KR950033679A - 포지티브 작용성 방사선 민감성 혼합물 - Google Patents

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베른하르트 엠. 벡크 · 칼-헤르만 마이어-둘호이어
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Abstract

본 발명은 산 불안정성 그룹을 가지며 다음 일반식(I), (Ⅱ) 및 (Ⅲ)의 단위를 동시에 함유하는 중합체성 결합제 a)와 방사선 조사시 강산을 형성하는 화합물 b)을 함유하는 포지티브 작용성 방사선 민감성 혼합물에 관한 것이다.
상기식에서, R1은 중합체의 주쇄 또는 측쇄에 결합되는 임의로 치환된 페닐 라디칼이고, R2는 (C3-C11)알킬, (C3-C11)알케닐 또는 (C7-C11)아르알킬 라디칼이며, R3은 수소원자, 임의로 치환된 알킬 또는 아릴 라디칼, 프탈이미도메틸 그룹 또는 그룹 -CH2OR4(여기서 R4는 수소원자 또는 치환될 수 있는 지방족, 지환족 또는 방향족 라디칼이다)이다.
본 발명의 혼합물은 인쇄판과 감광성 내식막을 제조하기 위해 사용될 수 있는 방사선 민감성 기록물질을 피복하는데 사용된다.

Description

포지티브 작용성 방사선 민감성 혼합물
내용없음

Claims (11)

  1. 산 불안정성 그룹을 가지며 다음 일반식(I), (Ⅱ) 및(Ⅲ)의 단위를 동시에 함유하는 중합체성 결합제 a)와 방사선 조사시 강산을 형성하는 화합물 b)을 함유하는 포지티브 작용성 방사선 민감성 혼합물.
    상기식에서, R1은 중합체의 주쇄 또는 측쇄에 결합되는 치환되지 않거나 치환된 페닐 라디칼이고, R2는 (C3-C11)알킬, (C3-C11)알케닐 또는 (C7-C11)아르알킬 라디칼이며, R3은 수소원자, 치환되지 않거나 치환된 알킬 또는 아릴 라디칼, 프탈이미도메틸 그룹 또는 그룹 -CH2OR4(여기서 R4는 수소원자 또는 치환되지 않거나 치환될 수 있는 지방족, 지환족 또는 방향족 라디칼이다)이다.
  2. 제1항에 있어서, 라디칼 R2가 C4-알킬인 방사선 민감성 방사선 민감성 혼합물.
  3. 제2항에 있어서, 라디칼 R2가 t-부틸인 방사선 민감성 혼합물.
  4. 제1항 내지 제3항 중의 어느 한 항에 있어서, 결합제 a)중의 일반식(Ⅱ)와 일반식(Ⅲ)의 단위가 일반식(I), (Ⅱ) 및 (Ⅲ)의 단위의 전체 수의 10 내지 80%인 방사선 민감성 혼합물.
  5. 제1항 내지 제3항 중의 어느 한 항에 있어서, 결합제의 기본이 되는 중합체가 폴리하이드록시스티렌, 폴리하이드록시메틸 스티렌 또는 폴리(피로카테콜 모노메타크릴레이트)이거나, 하이드록시스테렌, 하이드록시메틸스티렌 또는 피로카테콜 모노 메타크릴레이트 단위를 함유하는 공중합체, 폴리(4-하이드록시스티렌) 및 폴리(4-하이드록시메틸스티렌)인 방사선 민감성 혼합물.
  6. 제5항에 있어서, 중합체가 폴리(피로카테콜 모노메타 크릴레이트)인 방사선 민감성 혼합물.
  7. 제1항 내지 제3항 중의 어느 한 항에 있어서, 방사선 조사시 산을 형성하는 화합물 b)이 디아조늄염, 설포늄염, 요오도늄염 또는 디아조늄 피플루오로알칸설포네이트인 방사선 민감성 혼합물.
  8. 제7항에 있어서, 방사선 조사시 산을 형성하는 화합물 b)이 디아조늄 1,1,2,3,3,3-헥사플루오로프로판 설포네이트인 방사선 민감성 혼합물.
  9. 제1항 내지 제3항 중의 어느 한 항에 있어서, 개시제의 비율이, 혼합물의 비휘발성 성분의 전체 중량을 기준으로 하여, 0.1 내지 20중량%인 방사선 민감성 혼합물.
  10. 제9항에 있어서, 개시제의 비율이, 혼합물의 비휘발성 성분의 전체 중량을 기준으로 하여, 0.2 내지 10중량%인 방사선 민감성 혼합물.
  11. 제1항 내지 제10항 중의 어느 한 항에서 청구한 방사선 민감성 혼합물로 이루어진 방사선 민감성 피복물과 기재를 갖는 기록물질.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950010221A 1994-04-28 1995-04-28 포지티브 작용성 방사선 민감성 혼합물 KR950033679A (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030020044A (ko) * 2001-08-29 2003-03-08 삼성전기주식회사 이동 촬영수단의 손잡이부

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5645977A (en) * 1995-09-22 1997-07-08 Industrial Technology Research Institute Method of making molds for manufacturing multiple-lead microstructures
TW477913B (en) * 1995-11-02 2002-03-01 Shinetsu Chemical Co Sulfonium salts and chemically amplified positive resist compositions
US6214517B1 (en) * 1997-02-17 2001-04-10 Fuji Photo Film Co., Ltd. Positive photoresist composition
DE19729067A1 (de) * 1997-07-08 1999-01-14 Agfa Gevaert Ag Infrarot-bebilderbares Aufzeichnungsmaterial und daraus hergestellte Offsetdruckplatte
DE19739299A1 (de) * 1997-09-08 1999-03-11 Agfa Gevaert Ag Weißlicht-unempfindliches, thermisch bebilderbares Material und Verfahren zur Herstellung von Druckformen für den Offsetdruck
JP3731328B2 (ja) * 1997-12-03 2006-01-05 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物
ATE271463T1 (de) * 1998-08-24 2004-08-15 Fuji Photo Film Co Ltd Bildaufzeichnungsmaterial und flachdruckplatte, die dieses verwendet
DE10008841A1 (de) * 2000-02-25 2001-09-06 Beiersdorf Ag Thermisch vernetzte Acrylat-Hotmelts
US6812564B1 (en) * 2000-09-05 2004-11-02 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Monolithic common carrier
TWI317365B (en) * 2002-07-31 2009-11-21 Jsr Corp Acenaphthylene derivative, polymer, and antireflection film-forming composition
JP2006251464A (ja) * 2005-03-11 2006-09-21 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd レンズ形成用感光性樹脂組成物
US7834209B2 (en) * 2005-06-07 2010-11-16 E.I. Du Pont De Nemours And Company Hydrofluoroalkanesulfonic acids from fluorovinyl ethers
US11482408B2 (en) 2020-06-23 2022-10-25 Disco Corporation Method of processing wafer

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3779778A (en) * 1972-02-09 1973-12-18 Minnesota Mining & Mfg Photosolubilizable compositions and elements
CH621416A5 (ko) * 1975-03-27 1981-01-30 Hoechst Ag
DE2718254C3 (de) * 1977-04-25 1980-04-10 Hoechst Ag, 6000 Frankfurt Strahlungsempfindliche Kopiermasse
DE2829512A1 (de) * 1978-07-05 1980-01-17 Hoechst Ag Strahlungsempfindliches gemisch und verfahren zur herstellung von reliefbildern
DE2829511A1 (de) * 1978-07-05 1980-01-24 Hoechst Ag Strahlungsempfindliches gemisch und verfahren zur herstellung von reliefbildern
DE2928636A1 (de) * 1979-07-16 1981-02-12 Hoechst Ag Strahlungsempfindliches gemisch und verfahren zur herstellung von reliefbildern
US4491628A (en) * 1982-08-23 1985-01-01 International Business Machines Corporation Positive- and negative-working resist compositions with acid generating photoinitiator and polymer with acid labile groups pendant from polymer backbone
US4837124A (en) * 1986-02-24 1989-06-06 Hoechst Celanese Corporation High resolution photoresist of imide containing polymers
US4912018A (en) * 1986-02-24 1990-03-27 Hoechst Celanese Corporation High resolution photoresist based on imide containing polymers
DE3751745T2 (de) * 1986-10-23 1996-09-26 Ibm Hochempfindliche Resiste mit Selbstzersetzungstemperatur grösser als etwa 160 Grad Celsius
EP0366590B2 (en) * 1988-10-28 2001-03-21 International Business Machines Corporation Highly sensitive positive photoresist compositions
DE3902115A1 (de) * 1989-01-25 1990-08-02 Basf Ag Strahlungsempfindliche polymere
EP0440374B1 (en) * 1990-01-30 1997-04-16 Wako Pure Chemical Industries Ltd Chemical amplified resist material
DE4124029A1 (de) * 1991-07-19 1993-01-21 Hoechst Ag Verfahren zur herstellung von tert.-butyloxycarbonyl-gruppen tragenden organischen verbindungen
US5352564A (en) * 1993-01-19 1994-10-04 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist compositions
US5558971A (en) * 1994-09-02 1996-09-24 Wako Pure Chemical Industries, Ltd. Resist material

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030020044A (ko) * 2001-08-29 2003-03-08 삼성전기주식회사 이동 촬영수단의 손잡이부

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Publication number Publication date
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ATE154144T1 (de) 1997-06-15

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