本発明のフォトレジスト用樹脂はポジ型フォトレジストに使用されることが多く、樹脂の重合単位として、例えば、酸の作用によりアルカリ可溶となる基を有する。なお、便宜上、本明細書においてアクリルとメタクリルを総称して(メタ)アクリルと記載することがある。
本発明は前記式(I)で示される繰り返し単位、及び前記式(II)で示される繰り返し単位の双方を少なくとも含む高分子化合物(A)を、前記式(III)で示される化合物により架橋してフォトレジスト用樹脂を製造するものである。
式(I)及び(II)中、R1、R2、R5、R6は水素原子、ハロゲン原子、又はハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数1〜6のアルキル基、R3、R4、R7、R8は単結合、水素原子又は炭素数1〜20の有機基であり、R3とR4の一部、またはR7とR8の一部が結合して環を形成していてもよく、そしてm、n、p、qは0〜3の整数を示し、mとnが同時に0ではなく、また、pとqが同時に0ではない。R3、R4、R7、R8が単結合の場合は単結合である基に結合したカルボキシル基又は水酸基の数を示すm、n、p、qは1であり、R3、R4、R7、R8が水素である場合は水素原子である基に結合するカルボキシル基又は水酸基の数を示すm、n、p、qは0である。式(III)中、R9は水素原子又は炭素数1〜6のアルキル基、Xは炭素数1〜20の有機基、kは2〜4の有機基を示す。
R1、R2、R5、R6におけるハロゲン原子には、フッ素、塩素、臭素原子などが含まれる。R1、R2、R5、R6における炭素数1〜6のアルキル基としては、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、s−ブチル、t−ブチル、ヘキシル基などが挙げられる。ハロゲン原子で置換された炭素数1〜6のアルキル基としては、前記炭素数1〜6のアルキル基の少なくとも1つの水素原子がフッ素原子に置換した基、例えば、モノフルオロメチル、ジフルオロメチル、トリフルオロメチル、2,2,2−トリフルオロエチル、テトラフルオロエチル、2,2,3,3,3−テトラフルオロプロピル基などが挙げられる。R1、R2、R5、R6としては、それぞれ、水素原子又は炭素数1〜6のアルキル基が好ましく、中でも水素原子又はメチル基が特に好ましい。
R3、R4、R7、R8における炭素数1〜20の有機基としては、それぞれ1〜4価の、脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基、複素環式基、若しくはこれらが複数個結合した基、または前記の基とエステル基(−COO−基)とが結合した基などが挙げられる。エステル基(−COO−基)のCO基はポリマー主鎖の炭素原子と結合している場合が多い。前記の脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基、複素環式基基は、置換基を有していてもよい。該置換基としては、例えば、ハロゲン原子、アルキル基、ハロアルキル基、シクロアルキル基、橋架け炭化水素基、アリール基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アシル基、ニトロ基、シアノ基等が挙げられる。
前記脂肪族炭化水素基のうち、2価の脂肪族炭化水素基の代表的な例として、メチレン、エチレン、プロピレン、トリメチレン、テトラメチレン、ペンタメチレン、ヘキサメチレン、オクタメチレン、デカメチレン、ドデカメチレン基などの直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基(炭素数1〜20のアルキレン基、好ましくは炭素数1〜10のアルキレン基);ビニレン、1−プロペニレン、3−メチル−2−ブテニレン基等の直鎖状又は分岐鎖状のアルケニレン基(炭素数2〜20のアルケニレン基、好ましくは炭素数2〜10のアルケニレン基)などが挙げられる。
前記脂環式炭化水素基のうち、2価の脂環式炭化水素基の代表的な例として、1,2−シクロペンチレン、1,3−シクロペンチレン、1,2−シクロへキシレン、1,3−シクロへキシレン、1,4−シクロへキシレン基などのシクロアルキレン基(3〜15員のシクロアルキレン基等);シクロペンチリデン、シクロヘキシリデン基などのシクロアルキリデン基(3〜15員のシクロアルキリデン基等);アダマンタンジイル、ノルボルナンジイル、イソボルナンジイル、トリシクロデカンジイル、トリシクロウンデカンジイル、テトラシクロドデカンジイル基などの2価の橋かけ環式炭化水素基(4〜15員の2価の橋かけ環式基等)などが挙げられる。
前記芳香族炭化水素基のうち、2価の芳香族炭化水素基(アリレン基)の代表的な例として、1,2−フェニレン、1,3−フェニレン、1,4−フェニレン、1,5−ナフチレン、2,6−ナフチレン、アントラニレン基などが挙げられる。
R3とR4の一部、またはR7とR8の一部が結合して形成する環としては、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、ノルボルナン環、トリシクロデカン環、トリシクロウンデカン環、テトラシクロドデカン環等の3〜15員の非芳香族性の単環又は多環(橋かけ環)[特に、3〜15員の単環の脂環又は多環の脂環(橋かけ炭素環)]が挙げられる。これらの環は、前記脂肪族炭化水素基等が有していてもよい置換基として例示した置換基を有していてもよい。
本発明では、ArFエキシマレーザー(193nm)を露光光源として使用する場合は、芳香族基を有する化合物が本質的に193nm領域に大きな吸収を示すため、R3、R4、R7、R8は芳香族炭化水素基等の芳香族基を有しないことが好ましい。R3、R4、R7、R8における炭素数1〜20の有機基のうち好ましい有機基として、それぞれ置換基(好ましくは、芳香族基を有しない置換基)を有していてもよい、脂肪族炭化水素基(前記2価の脂肪族炭化水素基、又はそれに対応する1価、3価若しくは4価の脂肪族炭化水素基)、脂環式炭化水素基(前記2価の脂環式炭化水素基、又はそれに対応する1価、3価若しくは4価の脂環式炭化水素基)、又はこれらが2以上結合した基が挙げられる。また、R3とR4の一部、またはR7とR8の一部が結合して、置換基(好ましくは、芳香族基を有しない置換基)を有していてもよい3〜15員の非芳香族性の単環又は多環(橋かけ環)[特に、3〜15員の単環の脂環又は多環の脂環(橋かけ炭素環)]を形成するのも好ましい。
また、R3、R4としては、それぞれ、単結合、水素原子又は炭素数1〜20の直鎖もしくは分岐鎖状の脂肪族炭化水素基であるのが好ましい。これは、以下のような理由による。すなわち、カルボキシル基は水酸基と比較するとビニルエーテル基との反応が速い。ここで、式(I)中のR3、R4として、脂環式炭化水素基等の立体障害を少なくするような基(カルボキシル基をポリマー主鎖から遠ざける基)を用いると、式(III)で表される化合物(B)(ビニルエーテル)が、式(I)で表される繰り返し構造単位中のカルボキシル基と優先的に反応して、式(II)で表される繰り返し構造単位中の水酸基と反応する割合が少なくなるという問題が生じるおそれがあるが、R3、R4が、単結合、水素原子又は炭素数1〜20の直鎖もしくは分岐鎖状の脂肪族炭化水素基である場合にはそのような問題が生じにくい。
R9における炭素数1〜6のアルキル基としては、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、s−ブチル、t−ブチル、ヘキシル基などが挙げられる。
Xにおける炭素数1〜20の有機基(k価の有機基)としては、それぞれ置換基を有していてもよい、k価の脂肪族炭化水素基、k価の脂環式炭化水素基、k価の芳香族炭化水素基、k価の複素環式基、又は、脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基及び複素環式基から選択された1以上(特に2以上)の基が、エーテル基、エステル基、アミド基、ウレタン基及びウレイド基から選択された少なくとも1つの基を介して結合したk価の基などが挙げられる。前記置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ハロゲン原子;アルキル基、シクロアルキル基、ビシクロアルキル基、トリシクロアルキル基、橋架け炭化水素基などの炭化水素基;ハロゲン原子で置換された炭化水素基;酸素、硫黄等のヘテロ原子を含む官能基を含む炭化水素基;又は上記置換基が2以上結合した基等が挙げられる。
前記k価の脂肪族炭化水素基のうち、2価の脂肪族炭化水素基の代表的な例として、メチレン、エチレン、プロピレン、トリメチレン、テトラメチレン、ペンタメチレン、ヘキサメチレン、オクタメチレン、デカメチレン、ドデカメチレン基などの直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基(炭素数1〜20のアルキレン基、好ましくは炭素数1〜10のアルキレン基);ビニレン、1−プロペニレン、3−メチル−2−ブテニレン基等の直鎖状又は分岐鎖状のアルケニレン基(炭素数2〜20のアルケニレン基、好ましくは炭素数2〜10のアルケニレン基)などが挙げられる。
k価の脂環式炭化水素基のうち、2価の脂環式炭化水素基の代表的な例として、1,2−シクロペンチレン、1,3−シクロペンチレン、1,2−シクロへキシレン、1,3−シクロへキシレン、1,4−シクロへキシレン基などのシクロアルキレン基(3〜15員のシクロアルキレン基等);シクロペンチリデン、シクロヘキシリデン基などのシクロアルキリデン基(3〜15員のシクロアルキリデン基等);アダマンタンジイル、ノルボルナンジイル、イソボルナンジイル、トリシクロデカンジイル、トリシクロウンデカンジイル、テトラシクロドデカンジイル基などの2価の橋かけ環式炭化水素基(4〜15員の2価の橋かけ環式基等)などが挙げられる。
k価の芳香族炭化水素基のうち、2価の芳香族炭化水素基(アリレン基)の代表的な例として、1,2−フェニレン、1,3−フェニレン、1,4−フェニレン、1,5−ナフチレン、2,6−ナフチレン、アントラニレン基などが挙げられる。
本発明では、ArFエキシマレーザー(193nm)を露光光源として使用する場合は、芳香族基を有する化合物が本質的に193nm領域に大きな吸収を示すため、Xにおける炭素数1〜20の有機基(k価の有機基)は芳香族炭化水素基等の芳香族基を有しないことが好ましい。Xにおける炭素数1〜20の有機基(k価の有機基)のうち好ましい有機基として、それぞれ置換基(好ましくは、芳香族基を有しない置換基)を有していてもよい、脂肪族炭化水素基(前記2価の脂肪族炭化水素基等)、脂環式炭化水素基(前記2価の脂環式炭化水素基等)、又はこれらが2以上結合した基からなるk価の有機基が挙げられる。
前記式(I)で示される繰り返し単位のうちm及びnが1の場合に次のような繰り返し単位が例示される。以下に示す繰り返し単位の例示において、Raは水素原子、ハロゲン原子、又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数1〜6のアルキル基を示す。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子等が挙げられる。炭素数1〜6のアルキル基としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル基等が挙げられる。
前記式(I)で示される繰り返し単位のうちmが1でnが0の場合に次のような繰り返し単位が例示される。
前記式(II)で示される繰り返し単位のうちp及びqが1の場合に次のような繰り返し単位が例示される。
前記式(II)で示される繰り返し単位のうちpが1〜3でqが0の場合に次のような繰り返し単位が例示される。
高分子化合物(A)における式(I)で表される繰り返し構造単位と式(II)で表される繰り返し構造単位の含有比率(モル比)は、例えば式(I):式(II)=10:90〜90:10、好ましくは式(I):式(II)=20:80〜80:20、さらに好ましくは式(I):式(II)=25:75〜75:25、特に好ましくは式(I):式(II)=30:70〜70:30である。
式(I)で表される繰り返し構造単位(COOH基を含む構造単位)が式(II)で表される繰り返し構造単位(OH基を含む構造単位)に対して相対的に極めて多く含有される場合は、アルカリ現像液への溶解性が高くなり、LERの低減の観点からは効果的である反面、架橋構造が切断した際のアルカリ現像液に対する溶解性が極端に変化するために、露光・ベーク時の条件制御を精密に行わなければならず、プロセスマージンが狭くなる。一方、式(II)で表される繰り返し構造単位(OH基を含む構造単位)が式(I)で表される繰り返し構造単位(COOH基を含む構造単位)に対して相対的に極めて多く含有される場合は、架橋構造が切断された際にアルカリ現像液に対する溶解性を付与することができなくなり、LERの低減効果が見られなくなる。
架橋反応に使用される化合物(B)は前記一般式(III)で表されるが、その例として以下に記載したものが挙げられる。
本発明において便宜上、化合物(B)で架橋反応する前の高分子は線状高分子または線状高分子化合物と呼ぶこともあり、更に架橋後の高分子を架橋高分子または架橋高分子化合物と呼ぶこともある。
本発明の線状高分子化合物を得るに際し、使用される重合方法としては、特に限定はされないが、ラジカル重合が好ましい。モノマー混合物の重合は、溶液重合、塊状重合、懸濁重合、塊状−懸濁重合、乳化重合など、アクリル系ポリマー等を製造する際に用いる慣用の方法により行うことができるが、特に、溶液重合が好適である。さらに、溶液重合のなかでも滴下重合が好ましい。滴下重合は、具体的には、例えば、(i)予め有機溶媒に溶解した単量体溶液と、有機溶媒に溶解した重合開始剤溶液とをそれぞれ調製し、一定温度に保持した有機溶媒中に前記単量体溶液と重合開始剤溶液とを各々滴下する方法、(ii)単量体と重合開始剤とを有機溶媒に溶解した混合溶液を、一定温度に保持した有機溶媒中に滴下する方法、(iii)予め有機溶媒に溶解した単量体溶液と、有機溶媒に溶解した重合開始剤溶液とをそれぞれ調製し、一定温度に保持した前記単量体溶液中に重合開始剤溶液を滴下する方法などの方法により行われる。
重合開始剤として、ラジカル重合を使用するのであれば、ラジカル重合開始剤としては特に限定されるものではないが、例としてアゾ系化合物、過酸化物系化合物、レドックス系化合物が挙げられ、特にジメチル2,2′−アゾビスイソブチレート、アゾビスイソブチロニトリル、2,2′−アゾビス(2−メチルブチロニトリル)、t−ブチルパーオキシピバレート、ジ−t−ブチルパーオキシド、イソ−ブチリルパーオキシド、ラウロイルパーオキサイド、スクシン酸パーオキシド、ジシンナミルパーオキシド、ジ−n−プロピルパーオキシジカーボネート、t−ブチルパーオキシアリルモノカーボネート、過酸化ベンゾイル、過酸化水素、過硫酸アンモニウム等が好ましい。
重合溶媒としては公知の溶媒を使用でき、例えば、エーテル(ジエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル等グリコールエーテル類などの鎖状エーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等の環状エーテルなど)、エステル(酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のグリコールエーテルエステル類など)、ケトン(アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンなど)、アミド(N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミドなど)、スルホキシド(ジメチルスルホキシドなど)、アルコール(メタノール、エタノール、プロパノールなど)、炭化水素(ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素、ヘキサン等の脂肪族炭化水素、シクロヘキサン等の脂環式炭化水素など)、これらの混合溶媒などが挙げられる。重合温度は、例えば30〜150℃程度の範囲で適宜選択できる。
重合により得られたポリマーは、沈殿又は再沈殿により精製できる。沈殿又は再沈殿溶媒は有機溶媒及び水の何れであってもよく、また混合溶媒であってもよい。沈殿又は再沈殿溶媒として用いる有機溶媒として、例えば、炭化水素(ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタンなどの脂肪族炭化水素;シクロヘキサン、メチルシクロヘキサンなどの脂環式炭化水素;ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素)、ハロゲン化炭化水素(塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素などのハロゲン化脂肪族炭化水素;クロロベンゼン、ジクロロベンゼンなどのハロゲン化芳香族炭化水素など)、ニトロ化合物(ニトロメタン、ニトロエタンなど)、ニトリル(アセトニトリル、ベンゾニトリルなど)、エーテル(ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジメトキシエタンなどの鎖状エーテル;テトラヒドロフラン、ジオキサンなどの環状エーテル)、ケトン(アセトン、メチルエチルケトン、ジイソブチルケトンなど)、エステル(酢酸エチル、酢酸ブチルなど)、カーボネート(ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネートなど)、アルコール(メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロピルアルコール、ブタノールなど)、カルボン酸(酢酸など)、これらの溶媒を含む混合溶媒等が挙げられる。
中でも、前記沈殿又は再沈殿溶媒として用いる有機溶媒として、少なくとも炭化水素(特に、ヘキサンなどの脂肪族炭化水素)を含む溶媒が好ましい。このような少なくとも炭化水素を含む溶媒において、炭化水素(例えば、ヘキサンなどの脂肪族炭化水素)と他の溶媒との比率は、例えば前者/後者(体積比;25℃)=10/90〜99/1、好ましくは前者/後者(体積比;25℃)=30/70〜98/2、さらに好ましくは前者/後者(体積比;25℃)=50/50〜97/3程度である。
線状高分子化合物の重量平均分子量(Mw)は、例えば500〜10000程度、好ましくは1000〜8000程度であり、分子量分布(Mw/Mn)は、例えば1.2〜2.5程度である。なお、前記Mnは数平均分子量を示し、Mn、Mwともにポリスチレン換算の値である。
重合により得られた線状高分子は沈殿又は再沈殿操作を行わずに、重合溶液のまま酸触媒を添加し、化合物(B)を滴下して熟成し架橋反応を実施した後に沈殿又は再沈殿操作を実施することも好ましい。
線状高分子化合物への化合物(B)による架橋反応は溶液状で実施することが好ましい。使用される溶媒としては公知の溶媒を使用でき、例えば、エーテル(ジエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル等グリコールエーテル類などの鎖状エーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等の環状エーテルなど)、エステル(酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のグリコールエーテルエステル類など)、ケトン(アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンなど)、アミド(N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミドなど)、スルホキシド(ジメチルスルホキシドなど)、アルコール(メタノール、エタノール、プロパノールなど)、炭化水素(ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素、ヘキサン等の脂肪族炭化水素、シクロヘキサン等の脂環式炭化水素など)、これらの混合溶媒などが挙げられる。多官能ビニルエーテル及び触媒等との副反応を抑制するという観点からは、これらの化合物と反応性を有しない溶媒を用いることがこのましい。具体的にはテトラヒドロフラン(THF)、シクロヘキサノン、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート(PGMEA)、炭化水素化合物等が挙げられる。線状高分子化合物を前記溶媒に溶解し、架橋温度において酸触媒及び化合物(B)を添加する。添加方法としては一括で添加してもよいし、分割添加、更には連続滴下による添加もこのましい。架橋温度は、例えば0〜150℃程度の範囲で適宜選択できる。
化合物(B)は1種類の使用でもよいし、2種以上組み合わせて使用することも好ましい。化合物(B)の使用量は架橋反応に使用される線状高分子化合物の重量に対して0.01重量%〜100重量%であり、好ましくは0.03重量%〜50重量%である。0.01重量%より低いと架橋反応が進行せずに微細で鮮明なレジストパターンを得ることが困難になりやすい。また、100重量%を超えると架橋度が高くなり、レジスト用溶媒への溶解性が低下しやすくなる。また、線状高分子化合物を合成した重合溶液を使用して続けて架橋反応を実施する場合においては、仕込み比率は使用される線状高分子化合物に代えて、線状高分子化合物を合成するために使用された単量体全体の重量に対して化合物(B)の量を前記した範囲で使用する。
架橋反応において反応速度を速くするために、酸触媒が用いられる。酸触媒としては、硫酸、塩酸、p−トルエンスルホン酸、p−トルエンスルホン酸ピリジウム、三フッ化ホウ素等を挙げることができる。これらのなかでは、特に、塩酸、p−トルエンスルホン酸、p−トルエンスルホン酸ピリジウム等が好ましく用いられる。このような酸触媒は、使用される化合物(B)に対して、通常、0.01〜5モル%であり、好ましくは、0.1〜3モル%の範囲で用いられる。
架橋反応終了後、その反応溶液は生成した樹脂に対して溶解性が低い貧溶媒中へ添加して沈殿させる。また、得られた沈殿物を回収再溶解、更には再沈殿させて残存する単量体および低分子量化合物を除くことも好ましい。沈殿又は再沈殿溶媒は有機溶媒及び水の何れであってもよく、また混合溶媒であってもよい。沈殿又は再沈殿溶媒として用いる有機溶媒として、例えば、炭化水素(ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタンなどの脂肪族炭化水素;シクロヘキサン、メチルシクロヘキサンなどの脂環式炭化水素;ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素)、ハロゲン化炭化水素(塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素などのハロゲン化脂肪族炭化水素;クロロベンゼン、ジクロロベンゼンなどのハロゲン化芳香族炭化水素など)、ニトロ化合物(ニトロメタン、ニトロエタンなど)、ニトリル(アセトニトリル、ベンゾニトリルなど)、エーテル(ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジメトキシエタンなどの鎖状エーテル;テトラヒドロフラン、ジオキサンなどの環状エーテル)、ケトン(アセトン、メチルエチルケトン、ジイソブチルケトンなど)、エステル(酢酸エチル、酢酸ブチルなど)、カーボネート(ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネートなど)、アルコール(メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロピルアルコール、ブタノールなど)、カルボン酸(酢酸など)、これらの溶媒を含む混合溶媒等が挙げられる。
中でも、前記沈殿又は再沈殿溶媒として用いる有機溶媒として、少なくとも炭化水素(特に、ヘキサンなどの脂肪族炭化水素)を含む溶媒が好ましい。このような少なくとも炭化水素を含む溶媒において、炭化水素(例えば、ヘキサンなどの脂肪族炭化水素)と他の溶媒との比率は、例えば前者/後者(体積比;25℃)=10/90〜100/0、好ましくは前者/後者(体積比;25℃)=30/70〜100/0、さらに好ましくは前者/後者(体積比;25℃)=50/50〜100/0程度である。
生成した架橋高分子化合物の重量平均分子量(Mw)は、例えば1000〜1000000程度、好ましくは3000〜200000程度であり、分子量分布(Mw/Mn)は、例えば1.2〜10.0程度である。なお、前記Mnは数平均分子量を示し、Mn、Mwともにポリスチレン換算の値である。
架橋高分子化合物は、前記一般式(I)及び(II)で表される繰り返し構造単位に含まれる水酸基及び/またはカルボキシル基の一部が未反応として残っていることが好ましい。式(I)及び(II)で表される繰り返し構造単位に含まれる水酸基及びカルボキシル基がすべて架橋反応している場合には、基板又は下層膜に対する密着性が付与できず、パターン倒れが生じるおそれがある。式(I)及び(II)で表される繰り返し構造単位に含まれる水酸基及びカルボキシル基のうち未反応として残すべき量としては、未反応の水酸基及びカルボキシル基の総量が、架橋前の線状高分子化合物の式(I)及び(II)で表される繰り返し構造単位に含まれる水酸基及びカルボキシル基の総量に対して、例えば1〜50モル%、好ましくは5〜40モル%である。
本発明に使用される線状高分子化合物は前記した一般式(I)及び(II)などの繰り返し単位の他にアルカリ可溶となる基を含む繰り返し単位を有することは好ましい。アルカリ可溶となる基を含む繰り返し単位がレジスト用樹脂に含まれることにより、酸の作用によりアルカリへの溶解性が良好となり、より鮮明なパターン形成を可能とする。また、露光部のポリマーのアルカリ溶解性の制御が可能となるので、分子量・架橋点の数等の分子設計の幅を広げることが可能である。アルカリ可溶となる基を含む繰り返し単位に対応する単量体は前記式(4a)〜(4d)によって表される。
式(4a)〜(4d)中、環Z1は置換基を有していてもよい炭素数6〜20の脂環式炭化水素環を示す。Raは水素原子、ハロゲン原子、又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数1〜6のアルキル基を示し、R10〜R12は、同一又は異なって、置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルキル基を示す。R13は環Z1に結合している置換基であって、同一又は異なって、オキソ基、アルキル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシアルキル基、又は保護基で保護されていてもよいカルボキシル基を示す。但し、r個のR13のうち少なくとも1つは、−COORc基を示す。前記Rcは置換基を有していてもよい第3級炭化水素基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基、又はオキセパニル基を示す。rは1〜3の整数を示す。R14、R15は、同一又は異なって、水素原子又は置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルキル基を示す。R16は水素原子又は有機基を示す。R14、R15、R16のうち少なくとも2つが互いに結合して隣接する原子とともに環を形成していてもよい。式(4a)〜(4c)中、環Z1における炭素数6〜20の脂環式炭化水素環は単環であっても、縮合環や橋架け環等の多環であってもよい。
Raは前記と同様である。R10〜R12及びR14、R15における置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルキル基としては、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、s−ブチル、t−ブチル、ヘキシル基などの直鎖状又は分岐鎖状の炭素1〜6のアルキル基;トリフルオロメチル基等の炭素1〜6のハロアルキル基などが挙げられる。式(4c)中、R13におけるアルキル基としては、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、s−ブチル、t−ブチル、ヘキシル、オクチル、デシル、ドデシル基などの直鎖状又は分岐鎖状の炭素1〜20程度のアルキル基が挙げられる。R13における保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基としては、例えば、ヒドロキシル基、置換オキシ基(例えば、メトキシ、エトキシ、プロポキシ基等のC1-4アルコキシ基など)などが挙げられる。保護基で保護されていてもよいヒドロキシアルキル基としては、前記保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基が炭素数1〜6のアルキレン基を介して結合している基などが挙げられる。R13で−COORcにおけるRcの第3級炭化水素基としては、例えば、t−ブチル、t−アミル、2−メチル−2−アダマンチル、(1−メチル−1−アダマンチル)エチル基などが挙げられる。テトラヒドロフラニル基には2−テトラヒドロフラニル基が、テトラヒドロピラニル基には2−テトラヒドロピラニル基が、オキセパニル基には2−オキセパニル基が含まれる。
環Z1における炭素数6〜20の脂環式炭化水素環は単環であっても、縮合環や橋かけ環等の多環であってもよい。代表的な脂環式炭化水素環として、例えば、シクロヘキサン環、シクロオクタン環、シクロデカン環、アダマンタン環、ノルボルナン環、ノルボルネン環、ボルナン環、イソボルナン環、パーヒドロインデン環、デカリン環、パーヒドロフルオレン環(トリシクロ[7.4.0.03,8]トリデカン環)、パーヒドロアントラセン環、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン環、トリシクロ[4.2.2.12,5]ウンデカン環、テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカン環などが挙げられる。脂環式炭化水素環には、メチル基等のアルキル基(例えば、C1-4アルキル基など)、塩素原子等のハロゲン原子、保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基、オキソ基、保護基で保護されていてもよいカルボキシル基などの置換基を有していてもよい。環Z1は例えばアダマンタン環等の多環の脂環式炭化水素環(橋かけ環式炭化水素環)であるのが好ましい。
R16における有機基としては、炭化水素基及び/又は複素環式基を含有する基が挙げられる。炭化水素基には脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基及びこれらが2以上結合した基が含まれる。脂肪族炭化水素基としては、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、s−ブチル、t−ブチル、ヘキシル、オクチル基等の直鎖状または分岐鎖状のアルキル基(C1-8アルキル基等);アリル基等の直鎖状または分岐鎖状のアルケニル基(C2-8アルケニル基等);プロピニル基等の直鎖状または分岐鎖状のアルキニル基(C2-8アルキニル基等)などが挙げられる。脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基(3〜8員シクロアルキル基等);シクロペンテニル、シクロヘキセニル基等のシクロアルケニル基(3〜8員シクロアルケニル基等);アダマンチル、ノルボルニル基等の橋架け炭素環式基(C4-20橋架け炭素環式基等)などが挙げられる。芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル、ナフチル基等のC6-14芳香族炭化水素基などが挙げられる。脂肪族炭化水素基と芳香族炭化水素基とが結合した基としては、ベンジル、2−フェニルエチル基などが挙げられる。これらの炭化水素基は、アルキル基(C1-4アルキル基等)、ハロアルキル基(C1-4ハロアルキル基等)、ハロゲン原子、保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシメチル基、保護基で保護されていてもよいカルボキシル基、オキソ基などの置換基を有していてもよい。保護基としては有機合成の分野で慣用の保護基を使用できる。
好ましい有機基として、C1-8アルキル基、環式骨格を含む有機基等が挙げられる。前記環式骨格を構成する「環」には、単環又は多環の非芳香族性又は芳香族性の炭素環又は複素環が含まれる。なかでも、単環又は多環の非芳香族性炭素環、ラクトン環(非芳香族性炭素環が縮合していてもよい)が特に好ましい。単環の非芳香族性炭素環として、例えば、シクロペンタン環、シクロヘキサン環などの3〜15員程度のシクロアルカン環などが挙げられる。
式(4a)〜(4d)で表される化合物には、それぞれ立体異性体が存在しうるが、それらは単独で又は2種以上の混合物として使用できる。
式(4a)で表される化合物の代表的な例として下記化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。2−(メタ)アクリロイルオキシ−2−メチルアダマンタン、1−ヒドロキシ−2−(メタ)アクリロイルオキシ−2−メチルアダマンタン、5−ヒドロキシ−2−(メタ)アクリロイルオキシ−2−メチルアダマンタン、2−(メタ)アクリロイルオキシ−2−エチルアダマンタン。
式(4b)で表される化合物の代表的な例として下記化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。1−(1−(メタ)アクリロイルオキシ−1−メチルエチル)アダマンタン、1−ヒドロキシ−3−(1−(メタ)アクリロイルオキシ−1−メチルエチル)アダマンタン、1−(1−エチル−1−(メタ)アクリロイルオキシプロピル)アダマンタン、1−(1−(メタ)アクリロイルオキシ−1−メチルプロピル)アダマンタン。
式(4c)で表される化合物の代表的な例として下記化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。1−t−ブトキシカルボニル−3−(メタ)アクリロイルオキシアダマンタン、1−(2−テトラヒドロピラニルオキシカルボニル)−3−(メタ)アクリロイルオキシアダマンタン。
式(4d)で表される化合物の代表的な例として下記化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。1−アダマンチルオキシ−1−エチル(メタ)アクリレート、1−アダマンチルメチルオキシ−1−エチル(メタ)アクリレート、2−(1−アダマンチルエチル)オキシ−1−エチル(メタ)アクリレート、1−ボルニルオキシ−1−エチル(メタ)アクリレート、2−ノルボルニルオキシ−1−エチル(メタ)アクリレート、2−テトラヒドロピラニル(メタ)アクリレート、2−テトラヒドロフラニル(メタ)アクリレート。
上記式(4d)で表される化合物は、例えば、対応するビニルエーテル化合物と(メタ)アクリル酸とを酸触媒を用いた慣用の方法で反応させることにより得ることができる。例えば、1−アダマンチルオキシ−1−エチル(メタ)アクリレートは、1−アダマンチル−ビニル−エーテルと(メタ)アクリル酸とを酸触媒の存在下で反応させることにより製造できる。
本発明に使用される線状高分子化合物は前記した一般式(I)及び(II)などの繰り返し単位の他にラクトン骨格を有する繰り返し単位を有することは好ましい。ラクトン骨格を有する繰り返し単位を有することにより、レジスト樹脂の基板への密着性が良好となりより鮮明なパターン形成を可能とする。ラクトン骨格を有する繰り返し単位に対応する単量体は前記式(5a)〜(5e)によって表される。
式(5a)〜(5e)中、Raは水素原子、ハロゲン原子、又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数1〜6のアルキル基を示す。R17〜R19は、同一又は異なって、水素原子、アルキル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシアルキル基、又は保護基で保護されていてもよいカルボキシル基を示し、V1〜V3は、同一又は異なって、−CH2−、−CO−又は−COO−を示す。但し、(i)V1〜V3のうち少なくとも1つは−CO−若しくは−COO−であるか、又は(ii)R13〜R15のうち少なくとも1つは、保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシアルキル基、又は保護基で保護されていてもよいカルボキシル基である。Y1は炭素原子、酸素原子又は硫黄原子を示し、炭素原子のときにのみ置換基R23、R24が存在する。R20〜R24は、同一又は異なって、水素原子、アルキル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシアルキル基、保護基で保護されていてもよいカルボキシル基、シアノ基、ハロゲン原子、又はフッ素原子により置換されている炭素数1〜6のアルキル基を示す。tは1又は2を示し、sは0又は1を示す。R25は水素原子、アルキル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシアルキル基、保護基で保護されていてもよいカルボキシル基、シアノ基、ハロゲン原子、又はフッ素原子により置換されている炭素数1〜6のアルキル基を示し、uは0〜3の整数を示す。Y2は炭素原子、酸素原子又は硫黄原子を示し、炭素原子のときはメチレン基である。R26は水素原子又は炭素数1〜6のアルキル基を示す。
Raは前記と同様である。R17〜R19、R20〜R24及びR25におけるアルキル基としては、例えば、前記Raにおける炭素数1〜6のアルキル基と同様のものを使用することができる。R20〜R24及びR25におけるハロゲン原子には、例えば、フッ素、塩素、臭素原子などが含まれる。保護基としては有機合成の分野で慣用の保護基を使用できる。
式(5a)で表される化合物の代表的な例として下記化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。1−(メタ)アクリロイルオキシ−4−オキサトリシクロ[4.3.1.13,8]ウンデカン−5−オン、1−(メタ)アクリロイルオキシ−4,7−ジオキサトリシクロ[4.4.1.13,9]ドデカン−5,8−ジオン、1−(メタ)アクリロイルオキシ−4,8−ジオキサトリシクロ[4.4.1.13,9]ドデカン−5,7−ジオン、1−(メタ)アクリロイルオキシ−5,7−ジオキサトリシクロ[4.4.1.13,9]ドデカン−4,8−ジオン、1−(メタ)アクリロイルオキシ−3−ヒドロキシアダマンタン、1−(メタ)アクリロイルオキシ−3,5−ジヒドロキシアダマンタン、1−(メタ)アクリロイルオキシ−3,5,7−トリヒドロキシアダマンタン、1−(メタ)アクリロイルオキシ−3−ヒドロキシ−5,7−ジメチルアダマンタン、1−(メタ)アクリロイルオキシ−3−カルボキシアダマンタン。
式(5b)で表される化合物の代表的な例として下記化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。例えば、Y1が炭素原子の時には、5−(メタ)アクリロイルオキシ−3−オキサトリシクロ[4.2.1.04,8]ノナン−2−オン、5−(メタ)アクリロイルオキシ−5−メチル−3−オキサトリシクロ[4.2.1.04,8]ノナン−2−オン、5−(メタ)アクリロイルオキシ−1−メチル−3−オキサトリシクロ[4.2.1.04,8]ノナン−2−オン、5−(メタ)アクリロイルオキシ−9−メチル−3−オキサトリシクロ[4.2.1.04,8]ノナン−2−オン、5−(メタ)アクリロイルオキシ−9−カルボキシ−3−オキサトリシクロ[4.2.1.04,8]ノナン−2−オン、5−(メタ)アクリロイルオキシ−9−メトキシカルボニル−3−オキサトリシクロ[4.2.1.04,8]ノナン−2−オン、5−(メタ)アクリロイルオキシ−9−エトキシカルボニル−3−オキサトリシクロ[4.2.1.04,8]ノナン−2−オン、5−(メタ)アクリロイルオキシ−9−t−ブトキシカルボニル−3−オキサトリシクロ[4.2.1.04,8]ノナン−2−オンなどが挙げられる。
また、1−シアノ−5−(メタ)アクリロイルオキシ−3−オキサトリシクロ[4.2.1.04,8]ノナン−2−オン、1−フルオロ−5−(メタ)アクリロイルオキシ−3−オキサトリシクロ[4.2.1.04,8]ノナン−2−オン、1−クロロ−5−(メタ)アクリロイルオキシ−3−オキサトリシクロ[4.2.1.04,8]ノナン−2−オン、1−クロロ−5−(メタ)アクリロイルオキシ−3−オキサトリシクロ[4.2.1.04,8]ノナン−2−オン、1−トリフルオロメチル−5−(メタ)アクリロイルオキシ−3−オキサトリシクロ[4.2.1.04,8]ノナン−2−オン、9−シアノ−5−(メタ)アクリロイルオキシ−3−オキサトリシクロ[4.2.1.04,8]ノナン−2−オン、9−フルオロ−5−(メタ)アクリロイルオキシ−3−オキサトリシクロ[4.2.1.04,8]ノナン−2−オン、9−クロロ−5−(メタ)アクリロイルオキシ−3−オキサトリシクロ[4.2.1.04,8]ノナン−2−オン、9−クロロ−5−(メタ)アクリロイルオキシ−3−オキサトリシクロ[4.2.1.0]ノナン−2−オン、9−トリフルオロメチル−5−(メタ)アクリロイルオキシ−3−オキサトリシクロ[4.2.1.04,8]ノナン−2−オン等が挙げられる。
また、Y1が酸素原子の時は、1−シアノ−5−(メタ)アクリロイルオキシ−3、7−ジオキサトリシクロ[4.2.1.04,8]ノナン−2−オン、1−フルオロ−5−(メタ)アクリロイルオキシ−3、7−ジオキサトリシクロ[4.2.1.04,8]ノナン−2−オン、1−クロロ−5−(メタ)アクリロイルオキシ−3、7−ジオキサトリシクロ[4.2.1.04,8]ノナン−2−オン、1−クロロ−5−(メタ)アクリロイルオキシ−3、7−ジオキサトリシクロ[4.2.1.04,8]ノナン−2−オン、1−トリフルオロメチル−5−(メタ)アクリロイルオキシ−3、7−ジオキサトリシクロ[4.2.1.04,8]ノナン−2−オン、9−シアノ−5−(メタ)アクリロイルオキシ−3、7−ジオキサトリシクロ[4.2.1.04,8]ノナン−2−オン、9−フルオロ−5−(メタ)アクリロイルオキシ−3、7−ジオキサトリシクロ[4.2.1.0]ノナン−2−オン、9−クロロ−5−(メタ)アクリロイルオキシ−3、7−ジオキサトリシクロ[4.2.1.04,8]ノナン−2−オン、9−クロロ−5−(メタ)アクリロイルオキシ−3、7−ジオキサトリシクロ[4.2.1.04,8]ノナン−2−オン、9−トリフルオロメチル−5−(メタ)アクリロイルオキシ−3、7−ジオキサトリシクロ[4.2.1.04,8]ノナン−2−オン等が挙げられる。
式(5c)で表される化合物の代表的な例として下記化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。例えば、8−(メタ)アクリロイルオキシ−4−オキサトリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−5−オン、9−(メタ)アクリロイルオキシ−4−オキサトリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−5−オン等が挙げられる。
式(5d)で表される化合物の代表的な例として下記化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。式(1c)で表される(メタ)アクリル酸エステルモノマーの代表的な例として、例えば、α−(メタ)アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、α−(メタ)アクリロイルオキシ−α−メチル−γ−ブチロラクトン、α−(メタ)アクリロイルオキシ−β,β−ジメチル−γ−ブチロラクトン、α−(メタ)アクリロイルオキシ−α,β,β−トリメチル−γ−ブチロラクトン、α−(メタ)アクリロイルオキシ−γ,γ−ジメチル−γ−ブチロラクトン、α−(メタ)アクリロイルオキシ−α,γ,γ−トリメチル−γ−ブチロラクトン、α−(メタ)アクリロイルオキシ−β,β,γ,γ−テトラメチル−γ−ブチロラクトン、α−(メタ)アクリロイルオキシ−α,β,β,γ,γ−ペンタメチル−γ−ブチロラクトン、α−(メタ)アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、α−(メタ)アクリロイルオキシ−α−メチル−γ−ブチロラクトン、α−(メタ)アクリロイルオキシ−β,β−ジメチル−γ−ブチロラクトン、α−(メタ)アクリロイルオキシ−α,β,β−トリメチル−γ−ブチロラクトン、α−(メタ)アクリロイルオキシ−γ,γ−ジメチル−γ−ブチロラクトン、α−(メタ)アクリロイルオキシ−α,γ,γ−トリメチル−γ−ブチロラクトン、α−(メタ)アクリロイルオキシ−β,β,γ,γ−テトラメチル−γ−ブチロラクトン、α−(メタ)アクリロイルオキシ−α,β,β,γ,γ−ペンタメチル−γ−ブチロラクトンなどのα−(メタ)アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン類;β−(メタ)アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、β−(メタ)アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトンなどのβ−(メタ)アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン類などが挙げられる。
式(5e)で表される化合物の代表的な例として下記化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。例えば、5−(メタ)アクリロイルオキシ−4−オキサトリシクロ[5.2.1.05,9]デカン−3−オン、2−メチル−5−(メタ)アクリロイルオキシ−4−オキサトリシクロ[5.2.1.05,9]デカン−3−オン、2−エチル−5−(メタ)アクリロイルオキシ−4−オキサトリシクロ[5.2.1.05,9]デカン−3−オン、5−(メタ)アクリロイルオキシ−4、8−ジオキサトリシクロ[5.2.1.05,9]デカン−3−オン、2−メチル−5−(メタ)アクリロイルオキシ−4、8−ジオキサトリシクロ[5.2.1.05,9]デカン−3−オン、2−エチル−5−(メタ)アクリロイルオキシ−4,8−ジオキサトリシクロ[5.2.1.05,9]デカン−3−オンなどが挙げられる。
本発明のフォトレジスト組成物は、上記本発明により製造されたフォトレジスト用高分子化合物と光酸発生剤とレジスト用溶剤とを含む。フォトレジスト用樹脂組成物は、例えば、上記のようにして得られるフォトレジスト用ポリマー溶液に光酸発生剤を添加することにより調製できる。
光酸発生剤としては、露光(活性光線や放射線の照射)により効率よく酸を生成する慣用乃至公知の化合物、例えば、ジアゾニウム塩、ヨードニウム塩(例えば、ジフェニルヨードヘキサフルオロホスフェートなど)、スルホニウム塩(例えば、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、トリフェニルスルホニウムメタンスルホネートなど)、スルホン酸エステル[例えば、1−フェニル−1−(4−メチルフェニル)スルホニルオキシ−1−ベンゾイルメタン、1,2,3−トリスルホニルオキシメチルベンゼン、1,3−ジニトロ−2−(4−フェニルスルホニルオキシメチル)ベンゼン、1−フェニル−1−(4−メチルフェニルスルホニルオキシメチル)−1−ヒドロキシ−1−ベンゾイルメタンなど]、オキサチアゾール誘導体、s−トリアジン誘導体、ジスルホン誘導体(ジフェニルジスルホンなど)、イミド化合物、オキシムスルホネート、ジアゾナフトキノン、ベンゾイントシレートなどを使用できる。これらの光酸発生剤は単独で又は2種以上組み合わせて使用できる。
光酸発生剤の使用量は、光照射により生成する酸の強度やポリマー(フォトレジスト用樹脂)における各繰り返し単位の比率などに応じて適宜選択でき、例えば、ポリマー100重量部に対して0.1〜30重量部、好ましくは1〜25重量部、さらに好ましくは2〜20重量部程度の範囲から選択できる。
レジスト用溶剤としては、前記重合溶媒として例示したグリコール系溶媒、エステル系溶媒、ケトン系溶媒、これらの混合溶媒などが挙げられる。これらのなかでも、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸エチル、メチルイソブチルケトン、メチルアミルケトン、シクロヘキサノン、これらの混合液が好ましく、特に、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート単独溶媒、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートとプロピレングリコールモノメチルエーテルとの混合溶媒、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートと乳酸エチルとの混合溶媒、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートとシクロヘキサノンとの混合溶媒などの、少なくともプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを含む溶媒が好適に用いられる。
フォトレジスト組成物中のポリマー濃度は、例えば、3〜40重量%程度である。フォトレジスト組成物は、アルカリ可溶性樹脂(例えば、ノボラック樹脂、フェノール樹脂、イミド樹脂、カルボキシル基含有樹脂など)などのアルカリ可溶成分、着色剤(例えば、染料など)などを含んでいてもよい。
こうして得られるフォトレジスト組成物を基材又は基板上に塗布し、乾燥した後、所定のマスクを介して、塗膜(レジスト膜)に光線を露光して(又は、さらに露光後ベークを行い)潜像パターンを形成し、次いで現像することにより、微細なパターンを高い精度で形成できる。
基材又は基板としては、シリコンウエハ、金属、プラスチック、ガラス、セラミックなどが挙げられる。フォトレジスト組成物の塗布は、スピンコータ、ディップコータ、ローラコータなどの慣用の塗布手段を用いて行うことができる。塗膜の厚みは、例えば0.05〜20μm、好ましくは0.1〜2μm程度である。
露光には、種々の波長の光線、例えば、紫外線、X線などが利用でき、半導体レジスト用では、通常、g線、i線、エキシマレーザー(例えば、XeCl、KrF、KrCl、ArF、ArClなど)などが使用される。露光光源としては、220nm以下の波長の遠紫外光を使用することが好ましい。露光エネルギーは、例えば1〜1000mJ/cm2、好ましくは10〜500mJ/cm2程度である。
光照射により光酸発生剤から酸が生成し、この酸により、例えばフォトレジスト用高分子化合物の酸の作用によりアルカリ可溶となる繰り返し単位(酸脱離性基を有する繰り返し単位)のカルボキシル基等の保護基(脱離性基)が速やかに脱離して、可溶化に寄与するカルボキシル基等が生成する。そのため、水又はアルカリ現像液による現像により、所定のパターンを精度よく形成できる。
以下に実施例に基づいて本発明を詳細に説明するが、本発明は実施例により限定されるものではない。
合成例1
下記式で示される高分子化合物の合成
還流管、撹拌子、3方コック、温度計を備えた丸底フラスコに、窒素雰囲気下、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)41.65g、プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)17.85gを入れて温度を90℃に保ち攪拌しながら、5−アクリロイルオキシ−3−オキサトリシクロ[4.2.1.0
4,8]ノナン−2−オン10.10g(48.5mmol)、1−ヒドロキシ−5−メタクリロイルオキシアダマンタン11.47g(48.5mmol)、1−(1−メタクリロイルオキシ−1−メチルエチル)アダマンタン4.25g(16.2mmol)、メタアクリル酸4.18g(48.5mmol)、ジメチル2,2′−アゾビスイソブチレート[和光純薬工業(株)製、商品名「V−601」]2.4g、PGMEA77.35g、PGME33.15gの混合溶液を5時間かけて滴下した。更に同温度で2時間攪拌を続けた。重合溶液は冷却後、ヘプタン:酢酸エチル=9:1(重量比)の混合溶液1400gに攪拌しながら添加し、沈殿させた。生成した沈殿はろ過後乾燥した。得られた樹脂の重量平均分子量(Mw)は4900で分子量分布(Mw/Mn)は2.0であった。また、滴定法により得られたポリマー中のメタクリル酸の割合は11.8wt%であった。
合成例2
下記式で示される高分子化合物の合成
還流管、撹拌子、3方コック、温度計を備えた丸底フラスコに、窒素雰囲気下、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)41.65g、プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)17.85gを入れて温度を90℃に保ち攪拌しながら、5−アクリロイルオキシ−3−オキサトリシクロ[4.2.1.0
4,8]ノナン−2−オン12.48g(59.9mmol)、1−ヒドロキシ−5−メタクリロイルオキシアダマンタン7.08g(30.0mmol)、1−(1−メタクリロイルオキシ−1−メチルエチル)アダマンタン7.86g(30.0mmol)、メタアクリル酸2.58g(30.0mmol)、ジメチル2,2′−アゾビスイソブチレート[和光純薬工業(株)製、商品名「V−601」]2.4g、PGMEA77.35g、PGME33.15gの混合溶液を5時間かけて滴下した。更に同温度で2時間攪拌を続けた。重合溶液は冷却後、ヘプタン:酢酸エチル=9:1(重量比)の混合溶液1400gに攪拌しながら添加し、沈殿させた。生成した沈殿はろ過後乾燥した。得られた樹脂の重量平均分子量(Mw)は4400で分子量分布(Mw/Mn)は1.9であった。また、滴定法により得られたポリマー中のメタクリル酸の割合は7.9wt%であった。
合成例3
下記式で示される高分子化合物の合成
還流管、撹拌子、3方コック、温度計を備えた丸底フラスコに、窒素雰囲気下、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)41.65g、プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)17.85gを入れて温度を90℃に保ち攪拌しながら、5−アクリロイルオキシ−3−オキサトリシクロ[4.2.1.0
4,8]ノナン−2−オン15.82g(76.0mmol)、1−ヒドロキシ−5−メタクリロイルオキシアダマンタン3.59g(15.2mmol)、1−(1−メタクリロイルオキシ−1−メチルエチル)アダマンタン7.97g(30.4mmol)、メタアクリル酸2.62g(30.4mmol)、ジメチル2,2′−アゾビスイソブチレート[和光純薬工業(株)製、商品名「V−601」]2.4g、PGMEA77.35g、PGME33.15gの混合溶液を5時間かけて滴下した。更に同温度で2時間攪拌を続けた。重合溶液は冷却後、ヘプタン:酢酸エチル=9:1(重量比)の混合溶液1400gに攪拌しながら添加し、沈殿させた。生成した沈殿はろ過後乾燥した。得られた樹脂の重量平均分子量(Mw)は4200で分子量分布(Mw/Mn)は1.9であった。また、滴定法により得られたポリマー中のメタクリル酸の割合は7.6wt%であった。
合成例4
下記式で示される高分子化合物の合成
還流管、撹拌子、3方コック、温度計を備えた丸底フラスコに、窒素雰囲気下、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)23.8g、プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)10.2gを入れて温度を90℃に保ち攪拌しながら、5−メタクリロイルオキシ−3−オキサトリシクロ[4.2.1.0
4,8]ノナン−2−オン12.40g(55.8mmol)、1−ヒドロキシ−5−メタクリロイルオキシアダマンタン6.59g(27.9mmol)、2−メチル−2アダマンチルメタクリレート9.81g(41.8mmol)、メタアクリル酸1.20g(13.9mmol)、ジメチル2,2′−アゾビスイソブチレート[和光純薬工業(株)製、商品名「V−601」]2.4g、PGMEA95.20g、PGME40.80gの混合溶液を5時間かけて滴下した。更に同温度で2時間攪拌を続けた。重合溶液は冷却後、ヘプタン:酢酸エチル=9:1(重量比)の混合溶液1400gに攪拌しながら添加し、沈殿させた。生成した沈殿はろ過後乾燥した。得られた樹脂の重量平均分子量(Mw)は3900で分子量分布(Mw/Mn)は1.6であった。また、滴定法により得られたポリマー中のメタクリル酸の割合は4.4wt%であった。
比較合成例1
下記式で示される高分子化合物の合成
還流管、撹拌子、3方コック、温度計を備えた丸底フラスコに、窒素雰囲気下、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)23.80g、プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)10.20gを入れて温度を90℃に保ち攪拌しながら、5−アクリロイルオキシ−3−オキサトリシクロ[4.2.1.0
4,8]ノナン−2−オン13.8g(66.4mmol)、1−ヒドロキシ−5−メタクリロイルオキシアダマンタン6.28g(26.6mmol)、1−(1−メタクリロイルオキシ−1−メチルエチル)アダマンタン9.90g(39.8mmol)、ジメチル2,2′−アゾビスイソブチレート[和光純薬工業(株)製、商品名「V−601」]2.4g、PGMEA95.20g、PGME40.80gの混合溶液を5時間かけて滴下した。更に同温度で2時間攪拌を続けた。重合溶液は冷却後、ヘプタン:酢酸エチル=9:1(重量比)の混合溶液1400gに攪拌しながら添加し、沈殿させた。生成した沈殿はろ過後乾燥した。得られた樹脂の重量平均分子量(Mw)は3700で分子量分布(Mw/Mn)は1.7であった。また、滴定法により得られたポリマー中のメタクリル酸の割合は0.0wt%であった。
比較合成例2
下記式で示される高分子化合物の合成
還流管、撹拌子、3方コック、温度計を備えた丸底フラスコに、窒素雰囲気下、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)23.80g、プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)10.20gを入れて温度を90℃に保ち攪拌しながら、5−アクリロイルオキシ−3−オキサトリシクロ[4.2.1.0
4,8]ノナン−2−オン15.95g(76.6mmol)、1−(1−メタクリロイルオキシ−1−メチルエチル)アダマンタン11.42g(46.0mmol)、メタクリル酸2.64g(30.6mmol)、ジメチル2,2′−アゾビスイソブチレート[和光純薬工業(株)製、商品名「V−601」]2.4g、PGMEA95.20g、PGME40.80gの混合溶液を5時間かけて滴下した。更に同温度で2時間攪拌を続けた。重合溶液は冷却後、ヘプタン:酢酸エチル=9:1(重量比)の混合溶液1400gに攪拌しながら添加し、沈殿させた。生成した沈殿はろ過後乾燥した。得られた樹脂の重量平均分子量(Mw)は3400で分子量分布(Mw/Mn)は1.6であった。また、滴定法により得られたポリマー中のメタクリル酸の割合は8.5wt%であった。
実施例1
合成例1で得られた樹脂1.4gを14gのテトラヒドロフラン(THF)に均一に溶解した。0.01gのp−トルエンスルホン酸を均一に分散させた後に、0.4gの1,4−シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテルを加えて室温で2時間撹拌を行なった。反応液を140gのヘプタンに再沈殿させた。減圧濾過により湿ポリマーを回収し、45℃で10時間減圧乾燥した。得られたポリマーの分子量はMw=34200、Mw/Mn=7.1であった。また、滴定法により得られたポリマー中のメタクリル酸の割合は7.4wt%であった。
実施例2
合成例1で得られた樹脂1.4gを14gのTHFに均一に溶解した。0.01gのp−トルエンスルホン酸を均一に分散させた後に、0.4gの1,4−ブタンジオールジメタノールジビニルエーテルを加えて室温で2時間撹拌を行なった。反応液を140gのヘプタンに再沈殿させた。減圧濾過により湿ポリマーを回収し、45℃で10時間減圧乾燥した。得られたポリマーの分子量はMw=19200、Mw/Mn=5.6であった。また、滴定法により得られたポリマー中のメタクリル酸の割合は1.8wt%であった。
実施例3
合成例2で得られた樹脂1.4gを14gのTHFに均一に溶解した。0.01gのp−トルエンスルホン酸を均一に分散させた後に、0.4gの1,4−シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテルを加えて室温で2時間撹拌を行なった。反応液を140gのヘプタンに再沈殿させた。減圧濾過により湿ポリマーを回収し、45℃で10時間減圧乾燥した。得られたポリマーの分子量はMw=23300、Mw/Mn=5.4であった。また、滴定法により得られたポリマー中のメタクリル酸の割合は1.6wt%であった。
実施例4
合成例3で得られた樹脂1.4gを14gのTHFに均一に溶解した。0.01gのp−トルエンスルホン酸を均一に分散させた後に、0.4gの1,4−シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテルを加えて室温で2時間撹拌を行なった。反応液を140gのヘプタンに再沈殿させた。減圧濾過により湿ポリマーを回収し、45℃で10時間減圧乾燥した。得られたポリマーの分子量はMw=22200、Mw/Mn=4.5であった。また、滴定法により得られたポリマー中のメタクリル酸の割合は2.3wt%であった。
実施例5
合成例4で得られた樹脂1.4gを14gのTHFに均一に溶解した。0.01gのp−トルエンスルホン酸を均一に分散させた後に、0.4gの1,4−シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテルを加えて室温で2時間撹拌を行なった。反応液を140gのヘプタンに再沈殿させた。減圧濾過により湿ポリマーを回収し、45℃で10時間減圧乾燥した。得られたポリマーの分子量はMw=13700、Mw/Mn=3.0であった。また、滴定法により得られたポリマー中のメタクリル酸の割合は1.5wt%であった。
比較例1
比較合成例1で得られた樹脂1.4gを14gのTHFに均一に溶解した。0.01gのp−トルエンスルホン酸を均一に分散させた後に、0.4gの1,4−シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテルを加えて室温で2時間撹拌を行なった。反応液を140gのヘプタンに再沈殿させた。減圧濾過により湿ポリマーを回収し、45℃で10時間減圧乾燥した。得られたポリマーの分子量はMw=10600、Mw/Mn=2.6であった。また、滴定法により得られたポリマー中のメタクリル酸の割合は0.2wt%であった。
比較例2
比較合成例2で得られた樹脂1.4gを14gのTHFに均一に溶解した。0.01gのp−トルエンスルホン酸を均一に分散させた後に、0.4gの1,4−シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテルを加えて室温で2時間撹拌を行なった。反応液を140gのヘプタンに再沈殿させた。減圧濾過により湿ポリマーを回収し、45℃で10時間減圧乾燥した。得られたポリマーの分子量はMw=13500、Mw/Mn=2.9であった。また、滴定法により得られたポリマー中のメタクリル酸の割合は0.5wt%であった。
レジスト特性の評価
(ポジ型レジスト組成物組成物の調製と評価)
実施例で合成した樹脂をそれぞれ0.2g、光酸発生剤トリフェニルスルホニウム=トリフルオロメタンスルホナート 0.006g、有機塩基性化合物(2,2′,2′′−ニトリロトリエタノール)0.00006gを配合し、固形分が10重量%となるようにプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート/プロピレングリコールモノメチルエーテル=6/4(重量比)に溶解した後、0.1μmのミクロフィルターで濾過し、ポジ型レジスト組成物を調製した。
評価試験
4インチシリコンウエハー上に得られたポジ型フォトレジスト組成物溶液をスピンコータを利用して塗布し、100℃で60秒間乾燥、約0.05μmのポジ型フォトレジスト膜を作成し、それにArFエキシマレーザー(193nm)で露光量を変えながら露光した。露光後の加熱処理を100℃で60秒間行い、2.38%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で現像、蒸留水でリンスし、露光パターンを得た。露光部のうちレジスト膜の途中まで現像された部分の表面を原子間力顕微鏡(AFM)で1000nmの直線上を走査して表面粗さを測定した。結果を表1に示す。