JP2002040636A - 光酸発生剤及びそれを含有するフォトレジスト組成物、並びに該組成物を用いたパターン形成方法 - Google Patents

光酸発生剤及びそれを含有するフォトレジスト組成物、並びに該組成物を用いたパターン形成方法

Info

Publication number
JP2002040636A
JP2002040636A JP2000224661A JP2000224661A JP2002040636A JP 2002040636 A JP2002040636 A JP 2002040636A JP 2000224661 A JP2000224661 A JP 2000224661A JP 2000224661 A JP2000224661 A JP 2000224661A JP 2002040636 A JP2002040636 A JP 2002040636A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
oxo
photoacid generator
methyl
alkyl
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2000224661A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3386041B2 (ja
Inventor
Shigeyuki Iwasa
繁之 岩佐
Katsumi Maeda
勝美 前田
Kaichiro Nakano
嘉一郎 中野
Etsuo Hasegawa
悦雄 長谷川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP2000224661A priority Critical patent/JP3386041B2/ja
Priority to KR1020037000975A priority patent/KR100547594B1/ko
Priority to PCT/JP2001/006325 priority patent/WO2002008833A1/ja
Priority to US10/333,579 priority patent/US6849384B2/en
Publication of JP2002040636A publication Critical patent/JP2002040636A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3386041B2 publication Critical patent/JP3386041B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/0045Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C381/00Compounds containing carbon and sulfur and having functional groups not covered by groups C07C301/00 - C07C337/00
    • C07C381/12Sulfonium compounds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07DHETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D333/00Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one sulfur atom as the only ring hetero atom
    • C07D333/02Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one sulfur atom as the only ring hetero atom not condensed with other rings
    • C07D333/46Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one sulfur atom as the only ring hetero atom not condensed with other rings substituted on the ring sulfur atom
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • G03F7/0397Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition the macromolecular compound having an alicyclic moiety in a side chain
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/1053Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
    • Y10S430/1055Radiation sensitive composition or product or process of making
    • Y10S430/114Initiator containing
    • Y10S430/115Cationic or anionic
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/1053Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
    • Y10S430/1055Radiation sensitive composition or product or process of making
    • Y10S430/114Initiator containing
    • Y10S430/122Sulfur compound containing
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/1053Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
    • Y10S430/1055Radiation sensitive composition or product or process of making
    • Y10S430/114Initiator containing
    • Y10S430/122Sulfur compound containing
    • Y10S430/123Sulfur in heterocyclic ring

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Heterocyclic Compounds Containing Sulfur Atoms (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 透明性を向上させた上で、感度及び熱安定性
の低下を防止することができるようにした光酸発生剤及
びそれを含有するフォトレジスト組成物、並びに該組成
物を用いたパターン形成方法を提供する。 【解決手段】 開示される光酸発生剤は、一般式(1)
で表されるスルホニウム塩化合物から成る。 【化2】 (2) (但し、R1、R2はアルキル基又はオキソ基を有するア
ルキル基、あるいはこれらが環状につながったアルキレ
ン基又はオキソ基を有するアルキレン基を表し、R3
4、R5は水素原子又は直鎖状、分岐状、単環式、多環
式あるいは橋かけ環式のアルキル基を表す)。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、光酸発生剤及び
それを含有するフォトレジスト組成物、並びに該組成物
を用いたパターン形成方法に係り、詳しくは、ArFエ
キシマレーザ光に代表される遠紫外線を露光光とするフ
ォトリソグラフィ技術に好適な光酸発生剤及びそれを含
有するフォトレジスト組成物、並びに該組成物を用いた
パターン形成方法に関する。
【0002】
【従来の技術】LSI(大規模集積回路)で代表される
半導体装置の製造では、半導体基板上に形成した酸化シ
リコン膜、窒化シリコン膜等の絶縁膜、又はアルミニウ
ム合金膜、銅合金膜等の導電膜、あるいは半導体基板自
身を含む被加工物を所望の形状にパターニングするため
に、フォトリソグラフィ技術が欠かせない。このフォト
リソグラフィでは、従来から、紫外線に感光するフォト
レジストを用いて被加工物上に塗布してフォトレジスト
膜を形成した後、このフォトレジスト膜にマスクパター
ンを介して紫外線を照射(露光)して、紫外線照射領域
を可溶化(ポジ型)、あるいは紫外線照射領域を不溶化
(ネガ型)に変質させることが行われている。そして、
次に、フォトレジスト膜を現像処理して可溶化領域を溶
剤により部分的に除去してレジストパターンを形成した
後、このレジストパターンをマスクとして被加工物を選
択的にエッチングさせて、パターニングするようにして
いる。
【0003】ところで、LSIでは一段と高機能化、高
性能化が要求されるにつれて、より一層の高密度、高集
積化が進められている。そのため、微細回路パタ−ン形
成のためのフォトリソグラフィ技術に対する要求がます
ます厳しくなっている。このため、パタ−ンの微細化を
図る手段の一つとして、露光光を発生するリソグラフィ
光源の短波長化がある。例えば、256Mビット〜1G
ビット(加工寸法が0.25μm〜0.15μm)のD
RAM(Dynamic Ramdom Access Memory)の量産プロセ
スには、これまで使用されていたi線(波長;365n
m)から成る紫外線に代わって、より短波長のKrFエ
キシマレーザ光(波長;248nm)から成る遠紫外線
が使用されている。また、さらに微細な加工技術を必要
とする4Gビット(加工寸法が0.15μm以下)以上
の集積度を持つDRAMの製造には、さらに短波長の遠
紫外線を発生する光源が必要とされており、ArFエキ
シマレ−ザ光(波長;193nm)、F2エキシマレー
ザ光(波長;157nm)を使用するフォトリソグラフ
ィが有効であると考えられている。
【0004】特にArFエキシマレーザ光を使用するリ
ソグラフィ(ArFエキシマレーザリソグラフィ)は、
KrFエキシマレ−ザリソグラフィの次の微細加工技術
として有力な候補となっており、現在盛んに研究されて
いる[例えば、武智ら、ジャ−ナル・オブ・フォトポリ
マ−・サイエンス・アンド・テクノロジ−(Journ
al of Photopolymer Scienc
e and Technology)、5巻(3号)、
439頁〜446頁(1992年)、R.D.アレン
(R.D.Allen)ら、ジャ−ナル・オブ・フォト
ポリマ−・サイエンス・アンド・テクノロジ−(Jou
rnal of Photopolymer Scie
nce and Technology)、8巻(4
号)、623頁〜636頁(1995年)、および9巻
(3号)、465頁〜474頁(1996年)]。
【0005】上述のようなArF、F2エキシマレーザ
光を使用するリソグラフィ用レジストには、レ−ザ発振
の原料であるガスの寿命が短いこと、高価なレンズが必
要であること、さらにそのレンズがレーザによりダメー
ジを受け易いこと等の背景事情から、加工寸法の微細化
に対応する高解像性に加え、高感度化への要求が高くな
っている。このような要求に適した高感度なフォトレジ
ストとして、感光剤である光酸発生剤を利用する化学増
幅型レジストが良く知られている。この化学増幅型レジ
ストの特徴は、光照射により含有成分である光酸発生剤
から発生したプロトン酸が、露光後の加熱処理によりレ
ジストのベース樹脂等に対し酸触媒反応を起こすことで
あり、これによって光反応効率(一光子あたりの反応)
が1未満の従来のレジストに比べて飛躍的な高感度化を
達成している。
【0006】化学増幅レジストの代表的な例としては、
例えば特開平2−27660号公報に記載されているト
リフェニルスルホニウム・ヘキサフルオロア−セナ−ト
とポリ(p−tert−ブトキシカルボニルオキシ−α
−メチルスチレン)との組み合わせから成るレジストが
知られている。現在では開発されるレジストの大半が化
学増幅型であり、露光光源の短波長化に対応した高感度
材料の開発は必須となっている。
【0007】ここで、上述した化学増幅型レジストは、
ポジ型とネガ型とが用いられている。この内、ポジ型の
化学増幅型レジストは(1)光酸発生剤、(2)酸分解
性基を有するベース樹脂、(3)溶媒の少なくとも3種
類の成分から構成される。一方、ネガ型の化学増幅型レ
ジストは、架橋剤を必須とするものと必須としないもの
とに二分され、前者に関しては(1)光酸発生剤、
(2)架橋剤と反応可能なベース樹脂、(3)架橋剤、
(4)溶媒の少なくとも4種類の成分から構成され、ま
た、後者に関しては(1)光酸発生剤、(2)架橋性基
を有するベース樹脂、(3)溶媒の少なくとも3種類の
成分から構成される。
【0008】このような化学増幅型レジストにおいて、
重要な役割を担う光酸発生剤の例としては、例えばジャ
−ナル・オブ・ジ・オ−ガニック・ケミストリ−(Jo
urnal of the Organic Chem
istry)、43巻、15号、3055頁〜3058
頁(1978年)に記載されているトリフェニルスルホニ
ウム塩誘導体、特開平7−28237号公報で開示され
たシクロヘキシルメチル(2−オキソシクロヘキシル)
スルホニウム トリフルオロメタンスルホナート等のア
ルキルスルホニウム塩誘導体、あるいはジャ−ナル・オ
ブ・ザ・ポリマー・サイエンス(Journal of
the Polymer Science)、56
巻、383頁〜395頁(1976年)に記載されている
ジフェニルヨードニウム塩誘導体、スクシンイミド誘導
体等が知られている。
【0009】また、特にArFエキシマレーザリソグラ
フィにおいて、現在最もよく用いられている光酸発生剤
はスルホニウム塩化合物である。その中でもトリフェニ
ルスルホニウム塩誘導体が最も良く用いられている[例
えば、野崎ら、ジャーナル・オブ・フォトポリマー・サ
イエンス・アンド・テクノロジー(Journalof
Photopolymer Science and
Technology)10巻、4号、545〜55
0頁(1997年)、あるいはYamachikaら、
ジャーナル・オブ・フォトポリマー・サイエンス・アン
ド・テクノロジー(Journal of Photo
polymer Science and Techn
ology)12巻、4号、553〜560頁(199
9年)参照]。
【0010】ここで、ArFエキシマレーザ光に代表さ
れる短波長露光光源を用いたリソグラフィ用レジストの
重要な技術課題の一つに、露光光に対する透明性の向上
がある。これは、透明性の悪いとレジストの解像性が低
下する、パターンが裾を引くなど形状が悪くなるためで
ある。このような観点から見た場合、ArFエキシマレ
ーザリソグラフィにおいて、スルホニウム塩化合物から
成る光酸発生剤として現在最もよく用いられている上述
のトリフェニルスルホニウム塩誘導体は、残念ながら透
明性が悪いという問題がある。すなわち、トリフェニル
スルホニウム塩誘導体は、ベンゼン環を有するためAr
Fエキシマレーザ光等の220nm以下の遠紫外光を強
く吸収する性質があるため、トリフェニルスルホニウム
塩誘導体を光酸発生剤として用いた場合、レジストの透
明性が低くなるという問題点がある[例えば、内藤卓
也、第8回光反応・電子材料研究会講座、講演要旨集、
16〜18頁、(1999年)参照]。
【0011】それゆえ、ArFエキシマレーザ光に高透
明となるような新たな光酸発生剤として、アルキルスル
ホニウム塩2−オキソシクロヘキシル−メチル(2−ノ
ルボルニル)スルホニウム トリフルオロメタンスルホ
ナート(NEALS)、シクロヘキシルメチル(2−オ
キソシクロヘキシル)スルホニウム トリフルオロメタ
ンスルホナート(ALS)が開発されるに至った[例え
ば、SPIEプロシーディング(Proceeding
of SPIE)、2195巻、194−204頁(1
994)、SPIEプロシーディング(Proceed
ing of SPIE)、2438巻、433−444
頁(1995)参照]。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述の新た
に開発されたNEALS及びALS等のスルホニウム塩
化合物から成る光酸発生剤では、透明性を向上させるこ
とができる反面、感度および熱安定性が低い、という問
題がある。すなわち、感度に関しては、ArFエキシマ
レーザリソグラフィでは、一般に、20mJ/cm2
下(理想としては10mJ/cm2以下)の感度(露光
量)が要求されているが、前述のNEALSは感度50
mJ/cm2以上の露光量を必要としているので、感度
の低下が避けられない。一方、熱安定性に関しては、レ
ジスト膜(樹脂膜)中での熱分解点は略120℃以下で
あるので、レジスト膜形成時の加熱工程や露光後の加熱
工程での上限温度は略120℃に制約される。したがっ
て、上述のスルホニウム塩化合物を光酸発生剤として用
いたレジストでは、未露光部でも分解により酸を放出す
るためには略125℃以上の加熱プロセスが必要になる
が、この加熱が不可能になるため、熱安定性が低くな
る。
【0013】この発明は、上述の事情に鑑みてなされた
もので、透明性を向上させた上で、感度及び熱安定性の
低下を防止することができるようにした光酸発生剤及び
それを含有するフォトレジスト組成物、並びに該組成物
を用いたパターン形成方法を提供することを目的として
いる。
【0014】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項1記載の発明は、光酸発生剤に係り、一般式
(3)で表されるスルホニウム塩化合物から成ることを
特徴としている。
【化3】 (3) (但し、Rはアルキレン基又はオキソ基を有するアルキ
レン基を表し、R、R 、Rは水素原子又は直鎖
状、分岐状、単環式、多環式あるいは橋かけ環式のアル
キル基を表す)。
【0015】また、請求項2記載の発明は、請求項1記
載の光酸発生剤に係り、一般式(3)においてRが炭素
数4から7のアルキレン基又はオキソ基を有するアルキ
レン基、R3、R4、R5は水素原子又は炭素数1から1
2の直鎖状、分岐状、単環式、多環式あるいは橋かけ環
式のアルキル基であるスルホニウム塩化合物から成るこ
とを特徴とする請求項1記載の光酸発生剤。
【0016】 また、請求項3記載の発明は、光酸発光
剤に係り、一般式(4)で表されるスルホニウム塩化合
物から成ることを特徴としている。
【化4】 (4) (但し、R1、R2はアルキル基又はオキソ基を有するア
ルキル基、あるいはこれらが環状につながったアルキレ
ン基又はオキソ基を有するアルキレン基を表し、R3
4、R5は水素原子又は直鎖状、分岐状、単環式、多環
式あるいは橋かけ環式のアルキル基を表す)。
【0017】また、請求項4記載の発明は、請求項3記
載の光酸発生剤に係り、一般式(4)において、R1
2がアルキル基又はオキソ基を有するアルキルの場
合、その炭素数が1から12であり、さらにこれらが環
状につながったアルキレン基又はオキソ基を有するアル
キレン基の場合、そのアルキレン基又はオキソアルキレ
ン基の炭素数が4から7であり、またR3、R4、R5
水素原子又は炭素数1から12の直鎖状、分岐状、単環
式、多環式あるいは橋かけ環式のアルキル基であるスル
ホニウム塩化合物から成ることを特徴としている。
【0018】また、請求項5記載の発明は、請求項1乃
至4のいずれか1に記載の光酸発生剤に係り、一般式
(3)、(4)において、Y-で表される対イオンが、
Z−SO3 -(ZはCn2n+1(nは1乃至8)、アルキ
ル基、アルキル置換又は無置換の芳香族基を表す)、B
4 -、AsF6 -、SbF6 -、ClO4 -、Br-、Cl-
又はI-であるスルホニウム塩化合物から成ることを特
徴としている。
【0019】また、請求項6記載の発明は、ポジ型フォ
トレジスト組成物に係り、請求項1乃至5のいずれか1
に記載の光酸発生剤を含有することを特徴としている。
【0020】また、請求項7記載の発明は、ネガ型フォ
トレジスト組成物に係り、請求項1乃至5のいずれか1
に記載の光酸発生剤を含有することを特徴としている。
【0021】また、請求項8記載の発明は、パターン形
成方法に係り、請求項6又は7記載のフォトレジスト組
成物を被加工基板上に塗布する工程、上記被加工基板を
略300nm以下の波長の光で露光する工程、上記被加
工基板を現像する工程を含むことを特徴としている。
【0022】また、請求項9記載の発明は、請求項8記
載のパターン形成方法に係り、上記露光光がKrFエキ
シマレーザ光であることを特徴としている。
【0023】また、請求項10記載の発明は、請求項8
記載のパターン形成方法に係り、上記露光光がArFエ
キシマレーザ光であることを特徴としている。
【0024】また、請求項11記載の発明は、請求項8
記載のパターン形成方法に係り、上記露光光がFエキ
シマレーザ光であることを特徴としている。
【0025】
【発明の実施の形態】前提 この発明の実施の形態の説明に先立ち、この発明の前提
について概略的に説明する。この発明の発明者は、上記
目的を達成するために鋭意研究を行った結果、この発明
を完成した。すなわち、この発明により、ArFエキシ
マレーザー光に対し透明性が高く、樹脂膜中でも略15
0℃以上の熱安定性を有する光酸発生剤(スルホニウム
塩化合物)を得た。具体的には、以下に開示する構造の
新規なアルキルスルホニウム塩化合物から成る光酸発生
剤、及びこれを含有成分とするフォトレジスト組成物、
並びに該フォトレジスト組成物を使用して光照射によっ
てパターニングを行うパターン形成方法により上記課題
が解決されることを見い出しこの発明に至った。
【0026】上記一般式(4)において、R1、R2はア
ルキル基又はオキソ基を有するアルキル基であり、ある
いはこれらが環状につながりアルキレン又はオキソ基を
有するアルキレン基を形成してもよい。アルキル基の具
体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソ
プロピル基、ブチル基、、sec−ブチル基、tert
−ブチル基、2-メチル-ブチル基、3-メチル-ブチル基、
3,3-ジメチル-ブチル基、ペンチル基、2-メチル-ペンチ
ル基、3-メチル-ペンチル基、4-メチル-ペンチル基、4,
4-ジメチル-ペンチル基、2-エチル-ペンチル基、3-エチ
ル-ペンチル基、ヘキシル基、3-メチル-ヘキシル基、4-
メチル-ヘキシル基、5-メチル-ヘキシル基、5,5-ジメチ
ル-ヘキシル基、2-エチル-ヘキシル基、3-エチル-ヘキ
シル基、4-エチル-ヘキシル基、ヘプチル基、2-メチル-
ヘプチル基、3-メチル-ヘプチル基、4-メチル-ヘプチル
基、5-メチル-ヘプチル基、6-メチル-ヘプチル基、6,6-
ジメチル-ヘプチル基、2-エチル-ヘプチル基、3-エチル
-ヘプチル基、4-エチル-ヘプチル基、5-エチル-ヘプチ
ル基、2-エチル-ヘプチル基、3-エチル-ヘプチル基、4-
プロピル-ヘプチル基、オクチル基、2-メチル-オクチル
基、3-メチル-オクチル基、4-メチル-オクチル基、5-メ
チル-オクチル基、6-メチル-オクチル基、7-メチル-オ
クチル基、7,7-ジメチル-オクチル基、2-エチル-オクチ
ル基、2-エチル-オクチル基、3-エチル-オクチル基、4-
エチル-オクチル基、5-エチル-オクチル基、シクロペン
チル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロ
プロピルメチル基、メチルシクロヘキシル基、シクロヘ
キシルメチル基、ノルボルニル基、トリシクロデシル基
(特にトリシクロ[5.2.1.02,6]デシル基)、アダマンチ
ル基、ボルニル基、テトラシクロドデシル基(特にテト
ラシクロ[4.4.02,5.17,10]ドデシル基)等が挙げられ
る。オキソ基を有するアルキル基の例として、2-オキソ
-プロピル基、2-オキソ-ブチル基、2-オキソ-3-メチル-
ブチル基、2-オキソ-3,3-ジメチル-ブチル基、2-オキソ
-ペンチル基、2-オキソ-3-メチル-ペンチル基、2-オキ
ソ-3,3-ジメチル-ペンチル基、2-オキソ-4-メチル-ペン
チル基、2-オキソ-4,4-ジメチル-ペンチル基、2-オキソ
-3-エチル-ペンチル基、2-オキソ-3,3-ジエチル-ペンチ
ル基、2-オキソ-4-メチル-4-エチル-ペンチル基、2-オ
キソ-ヘキシル基、2-オキソ-3-メチル-ヘキシル基、2-
オキソ-3,3-ジメチル-ヘキシル基、2-オキソ-4,4-ジメ
チル-ヘキシル基、2-オキソ-5,5-ジメチル-ヘキシル
基、2-オキソ-3-エチル-ヘキシル基、2-オキソ-4-エチ
ル-ヘキシル基、2-オキソ-ヘプチル基、2-オキソ-3-メ
チル-ヘプチル基、2-オキソ-4-メチル-ヘプチル基、2-
オキソ-5-メチル-ヘプチル基、2-オキソ-6-メチル-ヘプ
チル基、2-オキソ-6,6-ジメチル-ヘプチル基、2-オキソ
-3-エチル-ヘプチル基、2-オキソ-4-エチル-ヘプチル
基、2-オキソ-5-エチル-ヘプチル基、2-オキソ-3-プロ
ピル-ヘプチル基、2-オキソ-4-プロピル-ヘプチル基、2
-オキソ-オクチル基、2-オキソ-3-メチル-オクチル基、
2-オキソ-4-メチル-オクチル基、2-オキソ-5-メチル-オ
クチル基、2-オキソ-6-メチル-オクチル基、2-オキソ-7
-メチル-オクチル基、2-オキソ-7,7-ジメチル-オクチル
基、2-オキソ-3-エチル-オクチル基、2-オキソ-4-エチ
ル-オクチル基、2-オキソ-5-エチル-オクチル基、2-オ
キソ-シクロペンチル基、2-オキソ-シクロヘキシル基、
2-オキソ-シクロヘプチル基、2-オキソ-シクロプロピル
メチル基、2-オキソ-メチルシクロヘキシル基、2-オキ
ソ-シクロヘキシルメチル基、2-オキソ-ノルボルニル
基、2-オキソ-トリシクロデシル基(特に2-オキソ-トリ
シクロ[5.2.1.02,6]デシル基)、2-オキソ-テトラシク
ロドデシル基(特に2-オキソ-テトラシクロ[4.4.02,5.1
7,10]ドデシル基)、2-オキソ-ボルニル基、2-オキソ-2
-シクロヘキシル-エチル基、2-オキソ-2-シクロペンチ
ル-エチル基等が挙げられる。また、環を形成してでき
たアルキレン基の具体例としては、プロピレン基、ブチ
レン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、ヘプチレン基、
オキソプロピレン基、オキソブチレン基、オキソペンチ
レン基、オキソヘキシレン基、オキソヘプチレン基等が
挙げられる。
【0027】また、R3、R4、R5は水素原子又は炭素
数1から12の直鎖状、分岐状、単環式、多環式あるい
は橋かけ環式のアルキル基を表す。炭素数1から12の
直鎖状、分岐状、単環式、あるいは橋かけ環式のアルキ
ル基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、
イソプロピル基、ブチル基、、sec−ブチル基、te
rt−ブチル基、2-メチル-ブチル基、3-メチル-ブチル
基、3,3-ジメチル-ブチル基、ペンチル基、2-メチル-ペ
ンチル基、3-メチル-ペンチル基、4-メチル-ペンチル
基、4,4-ジメチル-ペンチル基、2-エチル-ペンチル基、
3-エチル-ペンチル基、ヘキシル基、3-メチル-ヘキシル
基、4-メチル-ヘキシル基、5-メチル-ヘキシル基、5,5-
ジメチル-ヘキシル基、2-エチル-ヘキシル基、3-エチル
-ヘキシル基、4-エチル-ヘキシル基、ヘプチル基、2-メ
チル-ヘプチル基、3-メチル-ヘプチル基、4-メチル-ヘ
プチル基、5-メチル-ヘプチル基、6-メチル-ヘプチル
基、6,6-ジメチル-ヘプチル基、2-エチル-ヘプチル基、
3-エチル-ヘプチル基、4-エチル-ヘプチル基、5-エチル
-ヘプチル基、2-エチル-ヘプチル基、3-エチル-ヘプチ
ル基、4-プロピル-ヘプチル基、オクチル基、2-メチル-
オクチル基、3-メチル-オクチル基、4-メチル-オクチル
基、5-メチル-オクチル基、6-メチル-オクチル基、7-メ
チル-オクチル基、7,7-ジメチル-オクチル基、2-エチル
-オクチル基、2-エチル-オクチル基、3-エチル-オクチ
ル基、4-エチル-オクチル基、5-エチル-オクチル基、シ
クロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル
基、シクロプロピルメチル基、メチルシクロヘキシル
基、シクロヘキシルメチル基、ノルボルニル基、トリシ
クロデシル基(特にトリシクロ[5.2.1.02,6]デシル
基)、アダマンチル基、ボルニル基、テトラシクロドデ
シル基(特にテトラシクロ[4.4.02,5.17,10]ドデシル
基)等が挙げられる。
【0028】また、Y-は対イオンを表し、具体例とし
ては、BF4 -(テトラフルオロボラ−ト イオン)、A
sF6 -(ヘキサフルオロアルセナ−ト イオン)、Sb
6 -(ヘキサフルオロアンチモナ−ト イオン)、PF6
-(ヘキサフルオロホスファ−ト イオン)、CF3SO3
-(トリフルオロメタンスルホナ−ト イオン)、C2 5
SO3 -(ペンタフルオロエタンスルホナ−ト イオ
ン)、C37SO3 -(ヘプタフルオロプロパンスルホナ
−ト イオン)、C49SO3 -(ノナフルオロブタンス
ルホナ−ト イオン)、C511SO3 -(ドデカフルオロ
ペンタンスルホナ−トイオン)、C613SO3 -(トリ
デカフルオロヘキサンスルホナ−ト イオン)、C715
SO3 -(ペンタデカフルオロヘプタンスルホナ−ト イ
オン)、C81 7SO3 -(ヘプタデカフルオロオクタン
スルホナート イオン)、C919SO3-(ノナデカフル
オロノナンスルホナ−ト イオン)、C1021SO3-
(ヘニコサフルオロデカンスルホナート イオン)等の
フルオロカーボン基を有するスルホン酸、CH3SO3 -
(メタンスルホナート イオン)、C25SO3 -(エタ
ンスルホナ−ト イオン)、C37SO3 -(プロパンス
ルホナ−ト イオン)、C48SO3 -(ブタンスルホナ
−ト イオン)、C511SO3 -(ペンタンスルホナ−ト
イオン)、C613SO3 -(ヘキサンスルホナ−ト イオ
ン)、C715SO3 -(ヘプタンスルホナ−ト イオ
ン)、C817SO3 -(オクタンスルホナート イオ
ン)、シクロヘキサンスルホナートイオン、カンファー
スルホナートイオン等のアルキルスルホン酸イオン、ベ
ンゼンスルホン酸イオン、トルエンスルホン酸イオン、
ナフタレンスルホン酸イオン、アントラセンスルホン酸
イオン、フルオロベンゼンスルホン酸イオン、ジフルオ
ロベンゼンスルホン酸イオン、トリフルオロベンゼンス
ルホン酸イオン、クロロベンゼンスルホン酸イオン、ジ
クロロベンゼンスルホン酸イオン、トリクロロベンゼン
スルホン酸イオン等の芳香族基を有するスルホン酸イオ
ン、ClO4 -(過塩素酸イオン)、Br-(臭素イオ
ン)、Cl-(塩素イオン)、あるいはI-(沃素イオ
ン)等が挙げられる。
【0029】この発明の一般式(4)で表されるスルホ
ニウム塩化合物の合成法の例を挙げる。一般式(5)で
表されるスルフィド化合物をアセトニトリルに溶解し、
【0030】
【化5】 (5) (R1、R2は上記に同じ)。
【0031】ここへ一般式(6)で表されるハロゲン化
アルキルを加える。
【0032】
【化6】 (6) (R3、R4、R5は上記に同じ、Xは沃素、臭素、塩素
等のハロゲン原子)。
【0033】0.5〜24時間撹拌した後、一般式
(7)によって与えられる有機金属を加える。
【0034】
【化7】 (7) (Yは上記に同じ、Wはカリウム、ナトリウム、銀等の
金属原子)。
【0035】析出したハロゲン化金属の塩をろ別した
後、ろ液の溶媒を減圧留去する。残渣を適当な溶媒で洗
浄や再結晶を行うことによりこの発明の一般式(4)で
表されるスルホニウム塩化合物を得ることができる。
【0036】このようにして得られた一般式(4)で表
されるスルホニウム塩化合物は、新規化合物であり既知
の光酸発生剤(クリベロらの上記文献記載のトリフェニ
ルスルホニウム トリフルオロメタンスルホナ−ト(以
後TPSと略す))と比較した場合、ArFエキシマレ
−ザ光に対し光吸収が著しく少ないことを確認した。K
rFエキシマレ−ザリソグラフィ用に開発された光酸発
生剤[クリベロらの上記文献記載のTPS)]は、Ar
Fエキシマレーザー光等の遠紫外光に強い光吸収性を有
する。そのため、ArFレジスト用光酸発生剤としては
使用する場合、レジストの透明性を著しく低下させる。
このTPSと比較した場合、この発明に記載した上記の
スルホニウム塩誘導体はいずれもArFエキシマレーザ
光に対する光吸収が著しく少なく、露光光に対する透明
性という点ではArFエキシマレ−ザリソグラフィ用レ
ジストの構成成分として好適であることは明らかであ
る。また、ArFエキシマレ−ザに加えてKrFエキシ
マレーザー、F2エキシマレーザ光に対しても透明性が
高く、これらを露光光とするレジスト用光酸発生剤とし
ても使用できる。
【0037】この発明のスルホニウム塩化合物の熱分解
点は、従来のArFリソグラフィ用高透明光酸発生剤で
あるアルキルスルホニウム塩2−オキソシクロヘキシル
−メチル(2−ノルボルニル)スルホニウム トリフル
オロメタンスルホナート(NEALS)、シクロヘキシ
ルメチル(2−オキソシクロヘキシル)スルホニウムト
リフルオロメタンスルホナート(ALS)に比べ、酸を
発生するために必要な露光量が少ない、すなわち感度が
高いことを確認した。また、NEALS、ALSに比べ
熱分解点が高く、熱安定性に優れていることを確認し
た。この発明のフォトレジスト組成物は、前述したよう
に、ポジ型の化学増幅型レジストは(1)光酸発生剤、
(2)酸分解性基を有するベース樹脂、(3)溶媒の少
なくとも3種類の成分から構成される。一方、ネガ型の
化学増幅型レジストは、架橋剤を必須とするものと必須
としないものとに二分され、前者に関しては(1)光酸
発生剤、(2)架橋剤と反応可能なベース樹脂、(3)
架橋剤、(4)溶媒の少なくとも4種類の成分から構成
され、また、後者に関しては(1)光酸発生剤、(2)
架橋性基を有するベース樹脂、(3)溶媒の少なくとも
3種類の成分から構成される。
【0038】この発明のフォトレジスト組成物において
は、一般式(4)で表されるスルホニウム塩化合物は単
独でも用いられるが、2種以上を混合して用いても良
い。この発明におけるフォトレジスト組成物において、
一般式(4)で表されるアルキルスルホニウム塩化合物
の含有率は、それ自身を含む全固形分100重量部に対
して通常0.1から40重量部、好ましくは1から25
重量部である。この含有率が0.5重量部未満ではこの
発明の感度が著しく低下し、パタ−ンの形成が困難であ
る。また40重量部を越えると、均一な塗布膜の形成が
困難になり、さらに現像後には残さ(スカム)が発生し
易くなるなどの問題が生ずる。
【0039】この発明の構成要素である高分子化合物
は、遠紫外線領域において透明性が高く、且つ官能基お
よび酸に対して不安定な基を有する高分子を適当に設定
して使用することができる。すなわち、後述のように例
えば一般式(8)〜(13)により表される高分子化合
物を用いることができる。
【0040】この発明のポジ型フォトレジスト組成物に
おいては、用いるレジスト樹脂には、露光波長、具体的
にはArFエキシマレーザ等の露光光に対して高透明で
あり、且つ酸の作用によりアルカリ現像液に可溶化する
樹脂を適当に設定して用いることができる。なお、フォ
トレジスト組成物中に含まれる溶剤を除く、全構成成分
100重量部中、樹脂の含有率は通常60〜99.8重
量部、好ましくは75〜99重量部とするとよい。この
発明のポジ型フォトレジスト組成物に好ましく用いられ
る樹脂の一例として、下記の樹脂を挙げることができ
る。例えば、特願平10−188853号に記載される
下記一般式(8)で表される樹脂が挙げられる。
【0041】
【化8】 (8) (R6、R7、R8、R10は水素原子又はメチル基、R9
酸により分解する基、酸により分解する基又は酸により
分解する基を有する炭素数7〜13の橋かけ環式炭化水
素基、R11は水素原子、炭素数1〜12の炭化水素基又
はカルボキシル基を有する炭素数7〜13の橋かけ環式
炭化水素基を表す。また、x,y,zはそれぞれx+y
+z=1、0<x<1、0<y<1、0≦z<1を満た
す任意の数である。また、重合体の重量平均分子量は2
000〜200000である)。
【0042】あるいは、特許第2856116号公報に
記載される下記一般式(9)で表される樹脂が挙げられ
る。
【0043】
【化9】 (9) (R12、R13、R14は水素原子又はメチル基、Mは炭素
数7〜13の橋かけ環式炭化水素基を有する基、R12
酸により分解する基、R14は水素原子、炭素数1〜12
の炭化水素基を表す。また、k,m,nはそれぞれk+
m+n=1、0<k<1、0<m<1、0≦n<1を満
たす任意の数である。また、重合体の重量平均分子量は
2000〜200000である)。
【0044】あるいは、ジャーナル・オブ・フォトポリ
マー・サイエンス・アンド・テクノロジー(Journ
al of Photopolymer Science
and Technology)10巻、4号、545
〜550頁(1997年)に記載される下記一般式(1
0)で表される樹脂が挙げられる。
【0045】
【化10】 (10)(R15、R16、R17は水素原子又はメチル基、
18はラクトン構造を有する基を表す。また、a,bは
それぞれa+b=1、0<a<1、0<b<1、を満た
す任意の数である。また、重合体の重量平均分子量は2
000〜200000である)。
【0046】あるいは、ジャーナル・オブ・フォトポリ
マー・サイエンス・アンド・テクノロジー(Journ
al of Photopolymer Scienc
eand Technology)10巻、3号、51
1〜520頁(1997年)に記載される一般式(1
1)で表される樹脂が挙げられる。なお、上記の高透明
性と酸触媒に対する反応性を有する限り、ここに具体的
に示すポジ型のレジスト樹脂以外のものも同じく好適に
用いることができる。
【0047】
【化11】 (11) (c,d,eはそれぞれc+d+e=1、0≦c<1、
0<d<1、0<e<1、を満たす任意の数である。ま
た、重合体の重量平均分子量は2000〜200000
である)。
【0048】またこの発明のネガ型フォトレジスト組成
物においては、用いるレジスト樹脂には、ArFエキシ
マレーザ光等の露光光に対して高透明であり、且つ酸の
作用によりアルカリ現像液に不溶化する樹脂を適当に設
定して用いることができる。なお、フォトレジスト組成
物中に含まれる溶剤を除く、全構成成分100重量部
中、樹脂の含有率は通常60〜99.8重量部、好まし
くは75〜99重量部とするとよい。この発明のネガ型
フォトレジスト組成物に好ましく用いられる樹脂の一例
として、下記の樹脂を挙げることができる。
【0049】例えば、ジャーナル・オブ・フォトポリマ
ー・サイエンス・アンド・テクノロジー(Journa
l of Photopolymer Science
and Technology)12巻、3号、48
7〜492頁(1999年)に記載される下記一般式
(12)、(13)で表される樹脂が挙げられる。なお
上記の高透明性と酸触媒に対する反応性を有する限り、
ここに具体的に示すネガ型のレジスト樹脂以外のものも
同じく好適に用いることができる。
【0050】
【化12】 (12) (i、j、kはそれぞれi+j+k=1、0≦i<1、
0<j<1、0≦k<1を満たす任意の数である。また
重合体の重量平均分子量は2000〜200000)。
【0051】
【化13】 (13) (l、m、nはそれぞれl+m+n=1、0≦l<1、
0<m<1、0<n<1を満たす任意の数である。また
重合体の重量平均分子量は2000〜200000)。
【0052】またネガ型フォトレジスト組成物には、露
光部において樹脂を架橋し不溶化させる架橋剤を添加す
ることができる。好ましい架橋剤として、ヘキサメトキ
シメチルメラミン、1,3,4,6−テトラキス(メト
キシメチル)グリコールウリル、1,3−ビス(メトキ
シメチル)−4,5−ビス(メトキシメチル)エチレン
ウレア、1,3−ビス(メトキシメチル)ウレア等のユ
リア・メラミン系架橋剤、多官能エポキシ化合物が挙げ
られる。好適な架橋剤は、これらに例示するものに限定
されるものではない。また、一種を単独で添加してもよ
く、あるいは2種類以上を混合して用いてもよい。ま
た、さらに架橋密度の向上に効果がある多価アルコール
等を架橋促進剤として添加しても良い。架橋促進剤とし
ては2,3−ジヒドロキシ−5−ヒドロキシメチルノル
ボルナン、1,4−シクロヘキサンジメタノール、3,
4,8(9)−トリヒドロキシトリシクロデカン等が挙
げられる。
【0053】この発明のフォトレジスト組成物に用いる
溶剤として好ましいものは、高分子化合物とスルホニウ
ム塩等からなる成分が充分に溶解し、かつその溶液がス
ピンコ−ト法で均一な塗布膜が形成可能な有機溶媒であ
ればいかなる溶媒でもよい。また、単独でも2種類以上
を混合して用いても良い。具体的には、n−プロピルア
ルコ−ル、イソプロピルアルコ−ル、n−ブチルアルコ
−ル、tert−ブチルアルコ−ル、メチルセロソルブ
アセテ−ト、エチルセロソルブアセテ−ト、プロピレン
グリコ−ルモノエチルエ−テルアセテ−ト、乳酸メチ
ル、乳酸エチル、酢酸2−メトキシブチル、酢酸2−エ
トキシエチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、
3−メトキシプロピオン酸メチル、3−メトキシプロピ
オン酸エチル、N−メチル−2−ピロリジノン、シクロ
ヘキサノン、シクロペンタノン、シクロヘキサノ−ル、
メチルエチルケトン、1,4−ジオキサン、エチレング
リコ−ルモノメチルエ−テル、エチレングリコ−ルモノ
メチルエ−テルアセテ−ト、エチレングリコ−ルモノエ
チルエ−テル、エチレングリコ−ルモノイソプロピルエ
−テル、ジエチレングリコ−ルモノメチルエ−テル、ジ
エチレングリコ−ルジメチルエ−テル、などが挙げられ
るが、もちろんこれらだけに限定されるものではない。
【0054】また、上記フォトレジスト組成物の必須の
構成成分の他にも、必要に応じて界面活性剤、色素、安
定剤、塗布性改良剤、染料などの他の成分を添加しても
構わない。また、この発明を用いて微細パタ−ンの形成
をおこなう場合の現像液としては、この発明で使用する
高分子化合物の溶解性に応じて適当な有機溶媒、または
その混合溶媒、あるいは適度な濃度のアルカリ水溶液あ
るいはその有機溶媒との混合物を選択すれば良い。また
現像液に必要に応じて界面活性剤など他の成分を添加し
ても構わない。使用される有機溶媒としてはアセトン、
メチルエチルケトン、メチルアルコ−ル、エチルアルコ
−ル、イソプロピルアルコ−ル、テトラヒドロフラン、
ジオキサンなどが挙げられる。また、使用されるアルカ
リ溶液としては、たとえば、水酸化ナトリウム、水酸化
カリウム、ケイ酸ナトリウム、アンモニアなどの無機ア
ルカリ類や、エチルアミン、プロピルアミン、ジエチル
アミン、ジプロピルアミン、トリメチルアミン、トリエ
チルアミン、などの有機アミン類、そしてテトラメチル
アンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウム
ヒドロキシド、トリメチルヒドロキシメチルアンモニウ
ムヒドロキシド、トリエチルヒドロキシメチルアンモニ
ウムヒドロキシド、トリメチルヒドロキシエチルアンモ
ニウムヒドロキシドなどの有機アンモニウム塩などを含
む溶液、水溶液が挙げられるが、これらだけに限定され
るものではない。
【0055】以下、上述の前提を基に、この発明の実施
の形態について説明する。説明は、実施例を用いて具体
的に行う。 ◇第1実施例 下記式(14)で表される、2−メチル−2−プロペニ
ル−チアシクロペンタニウム トリフルオロメタンスル
ホナートの合成を行った。
【0056】
【化14】 (14)
【0057】以下の合成操作はイエロ−ランプ下で実施
した。100ml、3つ口フラスコにテトラヒドロチオ
フェン1gをアセトニトリル20mlに溶解した。ここ
へ3−ブロモ−2−メチル−プロペン0.94gを撹拌
しながら滴下した。1時間撹拌後、トリフルオロメタン
スルホン酸銀1.8gのアセトニトリル溶液20mlを
滴下した。3時間撹拌後、析出した臭化銀をろ別した。
ろ液をエバポレーターにて減圧留去し、残渣ジエチルエ
ーテルで3回洗浄した。さらに、アセトン5mlに溶解
し、これをエーテル300mlに撹拌しながら滴下する
と白色結晶が沈殿した。これをろ集することによりより
2−メチル−2−プロペニル−チアシクロペンタニウム
トリフルオロメタンスルホナート1.4gを得た(収
率68.5%)。融点 52.6℃。得られた合成物の
NMR、IRの分析結果は以下の通りである。
【0058】1H−NMR(CDCl3、内部標準物質:
テトラメチルシラン):δ(ppm)1.92(s、3
H、−CH3)、2.35−2.47(m、4H、−C
2−)、3.39(m、H、−CH3−)、3.42
(m、1H、−CH2−)、3.95(S、4H、S+
CH2−)、5.23(W、2H、S+−CH2−C(=
CH2)−)。 IR(KBr錠剤、cm−1)2890(νC-H)、1
642(νC-C)、1442 、1420(νC-H)、1258(νC-F)、1158、
1027(νSO3
【0059】 元素分析 C H S 実測値(重量%) 36.71 5.30 22.02 理論値(重量%) 36.98 5.17 21.93 (但し、理論値はC915332(MW292.33)に対する計算値)。
【0060】◇第2実施例 下記式(15)で表される、2−メチル−2−プロペニ
ル−チアシクロヘキサニウム トリフルオロメタンスル
ホナートの合成を行った。
【0061】
【化15】 (15)
【0062】第1実施例と同様にして、但しテトラヒド
ロチオフェンのかわりにペンタメチレンスルフィドを用
い同様の実験を行った。その結果、2−メチル−2−プ
ロペニル−チアシクロヘキサニウム トリフルオロメタ
ンスルホナート1.68gを得た(収率78%)。得ら
れた合成物のIRの分析結果は以下の通りである。IR
(KBr錠剤、cm−1)2961(νC-H)、164
2(νC=C)、1442、1422(νC-H)、1260
(νC-F)、1152、1029(νSO3
【0063】 実測値(重量%) 39.33 5.32 20.95 理論値(重量%) 39.21 5.59 20.93 (但し、理論値はC1017332(MW306.35)に対する計算値) 。
【0064】◇第3実施例 下記式(16)で表される、2−メチル−2−プロペニ
ル−チアシクロヘキサニウム ノナフルオロブタンスル
ホナートの合成を行った。
【0065】
【化16】 (16)
【0066】以下の合成操作はイエロ−ランプ下で実施
した。第1実施例と同様の方法で、但しトリフルオロメ
タンスルホン酸カリウム塩1.8gの代わりにノナフル
オロブタンスルホン酸カリウム塩2.37gを用い2−
メチル−2−プロペニル−チアシクロヘキサニウム ノ
ナフルオロブタンスルホナートの合成実験を行った。そ
の結果、2−メチル−2−プロペニル−チアシクロヘキ
サニウム ノナフルオロブタンスルホナート2.05g
を得た(収率66.2%)。得られた合成物のIRの分
析結果は以下の通りである。IR(KBr錠剤、cm
−1)2952(νC-H)、1644(νC=C)、144
0、1425(νC-H)、1259(νC-F)、115
3、1029(νSO3
【0067】 元素分析 C H S 実測値(重量%) 32.5 3.66 13.63 理論値(重量%) 33.23 3.74 13.62 (但し、理論値はC1215932(MW442.35)に対する計算値) 。
【0068】◇第4実施例 下記式(17)で表される、2−ブテニル−チアシクロ
ペンタニウム トリフルオロメタンスルホナートの合成
を行った。
【0069】
【化17】 (17)
【0070】以下の合成操作はイエロ−ランプ下で実施
した。100ml、3つ口フラスコにテトラヒドロチオ
フェン2gをアセトニトリル20mlに溶解した。ここ
へクロチルブロマイド2.75gを撹拌しながら滴下し
た。1時間撹拌後、トリフルオロメタンスルホン酸銀
5.1gのアセトニトリル溶液20mlを滴下した。3
時間撹拌後、析出した臭化銀をろ別した。ろ液をエバポ
レーターにて減圧留去し、残渣ジエチルエーテルで洗浄
した。さらに、アセトン5mlに溶解し、これをエーテ
ル300mlに撹拌しながら滴下すると白色結晶が沈殿
した。これをろ集することによりより、2−ブテニル−
チアシクロペンタニウム トリフルオロブタンスルホナ
ート2.2gを得た(収率68.5%)。得られた合成
物のIRの分析結果は以下の通りである。IR(KBr
錠剤、cm−1)2940(νC-H)、1650
(νC=C)、1420(νC-H)、1260(νC-F)、
1160、1032(νSO3
【0071】 元素分析 C H S 実測値(重量%) 37.00 5.20 21.77 理論値(重量%) 36.98 5.17 21.93 (但し、理論値はC915332(MW292.33)に対する計算値)。
【0072】◇第5実施例 下記式(18)で表される、3−メチル−2−ブテニル
−チアシクロペンタニウム トリフルオロメタンスルホ
ナートの合成を行った。
【0073】
【化18】 (18)
【0074】以下の合成操作はイエロ−ランプ下で実施
した。100ml、3つ口フラスコにテトラヒドロチオ
フェン2gをアセトニトリル20mlに溶解した。ここ
へブロモメチルブテン2.98gを撹拌しながら滴下し
た。1時間撹拌後、トリフルオロメタンスルホン酸銀
5.1gのアセトニトリル溶液20mlを滴下した。3
時間撹拌後、析出した臭化銀をろ別した。ろ液をエバポ
レーターにて減圧留去し、残渣ジエチルエーテルで洗浄
した。さらに、アセトン5mlに溶解し、これをエーテ
ル300mlに撹拌しながら滴下すると白色結晶が沈殿
した。これをろ集することによりより、3−メチル−2
−ブテニル−チアシクロペンタニウム トリフルオロメ
タンスルホナート2.2gを得た(収率68.5%)。
得られた合成物のIRの分析結果は以下の通りである。
IR(KBr錠剤、cm−1)2982(νC-H)、1
650(νC=C)、1450、1429(νC-H)、12
64(νC-F)、1160、1030(νSO3
【0075】 元素分析 C H S 実測値(重量%) 39.25 5.59 20.81 理論値(重量%) 39.21 5.59 20.93 (但し、理論値はC1017332(MW306.35)に対する計算値) 。
【0076】◇第6実施例 下記式(19)で表される、2−メチル−1−プロペニ
ル−ジエチルスルホニウム トリフルオロメタンスルホ
ナートの合成を行った。
【0077】
【化19】 (19)
【0078】以下の合成操作はイエロ−ランプ下で実施
した。100ml、3つ口フラスコにジエチルスルフィ
ド1.5gをアセトニトリル20mlに溶解した。ここ
へブロモメチルブテン2.5gを撹拌しながら滴下し
た。1時間撹拌後、トリフルオロメタンスルホン酸銀
4.2gのアセトニトリル溶液20mlを滴下した。3
時間撹拌後、析出した臭化銀をろ別した。ろ液をエバポ
レーターにて減圧留去し、残渣ジエチルエーテルで洗浄
した。さらに、アセトン5mlに溶解し、これをエーテ
ル300mlに撹拌しながら滴下すると白色結晶が沈殿
した。これをろ集し、さらに酢酸エチルにて再結晶する
ことによりより、2−メチル−1−プロペニル−ジエチ
ルスルホニウム トリフルオロメタンスルホナート3.
2gを得た(収率65.9%)。得られた合成物のIR
の分析結果は以下の通りである。 IR(KBr錠剤、cm−1)2982(νC-H)、1
650(νC=C)、1447、1429(νC-H)、12
64(νC-F)、1160、1030(νSO3
【0079】 元素分析 C H S 実測値(重量%) 36.72 5.82 21.78 理論値(重量%) 36.94 5.74 22.03 (但し、理論値はC917332(MW294.3)に対する計算値)。
【0080】(実験例1) ・樹脂膜中での熱安定性の評価 第1〜第5実施例で得られた光酸発発生剤をそれぞれ1
wt%含有するポリ(メチルメタクリレート40ーターシ
ャルブチルメタクリレート40ーメタクリル酸20)膜(膜
厚0.4μm)を、ホットプレート上にて60秒間 所
定の温度で加熱した。すぐさま室温まで冷却し、現像液
(2.38wt%テトラメチルアンモニウムヒドロキシ
ド(TMAH水溶液))に60秒間浸透した。この結
果、表1に示すような各光酸発生剤に対応した分解点が
得られた。
【0081】スルホニウム塩化合物が熱分解した場合、
酸が樹脂の保護基(ターシャルブチル基)を分解し、樹
脂は現像液に可溶となるため、樹脂膜が現像液に溶解し
た加熱温度が、樹脂膜中でのスルホニウム塩化合物の熱
分解点となる。表1から明らかなように、第1実施例で
得られたこの発明のスルホニウム塩化合物の樹脂膜中で
の熱分解点は153℃であり、2−オキソシクロヘキシ
ルメチル(2−ノルボルニル)スルホニウムトリフレー
ト(熱分解点125℃)に比べ、熱安定性に優れたもの
であった。
【0082】
【表1】
【0083】(実験例2) ・アルキルスルホニウム塩含有樹脂膜の透過率の測定 乳酸エチルにポリメチルメタクリレート(PMMA)
1.5gと実施例1および5で得られたスルホニウム塩
を溶解し、さらにメンブレンフィルターでろ過した後、
3インチ石英基板上に回転塗布し、120℃60秒、ホ
ットプレート上で加熱した。この操作により約0.5μ
mの樹脂膜を得た。得られた膜の193.4nmにおけ
る透過率を紫外可視分光光度計(UV―365)を用い
測定した。
【0084】また、比較例としてベンゼン環を有するト
リフェニルスルホニウム トリフルオロメタンスルホナ
ート(TPS)を含有する樹脂膜の透過率を測定した。
測定の結果を図1に示すが、第1〜第6実施例で得られ
たスルホニウム塩を含有する樹脂膜の透過率を低下は、
トリフェニルスルホニウム トリフルオロメタンスルホ
ナートを含有する樹脂膜に比べ小さかった。
【0085】(実験例3) (スルホニウム塩を用いたポジ型レジストのパターニン
グ評価)下記の組成からなるレジストを調製した。 (a)下記式(18)の構造の樹脂:2g (b)光酸発生剤(第1〜第5実施例で得た光酸発生
剤):0.02g (c)プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテ
ート:11.5g
【0086】
【化20】 (20)
【0087】上記混合物を0.2μmのテフロン(登録
商標)フィルターを用いてろ過し、レジストを調製し
た。4インチシリコン基板上に上記レジストをスピンコ
ート塗布し、130℃1分間ホットプレート上でベーク
し、膜厚0.4μmの薄膜を形成した。そして窒素で充
分パ−ジされた密着型露光実験機中に、レジストをコー
トしたウェハ−を静置した。石英板上にクロムでパタ−
ンを描いたマスクをレジスト膜上に密着させ、そのマス
クを通してArFエキシマレ−ザ光を照射した。その後
すぐさま110℃、60秒間ホットプレ−ト上でベ−ク
し、液温23℃の2.38%TMAH水溶液で60秒間
浸漬法による現像を行い、続けて60秒間純水でリンス
処理をそれぞれ行った。その結果、レジスト膜の露光部
分のみが現像液に溶解除去されポジ型のパタ−ンが得ら
れた。
【0088】比較例として2−オキソシクロヘキシルメ
チル(2−ノルボルニル)スルホニウムトリフレート
(NEALS)およびトリフェニルスルホニウムトリフ
ルオロメタンスルホナート(TPS)を光酸発生剤に用
いたレジストについても同様に評価した。表2に感度、
および解像度の結果を示す。表2から明らかなように、
この発明のスルホニウム塩化合物を用いたポジ型フォト
レジスト組成物は優れた解像特性を有している。
【0089】
【表2】
【0090】(実験例4) (スルホニウム塩を用いたネガ型レジストのパターニン
グ評価)下記の組成からなるレジストを調製した。 (a)下記式(19)の構造の樹脂:2g (b)光酸発生剤(実施例1〜5で得たスルホニウム
塩):0.04g (c)2,3−ジヒドロキシ−5−ヒドロキシメチルノ
ルボルナン:0.3g (d)乳酸エチル:11.5g
【0091】
【化21】 (21)
【0092】上記混合物を0.2μmのテフロンフィル
ターを用いてろ過し、レジストを調製した。4インチシ
リコン基板上に上記レジストをスピンコート塗布し、8
0℃1分間ホットプレート上でベークし、膜厚0.4μ
mの薄膜を形成した。そして窒素で充分パ−ジされた密
着型露光実験機中に、レジストをコートしたウェハ−を
静置した。石英板上にクロムでパタ−ンを描いたマスク
をレジスト膜上に密着させ、そのマスクを通してArF
エキシマレ−ザ光を照射した。その後すぐさま130
℃、60秒間ホットプレ−ト上でベ−クし、液温23℃
の2.38%TMAH水溶液で60秒間浸漬法による現
像を行い、続けて60秒間純水でリンス処理をそれぞれ
行った。この結果、レジスト膜の未露光部分のみが現像
液に溶解除去されネガ型のパタ−ンが得られた。
【0093】比較例として2−オキソシクロヘキシルメ
チル(2−ノルボルニル)スルホニウムトリフレート
(NEALS)およびトリフェニルスルホニウムトリフ
ルオロメタンスルホナート(TPS)を用いたネガ型レ
ジストについても同様に評価した。表3に感度、および
解像度の結果を示す。表3から明らかなように、この発
明のスルホニウム塩化合物を用いたネガ型フォトレジス
ト組成物は優れた解像特性を有することが分かる。
【0094】
【表3】
【0095】以上、この発明の実施例を図面により詳述
してきたが、具体的な構成はこの実施例に限られるもの
ではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変
更などがあってもこの発明に含まれる。例えば、本文で
は特に半導体デバイスの製造に適用する例で説明した
が、これに限らずに、各種導電体、絶縁体等の微細加工
を必要とする分野であれば同様に適用することができ
る。また、各実施例で示した合成条件等は一例を示した
ものであり、目的、用途等に応じて変更することが可能
である。
【0096】
【発明の効果】以上説明したように、この発明の光酸発
生剤及びそれを含有するフォトレジスト組成物、並びに
該組成物を用いたパターン形成方法によれば、特にAr
Fエキシマレーザ光に代表される遠紫外線に対して透明
性に優れたスルホニウム塩化合物を得ることができ、さ
らにこのスルホニウム塩化合物を光酸発生剤として用い
たレジストは、解像性に優れたものが得られる。したが
って、透明性を向上させた上で、感度及び熱安定性の低
下を防止することができるようにした光酸発生剤及びそ
れを含有するフォトレジスト組成物、並びに該組成物を
用いたパターン形成方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施例により得られたフォトレジス
ト組成物の光酸発生剤含有率と透過率との関係を示す図
である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G03F 7/039 601 G03F 7/039 601 7/20 502 7/20 502 H01L 21/027 C07D 333/46 // C07D 333/46 335/02 335/02 H01L 21/30 502R (72)発明者 中野 嘉一郎 東京都港区芝五丁目7番1号 日本電気株 式会社内 (72)発明者 長谷川 悦雄 東京都港区芝五丁目7番1号 日本電気株 式会社内 Fターム(参考) 2H025 AA01 AA02 AA11 AB16 AC08 AD01 AD03 BE07 BE10 BG00 CA48 CB14 CB41 CB43 CC17 FA12 2H097 BA06 CA13 FA01 JA03 LA10 4C023 JA05 4H006 AA01 AA03 AB92 4J002 BG011 BG041 BG051 BG071 BH021 BK001 EV296 EV306 GP03

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一般式(1)で表されるスルホニウム塩
    化合物から成ることを特徴とする光酸発生剤。 【化1】 (1) (但し、Rはアルキレン基又はオキソ基を有するアルキ
    レン基を表し、R、R 、Rは水素原子又は直鎖
    状、分岐状、単環式、多環式あるいは橋かけ環式のアル
    キル基を表す)。
  2. 【請求項2】 一般式(1)においてRが炭素数4から
    7のアルキレン基又はオキソ基を有するアルキレン基、
    、R、Rは水素原子又は炭素数1から12の直
    鎖状、分岐状、単環式、多環式あるいは橋かけ環式のア
    ルキル基であるスルホニウム塩化合物から成ることを特
    徴とする請求項1記載の光酸発生剤。
  3. 【請求項3】 一般式(2)で表されるスルホニウム塩
    化合物から成ることを特徴とする光酸発生剤。 【化2】 (2) (但し、R1、R2はアルキル基又はオキソ基を有するア
    ルキル基、あるいはこれらが環状につながったアルキレ
    ン基又はオキソ基を有するアルキレン基を表し、R3
    4、R5は水素原子又は直鎖状、分岐状、単環式、多環
    式あるいは橋かけ環式のアルキル基を表す)。
  4. 【請求項4】 一般式(2)において、R1、R2がアル
    キル基又はオキソ基を有するアルキルの場合、その炭素
    数が1から12であり、さらにこれらが環状につながっ
    たアルキレン基又はオキソ基を有するアルキレン基の場
    合、そのアルキレン基又はオキソアルキレン基の炭素数
    が4から7であり、またR3、R4、R 5が水素原子又は
    炭素数1から12の直鎖状、分岐状、単環式、多環式あ
    るいは橋かけ環式のアルキル基であるスルホニウム塩化
    合物から成ることを特徴とする請求項3記載の光酸発生
    剤。
  5. 【請求項5】 一般式(1)、(2)において、Y-
    表される対イオンが、Z−SO3 -(ZはCn2n+1(n
    は1乃至10)、アルキル基、アルキル置換又は無置換
    の芳香族基を表す)、BF4 -、AsF6 -、SbF6 -、C
    lO4 -、Br -、Cl-、又はI-であるスルホニウム塩
    化合物から成ることを特徴とする請求項1乃至4のいず
    れか1に記載の光酸発生剤。
  6. 【請求項6】 請求項1乃至5のいずれか1に記載の光
    酸発生剤を含有することを特徴とするポジ型フォトレジ
    スト組成物。
  7. 【請求項7】 請求項1乃至5のいずれか1に記載の光
    酸発生剤を含有することを特徴とするネガ型フォトレジ
    スト組成物。
  8. 【請求項8】 請求項6又は7記載のフォトレジスト組
    成物を被加工基板上に塗布する工程、 前記被加工基板を略300nm以下の波長の光で露光す
    る工程、 前記被加工基板を現像する工程を含むことを特徴とする
    パターン形成方法。
  9. 【請求項9】 前記露光光がKrFエキシマレーザ光で
    あることを特徴とする請求項8記載のパターン形成方
    法。
  10. 【請求項10】 前記露光光がArFエキシマレーザ光
    であることを特徴とする請求項8記載のパターン形成方
    法。
  11. 【請求項11】 前記露光光がF2エキシマレーザ光で
    あることを特徴とする請求項8記載のパターン形成方
    法。
JP2000224661A 2000-07-25 2000-07-25 光酸発生剤及びそれを含有するフォトレジスト組成物、並びに該組成物を用いたパターン形成方法 Expired - Fee Related JP3386041B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000224661A JP3386041B2 (ja) 2000-07-25 2000-07-25 光酸発生剤及びそれを含有するフォトレジスト組成物、並びに該組成物を用いたパターン形成方法
KR1020037000975A KR100547594B1 (ko) 2000-07-25 2001-07-23 광산발생제, 이를 함유한 포토레지스트조성물, 및 이조성물을 이용한 패턴형성방법
PCT/JP2001/006325 WO2002008833A1 (fr) 2000-07-25 2001-07-23 Generateurs de photo-acide, compositions de resine photosensible contenant ces generateurs de photo-acide et procede de gravure faisant appel a ces compositions
US10/333,579 US6849384B2 (en) 2000-07-25 2001-07-23 Photoacid generators, photoresist compositions containing the same and pattering method with the use of the compositions

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000224661A JP3386041B2 (ja) 2000-07-25 2000-07-25 光酸発生剤及びそれを含有するフォトレジスト組成物、並びに該組成物を用いたパターン形成方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002040636A true JP2002040636A (ja) 2002-02-06
JP3386041B2 JP3386041B2 (ja) 2003-03-10

Family

ID=18718582

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000224661A Expired - Fee Related JP3386041B2 (ja) 2000-07-25 2000-07-25 光酸発生剤及びそれを含有するフォトレジスト組成物、並びに該組成物を用いたパターン形成方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6849384B2 (ja)
JP (1) JP3386041B2 (ja)
KR (1) KR100547594B1 (ja)
WO (1) WO2002008833A1 (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003330192A (ja) * 2002-05-09 2003-11-19 Jsr Corp 感放射線性樹脂組成物
JP2005003862A (ja) * 2003-06-11 2005-01-06 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ネガ型レジスト組成物、及びそれを用いたレジストパターン形成方法
US7235343B2 (en) 2003-05-12 2007-06-26 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Photoacid generators, chemically amplified resist compositions, and patterning process
JP2011219460A (ja) * 2010-03-26 2011-11-04 Sumitomo Chemical Co Ltd 塩及びレジスト組成物
JP2012173438A (ja) * 2011-02-18 2012-09-10 Fujifilm Corp パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及びレジスト膜
JP2013142752A (ja) * 2012-01-10 2013-07-22 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd レジスト組成物、及びレジストパターン形成方法
JP2015031760A (ja) * 2013-07-31 2015-02-16 東京応化工業株式会社 レジスト組成物、酸発生剤、高分子化合物及びレジストパターン形成方法

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4667945B2 (ja) * 2005-04-20 2011-04-13 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
WO2009152276A2 (en) * 2008-06-10 2009-12-17 University Of North Carolina At Charlotte Photoacid generators and lithographic resists comprising the same
WO2012125401A1 (en) * 2011-03-11 2012-09-20 Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. Novel etching composition
TWI577834B (zh) 2011-10-21 2017-04-11 富士軟片電子材料美國股份有限公司 新穎的鈍化組成物及方法
US8709277B2 (en) 2012-09-10 2014-04-29 Fujifilm Corporation Etching composition
US10662274B2 (en) 2016-12-02 2020-05-26 Georgia Tech Research Corporation Self-immolative polymers, articles thereof, and methods of making and using same

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3426046A (en) * 1965-10-22 1969-02-04 Dow Chemical Co Synthesis of epoxides from allylic sulfonium salts
JP2578646B2 (ja) 1988-07-18 1997-02-05 三洋電機株式会社 非水系二次電池
JP2776204B2 (ja) 1993-07-14 1998-07-16 日本電気株式会社 アルキルスルホニウム塩、遠紫外線露光用感光性樹脂組成物、及びそれを用いたパターン形成方法
JP2606655B2 (ja) 1993-09-20 1997-05-07 日本電気株式会社 感光性化合物および感光性組成物
JP2856116B2 (ja) 1995-01-26 1999-02-10 日本電気株式会社 ビニルモノマー、重合体、フォトレジスト組成物、及びそれを用いたパターン形成方法
JP2964990B2 (ja) 1997-05-07 1999-10-18 日本電気株式会社 橋かけ環式アルキル基を有する光酸発生剤を含有する感光性樹脂組成物、およびそれを用いたパターン形成方法
JP3055617B2 (ja) 1997-08-27 2000-06-26 日本電気株式会社 ネガ型フォトレジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法
JP3042618B2 (ja) 1998-07-03 2000-05-15 日本電気株式会社 ラクトン構造を有する(メタ)アクリレート誘導体、重合体、フォトレジスト組成物、及びパターン形成方法
US7704668B1 (en) 1998-08-04 2010-04-27 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Photoresist compositions and methods and articles of manufacture comprising same
JP3003680B1 (ja) 1998-08-13 2000-01-31 日本電気株式会社 重合体、これを含有する化学増幅型ネガレジスト及びレジストパターン形成方法
EP1112288A1 (en) * 1998-08-21 2001-07-04 Ciba SC Holding AG Thermal- and photoinitiated radical polymerization in the presence of an addition fragmentation agent
JP3351424B2 (ja) * 1999-12-28 2002-11-25 日本電気株式会社 スルホニウム塩化合物及びレジスト組成物、並びにそれを用いたパターン形成方法

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003330192A (ja) * 2002-05-09 2003-11-19 Jsr Corp 感放射線性樹脂組成物
US7235343B2 (en) 2003-05-12 2007-06-26 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Photoacid generators, chemically amplified resist compositions, and patterning process
JP2005003862A (ja) * 2003-06-11 2005-01-06 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ネガ型レジスト組成物、及びそれを用いたレジストパターン形成方法
JP2011219460A (ja) * 2010-03-26 2011-11-04 Sumitomo Chemical Co Ltd 塩及びレジスト組成物
JP2012173438A (ja) * 2011-02-18 2012-09-10 Fujifilm Corp パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及びレジスト膜
US8940476B2 (en) 2011-02-18 2015-01-27 Fujifilm Corporation Pattern forming method, actinic-ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, and resist film
KR101821233B1 (ko) 2011-02-18 2018-01-23 후지필름 가부시키가이샤 패턴 형성 방법, 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 및 레지스트막
JP2013142752A (ja) * 2012-01-10 2013-07-22 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd レジスト組成物、及びレジストパターン形成方法
JP2015031760A (ja) * 2013-07-31 2015-02-16 東京応化工業株式会社 レジスト組成物、酸発生剤、高分子化合物及びレジストパターン形成方法

Also Published As

Publication number Publication date
US6849384B2 (en) 2005-02-01
KR100547594B1 (ko) 2006-01-31
JP3386041B2 (ja) 2003-03-10
US20030198889A1 (en) 2003-10-23
KR20030079911A (ko) 2003-10-10
WO2002008833A1 (fr) 2002-01-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3351424B2 (ja) スルホニウム塩化合物及びレジスト組成物、並びにそれを用いたパターン形成方法
JP2770740B2 (ja) 橋かけ環式アルキル基を有するスルホニウム塩化合物および光酸発生剤
KR101384171B1 (ko) 레지스트 조성물 및 이것을 사용한 패턴형성방법
KR101785429B1 (ko) 포토애시드 발생제 및 이를 포함하는 포토레지스트
KR101402519B1 (ko) 광활성 화합물
JP2776204B2 (ja) アルキルスルホニウム塩、遠紫外線露光用感光性樹脂組成物、及びそれを用いたパターン形成方法
JP2007293250A (ja) ポジ型レジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法
JP2006330098A (ja) 感光性組成物、該感光性組成物に用いる化合物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法
JP3386041B2 (ja) 光酸発生剤及びそれを含有するフォトレジスト組成物、並びに該組成物を用いたパターン形成方法
JP2007210904A (ja) 新規なスルホニウム化合物、該化合物を含有する感光性組成物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法
JPH0725846A (ja) アルキルスルホニウム塩
KR20080026066A (ko) 감광성 조성물, 감광성 조성물에 사용하는 화합물 및감광성 조성물을 사용한 패턴형성방법
JP2008107817A (ja) レジスト組成物およびこれを用いたパターン形成方法
JP3567984B2 (ja) スルホニウム塩化合物、フォトレジスト組成物、およびそれを用いたパターン形成方法
JP4378872B2 (ja) 光酸発生剤、化学増幅レジスト組成物、およびそれを用いたパターン形成方法
KR100354284B1 (ko) 술포늄 염 화합물, 포토레지스트 조성물 및 이를 사용한패턴화 방법
DE10054550A1 (de) Sulfoniumsalz-Verbindung, Photoresist-Zusammensetzung und Verfahren zur Muster-/Strukturerzeugung unter Verwendung derselben
JP4996898B2 (ja) ポジ型レジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法
JP2964990B2 (ja) 橋かけ環式アルキル基を有する光酸発生剤を含有する感光性樹脂組成物、およびそれを用いたパターン形成方法
JP2606655B2 (ja) 感光性化合物および感光性組成物
JP2008089871A (ja) レジスト組成物およびこれを用いたパターン形成方法
JP2965016B2 (ja) 遠紫外線露光用感光性樹脂組成物、及びそれを用いたパターン形成方法
WO2011089033A1 (en) Fluorine-free fused ring heteroaromatic photoacid generators and resist compositions containing the same
JP2001187780A (ja) オキソアルキル基を有するスルホニウム塩化合物、レジスト組成物、およびそれを用いたパターン形成方法
TW588218B (en) Stimulation-sensitive composition and compound

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080110

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090110

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100110

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110110

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110110

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120110

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130110

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130110

Year of fee payment: 10

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees