JPH06148889A - ポジ型感光性組成物 - Google Patents

ポジ型感光性組成物

Info

Publication number
JPH06148889A
JPH06148889A JP4303512A JP30351292A JPH06148889A JP H06148889 A JPH06148889 A JP H06148889A JP 4303512 A JP4303512 A JP 4303512A JP 30351292 A JP30351292 A JP 30351292A JP H06148889 A JPH06148889 A JP H06148889A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
acid
group
chemical
photosensitive composition
compound
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP4303512A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3206989B2 (ja
Inventor
Shunichi Kondo
俊一 近藤
Norimasa Aotani
能昌 青谷
Akira Umehara
明 梅原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Holdings Corp
Original Assignee
Fuji Photo Film Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Photo Film Co Ltd filed Critical Fuji Photo Film Co Ltd
Priority to JP30351292A priority Critical patent/JP3206989B2/ja
Publication of JPH06148889A publication Critical patent/JPH06148889A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3206989B2 publication Critical patent/JP3206989B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 高い感光性を有しかつ広範囲の波長光での使
用が可能なポジ型感光性組成物を提供する。 【構成】 ポジ型感光性組成物として、(a) 下記一般式
(I)で示されるエノールエーテル基を少なくとも2個
有する化合物と、(b) 酸成分及び水酸基を有する線状高
分子と、(c) 活性光線又は放射線の照射により分解して
酸を発生する化合物とを配合し、かつ(a) 成分と(b) 成
分とを熱により架橋させた。 【化1】 式中、 R1 、R2及びR3は、水素、アルキル基又はアリー
ル基を表し、同一又は異なっていてもよく、また、それ
らの内の2つが結合して、飽和又はオレフィン性不飽和
の環を形成してもよい。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、平版印刷版、多色印刷
の校正刷り、オーバーヘッドプロジェクター用図面、更
には半導体素子の集積回路を製造する際に微細なレジス
トパターンを形成することが可能なポジ型感光性組成物
に関する。
【0002】
【従来の技術】平版印刷版等の用途において、活性光線
により可溶化する、いわゆるポジティブに作用する感光
性物質としては、従来オルトキノンジアジド化合物が知
られており、実際平版印刷版等に広く利用されてきた。
この様なオルトキノンジアジド化合物は、例えば米国特
許第2,766,118 号、同第2,767,092 号、同第2,772,972
号、同第2,859,112 号、同第2,907,665 号、同第3,046,
110 号、同第3,046,111号、同第3,046,115 号、同第3,0
46,118 号、同第3,046,119 号、同第3,046,120号、同第
3,046,121 号、同第3,046,122 号、同第3,046,123 号、
同第3,061,430号、同第3,102,809 号、同第3,106,465
号、同第3,635,709 号、同第3,647,443号の各明細書を
はじめ、多数の刊行物に記載されている。これらのオル
トキノンジアジド化合物は、活性光線の照射により分解
を起こして5員環のカルボン酸を生じ、アルカリ可溶性
となることを利用したものであるが、いずれも十分な感
度を示すものではなかった。これは、オルトキノンジア
ジド化合物を、光化学的に増感するのが困難であり、本
質的にその量子効率が1を越えないことに起因する。ま
た、これらの化合物を用いた平版印刷版等は、通常、プ
リンター等でパターン状に露光し、アルカリ現像液ある
いは溶剤で露光部を除去することにより作製されるが、
現像液、溶剤の濃度、温度、現像時間の影響を受け易
く、感度が変化する(現像ラチチュードが狭い)等の問
題があった。また、感光波長が固定化されるため、光源
適性が乏しく、白灯安全性付与等が困難であり、更にDe
ep UV 領域での吸収が大きいため、低波長光使用による
フォトレジストの解像力向上を目的とした用途には適さ
ない。これらの欠点を克服するために、例えば特公昭48
−12242 号、特開昭52−40125 号、米国特許第4,307,17
3 号などの各公報及び明細書に記載の方法が試みられて
いるが、いずれも不十分な改良に留まっている。
【0003】最近、オルトキノンジアジド化合物に替わ
る新規ポジ型感光性材料の開発を目的として、いくつか
の提案がなされている。その一つとして、例えば特公昭
56−2696号公報に記載されているオルトカルビノールエ
ステル基を有するポリマー化合物が挙げられる。しか
し、この場合においても十分な感度が得られなかった。
一方、半導体素子、磁気バブルメモリ、集積回路等の電
子部品を製造するためのパターン形成法として、フォト
レジストを利用して作成する方法が一般に行われている
が、半導体素子等の高密度化、高集積化に伴い、パター
ンの線幅や間隔が極めて小さくなり、また、基板のエッ
チングにはドライエッチングが採用されるようになった
ことから、フォトレジストには高解像度及び高ドライエ
ッチング耐性が望まれるようになり、これらのフォトレ
ジストの主流はネガ型からポジ型に推移している。特
に、ポジ型フォトレジストの中でも、感度、解像力、ド
ライエッチング耐性に優れることから、例えば、ジェー
・シー・ストリエータ著、コダック・マイクロエレクト
ロニクス・セミナー・プロシーディングス、第116頁
(1976年)等に記載されているアルカリ可溶性のノ
ボラック樹脂をベースにしたアルカリ現像型のポジ型フ
ォトレジストが現在広く使用されている。しかしなが
ら、近年電子機器の多様化、高感度化に伴い、更に高密
度ならびに高集積化を図るべくパターンの微細化が強く
要請されている。これらの要求に対し、従来のオルトキ
ノンジアジド感光物に、アルカリ可溶性を付与したポリ
シロキサン又はポリシルメチレン等のシリコンポリマー
を組み合わせた感光物、例えば特開昭61-256347 号、同
61-144639 号、同62-159141 号、同62-191849 号、同62
-220949 号、同62-229136 号、同63-90534号、同63-916
54号等の各公報に記載の感光性組成物、特開昭62-13663
8 号公報記載のポリシロキサン/カーボネートのブロッ
ク共重合体に有効量のオニウム塩を組み合わせた感光性
組成物が開示されている。しかしながら、これらのシリ
コーンポリマーはアルカリ可溶性の機能付与等の為にそ
の製造が著しく困難となり、また経時安定性も十分では
なかった。
【0004】また、最近従来のキノンジアジドに代わる
ポジ型の感光材料として、光により酸を発生する化合物
及び酸により加水分解等を生じアルカリ水に対する溶解
度が変化する化合物、必要に応じてバインダー樹脂等を
含有する組成物が報告されている。例えば露光で発生し
た酸により、特定の低分子量又は高分子量のアセタール
及びヒドロキシル又はアミン成分として芳香族化合物を
含有するO,N−アセタール(米国特許第3,779,778
号)及びオルトエステル及びアミドアセタール(西ドイ
ツ国特許公開公報第2610842 号)を分解してポジ画像を
形成させる方法を挙げることができる。更に同様の方法
によりポジ画像を形成させる方法は、特開昭64-33546
号、同第48-89003号、同第51-120714 号、同第53-13342
9 号、同第55-126236 号、同第53-133428 号、同第55-1
2995号、同第57-31674号、同第57-31675号、同第57-373
47号、同第62-215947 号、特開平1-106040号、特開平1-
106041号公報に記載されている。しかしながら、これら
の組成物はいずれも感度が低いか未露光部と露光部との
溶解度の差が小さいかあるいはポジ画像のパターンの形
状に問題があり、実用に供されるまでには至っていな
い。また、酸分解性化合物として、エノールエーテル基
を含有した化合物を用い、同様の方法でポジ画像が形成
できることは、特開昭62-45971号公報に記載されてい
る。しかしながら、この場合にも感度が低く、かつ未露
光部と露光部との溶解度の差が小さいため、限られた条
件でしか鮮明なポジ画像を得ることができなかった。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
問題点を解決するための新規なポジ型感光性組成物を提
供することにある。即ち、高い感光性を有し、かつ広範
囲の波長光での使用が可能である新規なポジ型感光性組
成物を提供することにある。更なる本発明の目的は、露
光部と未露光部との溶解性の差が大きく、現像ラチチュ
ードの高いポジ型感光性組成物を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記目的を
達成すべく、オルトキノンジアジドに代わる新規なポジ
型感光性組成物の探索を行った結果、2個以上のビニル
エーテル基等のエノールエーテル基を含有する化合物
と、例えば水酸基含有アクリル樹脂とを溶媒で希釈調製
し、支持体上に塗布乾燥した場合、乾燥熱で上記成分が
効果的に熱架橋し、アルカリ水溶液、溶剤等に不溶とな
ること、更にこの熱架橋部は酸の存在化で効率よく加水
分解して、可溶化することを見いだし、本発明を完成さ
せるに至った。即ち、本発明は、(a) 下記一般式(I)
で示されるエノールエーテル基を少なくとも2個有する
化合物と、(b) 酸成分及び水酸基を有する線状高分子
と、(c)活性光線又は放射線の照射により分解して酸を
発生する化合物とを含有し、(a)成分と(b) 成分とを熱
により架橋させたことを特徴とするポジ型感光性組成物
であり、紫外線、可視光線、電子線又はX線に対し高い
感光性を示し、かつ広い現像条件で鮮明なポジ画像の形
成が可能な感光性組成物に関する。
【0007】
【化2】
【0008】式中、R1 、R2 及びR3 は水素、アルキ
ル基又はアリール基を表し、同一もしくは異なっていて
もよい。また、それらの内の2つが結合して飽和又はオ
レフィン性不飽和の環を形成してもよい。以下、本発明
について詳細に説明する。
【0009】本発明は、上記(a)、(b)及び(c)
の三成分からなるポジ型感光性組成物があるが、成分
(a)のエノールエーテル基含有化合物と成分(b)の
線状高分子とが熱的に架橋構造を作ることに第一の特徴
がある。まず、本発明の成分(a)のエノールエーテル
基含有化合物について説明する。一般式(I)のエノー
ルエーテル基において、R1 、R2 及びR3 がアリール
基の場合、一般に4〜20個の炭素原子を有し、アルキ
ル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、
アシル基、アシルオキシ基、アルキルメルカプト基、ア
ミノアシル基、カルボアルコキシ基、ニトロ基、スルホ
ニル基、シアノ基又はハロゲン原子により置換されてい
てよい。R1 、R2 及びR3 がアルキル基を表す場合に
は、炭素数1〜20の飽和又は不飽和の直鎖、分岐又は
脂環のアルキル基を示し、ハロゲン原子、シアノ基、エ
ステル基、オキシ基、アルコキシ基、アリールオキシ基
又はアリール基により置換されていてもよい。また、R
1 、R2 及びR3 のいずれか2つが結合してシクロアル
キル基又はシクロアルケニル基を形成する場合には通常
3〜8、好ましくは5又は6個の環員を表す。本発明に
おいて、一般式(I)で示されるエノールエーテル基の
うち、好ましいのは、R1 、R2 及びR3 のうちひとつ
がメチル基、もしくはエチル基で、残りが水素原子であ
るエノールエーテル基、更に好ましいのはR1 、R2
びR3がすべて水素であるビニルエーテル基である。本
発明では2つ以上のエノールエーテル基を含有する種々
の化合物を使用することができるが、これらは大気圧下
で60℃以上の沸点を有する化合物であり、成分(a)
の好ましい化合物としては、下記一般式(II)又は(II
I)で示すビニルエーテル化合物が挙げられる。
【0010】
【化3】
【0011】ここで、Aはm価のアルキル基、アリール
基又はヘテロ環基を示し、Bは-CO-O-、-NHCOO- 又は -
NHCONH- を示し、R4 は炭素数1〜10の直鎖又は分岐
のアルキレン基を示し、nは0又は1〜10の整数、m
は2〜6の整数を示す。一般式(II)で示される化合物
は例えば、Stephen. C. Lapin, Polymers Paint Colour
Journal, 179(4237) 、321(1988) に記載されている方
法、即ち多価アルコールもしくは多価フェノールとアセ
チレンとの反応、又は多価アルコールもしくは多価フェ
ノールとハロゲン化アルキルビニルエーテルとの反応に
より合成することができる。具体例としてエチレングリ
コールジビニルエーテル、トリエチレングリコールジビ
ニルエーテル、1,3−ブタンジオールジビニルエーテ
ル、テトラメチレングリコールジビニルエーテル、ネオ
ペンチルグリコールジビニルエーテル、トリメチロール
プロパントリビニルエーテル、トリメチロールエタント
リビニルエーテル、ヘキサンジオールジビニルエーテ
ル、1,4−シクロヘキサンジオールジビニルエーテ
ル、テトラエチレングリコールジビニルエーテル、ペン
タエリスリトールジビニルエーテル、ペンタエリスリト
ールトリビニルエーテル、ペンタエリスリトールテトラ
ビニルエーテル、ソルビトールテトラビニルエーテル、
ソルビールペンタビニルエーテル、エチレングリコール
ジエチレンビニルエーテル、トリエチレングリコールジ
エチレンビニルエーテル、エチレングリコールジプロピ
レンビニルエーテル、トリエチレングリコールジエチレ
ンビニルエーテル、トリメチロールプロパントリエチレ
ンビニルエーテル、トリメチロールプロパンジエチレン
ビニルエーテル、ペンタエリスリトールジエチレンビニ
ルエーテル、ペンタエリスリトールトリエチレンビニル
エーテル、ペンタエリスリトールテトラエチレンビニル
エーテル、1,2−ジ(ビニルエーテルメトキシ)ベン
ゼン、1,2−ジ(ビニルエーテルエトキシ)ベンゼ
ン、並びに以下の一般式(II−1)〜(II−41)で示
される化合物を挙げることができるが、これに限定され
るものではない。
【0012】
【化4】
【0013】
【化5】
【0014】
【化6】
【0015】
【化7】
【0016】
【化8】
【0017】
【化9】
【0018】
【化10】
【0019】
【化11】
【0020】
【化12】
【0021】
【化13】
【0022】
【化14】
【0023】
【化15】
【0024】
【化16】
【0025】一方、一般式(III)(B=CO−O−の場
合)で示される化合物は多価カルボン酸とハロゲン化ア
ルキルビニルエーテルとの反応により製造することがで
きる。具体例としてはテレフタル酸ジエチレンビニルエ
ーテル、フタル酸ジエチレンビニルエーテル、イソフタ
ル酸ジエチレンビニルエーテル、フタル酸ジプロピレン
ビニルエーテル、テレフタル酸ジプロピレンビニルエー
テル、イソフタル酸ジプロピレンビニルエーテル、マレ
イン酸ジエチレンビニルエーテル、フマル酸ジエチレン
ビニルエーテル、イタコン酸ジエチレンビニルエーテル
等を挙げることができるが、これらに限定されるもので
はない。更に本発明において好適に用いられるビニルエ
ーテル基含有化合物としては、下記一般式(IV)、
(V)又は(VI)等で示される活性水素を有するビニル
エーテル化合物とイソシアナート基を有する化合物との
反応により合成されるビニルエーテル基含有化合物を挙
げることができる。
【0026】
【化17】
【0027】ここで、R1 は炭素数1〜10の直鎖又は
分岐のアルキレン基を示す。イソシアナート基を含有す
る化合物としては、例えば架橋剤ハンドブック(大成社
刊、1981年発行)に記載の化合物を用いることがで
きる。具体的には、トリフェニルメタントリイソシアナ
ート、ジフェニルメタンジイソシアナート、トリレンジ
イソシアナート、2,4−トリレンジイソシアナートの
二量体、ナフタレン−1,5−ジイソシアナート、o−
トリレンジイソシアナート、ポリメチレンポリフェニル
イソシアナート、ヘキサメチレンジイソシアナート等の
ポリイソシアナート型、トリレンジイソシアナートとト
リメチロールプロパンの付加体、ヘキサメチレンジイソ
シアナートと水との付加体、キシレンジイソシアナート
とトリメチロールプロパンとの付加体等のポリイソシア
ナートアダクト型等を挙げることができる。
【0028】上記イソシアナート基含有化合物と活性水
素含有ビニルエーテル化合物とを反応させることにより
末端にビニルエーテル基をもつ種々の化合物ができる。
下記に本発明に使用されるビニルエーテル基をもつ化合
物の例を列挙するが、本発明の範囲はこれらに限定され
るものではない。
【0029】
【化18】
【0030】
【化19】
【0031】
【化20】
【0032】
【化21】
【0033】以上述べてきたビニルエーテル基を少なく
とも2個含有する化合物は単一で使用できるが、数種の
混合物として使用してもよい。感光性組成物中のビニル
エーテル基を含有する化合物の添加量は、一般に感光性
組成物の全固形分に対し、1〜80重量%、好ましくは
5〜50重量%の範囲である。本発明で使用される酸性
分及び水酸基を有する線状高分子(b)は、エノールエ
ーテル基を少なくとも2個有する化合物(a)と熱的に
架橋し、その架橋部が酸により効率よく分解するもので
あれば任意に選択して用いることができる。上記線状高
分子は一般に線状高分子を得る公知の方法により合成で
きるが、例えば、酸性分、好ましくはカルボン酸基、ス
ルホン酸基、リン酸基、スルホンアミド基等を有するビ
ニルモノマーと水酸基を有するビニルモノマーとを共重
合することによって得ることができる。必要に応じて、
更に他のビニルモノマーを共重合させても良い。酸性分
を含有するビニルモノマーとしては、例えばアクリル
酸、メタクリル酸、マレイン酸、イタコン酸、クロトン
酸、イソクロトン酸、p−ビニル安息香酸、p−ビニル
ベンゼンスルホン酸、p−ビニル桂皮酸、マレイン酸モ
ノメチルエーテル、マレイン酸モノエチルエーテル等が
挙げられる。
【0034】水酸基を含有するビニルモノマーとして
は、例えば2−ヒドロキシエチルアクリレート、2−ヒ
ドロキシエチルメタクリレート、p−2−ヒドロキシエ
チルスチレン、N−(2−ヒドロキシエチル)マレイミ
ド、p−ヒドロキシスチレン、N−(4−ヒドロキシフ
ェニル)メタクリルアミド等が挙げられる。上記モノマ
ーと共重合可能な他のモノマーとしては、例えばアクリ
ロニトリル、アクリルアミド、メタクリルアミド、メチ
ルアクリレート、エチルアクリレート、プロピルアクリ
レート、ブチルアクリレート、メチルメタクリレート、
エチルメタクリレート、プロピルメタクリレート、ブチ
ルメタクリレート、スチレン、ベンジルアクリレート、
ベンジルメタクリレート、ビニルベンゾエート、塩化ビ
ニル、ビニリデンクロライド、酢酸ビニル、N−(4−
スルファモイルフェニル)メタクリルアミド、N−フェ
ニルホスホニルメタクリルアミド、ブタジエン、クロロ
プレン、イメプレン等を挙げることができる。酸性分を
含有するビニルモノマーと、水酸基を含有するビニルモ
ノマーと、他の共重合可能なモノマーの好ましい共重合
比としては、重量%で、5〜80:2〜80:0〜97
の範囲である。
【0035】これらの線状高分子は単一で使用できる
が、数種の混合物として使用してもよい。感光性組成物
中の線状高分子の添加量は、一般に感光性組成物の全固
形分に対し、1〜95重量%、好ましくは20〜90重
量%の範囲である。線状高分子の分子量は、一般に1,00
0 〜1,000,000 、好ましくは1,500 〜200,000 である。
また、本発明に使用される線状高分子としては、上記の
様に一つの線状高分子鎖に酸成分と水酸基とをもつもの
が好ましいが、特定の現像溶媒では、同様の効果を酸成
分を有する線状高分子と水酸基を有する線状高分子との
混合物において得ることもできる。本発明で使用される
活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生する
化合物としては、光カチオン重合の光開始剤、光ラジカ
ル重合の光開始剤、色素類の光消色剤、光変色剤、ある
いはマイクロレジスト等に使用されている公知の光によ
り酸を発生する化合物、及びそれらの混合物を適宜に選
択して使用することができる。
【0036】例えば S. I. Schlesinger, Photogr. Sc
i. Eng., 18, 387(1974) 、T. S. Bal et al, Polymer,
21, 423(1980) 等に記載のジアゾニウム塩、米国特許
第4,069,055 号、同4,069,056 号、同 Re 27,992号の明
細書、特願平3-140140号の明細書等に記載のアンモニウ
ム塩、D. C. Necker et al, Macromolecules, 17, 2468
(1984)、C. S. Wen et al, Teh, Proc. Conf. Rad. Cur
ing ASIA, p478 Tokyo,Oct (1988)、米国特許第4,069,0
55 号、同4,069,056 号等明細書に記載のホスホニウム
塩、J. V. Crivello et al, Macromorecules, 10(6), 1
307 (1977)、Chem. & Eng. News, Nov. 28, p31 (198
8)、欧州特許第104,143 号、米国特許第339,049 号、同
第410,201 号、特開平2-150848号、特開平2-296514号の
明細書又は公報等に記載のヨードニウム塩、J. V. Criv
ello et al, Polymer J. 17, 73 (1985)、J. V. Crivel
lo et al. J. Org. Chem., 43, 3055 (1978)、W. R. Wa
tt etal, J. Polymer Sci., Polymer Chem. Ed., 22, 1
789 (1984) 、J. V. Crivelloet al, Polymer Bull., 1
4, 279 (1985) 、J. V. Crivello et al, Macromorecul
es, 14(5) ,1141(1981)、J. V. Crivello et al, J. P
olymer Sci., PolymerChem. Ed., 17, 2877 (1979) 、
欧州特許第370,693 号, 同3,902,114 号、同233,567
号、同297,443 号、同297,442 号、米国特許第4,933,37
7 号、同161,811号、同410,201 号、同339,049 号、同
4,760,013 号、同4,734,444 号、同2,833,827 号、独国
特許第2,904,626 号、同3,604,580 号、同3,604,581 号
の明細書又は公報等に記載のスルホニウム塩、
【0037】J. V. Crivello et al, Macromorecules,
10(6), 1307 (1977)、J. V. Crivello et al, J. Polym
er Sci., Polymer Chem. Ed., 17, 1047 (1979) 等に記
載のセレノニウム塩、C. S. Wen et al, Teh, Proc. Co
nf. Rad. Curing ASIA, p478Tokyo, Oct (1988)等に記
載のアルソニウム塩等のオニウム塩、米国特許第3,905,
815 号、特公昭46-4605 号、特開昭48-36281号、特開昭
55-32070号、特開昭60-239736 号、特開昭61-169835
号、特開昭61-169837 号、特開昭62-58241号、特開昭62
-212401 号、特開昭63-70243号、特開昭63-298339 号の
明細書又は公報等に記載の有機ハロゲン化合物、K. Mei
er et al, J. Rad. Curing, 13(4), 26 (1986)、T. P.
Gill et al, Inorg. Chem., 19, 3007 (1980) 、D. Ast
ruc, Acc.Chem. Res., 19(12), 377 (1896)、特開平2-1
61445号公報等に記載の有機金属/有機ハロゲン化物、
S. Hayase et al, J. Polymer Sci., 25, 753 (1987)、
E. Reichmanis et al, J. Polymer Sci., Polymer Che
m. Ed., 23, 1 (1985) 、Q. Q. Zhu et al, J. Photoch
em., 36, 85, 39, 317 (1987)、B. Amit et al, Tetrah
edron Lett., (24) 2205 (1973)。
【0038】D. H. R. Barton et al, J. Chem Soc., 3
571 (1965)、P. M. Collins et al,J. Chem. Soc., Per
kin I, 1695 (1975) 、M. Rudinstein et al, Tetrahed
ronLett., (17), 1445 (1975) 、J. W. Walker et al,
J. Am. Chem. Soc., 110,7170 (1988) 、S. C. Busman
et al, J. Imaging Technol., 11(4), 191 (1985)、H.
M. Houlihan et al, Macoromolecules, 21, 2001 (198
8)、P. M. Collinset al, J. Chem. Soc., Chem. Commu
n., 532 (1972) 、S. Hayase et al, Macromolecules,
18, 1799 (1985)、E. Reichmanis et al, J. Electroch
em. Soc., Solid State Sci. Technol., 130(6)、F. M.
Houlihan et al, Macromolecules,21, 2001 (1988) 、
欧州特許第0290,750号、同046,083 号、同156,535 号、
同271,851 号、同0,388,343 号、米国特許第3,901,710
号、同4,181,531 号、特開昭60-198538 号、特開昭53-1
33022 号の明細書又は公報等に記載のo−ニトロベンジ
ル型保護基を有する光酸発生剤、M. TUNOOKA et al, Po
lymer Preprints Japan, 38(8)、G. Berner et al, J.
Rad. Curing, 13(4)、W. J. Mijs et al, Coating Tech
nol., 55(697), 45 (1983)、Akzo, H. Adachi et al, P
olymer Preprints, Japan, 37(3)、欧州特許第0199,672
号、同84515 号、同199,672 号、同044,115 号、同010
1,122号、米国特許第4,618,564 号、同4,371,605 号、
同4,431,774 号、特開昭64-18143号、特開平2-245756
号、特願平3-140109号の公報又は明細書等に記載のイミ
ノスルフォネート等に代表される、光分解してスルホン
酸を発生する化合物、特開昭61-166544 号公報に記載の
ジスルホン化合物を挙げることができる。
【0039】またこれらの光により酸を発生する基、あ
るいは化合物をポリマーの主鎖又は側鎖に導入した化合
物、例えば、M. E. Woodhouse et al, J. Am. Chem. So
c.,104, 5586 (1982)、S. P. Pappas et al, J. Imagin
g Sci., 30(5),218 (1986)、S. Kondo er al. Makromo
l. Chem., Rapid Commun., 9,625 (1988)、Y. Yamada e
t al, Makromol. Chem., 152, 153, 163 (1972)、J. V.
Crivello er al. J.Polymer Sci., Polymer Chem. E
d., 17, 3845 (1979) 、米国特許第3,849,137号、独国
特許第3,914,407 、特開昭63-26653号、特開昭55-16482
4 号、特開昭62-69263号、特開昭63-1460387、特開昭63
-163452 号、特開昭62-153853 号、特開昭63-146029 号
の明細書又は公報等に記載の化合物を用いることができ
る。
【0040】更に、V. N. R. Pillai, Synthesis, (1),
1(1980)、A. Abad et al, Tetrahedr on Lett., (47)4
555 (1971)、D. H. R. Barton et al, J. Chem. Soc.,
(C),329 (1970)、米国特許第3,779,778 号、欧州特許第
126,712 号等に記載の光により酸を発生する化合物も使
用することができる。上記活性光線又は放射線の照射に
より分解して酸を発生する化合物の中で、特に有効に用
いられるものについて以下に説明する。 (1) トリハロメチル基が置換した下記一般式(VIII)
で表されるオキサゾール誘導体又は下記一般式(IX) で
表されるS−トリアジン誘導体。
【0041】
【化22】
【0042】
【化23】
【0043】式中、R1 は置換もしくは未置換のアリー
ル基又はアルケニル基であり、R2は置換もしくは未置
換のアリール基、アルケニル基、アルキル基又は−CY
3 を表す。Yは塩素原子又は臭素原子を示す。上記オキ
サゾール誘導体(VIII) 及びS−トリアジン誘導体(I
X) の具体例としては、以下のVIII−1〜8及び化合物I
X−1〜10を挙げることができるが、これに限定され
るものではない。
【0044】
【化24】
【0045】
【化25】
【0046】
【化26】
【0047】
【化27】
【0048】
【化28】
【0049】(2) 下記一般式(X)で表されるヨード
ニウム塩又は下記一般式(XI)で表されるスルホニウム
塩。
【0050】
【化29】
【0051】
【化30】
【0052】式中、Ar1及びAr2は各々独立に置換もし
くは未置換のアリール基を示す。好ましい置換基として
は、アルキル基、ハロアルキル基、シクロアルキル基、
アリール基、アルコキシ基、ニトロ基、カルボキシル
基、アルコキシカルボニル基、ヒドロキシ基、メルカプ
ト基及びハロゲン原子が挙げられる。R3 、R4 及びR
5 は各々独立に、置換もしくは未置換のアルキル基又は
アリール基を示す。好ましくは炭素数6〜14のアリー
ル基、炭素数1〜8のアルキル基又はそれらの置換誘導
体である。好ましい置換基は、アリール基に対しては炭
素数1〜8のアルコキシ基、炭素数1〜8のアルキル
基、ニトロ基、カルボキシル基、ヒドロキシ基又はハロ
ゲン原子であり、アルキル基に対しては炭素1〜8のア
ルコキシ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基
である。Z- は対アニオンを示し、例えば BF4 - 、AsF6
- 、 PF6 - 、SbF6 - 、SiF6 - 、ClO4 - 、CF3SO3 - 、BPh4
- 、(Ph=フェニル)、ナフタレン−1−スルホン酸ア
ニオン等の縮合多核芳香族スルホン酸アニオン、アント
ラキノンスルホン酸アニオン、スルホン酸基含有染料等
を挙げることができるが、これらに限定されるものでは
ない。
【0053】また、R3 、R4 及びR5 のうちの2つ並
びにAr1及びAr2はそれぞれ単結合又は置換基を介して
結合してもよい。一般式(X)及び(XI)で示される上
記オニウム塩は公知であり、例えばJ. W. Knapczyk et
al, J. Am. Chem. Soc., 91, 145 (1969) 、A. L. Mayc
ok et al, J. Org. Chem., 35, 2532 (1970)、E. Goeth
as etal, Bull. Soc. Chem. Belg., 73, 546, (1964)、
H. M. Leicester, J. Am. Chem. Soc., 51, 3587 (192
9)、J. B. Crivello etal, J. Polym. Chem. Ed., 18,
2677 (1980) 、米国特許第2,807,648 号及び同4,247,47
3 号、特開昭53-101,331号の明細書又は公報等に記載の
方法により合成することができる。一般式(X)及び
(XI) のオニウム化合物の具体例としては、以下に示す
化合物X−1〜22及びXI−1〜34が挙げられるが、
これに限定されるものではない。
【0054】
【化31】
【0055】
【化32】
【0056】
【化33】
【0057】
【化34】
【0058】
【化35】
【0059】
【化36】
【0060】
【化37】
【0061】
【化38】
【0062】
【化39】
【0063】
【化40】
【0064】
【化41】
【0065】
【化42】
【0066】
【化43】
【0067】
【化44】
【0068】
【化45】
【0069】
【化46】
【0070】(3) 下記一般式(XII)で表されるジスル
ホン誘導体又は下記一般式(XIII)で表されるイミノス
ルホネート誘導体。
【0071】
【化47】
【0072】
【化48】
【0073】式中、Ar3及びAr4は各々独立に置換もし
くは未置換のアリール基を示す。R 6 は置換もしくは未
置換のアルキル基又はアリール基を表す。Aは置換もし
くは未置換のアルキレン基、アルケニルン基又はアリー
レン基を示す。一般式(XII)及び(XIII) で示される化
合物の具体例としては、以下に示す化合物XII −1〜1
2及びXIII−1〜12が挙げられるが、これに限定され
るものではない。
【0074】
【化49】
【0075】
【化50】
【0076】
【化51】
【0077】
【化52】
【0078】
【化53】
【0079】
【化54】
【0080】
【化55】
【0081】
【化56】
【0082】これらの活性光線又は放射線の照射により
分解して酸を発生する化合物の添加量は、感光性組成物
の全固形分を基準として通常0.001〜40重量%の範
囲で用いられ、好ましくは0.1〜20重量%の範囲で使
用される。
【0083】本発明のポジ型感光性組成物には必要に応
じて、前記酸を発生する化合物の光酸発生効率を増大さ
せる化合物(増感剤)、染料、顔料、可塑剤、更にポジ
型感光性組成物のアルカリ水溶液への溶解性を調整する
目的で公知の種々の化合物を使用することができる。増
感剤としては、ピレン、ペリレン等の電子供与性化合
物、あるいはメロシアニン色素、シアニン色素等を使用
できるが、これらに限定されるものではない。これらの
増感剤と前記成分(b)との割合は、好ましくはモル比
で0.01/1〜20/1、重量比で0.1/1〜5/1の
範囲である。また、本発明のポジ型感光性組成物には着
色剤として染料を用いることができるが、好適な染料と
しては油溶性染料又は塩基性染料がある。具体的には、
例えばオイルイエロー#101、オイルイエロー#13
0、オイルピンク#312、オイルグリーンBG、オイ
ルブルーBOS、オイルブラックBY、オイルブラック
BS、オイルブラックT−505(以上オリエンタル化
学工業(株)製)、クリスタルバイオレット(CI42
555)、メチルバイオレット(CI42535)、ロ
ーダミンB(CI45170B)、マラカイトグリーン
(CI42000)、メチレンブルー(CI5201
5)などを挙げることができる。
【0084】これらの染料は、感光性組成物の全固形分
に対し、0.01〜10重量%、好ましくは0.1〜3重量
%の割合で感光性組成物中に添加することができる。ま
た、本発明のポジ型感光性組成物のアルカリ水溶液への
溶解性を調整する化合物としては、環状酸無水物、その
他のフィラーなどを加えることができる。環状酸無水物
としては米国特許第4,115,128 号明細書に記載されてい
るような無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘ
キサヒドロ無水フタル酸、3,6−エンドオキシ−テト
ラヒドロ無水フタル酸、テトラクロロ無水フタル酸、無
水マレイン酸、クロロ無水マレイン酸、α−フェニル無
水マレイン酸、無水コハク酸、ピロメリット酸等があ
る。これらの環状酸無水物を好ましくは感光性組成物の
全固形分に対し1〜15重量%含有させることによって
感度を最大3倍程度まで高めることができる。更に露光
部と未露光部との溶解性の差を出す目的で、例えば特開
昭62−27829号、特開昭63−250642号、
特開昭63−139343号、特願平2−177031
号、特願平2−1381150号、特願平2−1811
51号、特願昭59−45439号、特開昭63−13
9343号、特開昭48−39003号、特開昭51−
120714号、特開昭53−133429号、特開昭
55−126236号、特開平1−106038号、特
開昭64−57258号等の公報又は明細書に記載の酸
により加水分解され、アルカリ可溶となる化合物を使用
することができる。
【0085】本発明のポジ型感光性組成物は、平版印刷
版用の材料として使用する場合には上記各成分を溶解す
る溶剤に溶かして、支持体上に塗布する。また、半導体
等のレジスト材料用としては、溶媒に溶解したままで使
用する。ここで使用する溶媒としては、エチレンジクロ
ライド、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、メタ
ノール、エタノール、プロパノール、エチレングリコー
ルモノメチルエーテル、1−メトキシ−2−プロパノー
ル、エチレングリコールモノエチルエーテル、2−メト
キシエチルアセテート、1−メトキシ−2−プロピルア
セテート、ジメトキシエタン、乳酸メチル、乳酸エチ
ル、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチル
ホルムアミド、テトラメチルウレア、N−メチルピロリ
ドン、ジメチルスルホキシド、スルホラン、γ−ブチル
ラクトン、トルエン、酢酸エチル、ジオキサンなどがあ
り、これらの溶媒を単独あるいは混合して使用する。溶
媒中の上記成分(添加物を含む全固形分)の濃度は、好
ましくは2〜50重量%である。また、塗布して使用す
る場合、塗布量は用途により異なるが、例えば感光性平
版印刷版についていえば一般的に固形分として0.5〜3.
0g/m2、またフォトレジストについていえば一般的に
固形分として0.1〜3.0g/m2が好ましい。塗布量が少
なくなるにつれて、感光性は大になるが、感光膜の皮膜
特性は低下する。
【0086】本発明のポジ型感光性組成物を用いて平版
印刷版を製造する場合、その支持体としては、例えば、
紙、プラスチック(例えばポリエチレン、ポリプロピレ
ン、ポリスチレンなど)がラミネートされた紙、例えば
アルミニウム(アルミニウム合金も含む)、亜鉛、銅な
どのような金属板、例えば、二酢酸セルロース、三酢酸
セルロース、プロピオン酸セルロース、酪酸セルロー
ス、酢酸酪酸セルロース、硝酸セルロース、ポリエチレ
ンテレフタレート、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリ
プロピレン、ポリカーボネート、ポリビニルアセタール
などのようなプラスチックのフィルム、上記のごとき金
属がラミネート、もしくは蒸着された紙、もしくはプラ
スチックフィルムなどが含まれる。これらの支持体のう
ち、アルミニウム板は寸度的に著しく安定であり、しか
も安価であるので特に好ましい。更に特公昭48−18
327号公報に記されているようなポリエチレンテレフ
タレートフィルム上にアルミニウムシートが結合された
複合体シートも好ましい。アルミニウム板の表面をワイ
ヤブラシングレイニング、研磨粒子のスラリーを注ぎな
がらナイロンブラシ粗面化するブラシグレイニング、ボ
ールグレイニング、液体ホーニングによるグレイニン
グ、バフグレイニング等の機械的方法、HFやAlCl3
HCl をエッチャントとするケミカルグレイニング、硝酸
又は塩酸を電解液とする電解グレイニングやこれらの粗
面化法を複合させて行った複合グレイニングによって表
面を砂目立てした後、必要に応じて酸又はアルカリによ
りエッチング処理され、引き続き硫酸、リン酸、クロム
酸、スルファミン酸又はこれらの混酸中で直流又は交流
電源にて陽極酸化を行い、アルミニウム表面に強固な不
動態皮膜を設けたものが好ましい。また、砂目立て処
理、陽極酸化後、封孔処理を施したものが好ましい。か
かる封孔処理は熱水及び無機塩又は有機塩を含む熱水溶
液への浸漬並びに水蒸気浴などによって行われる。
【0087】このような不動態皮膜自体でアルミニウム
表面は親水化されるが、更に必要に応じて米国特許第2,
714,066 号明細書や米国特許第3,181,461 号明細書に記
載されている珪酸塩処理(珪酸ナトリウム、珪酸カリウ
ム)、米国特許第2,946,638号明細書に記載されている
フッ化ジルコニウム酸カリウム処理、米国特許第3,201,
247 号明細書に記載されているホスホモリブデート処
理、英国特許1,108,559号明細書に記載されているアル
キルチタネート処理、独国特許第1,091,443 号明細書に
記載されているポリアクリル酸処理、独国特許第1,134,
093 号明細書や英国特許第1,230,447 号明細書に記載さ
れているポリビニルホスホン酸処理、特公昭44−64
09号公報に記載されているホスホン酸処理、米国特許
第3,307,951 号明細書に記載されているフイチン酸処
理、特開昭58−16893号や特開昭58−1629
1号の各公報に記載されている親水性有機高分子化合物
と2価の金属イオンとの錯体によに下塗処理、特開昭5
9−101651号公報に記載されているスルホン酸基
を有する水溶性重合体の下塗によって親水化処理を行っ
たものは特に好ましい。その他の親水化処理方法として
は、米国特許第3,658,662 号明細書に記載されているシ
リケート電着を挙げることができる。
【0088】本発明のポジ型感光性組成物は公知の塗布
技術により上記の支持体上に塗布される。上記の塗布技
術の例としては、回転塗布法、ワイヤーバー塗布法、デ
ィップ塗布法、エアーナイフ塗布法、ロール塗布法、ブ
レード塗布法、カーテン塗布法及びスプレー塗布法等を
挙げることができる。上記のようにして塗布されたポジ
型感光性組成物の層は、40〜150℃で30秒〜10
分間、熱風乾燥機、赤外線乾燥機等を用いて乾燥され
る。成分(a)と成分(b)との架橋は、感光性組成物
の塗布、乾燥時に熱をかける方法又は塗布乾燥後に熱を
かける方法等が挙げられる。加熱は、好ましくは60℃
以上、更に好ましくは80℃以上で、30秒以上、好ま
しくは、2分以上行なう。本発明のポジ型感光性組成物
をフォトレジストとして使用する場合には銅板又は銅メ
ッキ板、シリコン板、ステンレス板、ガラス板等の種々
の材質の基板を支持体として用いることができる。
【0089】本発明のポジ型感光性組成物を含む感光性
平版印刷版又はフォトレジスト等は、通常、像露光、現
像工程を施される。像露光に用いられる活性光線の光源
としては、例えば、水銀灯、メタルハライドランプ、キ
セノンランプ、ケミカルランプ、カーボンアーク灯など
がある。放射線としては、電子線、X線、イオンビー
ム、遠紫外線などがある。フォトレジスト用の光源とし
ては、g線、i線、Deep−UV光が好ましく使用され
る。また、高密度エネルギービーム(レーザービーム又
は電子線)による走査露光も本発明に使用することがで
きる。このようなレーザービームとしてはヘリウム・ネ
オンレーザー、アルゴンレーザー、クリプトンイオンレ
ーザー、ヘリウム・カドミウムレーザー、KrFエキシ
マレーザーなどが挙げられる。本発明のポジ型感光性組
成物の現像に用いる現像液としては、珪酸ナトリウム、
珪酸カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水
酸化リチウム、第三リン酸ナトリウム、第二リン酸ナト
リウム、第三リン酸アンモニウム、第二リン酸アンモニ
ウム、メタ珪酸ナトリウム、重炭酸ナトリウム、アンモ
ニア水などのような無機アルカリ剤や、テトラアルキル
アンモニウムハイドライドなどのような有機アルカリ剤
の水溶液が適当であり、それらの濃度が0.1〜10重量
%、好ましくは0.5〜5重量%になるように添加され
る。また、該アルカリ性水溶液には、必要に応じて界面
活性剤やアルコールなどのような有機溶媒を加えること
もできる。
【0090】
【発明の効果】本発明のポジ型感光性組成物は、高い感
光性を有し、かつ、広範囲の波長光の使用が可能であ
る。
【0091】
【実施例】以下、本発明を実施例により更に詳細に説明
するが、本発明内容がこれにより限定されるものではな
い。実施例1〜24、比較例1〜3 厚さ0.24mmの2Sアルミニウム板を80℃に保った第
三燐酸ナトリウムの10%水溶液に3分間浸漬して脱脂
し、ナイロンブラシで砂目立てした後、アルミン酸ナト
リウムで約10分間エッチングして、硫酸水素ナトリウ
ム3%水溶液でデスマット処理を行った。このアルミニ
ウム板を20%硫酸中で電流密度2A/dm2 において2
分間陽極酸化を行った。次の下記表1に示される化合物
を用いて、下記処方のとおりに27種類の感光液〔A〕
−1〜〔A〕−24、〔A′〕−1〜〔A′〕−3を調
製した。この感光液を陽極酸化したアルミニウム板上に
塗布し、100℃で10分間乾燥して各々の感光性平版
印刷版を作成した。このときの塗布量は全て乾燥重量で
1.7g/m2になるように調整した。感光液処方〔A〕 表1の線状高分子 2.0g 表1のビニルエーテル化合物 0.4g 表1の光酸発生剤 0.1g ジオキサン 50.0g メタノール 15.0g 乾燥時の熱による感光層の架橋を確認するため、得られ
た感光性平版印刷版を表2に示す溶媒に5分間浸漬し、
水洗したあと塗膜の溶解状態を観察した。その結果を表
2に示す。○は溶解、△は一部溶解(膜減り)、×は不
溶を表す。次に、得られた感光性平版印刷版の感光層上
に濃度差0.15のグレースケールを密着させ、2KWの
高圧水銀灯で50cmの距離から20秒露光を行なった。
露光した感光性平版印刷版を120℃で5分加熱した
後、以下の組成の現像液原液 (Y): 水 80g トリエタノールアミン 3g t−ブチルナフタレン スルホン酸ナトリウム 8g ベンジルアルコール 9g の2倍希釈水溶液で25℃において60秒間浸漬し、現
像したところ、本発明の感光性組成物はすべて鮮明なポ
ジ画像が得られた。結果を表3に示す。
【0092】
【表1】 表 1 感光液 線 状 高 分 子 ビニルエー 光酸発生剤 テル化合物 実施例1 [A]-1 メタクリル酸/2−ヒドロキシ II−11 X−21 エチルメタクリレート/メタ クリル酸メチル=20/20/60 (重量%)、分子量Mw=2.8 万 2 2 メタクリル酸/2−ヒドロキシ II−11 X−21 エチルメタクリレート/メタ クリル酸メチル=30/10/60 (重量%)、分子量Mw=2.9万 3 3 メタクリル酸/2−ヒドロキシ II−11 X−21 エチルメタクリレート/メタ クリル酸メチル=35/ 5/60 (重量%)、分子量Mw=2.7万 4 4 アクリル酸/2−ヒドロキシエ II−11 X−21 チルメタクリレート/ベンジ ルメタクリレート=20/20/60 (重量%)、分子量Mw=3.2万 5 5 アクリル酸/2−ヒドロキシエ II−11 X−21 チルメタクリレート/ベンジ ルメタクリレート=30/10/60 (重量%)、分子量Mw=2.9万 6 6 アクリル酸/2−ヒドロキシエ II−11 X−21 チルメタクリレート/ベンジ ルメタクリレート=35/ 5/60 (重量%)、分子量Mw=3.5万 7 7 メタクリル酸/2−ヒドロキシ II−11 X−21 エチルメタクリレート/ベン ジルメタクリレート=20/20/60 (重量%)、分子量Mw=4.2万 8 8 イタコン酸/p-(2-ヒドロキシエ II−11 X−21 チル)スチレン/アクリル酸メ チル=15/20/65(重量%)、 分子量Mw=4.2万 9 9 マレイン酸/p−ヒドロキシスチ II−11 X−21 レン/アクリル酸エチル= 15/50/35(重量%)、分子量Mw =3.2万 10 10 アクリル樹脂「カルボセットXL II−11 X−21 -44 」グッドリッチ社製 11 11 アクリル樹脂「カルボセット II−11 X−21 525 」グッドリッチ社製 12 12 アクリル樹脂「カルボセット II−11 X−21 526 」グッドリッチ社製 13 13 メタクリル酸/2−ヒドロキシ II−9 X−21 エチルメタクリレート/ベン ジルメタクリレート=20/20/60 (重量%)、分子量Mw=4.2万 14 14 メタクリル酸/2−ヒドロキシ II−35 X−21 エチルメタクリレート/ベン ジルメタクリレート=20/20/60 (重量%)、分子量Mw=4.2万 15 15 メタクリル酸/2−ヒドロキシ VII−9 XI−32 エチルメタクリレート/ベン ジルメタクリレート=20/20/60 (重量%)、分子量Mw=4.2万 16 16 メタクリル酸/2−ヒドロキ VII−11 X−21 シエチルメタクリレート/ベン ジルメタクリレート=20/20/60 (重量%)、分子量Mw=4.2万 17 17 同上 VII−3 X−22 18 18 同上 VII−6 X−22 19 19 同上 VII−13 VIII-3 20 20 同上 II−11 X−22 21 21 同上 II−11 IX-8 22 22 同上 II−4 XII-10 23 23 同上 II−17 XIII-12 24 24 メタクリル酸/ベンジルメタ II−11 X-21 クリレート=20/80(重量%) 分子量2.8万、1g及び メタクリル酸/2−ヒドロ キシエチルメタクリレート =50/50(重量%) 分子量 2.2万、1g 比較例1 [A′]-1 メタクリル酸/2−ヒドロキシ II−11 なし エチルメタクリレート/ベン ジルメタクリレート=20/20/60 (重量%)、分子量Mw=4.2万 2 2 メタクリル酸/メチルメタク II−11 X−21 リレート=40/60(重量%)、 分子量Mw=3.2万 3 3 2-ヒドロキシエチルメタクリ II−12 X−21 レート/ ベンジルメタクリレ ート=20/80(重量%)、 分子量Mw=4.3万
【0093】
【表2】 表2 乾燥塗膜の溶解性 Y/水(1/2) メチルエチルケトン ジオキサン トルエン 実施例1 × × × × 2 × × × × 3 × × × × 4 × × × × 5 × × × × 6 × × × × 7 × × × × 8 × × × × 9 × × × × 10 × × × × 11 × × × × 12 × × × × 13 × × × × 14 × × × × 15 × × × × 16 × × × × 17 × × × × 18 × × × × 19 × × × × 20 × × × × 21 × × × × 22 × × × × 23 × × × × 24 × × × × 比較例1 × × × × 2 ○ ○ ○ △ 3 × ○ ○ △
【0094】
【表3】 表 3 画像性能 グレースケールの段数 実施例1 鮮明なポジ画像 10 2 鮮明なポジ画像 9 3 鮮明なポジ画像 8 4 鮮明なポジ画像 11 5 鮮明なポジ画像 11 6 鮮明なポジ画像 10 7 鮮明なポジ画像 12 8 鮮明なポジ画像 12 9 鮮明なポジ画像 12 10 鮮明なポジ画像 10 11 鮮明なポジ画像 8 12 鮮明なポジ画像 9 13 鮮明なポジ画像 9 14 鮮明なポジ画像 10 15 鮮明なポジ画像 10 16 鮮明なポジ画像 4 17 鮮明なポジ画像 7 18 鮮明なポジ画像 6 19 鮮明なポジ画像 4 20 鮮明なポジ画像 13 21 鮮明なポジ画像 2 22 鮮明なポジ画像 5 23 鮮明なポジ画像 7 24 鮮明なポジ画像 3 比較例1 露光部、未露光部とも不溶 2 露光部、未露光部とも溶解 3 露光部、未露光部とも膜減り(画像なし)
【0095】実施例25〜28 厚さ2mmのシリコーンウェハー上に感光液〔A〕−1、
〔A〕−4、〔A〕−7及び〔A〕−16をスピンナー
で塗布し、120℃で2分間乾燥させ、乾燥時の膜厚が
1g/m2 になるように調整した。得られたレジストを
波長436nmの単色光を用いた縮小投影露光装置(ステ
ッパー)を用いて露光し、その後120℃で3分間加熱
した。テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの2.4%
水溶液で60秒現像することにより、レジストパターン
を形成させた。その結果、すべてのサンプルにおいて0.
7μmのライン及びスペースの良好なパターンが得られ
た。実施例29 実施例17で得られた感光性平版印刷版を感光層上に濃
度差0.15のグレースケールを密着させ、2KWの高圧
水銀灯で50cmの距離から20秒間露光を行った。露光
した感光性平版印刷版を120℃で5分加熱した後、Y
−3C(商品名:富士写真フィルム(株)製)の2倍希
釈水溶液で25℃において、20秒、30秒、1分、2
分、5分、10分と現像時間を変えて現像した。その結
果、すべてにおいて良好なポジ画像が得られ、グレイス
ケール段数はすべて13段であった。以上の結果によ
り、本発明のポジ型感光性組成物は高感度であり、鮮明
なポジ画像が得られた。また、実施例29よりポジ型感
光性組成物の現像ラチチュードは広いことがわかった。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 (a)下記一般式(I)で示されるエノー
    ルエーテル基を少なくとも2個有する化合物、 (b) 酸成分及び水酸基を有する線状高分子、及び (c) 活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生
    する化合物、 を含有し、かつ(a)成分と(b)成分とを熱により架
    橋させたことを特徴とするポジ型感光性組成物。 【化1】 式中、R1 、R2 及びR3 は水素、アルキル基又はアリ
    ール基を表し、同一もしくは異なっていてもよい。ま
    た、それらの内の2つが結合して飽和又はオレフィン性
    不飽和の環を形成してもよい。
JP30351292A 1992-11-13 1992-11-13 ポジ型感光性材料 Expired - Fee Related JP3206989B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP30351292A JP3206989B2 (ja) 1992-11-13 1992-11-13 ポジ型感光性材料

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP30351292A JP3206989B2 (ja) 1992-11-13 1992-11-13 ポジ型感光性材料

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH06148889A true JPH06148889A (ja) 1994-05-27
JP3206989B2 JP3206989B2 (ja) 2001-09-10

Family

ID=17921876

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP30351292A Expired - Fee Related JP3206989B2 (ja) 1992-11-13 1992-11-13 ポジ型感光性材料

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3206989B2 (ja)

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0702271A1 (en) * 1994-09-06 1996-03-20 Fuji Photo Film Co., Ltd. Positive working printing plate
EP1182506A1 (en) 2000-08-21 2002-02-27 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Crosslinked positive-working photoresist composition
US6395446B1 (en) 1999-10-06 2002-05-28 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist compositions and patterning process
US6416928B1 (en) 1999-10-06 2002-07-09 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Onium salts, photoacid generators, resist compositions, and patterning process
US6551758B2 (en) 2000-10-23 2003-04-22 Shin-Etsu Chemical Co. Ltd. Onium salts, photoacid generators, resist compositions, and patterning process
US6692893B2 (en) 2000-10-23 2004-02-17 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Onium salts, photoacid generators, resist compositions, and patterning process
US6787290B2 (en) 2000-08-31 2004-09-07 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Positive-working photoresist composition and resist patterning method using same
WO2004104703A1 (ja) * 2003-05-22 2004-12-02 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. 化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物及びレジストパターン形成方法
KR100632752B1 (ko) * 2003-05-28 2006-10-12 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 화학 증폭형 포지티브형 포토레지스트 조성물 및 레지스트패턴의 형성 방법
WO2006123700A1 (ja) * 2005-05-17 2006-11-23 Kyowa Hakko Chemical Co., Ltd. フォトレジスト組成物
US7358028B2 (en) 2003-05-20 2008-04-15 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Chemically amplified positive photo resist composition and method for forming resist pattern
WO2009093419A1 (ja) * 2008-01-21 2009-07-30 Daicel Chemical Industries, Ltd. 化学増幅型フォトレジスト用樹脂及びその製造方法
US7871756B2 (en) 2003-11-25 2011-01-18 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Chemically amplified positive photosensitive thermosetting resin composition, method of forming cured article, and method of producing functional device
US7977036B2 (en) 2005-01-27 2011-07-12 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Resist pattern forming method
US8026047B2 (en) 2005-01-27 2011-09-27 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Resist pattern forming method, supercritical processing solution for lithography process, and antireflection film forming method
US8133653B2 (en) 2006-02-02 2012-03-13 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Positive resist composition for forming thick-film resist, thick-film resist laminate, and method of forming resist pattern
US8715918B2 (en) 2007-09-25 2014-05-06 Az Electronic Materials Usa Corp. Thick film resists
KR20220075265A (ko) 2019-10-02 2022-06-08 마루젠 세끼유가가꾸 가부시키가이샤 레지스트용 가교형 중합체
US11385543B2 (en) 2016-08-09 2022-07-12 Merck Patent Gmbh Enviromentally stable, thick film, chemically amplified resist
WO2024122296A1 (ja) * 2022-12-09 2024-06-13 住友化学株式会社 ビニル化合物、ビニル組成物、ビニル樹脂硬化物、プリプレグ、樹脂付きフィルム、樹脂付き金属箔、金属張積層板およびプリント配線板

Cited By (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0702271A1 (en) * 1994-09-06 1996-03-20 Fuji Photo Film Co., Ltd. Positive working printing plate
US6395446B1 (en) 1999-10-06 2002-05-28 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist compositions and patterning process
US6416928B1 (en) 1999-10-06 2002-07-09 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Onium salts, photoacid generators, resist compositions, and patterning process
EP1182506A1 (en) 2000-08-21 2002-02-27 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Crosslinked positive-working photoresist composition
US6630282B2 (en) 2000-08-21 2003-10-07 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Crosslinked positive-working photoresist composition
US6787290B2 (en) 2000-08-31 2004-09-07 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Positive-working photoresist composition and resist patterning method using same
US6551758B2 (en) 2000-10-23 2003-04-22 Shin-Etsu Chemical Co. Ltd. Onium salts, photoacid generators, resist compositions, and patterning process
US6692893B2 (en) 2000-10-23 2004-02-17 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Onium salts, photoacid generators, resist compositions, and patterning process
US7358028B2 (en) 2003-05-20 2008-04-15 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Chemically amplified positive photo resist composition and method for forming resist pattern
US7329478B2 (en) 2003-05-22 2008-02-12 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Chemical amplified positive photo resist composition and method for forming resist pattern
WO2004104703A1 (ja) * 2003-05-22 2004-12-02 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. 化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物及びレジストパターン形成方法
KR100865063B1 (ko) * 2003-05-22 2008-10-23 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 화학증폭형 포지티브형 포토레지스트 조성물 및 레지스트패턴 형성방법
KR100632752B1 (ko) * 2003-05-28 2006-10-12 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 화학 증폭형 포지티브형 포토레지스트 조성물 및 레지스트패턴의 형성 방법
US7871756B2 (en) 2003-11-25 2011-01-18 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Chemically amplified positive photosensitive thermosetting resin composition, method of forming cured article, and method of producing functional device
US7977036B2 (en) 2005-01-27 2011-07-12 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Resist pattern forming method
US8026047B2 (en) 2005-01-27 2011-09-27 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Resist pattern forming method, supercritical processing solution for lithography process, and antireflection film forming method
WO2006123700A1 (ja) * 2005-05-17 2006-11-23 Kyowa Hakko Chemical Co., Ltd. フォトレジスト組成物
US8133653B2 (en) 2006-02-02 2012-03-13 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Positive resist composition for forming thick-film resist, thick-film resist laminate, and method of forming resist pattern
US8715918B2 (en) 2007-09-25 2014-05-06 Az Electronic Materials Usa Corp. Thick film resists
WO2009093419A1 (ja) * 2008-01-21 2009-07-30 Daicel Chemical Industries, Ltd. 化学増幅型フォトレジスト用樹脂及びその製造方法
JPWO2009093419A1 (ja) * 2008-01-21 2011-05-26 ダイセル化学工業株式会社 化学増幅型フォトレジスト用樹脂及びその製造方法
JP5562651B2 (ja) * 2008-01-21 2014-07-30 株式会社ダイセル 化学増幅型フォトレジスト用樹脂及びその製造方法
US11385543B2 (en) 2016-08-09 2022-07-12 Merck Patent Gmbh Enviromentally stable, thick film, chemically amplified resist
KR20220075265A (ko) 2019-10-02 2022-06-08 마루젠 세끼유가가꾸 가부시키가이샤 레지스트용 가교형 중합체
US11971660B2 (en) 2019-10-02 2024-04-30 Maruzen Petrochemical Co., Ltd. Cross-linked polymer for resist
WO2024122296A1 (ja) * 2022-12-09 2024-06-13 住友化学株式会社 ビニル化合物、ビニル組成物、ビニル樹脂硬化物、プリプレグ、樹脂付きフィルム、樹脂付き金属箔、金属張積層板およびプリント配線板

Also Published As

Publication number Publication date
JP3206989B2 (ja) 2001-09-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5939235A (en) Positive-working light-sensitive composition
JP3206989B2 (ja) ポジ型感光性材料
US5320931A (en) Light-sensitive composition
JPH09211863A (ja) ポジ画像形成組成物
JPH10221852A (ja) ポジ型感光性組成物
JPH04365049A (ja) 感光性組成物
JPH0962005A (ja) ネガ型感光性組成物
JPH05158239A (ja) ネガ型感光性組成物
JP3856270B2 (ja) ポジ型レジスト組成物
US6228559B1 (en) Negative working waterless lithographic printing plate precursor
JPH11109628A (ja) ポジ型感光性組成物
JP2838335B2 (ja) 感光性組成物
US6150068A (en) Photosensitive resin composition for far-ultraviolet exposure
JPH1195421A (ja) レーザ直描型平版印刷版材料
JPH10312060A (ja) ポジ型レジスト組成物
JP2000047386A (ja) ポジ型感光性組成物
JPH0876380A (ja) ポジ型印刷版組成物
JP2000029219A (ja) ポジ型レジスト組成物
JPH0862844A (ja) ポジ型感光性組成物
US5637428A (en) Lithographic printing plate
JPH10307397A (ja) ポジ型感光性組成物
JP2000206681A (ja) 感光性組成物及び回路パタ―ン形成方法
JP3126179B2 (ja) ネガ型フオトレジスト組成物
JP2668608B2 (ja) 感光性組成物
JP2704331B2 (ja) 感光性組成物

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080706

Year of fee payment: 7

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080706

Year of fee payment: 7

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees