KR970071135A - 화학 증폭 포지형 레지스트 재료 - Google Patents
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Abstract
(A) 유기 용제, (B) 베이스 수지로서 하기 화학식(1)로 표시되는 중량 평균 분자량이 3,000 내지 30,000인 고분자 화합물, (C) 산발생제, (D) 분자내에 비닐에테기를 2개 이상 갖는 화합물을 함유하며 이루어지는 화학 증폭 포지형 레지스트 재료.
식 중, R1은 수소원자 또는 메틸기이고 R2는 하기식
로 표시되는 기이며, R3, 은 R2와는 다른 산불안정기이고, R4,R5는 각각 독립하여 수소 원자 또는 C1내지 C6의 직쇄상 또는 분지상의 알킬기이며, R6은 C1내지 C10의 직쇄상, 분지상 또는 환상의 알킬기이거나, R4와 R5, R4,R6또는 R5,R6은 환을 형성해도 좋으며, 환을 형성하는 경우, R4와 R5, R6은 각각 독립하여, C1내지 C6의 직쇄상 또는 분지상의 알킬렌기를 나타내고, x, y는 각각 0 또는 양수인데, x, y가 동시에 0이 되는 일이 없고, z는 양수이며, x, y, z는 0.≤x/(x+y+z)≤0.5, 0≤y/(x+y+z)≤0.5, 0.4≤z/(x+y+z)≤0.9의 관계를 만족한다.
본 발명의 레지스트 재료는 화학 증폭 포지형 레지스트 재료로서 고에너지선, 특히 KrF 엑시머레이저 및 X선에 감응하여 감도, 해상성, 플라즈마 에칭 내성이 우수하며, 레지스트 패턴의 내열성도 우수하다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (8)
- (A) 유기 용제, (B) 베이스 수지로서 하기 화학식(1)로 표시되는 반복 단위를 갖는 중량 평균 분자량이 3,000 내지 30,000인 고분자 화합물.식 중, R1은 수소원자 또는 메틸기이고 R2는 하기식로 표시되는 기이며, R3, 은 R2와는 다른 산불안정기이고, R4,R5는 각각 독립하여 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 6의 직쇄상 또는 분지상의, 환상의 알킬기이고, R6은 1 내지 10의 직쇄상, 분지상 또는 환상의 알킬기이거나, R4와 R5, R4,R6또는 R5,R6은 환을 형성해도 좋으며, 환을 형성하는 경우, R4와 R5, R6은 각각 독립하여, 1 내지 6의 직쇄상 또는 분지상의 알킬렌기를 나타내고, x, y는 각각 0 또는 양수인데, x, y가 동시에 0이 되는 일이 없고, z는 양수이며, x, y, z는 0.≤x/(x+y+z)≤0.5, 0≤y/(x+y+z)≤0.5, 0.4≤z/(x+y+z)≤0.9, x+y+z=1의 관계를 만족한다.(C) 산발생제, (D) 분자내에 비닐에테르기를 2개 이상 갖는 화합물을 함유하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 증폭 포지형 레지스트 재료.
- (A) 유기 용제, (B) 베이스 수지로서 제1항에 기재한 고분자 화합물, (C) 산발생제, (D) 분자내에 비닐에테르기를 2개 이상 갖는 화합물, (E) 용해 제어제를 함유하여 이루어지는 화학 증폭 포지형 레지스트 재료.
- 제2항에 있어서, (E) 성분의 용해 제어제가 분자량이 100 내지 1,000이며, 분자내에 페놀성 수산기를 2개 이상 갖는 화합물의 그 페놀성 수산기의 수소 원자를 산불안정기에 의해 전체 평균 10 내지 100%의 비율로 치환된 화합물인 화학 증폭 포지형 레지스트 재료.
- 제2항에 있어서 (E) 성분의 용해 제어제가 중량 평균 분자량이 1,000 초과 3,000 이하이며, 분자내에 페놀성 수산기를 2개 이상 갖는 화합물이 그 페놀성 수산기의 수소 원자를 산불안정기에 의해 전체 평균 0 초과 60% 이하의 비율로 부분 치환한 화합물인 화학 증폭 포지형 레지스트 재료.
- 제1 내지 4항 중 어느 한 항에 있어서, (B) 성분의 베이스 수지가 하기 화학식(3)으로 표시되는 반복 단위를 갖는 중량 평균 분자량이 3,000 내지 300,000인 고분자 화합물인 화학 증폭 포지형 레지스트 재료.식 중, R1, R2, x, y, z은 상기와 같은 의미를 나타낸다.
- 제1 내지 5항 중 어느 한 항에 있어서, (B) 성분의 베이스 수지의 분자량 분포가 1.0 내지 1.5인 협분산 폴리머인 화학 증폭 포지형 레지스트 재료.
- 제1 내지 6항 중 어느 한 항에 있어서, (F) 성분으로서 염기성 화합물을 배합한 화학 증폭 포지형 레지스트 재료.
- 제1 내지 7항 중 어느 한 항에 있어서, (C) 성분의 산발생제가 오늄염인 화학 증폭 포지형 레지스트 재료.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (42)
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TW448344B (en) * | 1995-10-09 | 2001-08-01 | Shinetsu Chemical Co | Chemically amplified positive resist composition |
JP3087675B2 (ja) * | 1997-02-06 | 2000-09-11 | 日本電気株式会社 | ポストベークシミュレーション方法 |
JP3802179B2 (ja) * | 1997-02-07 | 2006-07-26 | 富士写真フイルム株式会社 | ポジ型フォトレジスト組成物 |
US6048661A (en) * | 1997-03-05 | 2000-04-11 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Polymeric compounds, chemically amplified positive type resist materials and process for pattern formation |
US6117621A (en) * | 1997-03-28 | 2000-09-12 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Patterning method |
US6165676A (en) * | 1997-04-22 | 2000-12-26 | Konica Corporation | Light sensitive composition, image forming material and image forming material manufacturing method |
TW546540B (en) * | 1997-04-30 | 2003-08-11 | Wako Pure Chem Ind Ltd | An agent for reducing the substrate dependence of resist and a resist composition |
JP3823449B2 (ja) * | 1997-06-16 | 2006-09-20 | 住友化学株式会社 | フォトレジスト組成物 |
US6037097A (en) * | 1998-01-27 | 2000-03-14 | International Business Machines Corporation | E-beam application to mask making using new improved KRS resist system |
US6338936B1 (en) | 1998-02-02 | 2002-01-15 | Taiyo Ink Manufacturing Co., Ltd. | Photosensitive resin composition and method for formation of resist pattern by use thereof |
JP2001075284A (ja) * | 1998-12-03 | 2001-03-23 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型レジスト組成物 |
US6852466B2 (en) * | 1998-12-23 | 2005-02-08 | Shipley Company, L.L.C. | Photoresist compositions particularly suitable for short wavelength imaging |
JP3771739B2 (ja) * | 1999-03-18 | 2006-04-26 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物 |
JP4580605B2 (ja) | 1999-07-12 | 2010-11-17 | 三菱レイヨン株式会社 | 化学増幅型レジスト組成物 |
US6107177A (en) * | 1999-08-25 | 2000-08-22 | Siemens Aktienesellschaft | Silylation method for reducing critical dimension loss and resist loss |
KR100389912B1 (ko) * | 1999-12-08 | 2003-07-04 | 삼성전자주식회사 | 지환식 감광성 폴리머 및 이를 포함하는 레지스트 조성물 |
CA2394499A1 (en) * | 1999-12-16 | 2001-06-21 | Proton Energy Systems, Inc. | Low gravity electrochemical cell |
KR100536540B1 (ko) * | 2000-03-07 | 2005-12-14 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 화학 증폭 포지티브형 레지스트 재료 |
JP3948646B2 (ja) | 2000-08-31 | 2007-07-25 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法 |
TWI267697B (en) | 2001-06-28 | 2006-12-01 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Chemical amplified type positive resist component and resist packed-layer material and forming method of resist pattern and manufacturing method of semiconductor device |
JP3890052B2 (ja) * | 2001-09-11 | 2007-03-07 | 関西ペイント株式会社 | 活性エネルギー線性組成物及びパターン形成方法 |
TW589514B (en) * | 2001-09-13 | 2004-06-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Pattern formation material and pattern formation method |
JP4025074B2 (ja) | 2001-09-19 | 2007-12-19 | 富士フイルム株式会社 | ポジ型レジスト組成物 |
KR100865063B1 (ko) * | 2003-05-22 | 2008-10-23 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 화학증폭형 포지티브형 포토레지스트 조성물 및 레지스트패턴 형성방법 |
KR20050031425A (ko) * | 2003-09-29 | 2005-04-06 | 호야 가부시키가이샤 | 마스크 블랭크 및 그 제조방법 |
JP4131864B2 (ja) * | 2003-11-25 | 2008-08-13 | 東京応化工業株式会社 | 化学増幅型ポジ型感光性熱硬化性樹脂組成物、硬化物の形成方法、及び機能素子の製造方法 |
WO2005088393A1 (en) * | 2004-02-11 | 2005-09-22 | International Business Machines Corporation | Use of mixed bases to enhance patterned resist profiles on chrome or sensitive substrates |
US20050214674A1 (en) * | 2004-03-25 | 2005-09-29 | Yu Sui | Positive-working photoimageable bottom antireflective coating |
KR100606655B1 (ko) * | 2004-09-22 | 2006-08-01 | 한국전자통신연구원 | 광반응성 유기고분자 게이트 절연막 조성물 및 이를이용한 유기박막 트랜지스터 |
JP4937594B2 (ja) * | 2006-02-02 | 2012-05-23 | 東京応化工業株式会社 | 厚膜レジスト膜形成用のポジ型レジスト組成物、厚膜レジスト積層体およびレジストパターン形成方法 |
EP2017055B1 (en) * | 2006-04-21 | 2011-04-27 | Riken | Method for production of polymer thin film |
JP5077526B2 (ja) * | 2006-09-21 | 2012-11-21 | 日産化学工業株式会社 | 末端に不飽和基を有する化合物を含有するポジ型感光性樹脂組成物 |
US8088548B2 (en) * | 2007-10-23 | 2012-01-03 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Bottom antireflective coating compositions |
US8455176B2 (en) * | 2008-11-12 | 2013-06-04 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Coating composition |
US8168691B2 (en) * | 2009-02-09 | 2012-05-01 | International Business Machines Corporation | Vinyl ether resist formulations for imprint lithography and processes of use |
US8632948B2 (en) * | 2009-09-30 | 2014-01-21 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Positive-working photoimageable bottom antireflective coating |
JP2011213058A (ja) * | 2010-04-01 | 2011-10-27 | Canon Inc | 感光性樹脂組成物および液体吐出ヘッドの製造方法 |
JP5723829B2 (ja) * | 2011-11-10 | 2015-05-27 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、マスクブランクス及びパターン形成方法 |
JP5585796B2 (ja) * | 2012-07-06 | 2014-09-10 | 日産化学工業株式会社 | 末端に不飽和基を有する化合物を含有するポジ型感光性樹脂組成物 |
JP6714493B2 (ja) * | 2015-12-24 | 2020-06-24 | 信越化学工業株式会社 | 有機膜形成用化合物、有機膜形成用組成物、有機膜形成方法、及びパターン形成方法 |
JP6714492B2 (ja) | 2015-12-24 | 2020-06-24 | 信越化学工業株式会社 | 有機膜形成用化合物、有機膜形成用組成物、有機膜形成方法、及びパターン形成方法 |
TWI837424B (zh) * | 2019-10-02 | 2024-04-01 | 日商丸善石油化學股份有限公司 | 阻劑用交聯型聚合物 |
Family Cites Families (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4442197A (en) * | 1982-01-11 | 1984-04-10 | General Electric Company | Photocurable compositions |
EP0249139B2 (en) * | 1986-06-13 | 1998-03-11 | MicroSi, Inc. (a Delaware corporation) | Resist compositions and use |
JPS63149640A (ja) * | 1986-12-12 | 1988-06-22 | Konica Corp | 感光性組成物および感光性平版印刷版 |
JP2578646B2 (ja) * | 1988-07-18 | 1997-02-05 | 三洋電機株式会社 | 非水系二次電池 |
JP3030672B2 (ja) * | 1991-06-18 | 2000-04-10 | 和光純薬工業株式会社 | 新規なレジスト材料及びパタ−ン形成方法 |
EP0523957A1 (en) * | 1991-07-17 | 1993-01-20 | Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. | Radiation-sensitive composition |
US5364738A (en) * | 1991-10-07 | 1994-11-15 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Light-sensitive composition |
EP0537524A1 (en) * | 1991-10-17 | 1993-04-21 | Shipley Company Inc. | Radiation sensitive compositions and methods |
JPH05127369A (ja) * | 1991-10-31 | 1993-05-25 | Nec Corp | レジスト材料 |
JP2976414B2 (ja) * | 1992-04-10 | 1999-11-10 | ジェイエスアール株式会社 | 感放射線性樹脂組成物 |
JP3010607B2 (ja) * | 1992-02-25 | 2000-02-21 | ジェイエスアール株式会社 | 感放射線性樹脂組成物 |
JPH05257283A (ja) * | 1992-03-12 | 1993-10-08 | Toray Ind Inc | 放射線感応性高分子化合物 |
JPH05265213A (ja) * | 1992-03-18 | 1993-10-15 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 感放射線性樹脂組成物 |
US5352564A (en) * | 1993-01-19 | 1994-10-04 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resist compositions |
JPH06230574A (ja) * | 1993-02-05 | 1994-08-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型感光性組成物 |
JPH06242605A (ja) * | 1993-02-15 | 1994-09-02 | Hoechst Japan Ltd | ポジ型放射感応性混合物 |
JPH06266110A (ja) * | 1993-03-12 | 1994-09-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ポジ型レジスト材料 |
JP3293940B2 (ja) * | 1993-03-12 | 2002-06-17 | 株式会社東芝 | 感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
JPH0792678A (ja) * | 1993-06-29 | 1995-04-07 | Nippon Zeon Co Ltd | レジスト組成物 |
JPH0792680A (ja) * | 1993-06-29 | 1995-04-07 | Nippon Zeon Co Ltd | レジスト組成物 |
JPH0792681A (ja) * | 1993-06-29 | 1995-04-07 | Nippon Zeon Co Ltd | レジスト組成物 |
US5576359A (en) * | 1993-07-20 | 1996-11-19 | Wako Pure Chemical Industries, Ltd. | Deep ultraviolet absorbent composition |
JPH07120929A (ja) * | 1993-09-01 | 1995-05-12 | Toshiba Corp | 感光性組成物 |
JP3297199B2 (ja) * | 1993-09-14 | 2002-07-02 | 株式会社東芝 | レジスト組成物 |
JPH07118651A (ja) * | 1993-10-20 | 1995-05-09 | Nippon Steel Corp | コークス炉の窯口集塵装置及び集塵方法 |
JPH07128859A (ja) * | 1993-11-04 | 1995-05-19 | Wako Pure Chem Ind Ltd | レジスト組成物 |
JP3116751B2 (ja) * | 1993-12-03 | 2000-12-11 | ジェイエスアール株式会社 | 感放射線性樹脂組成物 |
EP0675410B1 (en) * | 1994-03-28 | 1999-08-04 | Wako Pure Chemical Industries Ltd | Resist composition for deep ultraviolet light |
US5558971A (en) * | 1994-09-02 | 1996-09-24 | Wako Pure Chemical Industries, Ltd. | Resist material |
-
1996
- 1996-04-02 JP JP10459096A patent/JP3198915B2/ja not_active Expired - Fee Related
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-
1997
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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US5876900A (en) | 1999-03-02 |
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