KR950029860A - 양성 레지스트 조성물 - Google Patents
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Abstract
원자외선(deep-UV)나 엑시머 레이저광, X선, 전자빔용 레지스트로써 개량된 화학증폭형의 양성레지스트 조성물이 개시된다.
이 조성물은 (A)산의 작용에 의해 알칼리 수용액에 대한 용해성이 증대하는 수지성분과 (B)방사선의 조사에 의해 산을 발생하는 화학물을 포함하며, 상기(A)성분이 (a)수산기의 10-60몰%가 tert-부톡시카보닐옥시기로 치환된 폴리히드록시스티렌, 및 (b)수산기의 10-60몰%가 하기 식(Ⅰ)의 잔기로 치환된 폴리히드록시스티렌, 의 혼합물인 양성레지스트 조성물이며, 또한 상기 (A)성분, (B)성분, 및 필요에 따라 (C)유기 카복실산 화합물을 함유한 양성레지스트 조성물이다.
(식중R1은 수소원자 또는 메틸기이며, R2는 메틸기 또는 에틸기이며, R3는 탄소수 1-4인 저급알킬기이다)
상기 양성레지스트 조성물은 고감도, 고해상성을 내열성이 우수하며, 특히 (A)성분, (B)성분, 및 (C)유기카복실산 화합물을 함유한 양성 레지스트조성물은 노출후 저장 안정성, 프로필 형상이 우수하면서 기판에 의존하지 않는 양호한 레지스트 패턴을 형성할 수 있으며, 초 LSI의 제조공정의 미세가공에 유용하다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (28)
- 산의 작용에 의해 알카리수용액에 대한 용해성이 증대하는 수지성분(A)와 방사선 조사에 의해 산을 발생하는 화합물(B)를 포함하는 양성 레지스트 조성물에 있어서, 성분(A)가 (a)수산기의 10∼60몰%가 tert-부톡시-카보닐옥시기로 치환된 폴리히드록시스티렌과 (b)수산기의 10∼60몰%가 하기 일반식(I)로 나타내어지는 잔기로 치환된 포리히드록시스티렌과의 혼합물인 것을 특징으로 하는 양성레지스트 조성물(식중R1은 수소원자 또는 메틸기이며 R2는 메틸기 또는 에틸기이며, R3는 탄소수 1∼4인 저급알킨기이다.)
- 제1항에 있어서, 상기 성분(A)는 (a)성분 10∼70중량%와 (b)성분 30∼90중량%로 구성된 혼합물임을 특징으로하는 양성레지스트 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 성분(B)는 비스술포닐디아조메탄계 산발생제임을 특징으로 하는 양성레지스트 조성물.
- 제3항에 있어서, 상기 비스술포닐 디아조메탄계 산발생제는 비스(시클로헥실술포닐)디아조메탄과 비스(2,4-디메틸페닐술포닐)디아조 메탄으로 구성되는 그룹에서 선택된 최소 1종임을 특징으로 하는 양성레지스트 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 성분(B)는 니트로벤질계 산발생제, 폴리히드록시화합물과 지방족이나 방향족 술폰산 에스테르계 산발생제, 오니움염계 산발생제 및 벤조인 토실레이트계 산발생제로 구성되는 그룹으로 선택된 최소 한가지임을 특징으로 하는 양성레지스트 조성물.
- 제5항에 있어서, 상기 니트로벤질계 산발생제는 2,6-디니트로벤질-P-톨루엔술포네이트임을 특징으로 하는 양성레지스트 조성물.
- 제5항에 있어서, 상기 폴리히드록시 화합물과 지방족이나 방향족 술폰산에스테르계 산발생제는 피로갈롤트리메실레이트(pyrogallol trimesylate)임을 특징으로 하는 양성레지스트 조성물.
- 제5항에 있어서, 상기 오니움염계 산발생제는 비스(p-tert-부틸페닐)요오도늄 트리플루오로 메탄 술포네이트 혹은 트리페닐 술포니움 트리플루오로 메탄술포네이트임을 특징으로 하는 양성 레지스트 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 성분(B)의 함량은 성분(A)의 100중량부에 대하여 1-20중량부임을 특징으로 하는 양성레지스트 조성물.
- 제1항에 있어서, 부가적으로 광흡수제 포함함을 특징으로 하는 양성레지스트 조성물.
- 제10항에 있어서, 상기 광흡수제는 벤조페톤임을 특징으로 하는 양성레지스트 조성물.
- (A)산성분에 의해 알카리 수용액에 대한 용해성이 증대하는 수지성분, (B)방사선 조사에 의해 산을 발생하는 화합물, 및 (C)유기 카복실산 화합물을 함유하고, 상기(A)성분이 (a)수산기의 10-60몰%가 tert-부톡시-카보닐옥시기로 치환된 폴리히드록시-스티렌 및 (b)수산기의 10-60몰%가 하기 일반식(I)의 잔기로 치환된 폴리히드록시 스티렌과의 혼합물인 양성레지스트 조성물.(단, 상기 식에서 R1은 수소원자 또는 메틸기이고, R2는 메틸 또는 에틸기이며, R3는 탄소수 1-4인 저급알킬이다.)
- 제12항에 있어서, 상기 성분(A)는 10-70중량%의 30-90중량%의 성분(b)로 이루어진 혼합물임을 특징으로 하는 양성레지스트 조성물.
- 제12항에 있어서, 상기 성분(B)는 비스-술포닐 디아조메탄계 산발생제임을 특징으로 하는 양성레지스트 조성물.
- 제14항에 있어서, 상기 비스-술포닐 디아조메탄계 산발생제는 비스(시클로헥실술포닐) 디아조메탄과 비스(2, 4-디메틸페닐술포닐)디아조메탄으로 구성되는 그룹에서 선택된 최소 한가지임을 특징으로 하는 양성레지스트 조성물.
- 제12항에 있어서, 상기 성분(B)는 니트로벤질계 산발생제, 폴리히드록시화합물과 지방족이나 방향족산 에스테르계 산발생제, 오니움염계 산발생제, 및 벤조인 토실레이트계 산발생제로 구성되는 그룹으로 선택된 최소 한가지임을 특징으로 하는 양성레지스트 조성물.
- 제16항에 있어서, 상기 니트로벤질계 산발생제는 2, 6-디니트로벤질-p-톨루엔술포네이트임을 특징으로 하는 양성레지스트 조성물.
- 제16항에 있어서, 상기 폴리히드록시 화합물과 지방족 또는 방향족술폰산 에스테르계 산발생제는 피로갈롤 트리메실레이트임을 특징으로 하는 양성레지스트 조성물.
- 제16항에 있어서, 상기 오니움 염계 산발생제는 비스(p-tert-부틸페닐)요오도늄 트리플루오로메탄 술포네이트 혹은 트리페닐술포니움 트리플루오로메탄 술포네이트임을 특징으로 하는 양성 레지스트 조성물.
- 제12항에 있어서, 상기 성분(B)의 함량은 성분(A)의 100중량부를 기준으로 1-20중량부임을 특징으로 하는 양성레지스트 조성물.
- 제12항에 있어서, 상기 성분(C)는 방향족 카복실산 화합물, 지환식 카복실산 화합물(alicyclic carboxylic acid) 및 불포화 지방족 카복실산 화합물로 구성되는 그룹에서 선택된 최소 한가지임을 특징으로 하는 양성레지스트 조성물.
- 제21항에 있어서, 상기 방향족 카복실 화합물은 하기 일반식(V)의 화합물임을 특징으로 하는 양성레지스트 조성물.(단, 상기 식에서R11과 R12각각은 독립적으로 수소원자, 수산기, 니트로기, 카복실기 또는 비닐기이며, R11과 R12양자모두가 수소원자인 것을 제외한다.)
- 제21항에 있어서, 상기 방향족 카복실화합물은 하기 일반식(Ⅵ)로 나타내어짐을 특징으로 하는 양성 레지스트조성물.(단, 상기 식에서 n은 0 또는 1-10의 정수이다.)
- 제21항에 있어서, 상기 치환식 카복실산은 1,1-시클로헥산디카복실산, 1, 2-시클로헥산디카복실산, 1,3-시클로헥산디카복실산, 1,4-시클로헥산디카복실산, 및 1,1-시클로헥실디아세트산으로 구성되는 그룹에서 선택된 최소 1종임을 특징으로 하는 양성레지스트 조성물.
- 제21항에 있어서, 상기 불포화 지방족 카복실산은 아크릴산, 크로톤산, 이소크로톤산, 3-부텐산, 메타크릴산, 4-펜텐산, 프로피올산, 2-부틴산, 말레산, 퓨마르산 및 아세틸렌 카복실산으로 구성되는 그룹에서 선택된 최소 1종임을 특징으로 하는 양성 레지스트 조성물.
- 제12항에 있어서, 상기 성분(C)의 함량은 상기 성분(A) 및 (B)의 합계량을 기준으로 0.01-1중량% 임을 특징으로 하는 양성 레지스트 조성물.
- 제12항에 있어서, 부가적으로 광흡수제를 포함한 것을 특징으로 하는 양성레지스트 조성물.
- 제27항에 있어서, 상기 광흡수제는 벤조페논임을 특징으로 하는 양성 레지스트 조성물.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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