JP2011026608A - 化学増幅型ポジ型レジスト組成物及び(メタ)アクリル酸誘導体とその製法 - Google Patents
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Abstract
Description
一方、プロセス面においては、レジストの塗布、露光、現像によりパターンを形成した後、高温ベークにより、レジストを膨潤させることによって、谷の幅やホールの径を狭めて、パターンの微細化を行う工程(以降、「リフロー工程」と称する。)を追加する技術が存在する(例えば、特許文献1参照)。
本発明の目的は、ArFエキシマレーザーリソグラフィに適した、解像度、感度、パターン形状などの性能に加えて、特に、ラインエッジラフネスが良好であるレジスト組成物、さらには、リフロー工程においてパターンをより微細化できる化学増幅型ポジ型レジスト組成物を提供することにある。
また、本発明の目的は、前記のレジスト組成物の成分である樹脂の新規なモノマーとその製法を提供することにある。
(式中、Xは、水素原子、炭素数1〜4のアルキル又は炭素数1〜4のペルフルオロアルキルを示す。Yは、記載の炭素原子(Rと結合している炭素原子)とともに脂環式炭化水素基を完成するのに必要な複数の原子を示す。
Zは、炭素数1〜12の2価の炭化水素基を示す。
Rは、炭素数1〜6のアルキル又は炭素数3〜12の脂環式炭化水素基を示す。)
と式(II)〜(V)で示される繰り返し単位からなる群から選ばれた少なくとも一つの繰り返し単位(ただし、式(I)で示される繰り返し単位とは異なる。)とを有する樹脂及び酸発生剤を含む感放射線組成物に係るものである。
Yは、前記の定義と同じであり、Yは、記載の炭素原子(R1と結合している炭素原子)とともに脂環式炭化水素基を完成するのに必要な複数の原子を示す。
Z1〜Z4は、互いに独立に、炭素数1〜12の2価の炭化水素基を示す。
n1〜n4は、互いに独立に、0〜3の整数を示す。
R1は、炭素数1〜6のアルキル又は炭素数3〜12のシクロアルキルを示す。
Aは、炭素数1〜12の炭化水素基を示す。
R2、R3は、互いに独立に、水酸基又はヒドロキシメチルを示す。
Gは、−(CO)O−又は−O−を示す。
R4は、炭素数1〜4のアルキル又は炭素数1〜4のアルコキシを示す。
p、qは、互いに独立に、0〜2の整数を示す。)
(式中、X11は、水素原子、メチル又はトリフルオロメチルを示す。
R11がメチルであり、Y2が記載の炭素原子(R11と結合している炭素原子)とともにアダマンタン骨格を完成し、かつZ7がメチレン、トリメチレンもしくはテトラメチレンであるか;又はR11がエチル、イソプロピルもしくはブチルであり、Y2が記載の炭素原子とともにアダマンタン骨格を完成し、かつZ7がメチレン、エチレン、トリメチレンもしくはテトラメチレンであるか;又はR11がメチル、エチル、イソプロピルもしくはブチルであり、Y2がテトラメチレン、ペンタメチレンか、もしくは記載の炭素原子とともにノルボルネン骨格を完成し、かつZ7がメチレン、エチレン、トリメチレンもしくはテトラメチレンである。)
(式中、X12は、水素原子、メチル又はトリフルオロメチルを示す。
Z8は、エチレン、トリメチレン、テトラメチレン、メチルカルボニル、エチルカルボニル、プロピルカルボニル又はブチルカルボニルを示す。)
(式中、X13は、水素原子、メチル又はトリフルオロメチルを示す。Z9は、メチレン、エチレン、トリメチレン又はテトラメチレンを示す。p2は、0又は1である。)
(式中、Y3は、記載の炭素原子(R13と結合している炭素原子)とともに、シクロペンタン骨格、シクロヘキサン骨格、ノルボルネン骨格又はアダマンタン骨格を完成する。)式(XVI)で示される酸ハロゲン化物誘導体とを
(式中、W1、W2は、互いに独立に、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を示す。
上記式(XV)でR13がメチルであり、かつY3が記載の炭素原子とともに、アダマンタン骨格を完成するときは、Z10はメチレン、トリメチレンもしくはテトラメチレンであるか;又はR13がエチル、イソプロピルもしくはブチルであり、かつY3が記載の炭素原子とともに、アダマンタン骨格を完成するときは、Z10はメチレン、エチレン、トリメチレンもしくはテトラメチレンであるか;又はR13がメチル、エチル、イソプロピルもしくはブチルであり、かつY3が記載の炭素原子とともに、シクロペンタン骨格、シクロヘキサン骨格、もしくはノルボルネン骨格を完成するときは、Z10は、メチレン、エチレン、トリメチレンもしくはテトラメチレンである。)
縮合させた後、得られた縮合物と式(XVII)で示されるカルボン酸と
(式中、X14は、水素原子、メチル又はトリフルオロメチルを示す。)
を脱酸剤の存在下に反応させる〔2〕に記載の(メタ)アクリル酸誘導体の製造法に係るものである。
(式中、W3は、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を示す。)
式(XIX)で示される誘導体とを
(式中、X15は、水素原子、メチル又はトリフルオロメチルを示す。
Z11は、メチレン、エチレン、トリメチレン、テトラメチレン、メチルカルボニル、エチルカルボニル、プロピルカルボニル又はブチルカルボニルを示す。)
脱酸剤の存在下に反応させる〔3〕に記載の(メタ)アクリル酸誘導体の製造法に係るものである。
(式中、R15は、水酸基を示す。p3は、0又は1を示す。)
式(XXI)で示される誘導体とを
(式中、X16は、水素原子、メチル又はトリフルオロメチルを示す。Z15は、メチレン、エチレン、トリメチレン又はテトラメチレンを示す。)
酸触媒の存在下にエステル化反応させる〔4〕に記載の(メタ)アクリル酸誘導体の製造法に係るものである。
更に、本発明は、〔8〕 式(XII‘)で示される繰り返し単位
(式中、X11は、水素原子、メチル又はトリフルオロメチルを示す。R11がメチルであり、Y2が記載の炭素原子(R11と結合している炭素原子)とともにアダマンタン骨格を完成し、かつZ7がメチレン、トリメチレンもしくはテトラメチレンであるか;又はR11がエチル、イソプロピルもしくはブチルであり、Y2が記載の炭素原子とともにアダマンタン骨格を完成し、かつZ7がメチレン、エチレン、トリメチレンもしくはテトラメチレンであるか;又はR11がメチル、エチル、イソプロピルもしくはブチルであり、Y2がテトラメチレン、ペンタメチレンか、もしくは記載の炭素原子とともにノルボルネン骨格を完成し、かつZ7がメチレン、エチレン、トリメチレンもしくはテトラメチレンである。)と式(II)〜(V)で示される繰り返し単位からなる群から選ばれた少なくとも一つの繰り返し単位(ただし、式(XII’)で示される繰り返し単位とは異なる。)とを含むことを特徴とする〔1〕に記載の(メタ)アクリル系重合体に係わるものである。
(式中、X1〜X4は、互いに独立に、水素原子、炭素数1〜4のアルキル又は炭素数1〜4のペルフルオロアルキルを示す。
Yは、前記の定義と同じである。
Z1〜Z4は、互いに独立に、炭素数1〜12の2価の炭化水素基を示す。
n1〜n4は、互いに独立に、0〜3の整数を示す。
R1は、炭素数1〜6のアルキル又は炭素数3〜12のシクロアルキルを示す。
Aは、炭素数1〜12の炭化水素基を示す。
R2、R3は、互いに独立に、水酸基又はヒドロキシメチルを示す。
Gは、−(CO)O−又は−O−を示す。
R4は、炭素数1〜4のアルキル又は炭素数1〜4のアルコキシを示す。
p、qは、互いに独立に、0〜2の整数を示す。)
なお、式(I)においてYは、式(I)にYと点線で結合を表記したRと結合している炭素原子とともに脂環式炭化水素基を完成させるのに必要な複数の原子であり、すなわち、Yは、炭素原子と水素原子がそれぞれ複数結合してなる2価の基であって、Rと結合している炭素原子のみに結合し、該炭素原子とともに2価の脂環式炭化水素基を形成する炭化水素基である。
(式中の記号は、これまでに定義した内容と同じである。)
(式中の記号は、これまでに定義した内容と同じである。)
式(XXVII)のアルコール誘導体1モルに対して、式(XXVI)の(メタ)アクリル酸誘導体は、当量から大過剰、好ましくは、当量から1.5倍量であり、酸触媒は、触媒量から等量、好ましくは、触媒量から0.5倍量である。脱水エステル化反応に、酸触媒を使用せずに、ジシクロヘキシルカルボジイミドのような脱水剤を用いることも可能である。
一級水酸基と二級水酸基が共存する時は、一級水酸基を、例えば、シリル基のような保護基で不活性化する方が好ましい。
反応には、テトラブチルアンモニウムブロミドのような相間移動触媒を添加することも可能である。得られた縮合物は、通常の後処理によって取り出すことができる。この縮合物は、クロマトグラフィーあるいは、再結晶あるいは、蒸留によって精製することも可能である。
本発明における樹脂の製造方法における反応温度は、0〜150℃の範囲であって、好ましくは40〜100℃の範囲である。
(X5は、水素原子、炭素数1〜4のアルキル又は炭素数1〜4のペルフルオロアルキルを示す。Y1は、記載の炭素原子(R5と結合している炭素原子)とともに炭素数2〜12の脂環式炭化水素基を完成するのに必要な複数の原子を示す。Z5は、炭素数1〜12の2価の炭化水素基を示す。R5は、炭素数1〜6のアルキル又は炭素数3〜12の脂環式炭化水素基を示す。)と式(III)、(VII)、(VIII)で示される繰り返し単位からなる群から選ばれた少なくとも一つの繰り返し単位(ただし、式(VI)で示される繰り返し単位とは異なる。)とを有する〔1〕に記載の感放射線組成物が挙げられる。
(式中、X2、X6、X7は、水素原子、炭素数1〜4のアルキル又は炭素数1〜4のペルフルオロアルキルを示す。
Aは、炭素数1〜12の炭化水素基を示す。
Z2は、炭素数1〜12の2価の炭化水素基を示す。
n2は、0〜3の整数を示す。
R6、R7は、互いに独立に、水酸基又はヒドロキシメチルを示す。
R8は、炭素数1〜4のアルキル又は炭素数1〜4のアルコキシを示す。
r、sは、互いに独立に、0〜2の整数を示す。)
(X8は、水素原子、炭素数1〜4のアルキル又は炭素数1〜4のペルフルオロアルキルを示す。
Z6は、メチレン、エチレン、トリメチレン又はテトラメチレンを示す。
R9は、炭素数1〜4のアルキルを示す。)
と式(VII)および(VIII)で示される繰り返し単位からなる群から選ばれた少なくとも一つの繰り返し単位とを有する〔1〕に記載の感放射線組成物が挙げられる。
(式中、X6、X7は、互いに独立に、水素原子、炭素数1〜4のアルキル又は炭素数1〜4のペルフルオロアルキルを示す。R6、R7は、互いに独立に、水酸基又はヒドロキシメチルを示す。R8は、炭素数1〜4のアルキル又は炭素数1〜4のアルコキシを示す。r、sは、互いに独立に、0〜2の整数を示す。)
(式中、X8は、水素原子又はメチルを示す。
R9は、メチル、エチル、イソプロピル又はブチルを示す。)
と式(XI)、(VIII’)で示される繰り返し単位からなる群から選ばれた少なくとも一つの繰り返し単位とを有する〔1〕に記載の感放射線組成物に係るものである。
(式中、X9、X10は、互いに独立に、水素原子又はメチルを示す。R9は、水酸基又はヒドロキシメチルを示す。R10は、水酸基又はヒドロキシメチルを示す。p1は、0又は1である。)
本発明のレジスト組成物における酸発生剤は、その物質自体に、あるいはその物質を含むレジスト組成物に、光や電子線などの放射線を作用させることにより、その物質が分解して酸を発生するものである。酸発生剤から発生する酸が前記樹脂に作用して、その樹脂中に存在する酸の作用で解裂する基を解裂させることになる。このような酸発生剤には、例えば、オニウム塩化合物、有機ハロゲン化合物、スルホン化合物、スルホネート化合物などが包含される。具体的には、次のような化合物を挙げることができる。
4−メトキシフェニルフェニルヨードニウム ヘキサフルオロアンチモネート、
4−メトキシフェニルフェニルヨードニウム トリフルオロメタンスルホネート、
ビス(4−tert−ブチルフェニル)ヨードニウム テトラフルオロボレート、
ビス(4−tert−ブチルフェニル)ヨードニウム ヘキサフルオロホスフェート、
ビス(4−tert−ブチルフェニル)ヨードニウム ヘキサフルオロアンチモネート、
ビス(4−tert−ブチルフェニル)ヨードニウム トリフルオロメタンスルホネート、
トリフェニルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモネート、
トリフェニルスルホニウム トリフルオロメタンスルホネート、
トリフェニルスルホニウム アダマンタンメトキシカルボニルジフルオロメチルスルホネート
トリフェニルスルホニウム 1−(3―ヒドロキシメチルアダマンタン)メトキシカルボニルジフルオロメチルスルホネート
4−メトキシフェニルジフェニルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモネート、
4−メトキシフェニルジフェニルスルホニウム トリフルオロメタンスルホネート、
p−トリルジフェニルスルホニウム トリフルオロメタンスルホネート、
p−トリルジフェニルスルホニウム パーフルオロオクタンスルホネート、
2,4,6−トリメチルフェニルジフェニルスルホニウム トリフルオロメタンスルホネート、
4−tert−ブチルフェニルジフェニルスルホニウム トリフルオロメタンスルホネート、
4−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウム ヘキサフルオロホスフェート、
4−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモネート、 1−(2−ナフトイルメチル)チオラニウム ヘキサフルオロアンチモネート、
1−(2−ナフトイルメチル)チオラニウム トリフルオロメタンスルホネート、
4−ヒドロキシ−1−ナフチルジメチルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモネート、
4−ヒドロキシ−1−ナフチルジメチルスルホニウム トリフルオロメタンスルホネート、
2,4,6−トリス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、
2−フェニル−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、
2−(4−クロロフェニル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、
2−(4−メトキシフェニル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、
2−(4−メトキシ−1−ナフチル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、
2−(ベンゾ[d][1,3]ジオキソラン−5−イル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、
2−(4−メトキシスチリル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、
2−(3,4,5−トリメトキシスチリル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、
2−(3,4−ジメトキシスチリル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、
2−(2,4−ジメトキシスチリル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、
2−(2−メトキシスチリル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、
2−(4−ブトキシスチリル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、
2−(4−ペンチルオキシスチリル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、
2−ベンゾイル−2−ヒドロキシ−2−フェニルエチル p−トルエンスルホネート(通称α−メチロールベンゾイントシレート)、
1,2,3−ベンゼントリイル トリスメタンスルホネート、
2,6−ジニトロベンジル p−トルエンスルホネート、
2−ニトロベンジル p−トルエンスルホネート、
4−ニトロベンジル p−トルエンスルホネート、
ジ−p−トリル ジスルホン、
ビス(フェニルスルホニル)ジアゾメタン、
ビス(4−クロロフェニルスルホニル)ジアゾメタン、
ビス(p−トリルスルホニル)ジアゾメタン、
ビス(4−tert−ブチルフェニルスルホニル)ジアゾメタン、
ビス(2,4−キシリルスルホニル)ジアゾメタン、
ビス(シクロヘキシルスルホニル)ジアゾメタン、
(ベンゾイル)(フェニルスルホニル)ジアゾメタン、
N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)スクシンイミド、
N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)フタルイミド、
N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)−5−ノルボルネン−2,3−ジカルボキシイミド、
N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)ナフタルイミド、
N−(10−カンファースルホニルオキシ)ナフタルイミドなど。
更に、該アルキル、シクロアルキル、アリール、又はアルコキシ上の水素原子の少なくとも1個は、それぞれ独立に、ヒドロキシル、アミノ、又は1〜6個程度の炭素原子を有するアルコキシで置換されていてもよい。該アミノ上の水素原子の少なくとも1個は、1〜4個の炭素原子を有するアルキルで置換されていてもよい。
また、R21〜R30において、直鎖構造と分岐構造の両方をとり得るものについては、そのいずれでもよい。
本発明のレジスト組成物は、樹脂と酸発生剤の合計重量に対して、樹脂を80〜99.9重量%、そして酸発生剤を0.1〜20重量%の範囲で含有するのが好ましい。また、クェンチャーとしての塩基性化合物を用いる場合は、該樹脂100重量部に対して、0.001〜1重量部、さらには0.01〜0.3重量部の範囲で含有するのが好ましい。この組成物はまた、必要に応じて、増感剤、溶解抑止剤、他の樹脂、界面活性剤、安定剤、染料など、各種の添加物を少量含有することもできる。
繰り返し単位(I)、(II)のいずれかを導くモノマーとしては、式(XII)で示される化合物を好ましく用いることができる。
前述の式(XII)で示される(メタ)アクリル酸誘導体として、レジスト原料としては、X11として水素原子、メチル、トリフルオロメチルが好ましく、Z7としてメチレン、エチレン、トリメチレンが好ましく、R11としてメチル、エチル、イソプロピルが好ましく、Y2としてペンタメチレンか、もしくは記載の炭素原子とともにアダマンタン骨格あるいはノルボルナン骨格を完成することが好ましい。
前述の式(XIII)で示される(メタ)アクリル酸誘導体として、レジスト原料としては、X12として水素原子、メチル、トリフルオロメチルが好ましく、Z8としてエチレン、トリメチレン、メチルカルボニル、エチルカルボニル、プロピルカルボニルが好ましい。
前述の式(XIV)で示される(メタ)アクリル酸誘導体として、レジスト原料としては、X13として水素原子、メチル、トリフルオロメチルが好ましく、Z9としてメチレン、エチレン、トリメチレンが好ましく、p2として0又は1が好ましい。
メタクリル酸 1-(2-メチル−2-アダマンチルオキシカルボニル)メチル(モノマーD)の合成
2-メチルアダマンタノール(27.5Kg)をテトラヒドロフラン(220Kg)に溶解し、ピリジン(15.7Kg)を添加した。クロロアセチルクロリド(28.02Kg)をテトラヒドロフラン(56.04Kg)に溶解して、40
℃で滴下した。一晩同温度で熟成した後、氷水で希釈し酢酸エチルで抽出した。有機層を水洗し、濃縮してクロロエステル中間体を18.9Kg得た(収率47.1%)。得られたクロロエステル中間体(18.9Kg)をジメチルホルムアミド(DMF 37.8Kg)に溶解した溶液を、メタクリル酸(10.1Kg)と炭酸カリウム(16.1Kg)とヨウ化カリウム(4.8Kg)のDMF(100.1Kg)スラリー溶液中に室温で滴下した。4時間室温で熟成した後、通常の後処理を行って、油状物質のモノマーDを(19.3Kg)得た(収率:85.0%)。
NMR 1.55〜2.04(12H、アダマンチル)、1.64(s、3H、Me)、1.98(s、3H、Me)、2.29(2H、アダマンチル)、4.63(2H、メチレン)、5.64(1H、オレフィン)、6.22(1H、オレフィン)
LC−MS 331(M+K)+ (C17H24O4=292.37)
メタクリル酸 1−(2-エチル−2-アダマンチルオキシカルボニル)メチル(モノマーO)の合成
モノマー合成例1と同様な方法で、2-エチルアダマンタノールから上記構造式で示したメタクリル酸エステル(モノマーO)を得た。
NMR 0.83(t、3H、Me)1.57〜2.13(12H、アダマンチル)、1.98(s、3H、Me)、2.20(q、2H、メチレン)、2.37(2H、アダマンチル)、4.66(2H、メチレン)、5.64(1H、オレフィン)、6.22(1H、オレフィン)
メタクリル酸 1−(1−メチル−1−シクロヘキシルオキシカルボニル)メチル(モノマーA)の合成
モノマー合成例1と同様な方法で、1-メチルシクロヘキサノールから上記構造式で示したメタクリル酸エステル(モノマーA)を得た。
NMR 1.50(s、3H、Me)1.45〜1.58(8H、シクロヘキシル)、1.99(s、3H、Me)、2.17(2H、シクロヘキシル)、4.62(2H、メチレン)、5.65(1H、オレフィン)、6.22(1H、オレフィン)
モノマー合成例4 メタクリル酸 (3−ヒドロキシアダマンチルオキシカルボニル)メチル(モノマーMの合成)
メタクリル酸ヒドロキシカルボニルメチル(30g)とジヒドロキシアダマンタン(16.8g)をジクロロエタン(500ml)に加えて、p-トルエンスルホン酸(1g)を添加して、15時間還流脱水反応を行った。常法に従って後処理を行い、油状物質のメタクリレートモノマー(モノマーM)(21.2g)を得た。
NMR 1.48〜2.10(12H、アダマンチル)、1.98(3H、Me)、
2.32(2H、アダマンチル)、4.583(2H、メチレン)、5.64(1H、オレフィン)、6.21(1H、オレフィン)
LC−MS 333(M+K)+ (C16H22O5=294.34)
メタクリル酸 3−(1-メチル−1−シクロヘキシルオキシカルボニル)プロピル(モノマーB)の合成
モノマー合成例1と同様な方法で、1−メチルシクロヘキサノールから上記構造式で示したメタクリル酸エステルを得た。
NMR 1.45〜1.58(8H、シクロヘキシル)、1.45(s、3H、Me)、1.94(s、3H、Me)、1.99(q、2H、メチレン)、2.15(2H、シクロヘキシル)、2.38(t、2H、メチレン)、4.18(t、2H、メチレン)、5.57(1H、オレフィン)、6.11(1H、オレフィン)
FAB−MS M+=268 (C15H24O4=268.35)
モノマー合成例6
モノマー合成例1と同様な方法で、1−エチルシクロペンタノールから上記構造式で示したメタクリル酸エステルを得た。
NMR 0.89(t、3H、Me)、1.61〜1.68(6H、シクロペンチル)、1.98(q、2H、メチレン)、1.99(t、3H、Me)、2.12(2H、シクロペンチル)、4.60(2H、メチレン)、5.64(1H、オレフィン)、6.22(1H、オレフィン)
メタクリル酸 3−(1−エチル−1−シクロペンチルオキシカルボニル)プロピルの合成
モノマー合成例1と同様な方法で、1−エチルシクロペンタノールから上記構造式で示したメタクリル酸エステルを得た。
NMR 0.88(t、3H、Me)、1.55〜1.77(6H、シクロペンチル)、1.95(t、3H、Me)、1.96(q、2H、メチレン)、1.97(q、2H、メチレン)、2.11(2H、シクロペンチル)、2.35(t、2H、メチレン)、4.15(t、2H、メチレン)、5.57(1H、オレフィン)、6.11(1H、オレフィン)
モノマー合成例8
メタクリル酸 3−(1−エチル−1−シクロヘキシルオキシカルボニル)プロピルの合成
モノマー合成例1と同様な方法で、1−エチルシクロヘキサノールから上記構造式で示したメタクリル酸エステルを得た。
NMR 0.83(t、3H、Me)、1.20〜1.70(8H、シクロヘキシル)、1.95(s、3H、Me)、1.96(q、2H、メチレン)、2.00(m、2H、メチレン)、2.15&2.20(2H、シクロヘキシル)、2.41(t、2H、メチレン)、4.19(t、2H、メチレン)、5.57(1H、オレフィン)、6.11(1H、オレフィン)
モノマー合成例1と同様な方法で、1−メチルシクロヘキサノールから上記構造式で示したメタクリル酸エステルを得た。
NMR 1.35〜1.58(8H、シクロヘキシル)、1.44(t、3H、Me)、1.80(m、4H、エチレン)、2.92(t、3H、Me)、2.15(2H、シクロヘキシル)、2.32(t、2H、メチレン)、4.16(t、2H、メチレン)、5.57(1H、オレフィン)、6.12(1H、オレフィン)
モノマー合成例1と同様な方法で、1−エチルシクロヘキサノールから上記構造式で示したメタクリル酸エステルを得た。
NMR 0.85(t、3H、Me)、1.27〜1.71(8H、シクロヘキシル)、1.92(q、2H、メチレン)、1.99(t、3H、Me)、2.18&2.23(2H、シクロヘキシル)、4.63(2H、メチレン)、5.64(1H、オレフィン)、6.22(1H、オレフィン)
モノマー合成例1と同様な方法で、1−エチルシクロヘキサノールから上記構造式で示したメタクリル酸エステルを得た。
NMR 0.82(t、3H、Me)、1.20〜1.64(8H、シクロヘキシル)、1.74(m、4H、エチレン)、1.89(q、2H、メチレン)、1.94(s、3H、Me)、2.18&2.24(2H、シクロヘキシル)、2.33(t、2H、メチレン)、4.19(t、2H、メチレン)、5.57(1H、オレフィン)、6.12(1H、オレフィン)
メタクリル酸 1-(2-メチル−2-ノルボルニルオキシカルボニル)メチルの合成
NMR 1.19〜1.69(8H、ノルボルニル)、1.51(3H、Me)、
1.98(3H、Me)、2.20(1H、ノルボルニル)、2.60(1H、ノルボルニル)、4.63(2H、メチレン)、5.64(1H、オレフィン)、6.22(1H、オレフィン)
LC−MS 291(M+K)+ (C14H20O4=252.31)
ヒドロキシエチルメタクリレート(6.5g)のTHF(70ml)溶液を、水素化ナトリウム(60%;0.72g)のTHF(30ml)サスペンジョン中に滴下した。しばらく攪拌した後、ブロモ-γ-ブチロラクトン(8.25g)のTHF(30ml)溶液を滴下した。室温で5時間熟成した後、常法通りの後処理を行って、油状物質のメタクリル酸モノマー(9.5g)を得た。
NMR 1.98(3H、Me)、2.30〜2.38(1H、ラクトン)、2.72〜2.78(1H、ラクトン)、4.30〜4.35(1H、ラクトン)、4.46〜4.50(1H、ラクトン)、4.78(2H、メチレン)、5.49(t、1H、ラクトン)、5.69(1H、オレフィン)、6.23(1H、オレフィン)
LC−MS 267(M+K)+ (C10H12O6=228.2)
温度計、還流管を装着した4つ口フラスコに1,4-ジオキサン 66.11部を仕込み、窒素ガスで30分間バブリングを行った。窒素シール下で87℃まで昇温した後、下記の図で示されるモノマーDを30.0部、Hを12.12部、Eを17.67部、アゾビスイソブチロニトリルを1.01部、1,4-ジオキサンを57.17部混合した溶液を、87℃を保ったまま1時間かけて滴下した。
滴下終了後87℃で5時間保温した。その後反応液をメタノール595部、イオン交換水66部の混合液中へ攪拌しながら注ぎ、析出した樹脂を濾取した。濾物をメタノール 330部に投入し攪拌後濾過を行った。得られた濾過物をメタノールに投入、攪拌、濾過の操作を、更に2回行った。その後減圧乾燥を行い 52.3部の樹脂を得た。この樹脂をR7とする。Mw:14565、Mw/Mn:1.97であった。
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
樹脂 仕込みモノマーモル比 Mw Mw/Mn
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
R1 A/F/H/I/E=20/25/5/20/30 9569 1.59
R2 A/F/H/I/E=30/15/5/20/30 10328 1.69
R3 B/F/H/I/E=20/25/5/20/30 12806 1.90
R4 B/F/H/I/E=10/35/5/20/30 8693 1.69
R5 B/F/H/I/E=5/40/5/20/30 8282 1.75
R6 D/F/H/I/E=20/25/5/20/30 9503 1.91
R7 D/H/E=50/25/25 14565 1.97
R8 C/F/H/I/E=20/25/5/20/30 8200 1.53
R9 C/F/H/I/E=30/15/5/20/30 9240 1.54
R10 G/H/E=50/25/25 9721 1.53
R11 J/H/E=50/25/25 11673 1.84
R12 K/H/E=50/25/25 14393 2.02
R13 L/H/E=50/25/25 13391 1.86
R16 O/H/E=50/25/25 11306 1.97
R17 O/I/E=50/25/25 13333 2.15
R18 F/O/H/I/E=25/20/5/20/30 8583 2.20
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
S1:(4−メチルフェニル)ジフェニルスルホニウム パーフルオロブタンスルホナート
S2:1−(2−オキソ−2−フェニルエチル)テトラヒドロチオフェニウム パーフルオロブタンスルホナ−ト
S3:トリス(4−tert−ブチルフェニル)スルホニウム パーフルオロオクタンスルホナート
<クェンチャー>
Q1:2,6−ジイソプロピルアニリン
Q2:テトラブチルアンモニウム ヒドロキシド
<溶剤>
Y1:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
51.5部
2−ヘプタノン 35部
γ−ブチロラクトン 3.5部
Y2:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
84部
γ−ブチロラクトン 4部
以下の各成分を混合して溶解し、さらに孔径0.2μmのフッ素樹脂製フィルターで濾過して、レジスト液を調製した。
酸発生剤(種類及び量は表2記載)
クェンチャー(種類及び量は表2記載)
溶剤(種類は表2記載)
解像度: 実効感度の露光量で分離するラインアンドスペースパターンの最小寸法で表示した。
ラインエッジラフネス: ラインエッジラフネス非常に良好なものを◎、良好なものを〇、良くないものを×で表記する。
リフロー:リフロー工程の前後で、形状が大きく変化するものを○、TOP形状しか変化せず、全体的な変化が見られないものを△、全く変化が見られないものを×で表記する。
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
例 No. 樹脂 酸発生剤 クェンチャー 溶剤 PB PEB
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
実施例1 R1/10部 S1/0.25部 Q1/0.025部 Y1 120℃ 115℃
S2/0.2部
実施例2 R2/10部 S1/0.25部 Q1/0.025部 Y1 120℃ 115℃
S2/0.2部
実施例3 R3/10部 S1/0.25部 Q1/0.025部 Y1 110℃ 100℃
S2/0.2部
実施例4 R4/10部 S1/0.25部 Q1/0.025部 Y1 110℃ 105℃
S2/0.2部
実施例5 R5/10部 S1/0.25部 Q1/0.025部 Y1 110℃ 105℃
S2/0.2部
実施例6 R6/10部 S1/0.25部 Q1/0.025部 Y1 125℃ 105℃
S2/0.2部
実施例7 R7/10部 S1/0.25部 Q1/0.025部 Y1 120℃ 120℃
S2/0.2部
実施例8 R4/10部 S1/0.25部 Q1/0.025部 Y1 120℃ 110℃
S2/0.2部
実施例9 R7/10部 S1/0.23部 Q2/0.025部 Y2 130℃ 115℃
S2/0.27部
実施例10 R11/10部 S1/0.30部 Q1/0.025部 Y1 100℃ 100℃
実施例11 R12/10部 S1/0.30部 Q1/0.025部 Y1 85℃ 85℃
実施例12 R13/10部 S1/0.30部 Q1/0.025部 Y1 85℃ 85℃
実施例13 R16/10部 S1/0.30部 Q1/0.025部 Y1 90℃ 85℃
実施例14 R17/10部 S1/0.30部 Q1/0.025部 Y1 85℃ 85℃
実施例15 R18/10部 S1/0.30部 Q1/0.025部 Y1 100℃ 100℃
────────────────────────────────────
比較例1 R8/10部 S1/0.25部 Q1/0.025部 Y1 120℃ 115℃
S2/0.2部
比較例2 R9/10部 S1/0.25部 Q1/0.025部 Y1 120℃ 115℃
S2/0.2部
比較例3 R10/10部 S1/0.25部 Q1/0.025部 Y1 120℃ 120℃
S2/0.2部
比較例4 R10/10部 S1/0.23部 Q2/0.021部 Y2 130℃ 130℃
S2/0.27部
比較例5 R8/10部 S1/0.25部 Q1/0.025部 Y1 120℃ 110℃
S2/0.2部
比較例10 R10/10部 S1/0.30部 Q1/0.025部 Y1 130℃ 125℃
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
例 No. 実効感度 解像度 ラインエッジラフネス
(mJ/cm2) (μm)
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
実施例1 61 0.12 ◎
実施例2 67 0.13 ◎
実施例3 63 0.13 ◎
実施例4 80 0.13 ○
実施例5 74 0.13 ○
実施例6 95 0.13 ◎
実施例7 60 0.14 ◎
実施例10 60 0.12 ◎
実施例11 65 0.13 ◎
実施例12 57.5 0.12 ◎
実施例13 40 0.13 ◎
実施例14 52.5 0.13 ◎
実施例15 60 0.12 ◎
──────────────────────────────────
比較例1 57 0.13 △
比較例2 55 0.12 ○
比較例3 102.5 0.15 △
比較例6 60 0.13 △
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
例 No. 実効感度 現像後の解像度 リフロー
(mJ/cm2) (μm)
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
実施例8 51 0.13 ○
実施例9 44 0.15 ○
実施例10 60 0.12 ○
実施例11 65 0.13 ○
実施例12 57.5 0.12 ○
実施例13 40 0.13 ○
実施例14 52.5 0.13 ○
実施例15 60 0.12 ○
──────────────────────────────────
比較例4 41 0.14 ×
比較例5 61 0.14 △
比較例6 60 0.13 ×
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Claims (3)
- 式(XII‘)で示される繰り返し単位
(式中、X11は、水素原子、メチル又はトリフルオロメチルを示す。
R11がメチルであり、Y2が記載の炭素原子とともにアダマンタン骨格を完成し、かつZ7がメチレン、トリメチレンもしくはテトラメチレンであるか;又はR11がエチル、イソプロピルもしくはブチルであり、Y2が記載の炭素原子とともにアダマンタン骨格を完成し、かつZ7がメチレン、エチレン、トリメチレンもしくはテトラメチレンであるか;又はR11がメチル、エチル、イソプロピルもしくはブチルであり、Y2がテトラメチレン、ペンタメチレンか、もしくは記載の炭素原子とともに ノルボルナン骨格を完成し、かつZ7がメチレン、エチレン、トリメチレンもしくはテトラメチレンである。)
と式(II)〜(V)で示される繰り返し単位からなる群から選ばれた少なくとも一つの繰り返し単位(ただし、式(XII’)で示される繰り返し単位とは異なる。)とを含むことを特徴とする請求項1に記載の重量平均分子量が1,000〜500,000の(メタ)アクリル系重合体。
(式中、X1〜X4は、互いに独立に、水素原子、炭素数1〜4のアルキル又は炭素数1〜4のペルフルオロアルキルを示す。
Yは、前記の定義と同じである。
Z1〜Z4は、互いに独立に、炭素数1〜12の2価の炭化水素基を示す。
n1〜n4は、互いに独立に、0〜3の整数を示す。
R1は、炭素数1〜6のアルキル又は炭素数3〜12のシクロアルキルを示す。
Aは、炭素数1〜12の炭化水素基を示す。
R2、R3は、互いに独立に、水酸基又はヒドロキシメチルを示す。
Gは、−(CO)O−又は−O−を示す。
R4は、炭素数1〜4のアルキル又は炭素数1〜4のアルコキシを示す。
p、qは、互いに独立に、0〜2の整数を示す。) - 式(X)で示される繰り返し単位
(式中、X8は、水素原子又はメチルを示す。
R9は、メチル、エチル、イソプロピル又はブチルを示す。)
と式(II)〜(V)で示される繰り返し単位からなる群から選ばれた少なくとも一つの繰り返し単位(ただし、式(X)で示される繰り返し単位とは異なる。)とを含むことを特徴とする請求項1に記載の重量平均分子量が1,000〜500,000の(メタ)アクリル系重合体。
(式中、X1〜X4は、互いに独立に、水素原子、炭素数1〜4のアルキル又は炭素数1〜4のペルフルオロアルキルを示す。
Yは、前記の定義と同じである。
Z1〜Z4は、互いに独立に、炭素数1〜12の2価の炭化水素基を示す。
n1〜n4は、互いに独立に、0〜3の整数を示す。
R1は、炭素数1〜6のアルキル又は炭素数3〜12のシクロアルキルを示す。
Aは、炭素数1〜12の炭化水素基を示す。
R2、R3は、互いに独立に、水酸基又はヒドロキシメチルを示す。
Gは、−(CO)O−又は−O−を示す。
R4は、炭素数1〜4のアルキル又は炭素数1〜4のアルコキシを示す。
p、qは、互いに独立に、0〜2の整数を示す。) - 請求項1又は2に記載の(メタ)アクリル系重合体の製造方法であって、
式(XII’)あるいは(X)で示される繰り返し単位と別の(メタ)アクリル系繰り返し単位をラジカル重合、アニオン重合又は配位重合させることを特徴とする(メタ)アクリル系重合体の製造方法。
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