KR970071134A - 화학 증폭 포지형 레지스트 재료 - Google Patents

화학 증폭 포지형 레지스트 재료 Download PDF

Info

Publication number
KR970071134A
KR970071134A KR1019970012010A KR19970012010A KR970071134A KR 970071134 A KR970071134 A KR 970071134A KR 1019970012010 A KR1019970012010 A KR 1019970012010A KR 19970012010 A KR19970012010 A KR 19970012010A KR 970071134 A KR970071134 A KR 970071134A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
compound
group
phenolic hydroxyl
chemically amplified
molecule
Prior art date
Application number
KR1019970012010A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100228466B1 (ko
Inventor
준지 쯔찌야
도시노부 이시하라
시게히로 나구라
가쯔야 다께무라
쯔기오 야마오까
Original Assignee
카나가와 치이로
신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 카나가와 치이로, 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 filed Critical 카나가와 치이로
Publication of KR970071134A publication Critical patent/KR970071134A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100228466B1 publication Critical patent/KR100228466B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/075—Silicon-containing compounds
    • G03F7/0757—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

원자외선, 전자선, X선 등의 고에너지선에 대하여 높은 감도를 가지며, 알킬리 수용액으로 현상함으로써 패턴을 형성할 수 있는 미세 가공 기술에 적합한 화학증폭 포지형 레지스트 재료를 얻는다.
(A) 유기 용제, (B) 베이스 수지로서 하기 화학식(1)로 표시되는 중량 평균 분자량이 2,000 내지 50,000인 고분자 화합물, (C) 산발생제, (D) 용해 제어제로서 중량 평균 분자량이 1,000을 넘어 3,000 이하이면, 분자내에 페놀성 수산기를 갖는 화합물의 그 페놀성 수산기의 수소 원자를 산불안정기에 의해 전체 평균 0% 초과 60% 이하의 비율로 부분 치환된 화합물을 함유하여 이루어지는 화학 증폭 포지형 레지스트 재료.
식 중, R은 하기 화학식(2)로 표시되는 기이며
식 중, R1, R2는 각각 독립하여 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 6의 직쇄상 또는 분지상의 알킬기이고, R3은 탄소수 1 내지 10의 직쇄상, 분지상 또는 환상의 알킬기로써, R2와 R3은 환상으로 결합되어 있어도 좋다), Q는 산불안정기이고, x, y, z는 0.05≤x/(x+y+z)≤0.8, 0≤y/(x+y+z)≤0.5, 0.2≤z/(x+y+z)≤0.95, 의 관계를 만족하는 수이고, n은 1 내지 3의 정수이다.

Description

화학 증폭 포지형 레지스트 재료
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (5)

  1. (A) 유기 용제, (B) 베이스 수지로서 하기 화학식(1)로 표시되는 반복 단위를 갖는 중량 평균 분자량이 2,000 내지 50,000인 고분자 화합물.
    〔식 중, R은 하기 화학식(2)로 표시되는 기이며,
    식 중, R1, R2는 각각 독립하여 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 6의 직쇄상 또는 분지상의 알킬기이고, R3은 탄소수 1 내지 10의 직쇄상, 분지상 또는 환상의 알킬기로며, R2와 R3은 환상으로 결합되어 있어도 좋다), Q는 산불안정기이고, x, y, z는 0.05≤x/(x+y+z)≤0.8, 0≤y/(x+y+z)≤0.5, 0.2≤z/(x+y+z)≤0.95의 관계를 만족하는 수이고, n은 1 내지 3의 정수이다.〕
    (C) 산발생제, (D) 분자내에 비닐에테르기를 2개 이상 갖는 화합물을 함유하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 증폭 포지형 레지스트 재료.
  2. (A) 유기 용제, (B) 베이스 수지로서 제1항에 기재한 고분자 화합물, (C) 산발생제, (D) 분자내에 비닐에테르기를 2개 이상 갖는 화합물, (E) 용해 제어제로서 분자량이 100 내지 1,000이며, 분자내에 페놀성 수산기를 2개 이상 갖는 화합물, (E) 용해 제어제로서 분자량이 100 내지 1,000이며, 분자내에 페놀성 수산기를 2개 이상 갖는 화합물의 그 페놀성 수산기의수소 원자를 산불안정기에 의해 전체 평균 10 내지 100%의 비율로 치환된 화합물을 함유하여 이루어지는 화학 증폭 포지형 레지스트 재료.
  3. (A) 유기 용제, (B) 베이스 수지로서 제1항에 기재한 고분자 화합물, (C) 산발생제, (D) 분자내에 비닐에테르기를 2개 이상 갖는 화합물의 그 페놀성 수산기의 수소 원자를 산불안정기에 의해 전체 평균 10 내지 100%의 비율로 치환된 화합물, (F) 다른 용해 제어제로서 중량 평균 분자량이 1,000 초과 3,000이하이며, 분자내에 페놀성 수산기를 갖는 화합물의 그 페놀성 수산기의 수소 원자를 산불안정기에 의해 전체 평균 0% 초과 60% 이하의 비율로 부분 치환된 화합물을 함유하여 이루어지는 화학 증폭 포지형 레지스트 재료.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, (G) 첨가제로서 염기성 화합물을 더 배합한 것을 특징으로 하는 화학 증폭 포지형 레지스트 재료.
  5. 제1 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, (C) 성분의 산발생제가 오늄염인 화학 증폭 포지형 레지스트 재료.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019970012010A 1996-04-02 1997-04-01 화학 증폭 포지형 레지스트 재료 KR100228466B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10458996A JP3518158B2 (ja) 1996-04-02 1996-04-02 化学増幅ポジ型レジスト材料
JP96-104589 1996-04-02

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970071134A true KR970071134A (ko) 1997-11-07
KR100228466B1 KR100228466B1 (ko) 1999-11-01

Family

ID=14384631

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019970012010A KR100228466B1 (ko) 1996-04-02 1997-04-01 화학 증폭 포지형 레지스트 재료

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5882844A (ko)
JP (1) JP3518158B2 (ko)
KR (1) KR100228466B1 (ko)
TW (1) TW574627B (ko)

Families Citing this family (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6117621A (en) * 1997-03-28 2000-09-12 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Patterning method
US6040119A (en) * 1998-03-27 2000-03-21 Industrial Technology Research Institute Elimination of proximity effect in photoresist
US6087064A (en) * 1998-09-03 2000-07-11 International Business Machines Corporation Silsesquioxane polymers, method of synthesis, photoresist composition, and multilayer lithographic method
JP4557328B2 (ja) * 1999-02-01 2010-10-06 富士フイルム株式会社 ポジ型フォトレジスト組成物
US6187505B1 (en) * 1999-02-02 2001-02-13 International Business Machines Corporation Radiation sensitive silicon-containing resists
US6376149B2 (en) 1999-05-26 2002-04-23 Yale University Methods and compositions for imaging acids in chemically amplified photoresists using pH-dependent fluorophores
KR100707767B1 (ko) * 1999-09-28 2007-04-17 후지필름 가부시키가이샤 포지티브 포토레지스트 조성물
TW523639B (en) * 1999-12-06 2003-03-11 Fuji Photo Film Co Ltd Positive photoresist composition
AU2001253582B2 (en) 2000-04-17 2006-02-02 Yale University Method for measuring diffusion of photogenerated catalyst in chemically amplified resists
US6420084B1 (en) * 2000-06-23 2002-07-16 International Business Machines Corporation Mask-making using resist having SIO bond-containing polymer
JP4141625B2 (ja) * 2000-08-09 2008-08-27 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物およびそのレジスト層を設けた基材
TW594416B (en) * 2001-05-08 2004-06-21 Shipley Co Llc Photoimageable composition
US6800422B2 (en) 2001-05-11 2004-10-05 Shipley Company, L.L.C. Thick film photoresists and methods for use thereof
US6743885B2 (en) * 2001-07-31 2004-06-01 Sumitomo Chemical Company, Limited Resin composition for intermediate layer of three-layer resist
JP4554122B2 (ja) * 2001-08-06 2010-09-29 東京応化工業株式会社 化学増幅型ポジ型液晶素子用レジスト組成物
US7244549B2 (en) * 2001-08-24 2007-07-17 Jsr Corporation Pattern forming method and bilayer film
JP4373082B2 (ja) * 2001-12-28 2009-11-25 富士通株式会社 アルカリ可溶性シロキサン重合体、ポジ型レジスト組成物、レジストパターン及びその製造方法、並びに、電子回路装置及びその製造方法
JP4557497B2 (ja) * 2002-03-03 2010-10-06 ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー． シランモノマー及びポリマーを製造する方法及びそれを含むフォトレジスト組成物
JP2004038142A (ja) 2002-03-03 2004-02-05 Shipley Co Llc ポリシロキサンを製造する方法及びそれを含むフォトレジスト組成物
AU2003287194A1 (en) 2002-10-21 2004-05-13 Shipley Company L.L.C. Photoresists containing sulfonamide component
KR20040044369A (ko) * 2002-11-20 2004-05-28 쉬플리 캄파니, 엘.엘.씨. 다층 포토레지스트 시스템
KR20040044368A (ko) * 2002-11-20 2004-05-28 쉬플리 캄파니, 엘.엘.씨. 다층 포토레지스트 시스템
US20040229159A1 (en) * 2003-02-23 2004-11-18 Subbareddy Kanagasabapathy Fluorinated Si-polymers and photoresists comprising same
CN1570762B (zh) * 2003-03-03 2010-10-13 罗姆和哈斯电子材料有限责任公司 聚合物和含有该聚合物的光刻胶
JP4262516B2 (ja) 2003-05-12 2009-05-13 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物
JP4494060B2 (ja) * 2004-03-30 2010-06-30 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物
JP4494061B2 (ja) * 2004-03-30 2010-06-30 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物
US8828651B2 (en) 2005-07-25 2014-09-09 Nissan Chemical Industries, Ltd. Positive-type photosensitive resin composition and cured film manufactured therefrom
JP4951941B2 (ja) * 2005-11-11 2012-06-13 三菱瓦斯化学株式会社 レジスト用化合物及び感放射線性組成物
KR101309252B1 (ko) * 2006-05-16 2013-09-17 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 실록산 화합물을 함유하는 포지티브형 감광성 수지 조성물
EP2109001B1 (en) * 2007-01-22 2012-01-11 Nissan Chemical Industries, Ltd. Positive photosensitive resin composition
JP2008266576A (ja) * 2007-03-29 2008-11-06 Air Water Inc ポリシロキサン化合物、その製造方法、及びその用途
JP4963254B2 (ja) * 2007-03-30 2012-06-27 東京応化工業株式会社 ナノインプリント用の膜形成組成物、並びに構造体の製造方法及び構造体
WO2008126523A1 (ja) * 2007-03-30 2008-10-23 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. ナノインプリント用の膜形成組成物、並びに構造体の製造方法及び構造体
JP2010095689A (ja) * 2008-10-20 2010-04-30 Air Water Inc ポリシロキサン化合物およびその製造方法
JP2010095502A (ja) * 2008-10-20 2010-04-30 Air Water Inc シラン化合物およびその製法
WO2010117102A1 (ko) 2009-04-09 2010-10-14 서강대학교 산학협력단 콜로이드 입자들을 단결정들로 정렬하는 방법
JP6065789B2 (ja) * 2012-09-27 2017-01-25 信越化学工業株式会社 化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63149640A (ja) * 1986-12-12 1988-06-22 Konica Corp 感光性組成物および感光性平版印刷版
GB8715435D0 (en) * 1987-07-01 1987-08-05 Ciba Geigy Ag Forming images
DE3817012A1 (de) * 1988-05-19 1989-11-30 Basf Ag Positiv und negativ arbeitende strahlungsempfindliche gemische sowie verfahren zur herstellung von reliefmustern
EP0523957A1 (en) * 1991-07-17 1993-01-20 Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. Radiation-sensitive composition
US5286600A (en) * 1991-08-27 1994-02-15 Mitsubishi Kasei Corporation Negative photosensitive composition and method for forming a resist pattern by means thereof
DE69226920T2 (de) * 1991-10-07 1999-01-28 Fuji Photo Film Co Ltd Lichtempfindliche Zusammensetzung
EP0537524A1 (en) * 1991-10-17 1993-04-21 Shipley Company Inc. Radiation sensitive compositions and methods
JPH05127369A (ja) * 1991-10-31 1993-05-25 Nec Corp レジスト材料
JP3010607B2 (ja) * 1992-02-25 2000-02-21 ジェイエスアール株式会社 感放射線性樹脂組成物
JP2976414B2 (ja) * 1992-04-10 1999-11-10 ジェイエスアール株式会社 感放射線性樹脂組成物
JPH05257283A (ja) * 1992-03-12 1993-10-08 Toray Ind Inc 放射線感応性高分子化合物
JPH06230574A (ja) * 1993-02-05 1994-08-19 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型感光性組成物
JPH06242605A (ja) * 1993-02-15 1994-09-02 Hoechst Japan Ltd ポジ型放射感応性混合物
JPH06266110A (ja) * 1993-03-12 1994-09-22 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> ポジ型レジスト材料
JP3293940B2 (ja) * 1993-03-12 2002-06-17 株式会社東芝 感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JPH07140666A (ja) * 1993-06-04 1995-06-02 Internatl Business Mach Corp <Ibm> マイクロリトグラフィックレジスト組成物、酸不安定化合物、マイクロリトグラフィックレリーフ画像形成方法及び酸感知性ポリマー組成物
JPH0792680A (ja) * 1993-06-29 1995-04-07 Nippon Zeon Co Ltd レジスト組成物
JPH0792678A (ja) * 1993-06-29 1995-04-07 Nippon Zeon Co Ltd レジスト組成物
JPH0792681A (ja) * 1993-06-29 1995-04-07 Nippon Zeon Co Ltd レジスト組成物
JPH07120929A (ja) * 1993-09-01 1995-05-12 Toshiba Corp 感光性組成物
JP3297199B2 (ja) * 1993-09-14 2002-07-02 株式会社東芝 レジスト組成物
JPH07118651A (ja) * 1993-10-20 1995-05-09 Nippon Steel Corp コークス炉の窯口集塵装置及び集塵方法
JPH07128859A (ja) * 1993-11-04 1995-05-19 Wako Pure Chem Ind Ltd レジスト組成物
JP3116751B2 (ja) * 1993-12-03 2000-12-11 ジェイエスアール株式会社 感放射線性樹脂組成物
TW397936B (en) * 1994-12-09 2000-07-11 Shinetsu Chemical Co Positive resist comosition based on a silicone polymer containing a photo acid generator
US5609989A (en) * 1995-06-06 1997-03-11 International Business Machines, Corporation Acid scavengers for use in chemically amplified photoresists

Also Published As

Publication number Publication date
TW574627B (en) 2004-02-01
JPH09274319A (ja) 1997-10-21
US5882844A (en) 1999-03-16
JP3518158B2 (ja) 2004-04-12
KR100228466B1 (ko) 1999-11-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR970071134A (ko) 화학 증폭 포지형 레지스트 재료
KR970071135A (ko) 화학 증폭 포지형 레지스트 재료
KR970022547A (ko) 화학증폭 포지형 레지스트 조성물
KR970007489A (ko) 화학 증폭 포지티브형 레지스트 재료
KR970028825A (ko) 신규 술포늄염 및 화학 증폭 포지형 레지스트 재료
KR960038481A (ko) 고분자 화합물 및 화학 증폭 포지티브형 레지스트 재료
KR980003842A (ko) 중합체 및 레지스트 물질
KR960024676A (ko) 포지티브 레지스트 조성물
KR960008428A (ko) 화학적으로 증폭된 방사선-민감성 조성물
KR970015629A (ko) 폴리실록산 화합물 및 화학 증폭 포지티브형 레지스트 재료
KR970006470A (ko) 이미노디숙시네이트를 포함하는 세제 및 세정제
KR950019945A (ko) 감방사선성 수지 조성물
KR920006803A (ko) 양성 포토레지스트 조성물
KR920005968A (ko) 모발 처리 조성물
KR960038480A (ko) 화학적으로 증폭된 포지티브형 레지스터 조성물
KR970066718A (ko) 감방사선성 수지 조성물
KR940014470A (ko) 포지티브 포토레지스트로서 유용한 중합체 및 이를 포함하는 조성물
KR940701419A (ko) 열가소성 차단 수지로서의 하이드록시-작용성 폴리(에테르 설폰아미드)
KR980003839A (ko) 화학 증폭 포지형 레지스트 재료
KR980002109A (ko) 감광성 폴리이미드 전구체 조성물, 및 이것을 사용한 패턴 형성 방법
KR950032084A (ko) 신규술포늄염 및 화학증폭 포지형 레지스트 조성물
KR970065514A (ko) 신규 술포늄염 및 화학 증폭 포지형 레지스트 재료
KR840002116A (ko) 감광성 수지조성물 및 감광성 수지조성물 적층체
KR890006738A (ko) 스티렌의 신디오택틱 중합체 및 폴리페닐렌에테르 기재의 열가소성 조성물
KR970028826A (ko) 신규 술포늄염 및 화학 증폭 포지형 레지스트 재료

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
G170 Publication of correction
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120724

Year of fee payment: 14

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130719

Year of fee payment: 15

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140721

Year of fee payment: 16

LAPS Lapse due to unpaid annual fee