KR970071135A - 화학 증폭 포지형 레지스트 재료 - Google Patents

화학 증폭 포지형 레지스트 재료 Download PDF

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Abstract

(A) 유기 용제, (B) 베이스 수지로서 하기 화학식(1)로 표시되는 중량 평균 분자량이 3,000 내지 30,000인 고분자 화합물, (C) 산발생제, (D) 분자내에 비닐에테기를 2개 이상 갖는 화합물을 함유하며 이루어지는 화학 증폭 포지형 레지스트 재료.
식 중, R1은 수소원자 또는 메틸기이고 R2는 하기식
로 표시되는 기이며, R3, 은 R2와는 다른 산불안정기이고, R4,R5는 각각 독립하여 수소 원자 또는 C1내지 C6의 직쇄상 또는 분지상의 알킬기이며, R6은 C1내지 C10의 직쇄상, 분지상 또는 환상의 알킬기이거나, R4와 R5, R4,R6또는 R5,R6은 환을 형성해도 좋으며, 환을 형성하는 경우, R4와 R5, R6은 각각 독립하여, C1내지 C6의 직쇄상 또는 분지상의 알킬렌기를 나타내고, x, y는 각각 0 또는 양수인데, x, y가 동시에 0이 되는 일이 없고, z는 양수이며, x, y, z는 0.≤x/(x+y+z)≤0.5, 0≤y/(x+y+z)≤0.5, 0.4≤z/(x+y+z)≤0.9의 관계를 만족한다.
본 발명의 레지스트 재료는 화학 증폭 포지형 레지스트 재료로서 고에너지선, 특히 KrF 엑시머레이저 및 X선에 감응하여 감도, 해상성, 플라즈마 에칭 내성이 우수하며, 레지스트 패턴의 내열성도 우수하다.

Description

화학 증폭 포지형 레지스트 재료
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (8)

  1. (A) 유기 용제, (B) 베이스 수지로서 하기 화학식(1)로 표시되는 반복 단위를 갖는 중량 평균 분자량이 3,000 내지 30,000인 고분자 화합물.
    식 중, R1은 수소원자 또는 메틸기이고 R2는 하기식
    로 표시되는 기이며, R3, 은 R2와는 다른 산불안정기이고, R4,R5는 각각 독립하여 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 6의 직쇄상 또는 분지상의, 환상의 알킬기이고, R6은 1 내지 10의 직쇄상, 분지상 또는 환상의 알킬기이거나, R4와 R5, R4,R6또는 R5,R6은 환을 형성해도 좋으며, 환을 형성하는 경우, R4와 R5, R6은 각각 독립하여, 1 내지 6의 직쇄상 또는 분지상의 알킬렌기를 나타내고, x, y는 각각 0 또는 양수인데, x, y가 동시에 0이 되는 일이 없고, z는 양수이며, x, y, z는 0.≤x/(x+y+z)≤0.5, 0≤y/(x+y+z)≤0.5, 0.4≤z/(x+y+z)≤0.9, x+y+z=1의 관계를 만족한다.
    (C) 산발생제, (D) 분자내에 비닐에테르기를 2개 이상 갖는 화합물을 함유하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 증폭 포지형 레지스트 재료.
  2. (A) 유기 용제, (B) 베이스 수지로서 제1항에 기재한 고분자 화합물, (C) 산발생제, (D) 분자내에 비닐에테르기를 2개 이상 갖는 화합물, (E) 용해 제어제를 함유하여 이루어지는 화학 증폭 포지형 레지스트 재료.
  3. 제2항에 있어서, (E) 성분의 용해 제어제가 분자량이 100 내지 1,000이며, 분자내에 페놀성 수산기를 2개 이상 갖는 화합물의 그 페놀성 수산기의 수소 원자를 산불안정기에 의해 전체 평균 10 내지 100%의 비율로 치환된 화합물인 화학 증폭 포지형 레지스트 재료.
  4. 제2항에 있어서 (E) 성분의 용해 제어제가 중량 평균 분자량이 1,000 초과 3,000 이하이며, 분자내에 페놀성 수산기를 2개 이상 갖는 화합물이 그 페놀성 수산기의 수소 원자를 산불안정기에 의해 전체 평균 0 초과 60% 이하의 비율로 부분 치환한 화합물인 화학 증폭 포지형 레지스트 재료.
  5. 제1 내지 4항 중 어느 한 항에 있어서, (B) 성분의 베이스 수지가 하기 화학식(3)으로 표시되는 반복 단위를 갖는 중량 평균 분자량이 3,000 내지 300,000인 고분자 화합물인 화학 증폭 포지형 레지스트 재료.
    식 중, R1, R2, x, y, z은 상기와 같은 의미를 나타낸다.
  6. 제1 내지 5항 중 어느 한 항에 있어서, (B) 성분의 베이스 수지의 분자량 분포가 1.0 내지 1.5인 협분산 폴리머인 화학 증폭 포지형 레지스트 재료.
  7. 제1 내지 6항 중 어느 한 항에 있어서, (F) 성분으로서 염기성 화합물을 배합한 화학 증폭 포지형 레지스트 재료.
  8. 제1 내지 7항 중 어느 한 항에 있어서, (C) 성분의 산발생제가 오늄염인 화학 증폭 포지형 레지스트 재료.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW448344B (en) * 1995-10-09 2001-08-01 Shinetsu Chemical Co Chemically amplified positive resist composition
JP3087675B2 (ja) * 1997-02-06 2000-09-11 日本電気株式会社 ポストベークシミュレーション方法
JP3802179B2 (ja) * 1997-02-07 2006-07-26 富士写真フイルム株式会社 ポジ型フォトレジスト組成物
US6048661A (en) * 1997-03-05 2000-04-11 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymeric compounds, chemically amplified positive type resist materials and process for pattern formation
US6117621A (en) * 1997-03-28 2000-09-12 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Patterning method
US6165676A (en) * 1997-04-22 2000-12-26 Konica Corporation Light sensitive composition, image forming material and image forming material manufacturing method
TW546540B (en) * 1997-04-30 2003-08-11 Wako Pure Chem Ind Ltd An agent for reducing the substrate dependence of resist and a resist composition
JP3823449B2 (ja) * 1997-06-16 2006-09-20 住友化学株式会社 フォトレジスト組成物
US6037097A (en) * 1998-01-27 2000-03-14 International Business Machines Corporation E-beam application to mask making using new improved KRS resist system
US6338936B1 (en) 1998-02-02 2002-01-15 Taiyo Ink Manufacturing Co., Ltd. Photosensitive resin composition and method for formation of resist pattern by use thereof
JP2001075284A (ja) * 1998-12-03 2001-03-23 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型レジスト組成物
US6852466B2 (en) * 1998-12-23 2005-02-08 Shipley Company, L.L.C. Photoresist compositions particularly suitable for short wavelength imaging
JP3771739B2 (ja) 1999-03-18 2006-04-26 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物
TW527525B (en) * 1999-07-12 2003-04-11 Mitsubishi Rayon Co Chemistry-amplified resist compositions
US6107177A (en) * 1999-08-25 2000-08-22 Siemens Aktienesellschaft Silylation method for reducing critical dimension loss and resist loss
KR100389912B1 (ko) * 1999-12-08 2003-07-04 삼성전자주식회사 지환식 감광성 폴리머 및 이를 포함하는 레지스트 조성물
WO2001045192A1 (en) * 1999-12-16 2001-06-21 Proton Energy Systems, Inc. Low gravity electrochemical cell
TW538312B (en) * 2000-03-07 2003-06-21 Shinetsu Chemical Co Chemical amplification, positive resist compositions
JP3948646B2 (ja) * 2000-08-31 2007-07-25 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法
TWI267697B (en) * 2001-06-28 2006-12-01 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Chemical amplified type positive resist component and resist packed-layer material and forming method of resist pattern and manufacturing method of semiconductor device
JP3890052B2 (ja) * 2001-09-11 2007-03-07 関西ペイント株式会社 活性エネルギー線性組成物及びパターン形成方法
TW589514B (en) * 2001-09-13 2004-06-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd Pattern formation material and pattern formation method
JP4025074B2 (ja) * 2001-09-19 2007-12-19 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物
JPWO2004104703A1 (ja) * 2003-05-22 2006-07-20 東京応化工業株式会社 化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物及びレジストパターン形成方法
KR20050031425A (ko) * 2003-09-29 2005-04-06 호야 가부시키가이샤 마스크 블랭크 및 그 제조방법
JP4131864B2 (ja) * 2003-11-25 2008-08-13 東京応化工業株式会社 化学増幅型ポジ型感光性熱硬化性樹脂組成物、硬化物の形成方法、及び機能素子の製造方法
JP2007522524A (ja) * 2004-02-11 2007-08-09 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション クロム基板又は感応性基板上のパターン形成されたレジスト・プロファイルを向上させるための混合基の使用
US20050214674A1 (en) * 2004-03-25 2005-09-29 Yu Sui Positive-working photoimageable bottom antireflective coating
KR100606655B1 (ko) * 2004-09-22 2006-08-01 한국전자통신연구원 광반응성 유기고분자 게이트 절연막 조성물 및 이를이용한 유기박막 트랜지스터
JP4937594B2 (ja) * 2006-02-02 2012-05-23 東京応化工業株式会社 厚膜レジスト膜形成用のポジ型レジスト組成物、厚膜レジスト積層体およびレジストパターン形成方法
DE602007014200D1 (de) * 2006-04-21 2011-06-09 Riken Wako Shi Verfahren zur herstellung einer polymer-dünnschicht
JP5077526B2 (ja) * 2006-09-21 2012-11-21 日産化学工業株式会社 末端に不飽和基を有する化合物を含有するポジ型感光性樹脂組成物
US8088548B2 (en) * 2007-10-23 2012-01-03 Az Electronic Materials Usa Corp. Bottom antireflective coating compositions
US8455176B2 (en) * 2008-11-12 2013-06-04 Az Electronic Materials Usa Corp. Coating composition
US8168691B2 (en) * 2009-02-09 2012-05-01 International Business Machines Corporation Vinyl ether resist formulations for imprint lithography and processes of use
US8632948B2 (en) * 2009-09-30 2014-01-21 Az Electronic Materials Usa Corp. Positive-working photoimageable bottom antireflective coating
JP2011213058A (ja) * 2010-04-01 2011-10-27 Canon Inc 感光性樹脂組成物および液体吐出ヘッドの製造方法
JP5723829B2 (ja) * 2011-11-10 2015-05-27 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、マスクブランクス及びパターン形成方法
JP5585796B2 (ja) * 2012-07-06 2014-09-10 日産化学工業株式会社 末端に不飽和基を有する化合物を含有するポジ型感光性樹脂組成物
JP6714493B2 (ja) * 2015-12-24 2020-06-24 信越化学工業株式会社 有機膜形成用化合物、有機膜形成用組成物、有機膜形成方法、及びパターン形成方法
JP6714492B2 (ja) 2015-12-24 2020-06-24 信越化学工業株式会社 有機膜形成用化合物、有機膜形成用組成物、有機膜形成方法、及びパターン形成方法
WO2021065982A1 (ja) * 2019-10-02 2021-04-08 丸善石油化学株式会社 レジスト用架橋型重合体

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4442197A (en) * 1982-01-11 1984-04-10 General Electric Company Photocurable compositions
DE3750275T3 (de) * 1986-06-13 1998-10-01 Microsi Inc Lackzusammensetzung und -anwendung.
JPS63149640A (ja) * 1986-12-12 1988-06-22 Konica Corp 感光性組成物および感光性平版印刷版
JP2578646B2 (ja) * 1988-07-18 1997-02-05 三洋電機株式会社 非水系二次電池
JP3030672B2 (ja) * 1991-06-18 2000-04-10 和光純薬工業株式会社 新規なレジスト材料及びパタ−ン形成方法
EP0523957A1 (en) * 1991-07-17 1993-01-20 Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. Radiation-sensitive composition
US5364738A (en) * 1991-10-07 1994-11-15 Fuji Photo Film Co., Ltd. Light-sensitive composition
EP0537524A1 (en) * 1991-10-17 1993-04-21 Shipley Company Inc. Radiation sensitive compositions and methods
JPH05127369A (ja) * 1991-10-31 1993-05-25 Nec Corp レジスト材料
JP2976414B2 (ja) * 1992-04-10 1999-11-10 ジェイエスアール株式会社 感放射線性樹脂組成物
JP3010607B2 (ja) * 1992-02-25 2000-02-21 ジェイエスアール株式会社 感放射線性樹脂組成物
JPH05257283A (ja) * 1992-03-12 1993-10-08 Toray Ind Inc 放射線感応性高分子化合物
JPH05265213A (ja) * 1992-03-18 1993-10-15 Japan Synthetic Rubber Co Ltd 感放射線性樹脂組成物
KR0159808B1 (ko) * 1993-01-19 1999-02-18 가나가와 지히로 레지스트 조성물
JPH06230574A (ja) * 1993-02-05 1994-08-19 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型感光性組成物
JPH06242605A (ja) * 1993-02-15 1994-09-02 Hoechst Japan Ltd ポジ型放射感応性混合物
JP3293940B2 (ja) * 1993-03-12 2002-06-17 株式会社東芝 感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JPH06266110A (ja) * 1993-03-12 1994-09-22 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> ポジ型レジスト材料
JPH0792680A (ja) * 1993-06-29 1995-04-07 Nippon Zeon Co Ltd レジスト組成物
JPH0792678A (ja) * 1993-06-29 1995-04-07 Nippon Zeon Co Ltd レジスト組成物
JPH0792681A (ja) * 1993-06-29 1995-04-07 Nippon Zeon Co Ltd レジスト組成物
US5576359A (en) * 1993-07-20 1996-11-19 Wako Pure Chemical Industries, Ltd. Deep ultraviolet absorbent composition
JPH07120929A (ja) * 1993-09-01 1995-05-12 Toshiba Corp 感光性組成物
JP3297199B2 (ja) * 1993-09-14 2002-07-02 株式会社東芝 レジスト組成物
JPH07118651A (ja) * 1993-10-20 1995-05-09 Nippon Steel Corp コークス炉の窯口集塵装置及び集塵方法
JPH07128859A (ja) * 1993-11-04 1995-05-19 Wako Pure Chem Ind Ltd レジスト組成物
JP3116751B2 (ja) * 1993-12-03 2000-12-11 ジェイエスアール株式会社 感放射線性樹脂組成物
DE69511141T2 (de) * 1994-03-28 2000-04-20 Wako Pure Chem Ind Ltd Resistzusammensetzung für tiefe Ultraviolettbelichtung
US5558971A (en) * 1994-09-02 1996-09-24 Wako Pure Chemical Industries, Ltd. Resist material

Also Published As

Publication number Publication date
JP3198915B2 (ja) 2001-08-13
US5876900A (en) 1999-03-02
KR100228467B1 (ko) 1999-11-01
TW494279B (en) 2002-07-11
JPH09274320A (ja) 1997-10-21

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