KR910008487A - 근 자외선 감광성 내식막 - Google Patents

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KR910008487A
KR910008487A KR1019900016334A KR900016334A KR910008487A KR 910008487 A KR910008487 A KR 910008487A KR 1019900016334 A KR1019900016334 A KR 1019900016334A KR 900016334 A KR900016334 A KR 900016334A KR 910008487 A KR910008487 A KR 910008487A
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에이. 라몰라 안젤로
칼라브레스 게리
신타 로저
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마이클 굴라
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Abstract

내용 없음

Description

근 자외선 감광성 내식막
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따라 제조되고 처리된 내식막의 광현미경 사진이다.
제2도는 하기 실시예 3 및 4의 결과를 나타내는 대조곡선이다.

Claims (37)

  1. 수지 및 활성 조사에 노출시킴에 의해 활성화된 가교결합 시스템을 포함하며, 하기 일반식을 갖고 근 자외선 조사에 노출시 가교결합 시스템의 광활성화가 발생하기에 충분한 에너지를 흡수하는데 충분한 농도로 존재하는 근 자외선 감광제를 함유하는 광산-생성 감광성 내식막 조성물
    상기식에서 R은 소소, 탄소수1내지 8의 알킬 및 아릴중에서 선택되고: X는 황, 산소, 셀레늄 및 텔루륨 중에서 선택되며: R₁R₂R₃및 R₄는 독립적으로 수소, 할로겐, 저급 알킬, 알콕시, 치환된 아릴, 및 헤테로사이클릭아릴을 포함하는 아릴및 페노티아진 라디칼 중에서 선택되거나: R₁R₂가 함께 핵의 제1 및 제2 위치, 핵의 제2 및 제3 위치 또는 핵의 제3 및 제4 위치에서 페노티아진의 탄소에 융합된 방향족환을 완성하는데 필요한 탄소원자를 나타내고: R₁R₂와는 독립적으로, R₃및 R₄가 함께 핵의 제6 및 제7 위치, 핵의 제7 및 제8위치 또는 핵의 제8 및 제9 위치에서 페노티아진으 탄소에 융합된 벤젠환을 완성하는데 필요한 탄소원자를 나타내고: 단 R₁R₂R₃및 R₄중 하나 이상,R₁및 R₂가 함께, 또는 R₃및 R₄가 함께 방향족이다.
  2. 제1항에 있어서, R이 수소이고 X가 황인 조성물
  3. 제1항에 있어서, 감광제의 농도가 전체 고체의 0.1 내지 25.0%인 조성물.
  4. 제2항에 있어서, 농도가 약 0.5 내지 5.0%로 변하는 조성물.
  5. 제2항에 있어서, 가교결합제를 지닌 산 경화 시스템중의 광산-생성 시스템이 광산 생성제 및 산촉매화된 가교결합제 또는 오늄염 및 오늄이온에 의해 활성화딜 수 있는 가교결합제 중에서 선택된 성분인 조성물.
  6. 제5항에 있어서, 가교결합시스템이 광산 생성제 및 산 촉매화된 가교결합제인 조성물.
  7. 제6항에 있어서, 시스템이 아미노플라스트 또는 페노플라스트 및 광활성산 생성 화합물의 배합물인 조성물.
  8. 제6항에 있어서, 수지가 폴리비닐페놀인 조성물.
  9. 제8항에 있어서, 폴리비닐페놀이 부분적으로 수소화된 조성물.
  10. 수지 및 활성 조사에 노출시킴에 의해 활성화된 가교 결합 시스템을 포함하며, 근 자외선 조사에 노출시 가교결합 시스템의 광활성화가 발생하기 충분한 에너지를 흡수하는데 충분한 농도로 존재하는 환 확작된 페노티아진 유도체인 근 자외선 감광제를 함유하는 광경화성 감광성 내식막 조성물.
  11. 제10항에 잇어서, 감광제의 농도가 전체 고체의 0.1 내지 25.0%인 조성물.
  12. 체11항에 있어서, 농도가 약 0.5 내지 5.0%로 변하는 조성물.
  13. 제11항에 있어서, 가교결합시스템이 광산 생성제 및 산 촉매화된 가교결합게 또는 오늄염 및 오늄염에 의해 활성화될 수 있는 가교결합제중에서 선택된 성분인 조성물.
  14. 제11항에 있어서,가교 결합시스템이 광산 생성제 및 산 촉매화된 가교결합제인 조성물
  15. 제14항에 있어서, 시스템이 아미노플라스트 또는 펜노플라스트 및 광활성산 생성 화합물의 배합물인 조성물.
  16. 제14항에 있어서, 수지가 폴리비닐페놀인 조성물.
  17. 제16항에 있어서, 폴리비닐페놀이 부분적으로 수소화된 조성물.
  18. 제14항에 있어서, 근 자외선 감광제가 하기 일반식에 상응하는 환 확장된 페노티아진 유도체인 조성물
    상기 식에서, R은 수소, 탄소수 1내지 8의 알킬 또는 아릴이고:R₁R₂R₃및 R₄는 독립적으로 수소, 할로겐, 저급 알킬, 알콕시, 치환된 아릴 및 헤테로사이클릭 아릴을 포함하는 아릴 및 페노티아진 라디칼 중에서 선택되거나: R₁및 R₂가 함께 핵의 제1 및 제2위치, 핵의 제2 및 제3위치 또는 핵의 제3 및 제4위치에서 페노티아진의 탄소에 융합된 방향족 환을 완성하는데 필요한 탄소 원자를 나타내고:R₁및 R₂와는 독립적으로 R₃및 R₄가 함께 핵의 제6 및 제7위치, 핵의 제7 및 제8위치 또는 핵의 제8 및 제9위치에서 페노티아진의 탄소에 융합된 벤제환을 완성하는데 필요한 탄소원자를 나타내고: 단 R₁R₂R₃및 R₄중 하나 이상, R₁및 R₂가 함께 또는 R₃및 R₄가 함께 방향족이다.
  19. 제14항에 있어서, 근 자외선 감광제가 모노벤조치환된 페노티아진인 조성물.
  20. 제14항에 있어서, 근 자외선 감광제가 디벤조치환된 페노티아진인 조성물.
  21. 제14항에 있어서, 근 자외선 감광제가 비스(페노티아진)인 조성물.
  22. 환 확장된 페노티아진 유도체 유효량을 감광성 조성물에 첨가함을 특징으로 하여, 감광성 조성물을 근 자외선 조사에 대해 감광시키는 방법.
  23. 환 확장된 페노티아진 유도체 유효량을 감광성 조성물에 첨가하고 이를 근 자외선 조사에 노출시킴을 특징으로 하여, 감광성 조성물을 근 자외선 조사에 대해 처리하는 방법.
  24. 제23항에 있어서, 페노티아진 유도체의 농도가 광유도된 반응을 야기시키기에 충분한 방법.
  25. 제23항에 있어서, 감공성조성물이 감광성 내식막인 방법.
  26. 제25항에 있어서, 감광성내식막이 수지 및 활성조사에 노출시킴에 의해 활성화된 가교결합시스템을 포함하는 방법.
  27. 제26항에 있어서, 감감제의 농도가 전체 고체의 0.1 내지 25.0%인 방법.
  28. 제27항에 있어서, 농도가 약 0.5 내지 5.0%로 변하는 방법.
  29. 제26항에 있어서, 가교결합시스템이 광산 생성제 및 산 촉매화된 가교결합제 및 광활성 오늄염 및 오늄이온에 의해 활성화된 가교결합체 중에서 선택된 성분인 방법.
  30. 제29항에 있어서, 가교결합시스템이 광산생성제 및 산 촉매화된 가교결합제인 방법.
  31. 제30항에 있어서, 시스템이 아미노플라스트 또는 페놀플라스트 및 광활성 산 생성 화합물의 배합물인 방법.
  32. 제29항에 있어서, 수지가 폴리비닐페놀 또는 폴리비닐 페놀의 공중합체인 방법.
  33. 제32항에 있어서, 폴리비닐페놀이 부분적으로 수소화된 방법.
  34. 제29항에 있어서, 근자외선 감광제가 하기 일반식에 상응하는 환 확장된 페노티아진 유도체인 방법.
    상기식에서, R₁R₂R₃및 R₄는 독립적으로 수소, 할로겐, 저급 알킬, 알콕시, 치환된 아릴 및 헤테로사이클릭 아릴을 포함하는 아릴 및 페노티아진라디칼 중에서 선택되거나: R₁및 R₂가 함께 핵의 제1 및 제2위치, 핵의 제2 및 제3위치 또는 핵의 제3 및 제4위치에서 페노티아진의 탄소에 융합된 방향족 환을 완성하는데 필요한 탄소 원자를 나타내고: R₁및 R₂와는 독립적으로 R₃및 R₄가 함께 핵의 제6 및 제7위치, 핵의 제7 및 제8위치 또는 핵의 제8 및 제9위치에서 페노티아진의 탄소에 융합된 벤제환을 완성하는데 필요한 탄소원자를 나타내고: 단 R₁R₂R₃및 R₄중 하나 이상, R₁및 R₂가 함께 또는 R₃및 R₄가 함께 방향족이다.
  35. 제34항에 있어서, 근자외선 감광제가 모노벤조 치환된 페노티아진인 방법.
  36. 제34항에 있어서, 근자외선 감광제가 디벤조치환된 페노티아진인 방법.
  37. 제34항에 있어서, 근자외선 감광제가 비스(페노티아진)인 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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