JP2002122992A - レジスト材料及びパターン形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高感度かつ高解像性と十分な保存安定性を併
せ持つレジスト材料、及び該レジスト材料を用いたパタ
ーン形成方法を提供する。 【解決手段】 下記一般式（１）で示される炭素−炭素
二重結合を有さないビス（アルキルスルホニル）メタン
誘導体を含有することを特徴とするレジスト材料を提供
する。 【化１】 また、本発明は、上記レジスト材料を基板上に塗布する
工程と、加熱処理後フォトマスクを介して高エネルギー
線もしくは電子線で露光する工程と、必要に応じて加熱
処理した後現像液を用いて現像する工程とを含むことを
特徴とするパターン形成方法を提供する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】露光前後のアルカリ溶解コン
トラストが大幅に高く、高感度で高解像性を有し、特に
超ＬＳＩ製造用の微細パターン形成材料として再現性に
優れた化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方
法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、ＬＳＩの高集積化と高速度化に伴
い、パターンルールの微細化が求められているなか、次
世代の微細加工技術として遠紫外線リソグラフィーが有
望視されている。中でもＫｒＦエキシマレーザー光（波
長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー光（波長１９
３ｎｍ）を光源としたフォトリソグラフィーは、０．３
μｍ以下の超微細加工に不可欠な技術としてその実現が
切望されている。ＫｒＦエキシマレーザー用レジスト材
料では、実用可能レベルの透過性とエッチング耐性を合
わせ持つポリヒドロキシスチレンが事実上の標準ベース
樹脂となっている。ＡｒＦエキシマレーザー用レジスト
材料では、ポリアクリル酸又はポリメタクリル酸の誘導
体や脂肪族環状化合物を主鎖に含有する高分子化合物等
の材料が検討されている。いずれの場合にも、アルカリ
可溶性樹脂のアルカリ易溶性部位の一部又は全部を適当
な酸脱離性基で保護するのをその基本形としており、酸
脱離性保護基を種々選択したり、あるいは樹脂とは別
に、相応の機能を有する低分子成分を必要に応じて１種
または複数種配合したりすることにより、レジスト材料
全体としての性能を調整している。

【０００３】レジスト材料に配合する機能性低分子成分
の代表的なものとして、光酸発生剤（または酸発生剤）
と呼ばれる化合物群がある。光酸発生剤の構造について
はＫｒＦエキシマレーザー用として種々の提案がある
が、ＡｒＦエキシマレーザー用としては光酸発生効率、
発生酸強度及び遠紫外線吸収即ち透過率の観点からの制
限があるため、ＫｒＦエキシマレーザー用で提案された
発生酸強度が高いオニウム塩（F. M. Houulihan et a
l., Proc.SPIE 3678, pp.264-274, 1999.、Y. Uetani e
t al., Proc.SPIE 3678, pp.510-517, 1999. 等に記
載）、あるいは高透過率化を施したオニウム塩あるいは
非オニウム塩系の光酸発生剤の提案が一般的である（特
開平１０−６２９９５号公報、特開平１０−１４２７７
７号公報、特開平１０−３１９５８１号公報、特開平１
０−１３３３７１号公報、特開平１０−７３９１２号公
報、特開平１０−４８８１４号公報等に記載）。ＡｒＦ
エキシマレーザー用レジストに求められる性質として
は、量産を鑑みた場合、ＡｒＦエキシマレーザーが高エ
ネルギー線であることからレンズ硝材の劣化が懸念され
るために、それを防止する上で高感度であること、Ａｒ
Ｆエキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）領域で高透明性
であること、更には保存安定性が高いことが挙げられ
る。ここで最も量産適用に対して障壁となっている性能
に、保存安定性が低いことが挙げられ、環状オレフィン
／無水マレイン酸樹脂に関する保存安定性低下のメカニ
ズムが知られている（I. L. Rushkin et al., Proc.SPI
E 3678, pp.44-50, 1999.）。しかしながら、保存安定
性を向上させる添加剤の報告は殆どなく、この問題を解
決する手段が求められている従って、パターンルールの
より一層の微細化が進む中、保存安定性が高く、高透過
率、高感度かつ高解像性のレジスト材料が求められてい
るのである。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記事情に鑑
みなされたもので、高感度かつ高解像性と十分な保存安
定性を併せ持つレジスト材料、及び該レジスト材料を用
いたパターン形成方法を提供することを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明者は、上記目的を
達成するため鋭意検討を重ねた結果、下記一般式（１）
で示される炭素−炭素二重結合を有さないビス（アルキ
ルスルホニル）メタン誘導体がレジスト材料に配合する
保存安定化剤として有用であること、この化合物を含有
するレジスト材料が高透過率、高感度及び高解像性を有
すること、そしてこのレジスト材料が精密な微細加工に
極めて有効であることを知見し、本発明をなすに至っ
た。一般式（１）で示されるビス（アルキルスルホニ
ル）メタン誘導体がレジスト材料の保存安定化剤として
有用である理由は、上記ビス（アルキルスルホニル）メ
タン誘導体が遊離酸のトラップ効果を有していること、
言い換えれば、有機塩基の消電抑制効果を有しているこ
とから保存安定化剤として機能しているためと考えられ
る。

【０００６】即ち、本発明は、下記一般式（１）で示さ
れる炭素−炭素二重結合を有さないビス（アルキルスル
ホニル）メタン誘導体を含有することを特徴とするレジ
スト材料を提供する。

【化２】 （式中、Ｒp及びＲqは互いに同一でも異なってもよく、
炭素数１〜１２の直鎖状、炭素数３〜１２の分岐状又は
環状のヘテロ原子を含んでも良い１価の飽和炭化水素基
を示す。Ｘ及びＹは互いに同一でも異なってもよく、水
素原子、炭素数１〜１２の直鎖状、炭素数３〜１２の分
岐状又は環状のヘテロ原子を含んでも良い１価の飽和炭
化水素基を示す。ＸとＹとは環を形成してもよく、環を
形成する場合にはＸ、Ｙはそれぞれ炭素数１〜１０の直
鎖状又は分岐状のアルキレン基を示す。） また、本発明は、上記レジスト材料を基板上に塗布する
工程と、加熱処理後フォトマスクを介して高エネルギー
線もしくは電子線で露光する工程と、必要に応じて加熱
処理した後現像液を用いて現像する工程とを含むことを
特徴とするパターン形成方法を提供する。

【０００７】

【発明の実施の形態】以下、本発明につき更に詳細に説
明する。本発明のレジスト材料は、好ましくは遠紫外線
（１５０〜２５０ｎｍ ）用レジスト材料、特に好まし
くは１９０〜２００ｎｍの遠紫外線用レジスト材料とし
て用いることができる。

【０００８】本発明のレジスト材料は、一般式（１）で
示される炭素−炭素二重結合を有さないビス（アルキル
スルホニル）メタン誘導体を含有することを特徴とする
ものである。一般式（１）で示される炭素−炭素二重結
合を有さないビス（アルキルスルホニル）メタン誘導体
のＲp及びＲqは、互いに同一でも異なってもよく、炭素
数１〜１２の直鎖状、炭素数３〜１２の分岐状又は環状
のヘテロ原子を含んでも良い１価の飽和炭化水素基を示
す。具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イ
ソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅ
ｒｔ−ブチル基、ｔｅｒｔ−アミル基、ｎ−ペンチル
基、ヘキシル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウ
ンデシル基、ドデシル基、シクロペンチル基、シクロヘ
キシル基、シクロペンチルメチル基、シクロペンチルエ
チル基、シクロペンチルブチル基、シクロヘキシルメチ
ル基、シクロヘキシルエチル基、シクロヘキシルブチル
基等の直鎖状、分岐状、環状のアルキル基、これらの水
素原子の一部が水酸基、アルコキシ基、カルボキシ基、
アルコキシカルボニル基、オキソ基、アミノ基、アルキ
ルアミノ基、シアノ基、メルカプト基、アルキルチオ
基、スルホ基等に置換されたものを例示できる。

【０００９】一般式（１）のＸ及びＹは、互いに同一で
も異なってもよく、水素原子、炭素数１〜１２の直鎖
状、炭素数３〜１２の分岐状又は環状のヘテロ原子を含
んでも良い１価の飽和炭化水素基を示し、Ｒ¹及びＲ²で
説明したものと同様の基が挙げられる。また、ＸとＹと
は、環を形成してもよく、環を形成する場合にはＸ、Ｙ
はそれぞれ炭素数１〜１０の直鎖状又は分岐状のアルキ
レン基を示し、Ｘ−Ｃ−Ｙを構成する基としては、シク
ロプロピリデン基、シクロブチリデン基、シクロペンチ
リデン基、シクロヘキシリデン基等を例示できる。

【００１０】本発明のレジスト材料に配合する炭素−炭
素二重結合を有さないビス（アルキルスルホニル）メタ
ン誘導体の具体例を示すが、これに限定されるものでは
ない。具体的には、例えばＲp及びＲqは互いに同一であ
ってＸとＹが水素原子の場合、ビス（メチルスルホニ
ル）メタン、ビス（エチルスルホニル）メタン、ビス
（n−プロピルスルホニル）メタン、ビス（イソプロピ
ルスルホニル）メタン、ビス（ｎ−ブチルスルホニル）
メタン、ビス（ｓｅｃ−ブチルスルホニル）メタン、ビ
ス（イソブチルスルホニル）メタン、ビス（ｔｅｒｔ−
ブチルスルホニル）メタン、ビス（ｎ−ペンチルスルホ
ニル）メタン、ビス（イソペンチルスルホニル）メタ
ン、ビス（ネオペンチルスルホニル）メタン、ビス（ｔ
ｅｒｔ−アミルスルホニル）メタン、ビス（ヘキシルス
ルホニル）メタン、ビス（ヘプチルスルホニル）メタ
ン、ビス（オクチルスルホニル）メタン、ビス（ノニル
スルホニル）メタン、ビス（２，２−ジメチルヘプタン
−２−イルスルホニル）メタン、ビス（デシルスルホニ
ル）メタン、ビス（ウンデシルスルホニル）メタン、ビ
ス（ドデシルスルホニル）メタン、ビス（２，２，４，
６，６−ペンタメチルヘプタン−４−イルスルホニル）
メタン、ビス（シクロプロピルスルホニル）メタン、ビ
ス（シクロペンチルスルホニル）メタン、ビス（シクロ
ヘキシルスルホニル）メタン、ビス（シクロヘプチルス
ルホニル）メタン、ビス（シクロオクチルスルホニル）
メタン、ビス（シクロペンチルメチルスルホニル）メタ
ン、ビス（シクロヘキシルメチルスルホニル）メタン、
ビス（シクロヘキシルエチルスルホニル）メタン、ビス
（１−メチルシクロペンチルスルホニル）メタン、ビス
（１−メチルシクロヘキシルスルホニル）メタン、ビス
（２−ノルボルニルスルホニル）メタン、ビス（２−ノ
ルボルナンメチルスルホニル）メタン、ビス（６，６−
ジメチルビシクロ［３．１．１］ヘプタン−２−イルメ
チルスルホニル）メタン、ビス（３，３−ジメチルビシ
クロ［２．２．１］ヘプタン−２−イルメチルスルホニ
ル）メタン、ビス（７，７−ジメチル−２−オキソビシ
クロ［２．２．１］ヘプタン−１−イルメチルスルホニ
ル）メタン等が挙げられる。

【００１１】一般式（１）のＲp及びＲqは互いに異なり
ＸとＹが水素原子の場合、上記誘導体のＲp若しくはＲq
として挙げられた置換基を任意に組み合わせることがで
きる。また、ＸとＹが水素原子ではない場合、上記誘導
体のメタン部分が、エタン、２，２−エタノール、１−
メトキシ−２，２−エタン、１−エトキシ−２，２−エ
タン、１−プロポキシ−２，２−エタン、２，２−プロ
パン等が挙げられ、任意に組み合わせることができる。
ＸとＹとは環を形成してもよく、環を形成する場合に
は、上記誘導体のメタン部分が、シクロプロパン、シク
ロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘ
プタン等が挙げられ、任意に組み合わせることができ
る。

【００１２】上記誘導体の中で特に好ましいものとして
は、ビス（ｔｅｒｔ−ブチルスルホニル）メタン、ビス
（シクロヘキシルスルホニル）メタン、ビス（６，６−
ジメチルビシクロ［３．１．１］ヘプタン−２−イルメ
チルスルホニル）メタン、（２，２−ジメチルヘプタン
−２−イルスルホニル）（メチルスルホニル）メタン、
（２，２，４，６，６−ペンタメチルヘプタン−４−イ
ルスルホニル）（メチルスルホニル）メタン、ビス（ｔ
ｅｒｔ−ブチルスルホニル）シクロペンタン、ビス（シ
クロヘキシルスルホニル）シクロペンタンが挙げられ
る。

【００１３】上記式（１）の炭素−炭素二重結合を有さ
ないビス（アルキルスルホニル）メタン誘導体の配合量
は、ベース樹脂１００重量部に対して、０．５〜２０重
量部、好ましくは１〜１３重量部である。配合量が０．
５重量部未満であると保存安定剤としての効果が十分に
得られない場合があり、２０重量部を越えると解像度が
低下する場合がある。

【００１４】本発明のレジスト材料は、一般式（１）の
炭素−炭素二重結合を有さないビス（アルキルスルホニ
ル）メタン誘導体を含有するもので、ポジ型でも、ネガ
型でも、ポジ・ネガ兼用でも良いが、特に化学増幅レジ
スト材料、とりわけ化学増幅ポジ型レジスト材料とする
ことが好ましい。ベース樹脂、高エネルギー線もしくは
電子線に感応して酸を発生する化合物、有機溶剤を含む
構成とすることができる。

【００１５】本発明に使用される樹脂は、波長１９３ｎ
ｍの透過率が３０％／μｍ以上である、酸不安定基で保
護されたアルカリ不溶性樹脂またはアルカリ難溶性樹脂
であって、該酸不安定基が解離したときにアルカリ可溶
性となる−（ＣＯ）−Ｏ−（ＣＯ）_k−基を有する脂環
式構造からなる樹脂（ｋは０または１を示す。）であ
る。波長１９３ｎｍの透過率が３０％／μｍ以上である
ことは、石英基板上に塗布したレジスト膜を透過率測定
器を用いて測定できる。アルカリ不溶性又はアルカリ難
溶性とは、２．３８重量％ＴＭＡＨ（テトラメチルアン
モニウムヒドロキシド）水溶液に対する溶解度が０〜２
ｎｍ（０〜２０Å）／sec未満であり、アルカリ可溶性
とは、２０〜３００Å／secである。

【００１６】本発明で使用されるベース樹脂の具体的な
例としては、下記に示される単位を有する重量平均分子
量１，０００〜５００，０００、好ましくは５，０００
〜１００，０００のものを挙げることができるが、これ
らに限定されるものではない。

【００１７】

【化３】

【００１８】

【化４】

【００１９】ここで、Ｒ⁰⁰¹は水素原子、メチル基又は
ＣＨ₂ＣＯ₂Ｒ⁰⁰³を示す。Ｒ⁰⁰²は水素原子、メチル基又
はＣＯ₂Ｒ⁰⁰³を示す。Ｒ⁰⁰³は炭素数１〜１５の直鎖
状、分岐状又は環状のアルキル基を示し、具体的にはメ
チル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−
ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｔ
ｅｒｔ−アミル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、
シクロペンチル基、シクロヘキシル基、エチルシクロペ
ンチル基、ブチルシクロペンチル基、エチルシクロヘキ
シル基、ブチルシクロヘキシル基、アダマンチル基、エ
チルアダマンチル基、ブチルアダマンチル基等を例示で
きる。

【００２０】Ｒ⁰⁰⁴は水素原子又は炭素数１〜１５のカ
ルボキシ基又は水酸基を含有する１価の炭化水素基を示
し、具体的にはカルボキシエチル、カルボキシブチル、
カルボキシシクロペンチル、カルボキシシクロヘキシ
ル、カルボキシノルボルニル、カルボキシアダマンチ
ル、ヒドロキシエチル、ヒドロキシブチル、ヒドロキシ
シクロペンチル、ヒドロキシシクロヘキシル、ヒドロキ
シノルボルニル、ヒドロキシアダマンチル等が例示でき
る。

【００２１】Ｒ⁰⁰⁵〜Ｒ⁰⁰⁸の少なくとも１個は炭素数１
〜１５のカルボキシ基又は水酸基を含有する１価の炭化
水素基を示し、残りはそれぞれ独立に水素原子又は炭素
数１〜１５の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示
す。炭素数１〜１５のカルボキシ基又は水酸基を含有す
る１価の炭化水素基としては、具体的にはカルボキシ、
カルボキシメチル、カルボキシエチル、カルボキシブチ
ル、ヒドロキシメチル、ヒドロキシエチル、ヒドロキシ
ブチル、２−カルボキシエトキシカルボニル、４−カル
ボキシブトキシカルボニル、２−ヒドロキシエトキシカ
ルボニル、４−ヒドロキシブトキシカルボニル、カルボ
キシシクロペンチルオキシカルボニル、カルボキシシク
ロヘキシルオキシカルボニル、カルボキシノルボルニル
オキシカルボニル、カルボキシアダマンチルオキシカル
ボニル、ヒドロキシシクロペンチルオキシカルボニル、
ヒドロキシシクロヘキシルオキシカルボニル、ヒドロキ
シノルボルニルオキシカルボニル、ヒドロキシアダマン
チルオキシカルボニル等が例示できる。炭素数１〜１５
の直鎖状、分岐状、環状のアルキル基としては、具体的
にはＲ⁰⁰³で例示したものと同様のものが例示できる。

【００２２】Ｒ⁰⁰⁵〜Ｒ⁰⁰⁸は互いに環を形成していても
よく、その場合にはＲ⁰⁰⁵〜Ｒ⁰⁰⁸の少なくとも１個は炭
素数１〜１５のカルボキシ基又は水酸基を含有する２価
の炭化水素基を示し、残りはそれぞれ独立に炭素数１〜
１５の直鎖状、分岐状、環状のアルキレン基を示す。炭
素数１〜１５のカルボキシ基又は水酸基を含有する２価
の炭化水素基としては、具体的には上記カルボキシ基又
は水酸基を含有する１価の炭化水素基で例示したものか
ら水素原子を１個除いたもの等を例示できる。炭素数１
〜１５の直鎖状、分岐状、環状のアルキレン基として
は、具体的にはＲ ⁰⁰³で例示したものから水素原子を１
個除いたもの等を例示できる。

【００２３】Ｒ⁰⁰⁹は炭素数３〜１５の−ＣＯ₂−部分構
造を含有する１価の炭化水素基を示し、具体的には２−
オキソオキソラン−３−イル、４，４−ジメチル−２−
オキソオキソラン−３−イル、４−メチル−２−オキソ
オキサン−４−イル、２−オキソ−１，３−ジオキソラ
ン−４−イルメチル、５−メチル−２−オキソオキソラ
ン−５−イル等を例示できる。

【００２４】Ｒ⁰¹⁰〜Ｒ⁰¹³の少なくとも１個は炭素数２
〜１５の−ＣＯ₂−部分構造を含有する１価の炭化水素
基を示し、残りはそれぞれ独立に水素原子又は炭素数１
〜１５の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。
炭素数２〜１５の−ＣＯ₂−部分構造を含有する１価の
炭化水素基としては、具体的には２−オキソオキソラン
−３−イルオキシカルボニル、４，４−ジメチル−２−
オキソオキソラン−３−イルオキシカルボニル、４−メ
チル−２−オキソオキサン−４−イルオキシカルボニ
ル、２−オキソ−１，３−ジオキソラン−４−イルメチ
ルオキシカルボニル、５−メチル−２−オキソオキソラ
ン−５−イルオキシカルボニル等を例示できる。炭素数
１〜１５の直鎖状、分岐状、環状のアルキル基として
は、具体的にはＲ⁰⁰³で例示したものと同様のものが例
示できる。

【００２５】Ｒ⁰¹⁰〜Ｒ⁰¹³は互いに環を形成していても
よく、その場合にはＲ⁰¹⁰〜Ｒ⁰¹³の少なくとも１個は炭
素数１〜１５の−ＣＯ₂−部分構造を含有する２価の炭
化水素基を示し、残りはそれぞれ独立に炭素数１〜１５
の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基を示す。炭素
数１〜１５の−ＣＯ₂−部分構造を含有する２価の炭化
水素基としては、具体的には１−オキソ−２−オキサプ
ロパン−１，３−ジイル、１，３−ジオキソ−２−オキ
サプロパン−１，３−ジイル、１−オキソ−２−オキサ
ブタン−１，４−ジイル、１，３−ジオキソ−２−オキ
サブタン−１，４−ジイル等の他、上記−ＣＯ₂−部分
構造を含有する１価の炭化水素基で例示したものから水
素原子を１個除いたもの等を例示できる。炭素数１〜１
５の直鎖状、分岐状、環状のアルキレン基としては、具
体的にはＲ⁰⁰³で例示したものから水素原子を１個除い
たもの等を例示できる。

【００２６】Ｒ⁰¹⁴は炭素数７〜１５の多環式炭化水素
基又は多環式炭化水素基を含有するアルキル基を示し、
具体的にはノルボルニル、ビシクロ［３．３．１］ノニ
ル、トリシクロ［５．２．１．０^2,6］デシル、アダマ
ンチル、エチルアダマンチル、ブチルアダマンチル、ノ
ルボルニルメチル、アダマンチルメチル等を例示でき
る。

【００２７】Ｒ⁰¹⁵は酸不安定基を示す。

【００２８】ｋ'は０又は１である。ａ１'、ａ２'、ａ
３'、ｂ１'、ｂ２'、ｂ３'、ｃ１'、ｃ２'、ｃ３'、ｄ
１'、ｄ２'、ｄ３'、ｅ'は０以上１未満の数であり、ａ
１'＋ａ２'＋ａ３'＋ｂ１'＋ｂ２'＋ｂ３'＋ｃ１'＋ｃ
２'＋ｃ３'＋ｄ１'＋ｄ２'＋ｄ３'＋ｅ'＝１を満足す
る。ｆ'、ｇ'は０以上１未満の数であり、ｆ'＋ｇ'＝１
を満足する。

【００２９】Ｒ⁰¹⁵の酸不安定基としては、具体的には
下記一般式（Ａ１）〜（Ａ３）で示される基、炭素数４
〜２０、好ましくは４〜１５の三級アルキル基、各アル
キル基がそれぞれ炭素数１〜６のトリアルキルシリル
基、炭素数４〜２０のオキソアルキル基等を挙げること
ができる。

【００３０】

【化５】

【００３１】式中、Ｒ⁰¹⁸、Ｒ⁰¹⁹は水素原子又は炭素数
１〜１８、好ましくは１〜１０の直鎖状、分岐状又は環
状のアルキル基を示し、具体的にはメチル基、エチル
基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅ
ｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロペンチル
基、シクロヘキシル基、２−エチルヘキシル基、ｎ−オ
クチル基等を例示できる。Ｒ⁰²⁰は炭素数１〜１８、好
ましくは１〜１０の酸素原子等のヘテロ原子を有しても
よい１価の炭化水素基を示し、直鎖状、分岐状、環状の
アルキル基、これらの水素原子の一部が水酸基、アルコ
キシ基、オキソ基、アミノ基、アルキルアミノ基等で置
換されたものを挙げることができ、具体的には下記の置
換アルキル基等が例示できる。

【００３２】

【化６】

【００３３】Ｒ⁰¹⁸とＲ⁰¹⁹、Ｒ⁰¹⁸とＲ⁰²⁰、Ｒ⁰¹⁹とＲ
⁰²⁰とは環を形成してもよく、環を形成する場合にはＲ
⁰¹⁸、Ｒ⁰¹⁹、Ｒ⁰²⁰はそれぞれ炭素数１〜１８、好まし
くは１〜１０の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示
す。

【００３４】Ｒ⁰²¹は炭素数４〜２０、好ましくは４〜
１５の三級アルキル基、各アルキル基がそれぞれ炭素数
１〜６のトリアルキルシリル基、炭素数４〜２０のオキ
ソアルキル基又は上記一般式（Ａ１）で示される基を示
し、三級アルキル基として具体的には、ｔｅｒｔ−ブチ
ル基、ｔｅｒｔ−アミル基、１，１−ジエチルプロピル
基、１−エチルシクロペンチル基、１−ブチルシクロペ
ンチル基、１−エチルシクロヘキシル基、１−ブチルシ
クロヘキシル基、１−エチル−２−シクロペンテニル
基、１−エチル−２−シクロヘキセニル基、２−メチル
−２−アダマンチル基等が挙げられ、トリアルキルシリ
ル基として具体的には、トリメチルシリル基、トリエチ
ルシリル基、ジメチル−ｔｅｒｔ−ブチルシリル基等が
挙げられ、オキソアルキル基として具体的には、３−オ
キソシクロヘキシル基、４−メチル−２−オキソオキサ
ン−４−イル基、５−メチル−２−オキソオキソラン−
５−イル基等が挙げられる。ａは０〜６の整数である。

【００３５】Ｒ⁰²²は炭素数１〜８の直鎖状、分岐状又
は環状のアルキル基又は炭素数６〜２０の置換されてい
てもよいアリール基を示し、直鎖状、分岐状、環状のア
ルキル基として具体的には、メチル基、エチル基、プロ
ピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチ
ル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｔｅｒｔ−アミル基、ｎ−
ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、シクロペンチル基、シク
ロヘキシル基、シクロペンチルメチル基、シクロペンチ
ルエチル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘキシル
エチル基等を例示でき、置換されていてもよいアリール
基として具体的にはフェニル基、メチルフェニル基、ナ
フチル基、アンスリル基、フェナンスリル基、ピレニル
基等を例示できる。ｋは０又は１、ｍは０、１、２、３
のいずれかであり、２ｋ＋ｍ＝２又は３を満足する数で
ある。

【００３６】上記式（Ａ１）で示される酸不安定基のう
ち直鎖状又は分岐状のものとしては、具体的には下記の
基が例示できる。

【００３７】

【化７】

【００３８】上記式（Ａ１）で示される酸不安定基のう
ち環状のものとしては、具体的には下記の基が例示でき
る。

【００３９】

【化８】

【００４０】上記式（Ａ２）の酸不安定基としては、具
体的にはｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−
ブトキシカルボニルメチル基、ｔｅｒｔ−アミロキシカ
ルボニル基、ｔｅｒｔ−アミロキシカルボニルメチル
基、１，１−ジエチルプロピルオキシカルボニル基、
１，１−ジエチルプロピルオキシカルボニルメチル基、
１−エチルシクロペンチルオキシカルボニル基、１−エ
チルシクロペンチルオキシカルボニルメチル基、１−エ
チル−２−シクロペンテニルオキシカルボニル基、１−
エチル−２−シクロペンテニルオキシカルボニルメチル
基、１−エトキシエトキシカルボニルメチル基、２−テ
トラヒドロピラニルオキシカルボニルメチル基、２−テ
トラヒドロフラニルオキシカルボニルメチル基等が例示
できる。

【００４１】上記式（Ａ３）の酸不安定基としては、具
体的には１−メチルシクロペンチル、１−エチルシクロ
ペンチル、１−ｎ−プロピルシクロペンチル、１−イソ
プロピルシクロペンチル、１−ｎ−ブチルシクロペンチ
ル、１−ｓｅｃ−ブチルシクロペンチル、１−メチルシ
クロヘキシル、１−エチルシクロヘキシル、３−メチル
−１−シクロペンテン−３−イル、３−エチル−１−シ
クロペンテン−３−イル、３−メチル−１−シクロヘキ
セン−３−イル、３−エチル−１−シクロヘキセン−３
−イル等が例示できる。

【００４２】ベース樹脂の重量平均分子量は１，０００
〜５００，０００、好ましくは５，０００〜１００，０
００である。この範囲を外れると、エッチング耐性が極
端に低下したり、露光前後の溶解速度差が確保できなく
なって解像性が低下したりすることがある。

【００４３】なお、ベース樹脂の配合量の好適な範囲で
あるが、配合量を１００重量部とした場合、本発明のレ
ジスト材料に必須の式（１）のエステル化合物の配合量
が１〜５０重量部、好ましくは１〜４０重量部、より好
ましくは１〜３０重量部となるのがよい。ベース樹脂の
配合量が上記範囲を上回ると該エステル化合物の効果が
十分に発揮されない場合があり、下回るとパターンの膜
減りが生じて解像度が低下する場合がある。また、ベー
ス樹脂は１種に限らず２種以上を添加することができ、
複数種のベース樹脂を用いることによりレジスト材料の
性能を調整することができる。

【００４４】本発明で使用される高エネルギー線もしく
は電子線に感応して酸を発生する化合物（以下、酸発生
剤という）の具体的な例としては、 ｉ．下記一般式（Ｐ１ａ−１）、（Ｐ１ａ−２）又は
（Ｐ１ｂ）のオニウム塩、 ii．下記一般式（Ｐ２）のジアゾメタン誘導体、 iii．下記一般式（Ｐ３）のグリオキシム誘導体、 iv．下記一般式（Ｐ５）のＮ−ヒドロキシイミド化合物
のスルホン酸エステル、 ｖ．β−ケトスルホン酸誘導体、 vi．ジスルホン誘導体、 vii．ニトロベンジルスルホネート誘導体、 viii．スルホン酸エステル誘導体 等が挙げられる。

【００４５】

【化９】 （式中、Ｒ^101a、Ｒ^101b、Ｒ^101cはそれぞれ炭素数１〜
１２の直鎖状、分岐状、環状のアルキル基、アルケニル
基、オキソアルキル基又はオキソアルケニル基、炭素数
６〜２０のアリール基、又は炭素数７〜１２のアラルキ
ル基又はアリールオキソアルキル基を示し、これらの基
の水素原子の一部又は全部がアルコキシ基等によって置
換されていてもよい。また、Ｒ^101bとＲ^101cとは環を形
成してもよく、環を形成する場合には、Ｒ^101b、Ｒ^101c
はそれぞれ炭素数１〜６のアルキレン基を示す。Ｋ^-は
非求核性対向イオンを表す。）

【００４６】上記Ｒ^101a、Ｒ^101b、Ｒ^101cは互いに同一
であっても異なっていてもよく、具体的にはアルキル基
として、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピ
ル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブ
チル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチ
ル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘ
プチル基、シクロプロピルメチル基、４−メチルシクロ
ヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、ノルボルニル
基、アダマンチル基等が挙げられる。アルケニル基とし
ては、ビニル基、アリル基、プロぺニル基、ブテニル
基、ヘキセニル基、シクロヘキセニル基等が挙げられ
る。オキソアルキル基としては、２−オキソシクロペン
チル基、２−オキソシクロヘキシル基等が挙げられ、２
−オキソプロピル基、２−シクロペンチル−２−オキソ
エチル基、２−シクロヘキシル−２−オキソエチル基、
２−（４−メチルシクロヘキシル）−２−オキソエチル
基等を挙げることができる。アリール基としては、フェ
ニル基、ナフチル基等や、ｐ−メトキシフェニル基、ｍ
−メトキシフェニル基、ｏ−メトキシフェニル基、エト
キシフェニル基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル基、
ｍ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル基等のアルコキシフェ
ニル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル
基、４−メチルフェニル基、エチルフェニル基、４−ｔ
ｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−ブチルフェニル基、ジ
メチルフェニル基等のアルキルフェニル基、メチルナフ
チル基、エチルナフチル基等のアルキルナフチル基、メ
トキシナフチル基、エトキシナフチル基等のアルコキシ
ナフチル基、ジメチルナフチル基、ジエチルナフチル基
等のジアルキルナフチル基、ジメトキシナフチル基、ジ
エトキシナフチル基等のジアルコキシナフチル基等が挙
げられる。アラルキル基としてはベンジル基、フェニル
エチル基、フェネチル基等が挙げられる。アリールオキ
ソアルキル基としては、２−フェニル−２−オキソエチ
ル基、２−（１−ナフチル）−２−オキソエチル基、２
−（２−ナフチル）−２−オキソエチル基等の２−アリ
ール−２−オキソエチル基等が挙げられる。Ｋ^-の非求
核性対向イオンとしては塩化物イオン、臭化物イオン等
のハライドイオン、トリフレート、１，１，１−トリフ
ルオロエタンスルホネート、ノナフルオロブタンスルホ
ネート等のフルオロアルキルスルホネート、トシレー
ト、ベンゼンスルホネート、４−フルオロベンゼンスル
ホネート、１，２，３，４，５−ペンタフルオロベンゼ
ンスルホネート等のアリールスルホネート、メシレー
ト、ブタンスルホネート等のアルキルスルホネートが挙
げられる。

【００４７】

【化１０】 （式中、Ｒ^102a、Ｒ^102bはそれぞれ炭素数１〜８の直鎖
状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。Ｒ¹⁰³は炭素
数１〜１０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基を
示す。Ｒ^104a、Ｒ^104bはそれぞれ炭素数３〜７の２−オ
キソアルキル基を示す。Ｋ^-は非求核性対向イオンを表
す。）

【００４８】上記Ｒ^102a、Ｒ^102bとして具体的には、メ
チル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−
ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペ
ンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、シク
ロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロプロピルメチ
ル基、４−メチルシクロヘキシル基、シクロヘキシルメ
チル基等が挙げられる。Ｒ¹⁰³としては、メチレン基、
エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン
基、へキシレン基、へプチレン基、オクチレン基、ノニ
レン基、１，４−シクロへキシレン基、１，２−シクロ
へキシレン基、１，３−シクロペンチレン基、１，４−
シクロオクチレン基、１，４−シクロヘキサンジメチレ
ン基等が挙げられる。Ｒ^104a、Ｒ^104bとしては、２−オ
キソプロピル基、２−オキソシクロペンチル基、２−オ
キソシクロヘキシル基、２−オキソシクロヘプチル基等
が挙げられる。Ｋ^-は式（Ｐ１ａ−１）及び（Ｐ１ａ−
２）で説明したものと同様のものを挙げることができ
る。

【００４９】

【化１１】 （式中、Ｒ¹⁰⁵、Ｒ¹⁰⁶は炭素数１〜１２の直鎖状、分岐
状、環状のアルキル基又はハロゲン化アルキル基、炭素
数６〜２０のアリール基又はハロゲン化アリール基、又
は炭素数７〜１２のアラルキル基を示す。）

【００５０】Ｒ¹⁰⁵、Ｒ¹⁰⁶のアルキル基としてはメチル
基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチ
ル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチ
ル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、アミル
基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプ
チル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等が挙げられ
る。ハロゲン化アルキル基としてはトリフルオロメチル
基、１，１，１−トリフルオロエチル基、１，１，１−
トリクロロエチル基、ノナフルオロブチル基等が挙げら
れる。アリール基としてはフェニル基、ｐ−メトキシフ
ェニル基、ｍ−メトキシフェニル基、ｏ−メトキシフェ
ニル基、エトキシフェニル基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシ
フェニル基、ｍ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル基等のア
ルコキシフェニル基、２−メチルフェニル基、３−メチ
ルフェニル基、４−メチルフェニル基、エチルフェニル
基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−ブチルフェ
ニル基、ジメチルフェニル基等のアルキルフェニル基が
挙げられる。ハロゲン化アリール基としてはフルオロフ
ェニル基、クロロフェニル基、１，２，３，４，５−ペ
ンタフルオロフェニル基等が挙げられる。アラルキル基
としてはベンジル基、フェネチル基等が挙げられる。

【００５１】

【化１２】 （式中、Ｒ¹⁰⁷、Ｒ¹⁰⁸、Ｒ¹⁰⁹は炭素数１〜１２の直鎖
状、分岐状、環状のアルキル基又はハロゲン化アルキル
基、炭素数６〜２０のアリール基又はハロゲン化アリー
ル基、又は炭素数７〜１２のアラルキル基を示す。Ｒ
¹⁰⁸、Ｒ¹⁰⁹は互いに結合して環状構造を形成してもよ
く、環状構造を形成する場合、Ｒ¹⁰⁸、Ｒ¹⁰⁹はそれぞれ
炭素数１〜６の直鎖状、分岐状のアルキレン基を示
す。）

【００５２】Ｒ¹⁰⁷、Ｒ¹⁰⁸、Ｒ¹⁰⁹のアルキル基、ハロ
ゲン化アルキル基、アリール基、ハロゲン化アリール
基、アラルキル基としては、Ｒ¹⁰⁵、Ｒ¹⁰⁶で説明したも
のと同様の基が挙げられる。なお、Ｒ¹⁰⁸、Ｒ¹⁰⁹のアル
キレン基としてはメチレン基、エチレン基、プロピレン
基、ブチレン基、ヘキシレン基等が挙げられる。

【００５３】

【化１３】 （式中、Ｒ¹¹⁰は炭素数６〜１０のアリーレン基、炭素
数１〜６のアルキレン基又は炭素数２〜６のアルケニレ
ン基を示し、これらの基の水素原子の一部又は全部は更
に炭素数１〜４の直鎖状又は分岐状のアルキル基又はア
ルコキシ基、ニトロ基、アセチル基、又はフェニル基で
置換されていてもよい。Ｒ¹¹¹は炭素数１〜８の直鎖
状、分岐状又は置換のアルキル基、アルケニル基又はア
ルコキシアルキル基、フェニル基、又はナフチル基を示
し、これらの基の水素原子の一部又は全部は更に炭素数
１〜４のアルキル基又はアルコキシ基；炭素数１〜４の
アルキル基、アルコキシ基、ニトロ基又はアセチル基で
置換されていてもよいフェニル基；炭素数３〜５のヘテ
ロ芳香族基；又は塩素原子、フッ素原子で置換されてい
てもよい。）

【００５４】ここで、Ｒ¹¹⁰のアリーレン基としては、
１，２−フェニレン基、１，８−ナフチレン基等が、ア
ルキレン基としては、メチレン基、１，２−エチレン
基、１，３−プロピレン基、１，４−ブチレン基、１−
フェニル−１，２−エチレン基、ノルボルナン−２，３
−ジイル基等が、アルケニレン基としては、１，２−ビ
ニレン基、１−フェニル−１，２−ビニレン基、５−ノ
ルボルネン−２，３−ジイル基等が挙げられる。Ｒ¹¹¹
のアルキル基としては、Ｒ^101a〜Ｒ^101cと同様のもの
が、アルケニル基としては、ビニル基、１−プロペニル
基、アリル基、１−ブテニル基、３−ブテニル基、イソ
プレニル基、１−ペンテニル基、３−ペンテニル基、４
−ペンテニル基、ジメチルアリル基、１−ヘキセニル
基、３−ヘキセニル基、５−ヘキセニル基、１−ヘプテ
ニル基、３−ヘプテニル基、６−ヘプテニル基、７−オ
クテニル基等が、アルコキシアルキル基としては、メト
キシメチル基、エトキシメチル基、プロポキシメチル
基、ブトキシメチル基、ペンチロキシメチル基、ヘキシ
ロキシメチル基、ヘプチロキシメチル基、メトキシエチ
ル基、エトキシエチル基、プロポキシエチル基、ブトキ
シエチル基、ペンチロキシエチル基、ヘキシロキシエチ
ル基、メトキシプロピル基、エトキシプロピル基、プロ
ポキシプロピル基、ブトキシプロピル基、メトキシブチ
ル基、エトキシブチル基、プロポキシブチル基、メトキ
シペンチル基、エトキシペンチル基、メトキシヘキシル
基、メトキシヘプチル基等が挙げられる。

【００５５】なお、更に置換されていてもよい炭素数１
〜４のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロ
ピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル
基、ｔｅｒｔ−ブチル基等が、炭素数１〜４のアルコキ
シ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ
基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ
基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基等が、炭素数１〜４のアルキ
ル基、アルコキシ基、ニトロ基又はアセチル基で置換さ
れていてもよいフェニル基としては、フェニル基、トリ
ル基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル基、ｐ−アセチ
ルフェニル基、ｐ−ニトロフェニル基等が、炭素数３〜
５のヘテロ芳香族基としては、ピリジル基、フリル基等
が挙げられる。

【００５６】具体的には、オニウム塩、ジアゾメタン誘
導体、グリオキシム誘導体、β−ケトスルホン誘導体、
ニトロベンジルスルホネート誘導体、スルホン酸エステ
ル誘導体、Ｎ−ヒドロキシイミド化合物のスルホン酸エ
ステル誘導体等が挙げられる。より具体的には、オニウ
ム塩としては、トリフルオロメタンスルホン酸ジフェニ
ルヨードニウム、トリフルオロメタンスルホン酸（ｐ−
ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）フェニルヨードニウム、
ｐ−トルエンスルホン酸ジフェニルヨードニウム、ｐ−
トルエンスルホン酸（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニ
ル）フェニルヨードニウム、トリフルオロメタンスルホ
ン酸トリフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンス
ルホン酸（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）ジフェニ
ルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸ビス
（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）フェニルスルホニ
ウム、トリフルオロメタンスルホン酸トリス（ｐ−ｔｅ
ｒｔ−ブトキシフェニル）スルホニウム、ｐ−トルエン
スルホン酸トリフェニルスルホニウム、ｐ−トルエンス
ルホン酸（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）ジフェニ
ルスルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸ビス（ｐ−ｔ
ｅｒｔ−ブトキシフェニル）フェニルスルホニウム、ｐ
−トルエンスルホン酸トリス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシ
フェニル）スルホニウム、ノナフルオロブタンスルホン
酸トリフェニルスルホニウム、ブタンスルホン酸トリフ
ェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸ト
リメチルスルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸トリメ
チルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸シク
ロヘキシルメチル（２−オキソシクロヘキシル）スルホ
ニウム、ｐ−トルエンスルホン酸シクロヘキシルメチル
（２−オキソシクロヘキシル）スルホニウム、トリフル
オロメタンスルホン酸ジメチルフェニルスルホニウム、
ｐ−トルエンスルホン酸ジメチルフェニルスルホニウ
ム、トリフルオロメタンスルホン酸ジシクロヘキシルフ
ェニルスルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸ジシクロ
ヘキシルフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンス
ルホン酸トリナフチルスルホニウム、トリフルオロメタ
ンスルホン酸シクロヘキシルメチル（２−オキソシクロ
ヘキシル）スルホニウム、トリフルオロメタンスルホン
酸（２−ノルボニル）メチル（２−オキソシクロヘキシ
ル）スルホニウム、エチレンビス［メチル（２−オキソ
シクロペンチル）スルホニウムトリフルオロメタンスル
ホナート］、１，２'−ナフチルカルボニルメチルテト
ラヒドロチオフェニウムトリフレート等が挙げられる。
ジアゾメタン誘導体としては、ビス（ベンゼンスルホニ
ル）ジアゾメタン、ビス（ｐ−トルエンスルホニル）ジ
アゾメタン、ビス（キシレンスルホニル）ジアゾメタ
ン、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、
ビス（シクロペンチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス
（ｎ−ブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（イソブ
チルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｓｅｃ−ブチル
スルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｎ−プロピルスルホ
ニル）ジアゾメタン、ビス（イソプロピルスルホニル）
ジアゾメタン、ビス（ｔｅｒｔ−ブチルスルホニル）ジ
アゾメタン、ビス（ｎ−アミルスルホニル）ジアゾメタ
ン、ビス（イソアミルスルホニル）ジアゾメタン、ビス
（ｓｅｃ−アミルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｔ
ｅｒｔ−アミルスルホニル）ジアゾメタン、１−シクロ
ヘキシルスルホニル−１−（ｔｅｒｔ−ブチルスルホニ
ル）ジアゾメタン、１−シクロヘキシルスルホニル−１
−（ｔｅｒｔ−アミルスルホニル）ジアゾメタン、１−
ｔｅｒｔ−アミルスルホニル−１−（ｔｅｒｔ−ブチル
スルホニル）ジアゾメタン等が挙げられる。グリオキシ
ム誘導体としては、ビス−Ｏ−（ｐ−トルエンスルホニ
ル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−Ｏ−（ｐ−ト
ルエンスルホニル）−α−ジフェニルグリオキシム、ビ
ス−Ｏ−（ｐ−トルエンスルホニル）−α−ジシクロヘ
キシルグリオキシム、ビス−Ｏ−（ｐ−トルエンスルホ
ニル）−２，３−ペンタンジオングリオキシム、ビス−
Ｏ−（ｐ−トルエンスルホニル）−２−メチル−３，４
−ペンタンジオングリオキシム、ビス−Ｏ−（ｎ−ブタ
ンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−Ｏ
−（ｎ−ブタンスルホニル）−α−ジフェニルグリオキ
シム、ビス−Ｏ−（ｎ−ブタンスルホニル）−α−ジシ
クロヘキシルグリオキシム、ビス−Ｏ−（ｎ−ブタンス
ルホニル）−２，３−ペンタンジオングリオキシム、ビ
ス−Ｏ−（ｎ−ブタンスルホニル）−２−メチル−３，
４−ペンタンジオングリオキシム、ビス−Ｏ−（メタン
スルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−Ｏ−
（トリフルオロメタンスルホニル）−α−ジメチルグリ
オキシム、ビス−Ｏ−（１，１，１−トリフルオロエタ
ンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−Ｏ
−（ｔｅｒｔ−ブタンスルホニル）−α−ジメチルグリ
オキシム、ビス−Ｏ−（パーフルオロオクタンスルホニ
ル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−Ｏ−（シクロ
ヘキサンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビ
ス−Ｏ−（ベンゼンスルホニル）−α−ジメチルグリオ
キシム、ビス−Ｏ−（ｐ−フルオロベンゼンスルホニ
ル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−Ｏ−（ｐ−ｔ
ｅｒｔ−ブチルベンゼンスルホニル）−α−ジメチルグ
リオキシム、ビス−Ｏ−（キシレンスルホニル）−α−
ジメチルグリオキシム、ビス−Ｏ−（カンファースルホ
ニル）−α−ジメチルグリオキシム等が挙げられる。ビ
ススルホン誘導体としては、ビスナフチルスルホニルメ
タン、ビストリフルオロメチルスルホニルメタン、ビス
メチルスルホニルメタン、ビスエチルスルホニルメタ
ン、ビスプロピルスルホニルメタン、ビスイソプロピル
スルホニルメタン、ビス−ｐ−トルエンスルホニルメタ
ン、ビスベンゼンスルホニルメタン等が挙げられる。β
−ケトスルホン誘導体としては、２−シクロヘキシルカ
ルボニル−２−（ｐ−トルエンスルホニル）プロパン、
２−イソプロピルカルボニル−２−（ｐ−トルエンスル
ホニル）プロパン等が挙げられる。ジスルホン誘導体と
して、ジフェニルジスルホン、ジシクロヘキシルジスル
ホン等が挙げられる。ニトロベンジルスルホネート誘導
体としては、ｐ−トルエンスルホン酸２，６−ジニトロ
ベンジル、ｐ−トルエンスルホン酸２，４−ジニトロベ
ンジル等が挙げられる。スルホン酸エステル誘導体とし
ては、１，２，３−トリス（メタンスルホニルオキシ）
ベンゼン、１，２，３−トリス（トリフルオロメタンス
ルホニルオキシ）ベンゼン、１，２，３−トリス（ｐ−
トルエンスルホニルオキシ）ベンゼン等が挙げられる。
Ｎ−ヒドロキシイミド化合物のスルホン酸エステル誘導
体としては、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミドメタンスル
ホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミドトリフ
ルオロメタンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシスク
シンイミドエタンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシ
スクシンイミド１−プロパンスルホン酸エステル、Ｎ−
ヒドロキシスクシンイミド２−プロパンスルホン酸エス
テル、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミド１−ペンタンスル
ホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミド１−オ
クタンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシスクシンイ
ミドｐ−トルエンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシ
スクシンイミドｐ−メトキシベンゼンスルホン酸エステ
ル、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミド２−クロロエタンス
ルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミドベン
ゼンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミ
ド−２，４，６−トリメチルベンゼンスルホン酸エステ
ル、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミド１−ナフタレンスル
ホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミド２−ナ
フタレンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシ−２−フ
ェニルスクシンイミドメタンスルホン酸エステル、Ｎ−
ヒドロキシマレイミドメタンスルホン酸エステル、Ｎ−
ヒドロキシマレイミドエタンスルホン酸エステル、Ｎ−
ヒドロキシ−２−フェニルマレイミドメタンスルホン酸
エステル、Ｎ−ヒドロキシグルタルイミドメタンスルホ
ン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシグルタルイミドベンゼン
スルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシフタルイミドメタ
ンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシフタルイミドベ
ンゼンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシフタルイミ
ドトリフルオロメタンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロ
キシフタルイミドｐ−トルエンスルホン酸エステル、Ｎ
−ヒドロキシナフタルイミドメタンスルホン酸エステ
ル、Ｎ−ヒドロキシナフタルイミドベンゼンスルホン酸
エステル、Ｎ−ヒドロキシ−５−ノルボルネン−２，３
−ジカルボキシイミドメタンスルホン酸エステル、Ｎ−
ヒドロキシ−５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシ
イミドトリフルオロメタンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒ
ドロキシ−５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイ
ミドｐ−トルエンスルホン酸エステル等が挙げられる。

【００５７】好ましくは、トリフルオロメタンスルホン
酸トリフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスル
ホン酸（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）ジフェニル
スルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸トリス
（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）スルホニウム、ｐ
−トルエンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、ｐ−
トルエンスルホン酸（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニ
ル）ジフェニルスルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸
トリス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）スルホニウ
ム、トリフルオロメタンスルホン酸トリナフチルスルホ
ニウム、トリフルオロメタンスルホン酸シクロヘキシル
メチル（２−オキソシクロヘキシル）スルホニウム、ト
リフルオロメタンスルホン酸（２−ノルボニル）メチル
（２−オキソシクロヘキシル）スルホニウム、１，２'
−ナフチルカルボニルメチルテトラヒドロチオフェニウ
ムトリフレート等のオニウム塩、ビス（ベンゼンスルホ
ニル）ジアゾメタン、ビス（ｐ−トルエンスルホニル）
ジアゾメタン、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジア
ゾメタン、ビス（ｎ−ブチルスルホニル）ジアゾメタ
ン、ビス（イソブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス
（ｓｅｃ−ブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｎ
−プロピルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（イソプロ
ピルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｔｅｒｔ−ブチ
ルスルホニル）ジアゾメタン等のジアゾメタン誘導体、
ビス−Ｏ−（ｐ−トルエンスルホニル）−α−ジメチル
グリオキシム、ビス−Ｏ−（ｎ−ブタンスルホニル）−
α−ジメチルグリオキシム等のグリオキシム誘導体、ビ
スナフチルスルホニルメタン等のビススルホン誘導体、
Ｎ−ヒドロキシスクシンイミドメタンスルホン酸エステ
ル、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミドトリフルオロメタン
スルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミド１
−プロパンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシスクシ
ンイミド２−プロパンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロ
キシスクシンイミド１−ペンタンスルホン酸エステル、
Ｎ−ヒドロキシスクシンイミドｐ−トルエンスルホン酸
エステル、Ｎ−ヒドロキシナフタルイミドメタンスルホ
ン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシナフタルイミドベンゼン
スルホン酸エステル等のＮ−ヒドロキシイミド化合物の
スルホン酸エステル誘導体が用いられる。なお、上記酸
発生剤は１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用い
ることができる。一般に、オニウム塩は矩形性向上効果
に優れ、ジアゾメタン誘導体及びグリオキシム誘導体は
定在波低減効果に優れるため、両者を組み合わせること
によりプロファイルの微調整を行うことが可能である。

【００５８】酸発生剤の添加量は、ベース樹脂１００重
量部に対して好ましくは０．１〜１５重量部、より好ま
しくは０．５〜８重量部である。酸発生剤の添加量が上
記範囲を下回ると許容限界以下の低感度となる場合があ
り、上回ると透過率低下等のために解像性が低下した
り、また、低分子成分過剰により耐熱性が低下する場合
がある。

【００５９】本発明で使用される有機溶剤としては、一
般式（１）で示される炭素−炭素二重結合を有さないビ
ス（アルキルスルホニル）メタン誘導体、ベース樹脂、
酸発生剤、その他の添加剤等が溶解可能な有機溶剤であ
ればいずれでもよい。このような有機溶剤としては、例
えばシクロヘキサノン、メチル−２−ｎ−アミルケトン
等のケトン類、３−メトキシブタノール、３−メチル−
３−メトキシブタノール、１−メトキシ−２−プロパノ
ール、１−エトキシ−２−プロパノール等のアルコール
類、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレ
ングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコー
ルモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチル
エーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、ジ
エチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類、
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、
プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、
乳酸エチル、ピルビン酸エチル、酢酸ブチル、３−メト
キシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エ
チル、酢酸ｔｅｒｔ−ブチル、プロピオン酸ｔｅｒｔ−
ブチル、プロピレングリコールモノｔｅｒｔ−ブチルエ
ーテルアセテート等のエステル類が挙げられ、これらの
１種を単独で又は２種以上を混合して使用することがで
きるが、これらに限定されるものではない。本発明で
は、これらの有機溶剤の中でもレジスト成分中の酸発生
剤の溶解性が最も優れているジエチレングリコールジメ
チルエーテルや１−エトキシ−２−プロパノールの他、
安全溶剤であるプロピレングリコールモノメチルエーテ
ルアセテート及びその混合溶剤が好ましく使用される。

【００６０】有機溶剤の使用量は、ベース樹脂１００重
量部に対して２００〜１，０００重量部、特に４００〜
８００重量部が好適である。

【００６１】本発明のレジスト材料は、溶解制御剤とし
て下記一般式（２）で示されるエステル化合物を添加す
ることもできる。

【化１４】 ここで、Ｒ¹は炭素数４〜４０の直鎖状、分岐状又は環
状のヘテロ原子を含んでも良いｎ価（ｎは１〜８）の飽
和又は不飽和の炭化水素基を示す。

【００６２】具体的な例としては、（ｉ）炭素数４〜３
０、好ましくは６〜２５、更に好ましくは８〜２０の直
鎖状又は分岐状の脂肪族飽和炭化水素又は下記式Group
Aに示す脂環式飽和炭化水素、（ｉｉ）（ｉ）の任意の
位置の１個又は複数個の水素原子を直鎖状、分岐状又は
環状の好ましくは炭素数１〜２０、特に１〜１０のアル
キル基で置換した炭化水素、（ｉｉｉ）（ｉ）又は（ｉ
ｉ）の任意の位置の炭素−炭素結合を不飽和化して１個
又は複数個の二重結合又は三重結合を導入した炭化水
素、（ｉｖ）（ｉ）〜（ｉｉｉ）の任意の位置の１個又
は複数個のＣＨ₂、ＣＨ又はＣをＯ、Ｎ、ＮＨ、Ｓ、Ｓ
Ｏ又はＳＯ₂に置換した炭化水素、又は（ｖ）（ｉ）〜
（ｉｖ）の任意の位置の１個又は複数個の水素原子を下
記のヘテロ原子（酸素、窒素、硫黄、ハロゲン等）を含
む原子団又はこの原子団を含有するアルキル基もしくは
アリール基で置換した炭化水素において、これら（ｉ）
〜（ｖ）の炭化水素の任意の位置のｎ個の水素原子を除
いて結合手を導入した炭化水素基で、基全体としての炭
素数が４〜４０のものが挙げられる。

【００６３】この場合、このヘテロ原子を含む原子団と
しては、フッ素，塩素，臭素等のハロゲン原子、水酸
基、メトキシ，エトキシ，ブトキシ，ｔｅｒｔ−ブトキ
シ等のアルコキシ基、フェニルオキシ等のアリーロキシ
基、ホルミル基、メチルカルボニル，ｔｅｒｔ−ブチル
カルボニル等のアルキルカルボニル基、フェニルカルボ
ニル等のアリールカルボニル基、カルボキシ基、メトキ
シカルボニル，ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル等のアル
コキシカルボニル基、フェニルオキシカルボニル等のア
リーロキシカルボニル基、シアノ基、アミノ基、メチル
アミノ，ジメチルアミノ等のアルキルアミノ基、フェニ
ルアミノ，ジフェニルアミノ等のアリールアミノ基、メ
ルカプト基、メチルチオ等のアルキルチオ基、フェニル
チオ等のアリールチオ基、カルバモイル基、ジメチルカ
ルバモイル等のアルキルカルバモイル基、ジフェニルカ
ルバモイル等のアリールカルバモイル基、メチルカルボ
ニルアミノ等のアルキルカルボニルアミノ基、フェニル
カルボニルアミノ等のアリールカルボニルアミノ基、ス
ルホ基、オキソ基、イミノ基等の他、上記原子団を含有
するメチル、エチル、ブチル等のアルキル基やフェニル
等のアリール基等が挙げられる。

【００６４】なお、Ｒ¹は、基全体としての炭素数が４
〜４０、好ましくは６〜３５、更に好ましくは８〜３０
である。

【００６５】

【化１５】

【００６６】Ｒ²は、炭素数１〜８の直鎖状、分岐状又
は環状のアルキル基又は炭素数６〜２０のアルキル基等
で置換されていてもよいアリール基を示す。直鎖状、分
岐状、環状のアルキル基として、具体的には、メチル
基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチ
ル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｔｅｒ
ｔ−アミル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、シク
ロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロペンチルメチ
ル基、シクロペンチルエチル基、シクロヘキシルメチル
基、シクロヘキシルエチル基等を例示できる。アルキル
基等で置換されていてもよいアリール基として、具体的
には、フェニル基、メチルフェニル基、ナフチル基、ア
ンスリル基、フェナンスリル基、ピレニル基等を例示で
きる。

【００６７】Ｒ³〜Ｒ¹²は、それぞれ独立に水素原子、
又は炭素数１〜１５の非置換又はハロゲン原子、水酸
基、アルコキシ基、アリーロキシ基、ホルミル基、アル
キルカルボニル基、アリールカルボニル基、カルボキシ
基、アルコキシカルボニル基、アリーロキシカルボニル
基、シアノ基、アミノ基、アルキルアミノ基、アリール
アミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチ
オ基、カルバモイル基、アルキルカルバモイル基、アリ
ールカルバモイル基、アルキルカルボニルアミノ基、ア
リールカルボニルアミノ基、スルホ基、オキソ基、イミ
ノ基から選ばれる原子団で置換された直鎖状、分岐状又
は環状のアルキル基である。Ｒ³とＲ⁴、Ｒ ³とＲ⁵、Ｒ⁴
とＲ⁶、Ｒ⁵とＲ⁶、Ｒ⁵とＲ⁷、Ｒ⁵とＲ¹⁰、Ｒ⁵とＲ¹¹、
Ｒ⁶とＲ⁸、Ｒ ⁶とＲ¹¹、Ｒ⁷とＲ⁸、Ｒ⁷とＲ⁹、Ｒ⁷と
Ｒ¹¹、Ｒ⁸とＲ¹¹、Ｒ⁹とＲ¹⁰、Ｒ⁹とＲ¹¹、Ｒ¹⁰とＲ¹¹
は、それぞれ環を形成してもよく、この場合各基はそれ
ぞれ独立に炭素数１〜１５の非置換又はハロゲン原子、
水酸基、アルコキシ基、アリーロキシ基、ホルミル基、
アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基、カルボ
キシ基、アルコキシカルボニル基、アリーロキシカルボ
ニル基、シアノ基、アミノ基、アルキルアミノ基、アリ
ールアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリー
ルチオ基、カルバモイル基、アルキルカルバモイル基、
アリールカルバモイル基、アルキルカルボニルアミノ
基、アリールカルボニルアミノ基、スルホ基、オキソ
基、イミノ基から選ばれる原子団で置換された直鎖状、
分岐状又は環状のアルキレン基である。Ｒ³とＲ⁵、Ｒ⁵
とＲ¹¹、Ｒ⁷とＲ¹¹、Ｒ⁹とＲ¹¹は、単結合して、これら
の基が結合している炭素−炭素間で二重結合を形成して
いてもよい。なお、上記原子団の具体例としては、Ｒ¹
で説明したものと同様のものを例示することができる。
また、一般式（２）において、ｎは１〜８、好ましくは
１〜６の整数、更に好ましくはｎ＝１、２、３又は４で
ある。

【００６８】一般式（２）で示されるエステル化合物の
具体例としては、下記に示すもの及び後述する実施例に
示すものが挙げられるが、これに限定されるものではな
い。

【００６９】

【化１６】

【００７０】

【化１７】

【００７１】上記溶解制御剤の配合量は、ベース樹脂１
００重量部に対し、０〜５０重量部、好ましくは５〜５
０重量部、より好ましくは１０〜３０重量部であり、単
独又は２種以上を混合して使用できる。配合量が５重量
部に満たないと解像性の向上がない場合があり、５０重
量部を超えるとパターンの膜減りが生じ、解像度が低下
する場合がある。

【００７２】なお、上記のような溶解制御剤は、カルボ
キシ基を有する化合物に対し、有機化学的処方を用いて
酸不安定基を導入することにより合成される。

【００７３】更に、本発明のレジスト材料には、塩基性
化合物を配合することができる。塩基性化合物として
は、酸発生剤より発生する酸がレジスト膜中に拡散する
際の拡散速度を抑制することができる化合物が適してい
る。塩基性化合物の配合により、レジスト膜中での酸の
拡散速度が抑制されて解像度が向上し、露光後の感度変
化を抑制したり、基板や環境依存性を少なくし、露光余
裕度やパターンプロファイル等を向上することができ
る。

【００７４】このような塩基性化合物としては、第一
級、第二級、第三級の脂肪族アミン類、混成アミン類、
芳香族アミン類、複素環アミン類、カルボキシ基を有す
る含窒素化合物、スルホニル基を有する含窒素化合物、
水酸基を有する含窒素化合物、ヒドロキシフェニル基を
有する含窒素化合物、アルコール性含窒素化合物、アミ
ド誘導体、イミド誘導体等が挙げられる。

【００７５】具体的には、第一級の脂肪族アミン類とし
て、アンモニア、メチルアミン、エチルアミン、ｎ−プ
ロピルアミン、イソプロピルアミン、ｎ−ブチルアミ
ン、イソブチルアミン、ｓｅｃ−ブチルアミン、ｔｅｒ
ｔ−ブチルアミン、ペンチルアミン、ｔｅｒｔ−アミル
アミン、シクロペンチルアミン、ヘキシルアミン、シク
ロヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、
ノニルアミン、デシルアミン、ドデシルアミン、セチル
アミン、メチレンジアミン、エチレンジアミン、テトラ
エチレンペンタミン等が例示され、第二級の脂肪族アミ
ン類として、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジ−ｎ
−プロピルアミン、ジイソプロピルアミン、ジ−ｎ−ブ
チルアミン、ジイソブチルアミン、ジ−ｓｅｃ−ブチル
アミン、ジペンチルアミン、ジシクロペンチルアミン、
ジヘキシルアミン、ジシクロヘキシルアミン、ジヘプチ
ルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシ
ルアミン、ジドデシルアミン、ジセチルアミン、Ｎ，Ｎ
−ジメチルメチレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルエチレ
ンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルテトラエチレンペンタミ
ン等が例示され、第三級の脂肪族アミン類として、トリ
メチルアミン、トリエチルアミン、トリ−ｎ−プロピル
アミン、トリイソプロピルアミン、トリ−ｎ−ブチルア
ミン、トリイソブチルアミン、トリ−ｓｅｃ−ブチルア
ミン、トリペンチルアミン、トリシクロペンチルアミ
ン、トリヘキシルアミン、トリシクロヘキシルアミン、
トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニル
アミン、トリデシルアミン、トリドデシルアミン、トリ
セチルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラメチルメチレ
ンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラメチルエチレン
ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラメチルテトラエチ
レンペンタミン等が例示される。

【００７６】また、混成アミン類としては、例えばジメ
チルエチルアミン、メチルエチルプロピルアミン、ベン
ジルアミン、フェネチルアミン、ベンジルジメチルアミ
ン等が例示される。芳香族アミン類及び複素環アミン類
の具体例としては、アニリン誘導体（例えばアニリン、
Ｎ−メチルアニリン、Ｎ−エチルアニリン、Ｎ−プロピ
ルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、２−メチルア
ニリン、３−メチルアニリン、４−メチルアニリン、エ
チルアニリン、プロピルアニリン、トリメチルアニリ
ン、２−ニトロアニリン、３−ニトロアニリン、４−ニ
トロアニリン、２，４−ジニトロアニリン、２，６−ジ
ニトロアニリン、３，５−ジニトロアニリン、Ｎ，Ｎ−
ジメチルトルイジン等）、ジフェニル（ｐ−トリル）ア
ミン、メチルジフェニルアミン、トリフェニルアミン、
フェニレンジアミン、ナフチルアミン、ジアミノナフタ
レン、ピロール誘導体（例えばピロール、２Ｈ−ピロー
ル、１−メチルピロール、２，４−ジメチルピロール、
２，５−ジメチルピロール、Ｎ−メチルピロール等）、
オキサゾール誘導体（例えばオキサゾール、イソオキサ
ゾール等）、チアゾール誘導体（例えばチアゾール、イ
ソチアゾール等）、イミダゾール誘導体（例えばイミダ
ゾール、４−メチルイミダゾール、４−メチル−２−フ
ェニルイミダゾール等）、ピラゾール誘導体、フラザン
誘導体、ピロリン誘導体（例えばピロリン、２−メチル
−１−ピロリン等）、ピロリジン誘導体（例えばピロリ
ジン、Ｎ−メチルピロリジン、ピロリジノン、Ｎ−メチ
ルピロリドン等）、イミダゾリン誘導体、イミダゾリジ
ン誘導体、ピリジン誘導体（例えばピリジン、メチルピ
リジン、エチルピリジン、プロピルピリジン、ブチルピ
リジン、４−（１−ブチルペンチル）ピリジン、ジメチ
ルピリジン、トリメチルピリジン、トリエチルピリジ
ン、フェニルピリジン、３−メチル−２−フェニルピリ
ジン、４−ｔｅｒｔ−ブチルピリジン、ジフェニルピリ
ジン、ベンジルピリジン、メトキシピリジン、ブトキシ
ピリジン、ジメトキシピリジン、１−メチル−２−ピリ
ドン、４−ピロリジノピリジン、１−メチル−４−フェ
ニルピリジン、２−（１−エチルプロピル）ピリジン、
アミノピリジン、ジメチルアミノピリジン等）、ピリダ
ジン誘導体、ピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、ピラ
ゾリン誘導体、ピラゾリジン誘導体、ピペリジン誘導
体、ピペラジン誘導体、モルホリン誘導体、インドール
誘導体、イソインドール誘導体、１Ｈ−インダゾール誘
導体、インドリン誘導体、キノリン誘導体（例えばキノ
リン、３−キノリンカルボニトリル等）、イソキノリン
誘導体、シンノリン誘導体、キナゾリン誘導体、キノキ
サリン誘導体、フタラジン誘導体、プリン誘導体、プテ
リジン誘導体、カルバゾール誘導体、フェナントリジン
誘導体、アクリジン誘導体、フェナジン誘導体、１，１
０−フェナントロリン誘導体、アデニン誘導体、アデノ
シン誘導体、グアニン誘導体、グアノシン誘導体、ウラ
シル誘導体、ウリジン誘導体等が例示される。

【００７７】更に、カルボキシ基を有する含窒素化合物
としては、例えばアミノ安息香酸、インドールカルボン
酸、アミノ酸誘導体（例えばニコチン酸、アラニン、ア
ルギニン、アスパラギン酸、グルタミン酸、グリシン、
ヒスチジン、イソロイシン、グリシルロイシン、ロイシ
ン、メチオニン、フェニルアラニン、スレオニン、リジ
ン、３−アミノピラジン−２−カルボン酸、メトキシア
ラニン）等が例示され、スルホニル基を有する含窒素化
合物として３−ピリジンスルホン酸、ｐ−トルエンスル
ホン酸ピリジニウム等が例示され、水酸基を有する含窒
素化合物、ヒドロキシフェニル基を有する含窒素化合
物、アルコール性含窒素化合物としては、２−ヒドロキ
シピリジン、アミノクレゾール、２，４−キノリンジオ
ール、３−インドールメタノールヒドレート、モノエタ
ノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールア
ミン、Ｎ−エチルジエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチ
ルエタノールアミン、トリイソプロパノールアミン、
２，２'−イミノジエタノール、２−アミノエタノ−
ル、３−アミノ−１−プロパノール、４−アミノ−１−
ブタノール、４−（２−ヒドロキシエチル）モルホリ
ン、２−（２−ヒドロキシエチル）ピリジン、１−（２
−ヒドロキシエチル）ピペラジン、１−［２−（２−ヒ
ドロキシエトキシ）エチル］ピペラジン、ピペリジンエ
タノール、１−（２−ヒドロキシエチル）ピロリジン、
１−（２−ヒドロキシエチル）−２−ピロリジノン、３
−ピペリジノ−１，２−プロパンジオール、３−ピロリ
ジノ−１，２−プロパンジオール、８−ヒドロキシユロ
リジン、３−クイヌクリジノール、３−トロパノール、
１−メチル−２−ピロリジンエタノール、１−アジリジ
ンエタノール、Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）フタルイ
ミド、Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）イソニコチンアミ
ド等が例示される。アミド誘導体としては、ホルムアミ
ド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルム
アミド、アセトアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，
Ｎ−ジメチルアセトアミド、プロピオンアミド、ベンズ
アミド等が例示される。イミド誘導体としては、フタル
イミド、サクシンイミド、マレイミド等が例示される。

【００７８】更に、下記一般式（Ｂ１）及び（Ｂ２）で
示される塩基性化合物を配合することもできる。

【化１８】 （式中、Ｒ³⁰¹、Ｒ³⁰²、Ｒ³⁰³、Ｒ³⁰⁷、Ｒ³⁰⁸はそれぞ
れ独立して直鎖状、分岐鎖状又は環状の炭素数１〜２０
のアルキレン基、Ｒ³⁰⁴、Ｒ³⁰⁵、Ｒ³⁰⁶、Ｒ³⁰⁹、Ｒ³¹⁰
は水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、アルキルカ
ルボニル基又はアミノ基を示し、Ｒ³⁰⁴とＲ³⁰⁵、Ｒ³⁰⁴
とＲ³⁰⁶、Ｒ³⁰⁵とＲ³⁰⁷、Ｒ³⁰⁴とＲ³⁰⁵とＲ ³⁰⁶、Ｒ³⁰⁹
とＲ³¹⁰はそれぞれ結合して環を形成してもよい。Ｓ、
Ｔ、Ｕはそれぞれ０〜２０の整数である。但し、Ｓ、
Ｔ、Ｕ＝０のとき、Ｒ³⁰⁴、Ｒ³⁰⁵、Ｒ^{30 6}、Ｒ³⁰⁹、Ｒ
³¹⁰は水素原子を含まない。）

【００７９】ここで、Ｒ³⁰¹、Ｒ³⁰²、Ｒ³⁰³、Ｒ³⁰⁷、Ｒ
³⁰⁸のアルキレン基としては、炭素数１〜２０、好まし
くは１〜１０、更に好ましくは１〜８のものであり、具
体的には、メチレン基、エチレン基、ｎ−プロピレン
基、イソプロピレン基、ｎ−ブチレン基、イソブチレン
基、ｎ−ペンチレン基、イソペンチレン基、ヘキシレン
基、ノニレン基、デシレン基、シクロペンチレン基、シ
クロへキシレン基等が挙げられる。

【００８０】また、Ｒ³⁰⁴、Ｒ³⁰⁵、Ｒ³⁰⁶、Ｒ³⁰⁹、Ｒ
³¹⁰のアルキル基としては、炭素数１〜２０、好ましく
は１〜８、更に好ましくは１〜６のものであり、これら
は直鎖状、分岐状、環状のいずれであってもよい。具体
的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプ
ロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブ
チル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ヘキシル
基、ノニル基、デシル基、ドデシル基、トリデシル基、
シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。

【００８１】更に、Ｒ³⁰⁴とＲ³⁰⁵、Ｒ³⁰⁴とＲ³⁰⁶、Ｒ
³⁰⁵とＲ³⁰⁶、Ｒ³⁰⁴とＲ³⁰⁵とＲ³⁰⁶、Ｒ³⁰⁹とＲ³¹⁰が環
を形成する場合、その環の炭素数は１〜２０、より好ま
しくは１〜８、更に好ましくは１〜６であり、またこれ
らの環は炭素数１〜６、特に１〜４のアルキル基が分岐
していてもよい。

【００８２】Ｓ、Ｔ、Ｕはそれぞれ０〜２０の整数であ
り、より好ましくは１〜１０、更に好ましくは１〜８の
整数である。

【００８３】上記（Ｂ１）、（Ｂ２）の化合物として具
体的には、トリス｛２−（メトキシメトキシ）エチル｝
アミン、トリス｛２−（メトキシエトキシ）エチル｝ア
ミン、トリス［２−｛（２−メトキシエトキシ）メトキ
シ｝エチル］アミン、トリス｛２−（２−メトキシエト
キシ）エチル｝アミン、トリス｛２−（１−メトキシエ
トキシ）エチル｝アミン、トリス｛２−（１−エトキシ
エトキシ）エチル｝アミン、トリス｛２−（１−エトキ
シプロポキシ）エチル｝アミン、トリス［２−｛（２−
ヒドロキシエトキシ）エトキシ｝エチル］アミン、トリ
ス（２−アセトキシエチル）アミン、トリス（２−イソ
ブテリルオキシエチル）アミン、トリス（２−プロピオ
ニルオキシエチル）アミン、トリス（２−バレリルオキ
シエチル）アミン、トリス（２−ブチリルオキシエチ
ル）アミン、トリス（２−ピバロイルオキシエチル）ア
ミン、４，７，１３，１６，２１，２４−ヘキサオキサ
−１，１０−ジアザビシクロ［８．８．８］ヘキサコサ
ン、４，７，１３，１８−テトラオキサ−１，１０−ジ
アザビシクロ［８．５．５］エイコサン、１，４，１
０，１３−テトラオキサ−７，１６−ジアザビシクロオ
クタデカン、１−アザ−１２−クラウン−４、１−アザ
−１５−クラウン−５、１−アザ−１８−クラウン−６
等が挙げられる。特に第三級アミン、アニリン誘導体、
ピロリジン誘導体、ピリジン誘導体、キノリン誘導体、
アミノ酸誘導体、水酸基を有する含窒素化合物、ヒドロ
キシフェニル基を有する含窒素化合物、アルコール性含
窒素化合物、アミド誘導体、イミド誘導体、トリス｛２
−（メトキシメトキシ）エチル｝アミン、トリス｛（２
−（２−メトキシエトキシ）エチル｝アミン、トリス
［２−｛（２−メトキシエトキシ）メチル｝エチル］ア
ミン、１−アザ−１５−クラウン−５等が好ましい。

【００８４】上記塩基性化合物の配合量は、酸発生剤１
重量部に対して０．００１〜１０重量部、好ましくは
０．０１〜１重量部である。配合量が０．００１重量部
未満であると添加剤としての効果が十分に得られない場
合があり、１０重量部を超えると解像度や感度が低下す
る場合がある。

【００８５】更に、本発明のレジスト材料には、分子内
に≡Ｃ−ＣＯＯＨで示される基を有する化合物を配合す
ることができる。

【００８６】分子内に≡Ｃ−ＣＯＯＨで示される基を有
する化合物としては、例えば下記Ｉ群及びＩＩ群から選
ばれる１種又は２種以上の化合物を使用することができ
るが、これらに限定されるものではない。本成分の配合
により、レジストのＰＥＤ安定性が向上し、窒化膜基板
上でのエッジラフネスが改善される。 ［Ｉ群］下記一般式（Ａ１）〜（Ａ１０）で示される化
合物のフェノール性水酸基の水素原子の一部又は全部を
−Ｒ⁴⁰¹−ＣＯＯＨ（Ｒ⁴⁰¹は炭素数１〜１０の直鎖状又
は分岐状のアルキレン基）により置換してなり、かつ分
子中のフェノール性水酸基（Ｃ）と≡Ｃ−ＣＯＯＨで示
される基（Ｄ）とのモル比率がＣ／（Ｃ＋Ｄ）＝０．１
〜１．０である化合物。 ［ＩＩ群］下記一般式（Ａ１１）〜（Ａ１５）で示され
る化合物。

【００８７】

【化１９】 （但し、式中Ｒ⁴⁰⁸は水素原子又はメチル基を示す。Ｒ
⁴⁰²、Ｒ⁴⁰³はそれぞれ水素原子又は炭素数１〜８の直鎖
状又は分岐状のアルキル基又はアルケニル基を示す。Ｒ
⁴⁰⁴は水素原子又は炭素数１〜８の直鎖状又は分岐状の
アルキル基又はアルケニル基、或いは−（Ｒ⁴⁰⁹）_h−Ｃ
ＯＯＲ'基（Ｒ'は水素原子又は−Ｒ⁴⁰⁹−ＣＯＯＨ）を
示す。Ｒ⁴⁰⁵は−（ＣＨ₂）_i−（ｉ＝２〜１０）、炭素
数６〜１０のアリーレン基、カルボニル基、スルホニル
基、酸素原子又は硫黄原子を示す。Ｒ⁴⁰⁶は炭素数１〜
１０のアルキレン基、炭素数６〜１０のアリーレン基、
カルボニル基、スルホニル基、酸素原子又は硫黄原子を
示す。Ｒ⁴⁰⁷は水素原子又は炭素数１〜８の直鎖状又は
分岐状のアルキル基、アルケニル基、それぞれ水酸基で
置換されたフェニル基又はナフチル基を示す。Ｒ⁴⁰⁹は
炭素数１〜１０の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示
す。Ｒ⁴¹⁰は水素原子又は炭素数１〜８の直鎖状又は分
岐状のアルキル基又はアルケニル基又は−Ｒ⁴¹¹−ＣＯ
ＯＨ基を示す。Ｒ⁴¹¹は炭素数１〜１０の直鎖状又は分
岐状のアルキレン基を示す。ｊは０〜５の整数である。
ｕ、ｈは０又は１である。ｓ１、ｔ１、ｓ２、ｔ２、ｓ
３、ｔ３、ｓ４、ｔ４はそれぞれｓ１＋ｔ１＝８、ｓ２
＋ｔ２＝５、ｓ３＋ｔ３＝４、ｓ４＋ｔ４＝６を満足
し、かつ各フェニル骨格中に少なくとも１つの水酸基を
有するような数である。κは式（Ａ６）の化合物を重量
平均分子量１，０００〜５，０００とする数である。λ
は式（Ａ７）の化合物を重量平均分子量１，０００〜１
０，０００とする数である。）

【００８８】

【化２０】 （Ｒ⁴⁰²、Ｒ⁴⁰³、Ｒ⁴¹¹は上記と同様の意味を示す。Ｒ
⁴¹²は水素原子又は水酸基を示す。ｓ５、ｔ５は、ｓ５
≧０、ｔ５≧０で、ｓ５＋ｔ５≦５を満足する数であ
る。ｈ'は０又は１である。）

【００８９】本成分として、具体的には下記一般式ＡＩ
−１〜１４及びＡＩＩ−１〜１０で示される化合物を挙
げることができるが、これらに限定されるものではな
い。

【００９０】

【化２１】

【００９１】（Ｒ''は水素原子又はＣＨ₂ＣＯＯＨ基を
示し、各化合物においてＲ''の１０〜１００モル％はＣ
Ｈ₂ＣＯＯＨ基である。α、κは上記と同様の意味を示
す。）

【００９２】

【化２２】

【００９３】なお、上記分子内に≡Ｃ−ＣＯＯＨで示さ
れる基を有する化合物は、１種を単独で又は２種以上を
組み合わせて用いることができる。

【００９４】上記分子内に≡Ｃ−ＣＯＯＨで示される基
を有する化合物の添加量は、ベース樹脂１００重量部に
対して０〜５重量部、好ましくは０．１〜５重量部、よ
り好ましくは０．１〜３重量部、更に好ましくは０．１
〜２重量部である。５重量部より多いとレジスト材料の
解像性が低下する場合がある。

【００９５】更に、本発明のレジスト材料には、添加剤
としてアセチレンアルコール誘導体を配合することがで
き、これにより保存安定性を更に向上させ、また、塗布
性を向上させることができる。

【００９６】アセチレンアルコール誘導体としては、下
記一般式（Ｓ１）、（Ｓ２）で示されるものを好適に使
用することができる。

【化２３】 （式中、Ｒ⁵⁰¹、Ｒ⁵⁰²、Ｒ⁵⁰³、Ｒ⁵⁰⁴、Ｒ⁵⁰⁵はそれぞ
れ水素原子、又は炭素数１〜８の直鎖状、分岐状又は環
状のアルキル基であり、Ｘ、Ｙは０又は正数を示し、下
記値を満足する。０≦Ｘ≦３０、０≦Ｙ≦３０、０≦Ｘ
＋Ｙ≦４０である。）

【００９７】アセチレンアルコール誘導体として好まし
くは、サーフィノール６１、サーフィノール８２、サー
フィノール１０４、サーフィノール１０４Ｅ、サーフィ
ノール１０４Ｈ、サーフィノール１０４Ａ、サーフィノ
ールＴＧ、サーフィノールＰＣ、サーフィノール４４
０、サーフィノール４６５、サーフィノール４８５（Ａ
ｉｒ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ ａｎｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ
Ｉｎｃ．製）、サーフィノールＥ１００４（日信化学
工業社製）等が挙げられる。

【００９８】上記アセチレンアルコール誘導体の添加量
は、レジスト組成物１００重量％中０．０１〜２重量
％、より好ましくは０．０２〜１重量％である。０．０
１重量％より少ないと塗布性及び保存安定性の改善効果
が十分に得られない場合があり、２重量％より多いとレ
ジスト材料の解像性が低下する場合がある。

【００９９】本発明のレジスト材料には、上記成分以外
に任意成分として、好ましくは、塗布性を向上させるた
めに慣用されている界面活性剤を添加することができ
る。なお、任意成分の添加量は、本発明の効果を妨げな
い範囲で通常量とすることができる。

【０１００】ここで、界面活性剤としては非イオン性の
ものが好ましく、パーフルオロアルキルポリオキシエチ
レンエタノール、フッ素化アルキルエステル、パーフル
オロアルキルアミンオキサイド、パーフルオロアルキル
ＥＯ付加物、含フッ素オルガノシロキサン系化合物等が
挙げられる。例えばフロラード「ＦＣ−４３０」、「Ｆ
Ｃ−４３１」（いずれも住友スリーエム社製）、サーフ
ロン「Ｓ−１４１」、「Ｓ−１４５」（いずれも旭硝子
社製）、ユニダイン「ＤＳ−４０１」、「ＤＳ−４０
３」、「ＤＳ−４５１」（いずれもダイキン工業社
製）、メガファック「Ｆ−８１５１」（大日本インキ工
業（株）製）、「Ｘ−７０−０９２」、「Ｘ−７０−０
９３」（いずれも信越化学工業社製）等を挙げることが
できる。好ましくは、フロラード「ＦＣ−４３０」（住
友スリーエム社製）、「Ｘ−７０−０９３」（信越化学
工業社製）が挙げられる。

【０１０１】本発明のレジスト材料を使用してパターン
を形成するには、公知のリソグラフィー技術を採用して
行うことができ、例えばシリコンウエハー等の基板上に
スピンコーティング等の手法で膜厚が０．２〜２．０μ
ｍとなるように塗布し、これをホットプレート上で６０
〜１５０℃、１〜１０分間、好ましくは８０〜１３０
℃、１〜５分間プリベークする。次いで目的のパターン
を形成するためのマスクを上記のレジスト膜上にかざ
し、遠紫外線、エキシマレーザー、Ｘ線等の高エネルギ
ー線もしくは電子線を露光量１〜２００ｍＪ／ｃｍ²程
度、好ましくは５〜１００ｍＪ／ｃｍ²程度となるよう
に照射した後、ホットプレート上で６０〜１５０℃、１
〜５分間、好ましくは８０〜１３０℃、１〜３分間ポス
トエクスポージャベーク（ＰＥＢ）する。更に、０．１
〜５％、好ましくは２〜３％テトラメチルアンモニウム
ヒドロキシド（ＴＭＡＨ）等のアルカリ水溶液の現像液
を用い、０．１〜３分間、好ましくは０．５〜２分間、
浸漬（ｄｉｐ）法、パドル（ｐｕｄｄｌｅ）法、スプレ
ー（ｓｐｒａｙ）法等の常法により現像することにより
基板上に目的のパターンが形成される。なお、本発明材
料は、特に高エネルギー線の中でも１９３〜２４８ｎｍ
の遠紫外線又はエキシマレーザー、Ｘ線及び電子線によ
る微細パターンニングに最適である。また、上記範囲を
上限及び下限から外れる場合は、目的のパターンを得る
ことができない場合がある。

【０１０２】

【実施例】以下、実施例を示して本発明を具体的に説明
するが、本発明は下記実施例に制限されるものではな
い。 実施例及び比較例 炭素−炭素二重結合を有さないビス（アルキルスルホニ
ル）メタン誘導体（ＳＬＳ１〜３）ついて、レジスト材
料にした際の性能を評価した。また、比較のため、上記
ビス（アルキルスルホニル）メタン誘導体を用いないレ
ジスト材料も調製し、同様な性能評価を行った。各成分
については、下記式で示されるポリマー（Ｐｏｌｙｍｅ
ｒ１〜７）、酸発生剤（ＰＡＧ１〜４）、溶解制御剤
（ＤＲＲ１、２）、分子内に≡Ｃ−ＣＯＯＨで示される
基を有する化合物（ＡＣＣ１）より適当なものを選択
し、表１と表３に示す通り配合した。溶剤は、ＦＣ−４
３０（住友スリーエム社製）を０．０５重量％含むもの
を用いた。なお、各レジスト材料に用いる溶剤及び塩基
性化合物は、下記の通りである。 ＰＧＭＥＡ：プロピレングリコールメチルエーテルアセ
テート ＣｙＨｏ：シクロヘキサノン ＴＥＡ：トリエタノールアミン ＴＭＭＥＡ：トリス（２−メトキシメトキシエチル）ア
ミン ＴＡＥＡ：トリス（２−アセトキシエチル）アミン

【０１０３】実施例１〜２１ 下記表に示す組成でレジスト材料を調合した後、孔径
０．２μｍのテフロン（登録商標）製フィルターで濾過
し、レジスト液とした。レジスト液をシリコンオキシナ
イトライドで被膜されたシリコンウエハー上へスピンコ
ーティングし、０．４μｍの厚さに塗布した。次いで、
このシリコンウエハーをホットプレートを用いて１１０
℃で９０秒間ベークした。これをＡｒＦエキシマレーザ
ーステッパー（ニコン社製、ＮＡ＝０．５５）を用いて
露光し、１１０℃で９０秒間ベーク（ＰＥＢ）を施し、
２．３８％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドの
水溶液で現像を行ったところ、ポジ型のパターンを得る
ことができた。レジスト材料の評価は以下の項目につい
て行った。まず、０．２０μｍのラインアンドスペース
を１：１で解像する露光量を求め、感度（ ｍＪ／ｃ
ｍ²）とした。次に、この露光量における分離している
ラインアンドスペースの最小線幅（μｍ）を評価レジス
トの解像度とした。解像したレジストパターンの形状
は、走査型電子顕微鏡を用いて観察した。保存安定性評
価に関しては、室温（２３℃）にて３ヶ月放置し、３ヶ
月後の感度変化と未露光部の膜減り（露光前膜厚−現像
後膜厚）変化を観察し、それらの初期値との変化率
（％）を指標とした。各レジスト材料の組成及び評価結
果を表１と表２に示す。なお、使用した樹脂の構造をそ
の重量平均分子量（Ｍｗ）とともに記載する。

【０１０４】比較例１〜７ 下記表に示す組成でレジスト材料を調合した後、上記と
同様の方法で性能の評価を行った。各レジスト材料の組
成及び評価結果を表３と表４に示す。

【０１０５】表１〜４の結果より、本発明のレジスト材
料が、従来型のレジスト材料に比べ、高い保存安定性を
有することが確認された。

【０１０６】

【発明の効果】本発明のレジスト材料は、高エネルギー
線に感応し、感度、解像性、エッチング耐性、保存安定
性に優れているため、電子線や遠紫外線による微細加工
に有用である。特にＡｒＦエキシマレーザー、ＫｒＦエ
キシマレーザーの露光波長での吸収が小さいため、微細
でしかも基板に対して垂直なパターンを容易に形成する
ことができるという特徴を有する。

【０１０７】

【化２４】

【０１０８】

【化２５】

【０１０９】

【表１】

【０１１０】

【表２】

【０１１１】

【表３】

【０１１２】

【表４】

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０３Ｆ 7/004 ５０１ Ｇ０３Ｆ 7/004 ５０１ ５０２ ５０２ ５０４ ５０４ Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０２Ｒ (72)発明者 名倉 茂広 新潟県中頸城郡頸城村大字西福島28番地の １ 信越化学工業株式会社合成技術研究所 内 Ｆターム(参考） 2H025 AA00 AC04 AC08 AD03 BE00 BE07 BE10 BG00 CC01 CC03 CC04 CC20 FA17 4J002 BG031 BG041 BG051 BH021 BK001 DF007 EB116 EH029 EH079 EH099 EH109 EN027 EN037 EN067 EN077 EN107 EN117 EP017 EU027 EU047 EU177 EU227 EV216 EV218 EV246 EV296 EV327 EX029 FD206 FD207 FD209 FD319 GP03

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （Ａ）有機溶剤、（Ｂ）波長１９３ｎｍ
   の透過率が３０％／μｍ以上である、酸不安定基で保護
   されたアルカリ不溶性樹脂またはアルカリ難溶性樹脂で
   あって、該酸不安定基が解離したときにアルカリ可溶性
   となる−（ＣＯ）−Ｏ−（ＣＯ）_k−基（式中、ｋは０
   または１を示す。）を有する脂環式構造からなる樹脂、
   （Ｃ）酸発生剤、（Ｄ）塩基性化合物、（Ｅ）下記一般
   式（１）で示される炭素−炭素二重結合を有さないビス
   （アルキルスルホニル）メタン誘導体、を含有すること
   を特徴とするレジスト材料。 【化１】 （式中、Ｒp及びＲqは、互いに同一でも異なってもよ
   く、炭素数１〜１２の直鎖状、炭素数３〜１２の分岐状
   又は環状のヘテロ原子を含んでも良い１価の飽和炭化水
   素基を示す。Ｘ及びＹは、互いに同一でも異なってもよ
   く、水素原子、炭素数１〜１２の直鎖状、炭素数３〜１
   ２の分岐状又は環状のヘテロ原子を含んでも良い１価の
   飽和炭化水素基を示す。ＸとＹとは環を形成してもよ
   く、環を形成する場合にはＸ、Ｙはそれぞれ炭素数１〜
   １０の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示す。）
2. 【請求項２】 更に、（Ｆ）溶解制御剤を配合したこと
   を特徴とする請求項１に記載のレジスト材料。
3. 【請求項３】 更に、（Ｇ）界面活性剤を配合したこと
   を特徴とする請求項１又は請求項２に記載のレジスト材
   料。
4. 【請求項４】 請求項１〜３のいずれかに記載のレジス
   ト材料を基板上に塗布する工程と、加熱処理後フォトマ
   スクを介して高エネルギー線もしくは電子線で露光する
   工程と、必要に応じて加熱処理した後現像液を用いて現
   像する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方
   法。