JP2003330192A - 感放射線性樹脂組成物 - Google Patents

感放射線性樹脂組成物

Info

Publication number
JP2003330192A
JP2003330192A JP2002133816A JP2002133816A JP2003330192A JP 2003330192 A JP2003330192 A JP 2003330192A JP 2002133816 A JP2002133816 A JP 2002133816A JP 2002133816 A JP2002133816 A JP 2002133816A JP 2003330192 A JP2003330192 A JP 2003330192A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
acid
ene
bicyclo
methyl
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2002133816A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4048824B2 (ja
Inventor
Yukio Nishimura
幸生 西村
Hiroyuki Ishii
寛之 石井
Isao Nishimura
功 西村
Hidekazu Kobayashi
英一 小林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JSR Corp
Original Assignee
JSR Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by JSR Corp filed Critical JSR Corp
Priority to JP2002133816A priority Critical patent/JP4048824B2/ja
Priority to US10/428,139 priority patent/US20030219680A1/en
Publication of JP2003330192A publication Critical patent/JP2003330192A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4048824B2 publication Critical patent/JP4048824B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • G03F7/0397Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition the macromolecular compound having an alicyclic moiety in a side chain
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/0045Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 放射線に対する透明性が高く、しかも感度、
解像度、パターン形状、ドライエッチング耐性、露光後
の加熱温度の変動に対する線幅安定性等のレジストとし
ての基本物性に優れた感放射線性樹脂組成物を提供す
る。 【解決手段】 感放射線性樹脂組成物は、(A)下記式
(i-1-1) または式(i-1-2) で表される化合物に由来
する繰り返し単位を有する樹脂に代表される酸の作用に
よりアルカリ可溶性となる樹脂、並びに(B)感放射線
性酸発生剤を含有することを特徴とする。 【化1】

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、感放射線性樹脂組
成物に関わり、さらに詳しくは、KrFエキシマレーザ
ーあるいはArFエキシマレーザー等の遠紫外線、電子
線等の荷電粒子線、シンクロトロン放射線等のX線の如
き各種の放射線を使用する微細加工に有用な化学増幅型
レジストとして好適に使用することができる感放射線性
樹脂組成物に関する。
【0002】
【従来の技術】集積回路素子の製造に代表される微細加
工の分野においては、より高い集積度を得るために、最
近では0.20μm以下のレベルでの微細加工が可能な
リソグラフィー技術が必要とされている。従来のリソグ
ラフィープロセスでは、一般に放射線としてi線等の近
紫外線が用いられているが、この近紫外線では、サブク
オーターミクロンレベルの微細加工が極めて困難である
と言われている。そこで、0.20μm以下のレベルで
の微細加工を可能とするために、より波長の短い放射線
の利用が検討されている。このような短波長の放射線と
しては、例えば、水銀灯の輝線スペクトルやエキシマレ
ーザーに代表される遠紫外線、X線、電子線等を挙げる
ことができるが、これらのうち、特にKrFエキシマレ
ーザー(波長248nm)あるいはArFエキシマレー
ザー(波長193nm)が注目されている。このような
エキシマレーザーに適した感放射線性樹脂組成物とし
て、酸解離性官能基を有する成分と放射線の照射(以
下、「露光」という。)により酸を発生する成分(以
下、「感放射線性酸発生剤」という。)とによる化学増
幅効果を利用した組成物(以下、「化学増幅型感放射線
性組成物」という。)が数多く提案されている。化学増
幅型感放射線性組成物としては、例えば、特公平2−2
7660号公報に、カルボン酸のt−ブチルエステル基
またはフェノールのt−ブチルカーボナート基を有する
重合体と感放射線性酸発生剤とを含有する組成物が提案
されている。この組成物は、露光により発生した酸の作
用により、重合体中に存在するt−ブチルエステル基あ
るいはt−ブチルカーボナート基が解離して、該重合体
がカルボキシル基あるいはフェノール性水酸基からなる
酸性基を有するようになり、その結果、レジスト被膜の
露光領域がアルカリ現像液に易溶性となる現象を利用し
たものである。
【0003】ところで、従来の化学増幅型感放射線性組
成物の多くは、フェノール系樹脂をベースにするもので
あるが、このような樹脂の場合、放射線として遠紫外線
を使用すると、樹脂中の芳香族環に起因して遠紫外線が
吸収されるため、露光された遠紫外線がレジスト被膜の
下層部まで十分に到達できないという欠点があり、その
ため露光量がレジスト被膜の上層部では多く、下層部で
は少なくなり、現像後のパターン形状が上部が細く下部
にいくほど太い台形状になってしまい、十分な解像度が
得られないなどの問題があった。その上、現像後のパタ
ーン形状が台形状となった場合、次の工程、即ちエッチ
ングやイオンの打ち込みなどを行う際に、所望の寸法精
度が達成できず、問題となっていた。しかも、レジスト
パターン上部の形状が矩形でないと、ドライエッチング
によるレジストの消失速度が速くなってしまい、エッチ
ング条件の制御が困難になる問題もあった。一方、レジ
ストパターンの形状は、レジスト被膜の放射線透過率を
高めることにより改善することができる。例えば、ポリ
メチルメタクリレートに代表される(メタ)アクリレー
ト系樹脂は、遠紫外線に対しても透明性が高く、放射線
透過率の観点から非常に好ましい樹脂であり、例えば特
開平4−226461号公報には、メタクリレート系樹
脂を使用した化学増幅型感放射線性組成物が提案されて
いる。しかし、この組成物は微細加工性能の点では優れ
ているものの、芳香族環をもたないため、ドライエッチ
ング耐性が低いという欠点があり、この場合も高精度の
エッチング加工を行うことが困難であり、放射線に対す
る透明性とドライエッチング耐性とを兼ね備えたものと
は言えない。
【0004】また、化学増幅型感放射線性組成物からな
るレジストについて、放射線に対する透明性を損なわな
いで、ドライエッチング耐性を改善する方策の一つとし
て、組成物中の樹脂成分に、芳香族環に代えて脂肪族環
を導入する方法が知られており、例えば特開平7−23
4511号公報には、脂肪族環を有する(メタ)アクリ
レート系樹脂を使用した化学増幅型感放射線性組成物が
提案されている。しかし、この組成物では、樹脂成分が
有する酸解離性官能基として、従来の酸により比較的解
離し易い基(例えば、テトラヒドロピラニル基等のアセ
タール系官能基)や酸により比較的解離し難い基(例え
ば、t−ブチルエステル基、t−ブチルカーボネート基
等のt−ブチル系官能基)が用いられており、前者の酸
解離性官能基を有する樹脂成分の場合、レジストの基本
物性、特に感度やパターン形状は良好であるが、組成物
としての保存安定性に難点があり、また後者の酸解離性
官能基を有する樹脂成分では、逆に保存安定性は良好で
あるが、レジストの基本物性、特に感度やパターン形状
が損なわれるという欠点がある。さらに、この組成物中
の樹脂成分には脂肪族環が導入されているため、樹脂自
体の疎水性が非常に高くなり、基板に対する接着性の面
でも問題があった。
【0005】さらに近年、(メタ)アクリル酸のカルボ
キシル基を、酸解離性エステル基(t−ブチル基、テト
ラヒドロピラン−2−イル基、テトラヒドロフラン−2
−イル基、4−メトキシテトラヒドロピラン−4−イル
基、1−エトキシエトキシ基、3−オキソシクロヘキシ
ル基など)を有する有橋式炭化水素基で保護した化合物
に由来する繰り返し単位を有する樹脂を用いた化学増幅
型感放射線性組成物が特開平10−287712号公報
に提案されており、この組成物は基板密着性、波長22
0nm以下における透明性、エッチング耐性等が良好で
あるとされている。しかし、この組成物は遠紫外線に対
する透明性の点で必ずしも十分とは言えず、また露光後
の加熱温度の変動に対する線幅の安定性を含めたレジス
トとしての特性バランスの面でも満足できない。そこ
で、半導体素子における微細化の進行に対応しうる技術
開発の観点から、遠紫外線に代表される短波長の放射線
に適応可能な化学増幅型感放射線性組成物において、放
射線に対する透明性が高く、しかもレジストとしての特
性バランスに優れた新たな樹脂成分の開発が重要な課題
となっている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、放射
線に対する透明性が高く、しかも感度、解像度、パター
ン形状、ドライエッチング耐性、露光後の加熱温度の変
動に対する線幅安定性等のレジストとしての基本物性に
優れた感放射線性樹脂組成物を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明によると、前記課
題は、(A)下記一般式(I)で表される繰り返し単位
を有するアルカリ不溶性またはアルカリ難溶性の樹脂で
あって、酸の作用によりアルカリ可溶性となる樹脂、お
よび(B)感放射線性酸発生剤を含有することを特徴と
する感放射線性樹脂組成物によって達成される。
【0008】
【化3】
【0009】〔一般式(I)において、R1 は水素原
子、メチル基、炭素数1〜4の直鎖状もしくは分岐状の
ヒドロキシアルキル基または炭素数1〜4の直鎖状もし
くは分岐状のフッ素化アルキル基を示し、各R2 は相互
に独立に炭素数4〜20の1価の脂環式炭化水素基もし
くはその誘導体または炭素数1〜4の直鎖状もしくは分
岐状のアルキル基を示し、かつR2 の少なくとも1つが
該脂環式炭化水素基もしくはその誘導体であるか、ある
いは何れか2つのR2 が相互に結合して、それぞれが結
合している炭素原子と共に、炭素数4〜20の2価の脂
環式炭化水素基もしくはその誘導体を形成し、残りのR
2 が炭素数1〜4の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基
または炭素数4〜20の1価の脂環式炭化水素基もしく
はその誘導体を示し、Uは炭素数5〜12の2価の有橋
式炭化水素基を示す。〕
【0010】以下、本発明について詳細に説明する。(A)成分 本発明における(A)成分は、前記一般式(I)で表さ
れる繰り返し単位(以下、「繰り返し単位(I)」とい
う。)を有するアルカリ不溶性またはアルカリ難溶性の
樹脂であって、酸の作用によりアルカリ可溶性となる樹
脂(以下、「樹脂(A)」という。)からなる。ここで
いう「アルカリ不溶性またはアルカリ難溶性」とは、樹
脂(A)を含有する感放射線性樹脂組成物から形成され
たレジスト被膜からレジストパターンを形成する際に採
用されるアルカリ現像条件下で、当該レジスト被膜の代
わりに樹脂(A)のみを用いた被膜を現像した場合に、
当該被膜の初期膜厚の50%以上が現像後に残存する性
質を意味する。
【0011】樹脂(A)における繰り返し単位(I)で
は、R2 の1価の脂環式炭化水素基、および何れか2つ
のR2 が相互に結合してそれぞれが結合している炭素原
子と共に形成する2価の脂環式炭化水素基が、ともに有
橋式炭化水素骨格を有することができる。そこで、Uの
2価の有橋式炭化水素基における場合も含めて、主な有
橋式炭化水素骨格における炭素原子の位置番号を次に示
す。
【0012】
【化4】
【0013】ここで、(イ)はビシクロ[2.2.1]
ヘプタン、(ロ)はテトラシクロ[ 6.2.1.1
3,6 .02,7 ]ドデカン、(ハ)はトリシクロ[ 5.
2.1.02,6 ]デカン、(ニ)はトリシクロ[ 4.
2.1.03,7 ]ノナンである。以下における有橋式炭
化水素骨格の命名は、これら(イ)〜(ニ)に従うもの
とする。
【0014】一般式(I)において、R1 の炭素数1〜
4の直鎖状もしくは分岐状のヒドロキシアルキル基とし
ては、例えば、ヒドロキシメチル基、1−ヒドロキシエ
チル基、2−ヒドロキシエチル基、1−ヒドロキシプロ
ピル基、2−ヒドロキシプロピル基、3−ヒドロキシプ
ロピル基、1−ヒドロキシブチル基、2−ヒドロキシブ
チル基、3−ヒドロキシブチル基、4−ヒドロキシブチ
ル基等を挙げることができる。
【0015】また、R1 の炭素数1〜4の直鎖状もしく
は分岐状のフッ素化アルキル基としては、例えば、モノ
フルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロ
メチル基、1−フルオロエチル基、1,2−ジフルオロ
エチル基、2,2,2−トリフルオロエチル基、1,
1,2,2−テトラフルオロエチル基、ペンタフルオロ
エチル基、ヘプタフルオロ−n−プロピル基、ノナフル
オロ−n−ブチル基等を挙げることができる。
【0016】一般式(I)におけるR1 としては、水素
原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメ
チル基等が好ましい。
【0017】一般式(I)において、R2 の炭素数4〜
20の1価の脂環式炭化水素基およびその誘導体として
は、例えば、シクロブチル基、シクロペンチル基、シク
ロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等
のシクロアルキル基;アダマンタン−1−イル基、ビシ
クロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル基、テトラシク
ロ[[ 6.2.1.13,6 .02,7 ]ドデカン−4−イ
ル基、トリシクロ[ 5.2.1.02,6 ]デカン−8−
イル基等の有橋式炭化水素基;これらのシクロアルキル
基あるいは有橋式炭化水素基をメチル基、エチル基、n
−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、2−メ
チルプロピル基、1−メチルプロピル基、t−ブチル基
等の炭素数1〜4の直鎖状、分岐状または環状のアルキ
ル基の1種以上あるいは1個以上で置換した基;これら
のアルキル基で置換されてもよい脂環式炭化水素基を水
酸基、カルボキシル基、ニトロ基、シアノ基、アミノ基
等の1種以上あるいは1個以上で置換した基等を挙げる
ことができる。
【0018】また、何れか2つのR2 が相互に結合し
て、それぞれが結合している炭素原子と共に形成した炭
素数4〜20の2価の脂環式炭化水素基およびその誘導
体としては、例えば、シクロブタン、シクロペンタン、
シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン等の
シクロアルカン類や、アダマンタン、ビシクロ[2.
2.1]ヘプタン、テトラシクロ[ 6.2.1.1
3,6 .02,7 ]ドデカン、トリシクロ[ 5.2.1.0
2,6 ]デカン等の有橋式炭化水素類に由来する基;これ
らのシクロアルカン類あるいは有橋式炭化水素類に由来
する基をメチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プ
ロピル基、n−ブチル基、2−メチルプロピル基、1−
メチルプロピル基、t−ブチル基等の炭素数1〜4の直
鎖状、分岐状または環状のアルキル基の1種以上あるい
は1個以上で置換した基;これらのアルキル基で置換さ
れてもよいシクロアルカン類あるいは有橋式炭化水素類
に由来する基を水酸基、カルボキシル基、ニトロ基、シ
アノ基、アミノ基等の1種以上あるいは1個以上で置換
した基等を挙げることができる。
【0019】また、R2 の炭素数1〜4の直鎖状もしく
は分岐状のアルキル基としては、例えば、メチル基、エ
チル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル
基、2−メチルプロピル基、1−メチルプロピル基、t
−ブチル基等を挙げることができる。
【0020】一般式(I)中の−C(R2)3 に相当する
構造としては、例えば、1−メチルシクロペンチル基、
1−エチルシクロペンチル基、1−メチルシクロヘキシ
ル基、1−エチルシクロヘキシル基等の1−アルキル置
換シクロアルキル基;2−メチルアダマンタン−2−イ
ル基、2−エチルアダマンタン−2−イル基、2−メチ
ルビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル基、2−
エチルビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル基、
4−メチルテトラシクロ[ 6.2.1.13,6 .0
2,7 ]ドデカン−4−イル基、4−エチルテトラシクロ
[ 6.2.1.13,6 .02,7 ]ドデカン−4−イル
基、8−メチルトリシクロ[ 5.2.1.02,6 ]デカ
ン−8−イル基、8−エチルトリシクロ[ 5.2.1.
2,6 ]デカン−8−イル基等の1−アルキル置換有橋
式炭化水素基;1−メチル−1−(アダマンタン−1−
イル)エチル基、1−メチル−1−(ビシクロ[2.
2.1]ヘプタン−2−イル)エチル基、1−メチル−
1−(テトラシクロテトラシクロ[ 6.2.1.1
3,6 .02,7 ]ドデカン−4−イル)エチル基、1−メ
チル−1−(トリシクロトリシクロ[ 5.2.1.0
2,6 ]デカン−8−イル)エチル基等の1−有橋式炭化
水素置換アルキル基等を挙げることができる。
【0021】これらの−C(R2)3 に相当する構造のう
ち、1−メチルシクロペンチル基、1−エチルシクロペ
ンチル基、1−メチルシクロヘキシル基、1−エチルシ
クロヘキシル基、2−メチルアダマンタン−2−イル
基、2−エチルアダマンタン−2−イル基、2−メチル
ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル基、2−エ
チルビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル基、1
−メチル−1−(ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2
−イル)エチル基等が好ましく、特に、1−メチルシク
ロペンチル基、1−エチルシクロペンチル基、1−メチ
ルシクロヘキシル基、1−エチルシクロヘキシル基が好
ましい。
【0022】一般式(I)において、Uの炭素数5〜1
2の2価の有橋式炭化水素基としては、例えば、アダマ
ンタン、ビシクロ[2.2.1]ヘプタン、テトラシク
ロ[6.2.1.13,6 .02,7 ]ドデカン、トリシク
ロ[ 5.2.1.02,6 ]デカン等に由来する基を挙げ
ることができる。
【0023】本発明における特に好ましい繰り返し単位
(I)としては、例えば、下記式(I-1)で表される繰
り返し単位(以下、「繰り返し単位(I-1) 」とい
う。)を挙げることができる。
【0024】
【化5】 〔式(I-1)において、Rは水素原子またはメチル基を
示し、R’はメチル基またはエチル基を示し、aは1ま
たは2であり、bは0または1である。〕
【0025】繰り返し単位(I)を与える単量体は下記
一般式(i)で表され、繰り返し単位(I-1) を与える
単量体は下記式(i-1)で表される。
【0026】
【化6】 〔一般式(i)において、R1 、R2 およびUは一般式
(I)におけるそれぞれR1 、R2 およびUと同義であ
る。〕
【0027】
【化7】 〔式(i-1)において、R、R’、aおよびbは式(I
-1)におけるそれぞれR、R’、aおよびbと同義であ
る。〕
【0028】式(i-1)で表される単量体は、例えば、
次のような方法で合成することができる。 1) ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン−5−
カルボン酸1−メチルシクロペンチルと、ギ酸、BH3
−テトラヒドロフラン錯体等とを反応させることによ
り、2−ヒドロキシカルボニルオキシビシクロ[2.
2.1]ヘプタン−5−カルボン酸1−メチルシクロペ
ンチルないし3−ヒドロキシカルボニルオキシビシクロ
[2.2.1]ヘプタン−5−カルボン酸1−メチルシ
クロペンチルを得る。 2) 1)で得られた化合物を、炭酸ナトリウム等の塩
基を用いて加水分解することにより、2−ヒドロキシビ
シクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン−5−カルボン
酸1−メチルシクロペンチルないし3−ヒドロキシビシ
クロ[2.2.1]ヘプト−2−エン−5−カルボン酸
1−メチルシクロペンチルを得る。 3) さらに、2)で得られた化合物と等量の(メタ)
アクリル酸クロライドとを、水酸化ナトリウム等の塩基
の存在下で、脱塩化水素反応させることにより、下記式
(i-1-1) で表される2−(メタ)アクリロイルオキシ
ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン−5−カルボ
ン酸1−メチルシクロペンチルないし下記式(i-1-2)
で表される3−(メタ)アクリロイルオキシビシクロ
[2.2.1]ヘプト−2−エン−5−カルボン酸1−
メチルシクロペンチルを得ることができる。
【0029】
【化8】 (各式中、Rは水素原子またはメチル基を示す。)
【0030】また、前記式(i-1-1) で表される単量体
および式(i-1-2) で表される単量体以外の、式(i-
1)で表される単量体の具体例としては、下記式(i-1-
3) 〜(i-1-16)(各式中、Rは水素原子またはメチル
基を示す。)で表される単量体等を挙げることができ
る。
【0031】
【化9】
【0032】
【化10】
【0033】
【化11】
【0034】
【化12】
【0035】
【化13】
【0036】
【化14】
【0037】
【化15】
【0038】樹脂(A)において、繰り返し単位(I)
は、単独でまたは2種以上が存在することができる。ま
た、樹脂(A)は、繰り返し単位(I)以外の繰り返し
単位(以下、「他の繰り返し単位」という。)を1種以
上有することができる。好ましい他の繰り返し単位とし
ては、例えば、下記一般式(II)で表される繰り返し単
位(以下、「繰り返し単位(II)」という。)、下記一
般式(III)で表される繰り返し単位(以下、「繰り返し
単位(III)」という。)を挙げることができる。
【0039】
【化16】 〔一般式(II)において、R3 は1価の基を示し、nは
0〜2の整数である。一般式(III)において、R4 は水
素原子、メチル基、炭素数1〜4の直鎖状もしくは分岐
状のヒドロキシアルキル基または炭素数1〜4の直鎖状
もしくは分岐状のフッ素化アルキル基を示し、R5 は水
素原子または1価の有機基を示す。〕
【0040】一般式(II)において、R3 の1価の基と
しては、例えば、下記式(1-1) 〜式(1-4)で表され
る基等を挙げることができる。
【0041】
【化17】
【0042】〔式(1-1)において、各X1 は相互に独
立に水素原子、フッ素原子、炭素数1〜4の直鎖状もし
くは分岐状のアルキル基または炭素数1〜4の直鎖状も
しくは分岐状のフッ素化アルキル基を示し、各X2 は相
互に独立に水素原子、フッ素原子、炭素数1〜4の直鎖
状もしくは分岐状のアルキル基または炭素数1〜4の直
鎖状もしくは分岐状のフッ素化アルキル基を示し、cは
0〜5の整数である。
【0043】式(1-2) において、R6 は単結合、直鎖
状もしくは分岐状の2価の有機基、または脂環式構造を
有する2価の有機基を示し、X3 は水素原子または1価
の官能基を示す。
【0044】式(1-3)において、各R7 は相互に独立
に炭素数1〜4の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、
炭素数2〜4のオキソアルキル基または炭素数4〜20
の1価の脂環式炭化水素基もしくはその誘導体を示す
か、あるいは何れか2つのR7 が相互に結合して、それ
ぞれが結合している炭素原子と共に、炭素数4〜20の
2価の脂環式炭化水素基もしくはその誘導体を形成し、
残りのR7 が炭素数1〜4の直鎖状もしくは分岐状のア
ルキル基、炭素数2〜4のオキソアルキル基または炭素
数4〜20の一価の脂環式炭化水素基もしくはその誘導
体を示す。
【0045】式(1-4)において、R8 は炭素数1〜6
の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、脂環式構造を有
する炭素数4〜20の1価の有機基、環状エーテル構造
を有する1価の有機基、または置換されてもよいラクト
ン骨格を有する1価の有機基を示す。〕
【0046】式(1-1)において、X1 およびX2 の炭
素数1〜4の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基として
は、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i
−プロピル基、n−ブチル基、2−メチルプロピル基、
1−メチルプロピル基、t−ブチル基等を挙げることが
できる。
【0047】また、X1 およびX2 の炭素数1〜4の直
鎖状もしくは分岐状のフッ素化アルキル基としては、例
えば、モノフルオロメチル基、ジフルオロメチル基、ト
リフルオロメチル基、1−フルオロエチル基、1,2−
ジフルオロエチル基、2,2,2−トリフルオロエチル
基、1,1,2,2−テトラフルオロエチル基、ペンタ
フルオロエチル基、ヘプタフルオロ−n−プロピル基、
ノナフルオロ−n−ブチル基等を挙げることができる。
【0048】式(1-1)におけるX1 およびX2 として
はそれぞれ、水素原子、フッ素原子、トリフルオロメチ
ル基等が好ましい。
【0049】一般式(II)において、R3 の式(1-1)
で表される好ましい基としては、例えば、ヒドロキシメ
チル基、2−ヒドロキシエチル基、3−ヒドロキシプロ
ピル基、(フルオロ)(ヒドロキシ)メチル基、(ジフ
ルオロ)(ヒドロキシ)メチル基、1,2−ジフルオロ
−2−ヒドロキシエチル基、1,1,2,2−テトラフ
ルオロ−2−ヒドロキシエチル基、2−トリフルオロメ
チル−2−ヒドロキシエチル基、2、2−ジ(トリフル
オロメチル)−2−ヒドロキシエチル基等を挙げること
ができる。
【0050】式(1-2)において、R6 の直鎖状もしく
は分岐状の2価の有機基としては、メチレン基、エチレ
ン基、プロピレン基、トリメチレン基、テトラメチレン
基、2−メチルトリメチレン基、ヘキサメチレン基、オ
クタメチレン基、デカメチレン基等のメチレン基または
炭素数2〜12のアルキレン基等を挙げることができ
る。また、R6 の脂環式構造を有する2価の有機基とし
ては、例えば、シクロブタン、シクロペンタン、シクロ
ヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン等の炭素数
4〜20のシクロアルカン類に由来する基;アダマンタ
ン、ビシクロ[2.2.1]ヘプタン、テトラシクロ[
6.2.1.13,6 .02,7 ]ドデカン、トリシクロ[
5.2.1.02,6 ]デカン等の炭素数4〜20の有橋
式炭化水素類に由来する基等を挙げることができる。
【0051】式(1-2)におけるR6 としては、単結
合、メチレン基、エチレン基、アダマンタンに由来する
2価の基、ビシクロ[2.2.1]ヘプタンに由来する
2価の基等が好ましい。
【0052】式(1-2)において、X3 の1価の官能基
としては、例えば、水酸基、カルボキシル基、ニトロ
基、シアノ基、アミノ基等を挙げることができる。式
(1-2)におけるX3 としては、水素原子、水酸基、カ
ルボキシル基、シアノ基等が好ましい。
【0053】一般式(II)において、R3 の式(1-2)
で表される好ましい基としては、例えば、水素原子、水
酸基、ヒドロキシメチル基、2−ヒドロキシエチル基、
3−ヒドロキシプロピル基、3−ヒドロキシアダマンタ
ン−1−イル基、5−ヒドロキシビシクロ[2.2.
1]ヘプタン−2−イル基、6−ヒドロキシビシクロ
[2.2.1]ヘプタン−2−イル基、9−ヒドロキシ
テトラシクロ[ 6.2.1.13,6 .02,7 ]ドデカン
−4−イル基、10−ヒドロキシテトラシクロ[ 6.
2.1.13,6 .02,7 ]ドデカン−4−イル基、カル
ボキシル基、カルボキシメチル基、2−カルボキシエチ
ル基、3−カルボキシプロピル基、3−カルボキシアダ
マンタン−1−イル基、5−カルボキシビシクロ[2.
2.1]ヘプタン−2−イル基、6−カルボキシビシク
ロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル基、9−カルボキ
シテトラシクロ[ 6.2.1.13,6 .02,7 ]ドデカ
ン−4−イル基、10−カルボキシテトラシクロ[ 6.
2.1.13,6 .02,7 ]ドデカン−4−イル基、シア
ノ基、シアノメチル基、2−シアノエチル基、3−シア
ノプロピル基、3−シアノアダマンタン−1−イル基、
5−シアノビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル
基、6−シアノビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−
イル基、9−シアノテトラシクロ[ 6.2.1.1
3,6 .02,7 ]ドデカン−4−イル基、10−シアノテ
トラシクロ[ 6.2.1.13,6 .02,7 ]ドデカン−
4−イル基等を挙げることができる。
【0054】式(1-3)において、R7 の炭素数4〜2
0の1価の脂環式炭化水素基もしくはその誘導体および
何れか2つのR7 が相互に結合してそれぞれが結合して
いる炭素原子と共に形成した炭素数4〜20の2価の脂
環式炭化水素基もしくはその誘導体としては、例えば、
シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シク
ロヘプタン、シクロオクタン等のシクロアルカン類や、
アダマンタン、ビシクロ[2.2.1]ヘプタン、テト
ラシクロ[ 6.2.1.13,6 .02,7 ]ドデカン、ト
リシクロ[ 5.2.1.02,6 ]デカン等の有橋式炭化
水素類に由来する基;これらのシクロアルカン類あるい
は有橋式炭化水素類に由来する基をメチル基、エチル
基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、
2−メチルプロピル基、1−メチルプロピル基、t−ブ
チル基等の炭素数1〜4の直鎖状、分岐状または環状の
アルキル基の1種以上或いは1個以上で置換した基;こ
れらのアルキル基で置換されてもよいシクロアルカン類
あるいは有橋式炭化水素類に由来する基を水酸基、カル
ボキシル基、ニトロ基、シアノ基、アミノ基等の1種以
上あるいは1個以上で置換した基等を挙げることができ
る。
【0055】また、R7 の炭素数1〜4の直鎖状もしく
は分岐状のアルキル基としては、例えば、例えば、メチ
ル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n
−ブチル基、2−メチルプロピル基、1−メチルプロピ
ル基、t−ブチル基等を挙げることができる。また、R
7 の炭素数2〜4のオキソアルキル基としては、例え
ば、オキソエチル基、1−オキソプロピル基、1−オキ
ソ−n−ブチル基等を挙げることができる。
【0056】一般式(II)において、R3 の式(1-3)
で表される基中の−C(R2)3 に相当する好ましい構造
としては、例えば、t−ブチル基、2−メチル−2−ブ
チル基、2−エチル−2−ブチル基、3−エチル−3−
ブチル基、1,1−ジメチル−2−オキソプロピル基、
1,1−ジメチル−2−オキソ−n−ブチル基、1−メ
チルシクロペンチル基、1−エチルシクロペンチル基、
1−メチルシクロヘキシル基、1−エチルシクロヘキシ
ル基、2−メチルアダマンタン−2−イル基、2−エチ
ルアダマンタン−2−イル基、2−メチル−3−ヒドロ
キシアダマンタン−2−イル基、2−メチルビシクロ
[2.2.1]ヘプタン−2−イル基、2−エチルビシ
クロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル基、4−メチル
−テトラシクロ[ 6.2.1.13,6 .02,7 ]ドデカ
ン−4−イル基、4−エチル−テトラシクロ[ 6.2.
1.13,6 .02,7]ドデカン−4−イル基、8−メチ
ルトリシクロ[ 5.2.1.02,6 ]デカン−8−イル
基、8−エチルトリシクロ[ 5.2.1.02,6 ]デカ
ン−8−イル基、
【0057】1−メチル−1−シクロペンチルエチル
基、1−メチル−1−(2−ヒドロキシシクロペンチ
ル)エチル基、1−メチル−1−(3−ヒドロキシシク
ロペンチル)エチル基、1−メチル−1−シクロヘキシ
ルエチル基、1−メチル−1−(3−ヒドロキシシクロ
ヘキシル)エチル基、1−メチル−1−(4−ヒドロキ
シシクロヘキシル)エチル基、1−メチル−1−シクロ
へプチルエチル基、1−メチル−1−(3−ヒドロキシ
シクロへプチル)エチル基、1−メチル−1−(4−ヒ
ドロキシシクロへプチル)エチル基、1−メチル−1−
(アダマンタン−1−イル)エチル基、1−メチル−1
−(3−ヒドロキシアダマンタン−1−イル)エチル
基、1−メチル−1−(ビシクロ[2.2.1]ヘプタ
ン−2−イル)エチル基、1−メチル−1−(テトラシ
クロ[ 6.2.1.13,6 .02,7 ]ドデカン−4−イ
ル)エチル基、1−メチル−1−(トリシクロ[ 5.
2.1.02,6 ]デカン−8−イル)エチル基、1,1
−ジシクロペンチルエチル基、1,1−ジシクロヘキシ
ルエチル基、1,1−ジ(アダマンタン−1−イル)エ
チル基、1,1−ジ(ビシクロ[2.2.1]ヘプタン
−2−イル)エチル基、1,1−ジ(テトラシクロ[
6.2.1.13,6 .02,7 ]ドデカン−4−イル)エ
チル基、1,1−ジ(トリシクロ[ 5.2.1.0
2,6 ]デカン−8−イル)エチル基等を挙げることがで
きる。
【0058】式(1-4)において、R8 の炭素数1〜6
の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基としては、例え
ば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピ
ル基、n−ブチル基、2−メチルプロピル基、1−メチ
ルプロピル基等を挙げることができる。
【0059】また、R8 の脂環式構造を有する炭素数4
〜20の1価の有機基としては、例えば、シクロブタ
ン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタ
ン、シクロオクタン等に由来するシクロアルカン類に由
来する基;アダマンタン、ビシクロ[2.2.1]ヘプ
タン、テトラシクロ[ 6.2.1.13,6 .02,7 ]ド
デカン、トリシクロ[ 5.2.1.02,6 ]デカン等の
有橋式炭化水素類に由来する基;これらのシクロアルカ
ン類あるいは有橋式炭化水素類に由来する基をメチル
基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−
ブチル基、2−メチルプロピル基、1−メチルプロピル
基、t−ブチル基等の炭素数1〜4の直鎖状、分岐状ま
たは環状のアルキル基の1種以上或いは1個以上で置換
した基;これらのアルキル基で置換されてもよいシクロ
アルカン類あるいは有橋式炭化水素類に由来する1価の
基を水酸基、カルボキシル基、ニトロ基、シアノ基、ア
ミノ基等の1種以上あるいは1個以上で置換した基等を
挙げることができる。
【0060】また、R8 の環状エーテル構造を有する1
価の有機基としては、例えば、テトラヒドロフラン−2
−イル基、テトラヒドロピラン−2−イル基や、これら
の基がメチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロ
ピル基、n−ブチル基、2−メチルプロピル基、1−メ
チルプロピル基、t−ブチル基等の炭素数1〜4の直鎖
状、分岐状または環状のアルキル基に結合した基等を挙
げることができる。また、R8 の置換されてもよいラク
トン骨格を有する1価の有機基としては、例えば、下記
式(2-1)、式(2-2)、式(2-3)または式(2-4)
で表される基等を挙げることができる。
【0061】
【化18】
【0062】〔式(2-1)および式(2-2)において、
各R9 は相互に独立に水素原子、炭素数1〜5の直鎖状
もしくは分岐状のアルキル基、炭素数1〜5の直鎖状も
しくは分岐状のアルコキシル基、または炭素数2〜5の
直鎖状もしくは分岐状のアルコキシカルボニル基を示
し、Y1 はメチレン基、ジメチルメチレン基、酸素原子
または硫黄原子を示す。式(2-3)において、R10は水
素原子、炭素数1〜5の直鎖状もしくは分岐状のアルキ
ル基、炭素数1〜5の直鎖状もしくは分岐状のアルコキ
シル基、または炭素数2〜5の直鎖状もしくは分岐状の
アルコキシカルボニル基を示す。式(2-4)において、
11は水素原子、炭素数1〜5の直鎖状もしくは分岐状
のアルキル基、炭素数1〜5の直鎖状もしくは分岐状の
アルコキシル基、または炭素数2〜5の直鎖状もしくは
分岐状のアルコキシカルボニル基を示し、複数存在する
11は相互に同一でも異なってもよく、dは0〜4の整
数であり、Y2 は単結合またはメチレン基を示す。〕
【0063】式(2-1)〜式(2-4)において、R9
10およびR11の炭素数1〜5の直鎖状もしくは分岐状
のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、
n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、1−
メチルプロピル基、2−メチルプロピル基、t−ブチル
基、n−ペンチル基等を挙げることができる。また、R
9 、R10およびR11の炭素数1〜5の直鎖状もしくは分
岐状のアルコキシル基としては、例えば、メトキシ基、
エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポキシ基、n
−ブトキシ基、1−メチルプロポキシ基、2−メチルプ
ロポキシ基、t−ブトキシ基、n−ペンチルオキシ基等
を挙げることができる。また、R9 、R10およびR11
炭素数2〜5の直鎖状もしくは分岐状のアルコキシカル
ボニル基としては、例えば、メトキシカルボニル基、エ
トキシカルボニル基、n−プロポキシカルボニル基、i
−プロポキシカルボニル基、n−ブトキシカルボニル
基、1−メチルプロポキシカルボニル基、2−メチルプ
ロポキシカルボニル基、t−ブトキシカルボニル基等を
挙げることができる。
【0064】一般式(II)において、R3 の式(1-4)
で表される基中の好ましいR8 としては、例えば、メチ
ル基、エチル基、n−プロピル基等の直鎖状もしくは分
岐状のアルキル基;シクロペンチル基、シクロヘキシル
基等のシクロアルキル基;アダマンタン−1−イル基、
ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル基、7,7
−ジメチルビシクロ[2.2.1]ヘプタン−1−イル
基、テトラシクロ[6.2.1.13,6 .02,7 ]ドデ
カン−4−イル基、トリシクロ[ 5.2.1.02,6
デカン−8−イル基等の有橋式炭化水素類に由来する
基;(テトラヒドロフラン−2−イル)メチル基等の環
状エーテル構造を有する有機基;
【0065】5−オキソ−4−オキサトリシクロ[ 4.
2.1.03,7 ]ノナン−2−イル基、9−メトキシカ
ルボニル−5−オキソ−4−オキサトリシクロ[ 4.
2.1.03,7 ]ノナン−2−イル基、7−オキソ−6
−オキサビシクロ[3.2.1]オクタン−4−イル
基、2−メトキシカルボニル−7−オキソ−6−オキサ
−ビシクロ[3.2.1]オクタン−4−イル基、2−
オキソテトラヒドロピラン−4−イル基、4−メチル−
2−オキソテトラヒドロピラン−4−イル基、4−エチ
ル−2−オキソテトラヒドロピラン−4−イル基、4−
n−プロピル−2−オキソテトラヒドロピラン−4−イ
ル基、5−オキソテトラヒドロフラン−3−イル基、
2,2−ジメチル−5−オキソテトラヒドロフラン−3
−イル基、4,4−ジメチル−5−オキソテトラヒドロ
フラン−3−イル基、2−オキソテトラヒドロフラン−
3−イル基、4,4−ジメチル−2−オキソテトラヒド
ロフラン−3−イル基、5,5−ジメチル−2−オキソ
テトラヒドロフラン−3−イル基、2−オキソテトラヒ
ドロフラン−3−イル基、(5−オキソテトラヒドロフ
ラン−2−イル)メチル基、(3,3−ジメチル−5−
オキソテトラヒドロフラン−2−イル)メチル基、
(4,4−ジメチル−5−オキソテトラヒドロフラン−
2−イル)メチル基等の置換されてもよいラクトン骨格
を有する有機基等を挙げることができる。
【0066】一般式(III)において、R4 の炭素数1〜
4の直鎖状もしくは分岐状のヒドロキシアルキル基とし
ては、例えば、ヒドロキシメチル基、1−ヒドロキシエ
チル基、2−ヒドロキシエチル基、1−ヒドロキシプロ
ピル基、2−ヒドロキシプロピル基、3−ヒドロキシプ
ロピル基、1−ヒドロキシブチル基、2−ヒドロキシブ
チル基、3−ヒドロキシブチル基、4−ヒドロキシブチ
ル基等を挙げることができる。
【0067】また、R4 の炭素数1〜4の直鎖状もしく
は分岐状のフッ素化アルキル基としては、例えば、モノ
フルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロ
メチル基、1−フルオロエチル基、1,2−ジフルオロ
エチル基、2,2,2−トリフルオロエチル基、1,
1,2,2−テトラフルオロエチル基、ペンタフルオロ
エチル基、ヘプタフルオロ−n−プロピル基、ノナフル
オロ−n−ブチル基等を挙げることができる。
【0068】一般式(III)におけるR4 としては、水素
原子、メチル基、モノフルオロメチル基、ジフルオロメ
チル基、トリフルオロメチル基、ヒドロキシメチル基、
2−ヒドロキシエチル基等が好ましい。
【0069】また、R5 の1価の有機基としては、例え
ば、炭素数1〜6の直鎖状もしくは分岐状のアルキル
基、脂環式構造を有する炭素数4〜20の1価の有機
基、環状エーテル構造を有する1価の有機基、置換され
てもよいラクトン骨格を有する1価の有機基、下記式
(3-1) または式(3-2) で表される基等を挙げること
ができる。
【0070】
【化19】
【0071】〔式(3-1) において、R12は直鎖状もし
くは分岐状の2価の有機基、または脂環式構造を有する
2価の有機基を示し、X4 は水素原子または1価の官能
基を示す。
【0072】式(3-2) において、各R13は相互に独立
に炭素数1〜4の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、
炭素数2〜4のオキソアルキル基または炭素数4〜20
の1価の脂環式炭化水素基もしくはその誘導体を示す
か、あるいは何れか2つのR13が相互に結合して、それ
ぞれが結合している炭素原子と共に、炭素数4〜20の
2価の脂環式炭化水素基もしくはその誘導体を形成し、
残りのR13が炭素数1〜4の直鎖状もしくは分岐状のア
ルキル基、炭素数2〜4のオキソアルキル基または炭素
数4〜20の一価の脂環式炭化水素基もしくはその誘導
体を示す。〕
【0073】一般式(III)において、R5 の1価の有機
基のうち、炭素数1〜6の直鎖状もしくは分岐状のアル
キル基、脂環式構造を有する炭素数4〜20の1価の有
機基、環状エーテル構造を有する1価の有機基および置
換されてもよいラクトン骨格を有する1価の有機基とし
ては、例えば、前記式(1-4)におけるR8 について例
示したそれぞれ対応する基と同様のものを挙げることが
できる。
【0074】一般式(III)におけるR5 の炭素数1〜6
の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、脂環式構造を有
する炭素数4〜20の1価の有機基、環状エーテル構造
を有する1価の有機基および置換されてもよいラクトン
骨格を有する1価の有機基の好ましいものとしては、例
えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基等の直鎖状
もしくは分岐状のアルキル基;シクロペンチル基、シク
ロヘキシル基等のシクロアルキル基;アダマンタン−1
−イル基、ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル
基、7,7−ジメチルビシクロ[2.2.1]ヘプタン
−1−イル基、テトラシクロ[6.2.1.13,6 .0
2,7 ]ドデカン−4−イル基、トリシクロ[ 5.2.
1.02,6 ]デカン−8−イル基等の有橋式炭化水素類
に由来する基;(テトラヒドロフラン−2−イル)メチ
ル基等の環状エーテル構造を有する有機基;
【0075】5−オキソ−4−オキサトリシクロ[ 4.
2.1.03,7 ]ノナン−2−イル基、9−メトキシカ
ルボニル−5−オキソ−4−オキサトリシクロ[ 4.
2.1.03,7 ]ノナン−2−イル基、7−オキソ−6
−オキサビシクロ[3.2.1]オクタン−4−イル
基、2−メトキシカルボニル−7−オキソ−6−オキサ
−ビシクロ[3.2.1]オクタン−4−イル基、2−
オキソテトラヒドロピラン−4−イル基、4−メチル−
2−オキソテトラヒドロピラン−4−イル基、4−エチ
ル−2−オキソテトラヒドロピランー4−イル基、4−
n−プロピル−2−オキソテトラヒドロピラン−4−イ
ル基、5−オキソテトラヒドロフラン−3−イル基、
2,2−ジメチル−5−オキソテトラヒドロフラン−3
−イル基、4,4−ジメチル−5−オキソテトラヒドロ
フラン−3−イル基、2−オキソテトラヒドロフラン−
3−イル基、4,4−ジメチル−2−オキソテトラヒド
ロフラン−3−イル基、5,5−ジメチル−2−オキソ
テトラヒドロフラン−3−イル基、2−オキソテトラヒ
ドロフラン−3−イル基、(5−オキソテトラヒドロフ
ラン−2−イル)メチル基、(3,3−ジメチル−5−
オキソテトラヒドロフラン−2−イル)メチル基、
(4,4−ジメチルー5−オキソテトラヒドロフラン−
2−イル)メチル基等の置換されてもよいラクトン骨格
を有する有機基等挙げることができる。
【0076】式(3-1) において、R12の直鎖状もしく
は分岐状の2価の有機基および脂環式構造を有する2価
の有機基としては、例えば、前記式(1-2)におけるR
6 について例示したそれぞれ対応する基と同様のものを
挙げることができる。
【0077】式(3-1)におけるR12としては、メチレ
ン基、エチレン基、アダマンタンに由来する2価の基、
ビシクロ[2.2.1]ヘプタンに由来する2価の基等
が好ましい。
【0078】式(3-1) におけるX4 の1価の官能基と
しては、例えば、前記式(1-2)におけるX3 の1価の
官能基について例示した基と同様のものを挙げることが
できる。式(3-1)におけるX4 としては、水素原子、
水酸基、カルボキシル基、シアノ基等が好ましい。
【0079】一般式(III)において、R5 の式(3-1)
で表される好ましい基としては、例えば、ヒドロキシメ
チル基、2−ヒドロキシエチル基、3−ヒドロキシプロ
ピル基、3−ヒドロキシアダマンタン−1−イル基、5
−ヒドロキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イ
ル基、6−ヒドロキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン
−2−イル基、9−ヒドロキシテトラシクロ[ 6.2.
1.13,6 .02,7 ]ドデカン−4−イル基、10−ヒ
ドロキシテトラシクロ[ 6.2.1.13,6 .02,7
ドデカン−4−イル基、カルボキシメチル基、2−カル
ボキシエチル基、3−カルボキシプロピル基、3−カル
ボキシアダマンタン−1−イル基、5−カルボキシビシ
クロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル基、6−カルボ
キシビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル基、9
−カルボキシテトラシクロ[ 6.2.1.13,6 .0
2,7 ]ドデカン−4−イル基、10−カルボキシテトラ
シクロ[ 6.2.1.13,6 .02,7]ドデカン−4−
イル基、シアノメチル基、2−シアノエチル基、3−シ
アノプロピル基、3−シアノアダマンタン−1−イル
基、5−シアノビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−
イル基、6−シアノビシクロ[2.2.1]ヘプタン−
2−イル基、9−シアノテトラシクロ[ 6.2.1.1
3,6 .02,7 ]ドデカン−4−イル基、10−シアノテ
トラシクロ[ 6.2.1.13,6 .02,7 ]ドデカン−
4−イル基等を挙げることができる。
【0080】式(3-2) において、R13の1〜4の直鎖
状もしくは分岐状のアルキル基、炭素数2〜4のオキソ
アルキル基、炭素数4〜20の1価の脂環式炭化水素基
もしくはその誘導体および何れか2つのR13が相互に結
合してそれぞれが結合している炭素原子と共に形成した
炭素数4〜20の2価の脂環式炭化水素基もしくはその
誘導体としては、前記式(1-3) におけるR7 について
例示したそれぞれ対応する基と同様のものを挙げること
ができる。
【0081】一般式(III)において、R5 の式(3-2)
で表される好ましい基としては、例えば、t−ブチル
基、2−メチル−2−ブチル基、2−エチル−2−ブチ
ル基、3−エチル−3−ブチル基、1,1−ジメチル−
2−オキソプロピル基、1,1−ジメチル−2−オキソ
−n−ブチル基、1−メチルシクロペンチル基、1−エ
チルシクロペンチル基、1−メチルシクロヘキシル基、
1−エチルシクロヘキシル基、2−メチルアダマンタン
−2−イル基、2−エチルアダマンタン−2−イル基、
2−メチル−3−ヒドロキシアダマンタン−2−イル
基、2−メチルビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−
イル基、2−エチルビシクロ[2.2.1]ヘプタン−
2−イル基、4−メチル−テトラシクロ[ 6.2.1.
3,6 .02,7 ]ドデカン−4−イル基、4−エチル−
テトラシクロ[ 6.2.1.13,6 .02,7]ドデカン
−4−イル基、8−メチルトリシクロ[ 5.2.1.0
2,6 ]デカン−8−イル基、8−エチルトリシクロ[
5.2.1.02,6 ]デカン−8−イル基、
【0082】1−メチル−1−シクロペンチルエチル
基、1−メチル−1−(2−ヒドロキシシクロペンチ
ル)エチル基、1−メチル−1−(3−ヒドロキシシク
ロペンチル)エチル基、1−メチル−1−シクロヘキシ
ルエチル基、1−メチル−1−(3−ヒドロキシシクロ
ヘキシル)エチル基、1−メチル−1−(4−ヒドロキ
シシクロヘキシル)エチル基、1−メチル−1−シクロ
へプチルエチル基、1−メチル−1−(3−ヒドロキシ
シクロへプチル)エチル基、1−メチル−1−(4−ヒ
ドロキシシクロへプチル)エチル基、1−メチル−1−
(アダマンタン−1−イル)エチル基、1−メチル−1
−(3−ヒドロキシアダマンタン−1−イル)エチル
基、1−メチル−1−(ビシクロ[2.2.1]ヘプタ
ン−2−イル)エチル基、1−メチル−1−(テトラシ
クロ[ 6.2.1.13,6 .02,7 ]ドデカン−4−イ
ル)エチル基、1−メチル−1−(トリシクロ[ 5.
2.1.02,6 ]デカン−8−イル)エチル基、1,1
−ジシクロペンチルエチル基、1,1−ジシクロヘキシ
ルエチル基、1,1−ジ(アダマンタン−1−イル)エ
チル基、1,1−ジ(ビシクロ[2.2.1]ヘプタン
−2−イル)エチル基、1,1−ジ(テトラシクロ[
6.2.1.13,6 .02,7 ]ドデカン−4−イル)エ
チル基、1,1−ジ(トリシクロ[ 5.2.1.0
2,6 ]デカン−8−イル)エチル基等を挙げることがで
きる。さらに、一般式(III)におけるR5 としては、水
素原子も好ましい。
【0083】好ましい繰り返し単位(II) を与える単量
体としては、例えば、5−メチルビシクロ[2.2.
1]ヘプト−2−エン、5−エチルビシクロ[2.2.
1]ヘプト−2−エン、5−n−ブチルビシクロ[2.
2.1]ヘプト−2−エン、5−n−ヘキシルビシクロ
[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−n−オクチルビ
シクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−n−デシ
ルビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−ヒド
ロキシビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−
ヒドロキシメチルビシクロ[2.2.1]ヘプトー2−
エン、5−(2−ヒドロキシエチル)ビシクロ[2.
2.1]ヘプト−2−エン、5−(3−ヒドロキシプロ
ピル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−
〔(フルオロ)(ヒドロキシ)メチル〕ビシクロ[2.
2.1]ヘプト−2−エン、5−〔(ジフルオロ)(ヒ
ドロキシ)メチル〕ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2
−エン、5−(1,2−ジフルオロ−2−ヒドロキシエ
チル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−
(1,1,2,2−テトラフルオロ−2−ヒドロキシエ
チル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−
(2−トリフルオロメチル−2−ヒドロキシエチル)ビ
シクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−〔2,2
−ジ(トリフルオロメチル)−2−ヒドロキシエチル〕
ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、
【0084】ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン
−5−カルボン酸の(3−ヒドロキシアダマンタン−1
−イル)エステル、ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2
−エン−5−カルボン酸の(5−ヒドロキシビシクロ
[2.2.1]ヘプト−2−イル)エステル、ビシクロ
[2.2.1]ヘプト−2−エン−5−カルボン酸の
(6−ヒドロキシビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−
イル)エステル、ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−
エン−5−カルボン酸の(9−ヒドロキシテトラシクロ
[ 6.2.1.13,6 .02,7 ]ドデカン−4−イル)
エステル、ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン−
5−カルボン酸の(10−ヒドロキシテトラシクロ[
6.2.1.13,6 .02,7 ]ドデカン−4−イル)エ
ステル、ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン−5
−カルボン酸、ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エ
ン−5−酢酸、ビシクロ[2.2.1]ヘプトー2−エ
ン−5−プロピオン酸、5−シアノビシクロ[2.2.
1]ヘプト−2−エン、5−シアノメチルビシクロ
[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−(2−シアノエ
チル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−
(3−シアノプロピル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト
−2−エン、
【0085】ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン
−5−カルボン酸メチル、ビシクロ[2.2.1]ヘプ
ト−2−エン−5−カルボン酸エチル、ビシクロ[2.
2.1]ヘプト−2−エン−5−カルボン酸n−プロピ
ル、ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン−5−カ
ルボン酸t−ブチル、ビシクロ[2.2.1]ヘプト−
2−エン−5−カルボン酸2−エチル−2−ブチル、ビ
シクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン−5−カルボン
酸3−エチル−3−ブチル、ビシクロ[2.2.1]ヘ
プト−2−エン−5−カルボン酸シクロペンチル、ビシ
クロ[2.2.1]ヘプト−2−エン−5−カルボン酸
シクロヘキシル、ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−
エン−5−カルボン酸の(2−メチルアダマンタン−2
−イル)エステル、ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2
−エン−5−カルボン酸の(2−メチル−3−ヒドロキ
シアダマンタン−2−イル)エステル、ビシクロ[2.
2.1]ヘプト−2−エン−5−カルボン酸の(2−エ
チルアダマンタン−2−イル)エステル、ビシクロ
[2.2.1]ヘプト−2−エン−5−カルボン酸の
(2−メチルビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イ
ル)エステル、ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エ
ン−5−カルボン酸の(2−エチルビシクロ[2.2.
1]ヘプタン−2−イル)エステル、
【0086】ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン
−5−カルボン酸の(4−メチルテトラシクロ[ 6.
2.1.13,6 .02,7 ]ドデカン−4−イル)エステ
ル、ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン−5−カ
ルボン酸の(4−エチルテトラシクロ[ 6.2.1.1
3,6 .02,7 ]ドデカン−4−イル)エステル、ビシク
ロ[2.2.1]ヘプト−2−エン−5−カルボン酸の
(8−メチルトリシクロ[ 5.2.1.02,6 ]デカン
−8−イル)エステル、ビシクロ[2.2.1]ヘプト
−2−エン−5−カルボン酸の(8−エチルトリシクロ
[ 5.2.1.02,6 ]デカン−8−イル)エステル、
ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン−5−カルボ
ン酸1−メチルシクロペンチル、ビシクロ[2.2.
1]ヘプト−2−エン−5−カルボン酸1−エチルシク
ロペンチル、ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン
−5−カルボン酸1−メチルシクロヘキシル、ビシクロ
[2.2.1]ヘプト−2−エン−5−カルボン酸1−
エチルシクロヘキシル、
【0087】ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン
−5−カルボン酸の(1−メチル−1−シクロペンチル
エチル)エステル、ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2
−エン−5−カルボン酸の(1−メチル−1−シクロヘ
キシルエチル)エステル、ビシクロ[2.2.1]ヘプ
ト−2−エン−5−カルボン酸の〔1−メチル−1−
(アダマンタン−1−イル)エチル〕エステル、ビシク
ロ[2.2.1]ヘプト−2−エン−5−カルボン酸の
〔1−メチル−1−(ビシクロ[2.2.1]ヘプタン
−2−イル)エチル〕エステル、ビシクロ[2.2.
1]ヘプト−2−エン−5−カルボン酸の〔1−メチル
−1−(テトラシクロ[ 6.2.1.13,6 .02,7
ドデカン−4−イル)エチル〕エステル、ビシクロ
[2.2.1]ヘプト−2−エン−5−カルボン酸の
〔1−メチル−1−(トリシクロ[ 5.2.1.0
2,6 ]デカン−8−イル)エチル〕エステル、
【0088】ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン
−5−カルボン酸の〔1−メチル−1−(2−ヒドロキ
シシクロペンチル)エチル〕エステル、ビシクロ[2.
2.1]ヘプト−2−エン−5−カルボン酸の〔1−メ
チル−1−(3−ヒドロキシシクロペンチル)エチル〕
エステル、ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン−
5−カルボン酸の〔1−メチル−1−(3−ヒドロキシ
シクロヘキシル)エチル〕エステル、ビシクロ[2.
2.1]ヘプト−2−エン−5−カルボン酸の〔1−メ
チル−1−(4−ヒドロキシシクロヘキシル)エチル〕
エステル、ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン−
5−カルボン酸の〔1−メチル−1−(3−ヒドロキシ
シクロへプチル)エチル〕エステル、ビシクロ[2.
2.1]ヘプト−2−エン−5−カルボン酸の〔1−メ
チル−1−(4−ヒドロキシシクロへプチル)エチル〕
エステル、ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン−
5−カルボン酸の〔1−メチル−1−(3−ヒドロキシ
アダマンタン−1−イル)エチル〕エステル、
【0089】ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン
−5−カルボン酸の(1,1−ジシクロペンチルエチ
ル)エステル、ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エ
ン−5−カルボン酸の(1,1−ジシクロヘキシルエチ
ル)エステル、ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エ
ン−5−カルボン酸の〔1,1−ジ(アダマンタン−1
−イル)エチル〕エステル、ビシクロ[2.2.1]ヘ
プト−2−エン−5−カルボン酸の〔1,1−ジ(ビシ
クロ[2.2.1]ヘプト−2−イル)エチル〕エステ
ル、ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン−5−カ
ルボン酸の〔1,1−ジ(テトラシクロ[ 6.2.1.
3,6 .02,7 ]ドデカン−4−イル)エチル〕エステ
ル、ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン−5−カ
ルボン酸の〔1,1−ジ(トリシクロ[ 5.2.1.0
2,6 ]デカン−8−イル)エチル〕エステル、ビシクロ
[2.2.1]ヘプト−2−エン−5−カルボン酸の
(アダマンタン−1−イル)エステル、ビシクロ[2.
2.1]ヘプト−2−エン−5−カルボン酸の(ビシク
ロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル)エステル、ビシ
クロ[2.2.1]ヘプト−2−エン−5−カルボン酸
の(7,7−ジメチルビシクロ[2.2.1]ヘプタン
−1−イル)エステル、ビシクロ[2.2.1]ヘプト
−2−エン−5−カルボン酸の(テトラシクロ[ 6.
2.1.13,6 .02,7 ]ドデカン−4−イル)エステ
ル、ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン−5−カ
ルボン酸の(トリシクロ[ 5.2.1.02,6 ]デカン
−8−イル)エステル、
【0090】ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン
−5−カルボン酸の〔(テトラヒドロフラン−2−イ
ル)メチル〕エステル、ビシクロ[2.2.1]ヘプト
−2−エン−5−カルボン酸の(1,1−ジメチル−2
−オキソプロピル)エステル、ビシクロ[2.2.1]
ヘプト−2−エン−5−カルボン酸の(5−オキソ−4
−オキサトリシクロ[ 4.2.1.03,7 ]ノナン−2
−イル)エステル、ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2
−エン−5−カルボン酸の(9−メトキシカルボニル−
5−オキソ−4−オキサトリシクロ[ 4.2.1.0
3,7 ]ノナン−2−イル)エステル、ビシクロ[2.
2.1]ヘプト−2−エン−5−カルボン酸の(7−オ
キソ−6−オキサビシクロ[3.2.1]オクタン−4
−イル)エステル、ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2
−エン−5−カルボン酸の(2−メトキシカルボニル−
7−オキソ−6−オキサビシクロ[3.2.1]オクタ
ン−4−イル)エステル、
【0091】ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン
−5−カルボン酸の(2−オキソテトラヒドロピラン−
4−イル)エステル、ビシクロ[2.2.1]ヘプト−
2−エン−5−カルボン酸の(4−メチル−2−オキソ
テトラヒドロピラン−4−イル)エステル、ビシクロ
[2.2.1]ヘプト−2−エン−5−カルボン酸の
(4−エチル−2−オキソテトラヒドロピラン−4−イ
ル)エステル、ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エ
ン−5−カルボン酸の(4−n−プロピル−2−オキソ
テトラヒドロピラン−4−イル)エステル、ビシクロ
[2.2.1]ヘプト−2−エン−5−カルボン酸の
(5−オキソテトラヒドロフラン−3−イル)エステ
ル、ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン−5−カ
ルボン酸の(2,2−ジメチル−5−オキソテトラヒド
ロフラン−3−イル)エステル、ビシクロ[2.2.
1]ヘプト−2−エン−5−カルボン酸の(4,4−ジ
メチル−5−オキソテトラヒドロフラン−3−イル)エ
ステル、ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン−5
−カルボン酸の(2−オキソテトラヒドロフラン−3−
イル)エステル、ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−
エン−5−カルボン酸の(4,4−ジメチル−2−オキ
ソテトラヒドロフラン−3−イル)エステル、ビシクロ
[2.2.1]ヘプト−2−エン−5−カルボン酸の
(5,5−ジメチル−2−オキソテトラヒドロフラン−
3−イル)エステル、ビシクロ[2.2.1]ヘプト−
2−エン−5−カルボン酸の(2−オキソテトラヒドロ
フラン−3−イル)エステル、ビシクロ[2.2.1]
ヘプト−2−エン−5−カルボン酸の〔(5−オキソテ
トラヒドロフラン−2−イル)メチル〕エステル、ビシ
クロ[2.2.1]ヘプト−2−エン−5−カルボン酸
の〔(3,3−ジメチル−5−オキソテトラヒドロフラ
ン−2−イル)メチル〕エステル、ビシクロ[2.2.
1]ヘプト−2−エン−5−カルボン酸の〔(4,4−
ジメチルー5−オキソテトラヒドロフランー2−イル)
メチル〕エステル等のビシクロ[2.2.1]ヘプト−
2−エン誘導体類;
【0092】9−メチルテトラシクロ[ 6.2.1.1
3,6 .02,7 ]ドデカ−4−エン、9−エチルテトラシ
クロ[ 6.2.1.13,6 .02,7 ]ドデカ−4−エ
ン、9−n−ブチルテトラシクロ[ 6.2.1.1
3,6 .02,7 ]ドデカ−4−エン、9−n−ヘキシルテ
トラシクロ[ 6.2.1.13,6 .02,7 ]ドデカ−4
−エン、9−n−オクチルテトラシクロ[ 6.2.1.
3,6 .02,7 ]ドデカ−4−エン、9−n−デシルテ
トラシクロ[ 6.2.1.13,6 .02,7 ]ドデカ−4
−エン、9−ヒドロキシテトラシクロ[ 6.2.1.1
3,6 .02,7 ]ドデカ−4−エン、9−ヒドロキシメチ
ルテトラシクロ[ 6.2.1.13,6 .02,7 ]ドデカ
−4−エン、9−(2−ヒドロキシエチル)テトラシク
ロ[ 6.2.1.13,6 .02,7 ]ドデカ−4−エン、
9−(3−ヒドロキシプロピル)テトラシクロ[ 6.
2.1.13,6 .02,7 ]ドデカ−4−エン、9−
〔(フルオロ)(ヒドロキシ)メチル〕テトラシクロ[
6.2.1.13,6.02,7 ]ドデカ−4−エン、9−
〔(ジフルオロ)(ヒドロキシ)メチル〕テトラシクロ
[ 6.2.1.13,6 .02,7 ]ドデカ−4−エン、9
−(1,2−ジフルオロ−2−ヒドロキシエチル〕テト
ラシクロ[ 6.2.1.13,6 .02,7 ]ドデカ−4−
エン、9−(1,1,2,2−テトラフルオロ−2−ヒ
ドロキシエチル)テトラシクロ[ 6.2.1.13,6
2,7 ]ドデカ−4−エン、9−(2−トリフルオロメ
チル−2−ヒドロキシエチル)テトラシクロ[ 6.2.
1.13,6 .02,7 ]ドデカ−4−エン、9−〔2,2
−ジ(トリフルオロメチル)−2−ヒドロキシエチル〕
テトラシクロ[ 6.2.1.13,6 .02,7]ドデカ−
4−エン、
【0093】テトラシクロ[ 6.2.1.13,6 .0
2,7 ]ドデカ−4−エン−9−カルボン酸の(3−ヒド
ロキシアダマンタン−1−イル)エステル、テトラシク
ロ[ 6.2.1.13,6 .02,7 ]ドデカ−4−エン−
9−カルボン酸の(5−ヒドロキシビシクロ[2.2.
1]ヘプタン−2−イル)エステル、テトラシクロ[
6.2.1.13,6 .02,7 ]ドデカ−4−エン−9−
カルボン酸の(6−ヒドロキシビシクロ[2.2.1]
ヘプタン−2−イル)エステル、テトラシクロ[ 6.
2.1.13,6 .02,7 ]ドデカ−4−エン−9−カル
ボン酸の(9−ヒドロキシテトラシクロ[ 6.2.1.
3,6 .02,7 ]ドデカン−4−イル)エステル、テト
ラシクロ[ 6.2.1.13,6 .02,7 ]ドデカ−4−
エン−9−カルボン酸、テトラシクロ[ 6.2.1.1
3,6 .02,7 ]ドデカ−4−エン−9−酢酸、テトラシ
クロ[ 6.2.1.13,6 .02,7 ]ドデカ−4−エン
ー9−プロピオン酸、9−シアノテトラシクロ[ 6.
2.1.13,6 .02,7 ]ドデカ−4−エン、9−シア
ノメチルテトラシクロ[ 6.2.1.13,6 .02,7
ドデカ−4−エン、9−(2−シアノエチル)テトラシ
クロ[ 6.2.1.13,6 .02,7 ]ドデカ−4−エ
ン、9−(3−シアノプロピル)テトラシクロ[ 6.
2.1.13,6.02,7 ]ドデカ−4−エン、
【0094】テトラシクロ[ 6.2.1.13,6 .0
2,7 ]ドデカ−4−エン−9−カルボン酸メチル、テト
ラシクロ[ 6.2.1.13,6 .02,7 ]ドデカ−4−
エン−9−カルボン酸エチル、テトラシクロ[ 6.2.
1.13,6 .02,7 ]ドデカ−4−エン−9−カルボン
酸t−ブチル、テトラシクロ[ 6.2.1.13,6 .0
2,7 ]ドデカ−4−エン−9−カルボン酸2−メチル−
2−ブチル、テトラシクロ[ 6.2.1.13,6 .0
2,7 ]ドデカ−4−エン−9−カルボン酸2−エチル−
2−ブチル、テトラシクロ[ 6.2.1.13,6 .0
2,7 ]ドデカ−4−エン−9−カルボン酸3−エチル−
3−ブチル、テトラシクロ[ 6.2.1.1 3,6 .0
2,7 ]ドデカ−4−エン−9−カルボン酸シクロペンチ
ル、テトラシクロ[ 6.2.1.13,6 .02,7 ]ドデ
カ−4−エン−9−カルボン酸シクロヘキシル、テトラ
シクロ[ 6.2.1.13,6 .02,7 ]ドデカ−4−エ
ン−9−カルボン酸の(2−メチルアダマンタン−2−
イル)エステル、テトラシクロ[ 6.2.1.13,6
2,7 ]ドデカ−4−エン−9−カルボン酸の(2−メ
チル−3−ヒドロキシアダマンタン−2−イル)エステ
ル、テトラシクロ[ 6.2.1.13,6 .02,7 ]ドデ
カ−4−エン−9−カルボン酸の(2−エチルアダマン
タン−2−イル)エステル、テトラシクロ[ 6.2.
1.13,6 .02,7 ]ドデカ−4−エン−9−カルボン
酸の(8−メチルトリシクロ[ 5.2.1.02,6 ]デ
カン−8−イル)エステル、テトラシクロ[ 6.2.
1.13,6 .02,7 ]ドデカ−4−エン−9−カルボン
酸の(8−エチルトリシクロ[ 5.2.1.02,6 ]デ
カン−8−イル)エステル、
【0095】テトラシクロ[ 6.2.1.13,6 .0
2,7 ]ドデカ−4−エン−9−カルボン酸1−メチルシ
クロペンチル、テトラシクロ[ 6.2.1.13,6 .0
2,7 ]ドデカ−4−エン−9−カルボン酸1−エチルシ
クロペンチル、テトラシクロ[ 6.2.1.13,6 .0
2,7 ]ドデカ−4−エン−9−カルボン酸1−メチルシ
クロヘキシル、テトラシクロ[ 6.2.1.13,6 .0
2,7 ]ドデカ−4−エン−9−カルボン酸1−エチルシ
クロヘキシル、テトラシクロ[ 6.2.1.13,6 .0
2,7 ]ドデカ−4−エン−9−カルボン酸の(2−メチ
ルビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル)エステ
ル、テトラシクロ[ 6.2.1.13,6 .02,7 ]ドデ
カ−4−エン−9−カルボン酸の(2−エチルビシクロ
[2.2.1]ヘプタン−2−イル)エステル、テトラ
シクロ[ 6.2.1.13,6 .02,7 ]ドデカ−4−エ
ン−9−カルボン酸の(4−メチルテトラシクロ[ 6.
2.1.13,6 .02,7 ]ドデカン−4−イル)エステ
ル、テトラシクロ[ 6.2.1.13,6 .02,7 ]ドデ
カ−4−エン−9−カルボン酸の(4−エチルテトラシ
クロ[ 6.2.1.13,6 .02,7 ]ドデカン−4−イ
ル)エステル、
【0096】テトラシクロ[ 6.2.1.13,6 .0
2,7 ]ドデカ−4−エン−9−カルボン酸の(1−メチ
ル−1−シクロペンチルエチル)エステル、テトラシク
ロ[ 6.2.1.13,6 .02,7 ]ドデカ−4−エン−
9−カルボン酸の(1−メチル−1−シクロヘキシルエ
チル)エステル、テトラシクロ[ 6.2.1.13,6
2,7 ]ドデカ−4−エン−9−カルボン酸の〔1−メ
チル−1−(アダマンタン−1−イル)エチル〕エステ
ル、テトラシクロ[ 6.2.1.13,6 .02,7]ドデ
カ−4−エン−9−カルボン酸の〔1−メチル−1−
(ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−イル)エチル〕
エステル、テトラシクロ[ 6.2.1.13,6 .0
2,7 ]ドデカ−4−エン−9−カルボン酸の〔1−メチ
ル−1−(テトラシクロ[ 6.2.1.13,6 .0
2,7 ]ドデカン−4−イル)エチル〕エステル、テトラ
シクロ[ 6.2.1.13,6 .02,7 ]ドデカ−4−エ
ン−9−カルボン酸の〔1−メチル−1−(トリシクロ
[ 5.2.1.02,6 ]デカン−8−イル)エチル〕エ
ステル、
【0097】テトラシクロ[ 6.2.1.13,6 .0
2,7 ]ドデカ−4−エン−9−カルボン酸の〔1−メチ
ル−1−(2−ヒドロキシシクロペンチル)エチル〕エ
ステル、テトラシクロ[ 6.2.1.13,6 .02,7
ドデカ−4−エン−9−カルボン酸の〔1−メチル−1
−(3−ヒドロキシシクロペンチル)エチル〕エステ
ル、テトラシクロ[ 6.2.1.13,6 .02,7 ]ドデ
カ−4−エン−9−カルボン酸の〔1−メチル−1−
(3−ヒドロキシシクロヘキシル)エチル〕エステル、
テトラシクロ[ 6.2.1.13,6 .02,7 ]ドデカ−
4−エン−9−カルボン酸の〔1−メチル−1−(4−
ヒドロキシシクロヘキシル)エチル〕エステル、テトラ
シクロ[ 6.2.1.13,6 .02,7 ]ドデカ−4−エ
ン−9−カルボン酸の〔1−メチル−1−(3−ヒドロ
キシシクロへプチル)エチル〕エステル、テトラシクロ
[ 6.2.1.13,6 .02,7 ]ドデカ−4−エン−9
−カルボン酸の〔1−メチル−1−(4−ヒドロキシシ
クロへプチル)エチル〕エステル、テトラシクロ[ 6.
2.1.13,6 .02,7 ]ドデカ−4−エン−9−カル
ボン酸の〔1−メチル−1−(3−ヒドロキシアダマン
タン−1−イル)エチル〕エステル、
【0098】テトラシクロ[ 6.2.1.13,6 .0
2,7 ]ドデカ−4−エン−9−カルボン酸の(1,1−
ジシクロペンチルエチル)エステル、テトラシクロ[
6.2.1.13,6 .02,7 ]ドデカ−4−エン−9−
カルボン酸の(1,1−ジシクロヘキシルエチル)エス
テル、テトラシクロ[ 6.2.1.13,6 .02,7 ]ド
デカ−4−エン−9−カルボン酸の〔1,1−ジ(アダ
マンタン−1−イル)エチル〕エステル、テトラシクロ
[ 6.2.1.13,6 .02,7 ]ドデカ−4−エン−9
−カルボン酸の〔1,1−ジ(ビシクロ[2.2.1]
ヘプタン−2−イル)エチル〕エステル、テトラシクロ
[ 6.2.1.13,6 .02,7 ]ドデカ−4−エン−9
−カルボン酸の〔1,1−ジ(テトラシクロ[ 6.2.
1.13,6 .02,7 ]ドデカン−4−イル)エチル〕エ
ステル、テトラシクロ[ 6.2.1.13,6 .02,7
ドデカ−4−エン−9−カルボン酸の〔1,1−ジ(ト
リシクロ[ 5.2.1.02,6 ]デカン−8−イル)エ
チル〕エステル、テトラシクロ[ 6.2.1.13,6
2,7 ]ドデカ−4−エン−9−カルボン酸の(アダマ
ンタン−1−イル)エステル、テトラシクロ[ 6.2.
1.13,6.02,7 ]ドデカ−4−エン−9−カルボン
酸の(ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル)エ
ステル、テトラシクロ[ 6.2.1.13,6 .02,7
ドデカ−4−エン−9−カルボン酸の(7,7−ジメチ
ルビシクロ[2.2.1]ヘプタン−1−イル)エステ
ル、テトラシクロ[ 6.2.1.13,6 .02,7 ]ドデ
カ−4−エン−9−カルボン酸の(テトラシクロ[ 6.
2.1.13,6 .02,7 ]ドデカン−4−イル)エステ
ル、テトラシクロ[ 6.2.1.13,6 .02,7 ]ドデ
カ−4−エン−9−カルボン酸の(トリシクロ[ 5.
2.1.02,6 ]デカン−8−イル)エステル、
【0099】テトラシクロ[ 6.2.1.13,6 .0
2,7 ]ドデカ−4−エン−9−カルボン酸の〔(テトラ
ヒドロフラン−2−イル)メチル〕エステル、テトラシ
クロ[ 6.2.1.13,6 .02,7 ]ドデカ−4−エン
−9−カルボン酸の(1,1−ジメチル−2−オキソプ
ロピル)エステル、テトラシクロ[ 6.2.1.1
3,6 .02,7 ]ドデカ−4−エン−9−カルボン酸の
(5−オキソ−4−オキサトリシクロ[ 4.2.1.0
3,7 ]ノナン−2−イル)エステル、テトラシクロ[
6.2.1.13,6 .02,7 ]ドデカ−4−エン−9−
カルボン酸の(9−メトキシカルボニル−5−オキソ−
4−オキサトリシクロ[ 4.2.1.03,7 ]ノナン−
2−イル)エステル、テトラシクロ[ 6.2.1.1
3,6 .02,7 ]ドデカ−4−エン−9−カルボン酸の
(7−オキソ−6−オキサビシクロ[3.2.1]オク
タン−4−イル)エステル、テトラシクロ[ 6.2.
1.13,6 .02,7 ]ドデカ−4−エン−9−カルボン
酸の(2−メトキシカルボニル−7−オキソ−6−オキ
サビシクロ[3.2.1]オクタン−4−イル)エステ
ル、
【0100】テトラシクロ[ 6.2.1.13,6 .0
2,7 ]ドデカ−4−エン−9−カルボン酸の(2−オキ
ソテトラヒドロピラン−4−イル)エステル、テトラシ
クロ[ 6.2.1.13,6 .02,7 ]ドデカ−4−エン
−9−カルボン酸の(4−メチル−2−オキソテトラヒ
ドロピラン−4−イル)エステル、テトラシクロ[ 6.
2.1.13,6 .02,7 ]ドデカ−4−エン−9−カル
ボン酸の(4−エチル−2−オキソテトラヒドロピラン
−4−イル)エステル、テトラシクロ[ 6.2.1.1
3,6 .02,7 ]ドデカ−4−エン−9−カルボン酸の
(4−n−プロピル−2−オキソテトラヒドロピラン−
4−イル)エステル、テトラシクロ[ 6.2.1.1
3,6 .02,7 ]ドデカ−4−エン−9−カルボン酸の
(5−オキソテトラヒドロフラン−3−イル)エステ
ル、テトラシクロ[ 6.2.1.13,6 .02,7 ]ドデ
カ−4−エン−9−カルボン酸の(2,2−ジメチル−
5−オキソテトラヒドロフラン−3−イル)エステル、
テトラシクロ[ 6.2.1.13,6.02,7 ]ドデカ−
4−エン−9−カルボン酸の(4,4−ジメチル−5−
オキソテトラヒドロフラン−3−イル)エステル、テト
ラシクロ[ 6.2.1.13,6 .02,7 ]ドデカ−4−
エン−9−カルボン酸の(2−オキソテトラヒドロフラ
ン−3−イル)エステル、テトラシクロ[ 6.2.1.
3,6 .02,7 ]ドデカ−4−エン−9−カルボン酸の
(4,4−ジメチル−2−オキソテトラヒドロフラン−
3−イル)エステル、テトラシクロ[ 6.2.1.1
3,6 .02,7]ドデカ−4−エン−9−カルボン酸の
(5,5−ジメチル−2−オキソテトラヒドロフラン−
3−イル)エステル、テトラシクロ[ 6.2.1.1
3,6 .02,7 ]ドデカ−4−エン−9−カルボン酸の
(2−オキソテトラヒドロフラン−3−イル)エステ
ル、テトラシクロ[ 6.2.1.13,6 .02,7 ]ドデ
カ−4−エン−9−カルボン酸の〔(5−オキソテトラ
ヒドロフラン−2−イル)メチル〕エステル、テトラシ
クロ[ 6.2.1.13,6 .02,7 ]ドデカ−4−エン
−9−カルボン酸の〔(3,3−ジメチル−5−オキソ
テトラヒドロフラン−2−イル)メチル〕エステル、テ
トラシクロ[ 6.2.1.13,6 .02,7 ]ドデカ−4
−エン−9−カルボン酸の〔(4,4−ジメチル−5−
オキソテトラヒドロフラン−2−イル)メチル〕エステ
ル等のテトラシクロ[ 6.2.1.13,6 .02,7 ]ド
デカ−4−エン誘導体類等を挙げることができる。
【0101】また、好ましい繰り返し単位(III)を与え
る単量体としては、例えば、(メタ)アクリル酸ヒドロ
キシメチル、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシエチ
ル、(メタ)アクリル酸3−ヒドロキシプロピル、(メ
タ)アクリル酸(フロオロ)(ヒドロキシ)メチル、
(メタ)アクリル酸(ジフルオロ)(ヒドロキシ)メチ
ル、(メタ)アクリル酸1,2−ジフルオロ−2−ヒド
ロキシエチル、(メタ)アクリル酸1,1,2,2−テ
トラフルオロ−2−ヒドロキシエチル、(メタ)アクリ
ル酸2−トリフルオロメチル−2−ヒドロキシエチル、
(メタ)アクリル酸2,2−ジ(トリフルオロメチル)
−2−ヒドロキシエチル、(メタ)アクリル酸3−ヒド
ロキシアダマンタン−1−イル、(メタ)アクリル酸2
−メチル−3−ヒドロキシアダマンタン−2−イル、
(メタ)アクリル酸5−ヒドロキシビシクロ[2.2.
1]ヘプタン−2−イル、(メタ)アクリル酸6−ヒド
ロキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル、
(メタ)アクリル酸9−ヒドロキシテトラシクロ[ 6.
2.1.13,6 .02,7 ]ドデカン−4−イル、
【0102】(メタ)アクリル酸、(メタ)アクリル酸
カルボキシメチル、(メタ)アクリル酸2−カルボキシ
エチル、(メタ)アクリル酸3−カルボキシプロピル、
(メタ)アクリル酸3−カルボキシアダマンタン−1−
イル、(メタ)アクリル酸5−カルボキシビシクロ
[2.2.1]ヘプタン−2−イル、(メタ)アクリル
酸6−カルボキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2
−イル、(メタ)アクリル酸9−カルボキシテトラシク
ロ[ 6.2.1.13,6 .02,7 ]ドデカン−4−イ
ル、(メタ)アクリル酸10−カルボキシテトラシクロ
[ 6.2.1.13,6 .02,7 ]ドデカン−4−イル、
(メタ)アクリル酸シアノメチル、(メタ)アクリル酸
2−シアノエチル、(メタ)アクリル酸3−シアノプロ
ピル、(メタ)アクリル酸3−シアノアダマンタン−1
−イル、(メタ)アクリル酸5−シアノビシクロ[2.
2.1]ヘプタン−2−イル、(メタ)アクリル酸6−
シアノビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル、
(メタ)アクリル酸9−シアノテトラシクロ[ 6.2.
1.13,6 .02,7 ]ドデカン−4−イル、(メタ)ア
クリル酸10−シアノテトラシクロ[6.2.1.13,6
.02,7 ]ドデカン−4−イル、
【0103】(メタ)アクリル酸1−メチルシクロペン
チル、(メタ)アクリル酸1−エチルシクロペンチル、
(メタ)アクリル酸1−メチルシクロヘキシル、(メ
タ)アクリル酸1−エチルシクロヘキシル、(メタ)ア
クリル酸2−メチルアダマンタン−2−イル、(メタ)
アクリル酸2−エチルアダマンタン−2−イル、(メ
タ)アクリル酸2−メチルビシクロ[2.2.1]ヘプ
タン−2−イル、(メタ)アクリル酸2−エチルビシク
ロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル、(メタ)アクリ
ル酸4−メチルテトラシクロ[ 6.2.1.13,6 .0
2,7 ]ドデカン−4−イル、(メタ)アクリル酸4−エ
チルテトラシクロ[ 6.2.1.13,6 .02,7 ]ドデ
カン−4−イル、(メタ)アクリル酸8−メチルトリシ
クロ[ 5.2.1.02,6 ]デカン−8−イル、(メ
タ)アクリル酸8−エチルトリシクロ[ 5.2.1.0
2,6 ]デカン−8−イル、(メタ)アクリル酸1−メチ
ル−1−シクロペンチルエチル、(メタ)アクリル酸1
−(2−ヒドロキシシクロペンチル)エチル、(メタ)
アクリル酸1−メチル−1−(3−ヒドロキシシクロペ
ンチル)エチル、(メタ)アクリル酸1−メチル−1−
シクロヘキシルエチル、(メタ)アクリル酸1−メチル
−1−(3−ヒドロキシシクロヘキシル)エチル、(メ
タ)アクリル酸1−メチル−1−(4−ヒドロキシシク
ロヘキシル)エチル、(メタ)アクリル酸1−メチル−
1−(3−ヒドロキシシクロへプチル)エチル、(メ
タ)アクリル酸1−メチル−1−(4−ヒドロキシシク
ロへプチル)エチル、
【0104】(メタ)アクリル酸1−メチル−1−(ア
ダマンタン−1−イル)エチル、(メタ)アクリル酸1
−メチル−1−(3−ヒドロキシアダマンタン−1−イ
ル)エチル、(メタ)アクリル酸1−メチル−1−(ビ
シクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル)エチル、
(メタ)アクリル酸1−メチル−1−(テトラシクロ[
6.2.1.13,6 .02,7 ]ドデカン−4−イル)エ
チル、(メタ)アクリル酸1−メチル−1−(トリシク
ロ[ 5.2.1.02,6 ]デカン−8−イル)エチル、
(メタ)アクリル酸1,1−ジシクロペンチルエチル、
(メタ)アクリル酸1,1−ジシクロヘキシルエチル、
(メタ)アクリル酸1,1−ジ(アダマンタン−1−イ
ル)エチル、(メタ)アクリル酸1,1−ジ(ビシクロ
[2.2.1]ヘプタン−2−イル)エチル、(メタ)
アクリル酸1,1−ジ(テトラシクロ[ 6.2.1.1
3,6 .02,7 ]ドデカン−4−イル)エチル、(メタ)
アクリル酸1,1−ジ(トリシクロ[ 5.2.1.0
2,6 ]デカン−8−イル)エチル、(メタ)アクリル酸
メチル、(メタ)アクリル酸エチル、(メタ)アクリル
酸n−プロピル、(メタ)アクリル酸t−ブチル、(メ
タ)アクリル酸2−メチル−2−ブチル、(メタ)アク
リル酸2−エチル−2−ブチル、(メタ)アクリル酸3
−エチル−3−ブチル、(メタ)アクリル酸シクロペン
チル、(メタ)アクリル酸シクロヘキシル、(メタ)ア
クリル酸アダマンタン−1−イル、(メタ)アクリル酸
ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル、(メタ)
アクリル酸7,7−ジメチルビシクロ[2.2.1]ヘ
プタン−1−イル、(メタ)アクリル酸テトラシクロ[
6.2.1.13,6 .02,7 ]ドデカン−4−イル、
(メタ)アクリル酸トリシクロ[ 5.2.1.02,6
デカン−8−イル、
【0105】(メタ)アクリル酸(テトラヒドロフラン
−2−イル)メチル、(メタ)アクリル酸1,1−ジメ
チル−2−オキソプロピル、(メタ)アクリル酸5−オ
キソ−4−オキサトリシクロ[ 4.2.1.03,7 ]ノ
ナン−2−イル、(メタ)アクリル酸9−メトキシカル
ボニル−5−オキソ−4−オキサトリシクロ[ 4.2.
1.03,7 ]ノナン−2−イル、(メタ)アクリル酸7
−オキソ−6−オキサビシクロ[3.2.1]オクタン
−4−イル、(メタ)アクリル酸2−メトキシカルボニ
ル−7−オキソ−6−オキサビシクロ[3.2.1]オ
クタン−4−イル、(メタ)アクリル酸2−オキソテト
ラヒドロピラン−4−イル、(メタ)アクリル酸4−メ
チル−2−オキソテトラヒドロピラン−4−イル、(メ
タ)アクリル酸4−エチル−2−オキソテトラヒドロピ
ラン−4−イル、(メタ)アクリル酸4−プロピル−2
−オキソテトラヒドロピラン−4−イル、(メタ)アク
リル酸5−オキソテトラヒドロフラン−3−イル、(メ
タ)アクリル酸2,2−ジメチル−5−オキソテトラヒ
ドロフラン−3−イル、(メタ)アクリル酸4,4−ジ
メチル−5−オキソテトラヒドロフラン−3−イル、
(メタ)アクリル酸2−オキソテトラヒドロフラン−3
−イル、(メタ)アクリル酸4,4−ジメチル−2−オ
キソテトラヒドロフラン−3−イル、(メタ)アクリル
酸5,5−ジメチル−2−オキソテトラヒドロフラン−
3−イル、(メタ)アクリル酸2−オキソテトラヒドロ
フラン−3−イル、(メタ)アクリル酸(5−オキソテ
トラヒドロフラン−2−イル)メチル、(メタ)アクリ
ル酸(3,3−ジメチル−5−オキソテトラヒドロフラ
ン−2−イル)メチル、(メタ)アクリル酸(4,4−
ジメチル−5−オキソテトラヒドロフラン−2−イル)
メチル等の(メタ)アクリル酸またはその誘導体類等を
挙げることができる。
【0106】樹脂(A)は、さらに、繰り返し単位(I
I) および繰り返し単位(III)以外の他の繰り返し単位
を有することもできる。繰り返し単位(II) および繰り
返し単位(III)以外の他の繰り返し単位を与える単量体
として、例えば、酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル、酪
酸ビニル等のビニルエステル類;(メタ)アクリロニト
リル、α−クロロアクリロニトリル、クロトンニトリ
ル、マレインニトリル、フマロニトリル、メサコンニト
リル、シトラコンニトリル、イタコンニトリル等の不飽
和ニトリル化合物;(メタ)アクリルアミド、N,N−
ジメチル(メタ)アクリルアミド、クロトンアミド、マ
レインアミド、マレイミド、N−フェニルマレイミド、
N−シクロヘキシルマレイミド、フマルアミド、メサコ
ンアミド、シトラコンアミド、イタコンアミド等の不飽
和アミド化合物または不飽和イミド化合物;N−ビニル
−ε−カプロラクタム、N−ビニルピロリドン、ビニル
ピリジン、ビニルイミダゾール等の他の含窒素ビニル化
合物;クロトン酸、マレイン酸、無水マレイン酸、フマ
ル酸、イタコン酸、無水イタコン酸、シトラコン酸、無
水シトラコン酸、メサコン酸等の他の不飽和カルボン酸
(無水物)類等の単官能性単量体や、
【0107】メチレングリコールジ(メタ)アクリレー
ト、エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、プロ
ピレングリコールジ(メタ)アクリレート、1,6−ヘ
キサンジオールジ(メタ)アクリレート、2,5−ジメ
チル−2,5−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレー
ト、1,8−オクタンジオールジ(メタ)アクリレー
ト、1,9−ノナンジオールジ(メタ)アクリレート、
1,4−ビス(2−ヒドロキシプロピル)ベンゼンジ
(メタ)アクリレート、1,3−ビス(2−ヒドロキシ
プロピル)ベンゼンジ(メタ)アクリレート、1,2−
アダマンタンジオールジ(メタ)アクリレート、1,3
−アダマンタンジオールジ(メタ)アクリレート、1,
4−アダマンタンジオールジ(メタ)アクリレート、ト
リシクロデカニルジメチロールジ(メタ)アクリレート
等の多官能性単量体を挙げることができる。
【0108】これらの単量体のうち、(メタ)アクリル
アミド、N,N−ジメチル(メタ)アクリルアミド、ク
ロトン酸、無水マレイン酸等が好ましい。
【0109】樹脂(A)における繰り返し単位の好まし
い組み合わせの具体例としては、下記式(A1)〜(A
3)で表されるものを挙げることができる。
【0110】
【化20】
【0111】
【化21】
【0112】
【化22】 〔式(A1)、式(A2)および式(A3)において、
各R1 は一般式(I)のR1 と同義であり、各R4 は一
般式(III)のR4 と同義である。〕
【0113】樹脂(A)において、繰り返し単位(I)
の含有率は、全繰り返し単位に対して、通常、20モル
%以上、好ましくは10〜70モル%、さらに好ましく
は10〜60モル%、特に好ましくは20〜50モル%
である。この場合、繰り返し単位(I)の含有率が20
モル%未満では、レジストとしての解像性が低下する傾
向がある。また、繰り返し単位(II) および繰り返し単
位(III)の合計含有率は、全繰り返し単位に対して、好
ましくは80モル%以下である。この場合、前記合計含
有率が80モル%を超えると、レジストとしての解像性
が低下する傾向がある。さらに、繰り返し単位(II) お
よび繰り返し単位(III)以外の他の繰り返し単位の含有
率は、全繰り返し単位に対して、通常、50モル%以
下、好ましくは40モル%以下である。
【0114】樹脂(A)は、例えば、各繰り返し単位に
対応する単量体の混合物を、ヒドロパーオキシド類、ジ
アルキルパーオキシド類、ジアシルパーオキシド類、ア
ゾ化合物等のラジカル重合開始剤を使用し、必要に応じ
て連鎖移動剤の存在下、適当な溶媒中で重合することに
より製造することができる。前記重合に使用される溶媒
としては、例えば、n−ペンタン、n−ヘキサン、n−
ヘプタン、n−オクタン、n−ノナン、n−デカン等の
アルカン類;シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロ
オクタン、デカリン、ノルボルナン等のシクロアルカン
類;ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、
クメン等の芳香族炭化水素類;クロロブタン類、ブロモ
ヘキサン類、ジクロロエタン類、フルオロクロロエタン
類、ヘキサメチレンジブロミド、クロロベンゼン等のハ
ロゲン化炭化水素類;酢酸エチル、酢酸n−ブチル、酢
酸i−ブチル、プロピオン酸メチル、プロピレングリコ
ールモノメチルエーテルアセテート等の飽和カルボン酸
エステル類;γ−ブチロラクトン等のアルキルラクトン
類;テトラヒドロフラン、ジメトキシエタン類、ジエト
キシエタン類等のエーエル類;2−ブタノン、2−ヘプ
タノン、メチルイソブチルケトン等のアルキルケトン
類;シクロヘキサノン等のシクロアルキルケトン類;2
−プロパノール、プロピレングリコールモノメチルエー
テル等のアルコール類等を挙げることができる。これら
の溶媒は、単独でまたは2種以上を混合して使用するこ
とができる。また、前記重合における反応温度は、通
常、40〜120℃、好ましくは50〜100℃であ
り、反応時間は、通常、1〜48時間、好ましくは1〜
24時間である。
【0115】本発明における樹脂(A)は、ハロゲン、
金属等の不純物が少ない程好ましいのは当然であるが、
残留モノマーやオリゴマー成分についても規定値以下、
例えば高速液体クロマトグラフィー(HPLC)で測定
した値が0.1重量%以下であることが好ましく、それ
により、レジストとしての感度、解像度、プロセス安定
性、パターン形状等をさらに改善することができるだけ
でなく、レジストパターンの形成に使用される組成物溶
液中の異物量の変動や感度等の経時変化が少なく、安定
したレジスト性能を示す感放射線性樹脂組成物を提供す
ることができる。樹脂(A)の精製法としては、例え
ば、次の方法を挙げることができる。まず、金属等の不
純物を除去する方法としては、ゼータ電位フィルターを
用いて樹脂溶液中の金属を吸着させる方法や、蓚酸やス
ルホン酸等の酸性水溶液で樹脂溶液を洗浄することによ
り金属をキレートとして除去する方法等を挙げることが
できる。また、残留モノマーやオリゴマー成分を規定値
以下に下げる方法としては、水洗;適切な溶媒を選択し
あるいは組み合わせて残留モノマーやオリゴマー成分を
除去する液々抽出、適切な溶媒を選択しあるいは組み合
わせて特定分子量以下の低分子量成分のみを抽出除去す
る限外ろ過等の液相精製法;樹脂溶液を貧溶媒中へ滴下
して樹脂を凝固させて残留モノマー等を除去する再沈
澱、ろ別した樹脂を貧溶媒で洗浄する方法等の固相精製
法を挙げることができ、またこれらの方法を組み合わせ
ることもできる。前記液相精製法に使用される溶媒およ
び前記固相精製法に使用される貧溶媒は、精製される樹
脂に応じて適宜選定される。
【0116】樹脂(A)のゲルパーミエーションクロマ
トグラフィー(GPC)によるポリスチレン換算重量平
均分子量(以下、「Mw」という。)は、通常、1,0
00〜300,000、好ましくは2,000〜20
0,000、さらに好ましくは3,000〜100,0
00である。この場合、樹脂(A)のMwが1,000
未満では、レジストとしての耐熱性が低下する傾向があ
り、一方300,000を超えると、レジストとしての
現像性が低下する傾向がある。また、樹脂(A)のMw
とゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)
によるポリスチレン換算数平均分子量(以下、「Mn」
という。)との比(Mw/Mn)は、通常、1〜5、好
ましくは1〜3である。本発明において、樹脂(A)
は、単独でまたは2種以上を混合して使用することがで
きる。
【0117】(B)成分 本発明における(B)成分は、可視光線、紫外線、遠紫
外線、電子線、X線等の放射線による露光により酸を発
生する感放射線性酸発生剤(以下、「酸発生剤(B)」
という。)からなる。酸発生剤(B)は、露光により発
生した酸の作用によって、樹脂(A)中に存在する酸解
離性基を解離させ、その結果レジスト被膜の露光部がア
ルカリ現像液に易溶性となり、ポジ型のレジストパター
ンを形成する作用を有するものである。酸発生剤(B)
から発生する酸としては、下記式(BA-1)〜(BA-5)で
表されるものが好ましい。
【0118】
【化23】
【0119】〔式(BA-1)において、各Rf は相互に独
立にフッ素原子またはトリフルオロメチル基を示し、R
a は水素原子、フッ素原子、炭素数1〜20の直鎖状も
しくは分岐状のアルキル基、炭素数1〜20の直鎖状も
しくは分岐状のフッ素化アルキル基、炭素数3〜20の
環状の1価の炭化水素基またはは炭素数3〜20の環状
の1価のフッ素化炭化水素基を示し、該環状の一価の炭
化水素基および該環状の1価のフッ素化炭化水素基は置
換されていてもよい。
【0120】式(BA-2)において、Rf はフッ素原子ま
たはトリフルオロメチル基を示し、Rf'は水素原子、フ
ッ素原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を示
し、Rb は水素原子、炭素数1〜20の直鎖状もしくは
分岐状のアルキル基、炭素数3〜20の環状の1価の炭
化水素基または炭素数3〜20の環状の1価のフッ素化
炭化水素基を示し、該環状の一価の炭化水素基および該
環状の1価のフッ素化炭化水素基は置換されていてもよ
い。
【0121】式(BA-3)において、Rs は炭素数1〜2
0の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基または炭素数3
〜20の環状の1価の炭化水素基を示し、該環状の1価
の炭化水素基は置換されていてもよい。
【0122】式(BA-4)において、Rc は炭素数1〜2
0の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、炭素数1〜2
0の直鎖状もしくは分岐状のフッ素化アルキル基、炭素
数3〜20の環状の1価の炭化水素基または炭素数3〜
20の環状の1価のフッ素化炭化水素基を示し、該環状
の一価の炭化水素基および該環状の1価のフッ素化炭化
水素基は置換されていてもよい。
【0123】式(BA-5)において、Re はRa −SO2
−基またはRa −CO−基を示し、Ra は式(B-1) に
おけるRa と同義である。但し、酸発生剤(B)から発
生する酸が式(BA-1)で表される酸と式(BA-5)で表さ
れる酸との混合物を含むとき、式(BA-1)で表される酸
のRa と式(BA-5)で表される酸のRa とは同一でも異
なってもよい。〕
【0124】式(BA-1)〜(BA-5)において、Ra 、R
b 、Rs 、Rc およびRe の炭素数1〜20の直鎖状も
しくは分岐状のアルキル基としては、例えば、メチル
基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−
ブチル基、2−メチルプロピル基、1−メチルプロピル
基、t−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、
n−ヘプチル基、n−オクチル基等を挙げることができ
る。また、Ra 、Rc およびRe の炭素数1〜20の直
鎖状もしくは分岐状のフッ素化アルキル基としては、例
えば、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル
基、ヘプタフルオロ−n−プロピル基、ヘプタフルオロ
ーi−プロピル基、ノナフルオロ−n−ブチル基、ノナ
フルオロ−2−メチルプロピル基、ノナフルオロ−1−
メチルプロピル基、ノナフルオロ−t−ブチル基、パー
フルオロ−n−ペンチル基、パーフルオロ−n−ヘキシ
ル基、パーフルオロ−n−ヘプチル基、パーフルオロ−
n−オクチル基等を挙げることができる。
【0125】また、Ra 、Rb 、Rs 、Rc およびRe
の炭素数3〜20の環状の1価の炭化水素基としては、
例えば、フェニル基、2−ナフチル基、2−ナフチル
基、シクロアルキル基、アダマンタン−1−イル基、ビ
シクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル基、テトラシ
クロ[ 6.2.1.13,6 .02,7 ]ドデカン−4−イ
ル基、10−カンファニル基等を挙げることができる。
また、Ra 、Rb 、Rc およびRe の炭素数3〜20の
環状の1価のフッ素化炭化水素基としては、例えば、フ
ェニル基、2−ナフチル基、2−ナフチル基、シクロア
ルキル基、アダマンタン−1−イル基、ビシクロ[2.
2.1]ヘプタン−2−イル基、テトラシクロ[ 6.
2.1.13,6 .02,7 ]ドデカン−4−イル基または
10−カンファニル基を1個以上のフッ素原子で置換し
た基等を挙げることができる。
【0126】前記式(BA-1)で表される酸としては、例
えば、トリフルオロメタンスルホン酸、ペンタフルオロ
エタンスルホン酸、1,1,2,2−テトラフルオロ−
n−プロパンスルホン酸、ヘプタフルオロ−n−プロパ
ンスルホン酸、1,1,2,2−テトラフルオロ−n−
ブタンスルホン酸、ノナフルオロ−n−ブタンスルホン
酸、1,1,2,2−テトラフルオロ−n−オクタンス
ルホン酸、パーフルオロ−n−オクタンスルホン酸等の
直鎖或いは分岐状のフッ素化アルキルスルホン酸類;
【0127】1,1,2,2−テトラフルオロエタンス
ルホン酸、1−トリフルオロメチルー1,2,2−トリ
フルオロエタンスルホン酸、2−トリフルオロメチル−
1,1,2−トリフルオロエタンスルホン酸、1,2−
ジ(トリフルオロメチル)−1,2−ジフルオロエタン
スルホン酸、1,1−ジ(トリフルオロメチル)−2,
2−ジフルオロエタンスルホン酸または2,2−ジ(ト
リフルオロメチル)−1,1−ジフルオロエタンスルホ
ン酸の各2−位に位置する水素原子を、シクロブチル
基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、フェニル
基、4−トリフルオロメチルフェニル基、2,3−ジフ
ルオロフェニル基、2,4−ジフルオロフェニル基、
2,5−ジフルオロフェニル基、2,6−ジフルオロフ
ェニル基、3,4−ジフルオロフェニル基、3,5−ジ
フルオロフェニル基、3,6−ジフルオロフェニル基、
2,3,4,5,6−ペンタフルオロフェニル基、ナフ
タレン−1−イル基、ナフタレン−2−イル基、アダマ
ンタン−1−イル基、アダマンタン−2−イル基、3−
ヒドロキシアダマンタン−1−イル基、3−ヒドロキシ
アダマンタン−2−イル基、ビシクロ[2.2.1]ヘ
プタン−2−イル基、5−ヒドロキシビシクロ[2.
2.1]ヘプタン−2−イル基、6−ヒドロキシビシク
ロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル基、7,7−ジメ
チルビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル基、テ
トラシクロ[ 6.2.1.13,6 .02,7 ]ドデカン−
4−イル基、9−ヒドロキシテトラシクロ[ 6.2.
1.13,6 .02,7]ドデカン−4−イル基または10
−ヒドロキシテトラシクロ[ 6.2.1.13,6 .0
2,7 ]ドデカン−4−イル基で置換した酸等を挙げるこ
とができる。
【0128】また、式(BA-2)で表される酸としては、
例えば、1−フルオロエタンスルホン酸、1−フルオロ
−n−プロパンスルホン酸、1−フルオロ−n−ブタン
スルホン酸、1−フルオロ−n−オクタンスルホン酸、
1、1−ジフルオロエタンスルホン酸、1、1−ジフル
オロ−n−プロパンスルホン酸、1、1−ジフルオロ−
n−ブタンスルホン酸、1、1−ジフルオロ−n−オク
タンスルホン酸、1−トリフルオロメチル−n−プロパ
ンスルホン酸、1−トリフルオロメチル−n−ブタンス
ルホン酸、1−トリフルオロメチル−n−オクタンスル
ホン酸、1,1−ジ(トリフルオロメチル)エタンスル
ホン酸、1,1−ジ(トリフルオロメチル)−n−プロ
パンスルホン酸、1,1−ビス(トリフルオロメチル)
−n−ブタンスルホン酸、1,1−ジ(トリフルオロメ
チル)−n−オクタンスルホン酸等の直鎖或いは分岐状
のフッ素化アルキルスルホン酸類;
【0129】モノフルオロメタンスルホン酸、ジフルオ
ロメタンスルホン酸、1−フルオロエタンスルホン酸、
1,1−ジフルオロエタンスルホン酸、(トリフルオロ
メチル)メタンスルホン酸、1−(トリフルオロメチ
ル)エタンスルホン酸、ジ(トリフルオロメチル)メタ
ンスルホン酸または1,1−ジ(トリフルオロメチル)
エタンスルホン酸の各1−位に位置する水素原子または
各2−位に位置する水素原子を、シクロブチル基、シク
ロペンチル基、シクロヘキシル基、フェニル基、4−ト
リフルオロメチルフェニル基、2,3−ジフルオロフェ
ニル基、2,4−ジフルオロフェニル基、2,5−ジフ
ルオロフェニル基、2,6−ジフルオロフェニル基、
3,4−ジフルオロフェニル基、3,5−ジフルオロフ
ェニル基、3,6−ジフルオロフェニル基、2,3,
4,5,6−ペンタフルオロフェニル基、ナフタレン−
1−イル基、ナフタレン−2−イル基、アダマンタン−
1−イル基、アダマンタン−2−イル基、3−ヒドロキ
シアダマンタン−1−イル基、3−ヒドロキシアダマン
タン−2−イル基、ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−
2−イル基、5−ヒドロキシビシクロ[2.2.1]ヘ
プタン−2−イル基、6−ヒドロキシビシクロ[2.
2.1]ヘプタン−2−イル基、7,7−ジメチルビシ
クロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル基、テトラシク
ロ[ 6.2.1.13,6.02,7 ]ドデカン−4−イル
基、9−ヒドロキシテトラシクロ[ 6.2.1.1
3,6 .02,7 ]ドデカン−4−イル基または10−ヒド
ロキシテトラシクロ[6.2.1.13,6 .02,7 ]ド
デカン−4−イル基で置換した酸等を挙げることができ
る。
【0130】また、式(BA-3)で表される酸としては、
例えば、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、n−プ
ロパンスルホン酸、n−ブタンスルホン酸、2−メチル
プロパンスルホン酸、1−メチルプロパンスルホン酸、
t−ブタンスルホン酸、n−ペンタンスルホン酸、n−
ヘキサンスルホン酸、n−オクタンスルホン酸、シクロ
ペンタンスルホン酸、シクロヘキサンスルホン酸等の直
鎖状、分岐状もしくは環状のアルキルスルホン酸類;ベ
ンゼンスルホン酸、p−トルエンスルホン酸、ベンジル
スルホン酸、α−ナフタレンスルホン酸、β−ナフタレ
ンスルホン酸等の芳香族スルホン酸類;10−カンファ
ースルホン酸等を挙げることができる。
【0131】また、式(BA-4)で表される酸としては、
例えば、酢酸、プロピオン酸、酪酸、イソ酪酸、吉草
酸、イソ吉草酸、カプロン酸、安息香酸、サリチル酸、
フタル酸、テレフタル酸、α−ナフタレンカルボン酸、
β−ナフタレンカルボン酸、シクロブタンカルボン酸、
シクロペンタンカルボン酸、シクロヘキサンカルボン
酸、アダマンタン−1−カルボン酸、ビシクロ[2.
2.1]ヘプタン−2−カルボン酸、アダマンタン−1
−酢酸、ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−酢酸、
リトコール酸、デオキシコール酸、ケノデオキシコール
酸、コール酸等のモノカルボン酸類;シクロブタン−
1,1−ジカルボン酸、シクロブタン−1,2−ジカル
ボン酸、シクロペンタン−1,1−ジカルボン酸、シク
ロペンタン−1,2−ジカルボン酸、シクロペンタン−
1,3−ジカルボン酸、シクロヘキサン−1,1−ジカ
ルボン酸、シクロヘキサン−1,2−ジカルボン酸、シ
クロヘキサン−1,3−ジカルボン酸、シクロヘキサン
−1,4−ジカルボン酸、アダマンタン−1,3−ジカ
ルボン酸、ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2,3−
ジカルボン酸、アダマンタン−1,3−ジ酢酸、ビシク
ロ[2.2.1]ヘプタン−2,3−ジ酢酸等のジカル
ボン酸類等を挙げることができる。
【0132】さらに、式(BA-5)で表される酸として
は、例えば、N,N−ビス(トリフルオロメタンスルホ
ニル)イミド酸、N,N−ビス(ペンタフルオロエタン
スルホニル)イミド酸、N,N−ビス(1,1,2,2
−テトラフルオロ−n−プロパンスルホニル)イミド
酸、N,N−ビス(ヘプタフルオロ−n−プロパンスル
ホニル)イミド酸、N,N−ビス(1,1,2,2−テ
トラフルオロ−n−ブタンスルホニル)イミド酸、N,
N−ビス(ノナフルオロ−n−ブタンスルホニル)イミ
ド酸、N,N−ビス(1,1,2,2−テトラフルオロ
−n−オクタンスルホニル)イミド酸、N,N−ビス
(パーフルオロ−n−オクタンスルホニル)イミド酸、
N−トリフルオロメタンスルホニル・N−ペンタフルオ
ロエタンスルホニルイミド酸、N−トリフルオロメタン
スルホニル・N−ヘプタフルオロ−n−プロパンスルホ
ニルイミド酸、N−トリフルオロメタンスルホニル・N
−ノナフルオロ−n−ブタンスルホニルイミド酸、N−
ペンタフルオロエタンスルホニル・N−ヘプタフルオロ
−n−プロパンスルホニルイミド酸、N−ペンタフルオ
ロエタンスルホニル・N−ノナフルオロ−n−ブタンス
ルホニルイミド酸、N−ヘプタフルオロ−n−プロパン
スルホニル・N−ノナフルオロ−n−ブタンスルホニル
イミド酸等を挙げることができる。
【0133】前記式(BA-1)〜(BA-5)で表される酸を
発生する化合物としては、例えば、オニウム塩化合物、
スルホンイミド化合物、スルホン化合物、スルホン酸エ
ステル化合物、ジスルホニルジアゾメタン化合物、ジス
ルホニルメタン化合物、オキシムスルホネート化合物、
ヒドラジンスルホネート化合物等を挙げることができ
る。
【0134】前記オニウム塩化合物としては、ヨードニ
ウム塩、スルホニウム塩(テトラヒドロチオフェニウム
塩を含む。)、ホスホニウム塩、ジアゾニウム塩、ピリ
ジニウム塩等を挙げることができる。好ましいオニウム
塩化合物としては、例えば、ジフェニルヨードニウム
塩、ジ(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウム塩、ジ
(p−トルイル)ヨードニウム塩、ジ(3,4−ジメチ
ルフェニル)ヨードニウム塩、4−ニトロフェニル・フ
ェニルヨードニウム塩、ジ(3−ニトロフェニル)ヨー
ドニウム塩、4−メトキシフェニル・フェニルヨードニ
ウム塩、ジ(4−クロロフェニル)ヨードニウム塩、ジ
(4−トリフルオロメチルフェニル)ヨードニウム塩、
ビフェニレンヨードニウム塩、ジ(ナフタレン−2−イ
ル)ヨードニウム塩、2−クロロビフェニレンヨードニ
ウム塩等のヨードニウム塩;トリフェニルスルホニウム
塩、4−t−ブチルフェニル・ジフェニルスルホニウム
塩、4−t−ブトキシフェニル・ジフェニルスルホニウ
ム塩、4−ヒドロキシフェニル・ジフェニルスルホニウ
ム塩、トリ(4−メトキシフェニル)スルホニウム塩、
ジ(4−メトキシフェニル)・p−トルイルスルホニウ
ム塩、フェニル・ビフェニレンスルホニウム塩、4−フ
ェニルチオフェニル・ジフェニルスルホニウム塩、4,
4’−ビス(ジフェニルスルホニオフェニル)スルフィ
ド塩等のアリールスルホニウム塩;
【0135】ジシクロヘキシル・メチルスルホニウム
塩、ジメチル・シクロヘキシルスルホニウム塩、トリシ
クロヘキシルスルホニウム塩等のトリ(シクロ)アルキ
ルスルホニウム塩;シクロヘキシル・2−オキソシクロ
ヘキシル・メチルスルホニウム塩、ジシクロヘキシル・
2−オキソシクロヘキシルスルホニウム塩、2−オキソ
シクロヘキシルジメチルスルホニウム塩、ビシクロ
[2.2.1]ヘプタン−2−イル・メチル・2−オキ
ソシクロヘキシルスルホニウム塩、ビシクロ[2.2.
1]ヘプタン−2−イル・シクロヘキシル・2−オキソ
シクロヘキシルスルホニウム塩、1−〔2−(ナフタレ
ン−1−イル)−2−オキソエチル〕テトラヒドロチオ
フェニウム塩、1−〔2−(ナフタレン−2−イル)−
2−オキソエチル〕テトラヒドロチオフェニウム塩、1
−(2−オキソ−n−ブチル)テトラヒドロチオフェニ
ウム塩等の2−オキソスルホニウム塩;ナフタレン−1
−イル・ジメチルスルホニウム塩、ナフタレン−1−イ
ル・ジエチルスルホニウム塩、4−シアノナフタレン−
1−イル・ジメチルスルホニウム塩、4−シアノナフタ
レン−1−イル・ジエチルスルホニウム塩、4−ニトロ
ナフタレン−1−イル・ジメチルスルホニウム塩、4−
ニトロナフタレン−1−イル・ジエチルスルホニウム
塩、4−メチルナフタレン−1−イル・ジメチルスルホ
ニウム塩、4−メチルナフタレン−1−イル・ジエチル
スルホニウム塩、4−ヒドロキシノナフタレン−1−イ
ル・ジメチルスルホニウム塩、4−ヒドロキシナフタレ
ン−1−イル・ジエチルスルホニウム塩等のナフタレン
−1−イル・ジアルキルスルホニウム塩;
【0136】1−(4−ヒドロキシナフタレン−1−イ
ル)テトラヒドロチオフェニウム塩、1−(4−メトキ
シナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウム
塩、1−(4−エトキシナフタレン−1−イル)テトラ
ヒドロチオフェニウム塩、1−(4−n−ブトキシナフ
タレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウム塩、1
−(4−メトキシメトキシナフタレン−1−イル)テト
ラヒドロチオフェニウム塩、1−(4−エトキシメトキ
シナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウム
塩、1−〔4−(1−メトキシエトキシ)ナフタレン−
1−イル〕テトラヒドロチオフェニウム塩、1−〔4−
(2−メトキシエトキシ)ナフタレン−1−イル〕テト
ラヒドロチオフェニウム塩、1−(4−メトキシカルボ
ニルオキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフ
ェニウム塩、1−(4−エトキシカルボニルオキシナフ
タレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウム塩、1
−(4−n−プロポキシカルボニルオキシナフタレン−
1−イル)テトラヒドロチオフェニウム塩、1−(4−
i−プロポキシカルボニルオキシナフタレン−1−イ
ル)テトラヒドロチオフェニウム塩、1−(4−n−ブ
トキシカルボニルオキシナフタレン−1−イル)テトラ
ヒドロチオフェニウム塩、1−(4−t−ブトキシカル
ボニルオキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオ
フェニウム塩、1−〔4−(2−テトラヒドロフラニル
オキシ)ナフタレン−1−イル〕テトラヒドロチオフェ
ニウム塩、1−〔4−(2−テトラヒドロピラニルオキ
シ)ナフタレン−1−イル〕テトラヒドロチオフェニウ
ム塩、1−(4−ベンジルオキシナフタレン−1−イ
ル)テトラヒドロチオフェニウム塩、4−(4−n−ブ
トキシナフタレン−1−イル)―4−チオニアトリシク
ロ[ 5.2.1.02,6 ]デカン塩、(4−エトキシナ
フタレン−1−イル)―4−チオニアトリシクロ[ 5.
2.1.02,6 ]デカン塩、1−〔4−(ビシクロ
[2.2.1]ヘプタン−2−イル)オキシナフタレン
−1−イル〕テトラヒドロチオフェニウム塩、1−
(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)テトラ
ヒドロチオフェニウム塩、1−(3,5−ジメチル−4
−エトキシフェニル)テトラヒドロチオフェニウム塩、
1−(3,5−ジメチル−4−n−ブトキシフェニル)
テトラヒドロチオフェニウム塩等のアリールチオフェニ
ウム塩等を挙げることができる。
【0137】前記スルホンイミド化合物としては、例え
ば、下記一般式(B1) で表される化合物を挙げること
ができる。
【0138】
【化24】 〔一般式(B1) において、 [RA] は前記式(BA-1)
〜(BA-4)で表される何れかの酸の残基を示し、それが
解離したとき式(BA-1)〜(BA-4)で表される酸を生成
する基であり、Z1 は2価の有機基を示す。〕
【0139】一般式(B1) で表される化合物は、一般
式(B1) 中の [RA] 基を水素原子で置換した化合物
(以下、「母核化合物(B1)」という。)と前記式
(BA-1)〜(BA-4)で表される酸の残基とがスルホニル
結合あるいはカルボニル結合を介して結合した構造を有
する化合物である。母核化合物(B1)としては、例え
ば、N−ヒドロキシスクシンイミド、N−ヒドロキシジ
フェニルマレイミド、N−ヒドロキシビシクロ[2.
2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミ
ド、N−ヒドロキシ−7−オキサビシクロ[2.2.
1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、
N−ヒドロキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン−5,
6−オキシ−2,3−ジカルボキシイミド、N−ヒドロ
キシナフチルイミド、N−ヒドロキシフタルイミド等を
挙げることができる。
【0140】前記スルホン化合物としては、例えば、β
−ケトスルホン、β−スルホニルスルホンや、これらの
α−ジアゾ化合物等を挙げることができる。スルホン酸
エステル化合物としては、例えば、アルキルスルホン酸
エステル、ハロアルキルスルホン酸エステル、アリール
スルホン酸エステル、イミノスルホネート等を挙げるこ
とができる。前記ジスルホニルジアゾメタン化合物とし
ては、例えば、下記一般式(B2)で表される化合物を
挙げることができる。
【0141】
【化25】 〔一般式(B2) において、各 [RA] は相互に独立に
前記一般式(B1) における [RA] と同義である。〕
【0142】前記ジスルホニルメタン化合物としては、
例えば、下記一般式(B3)で表される化合物を挙げる
ことができる。
【0143】
【化26】 〔一般式(B3) において、各 [RA] は相互に独立に
前記一般式(B1) における [RA] と同義であり、V
およびWは少なくとも一方がアリール基であるか、ある
いはVとWが相互に連結して少なくとも1個の不飽和結
合を有する単環構造または多環構造を形成しているか、
あるいはVとWが相互に連結して下記式
【0144】
【化27】 (但し、V’およびW’は相互に同一でも異なってもよ
く、かつ複数存在するV’およびW’は相互に同一でも
異なってもよく、水素原子、ハロゲン原子、アルキル
基、シクロアルキル基、アリール基またはアラルキル基
を示すか、あるいは同一のもしくは異なる炭素原子に結
合したV’とW’が相互に連結して炭素単環構造を形成
しており、kは2〜10の整数である。)で表される基
を形成している。〕
【0145】前記オキシムスルホネート化合物として
は、例えば、下記一般式(B4-1)または一般式(B4
-2)で表される化合物を挙げることができる。
【0146】
【化28】 〔一般式(B4-1) および一般式(B4-2)において、
各 [RA] は相互に独立に前記一般式(B1) における
[RA] と同義であり、各R14は相互に独立に1価の有
機基を示す。〕
【0147】一般式(B4-1) および一般式(B4-2)
において、R14の具体例としては、メチル基、エチル
基、n―プロピル基、フェニル基、トシル基等を挙げる
ことができる。
【0148】前記ヒドラジンスルホネート化合物として
は、例えば、ビス(ベンゼン)スルホニルヒドラジン、
ビス(p−トルエン)スルホニルヒドラジン、ビス(ト
リフルオロメタン)スルホニルヒドラジン、ビス(ノナ
フルオロ−n−ブタン)スルホニルヒドラジン、ビス
(n−プロパン)スルホニルヒドラジン、ベンゼンスル
ホニルヒドラジン、p−トルエンスルホニルヒドラジ
ン、トリフルオロメタンスルホニルヒドラジン、ノナフ
ルオロ−n−ブタンスルホニルヒドラジン、n−プロパ
ンスルホニルヒドラジン、トリフルオロメタンスルホニ
ル・p−トルエンスルホニルヒドラジン等を挙げること
ができる。
【0149】好ましい酸発生剤(B)の具体例として
は、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホ
ネート、ジフェニルヨードニウムノナフルオロ−n−ブ
タンスルホネート、ジフェニルヨードニウムパーフルオ
ロ−n−オクタンスルホネート、ジフェニルヨードニウ
ム2−(ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル)
−1,1,2,2−テトラフルオロエタンスルホネー
ト、ジフェニルヨードニウム2−(5−ヒドロキシビシ
クロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル)−1,1,
2,2−テトラフルオロエタンスルホネート、ジフェニ
ルヨードニウム2−(6−ヒドロキシビシクロ[2.
2.1]ヘプタン−2−イル)−1,1,2,2−テト
ラフルオロエタンスルホネート、ジフェニルヨードニウ
ム2−(テトラシクロ[ 6.2.1.13,6 .02,7
ドデカン−4−イル)−1,1,2,2−テトラフルオ
ロエタンスルホネート、ジフェニルヨードニウム2−
(9−ヒドロキシテトラシクロ[ 6.2.1.13,6
2,7 ]ドデカン−4−イル)−1,1,2,2−テト
ラフルオロエタンスルホネート、ジフェニルヨードニウ
ム2−(10−ヒドロキシテトラシクロ[ 6.2.1.
3,6 .02,7 ]ドデカン−4−イル)−1,1,2,
2−テトラフルオロエタンスルホネート、
【0150】ジフェニルヨードニウムN,N−ビス(ト
リフルオロメタンスルホニル)イミデート、ジフェニル
ヨードニウムN,N−ビス(ペンタフルオロエタンスル
ホニル)イミデート、ジフェニルヨードニウムN,N−
ビス(ヘプタフルオロ−n−プロパンスルホニル)イミ
デート、ジフェニルヨードニウムN,N−ビス(ノナフ
ルオロ−n−ブタンスルホニル)イミデート、ジフェニ
ルヨードニウムベンゼンスルホネート、ジフェニルヨー
ドニウム4−トリフルオロメチルベンゼンスルホネー
ト、ジフェニルヨードニウム2,4−ジフルオロベンゼ
ンスルホネート、ジフェニルヨードニウム2,3,4,
5,6−ペンタフルオロベンゼンスルホネート、ジフェ
ニルヨードニウム10−カンファースルホネート、
【0151】ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニ
ウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス(4−t−
ブチルフェニル)ヨードニウムノナフルオロ−n−ブタ
ンスルホネート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨー
ドニウムパーフルオロ−n−オクタンスルホネート、ビ
ス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウム2−(ビシ
クロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル)−1,1,
2,2−テトラフルオロエタンスルホネート、ビス(4
−t−ブチルフェニル)ヨードニウム2−(5−ヒドロ
キシビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル)−
1,1,2,2−テトラフルオロエタンスルホネート、
ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウム2−(6
−ヒドロキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イ
ル)−1,1,2,2−テトラフルオロエタンスルホネ
ート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウム2
−(テトラシクロ[ 6.2.1.13,6 .02,7 ]ドデ
カン−4−イル)−1,1,2,2−テトラフルオロエ
タンスルホネート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨ
ードニウム2−(9−ヒドロキシテトラシクロ[ 6.
2.1.13,6 .02,7 ]ドデカン−4−イル)−1,
1,2,2−テトラフルオロエタンスルホネート、ビス
(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウム2−(10−
ヒドロキシテトラシクロ[ 6.2.1.13,6 .0
2,7 ]ドデカン−4−イル)−1,1,2,2−テトラ
フルオロエタンスルホネート、
【0152】ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニ
ウムN,N−ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イ
ミデート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウ
ムN,N−ビス(ペンタフルオロエタンスルホニル)イ
ミデート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウ
ムN,N−ビス(ヘプタフルオロ−n−プロパンスルホ
ニル)イミデート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨ
ードニウムN,N−ビス(ノナフルオロ−n−ブタンス
ルホニル)イミデート、ビス(4−t−ブチルフェニ
ル)ヨードニウムベンゼンスルホネート、ビス(4−t
−ブチルフェニル)ヨードニウム4−トリフルオロメチ
ルベンゼンスルホネート、ビス(4−t−ブチルフェニ
ル)ヨードニウム2,4−ジフルオロベンゼンスルホネ
ート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウム
2,3,4,5,6−ペンタフルオロベンゼンスルホネ
ート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウム1
0−カンファースルホネート、
【0153】トリフェニルスルホニウムトリフルオロメ
タンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフル
オロ−n−ブタンスルホネート、トリフェニルスルホニ
ウムパーフルオロ−n−オクタンスルホネート、トリフ
ェニルスルホニウム2−(ビシクロ[2.2.1]ヘプ
タン−2−イル)−1,1,2,2−テトラフルオロエ
タンスルホネート、トリフェニルスルホニウム2−(5
−ヒドロキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イ
ル)−1,1,2,2−テトラフルオロエタンスルホネ
ート、トリフェニルスルホニウム2−(6−ヒドロキシ
ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル)−1,
1,2,2−テトラフルオロエタンスルホネート、トリ
フェニルスルホニウム2−(テトラシクロ[ 6.2.
1.13,6 .0 2,7 ]ドデカン−4−イル)−1,1,
2,2−テトラフルオロエタンスルホネート、トリフェ
ニルスルホニウム2−(9−ヒドロキシテトラシクロ[
6.2.1.13,6 .02,7 ]ドデカン−4−イル)−
1,1,2,2−テトラフルオロエタンスルホネート、
トリフェニルスルホニウム2−(10−ヒドロキシテト
ラシクロ[ 6.2.1.13,6 .02,7 ]ドデカン−4
−イル)−1,1,2,2−テトラフルオロエタンスル
ホネート、
【0154】トリフェニルスルホニウムN,N−ビス
(トリフルオロメタンスルホニル)イミデート、トリフ
ェニルスルホニウムN,N−ビス(ペンタフルオロエタ
ンスルホニル)イミデート、トリフェニルスルホニウム
N,N−ビス(ヘプタフルオロ−n−プロパンスルホニ
ル)イミデート、トリフェニルスルホニウムN,N−ビ
ス(ノナフルオロ−n−ブタンスルホニル)イミデー
ト、トリフェニルスルホニウムベンゼンスルホネート、
トリフェニルスルホニウム4−トリフルオロメチルベン
ゼンスルホネート、トリフェニルスルホニウム2,4−
ジフルオロベンゼンスルホネート、トリフェニルスルホ
ニウム2,3,4,5,6−ペンタフルオロベンゼンス
ルホネート、トリフェニルスルホニウム10−カンファ
ースルホネート、
【0155】ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イ
ル・シクロヘキシル・2−オキソシクロヘキシルスルホ
ニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビシクロ
[2.2.1]ヘプタン−2−イル・シクロヘキシル・
2−オキソシクロヘキシルスルホニウムノナフルオロ−
n−ブタンスルホネート、ビシクロ[2.2.1]ヘプ
タン−2−イル・シクロヘキシル・2−オキソシクロヘ
キシルスルホニウムパーフルオロ−n−オクタンスルホ
ネート、ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル・
シクロヘキシル・2−オキソシクロヘキシルスルホニウ
ム2−(ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル)
−1,1,2,2−テトラフルオロエタンスルホネー
ト、ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル・シク
ロヘキシル・2−オキソシクロヘキシルスルホニウム2
−(5−ヒドロキシビシクロ[2.2.1]ヘプト−2
−イル)−1,1,2,2−テトラフルオロエタンスル
ホネート、ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル
・シクロヘキシル・2−オキソシクロヘキシルスルホニ
ウム2−(6−ヒドロキシビシクロ[2.2.1]ヘプ
ト−2−イル)−1,1,2,2−テトラフルオロエタ
ンスルホネート、ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2
−イル・シクロヘキシル・2−オキソシクロヘキシルス
ルホニウム2−(テトラシクロ[ 6.2.1.13,6
2,7 ]ドデカン−4−イル)−1,1,2,2−テト
ラフルオロエタンスルホネート、ビシクロ[2.2.
1]ヘプタン−2−イル・シクロヘキシル・2−オキソ
シクロヘキシルスルホニウム2−(9−ヒドロキシテト
ラシクロ[ 6.2.1.13,6 .02,7 ]ドデカン−4
−イル)−1,1,2,2−テトラフルオロエタンスル
ホネート、ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル
・シクロヘキシル・2−オキソシクロヘキシルスルホニ
ウム2−(10−ヒドロキシテトラシクロ[ 6.2.
1.13,6 .02,7 ]ドデカン−4−イル)−1,1,
2,2−テトラフルオロエタンスルホネート、
【0156】ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イ
ル・シクロヘキシル・2−オキソシクロヘキシルスルホ
ニウムN,N−ビス(トリフルオロメタンスルホニル)
イミデート、ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イ
ル・シクロヘキシル・2−オキソシクロヘキシルスルホ
ニウムN,N−ビス(ペンタフルオロエタンスルホニ
ル)イミデート、ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2
−イル・シクロヘキシル・2−オキソシクロヘキシルス
ルホニウムN,N−ビス(ヘプタフルオロ−n−プロパ
ンスルホニル)イミデート、ビシクロ[2.2.1]ヘ
プタン−2−イル・シクロヘキシル・2−オキソシクロ
ヘキシルスルホニウムN,N−ビス(ノナフルオロ−n
−ブタンスルホニル)イミデート、ビシクロ[2.2.
1]ヘプタン−2−イル・シクロヘキシル・2−オキソ
シクロヘキシルスルホニウムベンゼンスルホネート、ビ
シクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル・シクロヘキ
シル・2−オキソシクロヘキシルスルホニウム4−トリ
フルオロメチルベンゼンスルホネート、ビシクロ[2.
2.1]ヘプタン−2−イル・シクロヘキシル・2−オ
キソシクロヘキシルスルホニウム2,4−ジフルオロベ
ンゼンスルホネート、ビシクロ[2.2.1]ヘプタン
−2−イル・シクロヘキシル・2−オキソシクロヘキシ
ルスルホニウム2,3,4,5,6−ペンタフルオロベ
ンゼンスルホネート、ビシクロ[2.2.1]ヘプタン
−2−イル・シクロヘキシル・2−オキソシクロヘキシ
ルスルホニウム10−カンファースルホネート、
【0157】1−〔2−(ナフタレン−1−イル)−2
−オキソエチル〕テトラヒドロチオフェニウムトリフル
オロメタンスルホネート、1−〔2−(ナフタレン−1
−イル)−2−オキソエチル〕テトラヒドロチオフェニ
ウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、1−〔2
−(ナフタレン−1−イル)−2−オキソエチル〕テト
ラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−n−オクタンス
ルホネート、1−〔2−(ナフタレン−1−イル)−2
−オキソエチル〕テトラヒドロチオフェニウム2−(ビ
シクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル)−1,1,
2,2−テトラフルオロエタンスルホネート、1−〔2
−(ナフタレン−1−イル)−2−オキソエチル〕テト
ラヒドロチオフェニウム2−(5−ヒドロキシビシクロ
[2.2.1]ヘプタン−2−イル)−1,1,2,2
−テトラフルオロエタンスルホネート、1−〔2−(ナ
フタレン−1−イル)−2−オキソエチル〕テトラヒド
ロチオフェニウム2−(6−ヒドロキシビシクロ[2.
2.1]ヘプタン−2−イル)−1,1,2,2−テト
ラフルオロエタンスルホネート、1−〔2−(ナフタレ
ン−1−イル)−2−オキソエチル〕テトラヒドロチオ
フェニウム2−(テトラシクロ[ 6.2.1.13,6
2,7 ]ドデカン−4−イル)−1,1,2,2−テト
ラフルオロエタンスルホネート、1−〔2−(ナフタレ
ン−1−イル)−2−オキソエチル〕テトラヒドロチオ
フェニウム2−(9−ヒドロキシテトラシクロ[ 6.
2.1.13,6 .02,7 ]ドデカン−4−イル)−1,
1,2,2−テトラフルオロエタンスルホネート、1−
〔2−(ナフタレン−1−イル)−2−オキソエチル〕
テトラヒドロチオフェニウム2−(10−ヒドロキシテ
トラシクロ[ 6.2.1.13,6 .02,7 ]ドデカン−
4−イル)−1,1,2,2−テトラフルオロエタンス
ルホネート、
【0158】1−〔2−(ナフタレン−1−イル)−2
−オキソエチル〕テトラヒドロチオフェニウムN,N−
ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミデート、1
−〔2−(ナフタレン−1−イル)−2−オキソエチ
ル〕テトラヒドロチオフェニウムN,N−ビス(ペンタ
フルオロエタンスルホニル)イミデート、1−〔2−
(ナフタレン−1−イル)−2−オキソエチル〕テトラ
ヒドロチオフェニウムN,N−ビス(ヘプタフルオロ−
n−プロパンスルホニル)イミデート、1−〔2−(ナ
フタレン−1−イル)−2−オキソエチル〕テトラヒド
ロチオフェニウムN,N−ビス(ノナフルオロ−n−ブ
タンスルホニル)イミデート、1−〔2−(ナフタレン
−1−イル)−2−オキソエチル〕テトラヒドロチオフ
ェニウムベンゼンスルホネート、1−〔2−(ナフタレ
ン−1−イル)−2−オキソエチル〕テトラヒドロチオ
フェニウム4−トリフルオロメチルベンゼンスルホネー
ト、1−〔2−(ナフタレン−1−イル)−2−オキソ
エチル〕テトラヒドロチオフェニウム2,4−ジフルオ
ロベンゼンスルホネート、1−〔2−(ナフタレン−1
−イル)−2−オキソエチル〕テトラヒドロチオフェニ
ウム2,3,4,5,6−ペンタフルオロベンゼンスル
ホネート、1−〔2−(ナフタレン−1−イル)−2−
オキソエチル〕テトラヒドロチオフェニウム10−カン
ファースルホネート、
【0159】1−(4−ヒドロキシナフタレン−1−イ
ル)テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンス
ルホネート、1−(4−ヒドロキシナフタレン−1−イ
ル)テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−n−オ
クタンスルホネート、1−(4−ヒドロキシナフタレン
−1−イル)テトラヒドロチオフェニウム2−(ビシク
ロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル)−1,1,2,
2−テトラフルオロエタンスルホネート、1−(4−ヒ
ドロキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェ
ニウム2−(5−ヒドロキシビシクロ[2.2.1]ヘ
プタン−2−イル)−1,1,2,2−テトラフルオロ
エタンスルホネート、1−(4−ヒドロキシナフタレン
−1−イル)テトラヒドロチオフェニウム2−(6−ヒ
ドロキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル)
−1,1,2,2−テトラフルオロ−エタンスルホネー
ト、1−(4−ヒドロキシナフタレン−1−イル)テト
ラヒドロチオフェニウム2−(テトラシクロ[ 6.2.
1.13,6 .02,7 ]ドデカン−4−イル)−1,1,
2,2−テトラフルオロエタンスルホネート、1−(4
−ヒドロキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオ
フェニウム2−(9−ヒドロキシテトラシクロ[ 6.
2.1.13,6 .02,7 ]ドデカン−4−イル)−1,
1,2,2−テトラフルオロエタンスルホネート、1−
(4−ヒドロキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロ
チオフェニウム2−(10−ヒドロキシテトラシクロ[
6.2.1.13,6 .02,7 ]ドデカン−4−イル)−
1,1,2,2−テトラフルオロエタンスルホネート、
【0160】1−(4−ヒドロキシナフタレン−1−イ
ル)テトラヒドロチオフェニウムN,N−ビス(トリフ
ルオロメタンスルホニル)イミデート、1−(4−ヒド
ロキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニ
ウムN,N−ビス(ペンタフルオロエタンスルホニル)
イミデート、1−(4−ヒドロキシナフタレン−1−イ
ル)テトラヒドロチオフェニウムN,N−ビス(ヘプタ
フルオロ−n−プロパンスルホニル)イミデート、1−
(4−ヒドロキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロ
チオフェニウムN,N−ビス(ノナフルオロ−n−ブタ
ンスルホニル)イミデート、1−(4−ヒドロキシナフ
タレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウムベンゼ
ンスルホネート、ジフェニルヨードニウム4−トリフル
オロメチルベンゼンスルホネート、1−(4−ヒドロキ
シナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウム
2,4−ジフルオロベンゼンスルホネート、1−(4−
ヒドロキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフ
ェニウム2,3,4,5,6−ペンタフルオロベンゼン
スルホネート、1−(4−ヒドロキシナフタレン−1−
イル)テトラヒドロチオフェニウム10−カンファース
ルホネート、
【0161】1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−
イル)テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタン
スルホネート、1−(4−n−ブトキシナフタレン−1
−イル)テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−n
−ブタンスルホネート、1−(4−n−ブトキシナフタ
レン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウムパーフル
オロ−n−オクタンスルホネート、1−(4−n−ブト
キシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウ
ム2−(ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル)
−1,1,2,2−テトラフルオロエタンスルホネー
ト、1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テ
トラヒドロチオフェニウム2−(5−ヒドロキシビシク
ロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル)−1,1,2,
2−テトラフルオロエタンスルホネート、1−(4−n
−ブトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフ
ェニウム2−(6−ヒドロキシビシクロ[2.2.1]
ヘプタン−2−イル)−1,1,2,2−テトラフルオ
ロエタンスルホネート、1−(4−n−ブトキシナフタ
レン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウム2−(テ
トラシクロ[ 6.2.1.13,6 .02,7 ]ドデカン−
4−イル)−1,1,2,2−テトラフルオロエタンス
ルホネート、1−(4−n−ブトキシナフタレンー1−
イル)テトラヒドロチオフェニウム2−(9−ヒドロキ
シテトラシクロ[6.2.1.13,6 .02,7 ]ドデカ
ン−4−イル)−1,1,2,2−テトラフルオロエタ
ンスルホネート、1−(4−n−ブトキシナフタレンー
1−イル)テトラヒドロチオフェニウム2−(10−ヒ
ドロキシテトラシクロ[ 6.2.1.13,6 .02,7
ドデカン−4−イル)−1,1,2,2−テトラフルオ
ロエタンスルホネート、
【0162】1−(4−n−ブトキシナフタレン11−
イル)テトラヒドロチオフェニウムN,N−ビス(トリ
フルオロメタンスルホニル)イミデート、1−(4−n
−ブトキシナフタレン11−イル)テトラヒドロチオフ
ェニウムN,N−ビス(ペンタフルオロエタンスルホニ
ル)イミデート、1−(4−n−ブトキシナフタレン−
1−イル)テトラヒドロチオフェニウムN,N−ビス
(ヘプタフルオロ−n−プロパンスルホニル)イミデー
ト、1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テ
トラヒドロチオフェニウムN,N−ビス(ノナフルオロ
−n−ブタンスルホニル)イミデート、1−(4−n−
ブトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェ
ニウムベンゼンスルホネート、1−(4−n−ブトキシ
ナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウム4
−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、1−(4
−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチ
オフェニウム2,4−ジフルオロベンゼンスルホネー
ト、1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テ
トラヒドロチオフェニウム2,3,4,5,6−ペンタ
フルオロベンゼンスルホネート、1−(4−n−ブトキ
シナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウム
10−カンファースルホネート、
【0163】(4−n−ブトキシナフタレン−1−イ
ル)―4−チオニアトリシクロ[ 5.2.1.02,6
デカントリフルオロメタンスルホネート、(4−n−ブ
トキシナフタレン−1−イル)―4−チオニアトリシク
ロ[ 5.2.1.02,6 ]デカンノナフルオロ−n−ブ
タンスルホネート、(4−n−ブトキシナフタレン−1
−イル)―4−チオニアトリシクロ[ 5.2.1.0
2,6 ]デカンパーフルオロ−n−オクタンスルホネー
ト、(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)―4−
チオニアトリシクロ[ 5.2.1.02,6 ]デカン2−
(ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル)−1,
1,2,2−テトラフルオロエタンスルホネート、(4
−n−ブトキシナフタレン−1−イル)―4−チオニア
トリシクロ[ 5.2.1.02,6 ]デカン2−(5−ヒ
ドロキシビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−イル)−
1,1,2,2−テトラフルオロエタンスルホネート、
(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)―4−チオ
ニアトリシクロ[ 5.2.1.02,6 ]デカン2−(6
−ヒドロキシビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−イ
ル)−1,1,2,2−テトラフルオロエタンスルホネ
ート、(4−n−ブトキシナフタレンー1−イル)―4
−チオニアトリシクロ[ 5.2.1.02,6 ]デカン2
−2−(テトラシクロ[ 6.2.1.13,6 .02,7
ドデカン−4−イル)−1,1,2,2−テトラフルオ
ロエタンスルホネート、(4−n−ブトキシナフタレン
−1−イル)―4−チオニアトリシクロ[ 5.2.1.
2,6 ]デカン2−(9−ヒドロキシテトラシクロ[
6.2.1.13,6 .02,7 ]ドデカン−4−イル)−
1,1,2,2−テトラフルオロエタンスルホネート、
(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)―4−チオ
ニアトリシクロ[ 5.2.1.02,6 ]デカン2−(1
0−ヒドロキシテトラシクロ[ 6.2.1.13,6 .0
2,7 ]ドデカン−4−イル)−1,1,2,2−テトラ
フルオロエタンスルホネート、
【0164】(4−n−ブトキシナフタレン−1−イ
ル)―4−チオニアトリシクロ[ 5.2.1.02,6
デカンN,N−ビス(トリフルオロメタンスルホニル)
イミデート、(4−n−ブトキシナフタレン−1−イ
ル)―4−チオニアトリシクロ[ 5.2.1.02,6
デカンN,N−ビス(ペンタフルオロエタンスルホニ
ル)イミデート、(4−n−ブトキシナフタレン−1−
イル)―4−チオニアトリシクロ[ 5.2.1.0
2,6 ]デカンN,N−ビス(ヘプタフルオロ−n−プロ
パンスルホニル)イミデート、(4−n−ブトキシナフ
タレン−1−イル)―4−チオニアトリシクロ[ 5.
2.1.02,6 ]デカンN,N−ビス(ノナフルオロ−
n−ブタンスルホニル)イミデート、(4−n−ブトキ
シナフタレン−1−イル)―4−チオニアトリシクロ[
5.2.1.02,6 ]デカンベンゼンスルホネート、
(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)―4−チオ
ニアトリシクロ[ 5.2.1.02,6 ]デカン4−トリ
フルオロメチルベンゼンスルホネート、(4−n−ブト
キシナフタレン−1−イル)―4−チオニアトリシクロ
[ 5.2.1.02,6 ]デカン2,4−ジフルオロベン
ゼンスルホネート、(4−n−ブトキシナフタレン−1
−イル)―4−チオニアトリシクロ[ 5.2.1.0
2,6 ]デカン2,3,4,5,6−ペンタフルオロベン
ゼンスルホネート、(4−n−ブトキシナフタレン−1
−イル)―4−チオニアトリシクロ[ 5.2.1.0
2,6 ]デカン10−カンファースルホネート、
【0165】1−(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシ
フェニル)テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメ
タンスルホネート、1−(3,5−ジメチル−4−ヒド
ロキシフェニル)テトラヒドロチオフェニウムノナフル
オロ−n−ブタンスルホネート、1−(3,5−ジメチ
ル−4−ヒドロキシフェニル)テトラヒドロチオフェニ
ウムパーフルオロ−n−オクタンスルホネート、1−
(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)テトラ
ヒドロチオフェニウム2−(ビシクロ[2.2.1]ヘ
プタン−2−イル)−1,1,2,2−テトラフルオロ
エタンスルホネート、1−(3,5−ジメチル−4−ヒ
ドロキシフェニル)テトラヒドロチオフェニウム2−
(5−ヒドロキシビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−
イル)−1,1,2,2−テトラフルオロエタンスルホ
ネート、1−(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェ
ニル)テトラヒドロチオフェニウム2−(6−ヒドロキ
シビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−イル)−1,
1,2,2−テトラフルオロエタンスルホネート、1−
(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)テトラ
ヒドロチオフェニウム2−(テトラシクロ[ 6.2.
1.13,6 .02,7 ]ドデカン−4−イル)−1,1,
2,2−テトラフルオロエタンスルホネート、1−
(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)テトラ
ヒドロチオフェニウム2−(9−ヒドロキシテトラシク
ロ[ 6.2.1.13,6 .02,7 ]ドデカン−4−イ
ル)−1,1,2,2−テトラフルオロエタンスルホネ
ート、1−(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニ
ル)テトラヒドロチオフェニウム2−(10−ヒドロキ
シテトラシクロ[ 6.2.1.13,6 .02,7 ]ドデカ
ン−4−イル)−1,1,2,2−テトラフルオロエタ
ンスルホネート、
【0166】1−(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシ
フェニル)テトラヒドロチオフェニウムN,N−ビス
(トリフルオロメタンスルホニル)イミデート、1−
(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)テトラ
ヒドロチオフェニウムN,N−ビス(ペンタフルオロエ
タンスルホニル)イミデート、1−(3,5−ジメチル
−4−ヒドロキシフェニル)テトラヒドロチオフェニウ
ムN,N−ビス(ヘプタフルオロ−n−プロパンスルホ
ニル)イミデート、1−(3,5−ジメチル−4−ヒド
ロキシフェニル)テトラヒドロチオフェニウムN,N−
ビス(ノナフルオロ−n−ブタンスルホニル)イミデー
ト、1−(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニ
ル)テトラヒドロチオフェニウムベンゼンスルホネー
ト、1−(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニ
ル)テトラヒドロチオフェニウム4−トリフルオロメチ
ルベンゼンスルホネート、1−(3,5−ジメチル−4
−ヒドロキシフェニル)テトラヒドロチオフェニウム
2,4−ジフルオロベンゼンスルホネート、1−(3,
5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)テトラヒドロ
チオフェニウム2,3,4,5,6−ペンタフルオロベ
ンゼンスルホネート、1−(3,5−ジメチル−4−ヒ
ドロキシフェニル)テトラヒドロチオフェニウム10−
カンファースルホネート、
【0167】1−(3,5−ジメチル−4−ブトキシフ
ェニル)テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタ
ンスルホネート、1−(3,5−ジメチル−4−ブトキ
シフェニル)テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ
−n−ブタンスルホネート、1−(3,5−ジメチル−
4−ブトキシフェニル)テトラヒドロチオフェニウムパ
ーフルオロ−n−オクタンスルホネート、1−(3,5
−ジメチル−4−ブトキシフェニル)テトラヒドロチオ
フェニウム2−(ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2
−イル)−1,1,2,2−テトラフルオロエタンスル
ホネート、1−(3,5−ジメチル−4−ブトキシフェ
ニル)テトラヒドロチオフェニウム2−(5−ヒドロキ
シビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル)−1,
1,2,2−テトラフルオロエタンスルホネート、1−
(3,5−ジメチル−4−ブトキシフェニル)テトラヒ
ドロチオフェニウム2−(6−ヒドロキシビシクロ
[2.2.1]ヘプタン−2−イル)−1,1,2,2
−テトラフルオロエタンスルホネート、1−(3,5−
ジメチル−4−ブトキシフェニル)テトラヒドロチオフ
ェニウム2−(テトラシクロ[ 6.2.1.13,6 .0
2,7 ]ドデカン−4−イル)−1,1,2,2−テトラ
フルオロエタンスルホネート、1−(3,5−ジメチル
−4−ブトキシフェニル)テトラヒドロチオフェニウム
2−(9−ヒドロキシテトラシクロ[ 6.2.1.1
3,6 .02,7 ]ドデカン−4−イル)−1,1,2,2
−テトラフルオロエタンスルホネート、1−(3,5−
ジメチル−4−ブトキシフェニル)テトラヒドロチオフ
ェニウム2−(10−ヒドロキシテトラシクロ[ 6.
2.1.13,6 .02,7 ]ドデカン−4−イル)−1,
1,2,2−テトラフルオロエタンスルホネート、
【0168】1−(3,5−ジメチル−4−ブトキシフ
ェニル)テトラヒドロチオフェニウムN,N−ビス(ト
リフルオロメタンスルホニル)イミデート、1−(3,
5−ジメチル−4−ブトキシフェニル)テトラヒドロチ
オフェニウムN,N−ビス(ペンタフルオロエタンスル
ホニル)イミデート、1−(3,5−ジメチル−4−ブ
トキシフェニル)テトラヒドロチオフェニウムN,N−
ビス(ヘプタフルオロ−n−プロパンスルホニル)イミ
デート、1−(3,5−ジメチル−4−ブトキシフェニ
ル)テトラヒドロチオフェニウムN,N−ビス(ノナフ
ルオロ−n−ブタンスルホニル)イミデート、1−
(3,5−ジメチル−4−ブトキシフェニル)テトラヒ
ドロチオフェニウムベンゼンスルホネート、1−(3,
5−ジメチル−4−ブトキシフェニル)テトラヒドロチ
オフェニウム4−トリフルオロメチルベンゼンスルホネ
ート、1−(3,5−ジメチル−4−ブトキシフェニ
ル)テトラヒドロチオフェニウム2,4−ジフルオロベ
ンゼンスルホネート、1−(3,5−ジメチル−4−ブ
トキシフェニル)テトラヒドロチオフェニウム2,3,
4,5,6−ペンタフルオロベンゼンスルホネート、1
−(3,5−ジメチル−4−ブトキシフェニル)テトラ
ヒドロチオフェニウム10−カンファースルホネート、
【0169】N−(トリフルオロメタンスルホニルオキ
シ)スクシンイミド、N−(ノナフルオロ−n−ブタン
スルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(パーフルオ
ロ−n−オクタンスルホニルオキシ)スクシンイミド、
N−〔2−(ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イ
ル)−1,1,2,2−テトラフルオロエタンスルホニ
ルオキシ〕スクシンイミド、N−〔2−(5−ヒドロキ
シビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル)−1,
1,2,2−テトラフルオロエタンスルホニルオキシ〕
スクシンイミド、N−〔2−(6−ヒドロキシビシクロ
[2.2.1]ヘプタン−2−イル)−1,1,2,2
−テトラフルオロエタンスルホニルオキシ〕スクシンイ
ミド、N−〔2−(テトラシクロ[ 6.2.1.1
3,6 .02,7 ]ドデカン−4−イル)−1,1,2,2
−テトラフルオロエタンスルホニルオキシ〕スクシンイ
ミド、N−〔2−(9−ヒドロキシテトラシクロ[ 6.
2.1.13,6 .02,7 ]ドデカン−4−イル)−1,
1,2,2−テトラフルオロエタンスルホニルオキシ〕
スクシンイミド、N−〔2−(10−ヒドロキシテトラ
シクロ[ 6.2.1.13,6 .02,7 ]ドデカン−4−
イル)−1,1,2,2−テトラフルオロエタンスルホ
ニルオキシ〕スクシンイミド、N−(ベンゼンスルホニ
ルオキシ)スクシンイミド、N−(4−トリフルオロメ
チルベンゼンスルホニルオキシ)スクシンイミド、N−
(2,4−ジフルオロベンゼンスルホニルオキシ)スク
シンイミド、N−(2,3,4,5,6−ペンタフルオ
ロベンゼンスルホニルオキシ)スクシンイミド、N−
(10−カンファースルホニルオキシ)スクシンイミ
ド、
【0170】N−(トリフルオロメタンスルホニルオキ
シ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3
−ジカルボキシイミド、N−(ノナフルオロ−n−ブタ
ンスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−
5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(パーフ
ルオロ−n−オクタンスルホニルオキシ)ビシクロ
[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキ
シイミド、N−〔2−(ビシクロ[2.2.1]ヘプタ
ン−2−イル)−1,1,2,2−テトラフルオロエタ
ンスルホニルオキシ〕ビシクロ[2.2.1]ヘプト−
5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−〔2−
(5−ヒドロキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2
−イル)−1,1,2,2−テトラフルオロエタンスル
ホニルオキシ〕ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エ
ン−2,3−ジカルボキシイミド、N−〔2−(6−ヒ
ドロキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル)
−1,1,2,2−テトラフルオロエタンスルホニルオ
キシ〕ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,
3−ジカルボキシイミド、N−〔2−(テトラシクロ[
6.2.1.13,6 .02,7 ]ドデカン−4−イル)−
1,1,2,2−テトラフルオロエタンスルホニルオキ
シ〕ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3
−ジカルボキシイミド、N−〔2−(9−ヒドロキシテ
トラシクロ[ 6.2.1.13,6 .02,7 ]ドデカン−
4−イル)−1,1,2,2−テトラフルオロエタンス
ルホニルオキシ〕ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−
エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(ベンゼンス
ルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−
エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(4−トリフ
ルオロメチルベンゼンスルホニルオキシ)ビシクロ
[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキ
シイミド、N−(2,4−ジフルオロベンゼンスルホニ
ルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−
2,3−ジカルボキシイミド、N−(2,3,4,5,
6−ペンタフルオロベンゼンスルホニルオキシ)ビシク
ロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボ
キシイミド、N−(10−カンファースルホニルオキ
シ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3
−ジカルボキシイミド、
【0171】N−(トリフルオロメタンスルホニルオキ
シ)−7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−
エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(ノナフルオ
ロ−n−ブタンスルホニルオキシ)−7−オキサビシク
ロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボ
キシイミド、N−(パーフルオロ−n−オクタンスルホ
ニルオキシ)−7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプ
ト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−〔2
−(ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル)−
1,1,2,2−テトラフルオロエタンスルホニルオキ
シ〕−7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−
エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−〔2−(5−
ヒドロキシビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−イル)
−1,1,2,2−テトラフルオロエタンスルホニルオ
キシ〕−7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5
−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−〔2−(6
−ヒドロキシビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−イ
ル)−1,1,2,2−テトラフルオロエタンスルホニ
ルオキシ〕−7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト
−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−〔2−
(テトラシクロ[ 6.2.1.13,6 .02,7 ]ドデカ
ン−4−イル)−1,1,2,2−テトラフルオロエタ
ンスルホニルオキシ〕−7−オキサビシクロ[2.2.
1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、
N−〔2−(9−ヒドロキシテトラシクロ[6.2.
1.13,6 .02,7 ]ドデカン−4−イル)−1,1,
2,2−テトラフルオロエタンスルホニルオキシ〕−7
−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−
2,3−ジカルボキシイミド、N−〔2−(10−ヒド
ロキシテトラシクロ[ 6.2.1.13,6 .02,7 ]ド
デカン−4−イル)−1,1,2,2−テトラフルオロ
エタンスルホニルオキシ〕−7−オキサビシクロ[2.
2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミ
ド、N−(ベンゼンスルホニルオキシ)−7−オキサビ
シクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカ
ルボキシイミド、N−(4−トリフルオロメチルベンゼ
ンスルホニルオキシ)−7−オキサビシクロ[2.2.
1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、
N−(2,4−ジフルオロベンゼンスルホニルオキシ)
−7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン
−2,3−ジカルボキシイミド、N−(2,3,4,
5,6−ペンタフルオロベンゼンスルホニルオキシ)−
7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−
2,3−ジカルボキシイミド、N−(10−カンファー
スルホニルオキシ)−7−オキサビシクロ[2.2.
1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド等
を挙げることができる。
【0172】これらの酸発生剤(B)のうち、さらに好
ましくは、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタン
スルホネート、ジフェニルヨードニウムノナフルオロ−
n−ブタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムパー
フルオロ−n−オクタンスルホネート、ジフェニルヨー
ドニウム2−(ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−
イル)−1,1,2,2−テトラフルオロエタンスルホ
ネート、ジフェニルヨードニウム2−(テトラシクロ[
6.2.1.13,6 .02,7 ]ドデカン−4−イル)−
1,1,2,2−テトラフルオロエタンスルホネート、
ジフェニルヨードニウムN,N−ビス(ノナフルオロ−
n−ブタンスルホニル)イミデート、ジフェニルヨード
ニウム10−カンファースルホネート、ビス(4−t−
ブチルフェニル)ヨードニウムトリフルオロメタンスル
ホネート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウ
ムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、ビス(4−
t−ブチルフェニル)ヨードニウムパーフルオロ−n−
オクタンスルホネート、ビス(4−t−ブチルフェニ
ル)ヨードニウム2−(ビシクロ[2.2.1]ヘプタ
ン−2−イル)−1,1,2,2−テトラフルオロエタ
ンスルホネート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨー
ドニウム2−(テトラシクロ[ 6.2.1.13,6 .0
2,7 ]ドデカン−4−イル)−1,1,2,2−テトラ
フルオロエタンスルホネート、ビス(4−t−ブチルフ
ェニル)ヨードニウムN,N−ビス(ノナフルオロ−n
−ブタンスルホニル)イミデート、ビス(4−t−ブチ
ルフェニル)ヨードニウム10−カンファースルホネー
ト、
【0173】トリフェニルスルホニウムトリフルオロメ
タンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフル
オロ−n−ブタンスルホネート、トリフェニルスルホニ
ウムパーフルオロ−n−オクタンスルホネート、トリフ
ェニルスルホニウム2−(ビシクロ[2.2.1]ヘプ
タン−2−イル)−1,1,2,2−テトラフルオロエ
タンスルホネート、トリフェニルスルホニウム2−(テ
トラシクロ[ 6.2.1.13,6 .02,7 ]ドデカン−
4−イル)−1,1,2,2−テトラルオロエタンスル
ホネート、トリフェニルスルホニウムN,N−ビス(ノ
ナフルオロ−n−ブタンスルホニル)イミデート、トリ
フェニルスルホニウム10−カンファースルホネート、
1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テトラ
ヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネー
ト、1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テ
トラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−n−ブタンス
ルホネート、1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−
イル)テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−n−
オクタンスルホネート、1−(4−n−ブトキシナフタ
レン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウム2−(ビ
シクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル)−1,1,
2,2−テトラフルオロエタンスルホネート、1−(4
−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチ
オフェニウム2−(テトラシクロ[ 6.2.1.1
3,6 .02,7 ]ドデカン−4−イル)−1,1,2,2
−テトラフルオロエタンスルホネート、1−(4−n−
ブトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェ
ニウムN,N−ビス(ノナフルオロ−n−ブタンスルホ
ニル)イミデート、1−(4−n−ブトキシナフタレン
−1−イル)テトラヒドロチオフェニウム10−カンフ
ァースルホネート、
【0174】1−(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシ
フェニル)テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメ
タンスルホネート、1−(3,5−ジメチル−4−ヒド
ロキシフェニル)テトラヒドロチオフェニウムノナフル
オロ−n−ブタンスルホネート、1−(3,5−ジメチ
ル−4−ヒドロキシフェニル)テトラヒドロチオフェニ
ウムパーフルオロ−n−オクタンスルホネート、1−
(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)テトラ
ヒドロチオフェニウム2−(ビシクロ[2.2.1]ヘ
プタン−2−イル)−1,1,2,2−テトラフルオロ
エタンスルホネート、1−(3,5−ジメチル−4−ヒ
ドロキシフェニル)テトラヒドロチオフェニウム2−
(テトラシクロ[ 6.2.1.13,6 .02,7 ]ドデカ
ン−4−イル)−1,1,2,2−テトラフルオロエタ
ンスルホネート、1−(3,5−ジメチル−4−ヒドロ
キシフェニル)テトラヒドロチオフェニウムN,N−ビ
ス(ノナフルオロ−n−ブタンスルホニル)イミデー
ト、1−(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニ
ル)テトラヒドロチオフェニウム10−カンファースル
ホネート、N−(トリフルオロメタンスルホニルオキ
シ)スクシンイミド、N−(ノナフルオロ−n−ブタン
スルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(パーフルオ
ロ−n−オクタンスルホニルオキシ)スクシンイミド、
N−〔2−(ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イ
ル)−1,1,2,2−テトラフルオロエタンスルホニ
ルオキシ〕スクシンイミド、N−〔2−(テトラシクロ
[ 6.2.1.13,6 .02,7 ]ドデカン−4−イル)
−1,1,2,2−テトラフルオロエタンスルホニルオ
キシ〕スクシンイミド、N−(10−カンファースルホ
ニルオキシ)スクシンイミド、
【0175】N−(トリフルオロメタンスルホニルオキ
シ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3
−ジカルボキシイミド、N−(ノナフルオロ−n−ブタ
ンスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−
5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(パーフ
ルオロ−n−オクタンスルホニルオキシ)ビシクロ
[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキ
シイミド、N−〔2−(ビシクロ[2.2.1]ヘプタ
ン−2−イル)−1,1,2,2−テトラフルオロエタ
ンスルホニルオキシ〕ビシクロ[2.2.1]ヘプト−
5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−〔2−
(テトラシクロ[ 6.2.1.13,6 .02,7 ]ドデカ
ン−4−イル)−1,1,2,2−テトラフルオロエタ
ンスルホニルオキシ〕ビシクロ[2.2.1]ヘプト−
5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(10−
カンファースルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]
ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド等であ
る。
【0176】本発明において、酸発生剤(B)は、単独
でまたは2種以上を混合して使用することができる。酸
発生剤(B)の使用量は、レジストとしての感度および
現像性を確保する観点から、樹脂(A)100重量部に
対して、好ましくは0.1〜20重量部、さらに好まし
くは0.1〜7重量部である。この場合、酸発生剤
(B)の使用量が0.1重量部未満では、レジストとし
ての感度および現像性が低下する傾向があり、一方10
重量部を超えると、放射線に対する透明性が低下して、
矩形のレジストパターンを得られ難くなる傾向がある。
【0177】各種添加剤 本発明の感放射線性樹脂組成物には、露光により酸発生
剤(B)から生じる酸のレジスト被膜中における拡散現
象を制御し、非露光領域における好ましくない化学反応
を抑制する作用を有する酸拡散制御剤を配合することが
好ましい。このような酸拡散制御剤を配合することによ
り、得られる感放射線性樹脂組成物の貯蔵安定性がさら
に向上し、またレジストとしての解像度がさらに向上す
るとともに、露光から現像処理までの引き置き時間(P
ED)の変動によるレジストパターンの線幅変化を抑え
ることができ、プロセス安定性に極めて優れた組成物が
得られる。酸拡散制御剤としては、レジストパターンの
形成工程中の露光や加熱処理により塩基性が変化しない
含窒素有機化合物が好ましい。このような含窒素有機化
合物としては、例えば、下記一般式(C) で表される化
合物(以下、「酸拡散制御剤(C) 」という。)を挙げ
ることができる。
【0178】
【化29】 〔一般式(C)において、各R15は相互に独立に水素原
子、直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、アリー
ル基またはアラルキル基を示し、これらのアルキル基、
アリール基およびアラルキル基は水酸基等の官能基で置
換されていてもよく、Z2 は2価の有機基を示し、mは
0〜2の整数である。〕
【0179】酸拡散制御剤(C) において、m=0の化
合物を「含窒素化合物(α)」とし、m=1〜2の化合
物を「含窒素化合物(β)」とする。また、窒素原子を
3個以上有するポリアミノ化合物および重合体をまとめ
て「含窒素化合物(γ)」とする。さらに、酸拡散制御
剤(C) 以外の含窒素有機化合物としては、例えば、4
級アンモニウムヒドロキシド化合物、アミド基含有化合
物、ウレア化合物、含窒素複素環化合物等を挙げること
ができる。
【0180】含窒素化合物(α)としては、例えば、n
−ヘキシルアミン、n−ヘプチルアミン、n−オクチル
アミン、n−ノニルアミン、n−デシルアミン、シクロ
ヘキシルアミン等のモノ(シクロ)アルキルアミン類;
ジ−n−ブチルアミン、ジ−n−ペンチルアミン、ジ−
n−ヘキシルアミン、ジ−n−ヘプチルアミン、ジ−n
−オクチルアミン、ジ−n−ノニルアミン、ジ−n−デ
シルアミン、シクロヘキシルメチルアミン、ジシクロヘ
キシルアミン等のジ(シクロ)アルキルアミン類;トリ
エチルアミン、トリ−n−プロピルアミン、トリ−n−
ブチルアミン、トリ−n−ペンチルアミン、トリ−n−
ヘキシルアミン、トリ−n−ヘプチルアミン、トリ−n
−オクチルアミン、トリ−n−ノニルアミン、トリ−n
−デシルアミン、シクロヘキシルジメチルアミン、ジシ
クロヘキシルメチルアミン、トリシクロヘキシルアミン
等のトリ(シクロ)アルキルアミン類;アニリン、N−
メチルアニリン、N,N−ジメチルアニリン、2−メチ
ルアニリン、3−メチルアニリン、4−メチルアニリ
ン、4−ニトロアニリン、2,6−ジメチルアニリン、
2,6−ジイソプロピルアニリン、ジフェニルアミン、
トリフェニルアミン、ナフチルアミン等の芳香族アミン
類を挙げることができる。
【0181】含窒素化合物(β)としては、例えば、エ
チレンジアミン、N,N,N',N’−テトラメチルエチ
レンジアミン、N,N,N',N’−テトラキス(2−ヒ
ドロキシプロピル)エチレンジアミン、テトラメチレン
ジアミン、1,3−ビス〔1−(4−アミノフェニル)
−1−メチルエチル〕ベンゼンテトラメチレンジアミ
ン、ヘキサメチレンジアミン、4,4’−ジアミノジフ
ェニルメタン、4,4’−ジアミノジフェニルエーテ
ル、4,4’−ジアミノベンゾフェノン、4,4’−ジ
アミノジフェニルアミン、2,2−ビス(4−アミノフ
ェニル)プロパン、2−(3−アミノフェニル)−2−
(4−アミノフェニル)プロパン、2−(4−アミノフ
ェニル)−2−(3−ヒドロキシフェニル)プロパン、
2−(4−アミノフェニル)−2−(4−ヒドロキシフ
ェニル)プロパン、1,4−ビス〔1−(4−アミノフ
ェニル)−1−メチルエチル〕ベンゼン、1,3−ビス
〔1−(4−アミノフェニル)−1−メチルエチル〕ベ
ンゼン、ビス(2−ジメチルアミノエチル)エーテル、
ビス(2−ジエチルアミノエチル)エーテル等を挙げる
ことができる。含窒素化合物(γ)としては、例えば、
ポリエチレンイミン、ポリアリルアミン、2−ジメチル
アミノエチルアクリルアミドの重合体等を挙げることが
できる。前記4級アンモニウムヒドロキシド化合物とし
ては、例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシ
ド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−
n−プロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−n−
ブチルアンモニウムヒドロキシド等を挙げることができ
る。
【0182】前記アミド基含有化合物としては、例え
ば、N−t−ブトキシカルボニルジ−n−オクチルアミ
ン、N−t−ブトキシカルボニルジ−n−ノニルアミ
ン、N−t−ブトキシカルボニルジ−n−デシルアミ
ン、N−t−ブトキシカルボニルジシクロヘキシルアミ
ン、N−t−ブトキシカルボニル−1−アダマンチルア
ミン、N−t−ブトキシカルボニル−N−メチル−1−
アダマンチルアミン、N,N−ジ−t−ブトキシカルボ
ニル−1−アダマンチルアミン、N,N−ジ−t−ブト
キシカルボニル−N−メチル−1−アダマンチルアミ
ン、N−t−ブトキシカルボニル−4,4’−ジアミノ
ジフェニルメタン、N,N’−ジ−t−ブトキシカルボ
ニルヘキサメチレンジアミン、N,N,N',N’−テト
ラ−t−ブトキシカルボニルヘキサメチレンジアミン、
N,N’−ジ−t−ブトキシカルボニル−1,7−ジア
ミノヘプタン、N,N’−ジ−t−ブトキシカルボニル
−1,8−ジアミノオクタン、N,N’−ジ−t−ブト
キシカルボニル−1,9−ジアミノノナン、N,N’−
ジ−t−ブトキシカルボニル−1,10−ジアミノデカ
ン、N,N’−ジ−t−ブトキシカルボニル−1,12
−ジアミノドデカン、N,N’−ジ−t−ブトキシカル
ボニル−4,4’−ジアミノジフェニルメタン、N−t
−ブトキシカルボニルベンズイミダゾール、N−t−ブ
トキシカルボニル−2−メチルベンズイミダゾール、N
−t−ブトキシカルボニル−2−フェニルベンズイミダ
ゾール等のN−t−ブトキシカルボニル基含有アミノ化
合物のほか、ホルムアミド、N−メチルホルムアミド、
N,N−ジメチルホルムアミド、アセトアミド、N−メ
チルアセトアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、プ
ロピオンアミド、ベンズアミド、ピロリドン、N−メチ
ルピロリドン等を挙げることができる。
【0183】前記ウレア化合物としては、例えば、尿
素、メチルウレア、1,1−ジメチルウレア、1,3−
ジメチルウレア、1,1,3,3−テトラメチルウレ
ア、1,3−ジフェニルウレア、トリ−n−ブチルチオ
ウレア等を挙げることができる。前記含窒素複素環化合
物としては、例えば、イミダゾール、4−メチルイミダ
ゾール、1−ベンジル−2−メチルイミダゾール、4−
メチル−2−フェニルイミダゾール、ベンズイミダゾー
ル、2−フェニルベンズイミダゾール等のイミダゾール
類;ピリジン、2−メチルピリジン、4−メチルピリジ
ン、2−エチルピリジン、4−エチルピリジン、2−フ
ェニルピリジン、4−フェニルピリジン、2−メチル−
4−フェニルピリジン、ニコチン、ニコチン酸、ニコチ
ン酸アミド、キノリン、4−ヒドロキシキノリン、8−
オキシキノリン、アクリジン等のピリジン類;ピペラジ
ン、1−(2−ヒドロキシエチル)ピペラジン等のピペ
ラジン類のほか、ピラジン、ピラゾール、ピリダジン、
キノザリン、プリン、ピロリジン、ピペリジン、3−ピ
ペリジノ−1,2−プロパンジオール、モルホリン、4
−メチルモルホリン、1,4−ジメチルピペラジン、
1,4−ジアザビシクロ[2.2.2] オクタン等を挙
げることができる。
【0184】これらの酸拡散制御剤は、単独でまたは2
種以上を混合して使用することができる。酸拡散制御剤
の配合量は、樹脂(A)100重量部に対して、通常、
15重量部以下、好ましくは10重量部以下、さらに好
ましくは5重量部以下である。この場合、酸拡散制御剤
の配合量が15重量部を超えると、レジストとしての感
度や露光部の現像性が低下する傾向がある。なお、酸拡
散制御剤の配合量が0.001重量部未満であると、プ
ロセス条件によっては、レジストとしてのパターン形状
や寸法忠実度が低下するおそれがある。
【0185】また、本発明の感放射線性樹脂組成物に
は、ドライエッチング耐性、パターン形状、基板との接
着性等をさらに改善する作用を示す添加剤を配合するこ
とができ、該添加剤は酸解離性基を有することができ
る。このような添加剤としては、例えば、アダマンタン
−1−カルボン酸t−ブチル、アダマンタン−1−カル
ボン酸t−ブトキシカルボニルメチル、アダマンタン−
1−カルボン酸α−ブチロラクトンエステル、アダマン
タン−1,3−ジカルボン酸ジ−t−ブチル、アダマン
タン−1−酢酸t−ブチル、アダマンタン−1−酢酸t
−ブトキシカルボニルメチル、アダマンタン−1,3−
ジ酢酸ジ−t−ブチル、2,5−ジメチル−2,5−ジ
(アダマンタン−1−イルカルボニルオキシ)ヘキサン
等のアダマンタン誘導体類;デオキシコール酸t−ブチ
ル、デオキシコール酸t−ブトキシカルボニルメチル、
デオキシコール酸2−エトキシエチル、デオキシコール
酸2−シクロヘキシルオキシエチル、デオキシコール酸
3−オキソシクロヘキシル、デオキシコール酸テトラヒ
ドロピラニル、デオキシコール酸メバロノラクトンエス
テル等のデオキシコール酸エステル類;リトコール酸t
−ブチル、リトコール酸t−ブトキシカルボニルメチ
ル、リトコール酸2−エトキシエチル、リトコール酸2
−シクロヘキシルオキシエチル、リトコール酸3−オキ
ソシクロヘキシル、リトコール酸テトラヒドロピラニ
ル、リトコール酸メバロノラクトンエステル等のリトコ
ール酸エステル類:アジピン酸ジメチル、アジピン酸ジ
エチル、アジピン酸時プロピル、アジピン酸ジn−ブチ
ル、アジピン酸ジt−ブチル等のアルキルカルボン酸エ
ステル類;等を挙げることができる。
【0186】これらの添加剤は、単独でまたは2種以上
を混合して使用することができる。前記添加剤の配合量
は、樹脂(A)100重量部に対して、通常、50重量
部以下、好ましくは30重量部以下である。この場合、
該添加剤の配合量が50重量部を超えると、レジストと
しての耐熱性が低下する傾向がある。
【0187】また、本発明の感放射線性樹脂組成物に
は、塗布性、現像性等を改良する作用を示す界面活性剤
を配合することができる。前記界面活性剤としては、例
えば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキ
シエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオ
レイルエーテル、ポリオキシエチレンn−オクチルフェ
ニルエーテル、ポリオキシエチレンn−ノニルフェニル
エーテル、ポリエチレングリコールジラウレート、ポリ
エチレングリコールジステアレート等のノニオン系界面
活性剤のほか、以下商品名で、KP341(信越化学工
業(株)製)、ポリフローNo.75,同No.95
(共栄社化学(株)製)、エフトップEF301,同E
F303,同EF352(トーケムプロダクツ(株)
製)、メガファックスF171,同F173(大日本イ
ンキ化学工業(株)製)、フロラードFC430,同F
C431(住友スリーエム(株)製)、アサヒガードA
G710,サーフロンS−382,同SC−101,同
SC−102,同SC−103,同SC−104,同S
C−105,同SC−106(旭硝子(株)製)等を挙
げることができる。
【0188】これらの界面活性剤は、単独でまたは2種
以上を混合して使用することができる。前記界面活性剤
の配合量は、樹脂(A)と酸発生剤(B)との合計10
0重量部に対して、通常、2重量部以下である。
【0189】また、本発明の感放射線性樹脂組成物に
は、感度等を改良する作用を示す増感剤を配合すること
ができる。好ましい増感剤としては、例えば、カルバゾ
ール類、ベンゾフェノン類、ローズベンガル類、アント
ラセン類、フェノール類等を挙げることができる。これ
らの増感剤は、単独でまたは2種以上を混合して使用す
ることができる。増感剤の配合量は、樹脂(A)100
重量部当り、好ましくは50重量部以下である。さら
に、前記以外の添加剤としては、ハレーション防止剤、
接着助剤、保存安定化剤、消泡剤等を挙げることができ
る。
【0190】組成物溶液の調製 本発明の感放射線性樹脂組成物は、普通、その使用に際
して、全固形分濃度が、通常、3〜50重量%、好まし
くは5〜25重量%となるように、溶剤に溶解したの
ち、例えば孔径0.2μm程度のフィルターでろ過する
ことによって、組成物溶液として調製される。前記組成
物溶液の調製に使用される溶剤としては、例えば、2−
ブタノン、2−ペンタノン、3−メチル−2−ブタノ
ン、2−ヘキサノン、4−メチル−2−ペンタノン、3
−メチル−2−ペンタノン、3,3−ジメチル−2−ブ
タノン、2−ヘプタノン、2−オクタノン等の直鎖状も
しくは分岐状のケトン類;シクロペンタノン、3−メチ
ルシクロペンタノン、シクロヘキサノン、2−メチルシ
クロヘキサノン、2,6−ジメチルシクロヘキサノン、
イソホロン等の環状のケトン類;プロピレングリコール
モノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコール
モノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコール
モノ−n−プロピルエーテルアセテート、プロピレング
リコールモノ−i−プロピルエーテルアセテート、プロ
ピレングリコールモノ−n−ブチルエーテルアセテー
ト、プロピレングリコールモノ−i−ブチルエーテルア
セテート、プロピレングリコールモノ−sec−ブチル
エーテルアセテート、プロピレングリコールモノ−t−
ブチルエーテルアセテート等のプロピレングリコールモ
ノアルキルエーテルアセテート類;2−ヒドロキシプロ
ピオン酸メチル、2−ヒドロキシプロピオン酸エチル、
2−ヒドロキシプロピオン酸n−プロピル、2−ヒドロ
キシプロピオン酸i−プロピル、2−ヒドロキシプロピ
オン酸n−ブチル、2−ヒドロキシプロピオン酸i−ブ
チル、2−ヒドロキシプロピオン酸sec−ブチル、2
−ヒドロキシプロピオン酸t−ブチル等の2−ヒドロキ
シプロピオン酸アルキル類;3−メトキシプロピオン酸
メチル、3−メトキシプロピオン酸エチル、3−エトキ
シプロピオン酸メチル、3−エトキシプロピオン酸エチ
ル等の3−アルコキシプロピオン酸アルキル類のほか、
【0191】n−プロピルアルコール、i−プロピルア
ルコール、n−ブチルアルコール、t−ブチルアルコー
ル、シクロヘキサノール、エチレングリコールモノメチ
ルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、
エチレングリコールモノ−n−プロピルエーテル、エチ
レングリコールモノ−n−ブチルエーテル、ジエチレン
グリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジ
エチルエーテル、ジエチレングリコールジ−n−プロピ
ルエーテル、ジエチレングリコールジ−n−ブチルエー
テル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテー
ト、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテー
ト、エチレングリコールモノ−n−プロピルエーテルア
セテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、
プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレン
グリコールモノ−n−プロピルエーテル、トルエン、キ
シレン、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸エチ
ル、エトキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸エチル、2−
ヒドロキシ−3−メチル酪酸メチル、3−メトキシブチ
ルアセテート、3−メチル−3−メトキシブチルアセテ
ート、3−メチル−3−メトキシブチルプロピオネー
ト、3−メチル−3−メトキシブチルブチレート、酢酸
エチル、酢酸n−プロピル、酢酸n−ブチル、アセト酢
酸メチル、アセト酢酸エチル、ピルビン酸メチル、ピル
ビン酸エチル、N−メチルピロリドン、N,N−ジメチ
ルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、ベン
ジルエチルエーテル、ジ−n−ヘキシルエーテル、ジエ
チレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリ
コールモノエチルエーテル、カプロン酸、カプリル酸、
1−オクタノール、1−ノナノール、ベンジルアルコー
ル、酢酸ベンジル、安息香酸エチル、しゅう酸ジエチ
ル、マレイン酸ジエチル、γ−ブチロラクトン、炭酸エ
チレン、炭酸プロピレン等を挙げることができる。
【0192】これらの溶剤は、単独でまたは2種以上を
混合して使用することができるが、中でも、直鎖状もし
くは分岐状のケトン類、環状のケトン類、プロピレング
リコールモノアルキルエーテルアセテート類、2−ヒド
ロキシプロピオン酸アルキル類、3−アルコキシプロピ
オン酸アルキル類、γ−ブチロラクトン等が好ましい。
【0193】レジストパターンの形成方法 本発明の感放射線性樹脂組成物は、特に化学増幅型レジ
ストとして有用である。前記化学増幅型レジストにおい
ては、露光により酸発生剤(B)から発生した酸の作用
によって、樹脂(A)中の酸解離性基が解離して、カル
ボキシル基を生じ、その結果、レジストの露光部のアル
カリ現像液に対する溶解性が高くなり、該露光部がアル
カリ現像液によって溶解、除去されることにより、ポジ
型のレジストパターンが得られる。本発明の感放射線性
樹脂組成物からレジストパターンを形成する際には、組
成物溶液を、回転塗布、流延塗布、ロール塗布、スプレ
ー塗布等の適宜の塗布手段によって、例えば、シリコン
ウエハー、アルミニウムで被覆されたウエハー等の基板
上に塗布することにより、レジスト被膜を形成し、場合
により予め加熱処理(以下、「PB」という。)を行っ
たのち、所定のレジストパターンを形成するように該レ
ジスト被膜に露光する。その際に使用される放射線とし
ては、例えば、紫外線、KrFエキシマレーザー(波長
248nm)、ArFエキシマレーザー(波長193n
m)、F2 キシマレーザー(波長157nm)、EUV
(極紫外線、波長13nm等)等の遠紫外線、電子線等
の荷電粒子線、シンクロトロン放射線等のX線等を適宜
選択して使用することができるが、これらのうち遠紫外
線、電子線が好ましい。また、露光量等の露光条件は、
感放射線性樹脂組成物の配合組成、各添加剤の種類等に
応じて、適宜選定される。本発明においては、高精度の
微細パターンを安定して形成するために、露光後に加熱
処理(以下、「PEB」という。)を行うことが好まし
い。このPEBにより、樹脂(A)中の酸解離性基の解
離反応が円滑に進行する。PEBの加熱条件は、感放射
線性樹脂組成物の配合組成によって変わるが、通常、3
0〜200℃、好ましくは50〜170℃である。
【0194】本発明においては、感放射線性樹脂組成物
の潜在能力を最大限に引き出すため、例えば特公平6−
12452号公報等に開示されているように、使用され
る基板上に有機系あるいは無機系の反射防止膜を形成し
ておくこともでき、また環境雰囲気中に含まれる塩基性
不純物等の影響を防止するため、例えば特開平5−18
8598号公報等に開示されているように、レジスト被
膜上に保護膜を設けることもでき、あるいはこれらの技
術を併用することもできる。次いで、露光されたレジス
ト被膜を現像することにより、所定のレジストパターン
を形成する。現像に使用される現像液としては、例え
ば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウ
ム、けい酸ナトリウム、メタけい酸ナトリウム、アンモ
ニア水、エチルアミン、n−プロピルアミン、ジエチル
アミン、ジ−n−プロピルアミン、トリエチルアミン、
メチルジエチルアミン、エチルジメチルアミン、トリエ
タノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシ
ド、ピロール、ピペリジン、コリン、1,8−ジアザビ
シクロ−[5.4.0]−7−ウンデセン、1,5−ジ
アザビシクロ−[4.3.0]−5−ノネン等のアルカ
リ性化合物の少なくとも1種を溶解したアルカリ性水溶
液が好ましい。前記アルカリ性水溶液の濃度は、通常、
10重量%以下である。この場合、アルカリ性水溶液の
濃度が10重量%を超えると、非露光部も現像液に溶解
するおそれがあり好ましくない。
【0195】また、前記アルカリ性水溶液からなる現像
液には、有機溶媒を添加することもできる。前記有機溶
媒としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、
メチルi−ブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘ
キサノン、3−メチルシクロペンタノン、2,6−ジメ
チルシクロヘキサノン等の直鎖状、分岐状もしくは環状
のケトン類;メチルアルコール、エチルアルコール、n
−プロピルアルコール、i−プロピルアルコール、n−
ブチルアルコール、t−ブチルアルコール、シクロペン
タノール、シクロヘキサノール、1,4−ヘキサンジオ
ール、1,4−ヘキサンジメチロール等のアルコール
類;テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類;
酢酸エチル、酢酸n−ブチル、酢酸i−アミル等のエス
テル類;トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類や、
フェノール、アセトニルアセトン、ジメチルホルムアミ
ド等を挙げることができる。これらの有機溶媒は、単独
でまたは2種以上を混合して使用することができる。有
機溶媒の使用量は、アルカリ性水溶液に対して、100
容量%以下が好ましい。この場合、有機溶媒の使用量が
100容量%を超えると、現像性が低下して、露光部の
現像残りが多くなるおそれがある。また、アルカリ性水
溶液からなる現像液には、界面活性剤等を適量添加する
こともできる。なお、アルカリ性水溶液からなる現像液
で現像したのちは、一般に、水で洗浄して乾燥する。
【0196】
【発明の実施の形態】以下、実施例を挙げて、本発明の
実施の形態をさらに具体的に説明する。但し、本発明
は、これらの実施例に何ら制約されるものではない。こ
こで、部は、特記しない限り重量基準である。実施例お
よび比較例における各測定・評価は、下記の要領で行っ
た。 Mw:東ソー(株)製GPCカラム(G2000HXL 2
本、G3000HXL 1本、G4000HXL 1本)を用
い、流量1.0ミリリットル/分、溶出溶媒テトラヒド
ロフラン、カラム温度40℃の分析条件で、単分散ポリ
スチレンを標準とするゲルパーミエーションクロマトグ
ラフィー(GPC)により測定した。 放射線透過率:組成物溶液を石英ガラス上にスピンコー
トにより塗布し、130℃に保持したホットプレート上
で60秒間PBを行って形成した膜厚0.34μmのレ
ジスト被膜について、波長193nmにおける吸光度か
ら、放射線透過率を算出して、遠紫外線領域における透
明性の尺度とした。
【0197】感度:ウエハー表面に膜厚820ÅのAR
C25(ブルワー・サイエンス(Brewer Science)社
製)膜を形成したシリコンウエハー(ARC25)を用
い、各組成物溶液を、基板上にスピンコートにより塗布
し、ホットプレート上にて、表2に示す条件でPBを行
って形成した膜厚0.34μmのレジスト被膜に、ニコ
ン製ArFエキシマレーザー露光装置(開口数0.5
5)を用い、マスクパターンを介してArFエキシマレ
ーザーを露光した。その後、表2に示す条件でPEBを
行ったのち、2.38重量%のテトラメチルアンモニウ
ムヒドロキシド水溶液により、25℃で60秒間現像
し、水洗し、乾燥して、ポジ型のレジストパターンを形
成した。このとき、線幅0.16μmのライン・アンド
・スペースパターン(1L1S)を1対1の線幅に形成
する露光量を最適露光量とし、この最適露光量を感度と
した。 解像度:最適露光量で解像される最小のレジストパター
ンの寸法を、解像度とした。
【0198】ドライエッチング耐性:組成物溶液をシリ
コンウエハー上にスピンコートにより塗布し、乾燥して
形成した膜厚0.5μmのレジスト被膜に対して、PM
T社製ドライエッチング装置(Pinnacle8000)を用い、
エッチングガスをCF4 とし、ガス流量75sccm、
圧力2.5mTorr、出力2,500Wの条件でドラ
イエッチングを行って、エッチング速度を測定し、比較
例1で使用した樹脂から形成した被膜のエッチング速度
に対する相対値により、相対エッチング速度を評価し
た。エッチング速度が小さいほど、ドライエッチング耐
性に優れることを意味する。 パターン形状:線幅0.16μmのライン・アンド・ス
ペースパターン(1L1S)の方形状断面の下辺寸法L
b と上辺寸法La とを走査型電子顕微鏡により測定し、
0.85≦La /Lb ≦1を満足し、かつパターン形状
が裾を引いていない場合を“良好”とし、0.85>L
a /Lb の場合を“テーパー状”とした。 PEB温度安定性:線幅0.16μmのライン・アンド
・スペースパターン(1L1S)を解像する最適露光量
に対して、PEB温度を意図的に5℃づつ増減させる
と、線幅が変動するとともに解像度も劣化する。そのと
きに得られる線幅の単位温度当たりの変動値(単位:n
m/℃)を算出してPEB温度安定性とした。一般に、
その値が小さいほど実際のデバイス製造に際して好適に
働く。そして、その値が5nm/℃未満の場合を“良
好”とし、5nm/℃以上の場合を“不良”とした。
【0199】合成例1 ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン−5−カルボ
ン酸1−メチルシクロペンチル10gを乾燥テトラヒド
ロフラン40ミリリットルに溶解して、0℃に冷却した
のち、雰囲気を窒素置換した。その後、BH3 −テトラ
ヒドロフラン錯体の1Mテトラヒドロフラン溶液25ミ
リリットルを滴下し、0℃で1時間攪拌したのち、室温
でさらに1時間攪拌した。その後、反応溶液を0℃に冷
却し、水2.0ミリリットルを滴下したのち、反応溶液
の温度を20℃以下に保持しつつ、3モル水酸化ナトリ
ウム水溶液4.4ミリリットルおよび30%過酸化水素
水3.0ミリリットルを滴下した。その後、室温で1.
5時間攪拌したのち、水層を塩化ナトリウムで飽和させ
て、有機層をジエチルエーテル400ミリリットルで希
釈した。その後、エーテル層を飽和塩化ナトリウム水溶
液および水の順で洗浄して、硫酸マグネシウム上で乾燥
したのち、ジエチルエーテルを留去して、2−ヒドロキ
シビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン−5−カル
ボン酸1−メチルシクロペンチルないし3−ヒドロキシ
ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン−5−カルボ
ン酸1−メチルシクロペンチル9.2gを得た。
【0200】次いで、この2−ヒドロキシビシクロ
[2.2.1]ヘプト−2−エン−5−カルボン酸1−
メチルシクロペンチルないし3−ヒドロキシビシクロ
[2.2.1]ヘプト−2−エン−5−カルボン酸1−
メチルシクロペンチル9.2g、ピリジン3.81gを
乾燥テトラヒドロフラン40gに溶解して、0℃に冷却
したのち、アクリロイルクロライド4.36gを乾燥テ
トラヒドロフラン5ミリリットルに溶解した溶液を滴下
して、1時間攪拌し、さらに室温で一晩反応させた。そ
の後、析出したピリジン塩酸塩をろ別し、ろ液をジエチ
ルエーテル100ミリリットルで希釈して、0.5Nし
ゅう酸水溶液、飽和塩化ナトリウム水溶液、3重量%炭
酸ナトリウム水溶液および飽和塩化ナトリウム水溶液の
順で洗浄した。その後、エーテル層を硫酸マグネシウム
上で乾燥して、ジエチルエーテルを減圧下で留去したの
ち、反応溶液を薄膜蒸留装置で蒸留して、化合物7.9
gを粘性液体として得た。この化合物は、 1H−NMR
分析および13C−NMR分析により、2−アクリロイル
オキシビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン−5−
カルボン酸1−メチルシクロペンチルないし3−アクリ
ロイルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン
−5−カルボン酸1−メチルシクロペンチルであること
が確認された。この化合物の 1H−NMRスペクトルを
図1に、13C−NMRスペクトルを図2に示す。この化
合物を単量体(i-1-a)とする。
【0201】合成例2 単量体(i-1-a)53.01g(45モル%)、下記式
(iii-1)で表される化合物(以下、「単量体(iii-1)」
という。)46.99g(55モル%)を2−ブタノン
200gに溶解し、さらにアゾビスイソ吉草酸メチル
3.54gを添加したモノマー溶液を準備した。別に、
2−ブタノン100gを入れた1,000ミリリットル
の三口フラスコを30分間窒素パージしたのち、攪拌し
ながら80℃に加熱して、前記モノマー溶液を滴下漏斗
を用い、10ミリリットル/5分の速度で滴下した。滴
下開始時を重合開始時点とし、重合を5時間実施した。
重合終了後、反応溶液を水冷して30℃以下に冷却した
のち、メタノール2,000g中へ投入し、析出した白
色粉末をろ別した。その後、ろ別した白色粉末をメタノ
ール400gと混合する洗浄操作を2回行ったのち、ろ
別し、50℃にて17時間乾燥して、白色粉末状の樹脂
73g(収率73重量%)を得た。この樹脂は、Mwが
8,900であり、単量体(i-1-a)および単量体(ii
i-1)に由来する各繰り返し単位の含有率が42.3/5
7.7(モル%)の共重合体であった。この樹脂を樹脂
(A-1) とする。
【0202】
【化30】
【0203】合成例3 単量体(i-1-a)57.20g(50モル%)、単量体
(iii-1)20.74g(25モル%)、下記式(iii-2)
で表される化合物(以下、「単量体(iii-2)」とい
う。)22.06g(25モル%)を2−ブタノン20
0gに溶解し、さらにアゾビスイソ吉草酸メチル3.4
4gを添加したモノマー溶液を準備した。別に、2−ブ
タノン100gを入れた1,000ミリリットルの三口
フラスコを30分間窒素パージしたのち、攪拌しながら
80℃に加熱して、前記モノマー溶液を滴下漏斗を用
い、10ミリリットル/5分の速度で滴下した。滴下開
始時を重合開始時点とし、重合を5時間実施した。重合
終了後、反応溶液を水冷して30℃以下に冷却したの
ち、メタノール2,000g中へ投入し、析出した白色
粉末をろ別した。その後、ろ別した白色粉末をメタノー
ル400gと混合する洗浄操作を2回行ったのち、ろ別
し、50℃にて17時間乾燥して、白色粉末状の樹脂7
1g(収率71重量%)を得た。この樹脂は、Mwが
9,300であり、単量体(i-1-a)、単量体(iii-1)
および単量体(iii-2)に由来する各繰り返し単位の含有
率が44.2/30.1/25.7(モル%)の共重合
体であった。この樹脂を樹脂(A-2) とする。
【0204】
【化31】
【0205】合成例4 ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン6.83g
(15モル%)、無水マレイン酸7.12g(15モル
%)、単量体(i-1-a)56.60g(40モル%)、
下記式(iii-3)で表される化合物(以下、「単量体(ii
i-3)」という。)29.45g(30モル%)を2−ブ
タノン200gに溶解し、さらにアゾビスイソ吉草酸メ
チル8.91gを添加したモノマー溶液を準備した。別
に、2−ブタノン100gを入れた1,000ミリリッ
トルの三口フラスコを30分間窒素パージしたのち、攪
拌しながら80℃に加熱して、前記モノマー溶液を滴下
漏斗を用い、10ミリリットル/5分の速度で滴下し
た。滴下開始時を重合開始時点とし、重合を5時間実施
した。重合終了後、反応溶液を水冷して30℃以下に冷
却したのち、メタノール2,000g中へ投入し、析出
した白色粉末をろ別した。その後、ろ別した白色粉末を
メタノール400gと混合する洗浄操作を2回行ったの
ち、ろ別し、50℃にて17時間乾燥して、白色粉末状
の樹脂77g(収率77重量%)を得た。この樹脂は、
Mwが6,200であり、ビシクロ[2.2.1]ヘプ
ト−2−エン、無水マレイン酸、単量体(i-1-a)およ
び単量体(iii-3)に由来する各繰り返し単位の含有率が
15.2/15.8/39.3/29.7(モル%)の
共重合体であった。この樹脂を樹脂(A-3) とする。
【0206】
【化32】
【0207】合成例5 メタクリル酸2−メチルアダマンタン−2−イル50.
55g(50モル%)、単量体(iii-2)25.49g
(25モル%)、単量体(iii-1)23.97g(25モ
ル%)を2−ブタノン200gに溶解し、さらにアゾビ
スイソ吉草酸メチル3.97gを添加したモノマー溶液
を準備した。別に、2−ブタノン100gを入れた1,
000ミリリットルの三口フラスコを30分間窒素パー
ジしたのち、攪拌しながら80℃に加熱して、前記モノ
マー溶液を滴下漏斗を用い、10ミリリットル/5分の
速度で滴下した。滴下開始時を重合開始時点とし、重合
を5時間実施した。重合終了後、反応溶液を水冷して3
0℃以下に冷却したのち、メタノール2,000g中へ
投入し、析出した白色粉末をろ別した。その後、ろ別し
た白色粉末をメタノール400gと混合する洗浄操作を
2回行ったのち、ろ別し、50℃にて17時間乾燥し
て、白色粉末状の樹脂74g(収率74重量%)を得
た。この樹脂は、Mwが9,800であり、メタクリル
酸2−メチルアダマンタン−2−イル、単量体(iii-2)
および単量体(iii-1)に由来する各繰り返し単位の含有
率が45.2/25.6/29.2(モル%)の共重合
体であった。この樹脂を樹脂(a-1) とする。
【0208】実施例1〜3および比較例1 表1に示す成分からなる各組成物溶液について、各種評
価を行った。評価結果を表3に示す。表1において、樹
脂(A-1) 〜(A-3) および樹脂(a-1) 以外の成分は
以下のとおりである。 酸発生剤(B) B-1:1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)
テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−n−ブタン
スルホネート 酸拡散制御剤(C) C-1:2−フェニルベンズイミダゾール 溶剤(E) E-1:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテ
ート
【0209】
【表1】
【0210】
【表2】
【0211】
【表3】
【0212】
【発明の効果】本発明の感放射線性樹脂組成物は、活性
光線、例えばKrFエキシマレーザー(波長248n
m)あるいはArFエキシマレーザー(波長193n
m)に代表される遠紫外線に感応する化学増幅型レジス
トとして、放射線に対する透明性が高く、高解像度であ
り、かつ感度、裾形状を含むパターン形状、ドライエッ
チング耐性にも優れ、ドライエッチング後のパターンの
ガタツキが少ないとともに、特にPEB温度の変動に対
する線幅の変化量が極めて小さく、また基板に対する接
着性等も良好であり、今後ますます微細化が進行すると
予想される集積回路素子の製造に極めて好適に使用する
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】合成例1で得た単量体(i-1-a)の 1H−NM
Rスペクトルを示す図である。
【図2】合成例1で得た単量体(i-1-a)の13C−NM
Rスペクトルを示す図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 西村 功 東京都中央区築地二丁目11番24号 ジェイ エスアール株式会社内 (72)発明者 小林 英一 東京都中央区築地二丁目11番24号 ジェイ エスアール株式会社内 Fターム(参考) 2H025 AA01 AA02 AA03 AA09 AA11 AB16 AC04 AC08 AD03 BE00 BE10 BG00 CB14 CB41 4J100 AL08P BA15P BC03P BC04P BC08P BC12P CA01 CA04 CA05 JA37 JA38

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 (A)下記一般式(I)で表される繰り
    返し単位を有するアルカリ不溶性またはアルカリ難溶性
    の樹脂であって、酸の作用によりアルカリ可溶性となる
    樹脂、および(B)感放射線性酸発生剤を含有すること
    を特徴とする感放射線性樹脂組成物。 【化1】 〔一般式(I)において、R1 は水素原子、メチル基、
    炭素数1〜4の直鎖状もしくは分岐状のヒドロキシアル
    キル基または炭素数1〜4の直鎖状もしくは分岐状のフ
    ッ素化アルキル基を示し、各R2 は相互に独立に炭素数
    4〜20の1価の脂環式炭化水素基もしくはその誘導体
    または炭素数1〜4の直鎖状もしくは分岐状のアルキル
    基を示し、かつR2 の少なくとも1つが該脂環式炭化水
    素基もしくはその誘導体であるか、あるいは何れか2つ
    のR2 が相互に結合して、それぞれが結合している炭素
    原子と共に、炭素数4〜20の2価の脂環式炭化水素基
    もしくはその誘導体を形成し、残りのR2 が炭素数1〜
    4の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基または炭素数4
    〜20の1価の脂環式炭化水素基もしくはその誘導体を
    示し、Uは炭素数5〜12の2価の有橋式炭化水素基を
    示す。〕
  2. 【請求項2】 (A)成分の樹脂における一般式(I)
    で表される繰り返し単位が、その−C(R2)3 に相当す
    る構造が1−アルキル置換シクロアルキル基または1−
    アルキル置換有橋式炭化水素基である繰り返し単位から
    なる、請求項1に記載の感放射線性樹脂組成物。
  3. 【請求項3】 (A)成分の樹脂における一般式(I)
    で表される繰り返し単位が下記式(I-1)で表される繰
    り返し単位からなる、請求項1に記載の感放射線性樹脂
    組成物。 【化2】 〔式(I-1)において、Rは水素原子またはメチル基を
    示し、R’はメチル基またはエチル基を示し、aは1ま
    たは2であり、bは0または1である。〕
JP2002133816A 2002-05-09 2002-05-09 感放射線性樹脂組成物 Expired - Lifetime JP4048824B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002133816A JP4048824B2 (ja) 2002-05-09 2002-05-09 感放射線性樹脂組成物
US10/428,139 US20030219680A1 (en) 2002-05-09 2003-05-02 Radiation-sensitive resin composition

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002133816A JP4048824B2 (ja) 2002-05-09 2002-05-09 感放射線性樹脂組成物

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003330192A true JP2003330192A (ja) 2003-11-19
JP4048824B2 JP4048824B2 (ja) 2008-02-20

Family

ID=29544820

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002133816A Expired - Lifetime JP4048824B2 (ja) 2002-05-09 2002-05-09 感放射線性樹脂組成物

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20030219680A1 (ja)
JP (1) JP4048824B2 (ja)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005331918A (ja) * 2004-04-23 2005-12-02 Sumitomo Chemical Co Ltd 化学増幅型ポジ型レジスト組成物及び(メタ)アクリル酸誘導体とその製法
WO2006038635A1 (ja) * 2004-10-07 2006-04-13 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP2006104378A (ja) * 2004-10-07 2006-04-20 Mitsubishi Rayon Co Ltd レジスト用単量体およびレジスト用重合体
JP2008107793A (ja) * 2006-09-26 2008-05-08 Fujifilm Corp ポジ型感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法
US7700261B2 (en) 2007-09-26 2010-04-20 Fujifilm Corporation Positive photosensitive composition and a pattern-forming method using the same
JP2011026608A (ja) * 2004-04-23 2011-02-10 Sumitomo Chemical Co Ltd 化学増幅型ポジ型レジスト組成物及び(メタ)アクリル酸誘導体とその製法
US8088875B2 (en) 2004-05-20 2012-01-03 Mitsubishi Rayon Co., Ltd. (Meth)acrylate, polymer and resist composition
CN101299131B (zh) * 2007-05-02 2012-07-04 信越化学工业株式会社 化学增强型抗蚀剂组合物的制备方法
US8507172B2 (en) 2007-01-31 2013-08-13 Fujifilm Corporation Positive resist composition and pattern forming method using the positive resist composition
CN107850837A (zh) * 2015-07-10 2018-03-27 株式会社武藏野化学研究所 有机酸酯类液体的制造方法,及电子零件制作用阻剂溶剂或电子零件制作用清洗液的制造方法

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4838437B2 (ja) * 2000-06-16 2011-12-14 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物
TWI314943B (en) * 2002-08-29 2009-09-21 Radiation-sensitive resin composition
JP3937996B2 (ja) * 2002-10-08 2007-06-27 Jsr株式会社 感放射性樹脂組成物
US7005230B2 (en) * 2003-01-16 2006-02-28 Jsr Corporation Radiation-sensitive resin composition
JP4140506B2 (ja) * 2003-10-28 2008-08-27 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物
US7189491B2 (en) * 2003-12-11 2007-03-13 Az Electronic Materials Usa Corp. Photoresist composition for deep UV and process thereof
US7232642B2 (en) * 2004-05-11 2007-06-19 Sumitomo Chemical Company, Limited Chemically amplified positive resist composition, a haloester derivative and a process for producing the same
JP4511383B2 (ja) * 2005-02-23 2010-07-28 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
US7635554B2 (en) * 2007-03-28 2009-12-22 Fujifilm Corporation Positive resist composition and pattern forming method
JP2008268920A (ja) * 2007-03-28 2008-11-06 Fujifilm Corp ポジ型レジスト組成物およびパターン形成方法
CN101735390A (zh) * 2008-11-14 2010-06-16 住友化学株式会社 聚合物及包含该聚合物的抗蚀剂组合物

Citations (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10171122A (ja) * 1996-12-16 1998-06-26 Nec Corp 化学増幅型フォトレジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法
JPH10232490A (ja) * 1996-12-19 1998-09-02 Jsr Corp 感放射線性樹脂組成物
JPH11218924A (ja) * 1998-01-30 1999-08-10 Jsr Corp 感放射線性樹脂組成物
JPH11292822A (ja) * 1998-04-06 1999-10-26 Nec Corp 1,2−ジオール構造を有する脂環式(メタ)アクリレート誘導体、およびその重合体
JP2000026446A (ja) * 1998-07-03 2000-01-25 Nec Corp ラクトン構造を有する(メタ)アクリレート誘導体、重合体、フォトレジスト組成物、及びパターン形成方法
JP2000056460A (ja) * 1998-08-12 2000-02-25 Jsr Corp 感放射線性樹脂組成物
JP2000066383A (ja) * 1998-08-14 2000-03-03 Jsr Corp 感放射線性樹脂組成物
JP2000122295A (ja) * 1998-05-25 2000-04-28 Daicel Chem Ind Ltd フォトレジスト用化合物およびフォトレジスト用樹脂組成物
JP2000159758A (ja) * 1998-09-25 2000-06-13 Shin Etsu Chem Co Ltd 新規なラクトン含有化合物、高分子化合物、レジスト材料及びパタ―ン形成方法
JP2000298347A (ja) * 1998-08-28 2000-10-24 Shipley Co Llc 新規なポリマー及びそれらを含有してなるフォトレジスト組成物
JP2000321772A (ja) * 1999-05-10 2000-11-24 Nec Corp 化学増幅ポジ型レジスト、およびそれを用いたパターン形成方法
JP2001188347A (ja) * 1999-10-18 2001-07-10 Jsr Corp 感放射線性樹脂組成物
JP2001272785A (ja) * 2000-01-17 2001-10-05 Shin Etsu Chem Co Ltd 化学増幅型レジスト材料
JP2002040636A (ja) * 2000-07-25 2002-02-06 Nec Corp 光酸発生剤及びそれを含有するフォトレジスト組成物、並びに該組成物を用いたパターン形成方法
JP2002062652A (ja) * 2000-08-14 2002-02-28 Shin Etsu Chem Co Ltd レジスト材料及びパターン形成方法
JP2002091003A (ja) * 2000-09-19 2002-03-27 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 薄膜形成用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いた感光材料
JP2002107934A (ja) * 2000-09-27 2002-04-10 Shin Etsu Chem Co Ltd レジスト材料
JP2002122992A (ja) * 2000-10-13 2002-04-26 Shin Etsu Chem Co Ltd レジスト材料及びパターン形成方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62123444A (ja) * 1985-08-07 1987-06-04 Japan Synthetic Rubber Co Ltd ポジ型感放射線性樹脂組成物
US5238774A (en) * 1985-08-07 1993-08-24 Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. Radiation-sensitive composition containing 1,2-quinonediazide compound, alkali-soluble resin and monooxymonocarboxylic acid ester solvent
US5215857A (en) * 1985-08-07 1993-06-01 Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. 1,2-quinonediazide containing radiation-sensitive resin composition utilizing methyl 2-hydroxypropionate, ethyl 2-hydroxypropionate or methyl 3-methoxypropionate as the solvent
JP3116751B2 (ja) * 1993-12-03 2000-12-11 ジェイエスアール株式会社 感放射線性樹脂組成物
JP3941268B2 (ja) * 1998-11-10 2007-07-04 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物
TW550438B (en) * 1999-04-26 2003-09-01 Jsr Corp Radiation-sensitive resin composition
US6403280B1 (en) * 1999-04-28 2002-06-11 Jsr Corporation Radiation sensitive resin composition
ATE315245T1 (de) * 1999-09-17 2006-02-15 Jsr Corp Strahlungsempfindliche harzzusammensetzung
IL139513A (en) * 1999-11-09 2004-12-15 Jsr Corp N -sulfonylaxamide and radiation-resistant resins that use these compounds
JP4161497B2 (ja) * 1999-12-24 2008-10-08 Jsr株式会社 ネガ型感放射線性樹脂組成物
US6623907B2 (en) * 2000-02-04 2003-09-23 Jsr Corporation Radiation-sensitive resin composition
US6531260B2 (en) * 2000-04-07 2003-03-11 Jsr Corporation Polysiloxane, method of manufacturing same, silicon-containing alicyclic compound, and radiation-sensitive resin composition
JP2002072477A (ja) * 2000-06-12 2002-03-12 Jsr Corp 感放射線性樹脂組成物

Patent Citations (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10171122A (ja) * 1996-12-16 1998-06-26 Nec Corp 化学増幅型フォトレジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法
JPH10232490A (ja) * 1996-12-19 1998-09-02 Jsr Corp 感放射線性樹脂組成物
JPH11218924A (ja) * 1998-01-30 1999-08-10 Jsr Corp 感放射線性樹脂組成物
JPH11292822A (ja) * 1998-04-06 1999-10-26 Nec Corp 1,2−ジオール構造を有する脂環式(メタ)アクリレート誘導体、およびその重合体
JP2000122295A (ja) * 1998-05-25 2000-04-28 Daicel Chem Ind Ltd フォトレジスト用化合物およびフォトレジスト用樹脂組成物
JP2000026446A (ja) * 1998-07-03 2000-01-25 Nec Corp ラクトン構造を有する(メタ)アクリレート誘導体、重合体、フォトレジスト組成物、及びパターン形成方法
JP2000056460A (ja) * 1998-08-12 2000-02-25 Jsr Corp 感放射線性樹脂組成物
JP2000066383A (ja) * 1998-08-14 2000-03-03 Jsr Corp 感放射線性樹脂組成物
JP2000298347A (ja) * 1998-08-28 2000-10-24 Shipley Co Llc 新規なポリマー及びそれらを含有してなるフォトレジスト組成物
JP2000159758A (ja) * 1998-09-25 2000-06-13 Shin Etsu Chem Co Ltd 新規なラクトン含有化合物、高分子化合物、レジスト材料及びパタ―ン形成方法
JP2000321772A (ja) * 1999-05-10 2000-11-24 Nec Corp 化学増幅ポジ型レジスト、およびそれを用いたパターン形成方法
JP2001188347A (ja) * 1999-10-18 2001-07-10 Jsr Corp 感放射線性樹脂組成物
JP2001272785A (ja) * 2000-01-17 2001-10-05 Shin Etsu Chem Co Ltd 化学増幅型レジスト材料
JP2002040636A (ja) * 2000-07-25 2002-02-06 Nec Corp 光酸発生剤及びそれを含有するフォトレジスト組成物、並びに該組成物を用いたパターン形成方法
JP2002062652A (ja) * 2000-08-14 2002-02-28 Shin Etsu Chem Co Ltd レジスト材料及びパターン形成方法
JP2002091003A (ja) * 2000-09-19 2002-03-27 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 薄膜形成用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いた感光材料
JP2002107934A (ja) * 2000-09-27 2002-04-10 Shin Etsu Chem Co Ltd レジスト材料
JP2002122992A (ja) * 2000-10-13 2002-04-26 Shin Etsu Chem Co Ltd レジスト材料及びパターン形成方法

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4622579B2 (ja) * 2004-04-23 2011-02-02 住友化学株式会社 化学増幅型ポジ型レジスト組成物及び(メタ)アクリル酸誘導体とその製法
KR101244093B1 (ko) * 2004-04-23 2013-03-18 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 화학 증폭 포지티브 레지스트 조성물, (메트)아크릴레이트유도체 및 그의 제조 방법
JP2005331918A (ja) * 2004-04-23 2005-12-02 Sumitomo Chemical Co Ltd 化学増幅型ポジ型レジスト組成物及び(メタ)アクリル酸誘導体とその製法
JP2011068648A (ja) * 2004-04-23 2011-04-07 Sumitomo Chemical Co Ltd 化学増幅型ポジ型レジスト組成物及び(メタ)アクリル酸誘導体とその製法
JP2011026608A (ja) * 2004-04-23 2011-02-10 Sumitomo Chemical Co Ltd 化学増幅型ポジ型レジスト組成物及び(メタ)アクリル酸誘導体とその製法
US8088875B2 (en) 2004-05-20 2012-01-03 Mitsubishi Rayon Co., Ltd. (Meth)acrylate, polymer and resist composition
US8114949B2 (en) 2004-05-20 2012-02-14 Mitsubishi Rayon Co., Ltd. (Meth)acrylate, polymer and resist composition
KR100891888B1 (ko) 2004-10-07 2009-04-03 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 포지티브형 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴 형성 방법
JP2006104378A (ja) * 2004-10-07 2006-04-20 Mitsubishi Rayon Co Ltd レジスト用単量体およびレジスト用重合体
WO2006038635A1 (ja) * 2004-10-07 2006-04-13 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP2008107793A (ja) * 2006-09-26 2008-05-08 Fujifilm Corp ポジ型感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法
US8507172B2 (en) 2007-01-31 2013-08-13 Fujifilm Corporation Positive resist composition and pattern forming method using the positive resist composition
CN101299131B (zh) * 2007-05-02 2012-07-04 信越化学工业株式会社 化学增强型抗蚀剂组合物的制备方法
US7700261B2 (en) 2007-09-26 2010-04-20 Fujifilm Corporation Positive photosensitive composition and a pattern-forming method using the same
CN107850837A (zh) * 2015-07-10 2018-03-27 株式会社武藏野化学研究所 有机酸酯类液体的制造方法,及电子零件制作用阻剂溶剂或电子零件制作用清洗液的制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20030219680A1 (en) 2003-11-27
JP4048824B2 (ja) 2008-02-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4048824B2 (ja) 感放射線性樹脂組成物
JP3760952B2 (ja) スルホニウム塩化合物、感放射線性酸発生剤およびポジ型感放射線性樹脂組成物
JP4158825B2 (ja) 感放射線性樹脂組成物
JP3900135B2 (ja) 感放射線性樹脂組成物
US7638261B2 (en) Radiation-sensitive resin composition
JP5644764B2 (ja) 感放射線性樹脂組成物及び化合物
JP2003337419A (ja) 感放射線性樹脂組成物
JP5673533B2 (ja) 感放射線性樹脂組成物
JP3975790B2 (ja) 感放射線性樹脂組成物
JP2003335826A (ja) 共重合体とその製造方法および感放射線性樹脂組成物
JP4052008B2 (ja) 感放射線性樹脂組成物
JP2003202673A (ja) 感放射線性樹脂組成物
JP2005041857A (ja) スルホニウム塩化合物、感放射線性酸発生剤およびポジ型感放射線性樹脂組成物
JP2003337417A (ja) 感放射線性樹脂組成物
JP4288911B2 (ja) ポジ型フォトレジスト組成物
JP4622735B2 (ja) ポジ型感放射線性樹脂組成物
JP2003330193A (ja) 感放射線性樹脂組成物
JP4525668B2 (ja) 感放射線性樹脂組成物
JP4093402B2 (ja) 感放射線性樹脂組成物
JP2003195507A (ja) 感放射線性樹脂組成物
JP2003252933A (ja) ラクトン系共重合樹脂および感放射線性樹脂組成物
JP2003215804A (ja) 感放射線性樹脂組成物
JP2003345020A (ja) 感放射線性樹脂組成物
JP2004012545A (ja) 感放射線性樹脂組成物
JP2003316006A (ja) 感放射線性樹脂組成物

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040730

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20060811

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070327

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070524

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070731

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070927

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20071106

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20071119

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 4048824

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101207

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101207

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101207

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111207

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111207

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121207

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121207

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131207

Year of fee payment: 6

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term