TW574627B - Chemically amplified positive resist composition - Google Patents
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Description
574627 經濟部中央標準局員工消費合作社印策 A7 ___B7 五、發明説明(1 ) 本發明係有關一種對遠紫外線、電子線、X線等高能 量射線具有高靈敏度之,能以鹼性水溶液顯像而形成圖樣 之適用於微細加工技術的增強化學性之正型抗蝕材料。 近年來隨著L S I之高集成化及高速度化而要求圖樣 規格需微細化,但,因目前所廣泛使用之光曝光技術中來 自光源波長之本質性解像度已達極限。例如以g線( 436nm)或i線(365nm)爲光源的光曝光之情 形下,其圖樣規格極限約爲〇. 5//m,而利用其製作 LSI之集成度只能達相當於16MB DRAM爲止。 故,對試作L S I而言,開發出比此階段更微細化之技術 係係當務之急。 因此,自從伊藤(I t 〇)們提出,於以tert - 丁氧 基羰醯氧基(t — B 〇 c基)保證聚羥苯乙烯之羥基的稱 爲P B 0 C S T之樹脂中加入錨鹽作爲產酸劑的增強化學 性之正型抗蝕材料以來,已開發出各種不同之高靈敏度的 高解像度之抗蝕材料。雖然這些抗蝕材料均爲高靈敏度的 高解像度之物,但,形成微細高方位比之圖樣時,很難鑑 定出所得圖樣之機械強度。 又,目前爲止已有許多關於上述般的以聚羥苯乙烯爲 基料樹脂之,對遠紫外線、電子線、X線具有靈敏度的增 強化學性之正型抗蝕材料的提案。但,對能於段差塞板上 形成高方位比之圖樣的較好方法之2層抗蝕法而言,前述 之抗蝕材料均爲適用於單層抗蝕法之物,另外,這些抗触 材料會有基段差之問題,來自基板之光反射及難於形成高 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
-4 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印装 574627 A7 B7 五、發明説明(2 ) 方位比之圖樣的問題存在,故現狀上係難有實用性。 目前已知於段差基板上形成高方位比之圖樣的方法較 好爲2層抗蝕法,又,利用一般的鹼顯像液使2層抗蝕膜 顯像時,此抗蝕膜需爲具有羥基或羧基等親水基之聚矽氧 烷聚合物。但,聚矽氧烷中直接結合羥基之矽烷醇會因酸 而產生交聯反應,故難適用於增強化學性之正型抗蝕材料 中〇 近年來爲了解決這些問題而有聚矽氧烷系增強化學性 之正型抗蝕材料的以安定鹼可溶性聚矽氧烷聚合物之,部 分的聚羥基笮基矽倍半氧烷之苯酚性羥基被t _Β 〇 c基 保證的化合物爲基料樹脂,再組合產酸劑而成的增強化學 性之氧烷系正型抗蝕材料的提案(特開平 7 - 118651 號、SPIE V ο 1 . 1952( 1 9 9 3 ) 3 7 7 等)。 但,上述提案所使用的聚羥苄基矽倍半氧烷之分子量 均小及軟化溫度低,因此,使用其之抗蝕材料於蝕刻時等 之加熱條件下會有易崩潰之問題存在。 有鑑於此,因此,本發明之目的爲,提供一種不僅適 用爲,具有高靈敏度及高解像度之,特別是適合形成高方 位比之圖樣的2層抗蝕法之材料外,還能形成優良耐熱性 的增強化學性之正型抗蝕材料。 本發明者爲了達成此目的而經專心檢討後發現,由有 機溶劑,下列一般式(1 )所示的重量平均分子量爲 2,000〜50,000之高分子化合物、產酸劑、分 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 一 一 5 一 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
574627 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(5 ) 因此’本發明係提供一種增強化學性之正型抗蝕材料 ,其特徵係含有, (A )有機溶劑 (B)作爲基料樹脂之下列一般式(1 )所示的重量 平均分子量爲2,〇〇〇〜50,000之高分子化合物 〇 (C )產酸劑 (D )分子內具有2個以上乙烯醚基之化合物 又’本發明係提供一種增強化學性之正型抗蝕材料, 其特徵係含有, (A )有機溶劑 (B )作爲基料樹脂之下列一般式(1 )所示的重量 平均分子量爲2,000〜50,000之高分子化合物 〇 (C )產酸劑 (D )分子內具有2個以上乙烯醚基之化合物 (E )作爲溶解控制劑的分子量爲1 〇 〇〜 1 ,0 0 0之分子內具有2個以上苯酚性羥基之化合物, 對且此苯酚性羥基之氫原子而言平均1 0〜1 0 〇%受酸 不安定基所取代。 又,本發明係提供一種增強化學性之正型抗蝕材料, 其特徵係含有, (A )有機溶劑 (B )基料樹脂之下列一般式(1 )所示的重量平均 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
訂 一 8 - 574627 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 __B7 五、發明説明Π ) ,又、7、2爲〇.〇5^又/(又 + 7 + 2)$〇.8 、〇Sy/(x + y + z)S〇. 5、0. 2 ^ z / (x+y+z)$〇. 95之數,η爲1〜3之整數。〕 下面將更詳細說明本發明,即,本發明的增強化學性 之正型抗蝕材料爲,以(Α)有機溶劑、(Β)基料樹脂 、(C)產酸劑爲主成分的抗蝕材料中配合使用(D)分 子內具有2個以上乙烯醚基化合物而成的抗蝕材料。 此(Α)有機溶劑可爲任何一種能溶解(Β)〜(D )成分之產酸劑、基料樹脂、含乙烯醚基之化合物等的有 機溶劑,又,較好爲能充分溶解前述成分之,能均勻地擴 散於抗蝕膜之物。其例子如,二甲苯等苯系芳香族烴類、 或丙酮等酮類、或乙二醇單甲基醚、二乙二醇單甲基醚、 乙二醇單乙基醚、乙二醇二丁基醚、二乙二醇二甲基醚等 醚類、或醋酸丁基、晶狀可溶乙酸鹽、乳酸乙基、乳酸甲 基、乳酸丙基、乳酸丁基等酯類等,又,可單獨使用或二 種以上混合使用並無限制。但,其中以對抗蝕成分中的基 材樹脂之溶解性優良的丙二醇單甲基醚乙酸鹽、乳酸乙基 爲佳。 其使用量較好爲基料樹脂之200〜1,000% ( 係指重量%,以下均同),又以400〜800%特別好 。若其含量過少時會有成膜性差之問題,又,過多時所形 成之抗蝕膜會成爲薄膜而無法使用。 本發明之(Β )基料樹脂係由下列一般式(1 )所示 之各單位所形成的共聚合體。 · 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
-10 - 574627 A7 B7 五、發明説明(9 ) cHa ch3 ch3 ch3 ch3 ch3 ~c-o-chch3 , ~c-o-cch3 , ~c~o-chch2ch3 , CH3 CH3 ch3 ch3 ch3 ch3 ch3 -?-〇-ch2chch3 ,-令一〇一 ch2ch3 , -ch一och2ch3 , CH3 CH2 CH2 CHa CHa
(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 上述一般式(1 )中的Q係不同於R之酸不安定基並 無限制,其可爲不同於R之上述一般式(2 )所示的烷氧 基烷基或不同於烷氧基烷基之酸不安定基。而非烷氧基烷 基之酸不安定基的例子如,下列一般式(4 )所示的ter t -丁氧基羰基等含羰基之基、或tert - 丁基、三甲基甲矽 烷基、三- tert-丁基二甲基甲矽烷基等各烷基之碳數爲 1〜6之三烷基甲矽烷基等。 就本發明而言,若一般式(1)中的R爲乙氧基乙基 、乙氧基丙基、丁氧基乙基等烷氧基烷基,而Q爲tert-丁氧基羰基等具有羰基之基、或四氫化吡喃基、四氫化呋 喃基、tert—丁基、三烷基甲矽烷基等不同於烷氧基烷基 之酸不安定基時,所得之抗蝕材料具有因R之烷氧基烷基 的易脫離性等及因Q之羰基等酸不安定基的阻止鹼溶解性 等,因此,除了能彌捕僅單獨導入各酸不安定基時所產生 • ------訂------· 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -12 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 574627 A 7 B7 五、發明説明(10 ) 之缺點外,還能引出含有各種不同酸不安定基之抗蝕材料 的長處。又,就這類的導入不同之酸不安定基的情形而言 ,若考慮到本發明之抗蝕材料特性時則較好以組合烷氧基 烷基及具有羰基之基而成之物爲基料樹脂,又以乙氧基乙 基及tert - 丁氧基羰基之組合特別好。 〇 -CKR4 ⑷ (其中,R4爲碳數ι〜6的直鏈或支鏈烷基,3爲 0 或 1 〇 ) 另外,x、y、z爲各別之正數,又0. 0 5 ^ X / (X + y + z ) ^0. 8,又以 0· l$x/(x + y + z)S0. 5爲佳、OSy/(x+y+z)SO. 5, 又以0Sy(x+y+z)S0. 3爲佳、0· 2Sz/ (x + y + z) ^0. 95,又以 0· 5Sz/(x + y + z ) ^ 〇 . 9爲佳。若一般式(1)的高分子化合物不 含有具有苯酚性羥基之單位及以酸不安定基保證之苯酚性 羥基中的任何一項構造時,將無法完全達成本發明之目的 。又,就全體(x + y + z )而言若X之比率低於 〇. 05時,將無法發揮出烷氧基烷基之長處,若z之比 率超過0 . 9 5時會使抗蝕膜之膜層大減,而降低解像度 。又,X之比率超過0. 8且y之比率超過0. 5,z之 比率低於〇. 2時,將無法以鹼性水溶性顯像。至於酸不 安定基及羥基之組成比較好爲0. l^(x + y)/(x + V + z ) ^0. 5,又以 0. 15S(x + y)/(x 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 一 13 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部中央標準局員工消費合作社印裂 574627 A7 B7 五、發明説明(11 ) + y + z ) ^0. 4特別好。而一般式(1)中的η爲1 〜3之整數。 本發明之基料樹脂的重量平均分子量可分別爲 2,000 〜50,000,又以 3,000 〜 20,000爲佳。若其分子量過小時會使成膜性、耐氧 等離子體性惡化,又,過大時會不溶於抗蝕泛用溶劑。 本發明之基料樹脂的上述聚矽氧烷則可利用特開平 6 — 1 1 8 6 5 1號公報中之方法合成而得到。 本發明的增強化學性之正型抗蝕材料中所使用的(c )產酸劑可爲已知的經遠紫外線、電子線、X線等高能量 射線照射後能分解產生酸之產酸劑,其例如,鏺鹽、肟磺 酸衍生物、羥亞胺基磺酸酯衍生物、2,6 -二硝基笮基 磺酸衍生物、焦掊酚磺酸酯衍生物、二偶氮棻醌磺酸酯衍 生物、2,4 一兩個三氯甲基一 6 —芳基_1 ,3,5 — 三連氮衍生物、α,α / -雙芳基磺醯二偶氮甲烷衍生物 等,但,因基料樹脂中具有烷氧基烷基等之基會降低玻璃 轉化溫度(Tg),故以能防止此現象之產酸效率良好及 增加阻止溶解效果的下列一般式(5 )所示之鏺鹽特別好 〇 (R 5 ) Y ( 5 ) (其中,R 5爲同類或異類之取代或非取代芳香族基 、Μ爲鎏或碘鏺,Y爲取代或非取代之烷基或磺化基、b 爲2或3。) 這類鏺鹽之具體構造式例子如下,但,非限於此。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
-14 - 574627 A7 B7 五、發明説明(12) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製
(請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T iA^W. 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 15 574627 A7 B7 五、發明説明(13 ) OtBu OtBu Γ "03S—^ λ—CH3 ) OtBu OtBu (其中,t B u爲tert— 丁基) 至於產酸劑之添加劑爲全固體成分之0. 5〜15% ,又以1〜1 0 %特別好。若產酸劑之添加劑太少時,會 降低能顯示出正型抗蝕材料之特性的靈敏度。又’增加產 酸劑雖然會有使抗蝕之靈敏度高靈敏度化的傾向及提升對 O3SCF3 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部中央標準局員工消費合作社印製 比 > 但 當 添 加 量 超 過 刖 述 之 量 時 雖 能 顯 示 出 正 型 抗 蝕材 料 之 特 性 > 卻 -Art m 法 期 待 與 添 加 量 成 正 比 之 高 靈 敏 度 化 »並 且 , 會 產 生 耐 氧 等 離 子 體 lihL 性 變 差 等 事 態 〇 又 > 本 發 明 的 增 強 化 學 性 之 正 型 抗 蝕 材 料 含 有 ( D ) 分 子 內 具 有 2 個 以 上 乙 烯 醚 基 之 化 合 物 〇 而 此 ( D ) 成 分 的 分 子 內 具 有 2 個 以 上 乙 烯 醚 基 之化 合 物 例 子 如 下 列 一 般 ( I ) 或 ( I I ) 所 示 之 乙 烯 醚 化合 物 〇 A 一 〔 — 0 — ( R 1 4 0 ) η - C H = C Η 2 m ( I ) A — C — B 一 R 1 4 0 一 C Η = C Η 2 ; ), 1 ( I I ) 其中,A爲m價之烷基、芳基或雜環基、B爲 一 C 一 Ο — 〇、一NHC00 — 或一NHCONH —、 R1 4爲碳數1〜10的直鏈或支鏈亞烷基、η爲〇爲1〜 1 0之整數,m爲2〜6之整數。又,一般式(1 )所示 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 訂 -16 - 574627 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 ____B7__五、發明説明(14 ) 之化合物例如可利用 Stephen. C. Lapin, Polymers Pai -nt Colour Journal. 179 (4237) 321 (1 9 8 8 )所記載之方法,即,利用多價醇或多價苯酚 與乙炔之反應,或者多價醇或多價苯酚與鹵化烷基乙烯醚 之反應合成而得到。其具體例子如,乙二醇二乙烯醚、三 乙二醇二乙烯醚、1 ,3 — 丁二醇二乙烯醚、四甲二醚二 乙烯醚、新戊二醇二乙烯醚、三羥甲基丙烷三乙烯醚、三 羥甲基乙烷三乙烯醚、己二醇二乙烯醚、1 ,4 一環己二 醇二乙烯醚、四乙二醇二乙烯醚、季戊四醇二乙烯醚、季 戊四醇三乙烯醚、季戊四醇四乙烯醚、山梨醣醇四乙烯醚 、山梨糖醇壬乙烯醚、乙二醇二乙撑乙烯醚、三乙二醇二 乙撑乙烯醚、乙二醇二丙撑乙烯醚、三乙二醇二乙撑乙烯 醚、三羥甲基丙烷三乙撑乙烯醚、三羥甲基丙烷二乙撑乙 烯醚、季戊四醇二乙撑乙烯醚、季戊四醚三乙撑乙烯醚、 季戊四醇四乙撑乙烯醚,或下列一般式(I 一 1 )〜(I 〜3 1 )所示之化合物等,但,非限於此。 (1-1) (1-2) (1—3) 。氏=〇1-〇。1似120~^\~/~\~〇〇^12012〇-。11=012 (1-4) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T CH2=CII—OCILCIIaOl \>~〇CH2CH20 - ch=ch2 ch2=ch-〇ch2ch2〇、 οαΊ2αι2ο-αι=αι
ch2=ch—〇ch2ch2〇
och2cii2o-ch=ch2 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -17 - 574627 A7 B7 五、發明説明(I5 ) ch2=ch-och2ch2o
och2ch2o-ch=ch2 (I - 5)
ch2=ch-och2ch2〇A^A och2ch2〇-ch=ch2 1-6) CH2=CH-OCH2CH2〇JL0J^ och2ch2o-ch=ch2 (1-7) CH2=CH-0CH2CH20~^ 人 〇CH2CH2〇_CH=CH2 1—8) ch3 ch2=ch-och2ch2o
och2ch2o-cii=ch2 > och2ch2o-ch=ch2 ch3 I - 9) CII2=CII—〇CH2CII2〇~/^>-4Hf"^K〇CH2CH20—CH=CH2 ( I - 10) ch3 ch2=ch-ocii2cii;
〇ch2ch2〇—ch=ch2 I - 11) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 ch2=ch—〇ch2ch2〇
〇ch2ch2〇-ch=ch2 ( I — 12) ch3 CH2=CH-O-CH2O-0^i^Q- och2o-ch=ch2 ch3 I - 13) ch2=ch-〇
o - ch=cii2 (I — 14) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 18 - 574627 A7 B7 五、發明説明(16) CH2=CH-0CH2CH20
och2ch2o-ch=ch2 (I 一 15) ch2=ch-o 0—ch=ch2 (I — 16) ch2=ch—ο
o-ch=ch2 (I - 17) ch2=ch - ο o-ch=ch2 (I — 18) CH2=CH-〇H^^-S-^^-〇-CH=CH2 (1-19) ch2=ch—ο
o - ch=ch2 (I - 20) ch2=ch-〇
〇—ch=ch2 (1-21) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製
(I — 22) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -19 - 574627 A7 B7 五、發明説明(17 )
(1—23) CH2=CH—〇
0-CH=CH2 (1—24) CH2=CH—0
(I - 25) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印裂
O—CH=CH2 (I - 26) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -20 - 574627 A7 B7 五、發明説明(π
(I 一 27) ch2=ch-o ch2=ch—o
CHa ch2chchch2 ch3
o-ch=ch2 o-ch=ch2 (I - 28)
,〇-ch=ch2 Ό 一 CH=CH2 (I - 29) (I - 30) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 och=ch2 och=ch2 och=ch2 ch2=ch-o
o—ch=ch2 (I — 31) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -21 - 574627 A7 B7五、發明説明(Η) 上述一般式(II) (Β爲一CO — 0 —時)所示之 化合物則可利用多價羧酸及鹵化烷基乙烯醚之反應而製得 。其具體例子如,對苯二甲酸二乙撑乙烯醚、苯二甲酸乙 撑乙烯醚、異苯二甲酸二乙撑乙烯醚、苯二甲酸二丙撑乙 烯醚、對苯二甲酸二丙撑乙烯醚、異苯二甲酸二丙撑乙烯 醚、馬來酸二乙撑乙烯醚、富馬酸二乙撑乙烯醚、衣康酸 I 二乙撑乙烯醚等,但,非限於此例。又,本發明所適用之 含乙烯醚基化合物可爲,因含下列一般式(III)、( V I )或(V)等活性氫的乙烯醚化合物與含氰醯基化合 物之反應而合成的含乙烯醚基之化合物。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) C Η 2 =C Η — 0 - R 1Ε 0 Η (III) C Η 2 =C Η — 0 — R 1£ ;一 C 0 0 Η (IV) C Η 2 =C Η — 〇一 R 1Ε ;一 Ν Η 2 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 其中,R15爲碳數1〜1 0的直鏈或支鏈亞烷基。又 ,所使用之含異氰醯基化合物例如可爲,記載於交聯劑手 冊(大成社刊,1981年發行)之化合物。具體而言如 ,三苯基甲烷三異氰醯、二苯基甲烷二異氰醯、笮撑二異 氰醯、2,4 —笮撑二異氰醯之二聚物、菓一 1 ,5 —二 異氰醯、0 -爷撑二異氰醯、聚甲烯聚苯基異氰醯、六甲 烯二異氰醯等聚異氰醯型、或苄撑二異氰醯與三羥甲基丙 烷之加聚物、六甲烯二異氰醯與水之加聚體、二甲苯二異 氰醯與三羥甲基丙烷之加聚物等聚異氰醯加合型化合物等 。或者爲,前述含異氰醯化合物與含活性氫之乙烯醚化合 物反應後末端具有乙烯醚基之各種不同的化合物。這類化 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) - 一 22 一 574627 A7 B7 五、發明説明(如) 合物例子如下列一般式(vi — 1)〜(VI 一 1 i)所 示之化合物,但,非限於此例。
CH2=CII0 CH2CH200CNII -Ο- NHCOOCH2CH2OCH=CH2 (VI- 1) CH2=CIIOCH2CH2OOCNIIv / nhcooch2ch2och=ch2
(VI-2) ch2=ch〇cii2ch2〇ocnh·
NHCOOCI I2CII2〇CI I=CI I2 (VI-3)
ch 尸 choch2cii2nhcnh II
niicnhcii2ch2och=cii2 (VI-4)
CH2=CHOCH2CH2OOCNH
nhcooch2cii2och=ch2 (VI- 5) CH2=CHOCH2CH2OOCNH-
nhcooch2ch2〇cii=ch2 (VI- 6) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製
CH2=CHOCH2CH2OOCNH
NHC〇OCH2Cri2〇CII=CH2 (VI- 7) ch2=ciioch2cii2nhcne
nhcnfich2ch2〇cii-ch2 A (VI-8) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 23 — 574627 A7 B7 五、發明説明(21 CII3
(VI — 9) (VI- 10) ch2=ch〇ch2ch2o〇cnii
Cj^^^^-NHCOOCHaCILOCIKIL· (VI- 11) 此含乙烯醚化合 體成分之0. 5〜2 (A )基料樹脂中之 物中之乙烯醚基的克 含乙烯醚基化合物之 (A )基料樹脂之交 性之效果,又,過多 完整地進行因酸觸媒 物之配合量較好爲抗蝕材料中全部固 4 %,又以1〜1 〇 %特別好。又, 苯酚性羥基及(D)含乙烯醚基化合 分子比較好爲0. 01〜0. 2。若 配合量過少時,將無法完整地形成與 聯結合,而無法得到完整的提升耐熱 時交聯結合之比率過多,因此,無法 而產生的脫離反應,故會降低解像性 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印褽 本發明所使用的增強化學性之正型抗蝕材料非限爲由 上述(A)〜(D)成分所形成的3成分系抗蝕材料,亦 可爲必要時加入溶解控制劑之抗蝕材料。而所適用之這類 溶解控制劑有,分子內具有1個以上能因酸而分解之酸不 安定基的低分子化合物或高分子化合物。 本發明的增強化學性之正型抗蝕材料中的(E )溶解 控制劑係,分子量爲100〜1 ,000之分子內具有2 個以上苯酚性羥基的化合物,且對此苯酚性羥基之氫原子 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 一 24 一 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 574627 A7 B7 五、發明説明(沒) 而言平均1 0〜1 〇 〇%爲酸不安基所取代。其具體例子 有’雙苯酚A衍生物、碳酸酯衍生物等,又以雙苯酚A之 羥基中的氫原子爲tert-丁氧基、tert— 丁氧基羰基、 tert-丁氧基羰基甲基等tert-丁基衍生物之取代基、或 1 一乙氧基乙基、1 一丙氧基乙基、1 一 η — 丁氧基乙基 、l — i s 〇 — 丁氧基乙基、1— tert — 丁氧基乙基、1 - tert-戊氧基乙基等直鏈狀或分岐狀之烷氧基烷基、或 四氫化呋喃基、四氫化吡喃基等環狀烷氧基烷基所取代的 化合物爲佳。 至於溶解控制劑之配合量較好爲基料樹脂之〇〜4 0 %,又以1 0〜3 0%爲更佳,又,可單獨使用或二種以 上混合使用。若配合量過多時會降低抗蝕膜之耐氧等離子 體蝕刻性。 這類(E )溶解控制劑則可由,具有苯酚性羥基之化 合物同基料樹脂般進行酸不安定基之化學反應而合成得到 〇 本發明之抗蝕材料中除了上述(E )溶解控制劑外, 還可配合使用其他之(F )溶解控制劑,又,其爲,重量 平均分子量1 ,000以上3,000以下之分子內具有 苯酚性羥基的化合物,且對此苯酚性羥基之氫原子而言平 均0%〜6%爲酸不安定基所取代。 又,此化合物之苯酚性羥基的氫原子中被酸不安定基 取代率平均爲苯酚性羥基全體之〇%〜6 0%,又以0% 〜4 0%爲佳。若爲0%時將無法得到充分的控制溶解效 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) $· 訂 25 - 574627 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明(μ ) 果,又,超過6 0%時會於聚合物間產生相分離而無法有 相溶性。至於此酸不安定基之例子同上述。 這類化合物例子如,P — 丁氧苯乙烯及tert - 丁基丙 烯酸酯之共聚合物或P - 丁氧基苯乙烯及馬來酸酐之共聚 合物等,又,可單獨使用或二種以上組合使用。 至於新添加的溶解控制劑含量之與(E )溶解控制劑 合計後的全體溶解控制劑量較好爲基料樹脂之〇〜4 0 % ,又以10〜30%爲更佳。 又,上述的(F )溶解控制劑可同(E )溶解控制劑 般合成而得到。 另外,本發明之抗蝕材料中可配合使用(G)添加劑 之鹼性化合物。 所配合的(G )添加劑之鹼性化合物較好爲,能控制 當產酸劑所產生之酸擴散至抗蝕膜中的擴散速度之化合物 ,而這樣的配合使用鹼性化合物之結果可抑制抗蝕膜中酸 之擴散速度,故能提升解像度及抑制曝光後之靈敏度變化 ,而減輕基板之環境依賴性及提升曝光剩餘度或圖樣外型 等。這類的鹼性化合物可爲第1級、第2級、第3級之脂 肪族胺、或芳香族胺類、雜環胺類、醇性含氮化合物、醯 胺化合物等。具體而言如,第1級脂肪族胺之甲基胺、乙 基胺、丙基胺、丁基胺、戊基胺、己基胺、或第2級脂肪 族胺之二甲基胺、二乙基胺、二丙基胺、二丁基胺、二戊 基胺、二己基胺、或第3級脂肪族胺之三甲基胺、三乙基 胺、三丙基胺、三丁基胺、三戊基胺、三己基胺,或芳香 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) i%—. 訂 ♦ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 574627 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(2本) 族、雜環胺之苯胺、N —甲基苯胺、N,N —二甲基苯胺 、0 —甲苯胺,m_甲苯胺、p —甲苯胺、2 ,4 —盧剔 啶、暗啉、異瞎啉、咪唑、α -皮考啉、—皮考啉、r 一皮考啉、0 -胺基安息香酸、m -胺基安息香酸、p -胺基安息香酸、1,2 -苯撑二胺、或醇性含氮化合物之 乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、丙醇胺、二丙醇胺、三丙 醇胺、或醯胺化合物之甲醯胺、N,N -二甲基甲醯胺、 乙醯胺、N,N —二甲基乙醯胺、2 —吡咯烷酮、N-N 甲基吡咯烷酮等。 此鹼性化合物之配合量較好爲產酸劑之0.1〜 1 ,000%,又以1〜100%爲更佳。若配合量過少 時將無法有充分的效果,又,過多時會降低解像度或靈敏 度,進而妨害交聯反應之進行及降低耐熱性。 除了上述成分外,本發明之抗蝕材料中可添加如提升 塗布性之表面活性劑,或能減少基板所造成之亂反射影響 的吸光性材料等。至於此成分之添加量只要不妨害本發明 之效果範圍下可爲一般量。 所採用的使用本發明之正型抗蝕材料以形成圖樣之方 法可爲已知的石版技術,例如,將此材料旋轉塗布於矽基 板等基板上後進行預烤,以使基料樹脂及含乙烯醚基化合 物行交聯反應。此預烤條件需爲能進行完整交聯反應之條 件,一般爲以60〜1 50 °C加熱約1〜30分鐘。至於 膜厚一般爲〇. 1〜2//m。其次,照射遠紫外線、電子 線、X線等高能量射線。此時,產酸劑會分解而生成酸。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2丨0'〆297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -ri ΙΓ · 574627 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(Μ ) 其後,以70〜1 5 0°C進行後曝光烘烤(PEB)作業 6 0〜1 2 0秒,以酸爲觸媒分解酸不安定基及交聯結合 ,而解除阻止溶解之效果。接著,以鹼性水溶液顯像,再 以水輕洗之,以形成正型圖樣。 又,本發明之正型抗蝕材料係以一般式(1 )之聚砂 氧烷化合物爲基料樹脂,因此,其爲,耐等離子體蝕刻性 優良的適用於2層抗蝕法之抗蝕材料。 即,於基板上形成下層抗蝕膜之厚有機聚合物層後, 以旋轉塗布方式將本發明之抗蝕材料(溶液)塗布於上面 。接著,以同上述之方法進行由本發明之抗蝕材料所構成 的上層抗蝕膜之圖樣成型步驟,再進行蝕劑,其結果因已 選擇性的蝕刻下層抗蝕膜,故能於下層形成上層之抗蝕圖 樣。 而這類2層抗蝕法中適合於,形成下層抗蝕膜之抗触 材料的例子有,酚醛樹脂系正型抗蝕材料等,將下層抗蝕 材料塗布於基板上後,可利用2 0 0°C之1小時的熱烤方 式防止與上層抗蝕膜之內混。 因本發明的增強化學性之正型抗蝕材料能感應例如遠 紫外線、電子線、X線等高能量射線,且具有優良靈敏度 及解像性,又,其抗蝕圖樣之耐熱性優良,因此,適用於 利用遠紫外線或電子線之微細加工用途上。特別是對 K r F准分子激光器之曝光波長的吸收性小,故具有易於 形成微細且垂直於基板之圖樣的特性,又,因具有優良耐 氧等離子體蝕刻性,因#,若利用於下層抗蝕膜之上形成 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 2 8 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印装 574627 A7 B7 五、發明説明(26 ) 由本發明的抗蝕材料所構成之上層抗蝕膜的2層抗蝕法時 ,能具有形成微細之高方位比的圖樣的特性。 下面將以實施例及比較例具體說明本發明,但,非限 於此例。 〔實施例1〜1 7,比較例1、2〕 將下列構造式所示之聚合物1 (Polym. 1 )至聚合 物5 ( Polym. 5 )的基料樹脂及,下列構造式(P A G .1 )至(P A G . 4 )所示之產酸劑及,下列構造式所 示之含乙烯醚基化合物(CL. 1)至(CL. 3)及, 具有苯酚性羥基之化合物同基料樹脂般使酸不安定基化學 反應後得到的下列構造式(DRR· 1) 、(DRR. 2 )及(DRR. 1 " ) 、(DRR. 2>)所示之溶解控 制劑及其他的溶解控制劑及鹼性化合物之三乙醇胺溶解於 表1 、2所示的丙二醇單甲基醚乙酸鹽(PGMEA)或 乳酸乙基及醋酸丁基之混合液(EL/BA)中,調製成 抗蝕材料,再以〇. 2 //m之特氟隆製薄膜過濾這些材料 ,調製成抗蝕液,以供應下列各實驗。 〔實驗1〕 以旋轉塗布方式將抗蝕液塗布於矽基板上,再於置於 熱板上以140 °C預烤90秒。得膜厚0. 35//m之層 膜。接著利用K r F准分子激光器(尼康公司製,NSR —2005 EX8A,NA = 〇. 5)曝光後,再以 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2!0X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ·、· -訂 29- 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 574627 A7 B7 五、發明説明(27 ) 2 . 3 8%之四甲基銨羥化物(TMAH)的水溶液進行 1分鐘顯像,其後,以水輕洗之,得抗蝕圖樣。 而各個抗蝕材料均具有正型之特性,又,以遠紫外線 之K r F准分子激光器(波長2 4 8 nm)求取靈敏度。 結果矽基板上均能以K r F准分子激光器解像,得 0. 22之線與空間及形成垂直於基板之具有側壁的 圖樣。 將所得之抗蝕圖樣放置於1 5 0°C之熱板上加熱1分 鐘,並觀察加熱前後圖樣形狀之變化以作爲耐熱性試驗, 結果本發明之抗蝕材料的圖樣形狀均無變化,而未曾配合 使用含乙烯醚基化合物之比較例1的抗蝕材料,於加熱後 其抗蝕圖樣會變形,故耐熱性差。 〔實驗2〕 於矽基板上塗布厚2. 0/zm之OFPR800 (東 京應化公司製)以作爲下層抗蝕膜後,以2 0 0 °C加熱5 分鐘,使其硬化。其次,同實驗1之方法於此下層抗蝕膜 上塗布約0. 35/zm厚之上述抗蝕液,再預烤之。接著 ,以K r F准分子激光器曝光後進行顯像,使下層抗蝕膜 上形成著抗蝕圖樣。此時,任何一種抗蝕液均能得到對下 層抗蝕膜之圖樣,且沒有拖下擺之現象。 其後,利用平行平板型灑濺蝕刻裝置,並以氧氣爲蝕 刻氣體以進行蝕刻。又,對下層抗蝕膜的蝕刻速度爲 1 5 0 nm/分之情形下,各抗蝕液所形成的上層抗蝕膜 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
一 3 0 - 574627 A7 B7 五、發明説明(扣
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o3sh〇>~ch3 PAG.2 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
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OtBu 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 tBuO-^ ^-S+ O3SCF3 PAG.4
(tBu: tert— 丁 基) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 33 _ 574627 A7 B7 五、發明説明(3») ch3 H2C=CHOCH2CH2〇
〇ch2ch2〇ch=cii2 CL.l ch3 cooch2ch2och=ch2
CL.2 cooch2ch2och=ch2 CH2=CHOCH2CH2OOC - NH.
nh-cooch2ch2och=ch2 CL.3
DRR.l DRR.2 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) -34 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 574627 A7 B7 五、發明説明(W ) 表1 實 施 例 抗蝕材料[括弧內:組成比(單位:重量單位] ®敏度 (Eth) 基料樹脂 產酸劑 含乙烯醚 基化合物 溶解控 制劑 鹼性化 合物 溶媒 1 Po1ym. 1 PAG. 1 CL. 1 — — PGMEA 1.2 (94) (4) (2) ( 600 ) 2 Po1ym. 1 PAG. 2 CL. 1 DRR. 1 — PGMEA 2.4 (80) (2) (2) (16) ( 600) 3 Po 1 y in. 1 PAG. 2 CL. 1 — TEA PGMEA 5.0 (92) (4) (4) (0.05) ( 600) 4 Po 1 y in. 1 PAG. 1 CL. 2 - — EL/BA 1.3 (94) (4) (2) (500/100) 5 Po1yra. 1 PAG. 1 CL. 3 - — ,EL/BA 1.4 (94) (4) (2) (500/100) 6 Po1yra. 1 PAG. 2 CL. 1 DRR. 2 - EL/BA 2. 5 (80) (2) (2) (16) (500/100) 7 Po1yra. 1 PAG. 2 CL. 1 DRR.2’ — EL/BA 2.6 (88) (2) (2) (8) (500/100) 8 Po1yra. 1 PAG. 2 CL. 1 DRR.2(8) - EL/BA 2. 5 (80) (2) (2) DRR.2·(8) (500/100) 9 Po1yra.2 PAG. 1 CL. 1 — — PGMEA 0.8 (94) (4) (2) ( 600 ) 10 Po1ym.2 PAG. 2 CL. 1 DRR. 1 — PGMEA 1.6 (80) (2) (2) (16) (600 ) 11 Po1yra.3 PAG. 1 CL. 1 — — PGMEA 1.2 (94) (4) (2) ( 600 ) 12 Po 1 yra. 3 PAG. 2 CL. 1 DRR. 1 — PGMEA 2.5 (80) (2) (2) (16) ( 600 ) 13 Po1yra.4 PAG. 3 CL. 1 — — PGMEA 1.5 (94) (4) (2) ( 600 ) 14 Po 1 yra, 4 PAG, 4 CL, 1 DRR. 1 — PGMEA 3.0 (80) (2) (2) (16) ( 600) 15 Po 1 yra. 5 PAG. 1 CL. 1 — — PGMEA 1.5 (94) (4) (2) ( 600 ) 16 Po 1 yra. 5 PAG. 2 CL. 1 DRR. 1 - PGMEA 3.1 (80) (2) (2) (16) ( 600 ) 17 Po 1 yra. 5 PAG. 3 CL. 1 — TEA PGMEA 4.5 (92) (4) (4) (0.05) ( 600) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
574627 A7 B7五、發明説明(34 ) 表2 比 較 例 抗蝕材料[括弧內:組成比(單位:重量單位] 靈敏度 (Eth) 基料樹脂 產酸劑 含乙烯醚 基化合物 溶解控 制劑 鹼性化 合物 溶媒 1 Po1ym. 1 PAG. 1 — — — PGMEA 1. 5 (94) (4) ( 600 ) 2 Polym.5 PAG. 3 CL. 1 TEA PGMEA 5. 0 (92) (4) (4) — (0.05) (600) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
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Claims (1)
- 574627 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 ./ 第8 5 1 1 6 G 3 2專利申請案 ' 中文申請專利範圍修正本 民國9 1年1 〇月21曰 1 · 一種增強化學性之正型抗蝕材料,其特徵係含有 ’ (A)對基料樹脂爲200〜1〇〇〇%之有機溶劑、 (B)作爲基料樹脂之具有以下列一般式(1 )所示重覆 單位,重量平均分子量爲2,0 〇 〇〜5 〇,〇 〇 〇的高分 子化合物(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 〔其中,R爲下列一般式(2)所示之基, R1 - i-OR3 (2) R2 (式中的R1、R2爲各別獨立之氫原子或碳數丄〜6的直 鏈烷基,R3爲碳數1〜1 〇的直鏈或環狀之烷基,又, R2及R3可結合成環狀)Q爲由下記式所示取代基中所選 出之酸不安定基,x,y,z爲0. l^x/(x + y + z)$〇. 5、0^y/(x + y + z)^0. 3、 0. 2Sz/(x + y + z)S〇. 9 之數,η 爲 1 〜3 之整數〕,(C)對全固體成份爲0. 5〜15%之產酸 劑、(D)對全固體成份爲〇. 5〜24%之分子內具有本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)八4規格(210><297公釐) 一 1 - 574627 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 2個以上乙烯醚基之化合物 f3 S h3c—9一。一 c- CHa CH3 h3c- ch9 -Si-- CH3 ch3 ch3 rf (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) R_P 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ^h3 CH3CHi〇—CH- <j:H2CH3 CH3CHa〇CH- 〒h3 CH3(CH2)3〇CH—— crΓ s h3c—^—o—c· ch3 QHa HSC—C一 CHa ΐ R——SI- 2 . —種增強化學性之正型抗蝕材料,其特徵係含有 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -2 - 丫 h3 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 574627 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 ,(A)對基料樹脂爲200〜100%之有機溶劑、( B)作爲基料樹脂之如申請範圍第1項的高分子化合物、 (C)對全固體成份爲〇. 5〜15%產酸劑、(D)對 全固體成份0. 5〜24%之分子內內具有2個以上乙烯 醚基之化合物、(E)對基料樹脂爲20〜100%之作 爲溶解控制劑的分子量10 0〜1,0 0 0之分子內具有 2個以上苯酚性羥基之化合物,且對此苯酚性羥基之氫原 子而言平均10〜1 0 0%爲受下記式所示取代基中所選 出之酸不安定基所取代 ch3 h3c—j:-0- jJHa ch3 PLJ H3C—j:— Γ ch3 HaC— Q一 〇~c-- ch3 Hc Γ fi 丫 h3 H3C (j;--1 h3C— 一 0— c— ch2- ch3 w e3 严3 ch3 CHjCHj0~~ C H ·—-. PH3 CH3(CH2)2〇·— C H'- CT ch3 ——CH—— yH3 CHa CHj Cl I CHgQ ~~ CH )—CH 一 3 · —種增強化學性之正型抗蝕材料,其特徵係含有 ’ (A)對基料樹脂爲200〜10〇〇%有機溶劑、( B )作爲基料樹脂之如申請專利範圍第1項的高分子化合 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)574627 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 物、(C)對全固體成份爲〇. 5〜15%之產酸劑、( D)對全固體成份爲〇. 5〜24%之分子內內具有2個 以上乙烯醚基之化合物、(E )作爲溶解控制劑的分子量 1 0 0〜1,0 0 0之分子內具有2個以上苯酚性羥基之 化合物,且對此苯酚性羥基之氫原子而言平均0〜5 0% 爲受下記式所示取代基中所選出之酸不安定基所取代、( F )作爲其他之溶解控制劑的重量平均分子量爲 1,0 0 0〜3,0 0 0之分子內具有苯酚性羥基之化合物 ,且對此苯酚性羥基之氫原子而言平均0%以上5 0%以 下爲受下記式所示取代基中所選出之酸不定基所取代,又 ,(E )及(F )之溶解控制劑之合計添加量對基料樹脂 爲 20 〜100%; (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ?η3 -c—ο—- h3c- ch3 严3 HaC— — 〇— c-- CH3 ^Ha p H3C—j:—0—CH- ch3 ·-· PH3 :——C一C h3c—ς— o— c—ch2 ch3 严3 CH3CH20一CH- p CH3(CH2)20—CH- CjiHa H3C—<j;—CH2—0一CH-CH3 PH3 CH- CH3(CHa)jO—— 丫 Hg 丫 H3 CH3-CH-CH20—CH—本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) _ 4 一 )74627申請專利範圍 H.C(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝. 訂 第 G 圍 C 範用 nu fee 專合 請配 申 ’ 如中 .其 4 , 料 材 触 抗 之 。 項物 一 合 何化 任性 之鹼 中之 項劑 3 加 至添 蝕 抗 之 項 1 何 任 。 之鹽 中 _ 項爲 3 劑 至酸 1 產 第之 圍分 範成 利 } 專 C 請 < 申 , 如中 .其 5 , 料 材 線 蛵濟部智慧財產局員工消費合阼Fiw沒 中 其 料 材 触 抗 之 項 4 第 圍 。 範鹽 利 _ 專爲 請劑 申酸 如產 .之 6 分 成 C 尺 ί紙 f本 準 標 家 國 國 中 用 適 9 2
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10458996A JP3518158B2 (ja) | 1996-04-02 | 1996-04-02 | 化学増幅ポジ型レジスト材料 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW574627B true TW574627B (en) | 2004-02-01 |
Family
ID=14384631
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW85116032A TW574627B (en) | 1996-04-02 | 1996-12-23 | Chemically amplified positive resist composition |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5882844A (zh) |
JP (1) | JP3518158B2 (zh) |
KR (1) | KR100228466B1 (zh) |
TW (1) | TW574627B (zh) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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- 1996-12-23 TW TW85116032A patent/TW574627B/zh not_active IP Right Cessation
-
1997
- 1997-04-01 US US08/831,301 patent/US5882844A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-04-01 KR KR1019970012010A patent/KR100228466B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH09274319A (ja) | 1997-10-21 |
US5882844A (en) | 1999-03-16 |
JP3518158B2 (ja) | 2004-04-12 |
KR100228466B1 (ko) | 1999-11-01 |
KR970071134A (ko) | 1997-11-07 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent | ||
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |