KR100865063B1 - 화학증폭형 포지티브형 포토레지스트 조성물 및 레지스트패턴 형성방법 - Google Patents
화학증폭형 포지티브형 포토레지스트 조성물 및 레지스트패턴 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
Description
기복 현상 평가 | 감도 (ms) | DOF (㎛) | 내열성 | 해상성 (㎛) | |
실시예 1 | A | 300 | >4.8 | A | 0.6 |
실시예 2 | A | 260 | >4.8 | A | 0.6 |
비교예 1 | A | 320 | 4.5 | B | 0.6 |
비교예 2 | B | 300 | >4.8 | A | 0.7 |
비교예 3 | A | 300 | 4.2 | A | 0.6 |
Claims (13)
- (A) 하기 화학식 (Ⅰ)[화학식 I](식 중 R 은 수소원자 또는 메틸기를 나타냄) 로 표시되는 구성 단위 (a1) 와,하기 화학식 (Ⅱ)[화학식 II](식 중 R 은 수소원자 또는 메틸기를 나타내고, R1 은 탄소수 1∼5 의 알킬기를 나타내고, n 은 0 또는 1∼3 의 정수를 나타냄) 로 표시되는 구성 단위 (a2) 만을 갖고 상기 구성 단위 (a1)와 구성 단위 (a2)의 합계가 100몰%인 알칼리 가용성 수지, (B) 하기 화학식 (Ⅲ)[화학식 III][식 중 R2 는 탄소수 1∼10 의 알킬렌기 또는 하기 화학식 (Ⅳ)[화학식 Ⅳ](식 중 R3 은 탄소수 1∼10 의 알킬렌기를 나타내고, m 은 0 또는 1 을 나타냄) 로 표시되는 기 중 어느 하나를 나타내고, 이들 알킬렌기는 주쇄 중에 산소 결합 (에테르 결합) 을 포함해도 됨] 으로 표시되며, 열가교성이고 산성분의 작용에 의하여 가교구조가 깨지는 화합물, (C) 방사선 조사에 의해 산 성분을 발생시키는 화합물 및 유기 용제를 함유하는 것을 특징으로 하는 화학증폭형 포지티브형 포토레지스트 조성물.
- 삭제
- 제 1 항에 있어서, 상기 (A) 성분 중 상기 구성 단위 (a2) 가 1∼20몰% 인 것을 특징으로 하는 화학증폭형 포지티브형 포토레지스트 조성물.
- 제 1 항에 있어서, 상기 (C) 성분이 i 선 (365㎚) 의 조사에 의해 산 성분을 발생시키는 화합물인 것을 특징으로 하는 화학증폭형 포지티브형 포토레지스트 조성물.
- 제 1 항에 있어서, 추가로 (D) 염기성 화합물을 상기 (A) 성분 100질량부에 대하여 0.01∼5질량부 배합하여 이루어지는 화학증폭형 포지티브형 포토레지스트 조성물.
- 기판 위에, 제 1 항에 기재된 포지티브형 포토레지스트 조성물을 도포하고 가열 처리하여 막두께 1.5∼7.0㎛ 의 레지스트층을 형성하는 공정과, 선택적 노광을 실시하는 공정과, PEB (노광후 가열 처리) 를 실시하는 공정과, 알칼리 수용액에 의한 현상 처리를 실시하여 레지스트 패턴을 형성하는 공정을 갖는 레지스트 패턴의 형성방법.
- (A') 알칼리 가용성 수지, (B') 방사선의 조사에 의해 산을 발생시키며 분해점이 120℃ ~ 160℃인 산발생제, 및 (C') 열가교성이고 산성분의 작용에 의하여 가교구조가 깨지는 폴리비닐에테르 화합물을 포함하는 화학증폭형 포지티브형 포토레지스트 조성물에 있어서,상기 (A') 성분은, 하기 화학식 (Ⅰ')[화학식 I'](식 중 R 은 수소원자 또는 메틸기를 나타내고, l 은 1∼3 의 정수를 나타냄) 로 표시되는 단위 (a1') 와, 하기 화학식 (Ⅱ'):[화학식 II'](식 중 R 은 수소원자 또는 메틸기를 나타내고, R11 은 탄소수 1∼5 의 알킬기를 나타내고, n 은 0 또는 1∼3 의 정수를 나타냄)로 표시되는 단위 (a2') 만을 갖고 상기 구성 단위 (a1)'와 구성 단위 (a2')의 합계가 100몰%이고, 또한 상기 (A') 성분의 2.38질량% 의 TMAH (테트라메틸암모늄히드록시드) 수용액에 대한 용해속도가 10∼100㎚/초인 화학증폭형 포지티브형 포토레지스트 조성물.
- 제 7 항에 있어서, 상기 (A') 성분 중 상기 구성 단위 (a2') 의 비율이 5∼35몰% 인 것을 특징으로 하는 화학증폭형 포지티브형 포토레지스트 조성물.
- 제 7 항에 있어서, 상기 (A') 성분의 질량 평균 분자량이 1500∼30000 인 것을 특징으로 하는 화학증폭형 포지티브형 포토레지스트 조성물.
- 삭제
- 제 7 항에 있어서, 상기 (B') 성분이, 폴리(비스술포닐)디아조메탄계 산발생제인 것을 특징으로 하는 화학증폭형 포지티브형 포토레지스트 조성물.
- 제 7 항에 있어서, 추가로 (D) 질소함유 유기 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 화학증폭형 포지티브형 포토레지스트 조성물.
- 제 7 항에 기재된 화학증폭형 포지티브형 포토레지스트 조성물을 기판 상에 도포하여 프리베이크하는 공정과, 선택적 노광을 실시하는 공정과, PEB (노광 후 가열) 를 실시하는 공정과, 알칼리 수용액에 의한 현상 처리를 실시하여 레지스트 패턴을 형성하는 공정을 갖는 레지스트 패턴의 형성방법.
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