TW495647B

TW495647B - Photosensitive composition

Info

Publication number: TW495647B
Application number: TW085114470A
Authority: TW
Inventors: Heinrich Dr Dr Meyer; Gonzalo Urrutia Dr Desmaison; Gilles Meunier; Rosangela Pirri; Francis Verzaro
Original assignee: Atotech Deutschland Gmbh
Priority date: 1995-11-28
Filing date: 1996-11-23
Publication date: 2002-07-21
Also published as: EP0864119B1; DE19546140C2; WO1997020254A1; DE59606441D1; ES2154849T3; JP3789137B2; EP0864119A1; CA2238833A1; DE19546140A1; ATE199187T1; JP2000500883A

Description

495647

m 請 •§r 貝示，後更原實質内容濟部智慧財產局員工消費合作社印製發明說明（i)紐11^2〇鮮利憎錢魏明修正本本發明係關於一種易感光之組成物，及其在電氣性開關載體之金屬層形成結構時，作為抵抗腐蚀或抵抗電鐘之用。在金屬層形成結構，例如在導體板薄片之鋼層時，乃優先地使用易感光之油漆或薄片，覆蓋銅層以防止腐蝕，以免受腐蝕性溶液所傷害（電板覆蓋法、印刻法）。在此情況下，抵抗層係作為腐蝕保護層。在導體板表面或作為導體板内邵之薄層’以抵抗薄層覆蓋，繼之以導體圖形曝光、顯影，並將該已曝露之銅表面，以腐蝕法除去。繼之，可將此作為腐蚀護軍之抵抗層移走。在另外一種方法（圖形覆蓋法）中，在更多金屬建立在欲覆蓋之基質前，先加上抵抗層（電鍍抵抗層），並繼而以導體圖形曝光及顯影。之後，可在已曝露之銅表面上，將更多之金屬移走。過去，在導體圖像形狀形成結構時，曾大量使用一些抵抗層類型，其在曝光之後，與欲製造之金屬結構，利用有機溶劑顯影。在此，優先使用之溶劑，除水分之外，另含有酯、有機碳酸鹽、醚或醋酸鹽。最近亦發展出利用水性驗性溶液顯影之抵抗層類型，因為此顯影溶液在廢水處理時，手續較為簡單。除此之外，其還有以可控制之措施保護操作人員的優點，因為在此溶液中，不含揮發性之有機、對身體有害之化合物。一般使用所謂的負抵抗層，其通過曝光而硬化，以致其在後繼之顯影中，可以將沒有經過曝光之抵抗層範圍清本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 2g7公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ------- 1訂i *1 n n —a n ϋ I % 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 495647 Α7 ______ Β7 五、發明說明（2·) 理走。此負抵杬層之缺點在於，要先在曝光硬化之後，抵抗層之保護作财開始。舉例而言，塵獅粒可以在曝光時，在某些特足邵位防止曝光硬化，以致這些部位在顯影時，在抵抗表面上形成孔穴。此缺點可通過利用較厚之抵抗層而避免。但亦會例如被抵抗層之散射效果，將抵抗層之照像性效解像度降低。另外一個解決此問題之方法為，將室内空氣之純度提高。但此方法高度困難，而且非常昂貴。因此，以一種負抵抗層製造之導體板，必定要小心研究有否錯誤，甚至可能在製備過程中，在抵抗層之曝光及顯影之後，才可以找尋出此錯誤。此外’在使用於電板覆蓋法時，負抵抗層可以作為簿片使用，而在導體板中所含之孔，受保護免於被銅腐蚀性之溶液腐蚀，以致該抵抗落片延伸超過孔穴之入口（帳幕法）。另外一個方法為，負抵抗體直接放置到孔壁上，並在此就算在後繼之銅腐蝕法過程中，亦可留下以保護銅層，但此實際上亦行不通，因為在此之抵抗層，在孔ρ穴中亦必須受到曝光。但此並非十分可能，尤其是在較小、具有粗链孔壁之孔穴時。在帳幕法中，包圍所有孔穴之抵^ 箔範圍，必須有一足夠大之覆蓋面積，以包圍所有孔之二口，以使此位置就算在後繼之腐蝕過程中，在孔口周圍形成一銅環，其在導體板上，又不佔有任何不需要之面積。在使用一正抵抗層時，即放在需形成結構表面之顯影溶液起初為不溶解’並在曝光後才轉化為一種可溶解之狀態者，則無以上之問題。 ---------------丨訂------I--. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

495647 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ---—---§L__一五、發明說明（3·) 以正抵柷層尤其可能者，為在電板覆蓋法中，將導體板之孔穴金屬化，而不需要有餘環環繞存留於孔穴之入口處。由此可得大致上較細之開關樣品。此外已邊明者為，以正抵抗層可以通過結構棱角之精細構圖，達到一較佳之相片解像度。負及正抵抗層之作用方式，可在WM. M〇reau，

Semiconductor Lithography，Plenum Press，1988 中進一步得到解釋。典型之正感光抵抗層，含有一般之酚醛清漆作為聚合物。如US-PS 52 66 440中所述之抵抗層類型。

但此感光抵抗層相對地對光線不敏感，故於使用時，必須忍耐較長之曝光時間，或較高之光線強度。例如在導體板之感光時，需要約350mJ/cm2之光線強度。而在使用負抵抗層時，一般只需要約l〇〇mj/cm2已經足夠（比較H

Nakahara，Electronic Packaging & Production, 1992，第 66 頁起）。最近描寫之正抵抗層，其感光度係建立於指定有機酸光催化性之質子分裂，及在水性鹼性溶液可溶化合物之形成下，形成抵抗層之聚合物的後繼侧邊組別之酸分解。此抵抗層類型之感光度，比上述類型明顯為高。此稱為“具化學性加強（強化）之感光抵抗層，，（“化學強化之感光抵抗層”）之原理，係在GJVlWallraffetal.， “Designing tomorrow’s photoresists' Chemtech，1993，第 22 至30頁中描述。根據此文獻，使用紫外線可分解、產生酸本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -8 - ' . --------^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 495647 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（4·) 之有機叙言鹽類，例如二苯基碘徽六氟銻酸鹽。作為可被酸分解之聚合物，優先使用含特-丁基組，作為碳酸酯侧邊組別之聚丙埽醯，此組別可以被酸催化劑分解。在此會產生極化之碳酸侧邊組別，其能使聚合物在水性溶液中產生一高溶解度。在US_PS 44 91 628中，公開根據上述原理操作之抵抗層組成物，其除酸生成劑外，更含有一可被酸分解之聚合物組成物。作為聚合物，建議有以酚或苯乙烯與特_丁基酯組之化合物，例如聚-(特-丁氧羰基氧苯乙晞）組別。作為酸生成劑，係使用二芳基碘I翁及三芳基硫叙言金屬_化物。在EP 0 445 058 A1中，描述被酸分解催化之感光抵抗層，其除酸生成劑外，亦含酸可分解之聚合物，例如具特一丁氧#灰基乳組別之聚苯乙晞。作為酸生成劑，建議有機之錄宁鹽類，例如芳香基重氮基|翁_、二芳香基碘繪_及三芳香流硫繪-金屬鹵化物。在EP 0 568 827 A2中，描述有一種形成圖像之組成物，其亦可被電分離，並除一種酸生成劑外，另外含聚苯乙埽作為酸可分解之聚合物，即酚樹酯，例如具特_氧羰基氧組別之酚醛清漆。在US_PS 52 72 042中，描述一些正抵抗層，其亦含有具特-丁氧羰基組別之聚苯乙烯，及具特-丁氧羰基組別作為侧邊組別之作為酸可分解聚合物的聚丙烯酯。作為酸生成劑’係使用N-羥基醯胺及亞醯胺，例如N-三氟甲基磺醯氧萘。為了使感光抵抗層對可見光線敏感，另外再使用一種蒽 -----------裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) $ Λ -s 0 Ν V ? ^ -y/9 495647 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（衍生物作為感光劑，例如9,10-重-(三甲基硅烷基乙炔基)_ 蒽。在US-PS 507 1 730中，同樣描述一種正抵抗層，其除一種酸生成劑（芳基重氮基、二芳基碘^、三芳基硫馈_ 金屬鹵化物）及感光劑（祐，苑）外，更含一種可被酸分解之聚合物。作為聚合物，建議一種由三種不同丙婦酿形成之聚丙烯酯，即特-丁基丙晞酯或甲丙埽酯、甲基丙烯酯或甲丙婦醋’及丙錦·或曱丙晞酸。在US-PS 50 45 431中，公開一種跟上述抵抗層非常相似之組成物，其聚合物同樣由丙埽酿化合物組成，且在聚石物鏈中含有乙基丙烯酯或丁基丙烯酯，作為可能之附加丙埽單位。目前已證明，前述之放置到導體板銅表面上之正抵抗層’在將已曝光之範圍顯影時，並非完全可以無痕跡地從銅表面上去除。即使通過一較長之感光時間，或一較強之光線強度，亦無法將銅表面上之殘餘完全清除，至少不會在抵域跟-較滿意之曝光結果所需之參數（感光時間、光線強度）感光處理時。尤其是一直接附載於銅表面之抵 ^層’ 影時可能不完全及肯定地被清除，以致在後繼電板覆蓋法中之腐姑，或在後繼圖形覆蓋法中之電解性金屬化時引起問題。此不可被清除之殘餘，導致後來分離出而附在銅表面上金屬層之附著能力太差，或不滿意之腐蝕口果、3為殘餘物$阻止腐•過程。在最差之情況下，從此邵位簡直沒有金屬會分離出來，或銅片層在腐觸程中 --------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) Μ氏張尺.财 1¾ 公釐） 495647 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明說明（6·) 完全不被作用。此問題在半導體基質中形成結構時並不出現。在本發明欲解決之問題，在於避免習知方法之缺點，而提供一種抵抗層之組成物，其在曝光中在銅表面，例如一塊導體板上’清除留下的殘餘，使繼續之處理步驟之進行’不雙光抵抗層殘餘之影響。此外，必須保證光抵抗層良好地停留在銅片表面上。尤其是未感光及在後繼顯影過程中未清除之抵抗層，亦必須在其他之化學處理步驟中，不受損害而保留。此問題在申請專利範圍第1、4、5、6、7及12項中得到解決。較佳之實施例在申請專利範圍附屬項中說明。本發明之抵抗層變體，除至少一種感光酸生成劑外，更含一種具有酸可分解侧邊組別之聚合物，其在感光時，藉由被感光酸生成劑分解出之酸轉化為一種可溶狀態。此聚合物’較佳為共聚合物，係由不同單體形成，以解決本發明之任務：第一種變體： Α- 8莫耳％至20莫耳％，相關於聚合物而言之化合物’化合物係選自丙埽酸及甲丙烯酸之組別，及 Β- 19莫耳％至7〇莫耳％，相關於聚合物而言之化合物’化合物係選自特_丁基丙晞酯及特_丁基曱丙烯酯之組別， C 1莫耳Ζ土 30莫耳％，相關於聚合物而言之化合物’化合物係選自羥基乙基甲丙烯酯、羥基丙基曱 -------------------^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 495647 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ____ B7 ___ 五、發明說明（7·) 丙烯酉旨、教基冬基甲两烯·|旨、經基乙基丙晞酉旨、經基丙基丙缔S旨及經基苯基丙稀*酉旨。此外，此可被酸分解之聚合物之形成，除上述單體，可再添加 D- 10莫耳％至60莫耳％，相關於聚合物而言之化合物，化合物係選自甲丙埽酯及甲基甲丙烯酯之組別；或除添加上述之早體D而形成外，更添加匕3莫耳％至35莫耳％，相關於聚合物而言之化合物，化合物係選自具有下列通式之組別 CH2=CR、COOR2，其中 R1為一氫原子或一甲基組別及 R2為一線性或分枝之至少具三個碳原子之烷基組。第二種變體： A- 10莫耳％至25莫耳％，相關於聚合物而言之化合物。化合物係選自丙晞酸及甲丙烯酸之組別，及 17莫耳％至40莫耳％，相關於聚合物而言之化合物。化合物係選自特_丁基丙缔酯及特_丁基甲丙烯酯之組別， D- 2〇莫耳％至6〇莫耳％，相關於聚合物而言之化合物’化合物係選自甲丙烯酯及甲基甲丙烯酯之組 ------------------- I 訂----I--I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 別，及

495647 經濟部智慧財產局員Η消費合作社印製 A7 五、發明說明（8·) Ε 1莫耳/至35莫耳％，相關於聚合物而言之化合物’化合物係選自具有下列通式之組別 CH2=CR1-COOR2 ? 其中 R為一氫原子或一甲基組別及 R2為一線性或分枝至少具五個碳原子之燒基組。第三種變體： A- 1〇莫耳％至20莫耳％，較佳為14莫耳％至2〇莫耳％，相關於聚合物而言之化合物，化合物係選自丙埽酸及甲丙烯酸之組別， B- 17莫耳％至4〇莫耳％，較佳為2〇莫耳％至32莫耳％ ’相關於聚合物而言之化合物，化合物係選自特-丁基丙埽酯及特-丁基甲丙烯酯之組別， D_ 10莫耳％至50莫耳％，較佳為30莫耳至50莫耳 % ’相關於聚合物而言之化合物，化合物係選自甲丙烯酯及甲基甲丙缔酯之組別； E_ 1〇莫耳％至40莫耳％，相關於聚合物而言之化合物而形成，化合物係選自具有下列通式之組別 CH^CRLCOOR2，其中 r1為一氫原子或一曱基組別及 R2為一線性或分枝至少具二至四個碳原子之烷基組。第四種變體： --------^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

亡釐）叶岁3〇4/ 叶岁3〇4/ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明（9·) A- 14莫耳/至19莫耳％，相關於聚合物而言之化合物，化合物係選自丙埽酸及甲丙烯酸之組別， B-26莫耳％至40莫耳％之特-丁基丙埽酯，相關於聚合物而言之化合物， D- 40莫耳％至55莫耳％，較佳為5〇莫耳％至55莫耳％ ’相關於聚合物而言之化合物，化合物係選自甲丙烯酯及曱基甲丙缔酯之組別。第五種變體： A- 13莫耳％至15莫耳％，相關於聚合物而言之化合物，化合物係選自丙缔酸及甲丙浠酸之組別， B- 22·5莫耳％至30莫耳％，相關於聚合物而言之化合物，化合物係選自特-丁基丙烯酯及特_丁基甲丙烯酯之組別， D- 50莫耳％至65莫耳％，相關於聚合物而言之化合物，化合物係選自曱丙晞酯及甲基甲丙烯酯之組上述之組成物除一種感光酸生成劑外，更含有一種上述之聚合物。以此組成物可製得—些具下珊徵之感光抵抗劑： a·在已感光之情況下，此抵抗層可毫無問題地以顯影溶液，由位於下面之鋼片層除去。在銅表面並不遣留任何殘餘。由於聚合物含有特·丁基丙烯酯及/或特·甲丙埽酯，已感光後抵抗層之溶解度，在水性顯影溶液中提高。 b·在未感光之狀態下，此抵抗層在一個電鍍過程中，會抵本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公爱） -14-

----II--^ —1111 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 4^5647 五經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 、發明說明（10 ·) 抗一般之處理溶液。此抵抗層尤其具有一對於導體板銅片上之高附著能力。通過在聚合物中之碳酸部份，即丙烯酸及甲丙烯酸部份，使抵抗層在銅片表面之附著能力增加，因而減少抵抗層受化學物品瓦解之危險。此外，抵抗層在水性顯影溶液中之溶解度，在聚合物中碳酸之份量減少後會減低。通過在聚合物中厭水性單體成份之使用，未感光組成物對於化學處理劑（pH 0至13)之抵抗能力便增強。此種單體成份在根據第一種聚合物變體中，丙烯酯之侧鏈至少含有二個碳原子。在本發明之抵抗層，已感光及未感光範圍，可以得到同樣結果，方法為在聚合物中，嗜水及厭水成份（亦包括具至少兩個碳原子之侧鏈）之平衡，以更多之單體調整。此外，未感光之抵抗層可通過合適之溶液（脫模），由基質表面上清除。 c·此抵抗層有一高感光度。本發明之聚合物更具有一高透明度，以致於在抵抗層之光線，只有少量地被散射。因此在曝光時，會有高度之棱角清晰度，接而使顯影可能，而導致極佳之攝影性解像度。在此抵抗層顯影時之對比，因特-丁基丙缔酯或甲丙烯酯之成份而提高。 d.通過選擇自特定單體之合適成份，可製造一些具合適玻璃過渡溫度Tg，介乎4〇。(：與150°C之聚合物。由於本發明易感光之組成物，在附載過程形成結構表面時會加熱，此層可通過部份之軟化，作為均勻厚度之薄膜而形表紙張尺度適用中國國豕標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公爱） -15- -------------11-----^ίιιιι — li (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 495647 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（η·) 成，而其不含氣泡、包含體或其他干擾性之污染物。此外’通過一在上述範圍之玻璃溫度，使一個在冷卻狀態機械性有抵抗能力，及在溫暖狀態有彈性之抵抗層有可能實現。處於上述範圍，抵抗層之玻璃過渡溫度，亦在聚合物附載薄膜上，附著於基質表面之抵抗層，用作乾燥抵抗層時變得無問題。一個過低之玻璃過渡溫度，更使組成物無法提供可使用之圖形。一個過高之溫度，則使抵抗層有過南之硬度’以及導致過南之轉移溫度（將抵抗層由一個載體往基質上轉移）及光滑溫度。 e·由本發明之組成物形成之抵抗層，可以通過水性驗性溶液顯影或完全清除。不需要有機溶劑，尤其是不需要氯化之碳氫化合物。此易感光之聚合物，具有一由30,000至90,000之平均分子量Mw，較佳為35,000至82,000。聚合物之分子量分佈，可以通過聚分子量指數I描述，其指聚合物平均分子量]\^與分子量平均數Mn之比例。聚分子量指數I描述分子量分佈(在此請亦比較M. Hoffmann， Η· Kroner，R· Kuhn in Polymeranalytik I，第 34 頁，G· Thieme

Verlag，Deutschland，1977)。本發明聚合物之聚分子量指數 I具有之數值為1.6至3.1，較佳為2.1至3.0。此特徵受多方面之反應參數影響，例如在本發明之單體混合物聚合時，受溶劑-反應溫度之選擇及反應起始物之種類（例如過氧化化合物）。一個對於聚合分子性指數指 ----------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -16- 495647 A7 B7 五、發明說明（12·) 導原理之提示，見於Η· G· Glas，Makromolekiile，第487頁， Htithig-Verlag，Deutschland，199〇中。較小之聚合分子性指數，反映一狹窄之分子量分佈。作為感光酸生成劑，可以使用一般之化合物，例如N-三氟甲基磺醯氧萘二曱醯胺(NIT):

NIT 及其他三氟甲基磺醯氧亞醯胺衍生物，如

.(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · I---111 訂--11--1111 春· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

PIT 此外，三氟甲基磺醯氧-二環(^，斤庚^希^一规艦胺(MDT)、萘奎諾酮-I，2-二疊氮冬續酸酯，例如’丨_蔡橫酸_ 3-二疊氮-3,4-二羥-4-氧代酯連同苯基-(2,3,4_三經苯基^甲酮。其他之N-三氟甲基續基氧亞醯胺見於j ^】Ff&het 二羰醯表紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） -17- 495647 A7 ___；___B7___ 五、奋明說明（13·)

Pure and Appli· Chem·，M，第 1239 至 1248 頁，以及在 US PS 52 72 042中，例如：〇

DNQ，而A-：芳香根基，及〇

〇 DNQ-P。此外，合適作為感光酸生成劑者，更有i，2,3_苯_三_(續酸三氟曱基酯）、1又3-苯-三-(橫酸甲基酯）、6,7_重三氟甲' 基續醯氧)-鄰氧奈酮、2,3,4-三-(氟化甲基磺醯氧)_二苯甲酮，以及在EP-A 0 489 560描述之感光酸生成劑。 •hi!-----φ^ϋ-----訂！· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁). 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製感光酸生成劑之合成見於EP-A 0 058 638，及j.mj

495647 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ^___B7_ 五、發明說明（I4·)

Frdchet，Pure and Appli· Chem·，第 1239 至 1248 頁。此感光酸生成劑在易感光之組成物中的含量為1重量 %至25重量％，較佳為2重量％至20重量％，相應於聚合物在組成物中之重量而言。在此易感光之組成物中，除感光酸生成劑及該聚合物外，亦含有其他之成份為使此組成物亦可以對於某種特定光譜強度分佈，較佳為在可見範圍（330nm至440nm)感光，對此組成物添加一種或多種之光敏感劑。在此大多數為多環性之芳香性化合物，例如蒽、9、琶甲醇、1，4_二甲氧g、9，i〇_二乙基蒽、 9-丰氧甲基蒽及9，10_重-(乙块基)_蒽，如9，1〇_重_(三甲基石圭烷基乙炔)-蒽。易感光之組成物對光線，尤指對紅光之靈敏度，因為這些化合物而強烈提高。此光敏感劑之濃度，較佳為丨重量％至6重量％，最好是為2重量％至4重量％，相應於聚合物在組成物中之重量而言。此外，本發明之组成物亦可含有色素，以便此抵抗層以薄層附於需形成結構之基質上時，提高其辨認性。作為抵抗層使用之組成物可例如作為液體之形式使用。在此其係與合適之溶劑，例如醚、醚醇或醚酯混合。作為溶劑者，例如使用丙缔二醇單甲基醚乙酸酯、丨_甲氧_ 2-丙酉予、乙酸乙基、3-乙基氧丙酸醋、乙稀二醇單乙基醚乙酸酿、甲氧丁醉、二乙晞二醇單燒基鍵及丙婦二醇單丁基 0

(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

495647 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（I5·) 此液體組成物例如可以離心旋轉方式，附載上需要覆蓋之表面上（離心覆蓋法）。另外一種附载技術則為滾筒覆蓋法，其中，組成物首先將第一個滾筒以薄層濕潤，藉此將液體以一定之厚度附載上此滾筒。繼之，由此滾筒f 將此層通過滾筒跟基質之直接接觸而傳送上去。就算在大面積之平滑基質表面上，亦可用此方式形成一均勻之厚層。一般而言，此組成物之層厚度係調節為3μιη至20μηι 之間。此滾筒覆蓋法之優點為，抵抗層可以無問题地調節在片狀基質上一定之層厚度，如在導體板上。此外，此基質可以在水平位置及水平方向，導經該覆蓋裝置。此種覆蓋裝置可直接跟其他水平裝置連接，以形成一基質之簡化運用跟自動化之機會。此外，此液體組成物亦可通過浸泡，附著到基質之上。在此形成之問題，為在棱角上有不同之不能控制的層厚度出現。本發明之組成物亦可在乾燥薄層技術之應用中，附著到一種附載薄片上，例如在一聚酯箔片上。由此，該組成物通過附著於箔片上之感光層，跟需形成結構基質之直接接觸，例如通過擠壓而轉載上。在基質以該組成物覆蓋以後，將形成之抵抗層在熱力影響下，例如在環流烤爐或以紅内線乾燥。之後，將此層以該圖像曝光，繼之再次加熱，以加速該潛在圖像之形成 (後繼燒灼），並繼之將該已曝光之範圍，在該抵抗層中 ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） "" ~ ~ -20- !.---------t--------訂！ (請先朋讀背面之注意事項再填寫本頁) / 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明（l6·) 在顯影時顯出。在此優先使用噴霧裝置，而通過此裝置可將顯影溶液通過噴射器噴在基質表面上。作為顯影溶液，優先使用者為水性驗性溶液，例如碳酸鈉溶液。易感光之組成物，可以在形成結構金屬層時，作為腐蝕或電鍍抵抗層使用。因此上述方法步驟，連接到需要之金屬結構製造之其他過程上，例如腐蝕過程或更進一步之電解性金屬分離法過程，在此，在形成之抵抗小坑中，將分離出之金屬表層以服飾過程清除，或通過電解性分離法繼續形成結構。 / 易感光之組成物之另外一個用途為，在添加物技術中作為電鍍抵抗層使用，最好在感光由環氧樹酯、丙埽青丁烯苯乙晞共聚物（ABS)及聚亞醯胺構成之基質形成結構時。在此，乃將金屬結構以無電流之金屬化浴，放進讀趣由曝光及顯影形成之抵抗性小坑而製得。在結構化過程結束後，將抵抗層再次由基質表面清除，最好以水性鹼性溶液，例如一種碳酸氫鈉鹼溶液。本發明之組成物，係用作金屬層在電氣性開關載體之結構形成，例如環氧樹酯、聚亞醯胺或其組合薄片，及用作在金屬或塑料基質之裝飾用途。在較佳之應用中，本杈成物係用作製備以鋼作表面之導體板，及作為導體板之内層薄片。以下之實施例係用來解釋本發明：實施例1 (製備乾燥物品之聚合物合成）·· 在製備本發明之丙錦rg旨聚合物時，首先將四氯*夫喃本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4 4格（21〇 X 297公爱f一 ------、· -21 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂--------- 495647 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 B7 五、發明說明（17·) (THF)及疊氮-重-異丁基青（AIBN)，放置進一雙頸瓶中。繼之添加單體。將此反應混合物在整個反應時間中’ 保持不跟空氣接觸。在製造聚合物J時（另見表1)，使用之份量比例如下表·· 成份以重量部份計算之份量 THF 1467 AIBN 1.956 甲丙烯酸 64.2 特-丁基甲丙烯酯 128.4 甲基甲丙烯酯 128.4 丁基丙烯酉旨 134.7 羥基丙基曱丙烯酯 33.3 聚合反應開始時，先將反應混合物加熱。將混合物在回流下加熱24小時，而在反應後之收穫達1〇〇%。在反應結束後，將此聚合物以石油汽油沉澱。在分離後可製得一無色之粉末，其在60至70°C之真空中乾燥48 小時。根據上述方法，更可製得表1中列舉之聚合物。實施例2(將反應落液直接使用作為光抵抗層基礎之聚合物合成）：製備程序如實施例1。但在此使用丙烯二醇能單甲基醚乙酸酿（PGMEA)代替THF作為溶劑。在製備聚合物j時，各成份之份量比例如下表：本紙張尺！週用ΐ國國豕ί示準（CNS)A4規格（21〇 X 297公爱） -22亡 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -----— III ^ i I I I I--- 495647 A7 --—_____— B7___ 五、發明說明（l8·) 缝_部份計算之份量 PGMEA 485 AIBN 0.652 甲丙烯酸 2L4 特-丁基甲丙晞酯 42.8 曱基甲丙烯酉旨 42.8 丁基丙稀酯 44.9 羥基丙基甲丙晞酷 11.1 聚合反應開始時，先將反應混合物加熱至100度。將 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製混合物在回流下加熱26小時，而在反應後之收穫達1〇〇%。根據上述，更可製得表1中列舉之聚合物。在聚合作用時’可代替實施例1及2在聚合作用使用之溶劑，亦有二惡烷、環己酮或庚烷。代替疊氮_重_異丁基青(ΑΙΒΝ)者’可以使用過氧化苯醯或其他根基性之起始物。此反應之完整性係跟使用之溶劑、反應溫度、起始物之種類及反應時間有關。實施例3 (—種液體光抵抗層組成物，光漆劑之製備）：在黃色光線室内，將30重量部份之Ν-三氟曱基磺醯氧奈甲醯胺(ΝΙΤ)作為酸生成劑，及20重量部份之9-恩甲醇 (AM)作為光敏感劑，跟1〇〇〇重量部份之一種根據實施例1 之溶液製得之聚合物，在丙烯二醇能單曱基醚乙酸酯中，跟一種具有一固體含量約為25重量％ (20至30重量％) 之溶液混合。在另外一種實施例中，代替一 25重量％聚合物溶液本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -23- -裝--------訂---------. 495647 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（1%) 者，為一 20重量％及一 30重量％之聚合物溶液。在另外一個實驗中，代替NIT及AM者，可使用200 重量％之4_二疊氮菩奎寧_橫酸酷。此外亦可使用相應之聚合物溶液，其通過根據實施例1 製得之聚合物乾燥物質，溶解於1-甲基-2-丙醇，跟同樣之固體含量製得者，製備該液體之光聚合物組成物。實施例4(使用實施例3之光抵抗層組成物作為導體板形成結構）：在此係使用美國Allied Signal Norplex Oak公司，類型號碼ED 130之導體板材料，其在兩面具有一 18微米厚之銅片遮蓋（相應於US軍事指定號碼MILS 13949)。此基礎物品係根據下列之方法步驟處理： 1.前處理:a-以Scheretch Μ之腐蚀潔淨 (德國柏林市 Atotech Deutschland

GmbH公司之產物） 20-25°C

b-以水清洗 25°C

c-以硫酸去表面 25〇C d-以水清洗 25。〇 e-以壓力空氣乾燥^

f-在環流烤爐中乾燥（5分鐘） 80°C 2.覆蓋：離心覆蓋被離心出之薄層厚°C: 2·5μηι 至 4·5μιη 3·乾燥：在熱板上（2分鐘） i〇〇c 本紙m尺度週用肀國國冢標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） -24- -----------ΦΜ--------訂 --------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 495647 A7 五、發明說明（20·) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製或在環流烤爐中（5分鐘）英國FSL公司，類型τ 5000之曝光機，波長365nm (i界線）光線長度 20mJ/cm2 至 60rrJ/cm2 展示：德國Haidenhain公司，解像線條測試圖譜第31號（見圖！） 5·後燒灼··在熱板上或在環流烤爐中3至20分鐘 6·顯影：在一嘴霧裝置中，以1重量％中碳酸鈉溶液（1分鐘至3分鐘） 7·銅腐蝕：鐵（III)氯化鹽腐蝕溶液（ι〇5秒至3 分鐘） 8.去表層：在一噴霧裝置中，以一 1.8重量％之氫氧化鈉溶液如此可以獲得表2所列舉之具有不同聚合物抵抗層之溶液。這些在顯影後，形成在光抵抗層結構中之小坑，當中並沒有任何可辨認之殘餘。將已曝露之銅片表面經過腐蚀（步驟7)，並繼之將抵抗層去除（步驟8)後，可以得到一高解像度之結構。實施例5: 用選自同樣之丙晞酯聚合物，類似實施例2之由反應溶液中製備得之抵抗層，亦獲得同樣之結果。在此將一具有根據實施例2之聚合物J，及根據實施例 3具有NIT及AM組成物之聚合物溶液，混合成一種光抵抗層之組成物。 4,曝光：

80 或 100〇C

80-120〇C

30°C

40°C

55〇C (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ---------訂-------— 私紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格⑵G x 297公爱） -25- 495647 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明說明（21: 根據實施例4方法步驟之情況下，其中，曝光抵抗層在80°C下後燒灼達20分鐘，亦同樣會形成一良好解像度之結構。在此小坑中，在顯影後亦不會留下任何抵抗層之殘對照實施例A: 以下列一種組成物之聚合物： 17.6莫耳％之甲丙烯酸 21.4莫耳％之特-丁基甲基丙烯酯 61莫耳％之曱基甲丙烯酸可製得一種液體之光抵抗層組成物，其中，每1〇〇〇重量部份之聚合物溶液中，30重量部份為NIT，而20重量部份為AM，溶解於一 25重量％在丙烯二醇單甲基醚之聚合物溶液中。此光抵抗層係根據實施例4之方法步驟，漆附上一導體板-基礎材料上並加以形成結構。在顯影後，在抵抗小坑中仍發現有一密閉而薄之抵抗層。因此，位於下面之銅不能或不完全地可通過腐蝕作用而清除。只有在曝光時間延長、使用一種較濃之顯影溶液、提高顯影溫度或將此等措施結合後，方可以將此已黏著之抵抗層，最低限度部份地穿破。然而，就算此種情況下之腐触結果，仍然令人不很滿意，因為此腐蝕溶液由於部份仍存在之抵抗層’不能將銅片毫無障礙地侵触。此外，在小杬中之銅片表面’被顯影溶液強烈攻擊而部份地變遲鈍，以致此銅片表面亦因此很難被腐蝕。本紙張尺巧用中關家標準㈣似4規格咖x 297公髮}---— -26- tr--------- (請先間讀背面之注意事項再填寫本頁) 495647 A7 一 ' —B7 五、發明說明（22·) 以具有下列組成物之聚合物重做此實驗： 1· 2.1莫耳％之丙晞酸， 3〇·7莫耳％之特_丁基甲丙缔酯， 33.6莫耳％之甲基曱丙烯酸， 33·6莫耳％之乙基丙烯酯； 2. 20·5莫耳％之丙浠酸， 31·〇莫耳％之特-丁基甲丙婦酯， 48·5莫耳％之曱基甲丙晞酸。在此情況下，在將抵抗層顯影時，亦沒有製得足夠良好又結果：在此亦證明，在小坑中仍有抵抗層之殘餘遺留’其係不能在顯影時完全被清除。實施例6 (對於光抵抗層之滾筒附載法）：利用一個滾筒附載裝置，根據實施例3，由聚合物C、 J及Ρ (亦見於表1)製備之液體光抵抗層組成物，從導體板基礎材料小塊（25cmx37.5cm)覆蓋到鋼表面上。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製在此使用於美國Circuit Foil公司之一種i.5mm厚之 FR ‘導體板，及日本Fukuda公司1.0mm厚之導體板上。兩種類型在兩面均具有一 17·5μηι厚之銅片遮蓋。處理此導體板方法步驟如下：

25〇C 25〇C 1·前處理：a-以一種由凡^82〇8及氏8〇4構成之溶液腐蝕潔淨(0.5分鐘） b-以水清洗(〇·5分鐘）〇在空氣中乾燥(約i分鐘） 2·覆蓋：滚筒覆蓋或離心覆蓋本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公釐） ---------- -27- 495647 A7 B7

五、發明說明（23·) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製薄層厚C: 4μπι至όμπι 3·乾燥：在環流烤爐中（5分鐘） 4·曝光：Tamarack公司之曝光機，波長365nm (i界線）光線強 °C 10mJ/cm2 至 150mJ/cm2 5·後燒灼：在環流烤爐中5至20分鐘 6·顯影：在一喷霧裝置中，以1重量％中碳酸鋼溶液（2分鐘） 7·銅腐蝕：a-酸性銅（Π)氯化鹽腐蝕溶液 (70 秒） b-酸清洗 c-以水清洗(0.5分鐘） 8.去表層：在一噴霧裝置中，以一 1·8重量％之氫氧化鈉溶液(1.5分鐘）如此可獲得如表3中所列舉之結果。在顯影後，可4 到一南解像度之結構。在抵抗層小坑中，並沒有發現抵4 層之任何殘餘。對照實驗Β: 重複實施例6，但對照實驗Α之抵抗層，係使用下; 物品形成之聚合物： 17·6莫耳％之丙烯酸 21.4莫耳％之特-丁基甲丙缔酉旨 61·0莫耳％之甲基曱丙埽酸表4所列舉者為實驗之條件。 100°c

80-120〇C

30°C

50°C

55〇C (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁}

本紙張尺度適用中國國冢標準（CNS)A4規格（210 ： 297公釐） 28- 495647 A7 ___ B7 五、發明說明（24·) 如此不能獲得可利用之結果。在顯影後形成之抵抗層小坑中，仍有抵抗層之殘餘遺留，其就算以強烈之顯影過程，亦不能完全被清除者。實施例7 (添加技術）：將一根據本發明，由20重量％聚合物J、0.6重量三氟曱基磺醯氧奈甲醯胺（NIT)作為酸生成劑，及0.4重量％9-蒽甲醇（AM)作為光敏感劑，在丙烯二醇單甲基醚乙酸酯中之光抵抗層組成物，離心添加於一作為丙錦r青丁二烯苯二烯共聚合物（ABS)之塑料部份上，其之前以一路/硫酸清洗溶液作前處理，再以一活化劑（Atotech Deutschland GmbH 公司之 Noviganth ⑧ AK I)活化，並以 Atotech Deutschland GmbH 公司之 Noviganth ® AK II 溶液固定。此光組成物此外亦可以用滾筒覆蓋技術，附載於abs 部份上。抵抗層之厚度為3至20μπι。此抵抗層繼之以71mJ/cm2至94mJ/cm2之光線強度’透過一光線罩曝光’並隨後在一環流烤爐中，於1〇〇 t：後燒灼10分鐘。圖形部份以1重量％之碳酸鈉溶液，在 30°C下顯影。在抵抗層ΙΟΟμηι寬之結構形成中，在以Noviganth®-活化劑形成之飽胚，於45至50°C在3至4分鐘内，由一不通電之鎳浴(Atotech Deutschland GmbH 公司之 Noviganth ⑧ TC)，沉澱出一鎳層。在此鎳層上，再有一層鋅/鉛電鍍層’在35 C下，5至6分叙内’電解性地沉殿（At〇tech Deutschland GmbH 公司之 Sulfolyt ® TC )。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公釐） -29- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝-----I---訂--— — — — — — — %· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 495647 ΚΙ _Β7 五、發明說明（25·) 此抵抗層繼之又以一個5重量％之氫氧化鉀溶液，再次完全地將ABS部份清除。為加速去除此層，在氫氧化钾溶液中添加丁基二乙醇。 I,---------t-------_ 訂！！參 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -30- 495647 A7 B7 五、發明說明（26，) UZ 寸<N 0，ε lfw ττ ί<Νττ 寸Η rrl 00^09 009ΜΟΟ 0ΠΚ9 ozsun οο 卜 >ε 006ΓΠ9 —cn9 00 卜(Ns 000*0? (1/s) S 003S ετ 000(9$: ooecsz 00 卜cnrn 0853 0ε9αοΛϊ 008101 οοοοΛε 009ooAcs ooorir 006cn<N (Is) ooscs 0¾寸cs 0寸 i Id 9ΙΪs u。) 【^_tf令】s i

600II , 211 - (wdH) s (vwdH} 000 (YN dH) slo 26 (UH) ς·ς 00ΙΛ寸Ϊ (WWH)SI 礙翁®卜砩olr澈：VN3H 媸翁《鍊：VWdH 潘 #«8h砩h:Y!Al« ----—------------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)、 (vsodeN (νβζ;寸CN (ve寸·寸<Ν (vffl)^: (νβ幻 (Υβοί (vs ltsl (VS03 (Νοζν) 02： (VHS) U (va) roe 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製餹赣®砩屮：NONV 餹 t^^h-# :vsl 礙奢《^Q^to.cil:VHHZ 韶翁H:vsol 遛翁 e 蝴h:VH 镏翁vgr6h:vvw 丨 (VIAIPMO.IS (vgl)寸·ιε (WS)97J (vml)6li: (wssl (vi)plcsl (—mbsi (ws)sl (la!)寸·I 二 WS9·卜 I (vssl)寸一 Σ： (ws?卜一 (vsHl)寸·i<n(vys)9zj (V圉一) 6¾.(is22 (wiOQb 寸 Z (ws) H o/Ys)H (v_l)寸·i3(WH)9·卜一 (VNal)寸一二 ws)9·卜 I (vsgb 寸·Ι(Ν(ννΙΛΙ)9·卜 i (V 昌一)s (ννδΓΝ (ylAOAD 5οε (ΥΙΛΙΡΜ) Ιοε cms 6¾ (V 養)2ε (V麵)2ε (VHiM} oos (ΥΪΛΙ1ΑΙ) r6cn (is) I 寸 (VSN) l 寸 (ίΝ)σΙ 寸雾s 0沄 (ν_) 2ε (ym>I)rs 【次咖屮令】

0 Μ Ν Ί f O dωp o « V 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） _31 - — — — — — — — — — 鲁. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 495647 A7 B7 五、發明說明（27·) 表2 (以離心覆蓋法覆蓋，光抵抗層顯影後之相片解像度）：解像度之數值以一具有線性/中間空間比例為1: 1之測試樣品獲得.。實驗曝光能量密度溫度後燒灼處理時間顯影處理時間解像度 mJ/cm2 (°C) (分鐘） (分鐘） (μπι) 抵抗層A: A1 20 120 3 1 25 A3 20 110 10 1 32 A4 40 110 10 1 32 A6 21 80 20 2 20 抵抗層B: B1 20 110 10 1 32 B2 20 110 10 3 32 B3 40 110 10 1 32 B4 38 80 20 2 25 抵抗層C: C2 40 110 10 1 16 C4 40 80 20 2 20 抵抗層D: D1 20 110 10 1 20 D2 20 110 10 3 32 D3 40 110 10 1 32 本紙張尺度適用中’國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -32- -------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 495647 A7 B7 五、發明說明（28·) 接表2 : 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製實驗曝光能量密度溫度後燒灼處理時間顯影處理時間解像度 mJ/cm2 CC) (分鐘） (分鐘） (μιη) 抵抗層E: E1 40 110 5 1 40 E2 38 80 20 2 16 E3 19 80 20 2 12 E4 19 90 10 2 16 抵抗層F: F1 16 80 20 2.5 25 F2 30 80 20 2.5 32 抵抗層G: G1 16 80 20 2.5 25 G2 30 80 20 2.5 40 抵抗層H: Η 21 110 5 1 20 抵抗層J: J1 21 110 10 1 10 J2 21 110 10 3 16 J3 40 110 10 1 16 J4 40 110 10 3 20 抵抗層Κ: Κ1 16 80 20 2.5 20 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -33- 495647 A7 B7 五、發明說明（29·) 接表2 : 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製實驗曝光能量密度溫度後燒灼處理時間顯影處理時間解像度 mJ/cm2 CC) (分鐘） (分鐘） (μηι) K2 30 80 20 2.5 32 K3 40 80 20 2.5 40 抵抗層L: L1 30 80 20 2.5 25 L2 40 80 20 2.5 40 抵抗層M: Ml 16 80 20 2.5 60 M2 30 80 20 2.5 20 抵抗層N: N1 20 110 10 1 12 N2 20 110 10 3 12 N3 40 110 10 1 12 N4 40 110 10 3 32 N5 40 100 5 1 10 N6 40 80 20 2.5 32 抵抗層0: 0 20 110 10 1 16 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂--------- %· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -34_ 495647 A7 B7 五、發明說明（3Q·) 表3 (以滾筒覆蓋法覆蓋，光抵抗層顯影後之相片解像度）: 實驗曝光後燒灼解像度經濟部智慧財產局員工消費合作社印製能量密度 mJ/cm2 溫度 CC) 處理時間 (分鐘） (μηι) 抵抗層C: C1 95 80 20 20 C2 18 100 10 8 C3 37 100 10 12 C4 55 100 10 20 C5 18 100 20 10 C6 37 100 20 16 抵抗層J: J1 37 80 10 6.3 J2 55 80 10 6.3 J3 37 80 20 12 J4 55 80 20 16 J5 9 100 5 4 J6 18 100 5 6.3 J7 37 100 5 10 J8 55 100 5 12 J9 94 100 5 16 抵抗層P: P1 55 80 20 3 P2 37 100 10 3 P3 55 100 10 6 P4 37 100 20 6 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) «ΙΙΙΙΙ1Ι — %- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） - 35- 495647 A7 _B7_ 五、發明說明（31·) 表4 (對照實驗B，以滾筒覆蓋法覆蓋，光抵抗層顯影後之相片解像度）：實驗曝光能量密度溫度後燒灼處理時間解像度 mJ/cm2 rc) (分鐘） (μηι) I 37 80 20 無圖像 II 55 100 10 6.3/不能腐蝕 III 147 100 20 16/不能腐蝕 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -36-

Claims

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 / • A8 一 ' g 91 5. i 5 -----— _ j , D8 .—------二:.-..___ 六、申請專利範圍；〆〜s..~ 第85114470號專利再審查案申請專利範園修正本 L -種易感光之組成物，通過曝光可在麟雜中由不溶轉變為可溶狀態，其含有 I- 最少一種感光酸生成劑，選自由三氟甲基磺醯氧亞醯胺衍生物組成之組別，及 II- 由下列單體形成之具有聚合分子指數？1為21至3 〇之聚合物，單體之份量係相關於聚合物而言： A 8莫耳/至20莫耳％ ’選自丙烯酸及甲丙烯酸之組別的化合物，及 B- 19莫耳％至70莫耳％，相關於聚合物而言之化合物，化合物係選自特_丁基丙烯酯及特-丁基甲丙烯酯之組別， 1莫耳％至30莫耳％，相關於聚合物而言之化合物’化合物係選自羥基乙基甲丙烯酯、羥基丙基甲丙烯酯、羥基苯基甲丙晞酯、羥基乙基丙晞酯、羥基丙基丙締酯及羥基苯基丙埽酯。 2·根據申請專利範圍第1項所述之組成物，其特徵為， D'10莫耳％至60莫耳％，相關於聚合物而言之化合物，化合物係選自甲丙埽酯及甲基甲丙稀酯之組別，係作為另外附加之形成該聚合物之單體。 3·根據申請專利範圍第2項所述之組成物，其特徵為， 3莫耳％至35莫耳％，相關於聚合物而言之化合 ------------------ * 訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

-37- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 495647 g? -------- 六、申請專利範圍物，化合物係選自具有下列通式之組別 CHfCR^COOR2，其中， R1為一氫原子或一甲基組別及 R2為一線性或分枝之至少具三個碳原子之烷基組，係作為另外附加之形成該聚合物之單體。 4· 一種易感光之組成物，通過曝光可在顯影溶液中由不溶轉變為可溶狀態，其含有 I- 最少一種感光酸生成劑，選自由三氟甲基磺醯氧亞醯胺衍生物組成之組別，及 II- 由下列單體形成之具有聚合分子指數PI*21至3 〇之聚合物： A- 10莫耳％至25莫耳％，相關於聚合物而言之化合物，化合物係選自丙缔酸及甲丙埽酸之組別，及 B- 17莫耳％至40莫耳％，相關於聚合物而言之化合物，化合物係選自特-丁基丙烯酯及特_丁基曱丙烯酯之組別， D-20莫耳％至60莫耳％，相關於聚合物而言之化合物’化合物係選自甲丙烯酯及甲基曱丙晞酯之組別， E- 1莫耳％至35莫耳％，相關於聚合物而言之化合物，化合物係選自具有下列通式之組別 CHfCRi-COOR2，其中本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公楚） - 38- -------------------^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 495647 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 R1為一氫原子或一甲基組別及 R為-線性或分枝之至少具五個碳原子之燒基組。 5· -種易感光之組成物，騎曝光可在顯影溶液中由不溶轉變為可溶狀態，其含有 1_最少一種感光酸生成劑，選自由三氟曱基磺醯氧亞醯胺衍生物組成之組別，及 11_由下列單體形成之具有聚合分子指數p]^21至3〇之聚合物： A- 10莫耳％至2〇莫耳％，相關於聚合物而言之化合物，化合物係選自丙埽酸及甲丙烯酸之組別， B- Π莫耳％至⑽莫:ip%，細於聚合物而言之化合物，化合物係選自特_丁基丙缔酯及特_丁基甲丙缔酯之組別， D- 10莫耳％至50莫耳％，相關於聚合物而言之化合物’化合物係選自甲丙埽酯及曱基甲丙烯酯之組別， E- 10莫耳％至40莫耳％，相關於聚合物而言之化合物，化合物係選自具有下列通式之組別 CH2=CR1-COOR2 , 其中 R1為一氫原子或一甲基組別及 R2為一線性或分枝之至少具二個碳原子之烷基本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公髮） -39- ----------I ---I----訂 —-----l^ewl (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 495647

六、申請專利範圍經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 6· —種易感光之組成物，通過曝光可在顯影溶液中由不溶轉變為可溶狀態，其含有 I-最少一種感光酸生成劑，選自由三氟甲基磺醯氧亞醯胺衍生物組成之組別，及 π-由下列單體形成之具有聚合分子指數？1為21至3〇之聚合物： A 13莫耳％至15莫耳％ ’相關於聚合物而言之化合物，化合物係選自丙埽酸及甲丙婦酸之組別， B- 22.5莫耳％至30莫耳％，相關於聚合物而言之化合物，化合物係選自特·丁基丙晞酯及特-丁基曱丙晞酯之組別， D- 50莫耳％至65莫耳％，相關於聚合物而言之化合物，化合物係選自曱丙烯酯及甲基甲丙烯酯之組別。 7·根據申請專利範圍第1項所述之組成物，其特徵為，聚合物之平均分子量Mw* 35,000至82,000。 8·根據申請專利範圍第4項所述之組成物，其特徵為，聚合物之平均分子量Mwg 35,000至82,000。 9·根據申請專利範圍第5項所述之組成物，其特徵為，聚合物之平均分子量Mw* 35,000至82,000。 10·根據申請專利範圍第6項所述之組成物，其特徵為，聚合物之平均分子量1為35,000至82,000。 11·根據申請專利範圍第1項所述之組成物，其特徵為，感光酸生成劑之含量，由2重量％至20重量％，相應於聚本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ---- -40- -----------φ^--------訂------_—&W. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 495647 C8 ----- D8 "" 一""""^~ -------—-———— ________----^ 六、申請專利範圍合物在組成物中之重量而言。 12·根據申請專利範圍第4項所述之組成物，其特徵為，感光酸生成劑之含量，由2重量％至20重量％，相應於聚合物在組成物中之重量而言。 13·根據申請專利範圍第5項所述之組成物，其特徵為，感光酸生成劑之含量，由2重量％至20重量％，相應於聚合物在組成物中之重量而言。 14·根據申請專利範圍第6項所述之組成物，其特徵為，感光酸生成劑之含量，由2重量％至20重量％，相應於聚合物在組成物中之重量而言。 15·根據申請專利範圍第1項所述之組成物，其特徵為，其含有一或多個附加之光敏感劑。 16·根據申请專利範圍第4項所述之組成物，其特徵為，其含有一或多個附加之光敏感劑。 17·根據申请專利範圍第5項所述之組成物，其特徵為，其含有一或多個附加之光敏感劑。 18.根據申請專利範圍第6項所述之組成物，其特徵為，其含有一或多個附加之光敏感劑。 19·根據申请專利範圍第1項所述之組成物，其特徵為，其光敏感劑之含量係由2重量％至4重量％，相應於聚合物在組成物中之重量而言。 20·根據申请專利範圍第4項所述之組成物，其特徵為，其光敏感劑之含量係由2重量％至4重量％，相應於聚合物在組成物中之重量而言。本紙張尺度適用ϋ國家標準（cis)A4規格（2ΐόΓ^_7公复)-----—-----^ -41 - I--------------訂--丨 1丨| 丨丨 (請先聞讀背面之注意事項再填窵本頁) 495647 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 21·根據申请專利範圍第5項所述之組成物，其特徵為，其光敏感劑之含量係由2重量％至4重量％，相應於聚合物在組成物中之重量而言。 22·根據申請專利範圍第6項所述之組成物，其特徵為，其光敏感劑之含量係由2重量％至.4重量％，相應於聚合物在組成物中之重量而言。 23·—種用在電氣性開關載體上金屬層之形成結構過程之方法，根射請翔範_ !項之域物，作為腐蚀或電鍍性抵抗層。 24. —種用在電氣性開關載體上金屬層之形成結構過程之方法，其係根射請相細第4項之組成物，作為腐蚀或電鍵性抵抗層。 25·—種用在電氣性開關載體上金屬層之形成結構過程之方法’其係根據中請專利範圍第5項之组成物，作為腐蚀或電鍍性抵抗層。 26.種用在電氣性開關載體上金屬層之形成結構過程之方法’其係根射請專利細第6項之域物，作為腐蚀或電鍍性抵抗層。 27·根據申請專利範圍第23項所述之方法，其特徵為，具有銅表面之導體板，或用於導體板内部結構之薄層、及聚亞醯胺/銅薄片可作為電氣性開關載體。 Μ —-----^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)