に対する溶解性を維持させ得ると同時に、レジスト溶剤への溶解性も維持させ得ることができる点で好ましい。
【0018】
モノマーとしては、例えば、下記一般式(1)に示す8−アクリロイルオキシ−4−オキサトリシクロ〔5.2.1.02,6〕デカン3−オン、下記一般式(2)に示すα−ヒドロキシ−γ−ブチロラクトンアクリレート、下記一般式(3)に示す5−アクリロイルオキシ−6−ヒドロキシノルボルネン−2−カルボキシ−6−ラクトン等のモノマーが挙げられる。中でも、一般式(1)および(3)に示す化合物は多環式構造であり、より炭素密度の向上をより図ることができる。
【0019】
【化4】
【0020】
【化5】
【0021】
【化6】
【0022】
前記共重合体を構成する各構成モノマーは、α−(ヒドロキシアルキル)アクリル酸、α−(ヒドロキシアルキル)アクリル酸アルキルエステル、及び(メタ)アクリル酸ヒドロキシアルキルエステルの中から選ばれる少なくとも1種のモノマーから誘導される単位を30〜85mol%、好ましくは45〜75mol%と、他のエチレン性不飽和カルボン酸及びエチレン性不飽和カルボン酸エステルの中から選ばれる少なくとも1種のモノマーから誘導される単位を10〜30mol%、好ましくは15〜25mol%と、少なくとも親水性部位を有する脂環式構造を有するモノマー単位を5〜40mol%、好ましくは10〜30mol%とから構成されることが好ましい。各単位の割合が上記範囲にあれば、分子内又は分子間でエステルを形成しやすく、良好なレジストパターンが得られる。
【0023】
(II)酸発生剤
本発明のネガ型レジスト組成物は、少なくとも前記共重合体と酸発生剤とを含有する。「酸発生剤」とは、放射線の照射により酸を発生する化合物のことをいう。酸発生剤は、従来化学増幅型のネガ型ホトレジストにおいて使用されている公知の酸発生剤の中から適宜選択して用いることができる。特にアルキル又はハロゲン置換アルキルスルホン酸イオンをアニオンとして含むオニウム塩が好適である。このオニウム塩のカチオンとしては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、tert−ブチル基などの低級アルキル基や、メトキシ基、エトキシ基などの低級アルコキシ基などで置換されていてもよいフェニルヨードニウムやスルホニウムなどやジメチル(4−ヒドロキシナフチル)スルホニウムが好ましく挙げられる。
【0024】
一方、アニオンは、炭素数1〜10程度のアルキル基の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換されたフルオロアルキルスルホン酸イオンが好ましく、そして、炭素鎖が長くなるほど、またフッ素化率(アルキル基中のフッ素原子の割合)が小さくなるほど、スルホン酸としての強度が落ちることから、炭素数1〜5のアルキル基の水素原子の全部がフッ素原子で置換されたフルオロアルキルスルホン酸イオンが好ましい。
【0025】
このようなオニウム塩の例としては、ジフェニルヨードニウムのトリフルオロメタンスルホネート又はノナフルオロブタンスルホネート、ビス(4−tert−ブチルフェニル)ヨードニウムのトリフルオロメタンスルホネート又はノナフルオロブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート又はノナフルオロブタンスルホネート、トリ(4−メチルフェニル)スルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート又はノナフルオロブタンスルホネート、ジメチル(4−ヒドロキシナフチル)スルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート又はノナフルオロブタンスルホネートなどが挙げられる。本発明においては、酸発生剤は1種を用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
【0026】
本発明のネガ型レジスト組成物は、いっそう架橋密度を向上させ、レジストパターンの形状や解像性や耐ドライエッチング性を向上させる目的で、所望により、架橋剤を含有させてもよい。
【0027】
この架橋剤としては特に制限はなく、従来化学増幅型のネガ型レジストにおいて使用されている公知の架橋剤の中から、任意のものを適宜選択して用いることができる。この架橋剤の例としては、2,3−ジヒドロキシ−5−ヒドロキシメチルノルボルナン、2−ヒドロキシ−5,6−ビス(ヒドロキシメチル)ノルボルナン、シクロヘキサンジメタノール、3,4,8(又は9)−トリヒドロキシトリシクロデカン、2−メチル−2−アダマンタノール、1,4−ジオキサン−2,3−ジオール、1,3,5−トリヒドロキシシクロヘキサンなどのヒドロキシル基又はヒドロキシアルキル基あるいはその両方を有する脂肪族環状炭化水素又はその含酸素誘導体、及びメラミン、アセトグアナミン、ベンゾグアナミン、尿素、エチレン尿素、グリコールウリルなどのアミノ基含有化合物にホルムアルデヒド又はホルムアルデヒドと低級アルコールを反応させ、該アミノ基の水素原子をヒドロキシメチル基又は低級アルコキシメチル基で置換した化合物、具体的にはヘキサメトキシメチルメラミン、ビスメトキシメチル尿素、ビスメトキシメチルビスメトキシエチレン尿素、テトラメトキシメチルグリコールウリル、テトラブトキシメチルグリコールウリルなどを挙げることができるが、特に好ましいのはテトラブトキシメチルグリコールウリルである。本発明においては、架橋剤は単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
【0028】
本発明組成物は、その使用に当たっては上記各成分を溶剤に溶解した溶液の形で用いるのが好ましい。このような溶剤の例としては、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソアミルケトン、2−ヘプタンなどのケトン類;エチレングリコール、エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノアセテート、ジプロピレングリコール又はジプロピレングリコールモノアセテート、あるいはそれらのモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル又はモノフェニルエーテルなどの多価アルコール類及びその誘導体;ジオキサンのような環式エーテル類;及び乳酸メチル、乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチルなどのエステル類、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリドンなどのアミド系溶剤などを挙げることができる。これらは単独で用いてもよいし、2種以上混合して用いてもよい。さらに上記各種溶剤は水と混合溶剤として用いてもよい。
【0029】
本発明のネガ型レジスト組成物には、さらに所望により混和性のある添加物、例えばレジスト膜の性能を改良するための付加的樹脂、可塑剤、安定剤、着色剤、界面活性剤などの慣用されているものを添加含有させることができる。
【0030】
本発明のネガ型レジスト組成物は、ArFエキシマレーザー光に対して透明性が高く、ドライエッチング耐性、SEM耐性も高い。そしてアルカリ溶解性も良好である。
【0031】
本発明のネガ型レジスト組成物の使用方法としては従来のホトレジスト技術のレジストパターン形成方法が用いられるが、好適に行うには、まず基板上に、該レジスト組成物の溶液をスピンナーなどで塗布し、乾燥して感光層を形成させ、これに縮小投影露光装置などにより、ArFエキシマレーザー光などを所望のマスクパターンを介して照射し、加熱する。
【0032】
次いでこれを現像液、例えば、0.01〜10質量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液のようなアルカリ性水溶液などを用いて現像処理する。この形成方法でマスクパターンに忠実な画像を得ることができる。
【0033】
本発明のネガ型レジスト組成物が適用される基板としては特に制限はなく、従来ネガ型レジストが適用されている各種基板、例えばシリコンウエーハ、有機系又は無機系の反射防止膜が設けられたシリコンウエーハ、ガラス基板などのいずれでもよい。
【0034】
【実施例】
以下、本発明の実施例を示し、本発明について更に詳細に説明するが、本発明は下記実施例に限定されるものではない。
【0035】
(樹脂合成例1)以下の一般式(4)、(5)、および(6)で示されるモノマーを用いて一般式(7)に示す樹脂を合成した。
【0036】
【化7】
【0037】
一般式(4)で表されるメタクリル酸2.0g(23.3mmol)、一般式(5)で表されるα−ヒドロキシメチルアクリル酸エチル10.58g(81.4mmol)、および一般式(6)で表される8−アクリロイルオキシ−4−オキサトリシクロ〔5.2.1.02,6〕デカン−3−オン4.88g(23.2mmol)と、重合開始剤であるアゾビスイソ酢酸ジメチル0.85g(3.70mmol)とをTHF(テトラヒドロフラン)200mlに溶解した。窒素バブリングを約10分間行い、70℃のウォーターバスを用いて加温しながら4時間攪拌し、その後室温まで冷却した。
【0038】
次いでTHF100mlに溶解し、ヘプタン800mlとイソプロピルアルコール200mlの混合溶媒にて析出させ、結晶を回収した。得られた樹脂の重量平均分子量は9700であった。
【0039】
【化8】
【0040】
一般式(7)中、l/m/n=10/20/70である。
【0041】
(樹脂合成例2)以下の一般式(4)、(5)、および(8)で示されるモノマーを用いて一般式(9)に示す樹脂を合成した。
【0042】
【化9】
【0043】
一般式(4)で表されるメタクリル酸1.49g(17.3mmol)、一般式(5)で表されるα−ヒドロキシメチルアクリル酸エチル9.0g(69.2mmol)、および一般式(8)で表されるα−ヒドロキシ−γ−ブチロラクトンアクリレート1.50g(9.6mmol)と、重合開始剤であるアゾビスイソ酢酸ジメチル0.34g(1.48mmol)とをTHF(テトラヒドロフラン)150mlに溶解した。窒素バブリングを約10分間行い、70℃のウォーターバスを用いて加温しながら4時間攪拌し、その後室温まで冷却した。
【0044】
次いでTHF120mlに溶解し、ヘプタン800mlとイソプロピルアルコール200mlの混合溶媒にて析出させ、結晶を回収した。得られた樹脂の重量平均分子量は13800であった。
【0045】
【化10】
【0046】
一般式(9)中、l/m/n=10/20/70である。
【0047】
(樹脂合成例3)以下の一般式(4)、(5)、および(10)で示されるモノマーを用いて一般式(11)に示す樹脂を合成した。
【0048】
【化11】
【0049】
一般式(4)で表されるメタクリル酸1.49g(17.3mmol)、一般式(5)で表されるα−ヒドロキシメチルアクリル酸エチル9.0g(69.2mmol)、および一般式(10)で表される5−アクリロイルオキシ−6−ヒドロキシノルボルナン−2−カルボキシ−6−ラクトン2.00g(9.6mmol)と、重合開始剤であるアゾビスイソ酢酸ジメチル0.34g(1.48mmol)とをTHF(テトラヒドロフラン)150mlに溶解した。窒素バブリングを約10分間行い、70℃のウォーターバスを用いて加温しながら4時間攪拌し、その後室温まで冷却した。
【0050】
次いでTHF120mlに溶解し、ヘプタン800mlとイソプロピルアルコール200mlの混合溶媒にて析出させ、結晶を回収した。得られた樹脂の重量平均分子量は16000であった。
【0051】
【化12】
【0052】
一般式(11)中、l/m/n=10/18/72である。
【0053】
(比較樹脂合成例1)以下の一般式(4)、および(5)で示されるモノマーを用いて一般式(12)に示す樹脂を合成した。
【0054】
【化13】
【0055】
一般式(4)で表されるメタクリル酸2.1g(24.4mmol)、および一般式(5)で表されるα−ヒドロキシメチルアクリル酸エチル16.5g(126.9mmol)と、重合開始剤であるアゾビスイソブチロラクトニトリル1.0gとをTHF(テトラヒドロフラン)300mlに溶解した。窒素バブリングを約10分間行い、70℃のウォーターバスを用いて加温しながら4時間攪拌し、その後室温まで冷却した。これを50℃にて30分間減圧乾燥を行うことにより乾固した。
【0056】
次いでTHFに溶解し、ヘプタン850mlとイソプロピルアルコール150mlの混合溶媒にて析出させ、結晶を回収した。得られた樹脂の重量平均分子量は9700であった。
【0057】
【化14】
【0058】
一般式(12)中、m/n=20/80である。
【0059】
(比較樹脂合成例2)以下の一般式(4)、(5)、および(13)で示されるモノマーを用いて一般式(14)に示す樹脂を合成した。
【0060】
【化15】
【0061】
一般式(4)で表されるメタクリル酸2.0g(23.3mmol)、一般式(5)で表されるα−ヒドロキシメチルアクリル酸エチル10.58g(81.4mmol)、および一般式(13)で表されるアダマンタンアルコールアクリレート2.58g(11.6mmol)と、重合開始剤であるアゾビスイソ酢酸ジメチル、0.85g(3.7mmol)とをTHF(テトラヒドロフラン)200mlに溶解した。窒素バブリングを約10分間行い、70℃のウォーターバスを用いて加温しながら4時間攪拌し、その後室温まで冷却した。
次いでTHF200mlに溶解し、ヘプタン800mlとイソプロピルアルコール200mlの混合溶媒にて析出させ、結晶を回収した。得られた樹脂の重量平均分子量は7000であった。
【0062】
【化16】
【0063】
一般式(14)中、l/m/n=10/20/70である。
【0064】
(比較樹脂合成例3)以下の一般式(4)、(5)、および(15)で示されるモノマーを用いて一般式(16)に示す樹脂を合成した。
【0065】
【化17】
【0066】
一般式(4)で表されるメタクリル酸1.0g(11.6mmol)、一般式(5)で表されるα−ヒドロキシメチルアクリル酸メチル4.0g(34.5mmol)、および一般式(15)で表されるα−ヒドロキシメチルアクリル酸トリシクロデカン2.75g(11.6mmol)と、重合開始剤であるアゾビスイソ酢酸ジメチル0.34g(1.48mmol)とをTHF(テトラヒドロフラン)150mlに溶解した。窒素バブリングを約10分間行い、70℃のウォーターバスを用いて加温しながら4時間攪拌し、その後室温まで冷却した。
【0067】
次いでTHF120mlに溶解し、ヘプタン800mlとイソプロピルアルコール200mlの混合溶媒にて析出させ、結晶を回収した。得られた樹脂の重量平均分子量は6000であった。
【0068】
【化18】
【0069】
一般式(16)中、l/m/n=20/20/60である。
【0070】
(実施例1)
樹脂合成例1で得られた樹脂を用いてレジストパターンの形成を行なった。具体的には、まず、反射防止膜形成用材料「AR−19」(商品名、Shipley社製)をスピンナーを用いてシリコンウェーハ上に塗布し、ホットプレート上で215℃、60秒間焼成して乾燥させることにより、膜厚82nmの反射防止膜を形成した。そして、上記樹脂を溶剤(PE(プロピレングリコールモノメチルエーテル)/H2O=12/1)に溶解し、酸発生剤(TPS−C4(大日本製薬社製):0.671%)、アミン(4−Phenylpyridine:0.15%)、および架橋剤(N−2907三和ケミカル社製:10%)(これら括弧内の数値%はいずれも樹脂の質量に対しての数値を表す)を加えて全体の固形分濃度を7.8質量%とし、スピンナーを用いて反射防止膜上に塗布し、ホットプレート上で100℃、60秒間プレベークして乾燥させることにより、反射防止膜上に膜厚300nmのレジスト層を形成した。
【0071】
次に、マスクパターンを介して、露光装置NSR−S302inline(ニコン社製)により、ArFエキシマレーザー(波長193nm)を用いて、パターン光を照射(露光)した。
【0072】
次いで、100℃、60秒間の条件でPEB処理した。現像処理は、2.38質量%TMAH水溶液を30秒間処理することによって行なった。その後、100℃で60秒間ポストベークを行なった。
【0073】
レジストパターンを走査電子顕微鏡(SEM)にて観察した結果、良好なレジストパターンが得られ、エッチング耐性も高かった。これは、アルカリ現像液に対して、未露光部分の溶解性が良いことに起因すると考えられた。また、SEM観察時のパターンの収縮もほとんど認められなかった。さらに、基板への密着性の向上が認められた。
【0074】
(実施例2)
樹脂合成例2で得られた樹脂を用いてレジストパターンの形成を行なった。具体的には、まず、反射防止膜形成用材料「AR−19」(商品名、Shipley社製)をスピンナーを用いてシリコンウェーハ上に塗布し、ホットプレート上で215℃、60秒間焼成して乾燥させることにより、膜厚82nmの反射防止膜を形成した。そして、上記樹脂を用いて実施例1と全く同様の構成のレジスト組成物を調整し、スピンナーを用いて反射防止膜上に塗布し、ホットプレート上で100℃、60秒間プレベークして乾燥させることにより、反射防止膜上に膜厚300nmのレジスト層を形成した。
【0075】
次に、マスクパターンを介して、露光装置NSR−S302inline(ニコン社製)により、ArFエキシマレーザー(波長193nm)を用いて、パターン光を照射(露光)した。
【0076】
次いで、120℃、60秒間の条件でPEB処理した。現像処理は、2.38質量%TMAH水溶液を30秒間処理することによって行なった。その後、100℃で60秒間ポストベークを行なった。
【0077】
レジストパターンを走査電子顕微鏡(SEM)にて観察した結果、良好なレジストパターンが得られた。これは、アルカリ現像液に対して、未露光部分の溶解性が良いことに起因すると考えられた。エッチング耐性も高く、また、SEM観察時のパターンの収縮もほとんど認められなかった。さらに、基板への密着性の向上が認められた。
【0078】
(実施例3)
樹脂合成例3で得られた樹脂を用いてレジストパターンの形成を行なった。具体的には、まず、反射防止膜形成用材料「AR−19」(商品名、Shipley社製)をスピンナーを用いてシリコンウェーハ上に塗布し、ホットプレート上で215℃、60秒間焼成して乾燥させることにより、膜厚82nmの反射防止膜を形成した。そして、上記樹脂を用いて実施例1と全く同様の構成のレジスト組成物を調整し、スピンナーを用いて反射防止膜上に塗布し、ホットプレート上で100℃、60秒間プレベークして乾燥させることにより、反射防止膜上に膜厚300nmのレジスト層を形成した。
【0079】
次に、マスクパターンを介して、露光装置NSR−S302inline(ニコン社製)により、ArFエキシマレーザー(波長193nm)を用いて、パターン光を照射(露光)した。
【0080】
次いで、120℃、60秒間の条件でPEB処理した。現像処理は、2.38質量%TMAH水溶液を30秒間処理することによって行なった。その後、100℃で60秒間ポストベークを行なった。
【0081】
レジストパターンを走査電子顕微鏡(SEM)にて観察した結果、良好なレジストパターンが得られた。これは、アルカリ現像液に対して、未露光部分の溶解性が良いことに起因すると考えられた。エッチング耐性も高く、また、SEM観察時のパターンの収縮もほとんど認められなかった。さらに、基板への密着性の向上が認められた。
【0082】
(比較例1)
比較樹脂合成例1で得られた樹脂を用いてレジストパターンの形成を行なった。具体的には、まず、反射防止膜形成用材料「AR−19」(商品名、Shipley社製)をスピンナーを用いてシリコンウェーハ上に塗布し、ホットプレート上で215℃、60秒間焼成して乾燥させることにより、膜厚82nmの反射防止膜を形成した。そして、上記樹脂を用いて実施例1と全く同様の構成のレジスト組成物を調整し、スピンナーを用いて反射防止膜上に塗布し、ホットプレート上で100℃、60秒間プレベークして乾燥させることにより、反射防止膜上に膜厚300nmのレジスト層を形成した。
【0083】
次に、マスクパターンを介して、露光装置NSR−S302inline(ニコン社製)により、ArFエキシマレーザー(波長193nm)を用いて、パターン光を照射(露光)した。
【0084】
次いで、100℃、60秒間の条件でPEB処理した。現像処理は、2.38質量%TMAH水溶液を30秒間処理することによって行なった。その後、100℃で60秒間ポストベークを行なった。
【0085】
その結果、実施例1に比べてエッチング耐性が低かった。また、SEM観察時にパターンの収縮が認められた。
【0086】
(比較例2)
比較樹脂合成例2で得られた樹脂を用いてレジストパターンの形成を行なった。具体的には、まず、反射防止膜形成用材料「AR−19」(商品名、Shipley社製)をスピンナーを用いてシリコンウェーハ上に塗布し、ホットプレート上で215℃、60秒間焼成して乾燥させることにより、膜厚82nmの反射防止膜を形成した。そして、上記樹脂を用いて実施例1と全く同様の構成のレジスト組成物を調整し、スピンナーを用いて反射防止膜上に塗布し、ホットプレート上で100℃、60秒間プレベークして乾燥させることにより、反射防止膜上に膜厚300nmのレジスト層を形成した。
【0087】
次に、マスクパターンを介して、露光装置NSR−S302inline(ニコン社製)により、ArFエキシマレーザー(波長193nm)を用いて、パターン光を照射(露光)した。
【0088】
次いで、100℃、60秒間の条件でPEB処理した。現像処理は、2.38質量%TMAH水溶液を30秒間処理することによって行なった。その後、100℃で60秒間ポストベークを行なった。
【0089】
レジストパターンを走査電子顕微鏡(SEM)にて観察した結果、アルカリ現像液に対して、未露光部分の溶解性が悪く、部分的に不溶解物が確認された。これは単に水酸基が修飾された脂環式(多環式)構造を有するモノマーでは、アルカリ現像液に対する溶解性の改善は図れないことが明らかとなった。また、露光部分についてはアルカリ現像液に対する膨潤が発生した。
【0090】
(比較例3)
比較樹脂合成例1で得られた樹脂を用いてレジストパターンの形成を行なった。具体的には、まず、反射防止膜形成用材料「AR−19」(商品名、Shipley社製)をスピンナーを用いてシリコンウェーハ上に塗布し、ホットプレート上で215℃、60秒間焼成して乾燥させることにより、膜厚82nmの反射防止膜を形成した。そして、上記樹脂を用いて実施例1と同様の構成のレジスト組成物を調整し、スピンナーを用いて反射防止膜上に塗布し、ホットプレート上で100℃、60秒間プレベークして乾燥させることにより、反射防止膜上に膜厚300nmのレジスト層を形成した。
【0091】
次に、マスクパターンを介して、露光装置NSR−S302inline(ニコン社製)により、ArFエキシマレーザー(波長193nm)を用いて、パターン光を照射(露光)した。
【0092】
次いで、100℃、60秒間の条件でPEB処理した。現像処理は、2.38質量%TMAH水溶液を30秒間処理することによって行なった。その後、100℃で60秒間ポストベークを行なった。
【0093】
レジストパターンを走査電子顕微鏡(SEM)にて観察した結果、アルカリ現像液に対して、未露光部分が溶解せず、レジストパターンを得ることができなかった。
【0094】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明のネガ型レジスト組成物は、ホトレジスト層に用いて好適な、モノマー成分として少なくともα−(ヒドロキシアルキル)アクリル酸α−(ヒドロキシアルキル)アクリル酸アルキルエステル、及び(メタ)アクリル酸ヒドロキシアルキルエステルの中から選ばれる少なくとも1種のモノマーと、他のエチレン性不飽和カルボン酸及びエチレン性不飽和カルボン酸エステルの中から選ばれる少なくとも1種のモノマーとを有する共重合体と、酸発生剤とを含有するネガ型レジスト組成物であって、前記共重合体のモノマー成分として、さらに親水性部位を有する脂環式構造を有するモノマーを含むことを特徴とする。係る構成によって、本発明は以下のような効果を得ることができる。
【0095】
前記構成を特徴とする本発明によれば、ドライエッチング耐性および走査電子顕微鏡(SEM)による電子線への耐性(SEM耐性)の向上が認められるとともにアルカリ現像液に対する溶解性をも維持することができるため、良好なレジストパターンを得ることができる。また、樹脂が膨潤しないため、形状の良いパターンを得ることができる。基板への密着性も向上する。
Claims (6)
- ホトレジスト層に用いて好適な、モノマー成分として少なくとも、α−(ヒドロキシアルキル)アクリル酸、α−(ヒドロキシアルキル)アクリル酸アルキルエステル、及び(メタ)アクリル酸ヒドロキシアルキルエステルの中から選ばれる少なくとも1種のモノマーと、他のエチレン性不飽和カルボン酸及びエチレン性不飽和カルボン酸エステルの中から選ばれる少なくとも1種のモノマーとを有する共重合体と、酸発生剤とを含有するネガ型レジスト組成物であって、
前記共重合体のモノマー成分として、さらに少なくとも親水性部位を有する脂環式構造を有するモノマーを含むことを特徴とするネガ型レジスト組成物。 - 前記脂環式構造を有するモノマーの親水性部位が、ラクトン構造を有する部位であることを特徴とする請求項1に記載のネガ型レジスト組成物。
- 少なくとも基板上に請求項1〜5のいずれか一項に記載のネガ型レジスト組成物を用いてホトレジスト層を形成するホトレジスト層形成工程と、このホトレジスト層に露光および現像処理を施して、所定のホトレジストパターンを形成するホトレジストパターン形成工程とを有するレジストパターン形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003166307A JP4040536B2 (ja) | 2003-06-11 | 2003-06-11 | ネガ型レジスト組成物、及びそれを用いたレジストパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003166307A JP4040536B2 (ja) | 2003-06-11 | 2003-06-11 | ネガ型レジスト組成物、及びそれを用いたレジストパターン形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005003862A true JP2005003862A (ja) | 2005-01-06 |
JP4040536B2 JP4040536B2 (ja) | 2008-01-30 |
Family
ID=34092509
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003166307A Expired - Fee Related JP4040536B2 (ja) | 2003-06-11 | 2003-06-11 | ネガ型レジスト組成物、及びそれを用いたレジストパターン形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4040536B2 (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006351912A (ja) * | 2005-06-17 | 2006-12-28 | Nichicon Corp | 電解コンデンサの駆動用電解液 |
US8129100B2 (en) | 2008-04-04 | 2012-03-06 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Double patterning process |
US8247166B2 (en) | 2008-09-05 | 2012-08-21 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Double patterning process |
EP3035121A2 (en) | 2014-12-18 | 2016-06-22 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Monomer, polymer, resist composition, and patterning process |
KR20160074421A (ko) | 2014-12-18 | 2016-06-28 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 단량체, 고분자 화합물, 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법 |
KR20160136237A (ko) | 2015-05-19 | 2016-11-29 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 고분자 화합물 및 단량체 그리고 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법 |
EP3168207A1 (en) | 2015-11-10 | 2017-05-17 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Monomer, polymer, resist composition, and patterning process |
EP3205640A1 (en) | 2016-02-10 | 2017-08-16 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Monomer, polymer, resist composition, and patterning process |
KR20190022392A (ko) | 2017-08-23 | 2019-03-06 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 중합성 단량체, 중합체, 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101458946B1 (ko) * | 2012-10-17 | 2014-11-07 | 금호석유화학 주식회사 | 신규 아크릴계 단량체, 중합체 및 이를 포함하는 레지스트 조성물 |
Citations (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05216233A (ja) * | 1992-02-04 | 1993-08-27 | Fujitsu Ltd | 化学増幅系レジストとレジストパターンの形成方法 |
JPH1172917A (ja) * | 1997-08-27 | 1999-03-16 | Nec Corp | ネガ型フォトレジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
JPH11311860A (ja) * | 1998-04-28 | 1999-11-09 | Fujitsu Ltd | ネガ型レジスト組成物およびレジストパターンの形成方法 |
JP2000122295A (ja) * | 1998-05-25 | 2000-04-28 | Daicel Chem Ind Ltd | フォトレジスト用化合物およびフォトレジスト用樹脂組成物 |
JP2000206694A (ja) * | 1998-11-10 | 2000-07-28 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ネガ型レジスト組成物 |
JP2000281729A (ja) * | 1999-03-30 | 2000-10-10 | Nec Corp | ジオール構造を含有してなる重合体、それを用いたネガ型レジスト組成物及びパターン形成方法 |
JP2000347409A (ja) * | 1999-06-04 | 2000-12-15 | Fuji Photo Film Co Ltd | 遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物 |
JP2001188347A (ja) * | 1999-10-18 | 2001-07-10 | Jsr Corp | 感放射線性樹脂組成物 |
JP2002006502A (ja) * | 2000-04-20 | 2002-01-09 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | レジスト用(共)重合体およびレジスト組成物 |
JP2002040636A (ja) * | 2000-07-25 | 2002-02-06 | Nec Corp | 光酸発生剤及びそれを含有するフォトレジスト組成物、並びに該組成物を用いたパターン形成方法 |
WO2002048217A1 (fr) * | 2000-12-13 | 2002-06-20 | Daicel Chemical Industries, Ltd. | Polymere pour vernis photoresistant et compositions de resine l'utilisant |
JP2002229192A (ja) * | 2001-02-02 | 2002-08-14 | Jsr Corp | 感放射線性樹脂組成物 |
JP2002244292A (ja) * | 2001-02-21 | 2002-08-30 | Sumitomo Chem Co Ltd | 着色感光性樹脂組成物 |
JP2002338627A (ja) * | 2001-05-22 | 2002-11-27 | Daicel Chem Ind Ltd | フォトレジスト用高分子化合物及び感光性樹脂組成物 |
JP2003005370A (ja) * | 2001-06-20 | 2003-01-08 | Hitachi Ltd | パタン形成方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2003064131A (ja) * | 2001-06-15 | 2003-03-05 | Nec Corp | 化学増幅レジスト用単量体、化学増幅レジスト用重合体、化学増幅レジスト組成物、パターン形成方法 |
JP2003114523A (ja) * | 2001-08-02 | 2003-04-18 | Sumitomo Chem Co Ltd | 化学増幅型ポジ型レジスト組成物 |
JP2003160612A (ja) * | 2001-11-26 | 2003-06-03 | Daicel Chem Ind Ltd | フォトレジスト用高分子化合物及びフォトレジスト用樹脂組成物 |
JP2003342323A (ja) * | 2002-05-28 | 2003-12-03 | Everlight Usa Inc | 化学増幅型ホトレジスト組成物の樹脂 |
JP2003345025A (ja) * | 2002-05-28 | 2003-12-03 | Everlight Usa Inc | 化学増幅型ホトレジスト組成物 |
JP2004323704A (ja) * | 2003-04-25 | 2004-11-18 | Daicel Chem Ind Ltd | フォトレジスト用重合体合成用(メタ)アクリル酸エステルとその製造法 |
-
2003
- 2003-06-11 JP JP2003166307A patent/JP4040536B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05216233A (ja) * | 1992-02-04 | 1993-08-27 | Fujitsu Ltd | 化学増幅系レジストとレジストパターンの形成方法 |
JPH1172917A (ja) * | 1997-08-27 | 1999-03-16 | Nec Corp | ネガ型フォトレジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
JPH11311860A (ja) * | 1998-04-28 | 1999-11-09 | Fujitsu Ltd | ネガ型レジスト組成物およびレジストパターンの形成方法 |
JP2000122295A (ja) * | 1998-05-25 | 2000-04-28 | Daicel Chem Ind Ltd | フォトレジスト用化合物およびフォトレジスト用樹脂組成物 |
JP2000206694A (ja) * | 1998-11-10 | 2000-07-28 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ネガ型レジスト組成物 |
JP2000281729A (ja) * | 1999-03-30 | 2000-10-10 | Nec Corp | ジオール構造を含有してなる重合体、それを用いたネガ型レジスト組成物及びパターン形成方法 |
JP2000347409A (ja) * | 1999-06-04 | 2000-12-15 | Fuji Photo Film Co Ltd | 遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物 |
JP2001188347A (ja) * | 1999-10-18 | 2001-07-10 | Jsr Corp | 感放射線性樹脂組成物 |
JP2002006502A (ja) * | 2000-04-20 | 2002-01-09 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | レジスト用(共)重合体およびレジスト組成物 |
JP2002040636A (ja) * | 2000-07-25 | 2002-02-06 | Nec Corp | 光酸発生剤及びそれを含有するフォトレジスト組成物、並びに該組成物を用いたパターン形成方法 |
WO2002048217A1 (fr) * | 2000-12-13 | 2002-06-20 | Daicel Chemical Industries, Ltd. | Polymere pour vernis photoresistant et compositions de resine l'utilisant |
JP2002229192A (ja) * | 2001-02-02 | 2002-08-14 | Jsr Corp | 感放射線性樹脂組成物 |
JP2002244292A (ja) * | 2001-02-21 | 2002-08-30 | Sumitomo Chem Co Ltd | 着色感光性樹脂組成物 |
JP2002338627A (ja) * | 2001-05-22 | 2002-11-27 | Daicel Chem Ind Ltd | フォトレジスト用高分子化合物及び感光性樹脂組成物 |
JP2003064131A (ja) * | 2001-06-15 | 2003-03-05 | Nec Corp | 化学増幅レジスト用単量体、化学増幅レジスト用重合体、化学増幅レジスト組成物、パターン形成方法 |
JP2003005370A (ja) * | 2001-06-20 | 2003-01-08 | Hitachi Ltd | パタン形成方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2003114523A (ja) * | 2001-08-02 | 2003-04-18 | Sumitomo Chem Co Ltd | 化学増幅型ポジ型レジスト組成物 |
JP2003160612A (ja) * | 2001-11-26 | 2003-06-03 | Daicel Chem Ind Ltd | フォトレジスト用高分子化合物及びフォトレジスト用樹脂組成物 |
JP2003342323A (ja) * | 2002-05-28 | 2003-12-03 | Everlight Usa Inc | 化学増幅型ホトレジスト組成物の樹脂 |
JP2003345025A (ja) * | 2002-05-28 | 2003-12-03 | Everlight Usa Inc | 化学増幅型ホトレジスト組成物 |
JP2004323704A (ja) * | 2003-04-25 | 2004-11-18 | Daicel Chem Ind Ltd | フォトレジスト用重合体合成用(メタ)アクリル酸エステルとその製造法 |
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4641454B2 (ja) * | 2005-06-17 | 2011-03-02 | ニチコン株式会社 | 電解コンデンサの駆動用電解液 |
JP2006351912A (ja) * | 2005-06-17 | 2006-12-28 | Nichicon Corp | 電解コンデンサの駆動用電解液 |
US8129100B2 (en) | 2008-04-04 | 2012-03-06 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Double patterning process |
US8247166B2 (en) | 2008-09-05 | 2012-08-21 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Double patterning process |
US9758609B2 (en) | 2014-12-18 | 2017-09-12 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Monomer, polymer, resist composition, and patterning process |
EP3035121A2 (en) | 2014-12-18 | 2016-06-22 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Monomer, polymer, resist composition, and patterning process |
KR20160074421A (ko) | 2014-12-18 | 2016-06-28 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 단량체, 고분자 화합물, 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법 |
KR20160136237A (ko) | 2015-05-19 | 2016-11-29 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 고분자 화합물 및 단량체 그리고 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법 |
US9790166B2 (en) | 2015-05-19 | 2017-10-17 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Polymer, monomer, resist composition, and patterning process |
KR20170055000A (ko) | 2015-11-10 | 2017-05-18 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 중합성 단량체, 고분자 화합물, 레지스트 재료, 및 패턴 형성 방법 |
EP3168207A1 (en) | 2015-11-10 | 2017-05-17 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Monomer, polymer, resist composition, and patterning process |
EP3415494A1 (en) | 2015-11-10 | 2018-12-19 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Monomer, polymer, resist composition, and patterning process |
US10527939B2 (en) | 2015-11-10 | 2020-01-07 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Monomer, polymer, resist composition, and patterning process |
US10591819B2 (en) | 2015-11-10 | 2020-03-17 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Monomer, polymer, resist composition, and patterning process |
EP3205640A1 (en) | 2016-02-10 | 2017-08-16 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Monomer, polymer, resist composition, and patterning process |
US10023674B2 (en) | 2016-02-10 | 2018-07-17 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Monomer, polymer, resist composition, and patterning process |
KR20190022392A (ko) | 2017-08-23 | 2019-03-06 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 중합성 단량체, 중합체, 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법 |
US11009793B2 (en) | 2017-08-23 | 2021-05-18 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Monomer, polymer, resist composition, and patterning process |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4040536B2 (ja) | 2008-01-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3727044B2 (ja) | ネガ型レジスト組成物 | |
JP4563227B2 (ja) | ネガ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 | |
JP2004294638A (ja) | ネガ型レジスト材料およびレジストパターン形成方法 | |
JP3743187B2 (ja) | フォトレジスト組成物 | |
JP2011090284A (ja) | 光酸発生剤およびこれを含むフォトレジスト | |
JP2001183836A (ja) | 化学増幅型ポジ型レジスト組成物 | |
JP3546687B2 (ja) | フォトレジスト組成物 | |
KR20020018132A (ko) | 포지티브형 포토레지스트조성물 및 이것을 이용한레지스트패턴형성방법 | |
JP4754265B2 (ja) | ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 | |
KR20020044080A (ko) | 포지티브형 포토레지스트조성물 | |
US6699645B2 (en) | Method for the formation of resist patterns | |
JP4135848B2 (ja) | ポジ型レジスト組成物 | |
JP4040537B2 (ja) | ネガ型レジスト組成物、及びそれを用いたレジストパターン形成方法 | |
JPH11212265A (ja) | 化学増幅型のポジ型レジスト組成物 | |
JP4628809B2 (ja) | ネガ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 | |
JP4040536B2 (ja) | ネガ型レジスト組成物、及びそれを用いたレジストパターン形成方法 | |
JP2003255542A (ja) | ポジ型感光性組成物 | |
US20090269706A1 (en) | Method for forming resist pattern | |
JP2006163066A (ja) | ネガ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 | |
JP3989087B2 (ja) | フォトレジスト用被膜形成材料、フォトレジスト組成物及びパターン形成方法 | |
JP4289937B2 (ja) | ホトレジスト組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法 | |
JP4684740B2 (ja) | ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 | |
JP4080784B2 (ja) | レジスト用現像液及びそれを用いたレジストパターン形成方法、並びにレジスト用現像原液 | |
JP2005172949A (ja) | ホトレジスト組成物およびレジストパターン形成方法 | |
JP4023745B2 (ja) | α‐ヒドロキシアルキル基をもつアクリル酸のエステルの共重合体 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20060130 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20060210 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060915 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070515 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070713 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070814 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071012 |
|
A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20071019 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20071106 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20071107 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101116 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |