KR970002470A - 포지티브형 포토레지스트 조성물 - Google Patents

포지티브형 포토레지스트 조성물 Download PDF

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아키요시 야마자키
요시카 사카이
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Abstract

본 발명은, 고감도 및 고해상도를 지니고, 고립패턴에서도 우수한 단면형상을 가지는 미세패턴레지스트층을 부여할 수 있는 화학감광형의 신규한 포지티브형 포토레지스트 조성물에 관한 것으로, 이 조성물은, 화학감광형 포토레지스트 조성물의 기본성분으로서, (a) 화학선조사로 산을 발생하는 화합물, (b) 산존재하에 알칼리 현상용액속에서 용해도가 증가될 수 있는 수지성분, (c) 케톤, 에테르 또는 에스테르인 유기용제 이외에도 (d) 성분(b)에 대해 특정비율로 N,N-디메틸포름아미드 및 N,N-디메틸아세트아미드와 같은 N,N-디알킬카르복실산아미드로 이루어진다.

Description

포지티브형 포토레지스트 조성물
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (10)

  1. 균일한 용액의 형태로; (a) 화학선조사로 산을 발생할 수 있는 화합물; (b) 산 존재하에서 알카리수용액 속에서 용해도가 증가될 수 있는 수지화합물; (c) 케톤화합물, 에테르 화합물 및 에스테르화합물로 이루어진 군에서 선택된 유기용제 및 (d) 성분(b)의 양에 대해 0,1%~5중량%의 범위내의, 카르복실산의 탄소수가 1~4이고, N-치환알킬기의 탄소수가 각각 1~4인, N,N-디알킬카르복실산아미드로 이루어지는 포지티브형 포토 레지스트 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 성분(d)로서의 N,N-디알킬카르복실산아미드는 N,N-디메틸포름아미드 또는 N,N-디메틸아세트아미드인 것을 특징으로 하는 포지티브형 포토 레지스트 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 성분(a)는 비스(술포닐)디아조메탄화합물, 술포닐카르보닐알칸화합물, 술포닐카르보닐디아조메탄화합물, 니트로벤질술포네이트화합물, 폴리히드록시화합물과 지방족 또는 방향족 술폰산의 에스테르 및 오늄염으로 이루어지는 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 포지티브형 포토레지스트 조성물.
  4. 제3항에 있어서, 성분(a)는 비스(시클로헥실술포닐)디아조메탄 또는 비스(2,4-디메틸페닐술포닐)디아조메탄인 것을 특징으로 하는 포지티브형 포토레지스트 조성물.
  5. 제1항에 있어서, 성분(b)는, tert-부톡시카르보닐옥시기, tert-부틸옥시기, tert-아밀옥시카르보닐옥시기 및 아세탈기들로 이루어진 군에서 선택된 보호기로 히드록시기의 적어도 일부를 치환한 폴리(히드록시스티렌) 수지인 것을 특징으로 하는 포지티브형 포토레지스트 조성물.
  6. 제5항에 있어서, 폴리(히드록시스티렌)수지는 보호기에 의해 히드록시기의 10~60%가 치환된 것을 특징으로 하는 포지티브형 포토레지스트 조성물.
  7. 제6항에 있어서, 성분(b)는, tert-부톡시카르보닐옥시기에 의해 히드록시기의 10~60%가 제1폴리(히드록시스티렌) 수지와, 일반식
    -O-CR1R2(OR3)
    (식 중, R1은 수소원자 또는 메틸기이고, R2는 메틸기 또는 에틸기이고, 탄소수 1~4의 저급알킬기이다)로 표현된 기에 의해 히드록시기의 10~60%가 치환된 제2폴리(히드록시스티렌)수지가 중량비 10;90~70:30으로 조합된 것을 특징으로 하는 포지티브형 포토레지스트 조성물.
  8. 제5항에 있어서, 폴리(히드록시스티렌)수지는 3000~30000의 범위의 중량-평균분자량을 가지는 것을 특징으로 하는 포지티브형 포토레지스트 조성물.
  9. 제1항에 있어서, 성분(a)의 양은 성분(b)의 100중량부당 1~20중량부인 것을 특징으로 하는 포지티브형 포토레지스트 조성물.
  10. 제1항에 있어서, 성분(d)의 양은 성분(b)의 양에 대해 0.5~3중량%의 범위인 것을 특징으로 하는 포지티브형 포토레지스트 조성물.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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