JP3789137B2 - 感光性組成物 - Google Patents
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Description
本発明は、感光性の組成物と電気回路担体上の金属層の構造付与のためのエッチングレジスト又はガルヴァーニ作用のレジストとしてのその使用に関する。
導体プレート（プリント配線回路基板等）のラミネート乃至積層上で金属層、特に銅層に構造付与するために、好ましくはエッチングの際に銅層を覆って当該層をエッチング溶液から保護する感光性のラッカー又は箔（薄片）が使用される（パネルメッキ法、プリント・エッチ法）。この場合、このレジストはエッチング保護に用いられる。このために導体プレート表面又は導体プレート内部層として用いられる積層はレジストフィルムで被覆され、次いで導体パターン(Leiterbild)を露光され、現像され、露出した銅層をエッチングによって取り除かれる。次いでエッチングマスクとして用いられたレジストが再び取り除かれる。
別のやり方（パターンメッキ法）では、レジストが他の金属構成の前に被覆すべきサブストレート（基層）上に塗布され（ガルヴァーニ作用レジスト）、次いで導体パターンを露光され、現像される。その後に露出した銅面に別の金属が析出する。
過去において、導体列構造(Leiterzugstrukturen)の構造付与のために主として、生ずべき金属構造の露光後に有機溶剤を用いて現像されるレジストタイプが用いられた。この際、水の他に追加的にエステル、有機炭酸塩、エーテル又は酢酸塩を含有した溶剤が優先的に用いられた。最近、アルカリ性水溶液を用いて現像可能なレジストタイプが、この現像溶液が汚水処理の際に簡単に取り扱うことができるので、その価値を認められた。更に当該レジストタイプ乃至溶液は、溶液中に健康に害のある揮発性有機化合物を含有しないので、サービスパーソンの保護のために講じられるべき措置に関する利点も示す。
普通一般に、露光により硬化し続いての現像の際に露光されなかったレジスト範囲が除去されうる所謂ネガティブレジストが用いられる。ネガティブレジストの欠点は、先ず光硬化の後にレジストの保護作用が生じることにある。例えば埃の粒子が露光の際に一定の個所で光硬化を妨げ、その結果、それらの個所で現像の際に孔がレジスト面に生じる。この欠陥の起こりやすさはレジスト層の厚みを大きくすることによって回避することが可能である。むろん例えばレジストの光学的分解乃至解像はレジスト層での散光効果によって低下する。問題点排除のための他の可能性は、部屋の空気の純度を高めることにある。しかしながら、これは非常に費用がかかり、高くつく。それ故、ネガティブレジストで製造される導体プレートは、場合によってはレジストの露光及び現像後の製造プロセスの範囲においてもそのような欠陥位置を発見するために、欠陥の個別的程度について検査されなければならない。
更にパネルメッキ法に使用するためのネガティブレジストは箔としてのみしよう可能であり、したがって導体プレートに含まれる孔は、レジスト箔が孔入口を覆うことによって銅エッチング溶液から保護される（Tenting法）。ネガティブレジストが孔壁に直接的に施与されてそこで後続の銅エッチングプロセスの間も銅層の保護のためにそのままとされる代替的な方法は、このために孔内のレジストが露光されなければならないので、実用的でない。しかしながら、これは特に粗い孔壁を有した小さめの孔でない場合に確実に可能なものではない。Tenting法の場合、孔を覆うレジスト箔範囲が孔入口周りに十分に大きな支持面を有し、これら個所で後続するエッチングの際にも銅リングを孔入口周りに生じることが必須であるが、しかしながら上記銅リングは導体プレート上に不必要な面（スペース）を必要とする。
構造付与されるべき面にもたらされるフィルムが現像溶液にさしあたり不溶性で露光によって始めて溶解状態に変換されるポジティブレジストを使用する場合、既述した問題は極めてごく僅かな程度でのみ生じる。
とりわけ、残りリングを孔入口周りにとどめることなくパネルメッキ法で導体プレートにおける孔を金属化することがポジティブレジストで可能である。これによって著しく細かな回路パターンが可能となる。
更にポジティブレジストで一層良好な光学的解像が構造エッジのより正確な結像によって達成可能であることが判明した。
ネガティブレジスト及びポジティブレジストの作用は、W.M.Moreau著「Semiconductor Lithography」（Plenum Press、１９８８年）に詳細に述べられている。
典型的なポジティブレジストは通常はポリマーとしてノボラック(Novolake)を含有する。例えばこのようなレジストは米国特許第５２６６４４０号明細書に記載されている。
しかし、このフォトレジストは相対的に低い程度の感光性でしかなく、その結果、長い露光時間又は高い光の程度が受け入れられなければならない。例えばこれまでのポジティブレジストで被覆された導体プレートの露光のために約３５０ｍＪ／ｃｍ2の光の程度が必要で、一方でネガティブレジストを使用する場合には通常は約１００ｍＪ／ｃｍ2の値で十分である（H.Nakahara著、Electronic Packaging & Production、１９９２年、６６頁以下参照）。
最近、その感光性が或る有機酸における光励起のプロトン分裂(Protonenabspaltung)とアルカリ性水溶液に溶性の化合物を形成しながらレジストを生じるポリマーの側基(Seitengruppen)の引き続いての酸分解
とに依拠するポジティブレジストが記述されている。このレジストタイプの感光性は上記したタイプのものよりも著しく高い。
この
（増補-「chemically amplified photoresists」）」として示されたレジストの原理は、G.M.Wallraff等の著作「Designing tomorrow's photoresists」、Chemtech、１９９３年、２２〜３０頁に記載されている。これによれば、ＵＶ放射により分解可能な酸生成元
として有機オニウム塩、例えば、ヘキサフルオロアンチモン酸ジフェニルヨードニウムが用いられる。酸分解可能なポリマーとして好ましくは、酸触媒
により分裂されるカルボン酸エステル側基として第３級ブチル基を含有するポリアクリル酸塩が用いられる。この際、水溶液におけるポリマーの高い溶解性を引き起こす極性カルボン酸-側基が生じる。
米国特許第４４９１６２８号明細書に、酸生成元の他に酸分解可能なポリマーを含有し上述の原理にしたがって働くレジスト組成物が開示されている。ポリマーとして、第３級ブチルエステル基を備えたフェノール類又はスチレン類、例えばポリ（tert.-ブトキシカルボニルオキシスチレン）が提案される。酸生成元として、ジアリルイオドニウム-及びトリアリルスルフォニウム-金属ハロゲン化物が用いられる。
ヨーロッパ特許出願第０４４５０５８号公開公報に、酸分解によって触媒作用され酸生成元の他に酸分解可能なポリマー、例えばtert.-ブトキシカルボニルオキシ基を有したポリスチレンを含有するフォトレジストが記載されている。酸生成元として、有機オニウム塩、例えば、アリルジアゾニウム-金属ハロゲン化物、ジアリルイオドニウム-金属ハロゲン化物、トリアリルスルフォニウム-金属ハロゲン化物が提案される。
ヨーロッパ特許第０５６８８２７号公報に、同様に電気的に析出可能で酸生成元の他に追加的に酸分解可能なポリマーとしてポリステレン、即ち、フェノール樹脂、例えば、tert.-ブトキシカルボニルオキシ基を有したノボラックを含有したパターン形成組成物が記載されている。
米国特許第５２７２０４２号明細書に、同じくtert.-ブトキシカルボニル基を有したポリスチレンを含有し並びに側基としてtert.-ブトキシカルボニル基を有したポリアクリル酸塩を酸分解可能なポリマーとして含有したポジティブレジストが記載されている。酸生成元として、Ｎ-ヒドロキシアミド及びＮ-ヒドロキシイミド、例えばＮ-トリフルオロメチルスルフォニルオキシナフタルイミドが用いられる。フォトレジストをまた可視光に対し感応とするために、追加的に感光性剤（Photosensibilisator、光増感剤）としてアントラセン誘導体、例えば９,１０-ビス-（トリメチルシリルエチニール）-アントラセンが用いられる。
米国特許第５０７１７３０号明細書に、同じく酸生成元（アリルジアゾニウム-、ジアリルイオドニウム-、トリアリルスルフォニウム-金属ハロゲン化物）及び感光性剤（ピレン、ペリレン）の他に酸分解可能なポリマーを含有したポジティブレジストが記載されている。ポリマーとして、３つの異なるアルリル酸塩、即ち、アクリル酸tert.-ブチル乃至メタクリル酸tert.-ブチル、アクリル酸メチル乃至メタクリル酸メチル及びアクリル酸乃至メタクリル酸から形成されるポリアクリル酸塩が提案される。
米国特許第５０４５４３１号明細書に、上記レジストに非常に似た組成物が開示されている。そのポリマーは同じくアクリル酸塩の化合物から形成され、考えられうる補助的なアクリレート単位としてポリマー鎖にアクリル酸エチル又はアクリル酸ブチルを含有する。
米国特許第５２３０９８４号明細書に、電気泳動で析出可能なフォトレジストを形成するのに用いられる樹脂組成物が開示されている。これはアクリル酸、メタクリル酸、更にはtert.-アルキルアクリル酸塩乃至メタクリル酸塩、更には重合可能なモノマーからなる。当該重合可能なモノマーはホモポリマーとして０℃以下のガラス転移温度を有する。このようなモノマーとしてその他にアクリル酸エチル、アクリル酸プロピル、イソ-アクリル酸ブチル及びより高い同族体が挙げられる。フォト酸生成元
としてその他にホスホニウム塩、スルホニウム塩、ジアゾニウム塩、イオドニウム塩及びオキサゾール誘導体が提案される。
導体プレートの銅面に施される公知のポジティブレジストは露光領域の現像の際に銅面から残らず除去することができないことが判明した。露光の際に露光時間を延ばしたり光の強さを高めたりしても、銅表面上の残留物は完全には取り除くことができず、少なくともレジスト層が露光の際に満足すべき露光結果を達成するのに必要なパラメータ（露光時間、光の強さ）の範囲内で処理される場合には取り除けない。特に銅表面に直接付着するレジスト層は現像の際に完全確実に除去することができず、その結果、パネルメッキ法での後続するエッチングの際に、又はパターンメッキ法での後続する電解金属化の際に問題が生じる。除去可能でない残留物によって、銅表面へ引き続いて析出する金属層の付着が不備となり、あるいは不満足なエッチング結果となる。なぜなら、残留物がエッチングプロセスを妨げるからである。最も都合の悪い場合、それらの個所に新たな金属層がまったく析出しないか、銅層がエッチングプロセスの際にまったく攻撃されない。このような問題は半導体基層（サブストレート）の構造付与の際に現れない。
更に、これまでのフォトレジストにおける露光された個所と露光されなかった個所との間のコントラストは部分的に不満足な程度にだけ小さく、その結果、縁のシャープさが十分でない。加えて、公知のレジスト層は、アルカリ溶液中での十分に容易な現像性と化学製品に対する耐性との間の妥協がしばしば与えられなければならないので、化学製品に対する十分な耐性を、とりわけ酸性のエッチング溶液に対する耐性を有していない。更に公知のレジストは、埃や露光の際にレジスト層に堆積して露光を妨げる他の不純物に対する影響の受けやすさが増大してしまっている。ポジティブレジストの場合、そのような汚染によって普通一般に露光範囲において現像されない個所が生じ、その結果、導体プレート製造の際、この範囲において金属析出が進行しない。半導体回路の製造の場合には、このような欠陥の起こる頻度が増加することは、いずれにせよ製造が非常に高くきれいにされた室内空気でなされるので、たいして問題にならない。しかしながら、プリント配線回路基板のような導体プレートの製造の場合には室内空気の純度についての最も高い要求を満たすことができない。
本発明の基礎になっている課題乃至問題はそれ故、公知の方法の欠点を回避し、特に現像の際に例えば導体プレートの銅表面から残留物なしに除去可能で引き続いての処理ステップをフォトレジストの残留物による被害なしに行うことができるレジスト組成物を調製することにある。更に、フォトレジスト層が銅表面に十分良好にくっつくことも保証されなければならない。特に、露光されず後続の現像プロセスの際に除去されないレジスト層が引き続いての化学的処理ステップをダメージなしにもちこたえなければならず、露光された範囲と露光されない範囲の間で良好なコントラストを有しなければならず、現像の際に汚染に対してできるかぎり影響を受けやすくないようでなければならない。
上記課題は、請求の範囲の請求項１，４，５，６、１１にしたがう感光性の組成物によって解決される。本発明の有利な実施態様は従属請求項に与えられている。
本発明に係るレジストのバリエーションは、少なくとも１種のフォト酸生成元の他に、酸分解可能な側基を備え露光の際に遊離するフォト酸生成元の酸によって可溶性状態に変換される少なくとも１種のポリマーを含有する。
上記ポリマー、好ましくは共重合体（コポリマー）は本発明に係る課題を解決するために様々なモノマーから形成される。当該ポリマーは当該ポリマーに関するモノマーの次に述べる割合乃至割当分から形成される：
第１異形（バリエーション）：
Ａ-８モル％〜２０モル％の割合での、アクリル酸とメタクリル酸の化合物の群から選択されたモノマー、
Ｂ-１９モル％〜７０モル％の割合での、アクリル酸tert.-ブチルとメタクリル酸tert.-ブチルの化合物の群から選択されたモノマー、
Ｃ-１モル％〜３０モル％の割合での、メタクリル酸ヒドロキシエチル、メタクリル酸ヒドロキシプロピル、メタクリル酸ヒドロキシフェニル、アクリル酸ヒドロキシメチル、アクリル酸ヒドロキシプロピル及びアクリル酸ヒドロキシフェニルの化合物の群から選択されたモノマー。
酸分解可能なポリマーが上記のモノマーに追加的に含有可能である。
Ｄ-１０モル％〜６０モル％の割合での、アクリル酸メチルとメタクリル酸メチルの化合物の群から選択されたモノマー、
更になお酸分解可能なポリマーが上記のモノマーＡ，Ｂ，Ｃ及びＤに追加的に含有可能である。
Ｅ-３モル％〜３５モル％の割合での、一般式
ＣＨ2＝ＣＲ1-ＣＯＯＲ2
ここで、Ｒ1は水素原子又はメチル基
Ｒ2は少なくとも３個の炭素原子を有する線形又は分岐
アルキル基
を有する化合物の群から選択されたモノマー。
第２異形：
Ａ-１０モル％〜２５モル％の割合での、アクリル酸とメタクリル酸の化合物の群から選択されたモノマー、
Ｂ-１７モル％〜４０モル％の割合での、アクリル酸tert.-ブチルとメタクリル酸tert.-ブチルの化合物の群から選択されたモノマー、
Ｄ-２０モル％〜６０モル％の割合での、アクリル酸メチルとメタクリル酸メチルの化合物の群から選択されたモノマー、
Ｅ-１モル％〜３５モル％の割合での、一般式
ＣＨ2＝ＣＲ1-ＣＯＯＲ2
ここで、Ｒ1は水素原子又はメチル基
Ｒ2は少なくとも５個の炭素原子を有する線形又は分岐
アルキル基
を有する化合物の群から選択されたモノマー。
第３異形：
Ａ-１４モル％〜２０モル％の割合での、アクリル酸とメタクリル酸の化合物の群から選択されたモノマー、
Ｂ-２０モル％〜３２モル％の割合での、アクリル酸tert.-ブチルとメタクリル酸tert.-ブチルの化合物の群から選択されたモノマー、
Ｄ-３０モル％〜５０モル％の割合での、アクリル酸メチルとメタクリル酸メチルの化合物の群から選択されたモノマー、
Ｅ-１０モル％〜４０モル％の割合での、一般式
ＣＨ2＝ＣＲ1-ＣＯＯＲ2
ここで、Ｒ1は水素原子又はメチル基
Ｒ2は２個から４個の炭素原子を有する線形又は分岐
アルキル基
を有する化合物の群から選択されたモノマー。
第４異形：
Ａ-１４モル％〜１９モル％の割合での、アクリル酸とメタクリル酸の化合物の群から選択されたモノマー、
Ｂ-２６モル％〜４０モル％の割合での、アクリル酸tert.-ブチルとメタクリル酸tert.-ブチルの化合物の群から選択されたモノマー、
Ｄ-４０モル％〜５５モル％、好ましくは５０モル％〜５５モル％の割合での、アクリル酸メチルとメタクリル酸メチルの化合物の群から選択されたモノマー。
第５異形：
Ａ-１３モル％〜１５モル％の割合での、アクリル酸とメタクリル酸の化合物の群から選択されたモノマー、
Ｂ-２２．５モル％〜３０モル％の割合での、アクリル酸tert.-ブチルとメタクリル酸tert.-ブチルの化合物の群から選択されたモノマー、
Ｄ-５０モル％〜６５モル％の割合での、アクリル酸メチルとメタクリル酸メチルの化合物の群から選択されたモノマー。
フォト酸生成元の他に少なくとも既述のポリマーの１つを含有する上記組成物で次の特性を備えたフォトレジストが得られる：
ａ．露光された状態でレジスト層は問題なく現像溶液によって下にある銅層から除去可能である。銅表面に残留物は残らない。ポリマーがアクルル酸tert.-ブチル及び／又はメタクリル酸tert.-ブチルを含有することによって、レジスト層の溶解性は露光された状態において現像水溶液で増加する。
ｂ．露光されない状態でレジストは電気メッキプロセスで普通一般に用いられている処理溶液に耐性を有する。特にレジスト層は導体プレートの銅層に対する高い付着性を有する。ポリマーにおけるカルボン酸分、即ち、アクリル酸及びメタクリル酸の割合によって、銅表面へのレジストの付着性が増し、それによって化学製品による銅層の侵食（アンダーカッティング）の危険が減少する。他方、ポリマーにおけるカルボン酸分が減少する場合、現像水溶液におけるレジストの溶解性が減少する。
上記第１のポリマー異形にしたがうアクリル酸塩の側鎖に少なくとも３個の炭素原子を含むポリマー中の疎水性モノマー成分によって、露光されない組成物の化学処理剤（０〜１３のｐＨ値を有した処理水溶液）に対する抵抗力が強められる。本発明に係るフォトレジストにおける露光範囲と非露光範囲の同じ適合は、更に別のモノマーを有したポリマーにおける親水性成分と疎水性成分（同様に少なくとも２個の炭素原子を備えた側鎖）の量の間のバランスを調整することによって達成可能である。本発明に係るポリマーによって、露光の際のレジストのコントラストの増加が達成され、現像された層の化学製品に対する極めて高い耐性が達成される。例えば銅薄層で覆われた導体プレート上の本発明に係るレジストの現像層は、銅エッチングのために通常用いられる塩化銅(II)の塩酸溶液に数時間おいておかれてももちこたえる。むろんこの場合において、十分に現像された構造の側面に、銅薄層へのエッチング剤の側方腐食によって生じるくり抜き（アンダーカット）が形成される。しかしながら、レジスト層はそれ以外では銅薄層に欠陥なく付着する。
ｃ．その上、これまでのレジストでのものよりも著しく小さな欠陥率が達成される。当該欠陥率は埃汚染によって及び現像の際のレジスト表面の他の不純物によって引き起こされるものである。
ｄ．更に、露光されないレジスト層は適切な溶液（剥離剤）によってサブストレート表面から再び除去可能である。
ｅ．レジストは高い感光性を有する。本発明に係るポリマーは更に、レジストにおいて光がごく僅か散乱するにすぎない高い透明度の利点を有する。これによって、露光と引き続いての現像との際に高い縁のシャープさが可能であり、優れた写像（画像）のシャープさと卓越した光学的解像力がもたらされる。レジストの現像の際のコントラストは、アクリル酸tert.-ブチル乃至メタクリル酸tert.-ブチルの割合で増加する。
ｆ．或るモノマーからなるポリマーの適切な組成によって、４０℃から１５０℃の間の適切なガラス転移温度を有したポリマーが可能である。本発明に係る感光性の組成物が構造付与されるべき表面上への適用プロセスの際に加熱されるので、結果として生じる層は部分的な軟化によって、気泡、包有物あるいは他の妨げとなる不純物のない均一な厚みのフィルムとして形成可能である。更に所定範囲のガラス温度によって、冷えた状態で機械的な抵抗能があり暖められた状態でフレキシブルなレジスト層が可能である。
所定の範囲内にあるレジスト層のガラス移行温度は更に、乾燥レジストとして使用するために、ポリマー担体フィルムにもたらされるレジスト層のサブストレート表面への問題のない転移を可能とする。低すぎるガラス移行温度によって更に、組成物が使用不能な像をもたらし、高すぎる温度によってレジスト層の強すぎる強さ並びに非常に高い転移温度（担体からサブストレートへのレジスト層の転移）と光沢温度となる。
ｇ．本発明に係る組成物から構成されたレジスト層はアルカリ性水溶液によって現像され、あるいは完全に除去される。有機溶剤は必要なく、特に塩素化された炭化水素は必要ない。
感光性ポリマーは３００００〜９００００の、好ましくは３５０００〜８２０００の平均分子量Ｍwを有する。
ポリマーの分子量分布は、分子量Ｍｎの数平均に対するポリマーの平均分子量Ｍwの比率を与えるポリ分子性インデックス
ＰＩに記載されうる。当該ポリ分子性インデックスＰＩは分子量分布の範囲を記載している（このために
３４頁、G.Thieme Verlag、ドイツ、１９７７年も参照のこと）。本発明に係るポリマーのポリ分子性インデックスＰＩは１．６〜３．１の、好ましくは２．１〜３．０の値を有する。
これらの特性は多数の反応パラメータによって影響を受け、例えば溶剤の選択、反応温度の選択及び本発明に係るモノマー混合物の重合の際の反応開始剤（例えば過酸化化合物）のタイプによって影響を受ける。ポリ分子性インデックスＰＩの制御のための機構の指示は
４８７頁、
ドイツ、１９９０年に与えられている。ポリ分子性インデックスのための小さな値は狭い分子量分布を反映している。
フォト酸生成元として通常の化合物、例えばＮ-トリフルオロメチルスルフォニルオキシナフタルイミド（ＮＩＴ）：
及び、他の
のようなトリフルオルメチルスルフォニルオキシイミド誘導体、更にトリフルオロメチルスルフォニルオキシ-ビシクロ［２．２．１］-ヘプト-５-エン-２，３-ジカルボキシイミド（ＭＤＴ）、ナフトキノン-１，２-ジアジッド-４-スルフォン酸エステル、例えばフェニル-（２，３，４-トリヒドロキシフェニル）-メタノンを備えた１-ナフタリンスルフォン酸-３-ジアゾ-３，４-ジヒドロ-４-オキソエステルが用いられうる。別のＮ-トリフルオロメチルスルフォニルオキシイミド誘導体が
６４、１２３９〜１２４８頁並びに米国第５２７２０４２号明細書に与えられており、例えば
更に１，２，３-ベンゼン-トリス-（スルフォン酸トリフルオロメチルエステル）、１，２，３-ベンゼン-トリス-（スルフォン酸メチルエステル）、６，７-ビス-（トリフルオロメチルスルフォニルオキシ）-クマリン、２，３，４-トリス-（フルオロメチルスルフォニルオキシ）-ベンゾフェノンがフォト酸生成元として、並びにヨーロッパ特許出願第０４８９５６０号公開公報に記載されたフォト酸生成元が適切である。
フォト酸生成元の合成は例えばヨーロッパ特許出願第００５８６３８号公開公報並びに
６４、１２３９〜１２４８頁に記載されている。
感光性組成物中のフォト酸生成元の含有量は、組成物中のポリマー重量に関連して、１重量％〜２５重量％、好ましくは２重量％〜２０重量％である。
感光性組成物中に、フォト酸生成元とポリマーの他に別の成分が含有される：
上記組成物を所定のスペクトル強さ分布、好ましくは可視領域（３３０ｎｍ〜４４０ｎｍ）での光に対しても感度良くするために、当該組成物に１種又は複数種の光増感剤が加えられる。ここで主たるものは大抵の場合、ポリ環式芳香族化合物、例えばアントラセン、９-アントラセンメタノール、１，４-ジメトキシアントラセン、９，１０-ジエチルアントラセン、９-フェノキシメチルアントラセン、及び感光性組成物の感光性、好ましくは赤い光に対する感光性を非常に増加する例えば９，１０-bis-（トリメチルシリルエチニル）-アントラセンのような９,１０-bis-（エチニル）-アントラセンである。
これら光増感剤は、組成物中のポリマー重量に関連して、好ましくは１重量％〜６重量％、好ましくは２重量％〜４重量％の濃度で使用される。
その上、本発明に係る組成物は、構造付与されるべきサブストレート上で薄めの層であってもレジストの認識性を改善するための染料も含有可能であり、並びにフォトレジスト材料にとって普通の更なる成分も含有可能である。
レジストとして使用可能な組成物は例えば液状製剤として使用される。このために、適切な溶剤と、例えばエーテル、エーテルアルコール又はエーテルエステルと混合される。溶剤として、例えばプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、１-メトキシ-２-プロパノール、乳酸エチル、３-エトキシプロピオネート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、メトキシブタノール、ジエチレングリコールモノアルキルエーテル及びプロピレングリコールノモブチルエーテルが使用される。
液状の組成物は例えば引き延ばし（Aufschleudern、スピン乃至跳ね上げ）によって被覆されるべき表面にもたらされる（スピンコーティング）。別の施与乃至析出技術は、絞りローラを用いて液体が定められた厚みで薄い層を有した第１ローラ上にもたらされることで組成物が先ずこのローラを湿らすローラ被覆法である。このローラから上記層は続いてサブストレートとのローラの直接接触を介して当該サブストレートに移される。このようにして、大きな面で平坦なサブストレート表面にも一様な厚みのフィルムが形成されうる。普通一般に３μｍから２０μｍの組成物層厚が用いられる。
ローラ被覆法は、プレート状のサブストレート上、例えばプリント配線回路基板のような導体プレート上で問題なく定められた層厚のレジストが用いられうる利点を有する。更にサブストレートは水平姿勢で水平方向に被覆設備を通って案内されうる。そのような被覆設備は金属構造発生のために別の処理ステップのための他の水平設備と結び付けることが簡単に可能であり、その結果、自動化の可能性を伴ってサブストレートの単純化した処理が達成されうる。
更に液状の組成物は浸漬によってもサブストレート上にもたらされることが可能である。しかしながら、この際、エッジに色々なコントロール不能な層厚が生じる問題がある。
しかしながら、本発明に係る組成物は乾燥フィルム技術での使用のためにポリマー担体にも、例えばポリエステル箔にも塗布可能である。上記箔から上記組成物は、箔に塗布された感光性の層の構造付与されるべきサブストレートとの直接接触によって、例えば押圧によって移送される。
上記組成物でのサブストレートの被覆の後、形成されたレジスト層は例えば循環空気炉での熱作用のもとで、又は赤外線輻射によって乾燥される。その後、当該層は像を（テンプレートで）露光され、その後に潜像の形成を促進するために改めて加熱され（後燃焼、再加熱）、続いてレジスト層の露光範囲は現像の際に溶出される。このために好ましくはスプレー設備が用いられ、当該設備によって現像溶液が噴射ノズルを介してサブストレート表面に噴射される。現像溶液として好ましくはアルカリ水溶液、例えば炭酸ナトリウム溶液が用いられる。
感光性組成物は、例えば電気回路担体の製造のための、金属層の構造付与のためのエッチング乃至ガルヴァーノレジスト（ガルヴァーニ作用としてのレジスト）として使用可能である。それ故、既述の方法ステップに所望の金属構造製造のための別のプロセス、例えばエッチングプロセス又は別の電解金属析出法が接続する。その際、形成されたレジスト経路において露出した金属面はエッチングプロセスで除去され、又は電解析出法を用いて更に組織乃至構成される。
感光性組成物の別の使用は、好ましくはエポキシ樹脂、アクリルニトリル-ブタジエン-スチレン-共重合体（ＡＢＳ）及びポリイミドからスブストレートの光構造付与のための、加算技術乃至加色法でのガルヴァーノレジストとしての使用にある。ここで、金属構造は無電解の金属化乃至金属メッキ浴を用いて、露光と現像によって形成されるレジスト経路において作り出される。
構造付与法の終了後、レジスト層はサブストレート表面から再び、好ましくはアルカリ性水溶液、例えば苛性ソーダ溶液を用いて除去される。
本発明に係る組成物は例えばエポキシ樹脂薄層、ポリイミド薄層又はその複合物薄層の電気回路担体上での金属層の構造付与のために並びに金属乃至プラスチックサブストレート上での装飾目的のために用いられる。好ましい適用において、当該組成物は銅表面を備えた導体プレート及び導体プレートのために備えられた内側層ラミネートの製造のために用いられる。
以下の例は本発明の説明に供される：
例１（乾燥サブストレートの製造のためのポリマー合成）：
本発明に係るアクリル酸塩ポリマーの製造のために、先ずテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）とアゾ-ビス-イソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）が二重首フラスコ(Doppelhalskolben)に加えられた。次いでモノマーが添加された。反応混合物は反応の全期間中に空気排除下（気密）に維持された。本発明に係るポリマーの製造のために用いられた量比は次の表に与えられる：
重合反応の開始のために、混合物が加熱された。当該混合物は２４時間還流されて、反応の終了後に転換は１００％であった。
反応の終了後、ポリマーは石油ベンゼンで沈殿させられた。分離後、６０℃から７０℃で４８時間真空下に乾燥されて、無色の粉末が得られた。
上に記載された方法で更に表１に与えられたポリマーが同様に製造された。
例２（フォトレジストベースとしての反応溶液の直接使用のためのポリマー合成）：
例１のようにやり方がとられた。むろんプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）がＴＨＦの代わりに溶剤として用いられた。ポリマーの製造のために以下の量比の個々の成分が用いられた：
重合反応の開始のために、混合物が１００℃に加熱された。当該混合物は２６時間熱せられて、転換は１００％であった。例１に係る方法にしたがって製造されたポリマーと同じ組成を有するポリマーが得られた。
上に記載された方法で更に表１に与えられたポリマーが同様に製造された。
重合化の際に例１及び２で用いられた溶剤の代わりに、ジオキサン、シクロヘキサノン又はヘプタンも溶剤として使用された。アゾ-ビス-イソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）の代わりに、過酸化ベンゾイル又は他のラジカルな開始剤が用いられうる。転化乃至転換の完全さはそれ故に用いられる溶剤に、反応温度に、開始剤のタイプに及び反応持続時間に依存する。
例３（液状のフォトレジスト組成物、フォトラッカーの製造）：
黄色光領域において、酸生成元として３０重量部のＮ-トリフルオロメチルスルフォニルオキシナフタルイミド（ＮＩＴ）及び増感剤として２０重量部の９-アントラセンメタノール（ＡＭ）が、約２５重量％（２０〜３０重量％）の固体含有量を有した溶液、例１で得られたポリマーのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートでの溶液１０００重量部と混合された。
他の実施形態では、２５重量％のポリマー溶液の代わりに２０重量％のポリマー溶液及び３０重量％のポリマー溶液が使用された。
別の試験では、ＮＩＴとＡＭの代わりに２００重量％の４-ジアゾナフトキノンスルフォン酸エステルが使用された。
更に、例１にしたがって得られた同じ含有量を有した１-メトキシ-２-プロパノールでのポリマー乾燥物質の分解乃至溶解によって得られた対応するポリマー溶液も液状のフォトポリマー組成物の製造のために用いられた。
例４（導体プレートの構造付けのための例３に対応するフォトレジスト組成物の使用）：
米国Allied Signal Norplex Oak社製のタイプ名称ED 130なる導体プレート基礎材料が使用された。これは両側に１８μｍ厚の銅張りを有している（ＵＳ Military仕様書ＭＩＬ Ｓ １３９４９に対応する）。
当該基礎材料は次の方法経過にしたがって処理された：
１．前処理：a-Scheretch M（ドイツ国ベルリンAtotech
Deutschland GmbH社）でのエッチング浄化 ２０〜２５℃
ｂ-水での洗浄（すすぎ） ２５℃
ｃ-Ｈ2ＳＯ4での酸洗い ２５℃
ｄ-水での洗浄 ２５℃
ｅ-圧縮空気での乾燥
ｆ-送風炉での乾燥（５分） ８０℃
２．被覆：スピンコーティング
引き延ばされた層厚：２．５μｍ〜４．５μｍ
３．乾燥：ヒートプレート上で（２分） １００℃
又は送風炉内で（５分） ８０℃又は１００℃
４．露光：英国ＦＳＬ社製の露光器タイプＴ５０００、
波長３６５ｎｍ（ｉ-線）
光の強度２０ｍＪ／ｃｍ2〜６０ｍＪ／ｃｍ2
レイアウト：ドイツ国Haidenhain社の分解線
テストマスク
５．再加熱：ヒートプレート上で又は送風炉内で
３〜２０分 ８０〜１２０℃
６．現像：１重量％Ｎａ2ＣＯ3溶液を有したスプレー設備内で
（１分〜３分） ３０℃
７．銅エッチング：酸性の塩化鉄(III)エッチング溶液
（１０５秒〜３分） ４０℃
８．層除去：１．８重量％ＮａＯＨ溶液を有したスプレー
設備内で ５５℃
表１に挙げられたポリマー組成物を有し例３にしたがって製造されたレジストを用いて表２に対応する光学的解像が達成された。現像後に生じたフォトレジスト構造での経路において、残留物は認められなかった。露出した銅表面のエッチング（方法ステップ７）と引き続いてのレジストの層除去（方法ステップ８）後に、大いに分解された構造を備える銅型乃至テンプレートが得られた。
例５：
同一の結果が、例２に類似して反応溶液から製造された表１に係る組成物を備えたレジストで達成された。このために、ポリマー溶液がそれぞれ例２にしたがって製造され、例３にしたがってＮＩＴとＡＭとに混合され、フォトレジスト組成物に形成された。
例４にしたがう方法経過の条件下で、しかもその際、露光レジスト層が２０分間、８０℃で再加熱されて、形成された構造の非常に良好な光学的分解乃至解像が同様に得られた。現像後、経路においてレジスト残留物はもはや存在していなかった。
比較試験Ｖ１：
１７．６モル％のメタクリル酸
２１．４モル％のメタクリル酸tert.-ブチル
６１モル％のメタクリル酸メチル
の組成のポリマーで、それぞれ１０００重量部のポリマー溶液当たり３０重量部のＮＩＴと２０重量部のＡＭがプロピレングリコールモノメチルエーテルでの２５重量％のポリマー溶液において溶解されて、液状のフォトレジスト-組成物が製造された。
フォトレジストが例４にしたがう方法経過を用いて導体プレート基礎材料上にもたらされ、構造付けされた。現像後、レジスト経路において間隔の詰まった薄いレジスト層が認められた。このために下層をなす銅はエッチング溶液によって除去されないか、非常に不満足な程度でのみ除去されるだけであった。
前もって現像時間を長くし、より高い濃度の現像溶液を使用し、現像温度を高めあるいはこれらのやり方の組み合わせによって、このしっかりと付着するレジストフィルムは少なくとも部分的に孔を開けられることが可能であった。しかしながら、エッチング結果は、エッチング溶液が部分的になお存在するレジスト層のために妨げられずに銅を腐食することができないので、この場合にも不十分であった。更にレジスト経路における銅表面は現像溶液のより激しい腐食によって部分的に不動態化され、そのために、銅表面はまた容易にエッチングできなくなった。
次の組成を有するポリマーで試験が繰り返された：
１． ２．１モル％のアクリル酸
３０．７モル％のメタクリル酸tert.-ブチル
３３．６モル％のメタクリル酸メチル
３３．６モル％のアクリル酸エチル
２． ２０．５モル％のメタクリル酸
３１．０モル％のメタクリル酸tert.-ブチル
４８．５モル％のメタクリル酸メチル
これら場合もレジスト層の現像の際に十分良好な結果が得られなかった：レジスト経路になおレジストの残留物が残り、これが現像の際に完全には除去できないことが判明した。
例６（フォトレジストのためのローラ施与法）：
ローラ施与装置を用いて、例３にしたがいＣ，Ｊ，Ｐ（表１も参照）から製造された液状の組成物が導体プレート基礎材料断片（２５ｃｍ×３７．５ｃｍ）の銅表面にもたらされた。
このために米国Circuit-Foil社製の１．５ｍｍ厚のＦＲ ４-プレートと日本国Fukuda社製の１．０ｍｍ厚のプレートが用いられた。両タイプは両面に１７．５μｍ厚の銅ラミネートを有していた。
導体プレートの処理のための方法経過は次に示される方法経過にしたがって処理された：
１．前処理：ａ-Ｎａ2Ｓ2Ｏ8とＨ2ＳＯ4からなる溶液での
エッチング浄化（０．５分） ２５℃
ｂ-水での洗浄（０．５分） ２５℃
ｃ-空気中での乾燥（約１分）
２．被覆：ローラ被覆又はスピンコーティング
層厚：４μｍ〜６μｍ
３．乾燥：送風炉内で（５分） １００℃
４．露光：Tamarack社製の露光器
波長３６５ｎｍ（ｉ-線）
光の強度１０ｍＪ／ｃｍ2〜１５０ｍＪ／ｃｍ2
５．再加熱：送風炉内で５分〜２０分 ８０〜１２０℃
６．現像：１重量％Ｎａ2ＣＯ3溶液を有したスプレー設備内で
（２分） ３０℃
７．銅エッチング：ａ．酸性の塩化銅(II)エッチング溶液
（７０秒） ５０℃
ｂ．酸性の洗浄
ｃ．水での洗浄（０．５分）
８．層除去：１．８重量％ＮａＯＨ溶液を有したスプレー
設備内で（１．５分） ５５℃
表３に挙げられた結果が得られた。高度に分解乃至解像された構造がレジストの現像後に達成された。レジスト経路にはレジストの残留物がもはや認められなかった。
比較試験Ｖ２：
例６の試験が繰り返された。しかしながら、そこで用いられたレジストの代わりに、
１７．６モル％のメタクリル酸
２１．４モル％のメタクリル酸tert.-ブチル
６１．０モル％のメタクリル酸メチル
から形成されたポリマーを有する比較試験Ｖ１のレジストが使用された。表４に試験条件を掲げる。
使用可能な結果を得ることができなかった。現像の際に生じたレジスト経路において、なおレジスト残留物が存在し、これはより強い現像プロセスによっても除去することができなかった。
例７（アディティブ技術）：
２０重量％のポリマーＪ、酸生成元としての０．６重量％のＮ-トリフルオロメチルスルフォニルオキシナフタルイミド（ＮＩＴ）及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート中の感光剤としての０．４重量％の９-アントラセンメタノール（ＡＭ）から形成された本発明に係るフォトレジスト組成物が、前もってクロム／硫酸着色溶液（ピックリング溶液）で前処理されたアクリルニトリル-ブタジエン-スチレン共重合体（ＡＢＳ）からなるプラスチック部分に引き延ばされ、アクチベータ（Atotech Deutschland GmbH社のNoviganth▲Ｒ▼ AK I）で活性化され、Atotech Deutschland GmbH社のNoviganth▲Ｒ▼ AK II溶液で定着された。フォト組成物は二者択一的にローラ施与技術によってもＡＢＳ-部分にもたらされる。レジスト層の厚みは３μｍ〜２０μｍであった。
次いでレジスト層は７１ｍＪ／ｃｍ2〜９４ｍＪ／ｃｍ2の光強さでフォトマスクを通して露光され、その後に送風炉において１０分間、１００℃の温度で再燃焼した。テンプレート部分（サンプル部分）は１重量％Ｎａ2ＣＯ3溶液で３０℃にて現像された。
レジスト層での１００μｍ幅構造において、Noviganth▲Ｒ▼-アクチベータで形成されたパラジウム萌芽（根源）にニッケル層が４５℃〜５０℃で３〜４分内に無電解ニッケル浴（Atotech Deutschland GmbH社のNoviganth▲Ｒ▼ TC）から析出した。ニッケル層上に更に錫／鉛合金層が３５℃で５〜６分内に電解的に析出された（Atotech Deutschland GmbH社のSulfolyt▲Ｒ▼ TC）。
次いでレジスト層は５重量％水酸化カリウム溶液を用いて再び完全にＡＢＳ-部分から除去された。層除去の促進のために水酸化カリウム溶液はまたブチルジグリコールを添加された。
導体プレート（プリント配線回路基板等）のラミネート乃至積層上で金属層、特に銅層に構造付与するために、好ましくはエッチングの際に銅層を覆って当該層をエッチング溶液から保護する感光性のラッカー又は箔（薄片）が使用される（パネルメッキ法、プリント・エッチ法）。この場合、このレジストはエッチング保護に用いられる。このために導体プレート表面又は導体プレート内部層として用いられる積層はレジストフィルムで被覆され、次いで導体パターン(Leiterbild)を露光され、現像され、露出した銅層をエッチングによって取り除かれる。次いでエッチングマスクとして用いられたレジストが再び取り除かれる。
別のやり方（パターンメッキ法）では、レジストが他の金属構成の前に被覆すべきサブストレート（基層）上に塗布され（ガルヴァーニ作用レジスト）、次いで導体パターンを露光され、現像される。その後に露出した銅面に別の金属が析出する。
過去において、導体列構造(Leiterzugstrukturen)の構造付与のために主として、生ずべき金属構造の露光後に有機溶剤を用いて現像されるレジストタイプが用いられた。この際、水の他に追加的にエステル、有機炭酸塩、エーテル又は酢酸塩を含有した溶剤が優先的に用いられた。最近、アルカリ性水溶液を用いて現像可能なレジストタイプが、この現像溶液が汚水処理の際に簡単に取り扱うことができるので、その価値を認められた。更に当該レジストタイプ乃至溶液は、溶液中に健康に害のある揮発性有機化合物を含有しないので、サービスパーソンの保護のために講じられるべき措置に関する利点も示す。
普通一般に、露光により硬化し続いての現像の際に露光されなかったレジスト範囲が除去されうる所謂ネガティブレジストが用いられる。ネガティブレジストの欠点は、先ず光硬化の後にレジストの保護作用が生じることにある。例えば埃の粒子が露光の際に一定の個所で光硬化を妨げ、その結果、それらの個所で現像の際に孔がレジスト面に生じる。この欠陥の起こりやすさはレジスト層の厚みを大きくすることによって回避することが可能である。むろん例えばレジストの光学的分解乃至解像はレジスト層での散光効果によって低下する。問題点排除のための他の可能性は、部屋の空気の純度を高めることにある。しかしながら、これは非常に費用がかかり、高くつく。それ故、ネガティブレジストで製造される導体プレートは、場合によってはレジストの露光及び現像後の製造プロセスの範囲においてもそのような欠陥位置を発見するために、欠陥の個別的程度について検査されなければならない。
更にパネルメッキ法に使用するためのネガティブレジストは箔としてのみしよう可能であり、したがって導体プレートに含まれる孔は、レジスト箔が孔入口を覆うことによって銅エッチング溶液から保護される（Tenting法）。ネガティブレジストが孔壁に直接的に施与されてそこで後続の銅エッチングプロセスの間も銅層の保護のためにそのままとされる代替的な方法は、このために孔内のレジストが露光されなければならないので、実用的でない。しかしながら、これは特に粗い孔壁を有した小さめの孔でない場合に確実に可能なものではない。Tenting法の場合、孔を覆うレジスト箔範囲が孔入口周りに十分に大きな支持面を有し、これら個所で後続するエッチングの際にも銅リングを孔入口周りに生じることが必須であるが、しかしながら上記銅リングは導体プレート上に不必要な面（スペース）を必要とする。
構造付与されるべき面にもたらされるフィルムが現像溶液にさしあたり不溶性で露光によって始めて溶解状態に変換されるポジティブレジストを使用する場合、既述した問題は極めてごく僅かな程度でのみ生じる。
とりわけ、残りリングを孔入口周りにとどめることなくパネルメッキ法で導体プレートにおける孔を金属化することがポジティブレジストで可能である。これによって著しく細かな回路パターンが可能となる。
更にポジティブレジストで一層良好な光学的解像が構造エッジのより正確な結像によって達成可能であることが判明した。
ネガティブレジスト及びポジティブレジストの作用は、W.M.Moreau著「Semiconductor Lithography」（Plenum Press、１９８８年）に詳細に述べられている。
典型的なポジティブレジストは通常はポリマーとしてノボラック(Novolake)を含有する。例えばこのようなレジストは米国特許第５２６６４４０号明細書に記載されている。
しかし、このフォトレジストは相対的に低い程度の感光性でしかなく、その結果、長い露光時間又は高い光の程度が受け入れられなければならない。例えばこれまでのポジティブレジストで被覆された導体プレートの露光のために約３５０ｍＪ／ｃｍ2の光の程度が必要で、一方でネガティブレジストを使用する場合には通常は約１００ｍＪ／ｃｍ2の値で十分である（H.Nakahara著、Electronic Packaging & Production、１９９２年、６６頁以下参照）。
最近、その感光性が或る有機酸における光励起のプロトン分裂(Protonenabspaltung)とアルカリ性水溶液に溶性の化合物を形成しながらレジストを生じるポリマーの側基(Seitengruppen)の引き続いての酸分解
この
米国特許第４４９１６２８号明細書に、酸生成元の他に酸分解可能なポリマーを含有し上述の原理にしたがって働くレジスト組成物が開示されている。ポリマーとして、第３級ブチルエステル基を備えたフェノール類又はスチレン類、例えばポリ（tert.-ブトキシカルボニルオキシスチレン）が提案される。酸生成元として、ジアリルイオドニウム-及びトリアリルスルフォニウム-金属ハロゲン化物が用いられる。
ヨーロッパ特許出願第０４４５０５８号公開公報に、酸分解によって触媒作用され酸生成元の他に酸分解可能なポリマー、例えばtert.-ブトキシカルボニルオキシ基を有したポリスチレンを含有するフォトレジストが記載されている。酸生成元として、有機オニウム塩、例えば、アリルジアゾニウム-金属ハロゲン化物、ジアリルイオドニウム-金属ハロゲン化物、トリアリルスルフォニウム-金属ハロゲン化物が提案される。
ヨーロッパ特許第０５６８８２７号公報に、同様に電気的に析出可能で酸生成元の他に追加的に酸分解可能なポリマーとしてポリステレン、即ち、フェノール樹脂、例えば、tert.-ブトキシカルボニルオキシ基を有したノボラックを含有したパターン形成組成物が記載されている。
米国特許第５２７２０４２号明細書に、同じくtert.-ブトキシカルボニル基を有したポリスチレンを含有し並びに側基としてtert.-ブトキシカルボニル基を有したポリアクリル酸塩を酸分解可能なポリマーとして含有したポジティブレジストが記載されている。酸生成元として、Ｎ-ヒドロキシアミド及びＮ-ヒドロキシイミド、例えばＮ-トリフルオロメチルスルフォニルオキシナフタルイミドが用いられる。フォトレジストをまた可視光に対し感応とするために、追加的に感光性剤（Photosensibilisator、光増感剤）としてアントラセン誘導体、例えば９,１０-ビス-（トリメチルシリルエチニール）-アントラセンが用いられる。
米国特許第５０７１７３０号明細書に、同じく酸生成元（アリルジアゾニウム-、ジアリルイオドニウム-、トリアリルスルフォニウム-金属ハロゲン化物）及び感光性剤（ピレン、ペリレン）の他に酸分解可能なポリマーを含有したポジティブレジストが記載されている。ポリマーとして、３つの異なるアルリル酸塩、即ち、アクリル酸tert.-ブチル乃至メタクリル酸tert.-ブチル、アクリル酸メチル乃至メタクリル酸メチル及びアクリル酸乃至メタクリル酸から形成されるポリアクリル酸塩が提案される。
米国特許第５０４５４３１号明細書に、上記レジストに非常に似た組成物が開示されている。そのポリマーは同じくアクリル酸塩の化合物から形成され、考えられうる補助的なアクリレート単位としてポリマー鎖にアクリル酸エチル又はアクリル酸ブチルを含有する。
米国特許第５２３０９８４号明細書に、電気泳動で析出可能なフォトレジストを形成するのに用いられる樹脂組成物が開示されている。これはアクリル酸、メタクリル酸、更にはtert.-アルキルアクリル酸塩乃至メタクリル酸塩、更には重合可能なモノマーからなる。当該重合可能なモノマーはホモポリマーとして０℃以下のガラス転移温度を有する。このようなモノマーとしてその他にアクリル酸エチル、アクリル酸プロピル、イソ-アクリル酸ブチル及びより高い同族体が挙げられる。フォト酸生成元
導体プレートの銅面に施される公知のポジティブレジストは露光領域の現像の際に銅面から残らず除去することができないことが判明した。露光の際に露光時間を延ばしたり光の強さを高めたりしても、銅表面上の残留物は完全には取り除くことができず、少なくともレジスト層が露光の際に満足すべき露光結果を達成するのに必要なパラメータ（露光時間、光の強さ）の範囲内で処理される場合には取り除けない。特に銅表面に直接付着するレジスト層は現像の際に完全確実に除去することができず、その結果、パネルメッキ法での後続するエッチングの際に、又はパターンメッキ法での後続する電解金属化の際に問題が生じる。除去可能でない残留物によって、銅表面へ引き続いて析出する金属層の付着が不備となり、あるいは不満足なエッチング結果となる。なぜなら、残留物がエッチングプロセスを妨げるからである。最も都合の悪い場合、それらの個所に新たな金属層がまったく析出しないか、銅層がエッチングプロセスの際にまったく攻撃されない。このような問題は半導体基層（サブストレート）の構造付与の際に現れない。
更に、これまでのフォトレジストにおける露光された個所と露光されなかった個所との間のコントラストは部分的に不満足な程度にだけ小さく、その結果、縁のシャープさが十分でない。加えて、公知のレジスト層は、アルカリ溶液中での十分に容易な現像性と化学製品に対する耐性との間の妥協がしばしば与えられなければならないので、化学製品に対する十分な耐性を、とりわけ酸性のエッチング溶液に対する耐性を有していない。更に公知のレジストは、埃や露光の際にレジスト層に堆積して露光を妨げる他の不純物に対する影響の受けやすさが増大してしまっている。ポジティブレジストの場合、そのような汚染によって普通一般に露光範囲において現像されない個所が生じ、その結果、導体プレート製造の際、この範囲において金属析出が進行しない。半導体回路の製造の場合には、このような欠陥の起こる頻度が増加することは、いずれにせよ製造が非常に高くきれいにされた室内空気でなされるので、たいして問題にならない。しかしながら、プリント配線回路基板のような導体プレートの製造の場合には室内空気の純度についての最も高い要求を満たすことができない。
本発明の基礎になっている課題乃至問題はそれ故、公知の方法の欠点を回避し、特に現像の際に例えば導体プレートの銅表面から残留物なしに除去可能で引き続いての処理ステップをフォトレジストの残留物による被害なしに行うことができるレジスト組成物を調製することにある。更に、フォトレジスト層が銅表面に十分良好にくっつくことも保証されなければならない。特に、露光されず後続の現像プロセスの際に除去されないレジスト層が引き続いての化学的処理ステップをダメージなしにもちこたえなければならず、露光された範囲と露光されない範囲の間で良好なコントラストを有しなければならず、現像の際に汚染に対してできるかぎり影響を受けやすくないようでなければならない。
上記課題は、請求の範囲の請求項１，４，５，６、１１にしたがう感光性の組成物によって解決される。本発明の有利な実施態様は従属請求項に与えられている。
本発明に係るレジストのバリエーションは、少なくとも１種のフォト酸生成元の他に、酸分解可能な側基を備え露光の際に遊離するフォト酸生成元の酸によって可溶性状態に変換される少なくとも１種のポリマーを含有する。
上記ポリマー、好ましくは共重合体（コポリマー）は本発明に係る課題を解決するために様々なモノマーから形成される。当該ポリマーは当該ポリマーに関するモノマーの次に述べる割合乃至割当分から形成される：
第１異形（バリエーション）：
Ａ-８モル％〜２０モル％の割合での、アクリル酸とメタクリル酸の化合物の群から選択されたモノマー、
Ｂ-１９モル％〜７０モル％の割合での、アクリル酸tert.-ブチルとメタクリル酸tert.-ブチルの化合物の群から選択されたモノマー、
Ｃ-１モル％〜３０モル％の割合での、メタクリル酸ヒドロキシエチル、メタクリル酸ヒドロキシプロピル、メタクリル酸ヒドロキシフェニル、アクリル酸ヒドロキシメチル、アクリル酸ヒドロキシプロピル及びアクリル酸ヒドロキシフェニルの化合物の群から選択されたモノマー。
酸分解可能なポリマーが上記のモノマーに追加的に含有可能である。
Ｄ-１０モル％〜６０モル％の割合での、アクリル酸メチルとメタクリル酸メチルの化合物の群から選択されたモノマー、
更になお酸分解可能なポリマーが上記のモノマーＡ，Ｂ，Ｃ及びＤに追加的に含有可能である。
Ｅ-３モル％〜３５モル％の割合での、一般式
ＣＨ2＝ＣＲ1-ＣＯＯＲ2
ここで、Ｒ1は水素原子又はメチル基
Ｒ2は少なくとも３個の炭素原子を有する線形又は分岐
アルキル基
を有する化合物の群から選択されたモノマー。
第２異形：
Ａ-１０モル％〜２５モル％の割合での、アクリル酸とメタクリル酸の化合物の群から選択されたモノマー、
Ｂ-１７モル％〜４０モル％の割合での、アクリル酸tert.-ブチルとメタクリル酸tert.-ブチルの化合物の群から選択されたモノマー、
Ｄ-２０モル％〜６０モル％の割合での、アクリル酸メチルとメタクリル酸メチルの化合物の群から選択されたモノマー、
Ｅ-１モル％〜３５モル％の割合での、一般式
ＣＨ2＝ＣＲ1-ＣＯＯＲ2
ここで、Ｒ1は水素原子又はメチル基
Ｒ2は少なくとも５個の炭素原子を有する線形又は分岐
アルキル基
を有する化合物の群から選択されたモノマー。
第３異形：
Ａ-１４モル％〜２０モル％の割合での、アクリル酸とメタクリル酸の化合物の群から選択されたモノマー、
Ｂ-２０モル％〜３２モル％の割合での、アクリル酸tert.-ブチルとメタクリル酸tert.-ブチルの化合物の群から選択されたモノマー、
Ｄ-３０モル％〜５０モル％の割合での、アクリル酸メチルとメタクリル酸メチルの化合物の群から選択されたモノマー、
Ｅ-１０モル％〜４０モル％の割合での、一般式
ＣＨ2＝ＣＲ1-ＣＯＯＲ2
ここで、Ｒ1は水素原子又はメチル基
Ｒ2は２個から４個の炭素原子を有する線形又は分岐
アルキル基
を有する化合物の群から選択されたモノマー。
第４異形：
Ａ-１４モル％〜１９モル％の割合での、アクリル酸とメタクリル酸の化合物の群から選択されたモノマー、
Ｂ-２６モル％〜４０モル％の割合での、アクリル酸tert.-ブチルとメタクリル酸tert.-ブチルの化合物の群から選択されたモノマー、
Ｄ-４０モル％〜５５モル％、好ましくは５０モル％〜５５モル％の割合での、アクリル酸メチルとメタクリル酸メチルの化合物の群から選択されたモノマー。
第５異形：
Ａ-１３モル％〜１５モル％の割合での、アクリル酸とメタクリル酸の化合物の群から選択されたモノマー、
Ｂ-２２．５モル％〜３０モル％の割合での、アクリル酸tert.-ブチルとメタクリル酸tert.-ブチルの化合物の群から選択されたモノマー、
Ｄ-５０モル％〜６５モル％の割合での、アクリル酸メチルとメタクリル酸メチルの化合物の群から選択されたモノマー。
フォト酸生成元の他に少なくとも既述のポリマーの１つを含有する上記組成物で次の特性を備えたフォトレジストが得られる：
ａ．露光された状態でレジスト層は問題なく現像溶液によって下にある銅層から除去可能である。銅表面に残留物は残らない。ポリマーがアクルル酸tert.-ブチル及び／又はメタクリル酸tert.-ブチルを含有することによって、レジスト層の溶解性は露光された状態において現像水溶液で増加する。
ｂ．露光されない状態でレジストは電気メッキプロセスで普通一般に用いられている処理溶液に耐性を有する。特にレジスト層は導体プレートの銅層に対する高い付着性を有する。ポリマーにおけるカルボン酸分、即ち、アクリル酸及びメタクリル酸の割合によって、銅表面へのレジストの付着性が増し、それによって化学製品による銅層の侵食（アンダーカッティング）の危険が減少する。他方、ポリマーにおけるカルボン酸分が減少する場合、現像水溶液におけるレジストの溶解性が減少する。
上記第１のポリマー異形にしたがうアクリル酸塩の側鎖に少なくとも３個の炭素原子を含むポリマー中の疎水性モノマー成分によって、露光されない組成物の化学処理剤（０〜１３のｐＨ値を有した処理水溶液）に対する抵抗力が強められる。本発明に係るフォトレジストにおける露光範囲と非露光範囲の同じ適合は、更に別のモノマーを有したポリマーにおける親水性成分と疎水性成分（同様に少なくとも２個の炭素原子を備えた側鎖）の量の間のバランスを調整することによって達成可能である。本発明に係るポリマーによって、露光の際のレジストのコントラストの増加が達成され、現像された層の化学製品に対する極めて高い耐性が達成される。例えば銅薄層で覆われた導体プレート上の本発明に係るレジストの現像層は、銅エッチングのために通常用いられる塩化銅(II)の塩酸溶液に数時間おいておかれてももちこたえる。むろんこの場合において、十分に現像された構造の側面に、銅薄層へのエッチング剤の側方腐食によって生じるくり抜き（アンダーカット）が形成される。しかしながら、レジスト層はそれ以外では銅薄層に欠陥なく付着する。
ｃ．その上、これまでのレジストでのものよりも著しく小さな欠陥率が達成される。当該欠陥率は埃汚染によって及び現像の際のレジスト表面の他の不純物によって引き起こされるものである。
ｄ．更に、露光されないレジスト層は適切な溶液（剥離剤）によってサブストレート表面から再び除去可能である。
ｅ．レジストは高い感光性を有する。本発明に係るポリマーは更に、レジストにおいて光がごく僅か散乱するにすぎない高い透明度の利点を有する。これによって、露光と引き続いての現像との際に高い縁のシャープさが可能であり、優れた写像（画像）のシャープさと卓越した光学的解像力がもたらされる。レジストの現像の際のコントラストは、アクリル酸tert.-ブチル乃至メタクリル酸tert.-ブチルの割合で増加する。
ｆ．或るモノマーからなるポリマーの適切な組成によって、４０℃から１５０℃の間の適切なガラス転移温度を有したポリマーが可能である。本発明に係る感光性の組成物が構造付与されるべき表面上への適用プロセスの際に加熱されるので、結果として生じる層は部分的な軟化によって、気泡、包有物あるいは他の妨げとなる不純物のない均一な厚みのフィルムとして形成可能である。更に所定範囲のガラス温度によって、冷えた状態で機械的な抵抗能があり暖められた状態でフレキシブルなレジスト層が可能である。
所定の範囲内にあるレジスト層のガラス移行温度は更に、乾燥レジストとして使用するために、ポリマー担体フィルムにもたらされるレジスト層のサブストレート表面への問題のない転移を可能とする。低すぎるガラス移行温度によって更に、組成物が使用不能な像をもたらし、高すぎる温度によってレジスト層の強すぎる強さ並びに非常に高い転移温度（担体からサブストレートへのレジスト層の転移）と光沢温度となる。
ｇ．本発明に係る組成物から構成されたレジスト層はアルカリ性水溶液によって現像され、あるいは完全に除去される。有機溶剤は必要なく、特に塩素化された炭化水素は必要ない。
感光性ポリマーは３００００〜９００００の、好ましくは３５０００〜８２０００の平均分子量Ｍwを有する。
ポリマーの分子量分布は、分子量Ｍｎの数平均に対するポリマーの平均分子量Ｍwの比率を与えるポリ分子性インデックス
これらの特性は多数の反応パラメータによって影響を受け、例えば溶剤の選択、反応温度の選択及び本発明に係るモノマー混合物の重合の際の反応開始剤（例えば過酸化化合物）のタイプによって影響を受ける。ポリ分子性インデックスＰＩの制御のための機構の指示は
フォト酸生成元として通常の化合物、例えばＮ-トリフルオロメチルスルフォニルオキシナフタルイミド（ＮＩＴ）：
フォト酸生成元の合成は例えばヨーロッパ特許出願第００５８６３８号公開公報並びに
感光性組成物中のフォト酸生成元の含有量は、組成物中のポリマー重量に関連して、１重量％〜２５重量％、好ましくは２重量％〜２０重量％である。
感光性組成物中に、フォト酸生成元とポリマーの他に別の成分が含有される：
上記組成物を所定のスペクトル強さ分布、好ましくは可視領域（３３０ｎｍ〜４４０ｎｍ）での光に対しても感度良くするために、当該組成物に１種又は複数種の光増感剤が加えられる。ここで主たるものは大抵の場合、ポリ環式芳香族化合物、例えばアントラセン、９-アントラセンメタノール、１，４-ジメトキシアントラセン、９，１０-ジエチルアントラセン、９-フェノキシメチルアントラセン、及び感光性組成物の感光性、好ましくは赤い光に対する感光性を非常に増加する例えば９，１０-bis-（トリメチルシリルエチニル）-アントラセンのような９,１０-bis-（エチニル）-アントラセンである。
これら光増感剤は、組成物中のポリマー重量に関連して、好ましくは１重量％〜６重量％、好ましくは２重量％〜４重量％の濃度で使用される。
その上、本発明に係る組成物は、構造付与されるべきサブストレート上で薄めの層であってもレジストの認識性を改善するための染料も含有可能であり、並びにフォトレジスト材料にとって普通の更なる成分も含有可能である。
レジストとして使用可能な組成物は例えば液状製剤として使用される。このために、適切な溶剤と、例えばエーテル、エーテルアルコール又はエーテルエステルと混合される。溶剤として、例えばプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、１-メトキシ-２-プロパノール、乳酸エチル、３-エトキシプロピオネート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、メトキシブタノール、ジエチレングリコールモノアルキルエーテル及びプロピレングリコールノモブチルエーテルが使用される。
液状の組成物は例えば引き延ばし（Aufschleudern、スピン乃至跳ね上げ）によって被覆されるべき表面にもたらされる（スピンコーティング）。別の施与乃至析出技術は、絞りローラを用いて液体が定められた厚みで薄い層を有した第１ローラ上にもたらされることで組成物が先ずこのローラを湿らすローラ被覆法である。このローラから上記層は続いてサブストレートとのローラの直接接触を介して当該サブストレートに移される。このようにして、大きな面で平坦なサブストレート表面にも一様な厚みのフィルムが形成されうる。普通一般に３μｍから２０μｍの組成物層厚が用いられる。
ローラ被覆法は、プレート状のサブストレート上、例えばプリント配線回路基板のような導体プレート上で問題なく定められた層厚のレジストが用いられうる利点を有する。更にサブストレートは水平姿勢で水平方向に被覆設備を通って案内されうる。そのような被覆設備は金属構造発生のために別の処理ステップのための他の水平設備と結び付けることが簡単に可能であり、その結果、自動化の可能性を伴ってサブストレートの単純化した処理が達成されうる。
更に液状の組成物は浸漬によってもサブストレート上にもたらされることが可能である。しかしながら、この際、エッジに色々なコントロール不能な層厚が生じる問題がある。
しかしながら、本発明に係る組成物は乾燥フィルム技術での使用のためにポリマー担体にも、例えばポリエステル箔にも塗布可能である。上記箔から上記組成物は、箔に塗布された感光性の層の構造付与されるべきサブストレートとの直接接触によって、例えば押圧によって移送される。
上記組成物でのサブストレートの被覆の後、形成されたレジスト層は例えば循環空気炉での熱作用のもとで、又は赤外線輻射によって乾燥される。その後、当該層は像を（テンプレートで）露光され、その後に潜像の形成を促進するために改めて加熱され（後燃焼、再加熱）、続いてレジスト層の露光範囲は現像の際に溶出される。このために好ましくはスプレー設備が用いられ、当該設備によって現像溶液が噴射ノズルを介してサブストレート表面に噴射される。現像溶液として好ましくはアルカリ水溶液、例えば炭酸ナトリウム溶液が用いられる。
感光性組成物は、例えば電気回路担体の製造のための、金属層の構造付与のためのエッチング乃至ガルヴァーノレジスト（ガルヴァーニ作用としてのレジスト）として使用可能である。それ故、既述の方法ステップに所望の金属構造製造のための別のプロセス、例えばエッチングプロセス又は別の電解金属析出法が接続する。その際、形成されたレジスト経路において露出した金属面はエッチングプロセスで除去され、又は電解析出法を用いて更に組織乃至構成される。
感光性組成物の別の使用は、好ましくはエポキシ樹脂、アクリルニトリル-ブタジエン-スチレン-共重合体（ＡＢＳ）及びポリイミドからスブストレートの光構造付与のための、加算技術乃至加色法でのガルヴァーノレジストとしての使用にある。ここで、金属構造は無電解の金属化乃至金属メッキ浴を用いて、露光と現像によって形成されるレジスト経路において作り出される。
構造付与法の終了後、レジスト層はサブストレート表面から再び、好ましくはアルカリ性水溶液、例えば苛性ソーダ溶液を用いて除去される。
本発明に係る組成物は例えばエポキシ樹脂薄層、ポリイミド薄層又はその複合物薄層の電気回路担体上での金属層の構造付与のために並びに金属乃至プラスチックサブストレート上での装飾目的のために用いられる。好ましい適用において、当該組成物は銅表面を備えた導体プレート及び導体プレートのために備えられた内側層ラミネートの製造のために用いられる。
以下の例は本発明の説明に供される：
例１（乾燥サブストレートの製造のためのポリマー合成）：
本発明に係るアクリル酸塩ポリマーの製造のために、先ずテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）とアゾ-ビス-イソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）が二重首フラスコ(Doppelhalskolben)に加えられた。次いでモノマーが添加された。反応混合物は反応の全期間中に空気排除下（気密）に維持された。本発明に係るポリマーの製造のために用いられた量比は次の表に与えられる：
反応の終了後、ポリマーは石油ベンゼンで沈殿させられた。分離後、６０℃から７０℃で４８時間真空下に乾燥されて、無色の粉末が得られた。
上に記載された方法で更に表１に与えられたポリマーが同様に製造された。
例２（フォトレジストベースとしての反応溶液の直接使用のためのポリマー合成）：
例１のようにやり方がとられた。むろんプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）がＴＨＦの代わりに溶剤として用いられた。ポリマーの製造のために以下の量比の個々の成分が用いられた：
上に記載された方法で更に表１に与えられたポリマーが同様に製造された。
重合化の際に例１及び２で用いられた溶剤の代わりに、ジオキサン、シクロヘキサノン又はヘプタンも溶剤として使用された。アゾ-ビス-イソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）の代わりに、過酸化ベンゾイル又は他のラジカルな開始剤が用いられうる。転化乃至転換の完全さはそれ故に用いられる溶剤に、反応温度に、開始剤のタイプに及び反応持続時間に依存する。
例３（液状のフォトレジスト組成物、フォトラッカーの製造）：
黄色光領域において、酸生成元として３０重量部のＮ-トリフルオロメチルスルフォニルオキシナフタルイミド（ＮＩＴ）及び増感剤として２０重量部の９-アントラセンメタノール（ＡＭ）が、約２５重量％（２０〜３０重量％）の固体含有量を有した溶液、例１で得られたポリマーのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートでの溶液１０００重量部と混合された。
他の実施形態では、２５重量％のポリマー溶液の代わりに２０重量％のポリマー溶液及び３０重量％のポリマー溶液が使用された。
別の試験では、ＮＩＴとＡＭの代わりに２００重量％の４-ジアゾナフトキノンスルフォン酸エステルが使用された。
更に、例１にしたがって得られた同じ含有量を有した１-メトキシ-２-プロパノールでのポリマー乾燥物質の分解乃至溶解によって得られた対応するポリマー溶液も液状のフォトポリマー組成物の製造のために用いられた。
例４（導体プレートの構造付けのための例３に対応するフォトレジスト組成物の使用）：
米国Allied Signal Norplex Oak社製のタイプ名称ED 130なる導体プレート基礎材料が使用された。これは両側に１８μｍ厚の銅張りを有している（ＵＳ Military仕様書ＭＩＬ Ｓ １３９４９に対応する）。
当該基礎材料は次の方法経過にしたがって処理された：
１．前処理：a-Scheretch M（ドイツ国ベルリンAtotech
Deutschland GmbH社）でのエッチング浄化 ２０〜２５℃
ｂ-水での洗浄（すすぎ） ２５℃
ｃ-Ｈ2ＳＯ4での酸洗い ２５℃
ｄ-水での洗浄 ２５℃
ｅ-圧縮空気での乾燥
ｆ-送風炉での乾燥（５分） ８０℃
２．被覆：スピンコーティング
引き延ばされた層厚：２．５μｍ〜４．５μｍ
３．乾燥：ヒートプレート上で（２分） １００℃
又は送風炉内で（５分） ８０℃又は１００℃
４．露光：英国ＦＳＬ社製の露光器タイプＴ５０００、
波長３６５ｎｍ（ｉ-線）
光の強度２０ｍＪ／ｃｍ2〜６０ｍＪ／ｃｍ2
レイアウト：ドイツ国Haidenhain社の分解線
テストマスク
５．再加熱：ヒートプレート上で又は送風炉内で
３〜２０分 ８０〜１２０℃
６．現像：１重量％Ｎａ2ＣＯ3溶液を有したスプレー設備内で
（１分〜３分） ３０℃
７．銅エッチング：酸性の塩化鉄(III)エッチング溶液
（１０５秒〜３分） ４０℃
８．層除去：１．８重量％ＮａＯＨ溶液を有したスプレー
設備内で ５５℃
表１に挙げられたポリマー組成物を有し例３にしたがって製造されたレジストを用いて表２に対応する光学的解像が達成された。現像後に生じたフォトレジスト構造での経路において、残留物は認められなかった。露出した銅表面のエッチング（方法ステップ７）と引き続いてのレジストの層除去（方法ステップ８）後に、大いに分解された構造を備える銅型乃至テンプレートが得られた。
例５：
同一の結果が、例２に類似して反応溶液から製造された表１に係る組成物を備えたレジストで達成された。このために、ポリマー溶液がそれぞれ例２にしたがって製造され、例３にしたがってＮＩＴとＡＭとに混合され、フォトレジスト組成物に形成された。
例４にしたがう方法経過の条件下で、しかもその際、露光レジスト層が２０分間、８０℃で再加熱されて、形成された構造の非常に良好な光学的分解乃至解像が同様に得られた。現像後、経路においてレジスト残留物はもはや存在していなかった。
比較試験Ｖ１：
１７．６モル％のメタクリル酸
２１．４モル％のメタクリル酸tert.-ブチル
６１モル％のメタクリル酸メチル
の組成のポリマーで、それぞれ１０００重量部のポリマー溶液当たり３０重量部のＮＩＴと２０重量部のＡＭがプロピレングリコールモノメチルエーテルでの２５重量％のポリマー溶液において溶解されて、液状のフォトレジスト-組成物が製造された。
フォトレジストが例４にしたがう方法経過を用いて導体プレート基礎材料上にもたらされ、構造付けされた。現像後、レジスト経路において間隔の詰まった薄いレジスト層が認められた。このために下層をなす銅はエッチング溶液によって除去されないか、非常に不満足な程度でのみ除去されるだけであった。
前もって現像時間を長くし、より高い濃度の現像溶液を使用し、現像温度を高めあるいはこれらのやり方の組み合わせによって、このしっかりと付着するレジストフィルムは少なくとも部分的に孔を開けられることが可能であった。しかしながら、エッチング結果は、エッチング溶液が部分的になお存在するレジスト層のために妨げられずに銅を腐食することができないので、この場合にも不十分であった。更にレジスト経路における銅表面は現像溶液のより激しい腐食によって部分的に不動態化され、そのために、銅表面はまた容易にエッチングできなくなった。
次の組成を有するポリマーで試験が繰り返された：
１． ２．１モル％のアクリル酸
３０．７モル％のメタクリル酸tert.-ブチル
３３．６モル％のメタクリル酸メチル
３３．６モル％のアクリル酸エチル
２． ２０．５モル％のメタクリル酸
３１．０モル％のメタクリル酸tert.-ブチル
４８．５モル％のメタクリル酸メチル
これら場合もレジスト層の現像の際に十分良好な結果が得られなかった：レジスト経路になおレジストの残留物が残り、これが現像の際に完全には除去できないことが判明した。
例６（フォトレジストのためのローラ施与法）：
ローラ施与装置を用いて、例３にしたがいＣ，Ｊ，Ｐ（表１も参照）から製造された液状の組成物が導体プレート基礎材料断片（２５ｃｍ×３７．５ｃｍ）の銅表面にもたらされた。
このために米国Circuit-Foil社製の１．５ｍｍ厚のＦＲ ４-プレートと日本国Fukuda社製の１．０ｍｍ厚のプレートが用いられた。両タイプは両面に１７．５μｍ厚の銅ラミネートを有していた。
導体プレートの処理のための方法経過は次に示される方法経過にしたがって処理された：
１．前処理：ａ-Ｎａ2Ｓ2Ｏ8とＨ2ＳＯ4からなる溶液での
エッチング浄化（０．５分） ２５℃
ｂ-水での洗浄（０．５分） ２５℃
ｃ-空気中での乾燥（約１分）
２．被覆：ローラ被覆又はスピンコーティング
層厚：４μｍ〜６μｍ
３．乾燥：送風炉内で（５分） １００℃
４．露光：Tamarack社製の露光器
波長３６５ｎｍ（ｉ-線）
光の強度１０ｍＪ／ｃｍ2〜１５０ｍＪ／ｃｍ2
５．再加熱：送風炉内で５分〜２０分 ８０〜１２０℃
６．現像：１重量％Ｎａ2ＣＯ3溶液を有したスプレー設備内で
（２分） ３０℃
７．銅エッチング：ａ．酸性の塩化銅(II)エッチング溶液
（７０秒） ５０℃
ｂ．酸性の洗浄
ｃ．水での洗浄（０．５分）
８．層除去：１．８重量％ＮａＯＨ溶液を有したスプレー
設備内で（１．５分） ５５℃
表３に挙げられた結果が得られた。高度に分解乃至解像された構造がレジストの現像後に達成された。レジスト経路にはレジストの残留物がもはや認められなかった。
比較試験Ｖ２：
例６の試験が繰り返された。しかしながら、そこで用いられたレジストの代わりに、
１７．６モル％のメタクリル酸
２１．４モル％のメタクリル酸tert.-ブチル
６１．０モル％のメタクリル酸メチル
から形成されたポリマーを有する比較試験Ｖ１のレジストが使用された。表４に試験条件を掲げる。
使用可能な結果を得ることができなかった。現像の際に生じたレジスト経路において、なおレジスト残留物が存在し、これはより強い現像プロセスによっても除去することができなかった。
例７（アディティブ技術）：
２０重量％のポリマーＪ、酸生成元としての０．６重量％のＮ-トリフルオロメチルスルフォニルオキシナフタルイミド（ＮＩＴ）及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート中の感光剤としての０．４重量％の９-アントラセンメタノール（ＡＭ）から形成された本発明に係るフォトレジスト組成物が、前もってクロム／硫酸着色溶液（ピックリング溶液）で前処理されたアクリルニトリル-ブタジエン-スチレン共重合体（ＡＢＳ）からなるプラスチック部分に引き延ばされ、アクチベータ（Atotech Deutschland GmbH社のNoviganth▲Ｒ▼ AK I）で活性化され、Atotech Deutschland GmbH社のNoviganth▲Ｒ▼ AK II溶液で定着された。フォト組成物は二者択一的にローラ施与技術によってもＡＢＳ-部分にもたらされる。レジスト層の厚みは３μｍ〜２０μｍであった。
次いでレジスト層は７１ｍＪ／ｃｍ2〜９４ｍＪ／ｃｍ2の光強さでフォトマスクを通して露光され、その後に送風炉において１０分間、１００℃の温度で再燃焼した。テンプレート部分（サンプル部分）は１重量％Ｎａ2ＣＯ3溶液で３０℃にて現像された。
レジスト層での１００μｍ幅構造において、Noviganth▲Ｒ▼-アクチベータで形成されたパラジウム萌芽（根源）にニッケル層が４５℃〜５０℃で３〜４分内に無電解ニッケル浴（Atotech Deutschland GmbH社のNoviganth▲Ｒ▼ TC）から析出した。ニッケル層上に更に錫／鉛合金層が３５℃で５〜６分内に電解的に析出された（Atotech Deutschland GmbH社のSulfolyt▲Ｒ▼ TC）。
次いでレジスト層は５重量％水酸化カリウム溶液を用いて再び完全にＡＢＳ-部分から除去された。層除去の促進のために水酸化カリウム溶液はまたブチルジグリコールを添加された。
Claims (12)
- 露光によって現像溶液で不溶性から溶解状態に転換可能な感光性組成物にして、
I−少なくとも１種のフォト酸生成元、及び
II−以下のモノマーの各割合がポリマーに対するものであって、
Ａ-８モル％〜２０モル％の割合での、化合物アクリル酸とメタクリル酸の群から選択されたモノマー、
Ｂ-１９モル％〜７０モル％の割合での、化合物アクリル酸tert.-ブチルとメタクリル酸tert.-ブチルの群から選択されたモノマー、
Ｃ-１モル％〜３０モル％の割合での、化合物メタクリル酸ヒドロキシエチル、メタクリル酸ヒドロキシプロピル、メタクリル酸ヒドロキシフェノール、アクリル酸ヒドロキシエチル、アクリル酸ヒドロキシプロピル及びアクリル酸ヒドロキシフェノールの群から選択されたモノマー
から形成されたポリマー
を含有する組成物。 - Ｄ-１０モル％〜６０モル％の割合での、化合物アクリル酸メチルとメタクリル酸メチルの群から選択された追加モノマーを特徴とする請求項１に記載の組成物。
- Ｅ-３モル％〜３５モル％の割合での、一般式
ＣＨ2＝ＣＲ1-ＣＯＯＲ2
ここで、Ｒ1は水素原子又はメチル基であり、
Ｒ2は少なくとも３個の炭素原子を備えた線状又は分岐アルキル基である化合物の群から選択された追加モノマーを特徴とする請求項２に記載の組成物。 - 露光によって現像溶液で不溶性から溶解状態に転換可能な感光性組成物にして、
I−少なくとも１種のフォト酸生成元、及び
II−以下のモノマーの各割合がポリマーに対するものであって、
Ａ-１０モル％〜２５モル％の割合での、化合物アクリル酸とメタクリル酸の群から選択されたモノマー、
Ｂ-１７モル％〜４０モル％の割合での、化合物アクリル酸tert.-ブチルとメタクリル酸tert.-ブチルの群から選択されたモノマー、
Ｄ-２０モル％〜６０モル％の割合での、化合物アクリル酸メチルとメタクリル酸メチルの群から選択されたモノマー、
Ｅ-１モル％〜３５モル％の割合での、一般式
ＣＨ2＝ＣＲ1-ＣＯＯＲ2
ここで、Ｒ1は水素原子又はメチル基であり、
Ｒ2は少なくとも５個の炭素原子を備えた線状又は分岐アルキル基である化合物の群から選択されたモノマー
から形成されたポリマー
を含有する組成物。 - 露光によって現像溶液で不溶性から溶解状態に転換可能な感光性組成物にして、
I−少なくとも１種のフォト酸生成元、及び
II−以下のモノマーの各割合がポリマーに対するものであって、
Ａ-１４モル％〜２０モル％の割合での、化合物アクリル酸とメタクリル酸の群から選択されたモノマー、
Ｂ-２０モル％〜３２モル％の割合での、化合物アクリル酸tert.-ブチルとメタクリル酸tert.-ブチルの群から選択されたモノマー、
Ｄ-３０モル％〜５０モル％の割合での、化合物アクリル酸メチルとメタクリル酸メチルの群から選択されたモノマー、
Ｅ-１０モル％〜４０モル％の割合での、一般式
ＣＨ2＝ＣＲ1-ＣＯＯＲ2
ここで、Ｒ1は水素原子又はメチル基であり、
Ｒ2は少なくとも５個の炭素原子を備えた線状又は分岐アルキル基である化合物の群から選択されたモノマー
から形成されたポリマー
を含有する組成物。 - 露光によって現像溶液で不溶性から溶解状態に転換可能でありフェノールポリマーとノボラックの双方を含有しない感光性組成物にして、
I−少なくとも１種のフォト酸生成元、及び
II−以下のモノマーの各割合がポリマーに対するものであって、
Ａ-１３モル％〜１５モル％の割合での、化合物アクリル酸とメタクリル酸の群から選択されたモノマー、
Ｂ-２２．５モル％〜３０モル％の割合での、化合物アクリル酸tert.-ブチルとメタクリル酸tert.-ブチルの群から選択されたモノマー、
Ｄ-５０モル％〜６５モル％の割合での、化合物アクリル酸メチルとメタクリル酸メチルの群から選択されたモノマー
から形成されたポリマー
を含有する組成物。 - ３００００〜９００００の、好ましくは３５０００〜８２０００のポリマー平均分子量Ｍwと１．６〜３．１の、好ましくは２．１〜３．０のポリ分子数インデックスＰＩを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の組成物。
- 組成物中のポリマー重量に対して１重量％〜２５重量％の、好ましくは２重量％〜２０重量％のフォト酸生成元の含有量を特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の組成物。
- １種又は多数の追加的に含有された光増感剤を特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の組成物。
- 組成物中のポリマー重量に対して１重量％〜６重量％の、好ましくは２重量％〜４重量％の光増感剤の含有量を特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載の組成物。
- 金属層の構造付与のためにエッチングレジスト又はガルヴァーノレジストとしての請求項１〜１０のいずれか一項に記載された組成物の使用法。
- 組成物が、銅面を備える回路基板での金属層に構造付与するため、回路基板のための内側層ラミネートでの金属層に構造付与するため、並びに電気回路担体としてのポリイミド／銅ラミネートでの金属層に構造付与するために、エッチングレジスト又はガルヴァーニレジストに用いられることを特徴とする請求項１１に記載の使用法。
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