JP2003337419A - 感放射線性樹脂組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 放射線に対する透明性が高く、感度、解像
度、ドライエッチング耐性、パターン形状等のレジスト
としての基本性能に優れた化学増幅型レジストとして好
適な感放射線性樹脂組成物を提供する。 【解決手段】 感放射線性樹脂組成物は、（Ａ）（メ
タ）アクリル酸１−（２−ノルボルニル）−１−メチル
エチル、（メタ）アクリル酸２−エチル−２−アダマン
チル等で代表される（メタ）アクリル酸エステル類に由
来する繰り返し単位と、下記式（ｉ）または式（ii) で
表される化合物等で代表されるラクトン骨格を有する
（メタ）アクリル酸エステル類に由来する繰り返し単位
とを含有し、酸の作用によりアルカリ可溶性となる樹
脂、並びに（Ｂ）感放射線性酸発生剤を含有する。 【化１】

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＫｒＦエキシマレ
ーザー、ＡｒＦエキシマレーザー、Ｆ₂ エキシマレーザ
ー等の遠紫外線、シンクロトロン放射線等のＸ線、電子
線等の荷電粒子線の如き各種の放射線を使用する微細加
工に有用な化学増幅型レジストとして好適に使用するこ
とができる感放射線性樹脂組成物に関わる。

【０００２】

【従来の技術】集積回路素子の製造に代表される微細加
工の分野においては、より高い集積度を得るために、最
近では０．２０μｍ以下のレベルでの微細加工が可能な
リソグラフィー技術が必要とされている。従来のリソグ
ラフィープロセスでは、一般に放射線としてｉ線等の近
紫外線が用いられているが、この近紫外線では、サブク
オーターミクロンレベルの微細加工が極めて困難である
と言われている。そこで、０．２０μｍ以下のレベルで
の微細加工を可能とするために、より波長の短い放射線
の利用が検討されている。このような短波長の放射線と
しては、例えば、水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレ
ーザーに代表される遠紫外線、Ｘ線、電子線等を挙げる
ことができるが、これらのうち、特にＫｒＦエキシマレ
ーザー（波長２４８ｎｍ）あるいはＡｒＦエキシマレー
ザー（波長１９３ｎｍ）が注目されている。このような
エキシマレーザーによる照射に適したレジストとして、
酸解離性官能基を有する成分と放射線の照射（以下、
「露光」という。）により酸を発生する成分（以下、
「感放射線性酸発生剤」という。）とによる化学増幅効
果を利用したレジスト（以下、「化学増幅型レジスト」
という。）が数多く提案されている。化学増幅型レジス
トとしては、例えば、特公平２−２７６６０号公報に
は、カルボン酸のｔ−ブチルエステル基またはフェノー
ルのｔ−ブチルカーボナート基を有する重合体と感放射
線性酸発生剤とを含有するレジストが提案されている。
このレジストは、露光により発生した酸の作用により、
重合体中に存在するｔ−ブチルエステル基あるいはｔ−
ブチルカーボナート基が解離して、該重合体がカルボキ
シル基あるいはフェノール性水酸基からなる酸性基を有
するようになり、その結果、レジスト被膜の露光領域が
アルカリ現像液に易溶性となる現象を利用したものであ
る。

【０００３】ところで、従来の化学増幅型レジストの多
くは、フェノール系樹脂をベースにするものであるが、
このような樹脂の場合、放射線として遠紫外線を使用す
ると、樹脂中の芳香族環に起因して遠紫外線が吸収され
るため、露光された遠紫外線がレジスト被膜の下層部ま
で十分に到達できないという欠点があり、そのため露光
量がレジスト被膜の上層部では多く、下層部では少なく
なり、現像後のレジストパターンが上部が細く下部にい
くほど太い台形状になってしまい、十分な解像度が得ら
れないなどの問題があった。その上、現像後のレジスト
パターンが台形状となった場合、次の工程、即ちエッチ
ングやイオンの打ち込みなどを行う際に、所望の寸法精
度が達成できず、問題となっていた。しかも、レジスト
パターン上部の形状が矩形でないと、ドライエッチング
によるレジストの消失速度が速くなってしまい、エッチ
ング条件の制御が困難になる問題もあった。一方、レジ
ストパターンの形状は、レジスト被膜の放射線透過率を
高めることにより改善することができる。例えば、ポリ
メチルメタクリレートに代表される（メタ）アクリレー
ト系樹脂は、遠紫外線に対しても透明性が高く、放射線
透過率の観点から非常に好ましい樹脂であり、例えば特
開平４−２２６４６１号公報には、メタクリレート系樹
脂を使用した化学増幅型レジストが提案されている。し
かしながら、この組成物は、微細加工性能の点では優れ
ているものの、芳香族環をもたないため、ドライエッチ
ング耐性が低いという欠点があり、この場合も高精度の
エッチング加工を行うことが困難であり、放射線に対す
る透明性とドライエッチング耐性とを兼ね備えたものと
は言えない。

【０００４】また、化学増幅型レジストについて、放射
線に対する透明性を損なわないで、ドライエッチング耐
性を改善する方策の一つとして、レジスト中の樹脂成分
に、芳香族環に代えて脂肪族環を導入する方法が知られ
ており、例えば特開平７−２３４５１１号公報には、脂
肪族環を有する（メタ）アクリレート系樹脂を使用した
化学増幅型レジストが提案されている。しかしながら、
このレジストでは、樹脂成分が有する酸解離性官能基と
して、従来の酸により比較的解離し易い基（例えば、テ
トラヒドロピラニル基等のアセタール系官能基）や酸に
より比較的解離し難い基（例えば、ｔ−ブチルエステル
基、ｔ−ブチルカーボネート基等のｔ−ブチル系官能
基）が用いられており、前者の酸解離性官能基を有する
樹脂成分の場合、レジストの基本物性、特に感度やパタ
ーン形状は良好であるが、組成物としての保存安定性に
難点があり、また後者の酸解離性官能基を有する樹脂成
分では、逆に保存安定性は良好であるが、レジストの基
本物性、特に感度やパターン形状が損なわれるという欠
点がある。さらに、このレジスト中の樹脂成分には脂肪
族環が導入されているため、樹脂自体の疎水性が非常に
高くなり、基板に対する接着性の面でも問題があった。
このような状況の下、集積回路素子における微細化の進
行に対応しうる技術開発の観点から、遠紫外線に代表さ
れる短波長の放射線に適応可能で、放射線に対する透明
性が高く、かつ感度、解像度、ドライエッチング耐性、
パターン形状等のレジストとしての基本物性に優れた化
学増幅型レジストが強く求められている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、放射
線に対する透明性が高く、感度、解像度、ドライエッチ
ング耐性、パターン形状等のレジストとしての基本性能
に優れた化学増幅型レジストとして好適に使用すること
ができる感放射線性樹脂組成物を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明によると、前記課
題は、第一に、（Ａ）下記一般式（１）に示す繰り返し
単位（１−１）および繰り返し単位（１−２）（但し、
繰り返し単位（１−１）に相当する単位を除く。）の群
から選ばれる繰り返し単位の少なくとも１種と、下記一
般式（２）に示す繰り返し単位（２−１）、繰り返し単
位（２−２）および繰り返し単位（２−３）の群から選
ばれるラクトン骨格を有する繰り返し単位の少なくとも
１種とを含有し、酸の作用によりアルカリ可溶性となる
アルカリ不溶性またはアルカリ難溶性の樹脂、並びに
（Ｂ）感放射線性酸発生剤を含有することを特徴とする
感放射線性樹脂組成物によって達成される。

【０００７】

【化６】

【０００８】〔一般式（１）において、Ｒ¹ は水素原子
あるいはメチル基を示し、Ａ¹ は単結合または−Ｘ¹ −
ＣＯＯ−（但し、Ｘ¹ はメチレン基、炭素数１０以下の
直鎖状もしくは分岐状のアルキレン基または炭素数１０
以下の非有橋型もしくは有橋型の２価の脂環式炭化水素
基を示す。）を示し、各Ｒ² は相互に独立に炭素数１〜
６の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基を示し、Ｒ³ は
水素原子、炭素数１〜６の直鎖状もしくは分岐状のアル
キル基または炭素数１〜６の直鎖状もしくは分岐状の酸
素含有有機基を示し、ｎは０または１であり、

【０００９】Ｒ⁴ は水素原子あるいはメチル基を示し、
Ａ² は単結合または−Ｘ² −ＣＯＯ−（但し、Ｘ² はメ
チレン基、炭素数１０以下の直鎖状もしくは分岐状のア
ルキレン基または炭素数１０以下の非有橋型もしくは有
橋型の２価の脂環式炭化水素基を示す。）を示し、各Ｒ
⁵ は相互に独立に炭素数１〜４の直鎖状もしくは分岐状
のアルキル基または炭素数４〜２０の非有橋型もしくは
有橋型の１価の脂環式炭化水素基を示し、かつ少なくと
も１つのＲ⁵ が炭素数１〜４の直鎖状もしくは分岐状の
アルキル基であるか、あるいは何れか２つのＲ⁵ が相互
に結合して、それぞれが結合している炭素原子と共に炭
素数４〜２０の非有橋型もしくは有橋型の２価の脂環式
炭化水素基を形成し、残りのＲ⁵ が炭素数１〜４の直鎖
状もしくは分岐状のアルキル基を示す。〕

【００１０】

【化７】

【００１１】〔一般式（２）において、Ｒ⁶ は水素原子
あるいはメチル基を示し、Ａ³ は単結合または−Ｘ³ −
ＣＯＯ−（但し、Ｘ³ はメチレン基、炭素数１０以下の
直鎖状もしくは分岐状のアルキレン基または炭素数１０
以下の非有橋型もしくは有橋型の２価の脂環式炭化水素
基を示す。）を示し、Ｒ⁷ は炭素数１〜６の直鎖状もし
くは分岐状のアルキル基または炭素数１〜６の直鎖状も
しくは分岐状の酸素含有有機基を示し、複数存在するＲ
⁷ は相互に同一でも異なってもよく、ｉは０〜４の整数
であり、ｊは０または１であり、ｋは１〜３の整数であ
り、

【００１２】Ｒ⁸ は水素原子あるいはメチル基を示し、
Ｂはメチレン基、酸素原子または硫黄原子を示し、Ｒ⁹
は水素原子、炭素数１〜６の直鎖状もしくは分岐状のア
ルキル基または炭素数１〜６の直鎖状もしくは分岐状の
酸素含有有機基を示し、

【００１３】Ｒ¹⁰は水素原子あるいはメチル基を示し、
Ｒ¹¹は水素原子、炭素数１〜６の直鎖状もしくは分岐状
のアルキル基または炭素数１〜６の直鎖状もしくは分岐
状の酸素含有有機基を示す。〕

【００１４】本発明によると、前記課題は、第二に、
（Ａ１）前記繰り返し単位（１−１）と、前記繰り返し
単位（２−１）、繰り返し単位（２−２）および繰り返
し単位（２−３）の群から選ばれるラクトン骨格を有す
る繰り返し単位の少なくとも１種とを含有し、酸の作用
によりアルカリ可溶性となるアルカリ不溶性またはアル
カリ難溶性の樹脂、（Ａ２）前記繰り返し単位（１−
２）（但し、繰り返し単位（１−１）に相当する単位を
除く。）と、前記繰り返し単位（２−１）、繰り返し単
位（２−２）および繰り返し単位（２−３）の群から選
ばれるラクトン骨格を有する繰り返し単位の少なくとも
１種とを含有し、酸の作用によりアルカリ可溶性となる
アルカリ不溶性またはアルカリ難溶性の樹脂、並びに
（Ｂ）感放射線性酸発生剤を含有することを特徴とする
感放射線性樹脂組成物によって達成される。

【００１５】以下、本発明について詳細に説明する。（Ａ）成分 本発明における（Ａ）成分は、繰り返し単位（１−１）
および繰り返し単位（１−２）（但し、繰り返し単位
（１−１）に相当する単位を除く。）の群から選ばれる
繰り返し単位の少なくとも１種と、繰り返し単位（２−
１）、繰り返し単位（２−２）および繰り返し単位（２
−３）の群から選ばれるラクトン骨格を有する繰り返し
単位の少なくとも１種とを含有し、酸の作用によりアル
カリ可溶性となるアルカリ不溶性またはアルカリ難溶性
の樹脂（以下、「樹脂（Ａ）」という。）からなる。以
下では、繰り返し単位（１−２）（但し、繰り返し単位
（１−１）に相当する単位を除く。）を単に「繰り返し
単位（１−２）」という。

【００１６】また、本発明における（Ａ１）成分は、繰
り返し単位（１−１）と、繰り返し単位（２−１）、繰
り返し単位（２−２）および繰り返し単位（２−３）の
群から選ばれるラクトン骨格を有する繰り返し単位の少
なくとも１種とを含有し、酸の作用によりアルカリ可溶
性となるアルカリ不溶性またはアルカリ難溶性の樹脂
（以下、「樹脂（Ａ１）」という。）からなる。

【００１７】また、本発明における（Ａ２）成分は、繰
り返し単位（１−２）と、繰り返し単位（２−１）、繰
り返し単位（２−２）および繰り返し単位（２−３）の
群から選ばれるラクトン骨格を有する繰り返し単位の少
なくとも１種とを含有し、酸の作用によりアルカリ可溶
性となるアルカリ不溶性またはアルカリ難溶性の樹脂
（以下、「樹脂（Ａ２）」という。）からなる。

【００１８】本発明でいう「アルカリ不溶性またはアル
カリ難溶性」とは、樹脂（Ａ）を含有する感放射線性樹
脂組成物あるいは樹脂（Ａ１）と樹脂（Ａ２）との混合
物を含有する感放射線性樹脂組成物から形成されたレジ
スト被膜からレジストパターンを形成する際に採用され
るアルカリ現像条件下で、当該レジスト被膜の代わり
に、樹脂（Ａ）あるいは前記混合物のみを用いた被膜を
現像した場合に、当該被膜の初期膜厚の５０％以上が現
像後に残存する性質を意味する。

【００１９】繰り返し単位（１−１）中のＡ¹ の−Ｘ¹
−ＣＯＯ−において、Ｘ¹ の炭素数１０以下の直鎖状も
しくは分岐状のアルキレン基としては、例えば、エチレ
ン基、プロピレン基、トリメチレン基、テトラメチレン
基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、オクタメチ
レン基、デカメチレン基等を挙げることができる。

【００２０】また、Ｘ¹ の炭素数１０以下の非有橋型も
しくは有橋型の２価の脂環式炭化水素基としては、例え
ば、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、
シクロヘプタン、シクロオクタン等のシクロアルカン類
に由来する基；ノルボルナン、トリシクロデカン、テト
ラシクロドデカン、アダマンタン等の多環型脂環式炭化
水素に由来する基；これらの基を、例えば、メチル基、
エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチ
ル基、２−メチルプロピル基、１−メチルプロピル基、
ｔ−ブチル基等の炭素数１〜４の直鎖状、分岐状または
環状のアルキル基の１種以上あるいは１個以上で置換し
た基等を挙げることができる。

【００２１】繰り返し単位（１−１）において、Ｒ² お
よびＲ³ の炭素数１〜６の直鎖状もしくは分岐状のアル
キル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プ
ロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、２−メチル
プロピル基、１−メチルプロピル基、ｔ−ブチル基、ｎ
−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基等を挙げることができ
る。

【００２２】また、Ｒ³ の炭素数１〜６の直鎖状もしく
は分岐状の酸素含有有機基としては、例えば、アルコキ
シル基、アルコキシカルボニル基、ヒドロキシアルキル
基、アルコキシアルコキシル基等を挙げることができ
る。

【００２３】前記アルコキシル基としては、例えば、メ
トキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポ
キシ基、ｎ−ブトキシ基、２−メチルプロポキシ基、１
−メチルプロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ペンチル
オキシ基、ネオペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ
基等を挙げることができる。

【００２４】前記アルコキシルカルボニル基としては、
例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル
基、ｎ−プロポキシカルボニル基、ｉ−プロポキシカル
ボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、２−メチルプロ
ポキシカルボニル基、１−メチルプロポキシカルボニル
基、ｔ−ブトキシカルボニル基、ｎ−ペンチルオキシカ
ルボニル基、ネオペンチルオキシカルボニル基、ｎ−ヘ
キシルオキシカルボニル基等を挙げることができる。

【００２５】前記ヒドロキシアルキル基としては、例え
ば、ヒドロキシメチル基、１−ヒドロキシエチル基、２
−ヒドロキシエチル基、３−ヒドロキシ−ｎ−プロピル
基、４−ヒドロキシ−ｎ−ブチル基、５−ヒドロキシ−
ｎ−ペンチル基、６−ヒドロキシ−ｎ−ヘキシル基等を
挙げることができる。

【００２６】前記アルコキシアルコキシル基としては、
例えば、メトキシメトキシ基、エトキシメトキシ基、２
−メトキシエトキシ基、２−エトキシエトキシ基、３−
メトキシ−ｎ−プロポキシ基、４−メトキシ−ｎ−ブト
キシ基、５−メトキシ−ｎ−ペンチルオキシ基等を挙げ
ることができる。

【００２７】繰り返し単位（１−１）において、Ｒ¹ と
しては水素原子およびメチル基がともに好ましく、Ａ¹
としては単結合、Ｘ¹ がノルボルナンまたはアダマンタ
ンに由来する基である−Ｘ¹ −ＣＯＯ−等が好ましく、
Ｒ² としてはメチル基、エチル基等が好ましく、Ｒ³ と
しては水素原子、メチル基、エチル基、メトキシ基、エ
トキシ基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル
基等が好ましく、ｎとしては０および１がともに好まし
い。樹脂（Ａ）および樹脂（Ａ１）において、繰り返し
単位（１−１）は、単独でまたは２種以上が存在するこ
とができる。

【００２８】繰り返し単位（１−２）中のＡ² の−Ｘ²
−ＣＯＯ−において、Ｘ² の炭素数１０以下の直鎖状も
しくは分岐状のアルキレン基および炭素数１０以下の非
有橋型もしくは有橋型の２価の脂環式炭化水素基として
は、例えば、前記繰り返し単位（１−１）中のＸ¹ につ
いて例示したそれぞれ対応する基を挙げることができ
る。

【００２９】繰り返し単位（１−２）において、Ｒ⁵ の
炭素数１〜４の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基とし
ては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、
ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、２−メチルプロピル
基、１−メチルプロピル基、ｔ−ブチル基等を挙げるこ
とができる。

【００３０】また、Ｒ⁵ の炭素数４〜２０の非有橋型も
しくは有橋型の１価の脂環式炭化水素基および何れか２
つのＲ⁵ が相互に結合して、それぞれが結合している炭
素原子と共に形成した炭素数４〜２０の非有橋型もしく
は有橋型の２価の脂環式炭化水素基としては、例えば、
シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シク
ロヘプタン、シクロオクタン等のシクロアルカン類に由
来する基；ノルボルナン、トリシクロデカン、テトラシ
クロドデカン、アダマンタン等の多環型脂環式炭化水素
に由来する基；これらの基を、例えば、メチル基、エチ
ル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル
基、２−メチルプロピル基、１−メチルプロピル基、ｔ
−ブチル基等の炭素数１〜４の直鎖状、分岐状または環
状のアルキル基の１種以上あるいは１個以上で置換した
基等を挙げることができる。

【００３１】繰り返し単位（１−２）における−Ｃ（Ｒ
⁵)₃ で表される基の具体例としては、ｔ−ブトキシカル
ボニル基や、下記式（４-1) 〜式（４-13)で表される基
等を挙げることができる。

【００３２】

【化８】

【００３３】

【化９】

【００３４】

【化１０】

【００３５】

【化１１】

【００３６】

【化１２】

【００３７】繰り返し単位（１−２）において、Ｒ⁴ と
しては、水素原子およびメチル基がともに好ましく、Ａ
² としては単結合、Ｘ² がノルボルナンまたはアダマン
タンに由来する基である−Ｘ² −ＣＯＯ−等が好まし
く、−Ｃ（Ｒ⁵)₃ で表される基としては２−メチル−２
−トリシクロデカニル基（式（４-4）参照）、２−エチ
ル−２−トリシクロデカニル基（式（４-5）参照）、２
−メチル−２−アダマンチル基（式（４-8) 参照）、２
−エチル−２−アダマンチル基（式（４-9) 参照）、１
−メチルシクロペンチル基（式（４-10)参照）、１−エ
チルシクロペンチル基（式（４-11)参照）、１−メチル
シクロヘキシル基（式（４-12)参照）、１−エチルシク
ロヘキシル基（式（４-13)参照）等が好ましい。樹脂
（Ａ）および樹脂（Ａ２）において、繰り返し単位（１
−２）は、単独でまたは２種以上が存在することができ
る。

【００３８】繰り返し単位（２−１）中のＡ³ の−Ｘ³
−ＣＯＯ−において、Ｘ³ の炭素数１０以下の直鎖状も
しくは分岐状のアルキレン基および炭素数１０以下の非
有橋型もしくは有橋型の２価の脂環式炭化水素基として
は、例えば、前記繰り返し単位（１−１）中のＸ¹ につ
いて例示したそれぞれ対応する基を挙げることができ
る。

【００３９】繰り返し単位（２−１）において、Ｒ⁷ の
炭素数１〜６の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基およ
び炭素数１〜６の直鎖状もしくは分岐状の酸素含有有機
基としては、前記繰り返し単位（１−１）におけるＲ³
について例示したそれぞれ対応する基を挙げることがで
きる。

【００４０】繰り返し単位（２−１）において、Ｒ⁶ と
しては水素原子およびメチル基がともに好ましく、Ａ³
としては単結合、Ｘ³ がノルボルナンまたはアダマンタ
ンに由来する基である−Ｘ³ −ＣＯＯ−等が好ましく、
Ｒ⁷ としては水素原子、メチル基、エチル基等が好まし
く、ｉとしては０または１が好ましく、ｊとしては０お
よび１がともに好ましく、ｋとしては１または２が好ま
しい。

【００４１】好ましい繰り返し単位（２−１）の具体例
としては、下記式（２-1-1) 、式（２-1-2) 、式（２-1
-3) または式（２-1-4) で表される繰り返し単位を挙げ
ることができる。

【００４２】

【化１３】 〔但し、Ｒ⁶ は一般式（２−１）におけるＲ⁶ と同義で
ある。〕

【００４３】樹脂（Ａ）、樹脂（Ａ１）および樹脂（Ａ
２）において、繰り返し単位（２−１）は、単独でまた
は２種以上が存在することができる。樹脂（Ａ１）およ
び樹脂（Ａ２）がともに繰り返し単位（２−１）を含有
するとき、樹脂（Ａ１）における繰り返し単位（２−
１）と樹脂（Ａ２）における繰り返し単位（２−１）と
は相互に同一でも異なってもよい。

【００４４】繰り返し単位（２−２）において、Ｒ⁹ の
炭素数１〜６の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基およ
び炭素数１〜６の直鎖状もしくは分岐状の酸素含有有機
基としては、前記繰り返し単位（１−１）におけるＲ³
について例示したそれぞれ対応する基を挙げることがで
きる。

【００４５】繰り返し単位（２−２）において、Ｒ⁸ と
しては水素原子およびメチル基がともに好ましく、Ｂと
してはメチレン基、酸素原子等が好ましく、Ｒ⁹ として
は水素原子、メチル基、メトキシ基、メトキシカルボニ
ル基等が好ましい。

【００４６】繰り返し単位（２−３）において、Ｒ¹¹の
炭素数１〜６の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基およ
び炭素数１〜６の直鎖状もしくは分岐状の酸素含有有機
基としては、前記繰り返し単位（１−１）におけるＲ³
について例示したそれぞれ対応する基を挙げることがで
きる。

【００４７】繰り返し単位（２−３）において、Ｒ¹⁰と
しては水素原子およびメチル基がともに好ましく、Ｒ¹¹
としては水素原子が好ましい。

【００４８】好ましい繰り返し単位（２−２）の具体例
としては、下記式（２-2-1) で表される単位を挙げるこ
とができ、また好ましい繰り返し単位（２−３）の具体
例としては、下記式（２-3-1) で表される繰り返し単位
を挙げることができる。

【００４９】

【化１４】 〔但し、Ｒ⁸ は一般式（２−２）におけるＲ⁸ と同義で
あり、Ｒ¹⁰は一般式（２−３）におけるＲ¹⁰と同義であ
る。〕

【００５０】樹脂（Ａ）、樹脂（Ａ１）および樹脂（Ａ
２）において、繰り返し単位（２−２）および繰り返し
単位（２−３）はそれぞれ、単独でまたは２種以上が存
在することができる。樹脂（Ａ１）および樹脂（Ａ２）
がともに繰り返し単位（２−２）を含有するとき、樹脂
（Ａ１）における繰り返し単位（２−２）と樹脂（Ａ
２）における繰り返し単位（２−２）とは相互に同一で
も異なってもよく、また樹脂（Ａ１）および樹脂（Ａ
２）がともに繰り返し単位（２−３）を含有するとき、
樹脂（Ａ１）における繰り返し単位（２−３）と樹脂
（Ａ２）における繰り返し単位（２−３）とは相互に同
一でも異なってもよい。

【００５１】本発明において、樹脂（Ａ）、樹脂（Ａ
１）および樹脂（Ａ２）におけるラクトン骨格を有する
繰り返し単位としては、前記式（２-1-1) 、式（２-1-
2) 、式（２-2-1) または式（２-3-1) で表される繰り
返し単位が好ましく、特に式（２-1-1) で表される繰り
返し単位が好ましい。

【００５２】樹脂（Ａ）、樹脂（Ａ１）および樹脂（Ａ
２）は、前記以外の繰り返し単位（以下、「他の繰り返
し単位」という。）を有することもできる。好ましい他
の繰り返し単位としては、例えば、下記一般式（３）で
表される繰り返し単位（以下、「繰り返し単位（３）」
という。）を挙げることができる。

【００５３】

【化１５】 〔一般式（３）において、Ｒ¹²は水素原子あるいはメチ
ル基を示し、Ｙはフッ素原子で置換されてもよい炭素数
１２以下のｍ価の炭化水素基を示し、Ｄは（ｍ−１）価
の極性基を示し、ｍは２または３である。〕

【００５４】一般式（３）において、Ｙの炭素数１２以
下のｍ価の炭化水素基としては、例えば、直鎖状もしく
は分岐状のアルカン類に由来する基、非有橋型もしくは
有橋型の脂環式炭化水素類に由来する基等を挙げること
ができる。

【００５５】前記アルカン類としては、例えば、メタ
ン、エタン、プロパン、ｎ−ブタン、ｉ−ブタン、ｎ−
ペンタン、ｉ−ペンタン、ネオペンタン、ｎ−ヘキサ
ン、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デ
カン、ｎ−ウンデカン、ｎ−ドデカン等を挙げることが
できる。

【００５６】また、前記非有橋型もしくは有橋型の脂環
式炭化水素類としては、例えば、シクロブタン、シクロ
ペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオ
クタン等のシクロアルカン類；ノルボルナン、トリシク
ロデカン、テトラシクロドデカン、アダマンタン等の多
環型脂環式炭化水素類；これらのシクロアルカン類ある
いは多環型脂環式炭化水素類を、例えば、メチル基、エ
チル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル
基、２−メチルプロピル基、１−メチルプロピル基、ｔ
−ブチル基等の炭素数１〜４の直鎖状、分岐状または環
状のアルキル基の１種以上あるいは１個以上で置換した
化合物等を挙げることができる。

【００５７】また、Ｙのフッ素原子で置換された炭素数
１２以下のｍ価の炭化水素基としては、アルカン類また
は非有橋型もしくは有橋型の脂環式炭化水素類に由来す
る基を１個以上のフッ素原子で置換した基を挙げること
ができ、中でもジ（トリフルオロメチル）メチレン構造
を有する基が好ましい。

【００５８】一般式（３）におけるＹとしては、非有橋
型もしくは有橋型の脂環式炭化水素類に由来する基が好
ましく、さらに好ましくはシクロヘキサン、ノルボルナ
ン、トリシクロデカン、アダマンタンや、これらをメチ
ル基で置換した化合物等に由来する基である。

【００５９】一般式（３）において、Ｄの（ｍ−１）価
の極性基としては、例えば、ヒドロキシル基、オキソ基
（即ち、＝Ｏ）、シアノ基等を挙げることができる。一
般式（３）におけるＹがシクロアルカン類やそのフッ素
化物、あるいは多環型脂環式炭化水素類をアルキル基で
置換した化合物やそのフッ素化物に由来する基である場
合、Ｄはこれらの基中の環構造に直接結合しても、また
該アルキル基に結合してもよい。一般式（３）における
Ｄとしては、ヒドロキシル基およびシアノ基が好まし
い。

【００６０】一般式（３）における−Ｙ−Ｄ構造として
は、例えば、ヒドロキシメチル基、１−ヒドロキシエチ
ル基、２−ヒドロキシエチル基、１−ヒドロキシ−ｎ−
プロピル基、２−ヒドロキシ−ｎ−プロピル基、３−ヒ
ドロキシ−ｎ−プロピル基、１−ヒドロキシ−ｎ−ブチ
ル基、２−ヒドロキシ−ｎ−ブチル基、３−ヒドロキシ
−ｎ−ブチル基、４−ヒドロキシ−ｎ−ブチル基、３−
ヒドロキシシクロペンチル基、４−ヒドロキシシクロヘ
キシル基、５−ヒドロキシ−２−ノルボルニル基、８−
ヒドロキシ−３−トリシクロデカニル基、８−ヒドロキ
シ−３−テトラシクロドデカニル基、３−ヒドロキシ−
１−アダマンチル基、

【００６１】３−オキソシクロペンチル基、４−オキソ
シクロヘキシル基、５−オキソ−２−ノルボルニル基、
８−オキソ−３−トリシクロデカニル基、８−オキソ−
３−テトラシクロドデカニル基、４−オキソ−１−アダ
マンチル基、シアノメチル基、２−シアノエチル基、３
−シアノ−ｎ−プロピル基、４−シアノ−ｎ−ブチル
基、３−シアノシクロペンチル基、４−シアノシクロヘ
キシル基、５−シアノ−２−ノルボルニル基、８−シア
ノ−３−トリシクロデカニル基、８−シアノ−３−テト
ラシクロドデカニル基、３−シアノ−１−アダマンチル
基、

【００６２】２−ヒドロキシ−２，２−ジ（トリフルオ
ロメチル）エチル基、３−ヒドロキシ−３，３−ジ（ト
リフルオロメチル）−ｎ−プロピル基、４−ヒドロキシ
−４，４−ジ（トリフルオロメチル）−ｎ−ブチル基、
５−〔２−ヒドロキシ−２，２−ジ（トリフルオロメチ
ル）エチル〕−２−ノルボルニル基、８−〔２−ヒドロ
キシ−２，２−ジ（トリフルオロメチル）エチル〕−３
−トリシクロデカニル基、８−〔２−ヒドロキシ−２，
２−ジ（トリフルオロメチル）エチル〕−３−テトラシ
クロドデカニル基、３−〔２−ヒドロキシ−２，２−ジ
（トリフルオロメチル）エチル〕−１−アダマンチル基
等を挙げることができる。

【００６３】これらの−Ｙ−Ｄ構造のうち、５−ヒドロ
キシ−２−ノルボルニル基、８−ヒドロキシ−３−トリ
シクロデカニル基、３−ヒドロキシ−１−アダマンチル
基、５−シアノ−２−ノルボルニル基、８−シアノ−３
−トリシクロデカニル基、３−シアノ−１−アダマンチ
ル基、５−〔２−ヒドロキシ−２，２−ジ（トリフルオ
ロメチル）エチル〕−２−ノルボルニル基、８−〔２−
ヒドロキシ−２，２−ジ（トリフルオロメチル）エチ
ル〕−３−トリシクロデカニル基等が好ましい。

【００６４】さらに、繰り返し単位（３）以外の他の繰
り返し単位を与える重合性不飽和単量体としては、例え
ば、（メタ）アクリル酸ノルボルニル、（メタ）アクリ
ル酸イソボルニル、（メタ）アクリル酸トリシクロデカ
ニル、（メタ）アクリル酸テトラシクロデカニル、（メ
タ）アクリル酸ジシクロペンテニル、（メタ）アクリル
酸１−アダマンチル、（メタ）アクリル酸１−アダマン
チルメチル等の有橋型炭化水素骨格を有する（メタ）ア
クリル酸エステル類；（メタ）アクリル酸メチル、（メ
タ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ｎ−プロピ
ル、（メタ）アクリル酸ｎ−ブチル、（メタ）アクリル
酸２−メチルプロピル、（メタ）アクリル酸１−メチル
プロピル、（メタ）アクリル酸ｔ−ブチル、（メタ）ア
クリル酸シクロプロピル、（メタ）アクリル酸シクロペ
ンチル、（メタ）アクリル酸シクロヘキシル等の有橋型
炭化水素骨格をもたない（メタ）アクリル酸エステル
類；

【００６５】α−ヒドロキシメチルアクリル酸メチル、
α−ヒドロキシメチルアクリル酸エチル、α−ヒドロキ
シメチルアクリル酸ｎ−プロピル、α−ヒドロキシメチ
ルアクリル酸ｎ−ブチル等のα−ヒドロキシメチルアク
リル酸エステル類；（メタ）アクリロニトリル、α−ク
ロロアクリロニトリル、クロトンニトリル、マレインニ
トリル、フマロニトリル、メサコンニトリル、シトラコ
ンニトリル、イタコンニトリル等の不飽和ニトリル化合
物；（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル（メ
タ）アクリルアミド、クロトンアミド、マレインアミ
ド、フマルアミド、メサコンアミド、シトラコンアミ
ド、イタコンアミド等の不飽和アミド化合物；Ｎ−（メ
タ）アクリロイルモルホリン、Ｎ−ビニル−ε−カプロ
ラクタム、Ｎ−ビニルピロリドン、ビニルピリジン、ビ
ニルイミダゾール等の他の含窒素ビニル化合物；（メ
タ）アクリル酸、クロトン酸、マレイン酸、無水マレイ
ン酸、フマル酸、イタコン酸、無水イタコン酸、シトラ
コン酸、無水シトラコン酸、メサコン酸等の不飽和カル
ボン酸（無水物）類等の単官能性単量体や、

【００６６】１，２−アダマンタンジオールジ（メタ）
アクリレート、１，３−アダマンタンジオールジ（メ
タ）アクリレート、１，４−アダマンタンジオールジ
（メタ）アクリレート、トリシクロデカニルジメチロー
ルジ（メタ）アクリレート等の有橋型炭化水素骨格を有
する多官能性単量体；

【００６７】メチレングリコールジ（メタ）アクリレー
ト、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、プロ
ピレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘ
キサンジオールジ（メタ）アクリレート、２，５−ジメ
チル−２，５−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレー
ト、１，８−オクタンジオールジ（メタ）アクリレー
ト、１，９−ノナンジオールジ（メタ）アクリレート、
１，４−ビス（２−ヒドロキシプロピル）ベンゼンジ
（メタ）アクリレート、１，３−ビス（２−ヒドロキシ
プロピル）ベンゼンジ（メタ）アクリレート等の有橋型
炭化水素骨格をもたない多官能性単量体等の多官能性単
量体を挙げることができる。本発明において、他の繰り
返し単位は、単独でまたは２種以上が存在することがで
きる。

【００６８】樹脂（Ａ）において、繰り返し単位（１−
１）と繰り返し単位（１−２）との合計含有率は、全繰
り返し単位に対して、通常、１０〜８０モル％、好まし
くは２０〜７０モル％、さらに好ましくは２０〜６０モ
ル％であり、繰り返し単位（２−１）、繰り返し単位
（２−２）および繰り返し単位（２−３）の合計含有率
は、通常、２０〜８０モル％、好ましくは２０〜６０モ
ル％、さらに好ましくは３０〜６０モル％であり、他の
繰り返し単位の含有率は、全繰り返し単位に対して、通
常、５０モル％以下、好ましくは３０モル％以下であ
る。また、樹脂（Ａ）における繰り返し単位（１−１）
の含有率は、５０モル％以下、好ましくは３０モル％以
下であることが望ましい。

【００６９】この場合、繰り返し単位（１−１）と繰り
返し単位（１−２）との合計含有率が１０モル％未満で
は、レジストとしての解像度が低下する傾向があり、一
方８０モル％を超えると、レジストとしての現像性や基
板への密着性が低下する傾向がある。また、繰り返し単
位（２−１）〜（２−３）の合計含有率が２０モル％未
満では、レジストとしての現像性や基板への密着性が低
下する傾向があり、一方８０モル％を超えると、組成物
の溶剤への溶解性が低下する傾向がある。また、繰り返
し単位（１−１）の含有率が５０モル％を超えると、レ
ジストとしての現像性や基板への密着性が低下する傾向
がある。

【００７０】樹脂（Ａ１）において、繰り返し単位（１
−１）の含有率は、全繰り返し単位に対して、通常、１
０〜８０モル％、好ましくは２０〜７０モル％、さらに
好ましくは２０〜６０モル％であり、繰り返し単位（２
−１）、繰り返し単位（２−２）および繰り返し単位
（２−３）の合計含有率は、通常、２０〜８０モル％、
好ましくは２０〜６０モル％、さらに好ましくは３０〜
６０モル％であり、他の繰り返し単位の含有率は、全繰
り返し単位に対して、通常、５０モル％以下、好ましく
は３０モル％以下である。

【００７１】この場合、繰り返し単位（１−１）の含有
率が１０モル％未満では、レジストとしての解像度が低
下する傾向があり、一方８０モル％を超えると、レジス
トとしての現像性や基板への密着性が低下する傾向があ
る。また、繰り返し単位（２−１）〜（２−３）の合計
含有率が２０モル％未満では、レジストとしての現像性
や基板への密着性が低下する傾向があり、一方８０モル
％を超えると、組成物の溶剤への溶解性が低下する傾向
がある。

【００７２】樹脂（Ａ２）において、繰り返し単位（１
−２）の含有率は、全繰り返し単位に対して、通常、１
０〜８０モル％、好ましくは２０〜７０モル％、さらに
好ましくは２０〜６０モル％であり、繰り返し単位（２
−１）、繰り返し単位（２−２）および繰り返し単位
（２−３）の合計含有率は、通常、２０〜８０モル％、
好ましくは２０〜６０モル％、さらに好ましくは３０〜
６０モル％であり、他の繰り返し単位の含有率は、全繰
り返し単位に対して、通常、５０モル％以下、好ましく
は３０モル％以下である。

【００７３】この場合、繰り返し単位（１−２）の含有
率が１０モル％未満では、レジストとしての解像度が低
下する傾向があり、一方８０モル％を超えると、レジス
トとしての現像性や基板への密着性が低下する傾向があ
る。また、繰り返し単位（２−１）〜（２−３）の合計
含有率が２０モル％未満では、レジストとしての現像性
や基板への密着性が低下する傾向があり、一方８０モル
％を超えると、組成物の溶剤への溶解性が低下する傾向
がある。

【００７４】また、樹脂（Ａ１）と樹脂（Ａ２）との混
合物における繰り返し単位（１−１）の含有率は、両樹
脂の全繰り返し単位に対して、５０モル％以下であるこ
とが好ましい。この場合、繰り返し単位（１−１）の含
有率が５０モル％を超えると、レジストとしての現像性
や基板への密着性が低下するおそれがある。

【００７５】樹脂（Ａ）、樹脂（Ａ１）および樹脂（Ａ
２）は、例えば、その各繰り返し単位に対応する重合性
不飽和単量体を、ヒドロパーオキシド類、ジアルキルパ
ーオキシド類、ジアシルパーオキシド類、アゾ化合物等
のラジカル重合開始剤を使用し、必要に応じて連鎖移動
剤の存在下、適当な溶媒中で重合することにより製造す
ることができる。前記重合に使用される溶媒としては、
例えば、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、
ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン等のアルカン
類；シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタ
ン、デカリン、ノルボルナン等のシクロアルカン類；ベ
ンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、クメン
等の芳香族炭化水素類；クロロブタン類、ブロモヘキサ
ン類、ジクロロエタン類、ヘキサメチレンジブロミド、
クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類；酢酸エチ
ル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸ｉ−ブチル、プロピオン酸メ
チル等の飽和カルボン酸エステル類；２−ブタノン、４
−メチル−２−ペンタノン、２−ヘプタノン等のケトン
類；テトラヒドロフラン、ジメトキシエタン類、ジエト
キシエタン類等のエーエル類等を挙げることができる。
これらの溶媒は、単独でまたは２種以上を混合して使用
することができる。また、前記重合における反応温度
は、通常、４０〜１２０℃、好ましくは５０〜９０℃で
あり、反応時間は、通常、１〜４８時間、好ましくは１
〜２４時間である。

【００７６】樹脂（Ａ）、樹脂（Ａ１）および樹脂（Ａ
２）のゲルパーミエーションクロマトグラフィ（ＧＰ
Ｃ）によるポリスチレン換算重量平均分子量（以下、
「Ｍｗ」という。）は、通常、１，０００〜１００，０
００、好ましくは１，０００〜５０，０００、さらに好
ましくは２，０００〜５０，０００である。この場合、
樹脂（Ａ）のＭｗが１，０００未満では、レジストとし
ての耐熱性が低下する傾向があり、一方１００，０００
を超えると、レジストとしての現像性が低下する傾向が
ある。また、樹脂（Ａ）、樹脂（Ａ１）および樹脂（Ａ
２）のＭｗとゲルパーミエーションクロマトグラフィ
（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算数平均分子量（以
下、「Ｍｎ」という。）との比（Ｍｗ／Ｍｎ）は、通
常、１〜５、好ましくは１〜３である。なお、樹脂
（Ａ）、樹脂（Ａ１）および樹脂（Ａ２）は、ハロゲ
ン、金属等の不純物が少ないほど好ましく、それによ
り、レジストとしたときの感度、解像度、プロセス安定
性、パターン形状等をさらに改善することができる。樹
脂（Ａ）の精製法としては、例えば、水洗、液々抽出等
の化学的精製法や、これらの化学的精製法と限外ろ過、
遠心分離等の物理的精製法との組み合わせ等を挙げるこ
とができる。

【００７７】（Ｂ）成分 本発明における（Ｂ）成分は、露光により酸を発生する
感放射線性酸発生剤（以下、「酸発生剤（Ｂ）」とい
う。）からなる。酸発生剤（Ｂ）は、露光により発生し
た酸の作用によって、樹脂（Ａ）中に存在する酸解離性
基を解離させ、その結果レジスト被膜の露光部がアルカ
リ現像液に易溶性となり、ポジ型のレジストパターンを
形成する作用を有するものである。本発明における酸発
生剤（Ｂ）としては、下記一般式（５）で表される化合
物（以下、「酸発生剤（５）」という。）が好ましい。

【００７８】

【化１６】

【００７９】〔一般式（５）において、Ｒ¹³は水素原
子、水酸基、炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状の
アルキル基、炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状の
アルコキシル基、炭素数２〜１１の直鎖状もしくは分岐
状のアルコキシカルボニル基を示し、Ｒ¹⁴は水素原子ま
たは炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル
基を示し、ｐは０〜３の整数であり、各Ｒ¹⁵は相互に独
立に炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル
基、置換されていてもよいフェニル基または置換基され
ていてもよいナフチル基を示すか、あるいは２つのＲ¹⁵
が互いに結合して炭素数２〜１０の２価の基を形成して
おり、該２価の基は置換されていてもよく、ｑは０〜２
の整数であり、Ｚ^- はＣ_a Ｆ_2a+1ＳＯ₃ ^- の構造を有す
るアニオンを示し、ａは１〜１０の整数である。〕

【００８０】一般式（５）において、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴および
Ｒ¹⁵の炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキ
ル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロ
ピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、２−メチルプ
ロピル基、１−メチルプロピル基、ｔ−ブチル基、ｎ−
ペンチル基、ネオペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘ
プチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基、ｎ
−ノニル基、ｎ−デシル基等を挙げることができる。

【００８１】また、Ｒ¹³の炭素数１〜１０の直鎖状もし
くは分岐状のアルコキシル基としては、例えば、メトキ
シ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ
基、ｎ−ブトキシ基、２−メチルプロポキシ基、１−メ
チルプロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキ
シ基、ネオペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、
ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、２−エ
チルヘキシルオキシ基、ｎ−ノニルオキシ基、ｎ−デシ
ルオキシ基等を挙げることができる。

【００８２】また、Ｒ¹³の炭素数２〜１１の直鎖状もし
くは分岐状のアルコキシカルボニル基としては、例え
ば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ
−プロポキシカルボニル基、ｉ−プロポキシカルボニル
基、ｎ−ブトキシカルボニル基、２−メチルプロポキシ
カルボニル基、１−メチルプロポキシカルボニル基、ｔ
−ブトキシカルボニル基、ｎ−ペンチルオキシカルボニ
ル基、ネオペンチルオキシカルボニル基、ｎ−ヘキシル
オキシカルボニル基、ｎ−ヘプチルオキシカルボニル
基、ｎ−オクチルオキシカルボニル基、２−エチルヘキ
シルオキシカルボニル基、ｎ−ノニルオキシカルボニル
基、ｎ−デシルオキシカルボニル基等を挙げることがで
きる。

【００８３】一般式（５）におけるＲ¹³としては、水素
原子、水酸基、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−ブトキシ
基等が好ましい。一般式（５）において、Ｒ¹⁴として
は、水素原子、メチル基等が好ましい。また、ｐとして
は、０または１が好ましい。

【００８４】一般式（５）において、Ｒ¹⁵の置換されて
いてもよいフェニル基としては、例えば、フェニル基、
ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、２，３−
ジメチルフェニル基、２，４−ジメチルフェニル基、
２，５−ジメチルフェニル基、２，６−ジメチルフェニ
ル基、３，４−ジメチルフェニル基、３，５−ジメチル
フェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基、４−
エチルフェニル基等のフェニル基または炭素数１〜１０
の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基で置換され
たフェニル基；これらのフェニル基またはアルキル置換
フェニル基を、ヒドロキシル基、カルボキシル基、シア
ノ基、ニトロ基、アルコキシル基、アルコキシアルキル
基、アルコキシカルボニル基、アルコキシカルボニルオ
キシ基等の１個以上あるいは１種以上で置換した基等を
挙げることができる。

【００８５】フェニル基およびアルキル置換フェニル基
に対する置換基のうち、前記アルコキシル基としては、
例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、
ｉ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、２−メチルプロポ
キシ基、１−メチルプロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、シ
クロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等の炭
素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルコキ
シル基等を挙げることができる。また、前記アルコキシ
アルキル基としては、例えば、メトキシメチル基、エト
キシメチル基、１−メトキシエチル基、２−メトキシエ
チル基、１−エトキシエチル基、２−エトキシエチル基
等の炭素数２〜２１の直鎖状、分岐状もしくは環状のア
ルコキシアルキル基等を挙げることができる。

【００８６】また、前記アルコキシカルボニル基として
は、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニ
ル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、ｉ−プロポキシカ
ルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、２−メチルプ
ロポキシカルボニル基、１−メチルプロポキシカルボニ
ル基、ｔ−ブトキシカルボニル基、シクロペンチルオキ
シカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル等の
炭素数２〜２１の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルコ
キシカルボニル基等を挙げることができる。また、前記
アルコキシカルボニルオキシ基としては、例えば、メト
キシカルボニルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ
基、ｎ−プロポキシカルボニルオキシ基、ｉ−プロポキ
シカルボニルオキシ基、ｎ−ブトキシカルボニルオキシ
基、ｔ−ブトキシカルボニルオキシ基、シクロペンチル
オキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル
等の炭素数２〜２１の直鎖状、分岐状もしくは環状のア
ルコキシカルボニルオキシ基等を挙げることができる。

【００８７】また、Ｒ¹⁵の置換されていてもよいナフチ
ル基としては、例えば、１−ナフチル基、２−メチル−
１−ナフチル基、３−メチル−１−ナフチル基、４−メ
チル−１−ナフチル基、４−メチル−１−ナフチル基、
５−メチル−１−ナフチル基、６−メチル−１−ナフチ
ル基、７−メチル−１−ナフチル基、８−メチル−１−
ナフチル基、２，３−ジメチル−１−ナフチル基、２，
４−ジメチル−１−ナフチル基、２，５−ジメチル−１
−ナフチル基、２，６−ジメチル−１−ナフチル基、
２，７−ジメチル−１−ナフチル基、２，８−ジメチル
−１−ナフチル基、３，４−ジメチル−１−ナフチル
基、３，５−ジメチル−１−ナフチル基、３，６−ジメ
チル−１−ナフチル基、３，７−ジメチル−１−ナフチ
ル基、３，８−ジメチル−１−ナフチル基、４，５−ジ
メチル−１−ナフチル基、５，８−ジメチル−１−ナフ
チル基、４−エチル−１−ナフチル基２−ナフチル基、
１−メチル−２−ナフチル基、３−メチル−２−ナフチ
ル基、４−メチル−２−ナフチル基等のナフチル基また
は炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアル
キル基で置換されたナフチル基；これらのナフチル基ま
たはアルキル置換ナフチル基を、ヒドロキシル基、カル
ボキシル基、シアノ基、ニトロ基、アルコキシル基、ア
ルコキシアルキル基、アルコキシカルボニル基、アルコ
キシカルボニルオキシ基等の１個以上あるいは１種以上
で置換した基等を挙げることができる。

【００８８】ナフチル基およびアルキル置換ナフチル基
に対する置換基であるアルコキシル基、アルコキシアル
キル基、アルコキシカルボニル基およびアルコキシカル
ボニルオキシ基としては、例えば、前記フェニル基およ
びアルキル置換フェニル基について例示したそれぞれ対
応する基を挙げることができる。また、２つのＲ¹⁵が互
いに結合して形成した炭素数２〜１０の２価の基として
は、式中の硫黄原子と共に５員または６員の環状構造、
特に好ましくは５員の環状構造（即ち、テトラヒドロチ
オフェン環構造）を形成する基が望ましい。また、前記
２価の基に対する置換基としては、例えば、前記フェニ
ル基およびアルキル置換フェニル基に対する置換基とし
て例示したヒドロキシル基、カルボキシル基、シアノ
基、ニトロ基、アルコキシル基、アルコキアルキル基、
アルコキシカルボニル基、アルコキシカルボニルオキシ
基と同様のものを挙げることができる。

【００８９】一般式（５）におけるＲ¹⁵としては、メチ
ル基、エチル基、フェニル基、２つのＲ¹⁵が互いに結合
して硫黄原子と共にテトラヒドロチオフェン環構造を形
成する２価の基等が好ましい。

【００９０】一般式（５）において、ｑとしては、０ま
たは１が好ましい。また、Ｚ^- のＣ_a Ｆ_2a+1ＳＯ₃ ^- 中
のＣ_a Ｆ_2a+1−基は、炭素数ａのパーフルオロアルキル
基であるが、該パーフルオロアルキル基は直鎖状もしく
は分岐状であることができる。Ｚ^- におけるａとしては
４または８が好ましい。

【００９１】酸発生剤（５）の具体例としては、トリフ
ェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、
トリフェニルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンス
ルホネート、トリフェニルスルホニウムパーフルオロ−
ｎ−オクタンスルホネート、１−ナフチルジメチルスル
ホニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−ナフチ
ルジメチルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスル
ホネート、１−ナフチルジメチルスルホニウムパーフル
オロ−ｎ−オクタンスルホネート、１−ナフチルジエチ
ルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−
ナフチルジエチルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタ
ンスルホネート、１−ナフチルジエチルスルホニウムパ
ーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、

【００９２】４−ヒドロキシ−１−ナフチルジメチルス
ルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−ヒド
ロキシ−１−ナフチルジメチルスルホニウムノナフルオ
ロ−ｎ−ブタンスルホネート、４−ヒドロキシ−１−ナ
フチルジメチルスルホニウムパーフルオロ−ｎ−オクタ
ンスルホネート、４−ヒドロキシ−１−ナフチルジエチ
ルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−
ヒドロキシ−１−ナフチルジエチルスルホニウムノナフ
ルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、４−ヒドロキシ−１
−ナフチルジエチルスルホニウムパーフルオロ−ｎ−オ
クタンスルホネート、４−シアノ−１−ナフチルジメチ
ルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−
シアノ−１−ナフチルジメチルスルホニウムノナフルオ
ロ−ｎ−ブタンスルホネート、４−シアノ−１−ナフチ
ルジメチルスルホニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンス
ルホネート、

【００９３】４−シアノ−１−ナフチルジエチルスルホ
ニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−シアノ−
１−ナフチルジエチルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−
ブタンスルホネート、４−シアノ−１−ナフチルジエチ
ルスルホニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネー
ト、４−ニトロ−１−ナフチルジメチルスルホニウムト
リフルオロメタンスルホネート、４−ニトロ−１−ナフ
チルジメチルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンス
ルホネート、４−ニトロ−１−ナフチルジメチルスルホ
ニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、４−
ニトロ−１−ナフチルジエチルスルホニウムトリフルオ
ロメタンスルホネート、４−ニトロ−１−ナフチルジエ
チルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネー
ト、４−ニトロ−１−ナフチルジエチルスルホニウムパ
ーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、

【００９４】４−メチル−１−ナフチルジメチルスルホ
ニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−メチル−
１−ナフチルジメチルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−
ブタンスルホネート、４−メチル−１−ナフチルジメチ
ルスルホニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネー
ト、４−メチル−１−ナフチルジエチルスルホニウムト
リフルオロメタンスルホネート、４−メチル−１−ナフ
チルジエチルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンス
ルホネート、４−メチル−１−ナフチルジエチルスルホ
ニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、１−
（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）テトラ
ヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネー
ト、１−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニ
ル）テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−ｎ−ブ
タンスルホネート、１−（３，５−ジメチル−４−ヒド
ロキシフェニル）テトラヒドロチオフェニウムパーフル
オロ−ｎ−オクタンスルホネート、

【００９５】１−（４−ｎ−ブトキシフェニル）テトラ
ヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネー
ト、１−（４−ｎ−ブトキシフェニル）テトラヒドロチ
オフェニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、
１−（４−ｎ−ブトキシフェニル）テトラヒドロチオフ
ェニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、１
−（４−ヒドロキシナフタレン−１−イル）テトラヒド
ロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１
−（４−ヒドロキシナフタレン−１−イル）テトラヒド
ロチオフェニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネー
ト、１−（４−ヒドロキシナフタレン−１−イル）テト
ラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンス
ルホネート、１−（４−メトキシナフタレン−１−イ
ル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンス
ルホネート、１−（４−メトキシナフタレン−１−イ
ル）テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−ｎ−ブ
タンスルホネート、１−（４−メトキシナフタレン−１
−イル）テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−ｎ
−オクタンスルホネート、

【００９６】１−（４−エトキシナフタレン−１−イ
ル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンス
ルホネート、１−（４−エトキシナフタレン−１−イ
ル）テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−ｎ−ブ
タンスルホネート、１−（４−エトキシナフタレン−１
−イル）テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−ｎ
−オクタンスルホネート、１−（４−ｎ−ブトキシナフ
タレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムトリフ
ルオロメタンスルホネート、１−（４−ｎ−ブトキシナ
フタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムノナ
フルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、１−（４−ｎ−ブ
トキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニ
ウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、１−
（４−メトキシメトキシナフタレン−１−イル）テトラ
ヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネー
ト、１−（４−メトキシメトキシナフタレン−１−イ
ル）テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−ｎ−ブ
タンスルホネート、１−（４−メトキシメトキシナフタ
レン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムパーフル
オロ−ｎ−オクタンスルホネート、

【００９７】１−（４−エトキシメトキシナフタレン−
１−イル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメ
タンスルホネート、１−（４−エトキシメトキシナフタ
レン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムノナフル
オロ−ｎ−ブタンスルホネート、１−（４−エトキシメ
トキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニ
ウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、１−
〔４−（１−メトキシエトキシ）ナフタレン−１−イ
ル〕テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンス
ルホネート、１−〔４−（１−メトキシエトキシ）ナフ
タレン−１−イル〕テトラヒドロチオフェニウムノナフ
ルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、１−〔４−（１−メ
トキシエトキシ）ナフタレン−１−イル〕テトラヒドロ
チオフェニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネー
ト、１−〔４−（２−メトキシエトキシ）ナフタレン−
１−イル〕テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメ
タンスルホネート、１−〔４−（２−メトキシエトキ
シ）ナフタレン−１−イル〕テトラヒドロチオフェニウ
ムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、１−〔４−
（２−メトキシエトキシ）ナフタレン−１−イル〕テト
ラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンス
ルホネート、

【００９８】１−（４−メトキシカルボニルオキシナフ
タレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムトリフ
ルオロメタンスルホネート、１−（４−メトキシカルボ
ニルオキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフ
ェニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、１−
（４−メトキシカルボニルオキシナフタレン−１−イ
ル）テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−ｎ−オ
クタンスルホネート、１−（４−エトキシカルボニルオ
キシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウ
ムトリフルオロメタンスルホネート、１−（４−エトキ
シカルボニルオキシナフタレン−１−イル）テトラヒド
ロチオフェニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネー
ト、１−（４−エトキシカルボニルオキシナフタレン−
１−イル）テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−
ｎ−オクタンスルホネート、１−（４−ｎ−プロポキシ
カルボニルオキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロ
チオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−
（４−ｎ−プロポキシカルボニルオキシナフタレン−１
−イル）テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−ｎ
−ブタンスルホネート、１−（４−ｎ−プロポキシカル
ボニルオキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオ
フェニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、

【００９９】１−（４−ｉ−プロポキシカルボニルオキ
シナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウム
トリフルオロメタンスルホネート、１−（４−ｉ−プロ
ポキシカルボニルオキシナフタレン−１−イル）テトラ
ヒドロチオフェニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホ
ネート、１−（４−ｉ−プロポキシカルボニルオキシナ
フタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムパー
フルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、１−（４−ｎ−
ブトキシカルボニルオキシナフタレン−１−イル）テト
ラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネー
ト、１−（４−ｎ−ブトキシカルボニルオキシナフタレ
ン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムノナフルオ
ロ−ｎ−ブタンスルホネート、１−（４−ｎ−ブトキシ
カルボニルオキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロ
チオフェニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネー
ト、１−（４−ｔ−ブトキシカルボニルオキシナフタレ
ン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオ
ロメタンスルホネート、１−（４−ｔ−ブトキシカルボ
ニルオキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフ
ェニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、１−
（４−ｔ−ブトキシカルボニルオキシナフタレン−１−
イル）テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−ｎ−
オクタンスルホネート、

【０１００】１−（４−ベンジルオキシナフタレン−１
−イル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタ
ンスルホネート、１−（４−ベンジルオキシナフタレン
−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ
−ｎ−ブタンスルホネート、１−（４−ベンジルオキシ
ナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムパ
ーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、１−（２−ナ
フタレン−１−イル−２−オキソエチル）テトラヒドロ
チオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−
（２−ナフタレン−１−イル−２−オキソエチル）テト
ラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスル
ホネート、１−（２−ナフタレン−１−イル−２−オキ
ソエチル）テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−
ｎ−オクタンスルホネート、

【０１０１】１−〔４−（２−テトラヒドロフラニルオ
キシ）ナフタレン−１−イル〕テトラヒドロチオフェニ
ウムトリフルオロメタンスルホネート、１−〔４−（２
−テトラヒドロフラニルオキシ）ナフタレン−１−イ
ル〕テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−ｎ−ブ
タンスルホネート、１−〔４−（２−テトラヒドロフラ
ニルオキシ）ナフタレン−１−イル〕テトラヒドロチオ
フェニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、
１−〔４−（２−テトラヒドロピラニルオキシ）ナフタ
レン−１−イル〕テトラヒドロチオフェニウムトリフル
オロメタンスルホネート、１−〔４−（２−テトラヒド
ロピラニルオキシ）ナフタレン−１−イル〕テトラヒド
ロチオフェニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネー
ト、１−〔４−（２−テトラヒドロピラニルオキシ）ナ
フタレン−１−イル〕テトラヒドロチオフェニウムパー
フルオロ−ｎ−オクタンスルホネート等を挙げることが
できる。

【０１０２】これらの酸発生剤（５）のうち、特に、ト
リフェニルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスル
ホネート、トリフェニルスルホニウムパーフルオロ−ｎ
−オクタンスルホネート、１−（３，５−ジメチル−４
−ヒドロキシフェニル）テトラヒドロチオフェニウムノ
ナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、１−（３，５−
ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）テトラヒドロチオ
フェニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、
１−（４−ヒドロキシナフタレン−１−イル）テトラヒ
ドロチオフェニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネ
ート、１−（４−ヒドロキシナフタレン−１−イル）テ
トラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−ｎ−オクタン
スルホネート、１−（４−ｎ−ブトキシナフタレン−１
−イル）テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−ｎ
−ブタンスルホネート、１−（４−ｎ−ブトキシナフタ
レン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムパーフル
オロ−ｎ−オクタンスルホネート、１−（２−ナフタレ
ン−１−イル−２−オキソエチル）テトラヒドロチオフ
ェニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、１−
（２−ナフタレン−１−イル−２−オキソエチル）テト
ラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンス
ルホネート等が好ましい。

【０１０３】また、酸発生剤（５）以外の感放射線性酸
発生剤（以下、「他の酸発生剤」という。）としては、
例えば、オニウム塩化合物、ハロゲン含有化合物、ジア
ゾケトン化合物、スルホン化合物、スルホン酸化合物等
を挙げることができる。これらの他の酸発生剤として
は、例えば、下記のものを挙げることができる。

【０１０４】オニウム塩化合物：オニウム塩化合物とし
ては、例えば、ヨードニウム塩、スルホニウム塩、ホス
ホニウム塩、ジアゾニウム塩、ピリジニウム塩等を挙げ
ることができる。オニウム塩化合物の具体例としては、
ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネー
ト、ジフェニルヨードニウムノナフルオロ−ｎ−ブタン
スルホネート、ジフェニルヨードニウムパーフルオロ−
ｎ−オクタンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェ
ニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、
ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムノナフル
オロ−ｎ−ブタンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチル
フェニル）ヨードニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンス
ルホネート、シクロヘキシル・２−オキソシクロヘキシ
ル・メチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネー
ト、ジシクロヘキシル・２−オキソシクロヘキシルスル
ホニウムトリフルオロメタンスルホネート、２−オキソ
シクロヘキシルジメチルスルホニウムトリフルオロメタ
ンスルホネート等を挙げることができる。

【０１０５】ハロゲン含有化合物：ハロゲン含有化合物
としては、例えば、ハロアルキル基含有炭化水素化合
物、ハロアルキル基含有複素環式化合物等を挙げること
ができる。ハロゲン含有化合物の具体例としては、フェ
ニルビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、４−
メトキシフェニルビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリ
アジン、１−ナフチルビス（トリクロロメチル）−ｓ−
トリアジン等の（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン
誘導体や、１，１−ビス（４−クロロフェニル）−２，
２，２−トリクロロエタン等を挙げることができる。ジ
アゾケトン化合物：ジアゾケトン化合物としては、例え
ば、１，３−ジケト−２−ジアゾ化合物、ジアゾベンゾ
キノン化合物、ジアゾナフトキノン化合物等を挙げるこ
とができる。ジアゾケトンの具体例としては、１，２−
ナフトキノンジアジド−４−スルホニルクロリド、１，
２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニルクロリド、
２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノンの
１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステ
ルまたは１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン
酸エステル、１，１，１−トリス（４−ヒドロキシフェ
ニル）エタンの１，２−ナフトキノンジアジド−４−ス
ルホン酸エステルまたは１，２−ナフトキノンジアジド
−５−スルホン酸エステル等を挙げることができる。

【０１０６】スルホン化合物：スルホン化合物として
は、例えば、β−ケトスルホン、β−スルホニルスルホ
ンや、これらの化合物のα−ジアゾ化合物等を挙げるこ
とができる。スルホン化合物の具体例としては、４−ト
リスフェナシルスルホン、メシチルフェナシルスルホ
ン、ビス（フェニルスルホニル）メタン等を挙げること
ができる。 スルホン酸化合物：スルホン酸化合物としては、例え
ば、アルキルスルホン酸エステル、アルキルスルホン酸
イミド、ハロアルキルスルホン酸エステル、アリールス
ルホン酸エステル、イミノスルホネート等を挙げること
ができる。スルホン酸化合物の具体例としては、ベンゾ
イントシレート、ピロガロールのトリス（トリフルオロ
メタンスルホネート）、ニトロベンジル−９，１０−ジ
エトキシアントラセン−２−スルホネート、トリフルオ
ロメタンスルホニルビシクロ[ ２．２．１ ]ヘプト−５
−エン−２，３−ジカルボキシイミド、ノナフルオロ−
ｎ−ブタンスルホニルビシクロ[ ２．２．１ ]ヘプト−
５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、パーフルオロ
−ｎ−オクタンスルホニルビシクロ[ ２．２．１ ]ヘプ
ト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−ヒド
ロキシスクシンイミドトリフルオロメタンスルホネー
ト、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミドノナフルオロ−ｎ−
ブタンスルホネート、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミドパ
ーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、１，８−ナフ
タレンジカルボン酸イミドトリフルオロメタンスルホネ
ート、１，８−ナフタレンジカルボン酸イミドノナフル
オロ−ｎ−ブタンスルホネート、１，８−ナフタレンジ
カルボン酸イミドパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネ
ート等を挙げることができる。

【０１０７】これらの他の酸発生剤のうち、ジフェニル
ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェ
ニルヨードニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネー
ト、ジフェニルヨードニウムパーフルオロ−ｎ−オクタ
ンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨー
ドニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス（４−
ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムノナフルオロ−ｎ−
ブタンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）
ヨードニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネー
ト、シクロヘキシル・２−オキソシクロヘキシル・メチ
ルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジシ
クロヘキシル・２−オキソシクロヘキシルスルホニウム
トリフルオロメタンスルホネート、２−オキソシクロヘ
キシルジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホ
ネート、

【０１０８】トリフルオロメタンスルホニルビシクロ[
２．２．１ ]ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシ
イミド、ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホニルビシクロ
[ ２．２．１ ]ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキ
シイミド、パーフルオロ−ｎ−オクタンスルホニルビシ
クロ[ ２．２．１ ]ヘプト−５−エン−２，３−ジカル
ボキシイミド、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミドトリフル
オロメタンスルホネート、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミ
ドノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、Ｎ−ヒドロ
キシスクシンイミドパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホ
ネート、１，８−ナフタレンジカルボン酸イミドトリフ
ルオロメタンスルホネート等が好ましい。

【０１０９】本発明において、酸発生剤（Ｂ）は、単独
でまたは２種以上を混合して使用することができる。本
発明において、酸発生剤（Ｂ）の使用量は、レジストと
しての感度および現像性を確保する観点から、樹脂
（Ａ）１００重量部あるいは樹脂（Ａ１）と樹脂（Ａ
２）との混合物１００重量部に対して、通常、０．１〜
２０重量部、好ましくは０．５〜１０重量部である。こ
の場合、酸発生剤（Ｂ）の使用量が０．１重量部未満で
は、感度および現像性が低下する傾向があり、一方２０
重量部を超えると、放射線に対する透明性が低下して、
矩形のレジストパターンを得られ難くなる傾向がある。

【０１１０】添加剤 本発明の感放射線性樹脂組成物には、必要に応じて、酸
拡散制御剤、酸解離性基を有する脂環族添加剤、界面活
性剤、増感剤等の各種の添加剤を配合することができ
る。前記酸拡散制御剤は、露光により酸発生剤（Ｂ）か
ら生じる酸のレジスト被膜中における拡散現象を制御
し、非露光領域における好ましくない化学反応を抑制す
る作用を有する成分である。このような酸拡散制御剤を
配合することにより、得られる感放射線性樹脂組成物の
貯蔵安定性が向上し、またレジストとしての解像度がさ
らに向上するとともに、露光から現像処理までの引き置
き時間（ＰＥＤ）の変動によるレジストパターンの線幅
変化を抑えることができ、プロセス安定性に極めて優れ
た組成物が得られる。前記酸拡散制御剤としては、レジ
ストパターンの形成工程中の露光や加熱処理により塩基
性が変化しない含窒素有機化合物が好ましい。このよう
な含窒素有機化合物としては、例えば、下記一般式
（６）

【０１１１】

【化１７】 〔一般式（６）において、各Ｒ¹⁶は相互に独立に水素原
子、置換もしくは非置換の直鎖状、分岐状もしくは環状
のアルキル基、置換もしくは非置換のアリール基または
置換もしくは非置換のアラルキル基を示す。〕

【０１１２】で表される化合物（以下、「含窒素化合物
（イ）」という。）、同一分子内に窒素原子を２個有す
る化合物（以下、「含窒素化合物（ロ）」という。）、
窒素原子を３個以上有するポリアミノ化合物や重合体
（以下、これらをまとめて「含窒素化合物（ハ）」とい
う。）、アミド基含有化合物、ウレア化合物、含窒素複
素環化合物等を挙げることができる。

【０１１３】含窒素化合物（イ）としては、例えば、ｎ
−ヘキシルアミン、ｎ−ヘプチルアミン、ｎ−オクチル
アミン、ｎ−ノニルアミン、ｎ−デシルアミン、シクロ
ヘキシルアミン等のモノ（シクロ）アルキルアミン類；
ジ−ｎ−ブチルアミン、ジ−ｎ−ペンチルアミン、ジ−
ｎ−ヘキシルアミン、ジ−ｎ−ヘプチルアミン、ジ−ｎ
−オクチルアミン、ジ−ｎ−ノニルアミン、ジ−ｎ−デ
シルアミン、シクロヘキシルメチルアミン、ジシクロヘ
キシルアミン等のジ（シクロ）アルキルアミン類；トリ
エチルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、トリ−ｎ−
ブチルアミン、トリ−ｎ−ペンチルアミン、トリ−ｎ−
ヘキシルアミン、トリ−ｎ−ヘプチルアミン、トリ−ｎ
−オクチルアミン、トリ−ｎ−ノニルアミン、トリ−ｎ
−デシルアミン、シクロヘキシルジメチルアミン、メチ
ルジシクロヘキシルアミン、トリシクロヘキシルアミン
等のトリ（シクロ）アルキルアミン類；アニリン、Ｎ−
メチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、２−メチ
ルアニリン、３−メチルアニリン、４−メチルアニリ
ン、４−ニトロアニリン、ジフェニルアミン、トリフェ
ニルアミン、ナフチルアミン等の芳香族アミン類を挙げ
ることができる。

【０１１４】含窒素化合物（ロ）としては、例えば、エ
チレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ',Ｎ’−テトラメチルエチ
レンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレ
ンジアミン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、
４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジ
アミノベンゾフェノン、４，４’−ジアミノジフェニル
アミン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）プロパ
ン、２−（３−アミノフェニル）−２−（４−アミノフ
ェニル）プロパン、２−（４−アミノフェニル）−２−
（３−ヒドロキシフェニル）プロパン、２−（４−アミ
ノフェニル）−２−（４−ヒドロキシフェニル）プロパ
ン、１，４−ビス〔１−（４−アミノフェニル）−１−
メチルエチル〕ベンゼン、１，３−ビス〔１−（４−ア
ミノフェニル）−１−メチルエチル〕ベンゼン、ビス
（２−ジメチルアミノエチル）エーテル、ビス（２−ジ
エチルアミノエチル）エーテル等を挙げることができ
る。含窒素化合物（ハ）としては、例えば、ポリエチレ
ンイミン、ポリアリルアミン、Ｎ−（２−ジメチルアミ
ノエチル）アクリルアミドの重合体等を挙げることがで
きる。

【０１１５】前記アミド基含有化合物としては、例え
ば、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニルジ−ｎ−オクチルアミ
ン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニルジ−ｎ−ノニルアミ
ン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニルジ−ｎ−デシルアミ
ン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニルジシクロヘキシルアミ
ン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−１−アダマンチルア
ミン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−Ｎ−メチル−１−
アダマンチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジ−ｔ−ブトキシカルボ
ニル−１−アダマンチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジ−ｔ−ブト
キシカルボニル−Ｎ−メチル−１−アダマンチルアミ
ン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−４，４’−ジアミノ
ジフェニルメタン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブトキシカルボ
ニルヘキサメチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’Ｎ’−テト
ラ−ｔ−ブトキシカルボニルヘキサメチレンジアミン、
Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブトキシカルボニル−１，７−ジア
ミノヘプタン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブトキシカルボニル
−１，８−ジアミノオクタン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブト
キシカルボニル−１，９−ジアミノノナン、Ｎ，Ｎ’−
ジ−ｔ−ブトキシカルボニル−１，１０−ジアミノデカ
ン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブトキシカルボニル−１，１２
−ジアミノドデカン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブトキシカル
ボニル−４，４’−ジアミノジフェニルメタン、Ｎ−ｔ
−ブトキシカルボニルベンズイミダゾール、Ｎ−ｔ−ブ
トキシカルボニル−２−メチルベンズイミダゾール、Ｎ
−ｔ−ブトキシカルボニル−２−フェニルベンズイミダ
ゾール等のＮ−ｔ−ブトキシカルボニル基含有アミノ化
合物のほか、ホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ−メ
チルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、プ
ロピオンアミド、ベンズアミド、ピロリドン、Ｎ−メチ
ルピロリドン等を挙げることができる。

【０１１６】前記ウレア化合物としては、例えば、尿
素、メチルウレア、１，１−ジメチルウレア、１，３−
ジメチルウレア、１，１，３，３−テトラメチルウレ
ア、１，３−ジフェニルウレア、トリ−ｎ−ブチルチオ
ウレア等を挙げることができる。前記含窒素複素環化合
物としては、例えば、イミダゾール、４−メチルイミダ
ゾール、４−メチル−２−フェニルイミダゾール、ベン
ズイミダゾール、２−フェニルベンズイミダゾール等の
イミダゾール類；ピリジン、２−メチルピリジン、４−
メチルピリジン、２−エチルピリジン、４−エチルピリ
ジン、２−フェニルピリジン、４−フェニルピリジン、
２−メチル−４−フェニルピリジン、ニコチン、ニコチ
ン酸、ニコチン酸アミド、キノリン、４−ヒドロキシキ
ノリン、８−オキシキノリン、アクリジン等のピリジン
類；ピペラジン、１−（２−ヒドロキシエチル）ピペラ
ジン等のピペラジン類のほか、ピラジン、ピラゾール、
ピリダジン、キノザリン、プリン、ピロリジン、ピペリ
ジン、３−ピペリジノ−１，２−プロパンジオール、モ
ルホリン、４−メチルモルホリン、１，４−ジメチルピ
ペラジン、１，４−ジアザビシクロ [２．２．２] オク
タン等を挙げることができる。

【０１１７】これらの含窒素有機化合物のうち、含窒素
化合物（イ）、アミド基含有化合物、含窒素複素環化合
物等が好ましい。前記酸拡散制御剤は、単独でまたは２
種以上を混合して使用することができる。

【０１１８】また、前記酸解離性基を有する脂環族添加
剤は、ドライエッチング耐性、パターン形状、基板との
接着性等をさらに改善する作用を示す成分である。この
ような脂環族添加剤としては、例えば、１−アダマンタ
ンカルボン酸ｔ−ブチル、１−アダマンタンカルボン酸
ｔ−ブトキシカルボニルメチル、１，３−アダマンタン
ジカルボン酸ジ−ｔ−ブチル、１−アダマンタン酢酸ｔ
−ブチル、１−アダマンタン酢酸ｔ−ブトキシカルボニ
ルメチル、１，３−アダマンタンジ酢酸ジ−ｔ−ブチル
等のアダマンタン誘導体類；デオキシコール酸ｔ−ブチ
ル、デオキシコール酸ｔ−ブトキシカルボニルメチル、
デオキシコール酸２−エトキシエチル、デオキシコール
酸２−シクロヘキシルオキシエチル、デオキシコール酸
３−オキソシクロヘキシル、デオキシコール酸テトラヒ
ドロピラニル、デオキシコール酸メバロノラクトンエス
テル等のデオキシコール酸エステル類；リトコール酸ｔ
−ブチル、リトコール酸ｔ−ブトキシカルボニルメチ
ル、リトコール酸２−エトキシエチル、リトコール酸２
−シクロヘキシルオキシエチル、リトコール酸３−オキ
ソシクロヘキシル、リトコール酸テトラヒドロピラニ
ル、リトコール酸メバロノラクトンエステル等のリトコ
ール酸エステル類等を挙げることができる。これらの脂
環族添加剤は、単独でまたは２種以上を混合して使用す
ることができる。

【０１１９】また、前記界面活性剤は、塗布性、ストリ
エーション、現像性等を改良する作用を示す成分であ
る。このような界面活性剤としては、例えば、ポリオキ
シエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステ
アリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテ
ル、ポリオキシエチレンｎ−オクチルフェニルエーテ
ル、ポリオキシエチレンｎ−ノニルフェニルエーテル、
ポリエチレングリコールジラウレート、ポリエチレング
リコールジステアレート等のノニオン系界面活性剤のほ
か、以下商品名で、ＫＰ３４１（信越化学工業（株）
製）、ポリフローＮｏ．７５，同Ｎｏ．９５（共栄社化
学（株）製）、エフトップＥＦ３０１，同ＥＦ３０３，
同ＥＦ３５２（トーケムプロダクツ（株）製）、メガフ
ァックスＦ１７１，同Ｆ１７３（大日本インキ化学工業
（株）製）、フロラードＦＣ４３０，同ＦＣ４３１（住
友スリーエム（株）製）、アサヒガードＡＧ７１０，サ
ーフロンＳ−３８２，同ＳＣ−１０１，同ＳＣ−１０
２，同ＳＣ−１０３，同ＳＣ−１０４，同ＳＣ−１０
５，同ＳＣ−１０６（旭硝子（株）製）等を挙げること
ができる。これらの界面活性剤は、単独でまたは２種以
上を混合して使用することができる。

【０１２０】また、前記増感剤は、放射線のエネルギー
を吸収して、そのエネルギーを酸発生剤（Ｂ）に伝達
し、それにより酸の生成量を増加する作用を示すもの
で、感放射線性樹脂組成物のみかけの感度を向上させる
効果を有する。このような増感剤としては、アセトフェ
ノン類、ベンゾフェノン類、ナフタレン類、ビアセチ
ル、エオシン、ローズベンガル、ピレン類、アントラセ
ン類、フェノチアジン類等を挙げることができる。これ
らの増感剤は、単独でまたは２種以上を混合して使用す
ることができる。また、染料あるいは顔料を配合するこ
とにより、露光部の潜像を可視化させて、露光時のハレ
ーションの影響を緩和でき、接着助剤を配合することに
より、基板との接着性を改善することができる。さら
に、前記以外の添加剤としては、後述するアルカリ可溶
性樹脂、酸解離性の保護基を有する低分子のアルカリ溶
解性制御剤、ハレーション防止剤、保存安定化剤、消泡
剤等を挙げることができる。

【０１２１】組成物溶液の調製 本発明の感放射線性樹脂組成物は、普通、その使用に際
して、全固形分濃度が、通常、５〜５０重量％、好まし
くは１０〜２５重量％となるように、溶剤に溶解したの
ち、例えば孔径０．２μｍ程度のフィルターでろ過する
ことによって、組成物溶液として調製される。前記組成
物溶液の調製に使用される溶剤としては、例えば、２−
ブタノン、２−ペンタノン、３−メチル−２−ブタノ
ン、２−ヘキサノン、４−メチル−２−ペンタノン、３
−メチル−２−ペンタノン、３，３−ジメチル−２−ブ
タノン、２−ヘプタノン、２−オクタノン等の直鎖状も
しくは分岐状のケトン類；シクロペンタノン、３−メチ
ルシクロペンタノン、シクロヘキサノン、２−メチルシ
クロヘキサノン、２，６−ジメチルシクロヘキサノン、
イソホロン等の環状のケトン類；プロピレングリコール
モノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコール
モノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコール
モノ−ｎ−プロピルエーテルアセテート、プロピレング
リコールモノ−ｉ−プロピルエーテルアセテート、プロ
ピレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテルアセテー
ト、プロピレングリコールモノ−ｉ−ブチルエーテルア
セテート、プロピレングリコールモノ−ｓｅｃ−ブチル
エーテルアセテート、プロピレングリコールモノ−ｔ−
ブチルエーテルアセテート等のプロピレングリコールモ
ノアルキルエーテルアセテート類；２−ヒドロキシプロ
ピオン酸メチル、２−ヒドロキシプロピオン酸エチル、
２−ヒドロキシプロピオン酸ｎ−プロピル、２−ヒドロ
キシプロピオン酸ｉ−プロピル、２−ヒドロキシプロピ
オン酸ｎ−ブチル、２−ヒドロキシプロピオン酸ｉ−ブ
チル、２−ヒドロキシプロピオン酸ｓｅｃ−ブチル、２
−ヒドロキシプロピオン酸ｔ−ブチル等の２−ヒドロキ
シプロピオン酸アルキル類；３−メトキシプロピオン酸
メチル、３−メトキシプロピオン酸エチル、３−エトキ
シプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチ
ル等の３−アルコキシプロピオン酸アルキル類のほか、

【０１２２】ｎ−プロピルアルコール、ｉ−プロピルア
ルコール、ｎ−ブチルアルコール、ｔ−ブチルアルコー
ル、シクロヘキサノール、エチレングリコールモノメチ
ルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、
エチレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテル、エチ
レングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、ジエチレン
グリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジ
エチルエーテル、ジエチレングリコールジ−ｎ−プロピ
ルエーテル、ジエチレングリコールジ−ｎ−ブチルエー
テル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテー
ト、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテー
ト、エチレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテルア
セテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、
プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレン
グリコールモノ−ｎ−プロピルエーテル、トルエン、キ
シレン、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸エチ
ル、エトキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸エチル、２−
ヒドロキシ−３−メチル酪酸メチル、３−メトキシブチ
ルアセテート、３−メチル−３−メトキシブチルアセテ
ート、３−メチル−３−メトキシブチルプロピオネー
ト、３−メチル−３−メトキシブチルブチレート、酢酸
エチル、酢酸ｎ−プロピル、酢酸ｎ−ブチル、アセト酢
酸メチル、アセト酢酸エチル、ピルビン酸メチル、ピル
ビン酸エチル、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ベン
ジルエチルエーテル、ジ−ｎ−ヘキシルエーテル、ジエ
チレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリ
コールモノエチルエーテル、カプロン酸、カプリル酸、
１−オクタノール、１−ノナノール、ベンジルアルコー
ル、酢酸ベンジル、安息香酸エチル、しゅう酸ジエチ
ル、マレイン酸ジエチル、γ−ブチロラクトン、炭酸エ
チレン、炭酸プロピレン等を挙げることができる。

【０１２３】これらの溶剤は、単独でまたは２種以上を
混合して使用することができるが、就中、直鎖状もしく
は分岐状のケトン類、環状のケトン類、プロピレングリ
コールモノアルキルエーテルアセテート類、２−ヒドロ
キシプロピオン酸アルキル類、３−アルコキシプロピオ
ン酸アルキル類、γ−ブチロラクトン等が好ましい。

【０１２４】レジストパターンの形成方法 本発明の感放射線性樹脂組成物は、特に化学増幅型レジ
ストとして有用である。前記化学増幅型レジストにおい
ては、露光により酸発生剤（Ｂ）から発生した酸の作用
によって、樹脂（Ａ）中の酸解離性基が解離してカルボ
キシル基を生じ、その結果、レジストの露光部のアルカ
リ現像液に対する溶解性が高くなり、該露光部がアルカ
リ現像液によって溶解、除去され、ポジ型のレジストパ
ターンが得られる。本発明の感放射線性樹脂組成物から
レジストパターンを形成する際には、組成物溶液を、回
転塗布、流延塗布、ロール塗布等の適宜の塗布手段によ
って、例えば、シリコンウエハー、アルミニウムで被覆
されたウエハー等の基板上に塗布することにより、レジ
スト被膜を形成し、場合により予め加熱処理（以下、
「ＰＢ」という。）を行ったのち、所定のレジストパタ
ーンを形成するように該レジスト被膜に露光する。その
際に使用される放射線としては、使用される酸発生剤
（Ｂ）の種類に応じて、可視光線、紫外線、遠紫外線、
Ｘ線、荷電粒子線等を適宜選定して使用されるが、Ｋｒ
Ｆエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシ
マレーザー（波長１９３ｎｍ）あるいはＦ₂ エキシマレ
ーザー（波長１５７ｎｍ）に代表される遠紫外線が好ま
しい。本発明においては、露光後に加熱処理（以下、
「ＰＥＢ」という。）を行うことが好ましい。このＰＥ
Ｂにより、酸解離性基の解離反応が円滑に進行する。Ｐ
ＥＢの加熱条件は、感放射線性樹脂組成物の配合組成に
よって変わるが、通常、３０〜２００℃、好ましくは５
０〜１７０℃である。本発明における樹脂（Ａ）、およ
び樹脂（Ａ１）と樹脂（Ａ２）との混合物は、ＰＥＢの
温度が比較的低い場合でも酸解離性基の解離反応が容易
に進行する特性を有するものであり、その意味で、この
ような樹脂を用いることにより、工業的有利にレジスト
パターンを形成することができる。

【０１２５】本発明においては、感放射線性樹脂組成物
の潜在能力を最大限に引き出すため、例えば特公平６−
１２４５２号公報等に開示されているように、使用され
る基板上に有機系あるいは無機系の反射防止膜を形成し
ておくこともでき、また環境雰囲気中に含まれる塩基性
不純物等の影響を防止するため、例えば特開平５−１８
８５９８号公報等に開示されているように、レジスト被
膜上に保護膜を設けることもでき、あるいはこれらの技
術を併用することもできる。次いで、露光されたレジス
ト被膜をアルカリ現像液を用いて現像することにより、
所定のレジストパターンを形成する。前記アルカリ現像
液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウ
ム、炭酸ナトリウム、けい酸ナトリウム、メタけい酸ナ
トリウム、アンモニア水、エチルアミン、ｎ−プロピル
アミン、ジエチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン、ト
リエチルアミン、メチルジエチルアミン、エチルジメチ
ルアミン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモ
ニウムヒドロキシド、ピロール、ピペリジン、コリン、
１，８−ジアザビシクロ−［５．４．０］−７−ウンデ
セン、１，５−ジアザビシクロ−［４．３．０］−５−
ノネン等のアルカリ性化合物の少なくとも１種を溶解し
たアルカリ性水溶液が好ましい。前記アルカリ性水溶液
の濃度は、通常、１０重量％以下である。この場合、ア
ルカリ性水溶液の濃度が１０重量％を超えると、非露光
部も現像液に溶解するおそれがあり好ましくない。

【０１２６】また、前記アルカリ性水溶液には、例えば
有機溶媒を添加することもできる。前記有機溶媒として
は、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルｉ
−ブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノ
ン、３−メチルシクロペンタノン、２，６−ジメチルシ
クロヘキサノン等のケトン類；メチルアルコール、エチ
ルアルコール、ｎ−プロピルアルコール、ｉ−プロピル
アルコール、ｎ−ブチルアルコール、ｔ−ブチルアルコ
ール、シクロペンタノール、シクロヘキサノール、１，
４−ヘキサンジオール、１，４−ヘキサンジメチロール
等のアルコール類；テトラヒドロフラン、ジオキサン等
のエーテル類；酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸ｉ−
アミル等のエステル類；トルエン、キシレン等の芳香族
炭化水素類や、フェノール、アセトニルアセトン、ジメ
チルホルムアミド等を挙げることができる。これらの有
機溶媒は、単独でまたは２種以上を混合して使用するこ
とができる。有機溶媒の使用量は、アルカリ性水溶液に
対して、１００容量％以下が好ましい。この場合、有機
溶媒の使用量が１００容量％を超えると、現像性が低下
して、露光部の現像残りが多くなるおそれがある。ま
た、前記アルカリ性水溶液には、界面活性剤等を適量添
加することもできる。なお、アルカリ現像液で現像した
のちは、一般に、水で洗浄して乾燥する。

【０１２７】

【発明の実施の形態】以下、実施例を挙げて、本発明の
実施の形態をさらに具体的に説明する。但し、本発明
は、これらの実施例に何ら制約されるものではない。こ
こで、部は、特記しない限り重量基準である。実施例お
よび比較例における各測定・評価は、下記の要領で行っ
た。 Ｍｗ：東ソー（株）製ＧＰＣカラム（Ｇ２０００HXL ２
本、Ｇ３０００HXL １本、Ｇ４０００HXL １本）を用
い、流量１．０ミリリットル／分、溶出溶媒テトラヒド
ロフラン、カラム温度４０℃の分析条件で、単分散ポリ
スチレンを標準とするゲルパーミエーションクロマトグ
ラフィー（ＧＰＣ）により測定した。 放射線透過率：組成物溶液を石英ガラス上にスピンコー
トにより塗布し、９０℃に保持したホットプレート上で
６０秒間ＰＢを行って形成した膜厚０．３４μｍのレジ
スト被膜について、波長１９３ｎｍにおける吸光度か
ら、放射線透過率を算出して、遠紫外線領域における透
明性の尺度とした。

【０１２８】感度：基板として、表面に膜厚８２０Åの
ＡＲＣ２５（ブルワー・サイエンス（Brewer Science）
社製）膜を形成したシリコーンウエハー（ＡＲＣ２５）
を用い、各組成物溶液を、基板上にスピンコートにより
塗布し、ホットプレート上にて、表２に示す条件でＰＢ
を行って形成した膜厚０．３４μｍのレジスト被膜に、
（株）ニコン製ＡｒＦエキシマレーザー露光装置（レン
ズ開口数０．５５、露光波長１９３ｎｍ）により、マス
クパターンを介して露光した。その後、表２に示す条件
でＰＥＢを行ったのち、２．３８重量％のテトラメチル
アンモニウムヒドロキシド水溶液により、２５℃で６０
秒間現像し、水洗し、乾燥して、ポジ型のレジストパタ
ーンを形成した。このとき、線幅０．１６μｍのライン
・アンド・スペースパターン（１Ｌ１Ｓ）を１対１の線
幅に形成する露光量を最適露光量とし、この最適露光量
を感度とした。 解像度：最適露光量で解像される最小のレジストパター
ンの寸法を、解像度とした。

【０１２９】ドライエッチング耐性：組成物溶液をシリ
コーンウエハー上にスピンコートにより塗布し、乾燥し
て形成した膜厚０．５μｍのレジスト被膜に対して、Ｐ
ＭＴ社製ドライエッチング装置（Pinnacle8000) を用
い、エッチングガスをＣＦ₄ とし、ガス流量７５ｓｃｃ
ｍ、圧力２．５ｍＴｏｒｒ、出力２，５００Ｗの条件で
ドライエッチングを行って、エッチング速度を測定し、
クレゾールノボラック樹脂からなる被膜のエッチング速
度に対する相対値により、相対エッチング速度を評価し
た。エッチング速度が小さいほど、ドライエッチング耐
性に優れることを意味する。 パターン形状：線幅０．１６μｍのライン・アンド・ス
ペースパターン（１Ｌ１Ｓ）の方形状断面の下辺寸法Ｌ
b と上辺寸法Ｌa とを走査型電子顕微鏡により測定し、
０．８５≦Ｌa ／Ｌb ≦１を満足し、かつパターン形状
が裾を引いていない場合を、パターン形状が“良好”と
した。

【０１３０】合成例１ 下記式（７）で表される化合物（以下、「メタクリル酸
エステル（７）」という。）５１．０２ｇ（５０モル
％）、下記式（８）で表される化合物（以下、「メタク
リル酸エステル（８）」という。）２７．２９ｇ（３０
モル％）、下記式（９）で表される化合物（以下、「メ
タクリル酸エステル（９）」という。）２１．６９g
（２０モル％）およびアゾビスイソ吉草酸メチル４．２
２ｇを２−ブタノン１００ｇに溶解した単量体溶液を準
備した。別に、容量１，０００ミリリットルの三口フラ
スコに２−ブタノン２００ミリリットルを入れて、３０
分間窒素パージを行ったのち、攪拌しながら８０℃に保
持し、前記単量体溶液を滴下漏斗から３時間かけて滴下
し、さらに３時間加熱して重合した。重合終了後、反応
溶液を水冷して３０℃以下に冷却し、メタノール２，０
００ｇ中へ投入して、析出した白色粉末をろ別した。そ
の後、白色粉末をメタノール４００ｇと混合する洗浄操
作を２回行って、炉別したのち、５０℃にて１７時間乾
燥して、白色粉末の樹脂６９ｇ（収率６９重量％）を得
た。この樹脂はＭｗが９，２００であり、メタクリル酸
エステル（７）、メタクリル酸エステル（８）およびメ
タクリル酸エステル（９）に由来する各繰り返し単位の
含有率が５０．２／２９．２／２０．６（モル％）の共
重合体であった。この樹脂を樹脂（Ａ-1) とする。

【０１３１】

【化１８】

【０１３２】合成例２ 下記式（１０）で表される化合物（以下、「メタクリル
酸エステル（１０）」という。）５３．７８ｇ（５０モ
ル％）、メタクリル酸エステル（８）２５．７５ｇ（３
０モル％）、メタクリル酸エステル（９）２０．４７ｇ
（２０モル％）およびアゾビスイソ吉草酸メチル３．９
９ｇを２−ブタノン１００ｇに溶解した単量体溶液を用
いた以外は、合成例１と同様にして、白色粉末の樹脂６
７ｇ（収率６７重量％）を得た。この樹脂はＭｗが９，
７００であり、メタクリル酸エステル（１０）、メタク
リル酸エステル（８）およびメタクリル酸エステル
（９）に由来する各繰り返し単位の含有率が４８．４／
３０．２／２１．４（モル％）の共重合体であった。こ
の樹脂を樹脂（Ａ-2）とする。

【０１３３】

【化１９】

【０１３４】合成例３ メタクリル酸エステル（７）５０．１９ｇ（５０モル
％）、メタクリル酸エステル（８）１８．００ｇ（２０
モル％）、メタクリル酸エステル（９）２１．３４ｇ
（２０モル％）、下記式（１１）で表される化合物（以
下、「メタクリル酸エステル（１１）」という。）１
０．０９ｇ（１０モル％）およびアゾビスイソ吉草酸メ
チル４．１８ｇを２−ブタノン１００ｇに溶解した単量
体溶液を用いた以外は、合成例１と同様にして、白色粉
末の樹脂７２ｇ（収率７２重量％）を得た。この樹脂は
Ｍｗが９，４００であり、メタクリル酸エステル
（７）、メタクリル酸エステル（８）、メタクリル酸エ
ステル（９）およびメタクリル酸エステル（１１）に由
来する各繰り返し単位の含有率が４９．４／２０．６／
２０．２／９．８（モル％）の共重合体であった。この
樹脂を樹脂（Ａ-3）とする。

【０１３５】

【化２０】

【０１３６】合成例４ メタクリル酸エステル（７）２９．９０ｇ（３０モル
％）、メタクリル酸エステル（８）２６．６５ｇ（３０
モル％）、メタクリル酸エステル（９）２１．１８ｇ
（２０モル％）、メタクリル酸エステル（１０）２２．
２６ｇ（２０モル％）およびアゾビスイソ吉草酸メチル
４．１３ｇを２−ブタノン１００ｇに溶解した単量体溶
液を用いた以外は、合成例１と同様にして、白色粉末の
樹脂６７ｇ（収率６７重量％）を得た。この樹脂はＭｗ
が８，９００であり、メタクリル酸エステル（７）、メ
タクリル酸エステル（８）、メタクリル酸エステル
（９）およびメタクリル酸エステル（１０）に由来する
各繰り返し単位の含有率が３１．２／３０．１／１９．
８／１８．９（モル％）の共重合体であった。この樹脂
を樹脂（Ａ-4）とする。

【０１３７】合成例５ 下記式（１２）で表されるメタクリル酸エステル（以
下、「メタクリル酸エステル（１２）」という。）３
５．５９ｇ（４０モル％）、下記式（１３）で表される
メタクリル酸エステル（以下、「メタクリル酸エステル
（１３）」という。）１５．５５ｇ（１５モル％）、メ
タクリル酸エステル（１１）４８．８６ｇ（４５モル
％）およびアゾビスイソ酪酸メチル６．７５ｇを２−ブ
タノン１００ｇに溶解した単量体溶液を用いた以外は、
合成例１と同様にして、白色粉末の樹脂７６ｇ（収率７
６重量％）を得た。この樹脂はＭｗが７，３００であ
り、メタクリル酸エステル（１２）、メタクリル酸エス
テル（１３）およびメタクリル酸エステル（１１）に由
来する各繰り返し単位の含有率が３７．５／１４．８／
４７．７（モル％）の共重合体であった。この樹脂を樹
脂（Ａ-5）とする。

【０１３８】

【化２１】

【０１３９】合成例６ 下記式（１４）で表されるメタクリル酸エステル（以
下、「メタクリル酸エステル（１４）」という。）３
７．７３ｇ（３５モル％）、メタクリル酸エステル（１
２）１１．６１ｇ（１５モル％）、メタクリル酸エステ
ル（１３）９．７６ｇ（１０モル％）、メタクリル酸エ
ステル（１１）４０．９０ｇ（４０モル％）およびアゾ
ビスイソ酪酸メチル５．２９ｇを２−ブタノン１００ｇ
に溶解した単量体溶液を用いた以外は、合成例１と同様
にして、白色粉末の樹脂７３ｇ（収率７３重量％）を得
た。この樹脂はＭｗが７，８００であり、メタクリル酸
エステル（１４）、メタクリル酸エステル（１２）、メ
タクリル酸エステル（１３）およびメタクリル酸エステ
ル（１１）に由来する各繰り返し単位の含有率が３３．
３／１３．２／９．３／４４．２（モル％）の共重合体
であった。この樹脂を樹脂（Ａ-6）とする。

【０１４０】

【化２２】

【０１４１】合成例７ メタクリル酸エステル（７）１６．４８ｇ（１５モル
％）、メタクリル酸エステル（１２）２９．１０ｇ（３
５モル％）、メタクリル酸エステル（１３）１０．４９
ｇ（１０モル％）、メタクリル酸エステル（１１）４
３．９３ｇ（４０モル％）およびアゾビスイソ酪酸メチ
ル５．６９ｇを２−ブタノン１００ｇに溶解した単量体
溶液を用いた以外は、合成例１と同様にして、白色粉末
の樹脂６９ｇ（収率６９重量％）を得た。この樹脂はＭ
ｗが７，５００であり、メタクリル酸エステル（７）、
メタクリル酸エステル（１２）、メタクリル酸エステル
（１３）およびメタクリル酸エステル（１１）に由来す
る各繰り返し単位の含有率が１３．８／３３．７／８．
７／４３．８（モル％）の共重合体であった。この樹脂
を樹脂（Ａ-7）とする。

【０１４２】合成例８ メタクリル酸エステル（７）４０．７３ｇ（４０モル
％）、下記式（１５）で表されるメタクリル酸エステル
（以下、「メタクリル酸エステル（１５）」という。）
１３．４７ｇ（１５モル％）、メタクリル酸エステル
（１１）４５．８０ｇ（４５モル％）およびアゾビスイ
ソ酪酸メチル５．２７ｇを２−ブタノン１００ｇに溶解
した単量体溶液を用いた以外は、合成例１と同様にし
て、白色粉末の樹脂７７ｇ（収率７７重量％）を得た。
この樹脂はＭｗが８，１００であり、メタクリル酸エス
テル（７）、メタクリル酸エステル（１５）およびメタ
クリル酸エステル（１１）に由来する各繰り返し単位の
含有率が３７．５／１４．１／４８．４（モル％）の共
重合体であった。この樹脂を樹脂（Ａ-8）とする。

【０１４３】

【化２３】

【０１４４】合成例９ メタクリル酸エステル（１４）３４．３１ｇ（３５モル
％）、下記式（１６）で表されるメタクリル酸エステル
（以下、「メタクリル酸エステル（１６）」という。）
１０．５５ｇ（１５モル％）、下記式（１７）で表され
るメタクリル酸エステル（以下、「メタクリル酸エステ
ル（１７）」という。）２２．６１ｇ（１５モル％）、
メタクリル酸エステル（１１）３２．５４ｇ（３５モル
％）およびアゾビスイソ酪酸メチル４．８１ｇを２−ブ
タノン１００ｇに溶解した単量体溶液を用いた以外は、
合成例１と同様にして、白色粉末の樹脂８６ｇ（収率８
６重量％）を得た。この樹脂はＭｗが１２，７００であ
り、メタクリル酸エステル（１４）、メタクリル酸エス
テル（１６）、メタクリル酸エステル（１７）およびメ
タクリル酸エステル（１１）に由来する各繰り返し単位
の含有率が３２．９／１３．８／１２．４／４０．９
（モル％）の共重合体であった。この樹脂を樹脂（Ａ-
9）とする。

【０１４５】

【化２４】

【０１４６】合成例１０ メタクリル酸エステル（７）１４．２６ｇ（１５モル
％）、メタクリル酸エステル（１５）２９．３６ｇ（３
５モル％）、メタクリル酸エステル（１７）２３．１１
ｇ（１５モル％）、メタクリル酸エステル（１１）３
３．２７ｇ（３５モル％）およびアゾビスイソ酪酸メチ
ル４．９２ｇを２−ブタノン１００ｇに溶解した単量体
溶液を用いた以外は、合成例１と同様にして、白色粉末
の樹脂７２ｇ（収率７２重量％）を得た。この樹脂はＭ
ｗが１３，１００であり、メタクリル酸エステル
（７）、メタクリル酸エステル（１５）、メタクリル酸
エステル（１７）およびメタクリル酸エステル（１１）
に由来する各繰り返し単位の含有率が１４．３／３２．
９／１２．８／４０．０（モル％）の共重合体であっ
た。この樹脂を樹脂（Ａ-10)とする。

【０１４７】

【実施例】実施例１〜１１および比較例１ 表１に示す成分からなる各組成物溶液について、各種評
価を行った。評価結果を表３に示す。表１における樹脂
（Ａ-1）〜（Ａ-10)以外の成分は以下のとおりである。 他の重合体 ａ-1：メタクリル酸ｔ−ブチル／メタクリル酸メチル／
メタクリル酸共重合体（共重合モル比＝４０／４０／２
０、Ｍｗ＝２０，０００） 酸発生剤（Ｂ） Ｂ-1：１−（４−ｎ−ブトキシナフタレン−１−イル）
テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−ｎ−ブタン
スルホネート Ｂ-2：１−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニ
ル）テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−ｎ−ブ
タンスルホネート Ｂ-3：トリフェニルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブ
タンスルホネート 酸拡散制御剤 Ｃ-1：２−フェニルベンズイミダゾール Ｃ-2：Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−２−フェニルベン
ズイミダゾール 溶剤 Ｄ-1：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテ
ート Ｄ-2：２−ヘプタノン Ｄ-3：シクロヘキサノン

【０１４８】

【表１】

【０１４９】

【表２】

【０１５０】

【表３】

【０１５１】

【発明の効果】本発明の感放射線性樹脂組成物は、活性
光線、例えばＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎ
ｍ）あるいはＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎ
ｍ）に代表される遠紫外線に感応する化学増幅型レジス
トとして、放射線に対する透明性が高く、特に解像度に
優れており、しかも感度、ドライエッチング耐性、パタ
ーン形状にも優れ、また基板に対する接着性およびパタ
ーンの裾形状も良好であり、今後ますます微細化が進行
すると予想される集積回路素子の製造に極めて好適に使
用できる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山本 將史 東京都中央区築地二丁目11番24号 ジェイ エスアール株式会社内 (72)発明者 西村 功 東京都中央区築地二丁目11番24号 ジェイ エスアール株式会社内 Ｆターム(参考） 2H025 AA01 AA02 AA03 AA09 AB16 AC04 AC08 AD03 BE00 BE10 BG00 CB14 CB41 FA17 4J100 AL08P AL08Q AL08R BA03R BB18R BC03P BC08P BC08R BC09P BC09R BC53Q CA04 CA05 CA06 FA02 JA37

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （Ａ）下記一般式（１）に示す繰り返し
   単位（１−１）および繰り返し単位（１−２）（但し、
   繰り返し単位（１−１）に相当する単位を除く。）の群
   から選ばれる繰り返し単位の少なくとも１種と、下記一
   般式（２）に示す繰り返し単位（２−１）、繰り返し単
   位（２−２）および繰り返し単位（２−３）の群から選
   ばれるラクトン骨格を有する繰り返し単位の少なくとも
   １種とを含有し、酸の作用によりアルカリ可溶性となる
   アルカリ不溶性またはアルカリ難溶性の樹脂、並びに
   （Ｂ）感放射線性酸発生剤を含有することを特徴とする
   感放射線性樹脂組成物。 【化１】 〔一般式（１）において、Ｒ¹ は水素原子あるいはメチ
   ル基を示し、Ａ¹ は単結合または−Ｘ¹ −ＣＯＯ−（但
   し、Ｘ¹ はメチレン基、炭素数１０以下の直鎖状もしく
   は分岐状のアルキレン基または炭素数１０以下の非有橋
   型もしくは有橋型の２価の脂環式炭化水素基を示す。）
   を示し、各Ｒ² は相互に独立に炭素数１〜６の直鎖状も
   しくは分岐状のアルキル基を示し、Ｒ³ は水素原子、炭
   素数１〜６の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基または
   炭素数１〜６の直鎖状もしくは分岐状の酸素含有有機基
   を示し、ｎは０または１であり、Ｒ⁴ は水素原子あるい
   はメチル基を示し、Ａ² は単結合または−Ｘ² −ＣＯＯ
   −（但し、Ｘ² はメチレン基、炭素数１０以下の直鎖状
   もしくは分岐状のアルキレン基または炭素数１０以下の
   非有橋型もしくは有橋型の２価の脂環式炭化水素基を示
   す。）を示し、各Ｒ⁵ は相互に独立に炭素数１〜４の直
   鎖状もしくは分岐状のアルキル基または炭素数４〜２０
   の非有橋型もしくは有橋型の１価の脂環式炭化水素基を
   示し、かつ少なくとも１つのＲ⁵ が炭素数１〜４の直鎖
   状もしくは分岐状のアルキル基であるか、あるいは何れ
   か２つのＲ⁵ が相互に結合して、それぞれが結合してい
   る炭素原子と共に炭素数４〜２０の非有橋型もしくは有
   橋型の２価の脂環式炭化水素基を形成し、残りのＲ⁵ が
   炭素数１〜４の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基を示
   す。〕 【化２】 〔一般式（２）において、Ｒ⁶ は水素原子あるいはメチ
   ル基を示し、Ａ³ は単結合または−Ｘ³ −ＣＯＯ−（但
   し、Ｘ³ はメチレン基、炭素数１０以下の直鎖状もしく
   は分岐状のアルキレン基または炭素数１０以下の非有橋
   型もしくは有橋型の２価の脂環式炭化水素基を示す。）
   を示し、Ｒ⁷ は炭素数１〜６の直鎖状もしくは分岐状の
   アルキル基または炭素数１〜６の直鎖状もしくは分岐状
   の酸素含有有機基を示し、複数存在するＲ⁷ は相互に同
   一でも異なってもよく、ｉは０〜４の整数であり、ｊは
   ０または１であり、ｋは１〜３の整数であり、Ｒ⁸ は水
   素原子あるいはメチル基を示し、Ｂはメチレン基、酸素
   原子または硫黄原子を示し、Ｒ⁹ は水素原子、炭素数１
   〜６の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基または炭素数
   １〜６の直鎖状もしくは分岐状の酸素含有有機基を示
   し、Ｒ¹⁰は水素原子あるいはメチル基をし、Ｒ¹¹は水素
   原子、炭素数１〜６の直鎖状もしくは分岐状のアルキル
   基または炭素数１〜６の直鎖状もしくは分岐状の酸素含
   有有機基を示す。〕
2. 【請求項２】 （Ａ１）請求項１に記載の繰り返し単位
   （１−１）と、請求項１に記載の繰り返し単位（２−
   １）、繰り返し単位（２−２）および繰り返し単位（２
   −３）の群から選ばれるラクトン骨格を有する繰り返し
   単位の少なくとも１種とを含有し、酸の作用によりアル
   カリ可溶性となるアルカリ不溶性またはアルカリ難溶性
   の樹脂、（Ａ２）請求項１に記載の繰り返し単位（１−
   ２）（但し、繰り返し単位（１−１）に相当する単位を
   除く。）と、請求項１に記載の繰り返し単位（２−
   １）、繰り返し単位（２−２）および繰り返し単位（２
   −３）の群から選ばれるラクトン骨格を有する繰り返し
   単位の少なくとも１種とを含有し、酸の作用によりアル
   カリ可溶性となるアルカリ不溶性またはアルカリ難溶性
   の樹脂、並びに（Ｂ）感放射線性酸発生剤を含有するこ
   とを特徴とする感放射線性樹脂組成物。
3. 【請求項３】 繰り返し単位（１−２）中の−Ｃ（Ｒ⁵)
   ₃ 構造が２−メチル−２−トリシクロデカニル基、２−
   エチル−２−トリシクロデカニル基、２−メチル−２−
   アダマンチル基、２−エチル−２−アダマンチル基、１
   −メチルシクロペンチル基、１−エチルシクロペンチル
   基、１−メチルシクロヘキシル基または１−エチルシク
   ロヘキシル基であることを特徴とする請求項１または請
   求項２に記載の感放射線性樹脂組成物。
4. 【請求項４】 繰り返し単位（２−１）が下記式（２−
   １−１）、式（２−１−２）、式（２−１−３）または
   式（２−１−４）で表される繰り返し単位からなり、繰
   り返し単位（２−２）が下記式（２−２−１）で表され
   る繰り返し単位からなり、繰り返し単位（２−３）が下
   記式（２−３−１）で表される繰り返し単位からなるこ
   とを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の感放射線
   性樹脂組成物。 【化３】 〔但し、Ｒ⁶ は一般式（２−１）におけるＲ⁶ と同義で
   ある。〕 【化４】 〔但し、Ｒ⁸ は一般式（２−２）におけるＲ⁸ と同義で
   あり、Ｒ¹⁰は一般式（２−３）におけるＲ¹⁰と同義であ
   る。〕
5. 【請求項５】 （Ａ）成分の樹脂におけるラクトン骨格
   を有する繰り返し単位、あるいは（Ａ１）成分の樹脂お
   よび／または（Ａ２）成分の樹脂中におけるラクトン骨
   格を有する繰り返し単位が、請求項４に記載の式（２−
   １−１）で表される繰り返し単位からなることを特徴と
   する請求項４に記載の感放射線性樹脂組成物。
6. 【請求項６】 （Ａ）成分の樹脂、あるいは（Ａ１）成
   分の樹脂および／または（Ａ２）成分の樹脂が、さらに
   下記一般式（３）で表される繰り返し単位を含有するこ
   とを特徴とする請求項１〜５の何れかに記載の感放射線
   性樹脂組成物。 【化５】 〔一般式（３）において、Ｒ¹²は水素原子あるいはメチ
   ル基を示し、Ｙはフッ素原子で置換されてもよい炭素数
   １２以下のｍ価の炭化水素基を示し、Ｄは（ｍ−１）価
   の極性基を示し、ｍは２または３である。〕