TW394861B - Positive resist composition - Google Patents

Positive resist composition Download PDF

Info

Publication number
TW394861B
TW394861B TW084103540A TW84103540A TW394861B TW 394861 B TW394861 B TW 394861B TW 084103540 A TW084103540 A TW 084103540A TW 84103540 A TW84103540 A TW 84103540A TW 394861 B TW394861 B TW 394861B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
acid
resist composition
group
positive resist
scope
Prior art date
Application number
TW084103540A
Other languages
English (en)
Inventor
Mitsuru Sato
Kazuyuki Nitta
Akiyoshi Yamazaki
Etsuko Iguchi
Yoshika Sakai
Original Assignee
Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP6286168A external-priority patent/JP2960656B2/ja
Application filed by Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd filed Critical Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Application granted granted Critical
Publication of TW394861B publication Critical patent/TW394861B/zh

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/0045Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Description

經濟部中央標隼局員工消费合作社印製 A7 B7五、發明説明(3 ) 琎明夕枋谢镅城 本發明係有闞一種正型阻劑組成物,更詳而言之,係 有關一種高感度、高解析性,且耐熱性及經時安定性均優 ,不依存於基板且可形成輪廊形狀優異之阻劑圖案,對紫 外線、遠紫外線、準分子雷射、X線、及電子束等之放射 線都能感應的化學增幅型之正型阻劑組成物(POSITIVE TYPE RESIST COMPOSITION,本文中稱為正型阻劑組成物) 0 琎昍赀暑 以注,於1C或LSI等之半導體裝置的製造過程中,係 使用光阻劑組成物之光蝕刻術進行微细加工。逭是在矽晶 圓上形成光阻劑組成物的薄瞑,於其上介由一繪有半導體 裝置圃案之光罩圖案而照射紫外線等之活性光線,再Μ此 顯像所得到之阻劑圖案作為保護膜而蝕刻該矽晶圓。而且 ,於此方法中所使用之適當光阻劑組成物已知係於被膜形 成用之鹼性可溶性酚醛樹脂組合一含醌二叠氮基化合物所 構成之感光成分而形成的正型光阻劑組成物。 但,近年半導體裝置之高度集積化急速昇高,於超 LSI等之製造中遂要求次微米領域或1/4微米領域之超微细 圈案的加工精度,伴隨此而有茈光波畏亦從s線傾向ί線、 deep-UV,進而KrF雷射等之準分子雷射或電子束所謂的短 波畏化,琨在使用deep-UV光、準分子雷射光、及霣子束 之光蝕刻(Lithography)在此領域乃成為受注目之重要加 工技術。 本紙張又度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) 〇 (請先k讀背面之注意事項再填"本頁) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明(4 ) 習知之g線或i線用的酚醛醌二叠氮糸阻劑,因對故射 線,尤其是deep-UV或準分子雷射光的吸收很大,故期待 一種對逭些射線吸收很少之聚羥基苯乙烯為基劑樹脂之化 學增幅型阻劑。 上述化學增幅型阻劑係一種利用賴放射線照射生成之 酸的觸媒作用的阻劑,具有高感度及解析性,且具有只需 求少虽以放射線之照射產生酸的化合物(K下稱酸產生劑) 之優點。前述化學增幅型阻劑具有正型與負型之兩種形式 ,前者之正型阻劑一般係由酸產生劑與藉此酸之作用增大 對鹼性水溶液之溶解性的樹脂成分(K下稱樹脂成分)所櫞 成。另外,負型阻劑係由酸產生劑、交聯劑及鹸性可溶性 樹脂成分所構成的。 此種化學增幅型阻劑已知例如聚乙烯基酚之羥基被第 三級丁氣基羰氧基等取代之樹脂成分、及使用错塩作為酸 產生劑之阻劑(美國専利第4491628號說明書),又,亦已 知有由對-(第三级丁氧基羰氧基)苯乙烯之聚合體及萘醌 -1,2 -二叠氮-4-磺酸及雙酚A之酯化合物所構成之化學增 幅型的正型放射線感應組成物(特開平3-249654號公報)。 然而,上述既存之化學增幅型正型阻劑,對於放射線 ,尤其deep-UV光、準分子雷射光之吸收很大,透過性未 必很充分,感度、解析性及耐熱性亦不能充分滿足,又. 於輪廓形狀、斷面形狀具有成為一圖莱上部分較廣的形狀 之阻劑圖案傾向,並非實用上可滿足之阻劑。進而,對化 學增幅型阻劑特有之曝光所產生酸,酸之失去活性現象· 本紙張尺度適用中國困家標準(CNS ) A4规格(210X297公釐) --^------Λί 裝--1 (請先閱讀背面之注意事項再填舄本頁) 訂 線 4 經濟部中央標华局員工消費合作社印裝 A7 B7 五、發明説明(5 ) 曝光後放置一定時間後,會有顯像時之圖案形狀劣化的問 題(長時間安定性)。而且,習知之化學增幅型正型阻劑具 有對基板之依存性,依基板之種類而有時會形成下擗折損 之阻劑圖案。 因此,本發明人等為開發出一種無上述問題之化學增 幅型正型阻劑組成物,經銳意研究结果,發琨一種正型阻 劑組成物,含有(A)賴酸之作用增大對驗性水溶液之溶解 性的樹脂成分與(B)酸產生劑,其中前述(A)樹脂成分為 U)20-50其耳知之羥基被第三級丁氧基羰氧基取代之聚羥 基苯乙烯、與(b)20-50奠耳〆之羥基被通式(I) R'
I —〇一C—OR'1 ([)
I R- (式中,R1為氫原子戎甲基,R2為甲基或乙基,R3為低級 烷基)所示之基取代的聚羥基苯乙烯之混合物;Μ及,一 種正型阻劑組成物含有前述(Α)成分、(Β)成分、及(C)有 櫬羧酸化合物;該等組成物具有高感度、高解析性、且耐 熱性及長時間安定性均優,不會依存於基板,可形成輪廊 形狀優異之阻劑圖案;終完成本發明。 發明夕軀怵 本發明之目的在於提供一種對於放射線、尤其dee Ρ- UV或準分子雷射光之透過性優異,具有高感度、高解析性 ,而且耐熱性及長時間安定性均優之正型咀劑組成物。 又,本發明之目的在於提供一種依存於基板且可形成 本紙張尺度適用中國國家梂準(CNS > A4規格(210X297公釐) "~""": I一—一------^—裝------訂------" 線 -·* 一 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ⑴ A7 B7 五、發明説明(6 ) 輪廊形狀優異之阻劑圖案的正型阻劑組成物。 琎明夕洚說明 為達成上述目的之本發明係有關一種正型阻劑組成物 ,其含有藉(A)酸之作用增大對鹼性水溶液之溶解性的樹 脂成分、及(B)酸產生劑,Μ及有翮一種正型阻劑組成物 ,具含有前述(Α)樹脂成分、(Β)酸產生劑、及(C)有機羧 酸化合物。 本發明之組成物所使用之(Α)樹脂成分係(a)20-50箅 耳涔之羥基被第三級丁氧基羰氧基所取代之聚羥基苯乙烯 、與(b)20-50莫耳%之羥基被通式(I) R1 -0-C-0R''
I R- (式中,R1為氫原子或甲基,R2為甲基或乙基,R3為低級 烷基)所示之基所取代之聚羥基苯乙烯之混合物,前述(a) 成分為10-70重量〆、(b)成分為30-90重量X,較佳係(a) 成分為20-50重量涔,(b)成分為50-80重量舛之範圍的調 配比率之混合物。 本發明之(b)成分中的通式(I)所示殘基的具體例可舉 出如1-甲氧基乙氣基、1-乙氧基乙氧基、1-正丁氧基乙氧 基、1-異丁氧基乙氧基、1-(1.1-二甲基乙氧基)-ι-甲基 乙氧基、1-甲氧基-1-甲基乙氧基、1-乙氧基-1-甲基乙氧 基、1-正丙氧基-卜甲基乙氧基、1-異丁氧基-1-甲基乙餌 基、1-甲氧基-正丁氧基、1-乙氧基-正丁氧基等。其中, 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) m I n —^n I - - nv\ 1— 1..... 1^1 TT-J.il I 一^ —I ........ RK -! I— 1-n - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央橾隼局員工消費合作社印裴 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(7 ) 尤其Ml-乙氧基乙氧基及1-甲氧基-正丁氧基為佳,因感 度、解析力均衡良好地提昇。 本發明之正型阻劑組成物係從酸產生劑產生之酸,可 分解Μ第三级丁氧基羰氧基或通式所示殘基等,此等對樹 脂成分之鹸溶解性與溶解阻礙能充分平衡,可達成高感度 、高解析性及高耐熱性。 上述(a)成分是使聚羥基苯乙烯之羥基藉例如二第三 級丁基-二碳酸酯等之作用,而依公知之取代反應被第三 级丁氧基羰氧基所取代而得者,其取代率較好為20 - 50舆 耳涔。此取代率為20莫耳%以下時,無法 得到輪廊形狀優異之阻劑圖蒹.若超過50舆耳涔,因感度 會下降故不佳。 另外,(b)成分係聚羥基苯乙烯之羥基輻例如1-氣-乙 氧基乙烷或1-氛-卜甲氧基丙烷等之作用,而依公知之取 代反應被前述通式(I)之殘基所取代而成者,其取代率較 好為20-50莫耳涔。此取代率在20莫耳%以下時,無法得 到形狀優異之圖案,又,若超過50莫耳〆,因阻劑之感度 下降故不佳。 進而,上述各樹脂成分之重量平均分子量,依凝膠透 過色層分析法(GPC)並Μ聚苯乙烯為基準,分析结果在 3000- 3 0000之範圍。里董平均分子量在前述範圍>乂下,被 膜性變差;若超過上述範圍,對於醮性水溶液之溶解性會 下降。 本發明所使用之酸產生痛可使用自Μ往即公知作為酸 本紙張尺度適用中國國家梂準(CNS ) Α4说格(210乂297公釐) I ^ I II ί 批衣 n 一 .1— 訂 11 n 線 - - f. (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印說 A7 B7 五、發明説明(8 ) 產生劑者,並無特別限制,但具髏上,可舉例如:(i)雙 (對-甲苯磺釀)二偁氮甲烷、甲基磺醜-對-甲苯磺醯二偁 氮甲烷、1-環己基磺醯-1-(1,1-二甲基乙基磺醯)二偶氮 甲烷、雙(1,1-二甲基乙基磺醯)二偶氮甲烷、雙(1-甲基 乙基磺豳)二偁氮甲烷、雙(環己基磺_)二偶氮甲垸、雙 (2,4-二甲基苯基磺醣〉二偁氮甲烷、雙(4-乙基苯基磺釀 )二偁氮甲烷、雙(3 -甲基苯基磺醢)二偶氮甲烷、雙(4 -甲 氧基苯基磺醯)二偶氮甲烷、雙(4-氟苯基磺醢)二偶氮甲 烷、雙(4 -氮苯基磺醢)二偶氮甲烷、雙(4-第三級丁基笨 基磺醯)二偶氮甲烷等之雙磺醯二偶氮甲烷類;(ii)2-甲 基-2-(對甲苯磺醢)丙醯苯、2-(環己基羰基)-2-(對甲苯 磺醯)丙烷、2 -甲烷磺醢-2-甲基- (4 -甲基硫)丙醢苯、2,4 -二甲基-2-(對甲苯磺醢)戊烷-3-嗣等之磺醢羰基烷類;( 對-甲苯磺醢-1-環己基羰二偁氮甲烷、1-二偶氮-1-甲基磺醢-4-苯基-2-丁酮、1-環己基磺醢-1-瓖己基羰基 二偶氮甲烷、1-二偁氮-1-環己基磺醯-3,3-二甲基-2- 丁 嗣、1-二偁氮-1-(1,1-二甲基乙基磺釀)-3,3-二甲基- 2-丁_、1-乙醯-1-(1-甲基乙基磺醯)二偶氮甲烷、1-二偶 氮-1-(對甲苯磺醯)-3.3-二甲基-2 -丁酮、1-二偁氮-1-苯 磺釀-3,3-二甲基-2-丁酮、1-二偶氮-1-(對甲苯磺_ )-3-甲基-2-丁酮、2 -偁氮-2-(對甲苯磺醣)醋酸瑁己酯、2 -偶 氮-2 -苯磺醢醋酸第三級丁酯、2 -二偶氮-2-甲烷磺豳醋酸 異丙_、2 -二偶氮-2-苯磺醢醋酸瑁己酯、2-二偶氮-2-( 對甲苯磺醢)醋酸第三级丁 _等之磺醢羰基二偁氮甲烷類 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ' —' 一 f Λ ^ ~ 裝 . 訂 1 』 .· ί , (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(9 ) ;(iv)對甲苯磺酸2-硝基苯甲酯、對-甲苯磺酸2 ,6-二硝 基苯甲酯、對三氟甲基苯磺酸2,4-二硝基苯甲酯等之硝基 苯甲酯衍生物;(v)l,2 ,3-三羥基苯之甲烷確酸酯、1,2,3 -三羥基苯之苯磺酸酯、1,2,3-三羥基苯之對甲苯磺酸酯 (1,2,3-三羥基苯甲苯磺酸酯)、1,2,3-三羥基苯之對甲 氧基苯磺酸酯、1,2,3 -三羥基苯之均三甲基苯磺酸酯、 1,2,3 -三羥基苯之苯甲基磺酸醚酯、沒食子酸烷酯之甲烷 磺酸酯、沒食子酸烷酯之苯磺酸酯、沒食子酸烷酯之對-甲苯磺酸酯、沒食子酸烷酯之對甲氧基苯磺酸酯、沒食子 酸烷酯之均三甲基苯磺酸酯、沒食子酸烷酯之苯甲基磺酸 酯等之聚羥基化合物與脂肪族或芳香族磺酸酯類等。前述 沒食子酸烷酯中之烷基宜為碳數1〜15之烷基,尤宜為辛 基及月桂基。又,(vi)亦可使用如下通式(H )、(H )所示 絡塩系酸產生劑、(vii)如下之通式(IV)所示之安息香酸 甲苯磺酸酯糸酸產生劑。 通式(H ) R4- I + -R5X- ( tt ) 通式(I ) R6
I R4-S + -R5X~ ( IB ) (R4、R5及R6為芳基、具有取代基之芳基,分別亦可為相 同或相異,X -為 AsPr、SbFe- · PPs·、BPr、C F :3 S Ο 3 -之 任一者) 通式(I V ) 本紙張尺度適用t國國家橾準.(CNS, > A4規格(210 X 297公釐) ^ η . Ϊ IN Ί 訂 I I * * 線 - (請先閲讀背而之注意事項耳填寫本页) A7 B7 五、發明説明(1〇 〇 II R7-C- R9' R| 0S02-Rrt
(IV (R7、R8為芳基、具有取代基之芳基,相同或相異均可; R9、R10為氫原子、低級烷基、羥基、芳基,相同或相異 均可;η為0或1)。 Μ上述通式(II)、(01)所示之絲塩的具體例可舉以下 之化合物為例。 二苯基碘絲四氟硼酸塩
QrQ PF« (請先間讀背面之注意事項再填莴本頁) 裝 — ---訂 二苯基碘错六氟磷酸塩
SbF« 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 二苯基碘鑰六氟銻酸塩 CFnSOn 二苯基碘鎗三氟甲烷磺酸塩
CH
SbFrt --(線-------- (4-甲氧基苯基)苯基磺鎗六氟睇酸塩 本紙張尺度適用中國國家橾準(CNS ) A4规格(210X297公釐) 10 A7 B7 五、發明説明(n ) CH; CF;,SOn (4 -甲氧基苯基)苯基碘错三氟甲烷磺酸塩 第三級丁基 第三級丁基BF4 雙(對-第三級丁基苯基)碘絲四氟硼酸塩 第三级丁基
第三級丁基PF6 雙(對第三級丁基苯基)碘铕六氟磷酸塩 第三級丁基
第三級丁基SbF6 雙(對第三级丁基苯基)碘銪六氟銻酸塩 第三级丁基 — IJ-----裝------訂-----·}線 (靖先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部中央標準局員工消费合作社印IL ~QrOr 第三級丁基CP3S〇3 雙(對第三级丁基苯基)碘鎗三氟甲烷磺酸塩
PF,- 三苯基碑铕六氟磷酸塩 本紙張尺度適用中國國家梂準(CNS ) A4規格(210X297公釐) [ 11 A7 B7 五、發明説明(1 2 ) 0-1-0
SbF«
三苯基硫错六氟銻酸塩
CFnSO, 三苯基碲絲三氟甲烷磺酸塩
SbF; (4 -甲氧基苯基)二苯基硫鎗六氣銻酸塩 u--^---:1#裝------訂--------'Γ 線 (請先闊讀背面之注意事項洱填寫本頁) 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製
CFuSOa
(4 -甲氧基苯基)二苯基硫鑲三氟甲烷磺酸塩 CFnSCK
本紙張^度逍用中國國家梂準((:1^)众4規格(2丨0乂297公釐) 12 A7 B7 五、發明説明(13 ) (4 -甲基苯基)二苯基碲_三氟甲烷磺酸塩 CHn Ο 二(4 -甲基苯基)苯基硫_三氟甲烷磺酸塩
CHaCF.SOn (請先閱讀背而之注意市項再填寫本頁) # 三(4 -甲基苯基)硫銪三氟甲烷磺酸塩
、1T CH,
CF.SOn 經濟部中央標準局®c工消費合作社印製 (2,4,6-三甲基苯基)二苯基硫絡三氟甲烷磺酸塩 第三級丁
CF;,SO:, (4 -第三級丁基苯基)二苯基硫铕三氣甲烷磺酸塩 本紙張尺度適用中國國家橾準(CNS > Μ規相(210X297公釐) A7 B7 五、發明説明(14 ) pf" ο 二苯基[4-(苯基硫)苯基]硫错之氟磷酸塩
SbF«. 二苯基[4-(苯基硫)苯基]碲雜六氟綈酸塩 上述絡塩之中,K三氣甲烷磺酸塩作為陰離子之羧塩 因不包含半導體元件製造時所使用之磷、硼、銻等之擴散 劑,故較佳。 U⑴”§#二苯,||^㈣㈣ms㈣m 例如下之化合物。0 -CH.1 (請先間讀背而之注意事項再填窩本頁) —訂 線 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 C-CH/-CHr-OSO, 〇 〇H C^cTch,'〇s°,\i_yό CH, ^-C-CH.-CH-OSO,hQ)- 0 CH, 本紙張尺度適用中國國家梂準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 14 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 A7 __B7_ 五、發明説明(15 ) 上述酸產生劑可使用1種,亦可組合2棰Μ上使用。前 述酸產生劑之中,適宜準分子雷射用之阻劑者,尤Μ雙磺 醯二偶氮甲烷類為佳,其中又Κ雙(環己基磺醯)二偁氮甲 烷及雙(2,4 -二甲基苯基磺醯)二偶氮甲烷為適宜。 又,電子束用阻劑之酸產生劑除上述(i)、(iii)M外 之酸產生劑,尤K(iv)之硝基苯甲基衍生物為佳、其中又 Μ對甲苯磺酸2,6 -二硝基苯甲酯較佳、(v)之聚羥基化合 物之脂肪族或芳香族磺酸酯為佳、其中又Μ 1,2,3 -三羥基 苯甲苯磺酸酯較佳,(vi)之铕塩為佳,其中又Μ雙(對-第 三丁基苯基)碘鑷三氟甲烷磺酸塩、三苯基硫鑰三氟甲烷 磺酸塩較佳、及(vii)安息香酸甲苯磺酸酯糸酸產生劑為 佳0 上述酸產生劑之調配比率相對於樹脂成分100重量份 為1〜20重量份,較佳係2〜10重量份之比率。酸產生劑為 1重量份Μ下時,效果不彰,若超過20重量份,無法完全 溶於溶劑中,與樹脂成分之混和性也含變差。 本發明中藉由添加有懺羧酸化合物,可肜成斷面形吠 良好之阻劑圖案,同時W光後之長時間安定性亦優。進而 ,對於各棰基板可得到斷面肜狀良好之阻劑圖案。 本發明所使用之有櫬羧酸化合物,可使用飽和或不飽 和脂肪族浚酸、脂環族羧酸、氧羧酸、烷氧基梭酸、嗣類 酸、芳香族羧酸等之任一者,並無特別限定,可舉例甲酸 、醋酸、丙酸、丁酸、異丁酸、滿酸、丙二酸、琥珀酸、 戊二酸、己二酸等之1價或多價脂肪族羧酸、1,1-環己烷 本紙張尺度適用中國國家橾準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) ^ ' ' (請先閱讀背而之注意事項再填释本頁) .~ 裝--------訂 線--
COOH
A7 B7 五、發明説明(16 ) 二羧酸、1,2 -環己烷二羧酸、1,3 -環己烷二羧酸、1,4 -環 己烷二羧酸、.1,1-環己基二醋酸之脂環族羧酸、丙烯酸、 巴豆酸、異巴豆酸、3-丁烯酸、甲基丙烯酸、4-戊烯酸、 丙炔酸、2 -丁炔酸、馬來酸、反丁烯二酸、乙炔羧酸等之 不飽和脂肪族羧酸、氧醋酸等之氧羧酸、甲氧基醋酸、乙 氧基醋酸等之烷氧基羧酸、丙酮酸等之酮羧酸或通式(V) (V) [式中,R11及R12分別表示獨立之氫原子、羥基、硝基 羧基、乙烯基(但R11及R12均為氫原子時除外)] 及通式(V I) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
0H
(VI) 經濟部中央標準局負工消f合作社印裝 [式中,η為0或1〜10之整數] 所示之芳香族羧酸等,但宜使用脂瑁族梭酸化合物,不飽 合脂肪族羧酸化合物及芳香族羧酸化合物。 Μ上述通式(V)所示之芳香族羧酸化合物可舉例如對 -羥基安息香酸、鄰-羥基安息香酸、2 -羥基-3-硝基安息 香酸、3,5-二硝基安悤香酸、2 -硝基安息香酸、2,4-二羥 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) 16 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 _B7_ 五、發明説明(17 ) 基安息香酸、2,5-二羥基安息香酸、2,6-二羥基安息香酸 、3,4 -二羥基安息香酸、3, 5 -二羥基安息香酸、2 -乙烯基 安息香酸、4 -乙烯基安息香酸、酞酸、對酞酸、異酞酸等 ,尤其郯位具有取代基之安息香酸、例如鄰-羥基安息香 酸、郯-硝基安息番酸、酞酸等為適宜。 又,Μ通式(VI)所示之芳香族羧酸化合物,亦可使用 式中之η為單一者、或組合不同種者,但實用上酚化合物 宜使用市售之SAX(商品名,三井東壓化學社製)。 Μ上述通式(V)及(VI)所示之芳香族羧酸化合物可分 別單獨使用,亦可混合2種Μ上使用。藉由此等芳香族羧 酸化合物之調配可形成斷面形狀良好之阻劑圖案,同時, 曝光後之長時間安定性優、曝光後到胞予加熱處理為止的 時間雖長也無妨,可形成良好之輪郵形狀,尤其Μ通式( VI)所示芳番族羧酸化合物為佳,因可形成矩形之斷面形 狀° 本發明組成物所使用之上述有機羧酸化合物之調配逢 ,相對於樹脂成分及酸產生劑之合計量為〇 . 〇 1〜1重量〆 ,宜為0.05〜0.5重量知,更宜為0.07〜0.3重董〆之範圃 。有機羧酸化合物之調配鼉在〇.〇1重量外Μ下時,無法得 到斷面形狀良好之阻劑圖案,又,超過1重量涔,因顯現 性降低故不佳。 本發明之正型咀劑組成物於上述之各成分中為更進一 步提羿感度或解析性,宜調配吸光劑。前述吸光劑可舉例 如氫碗基噁唑、氫疏基笨並噁唑、氣硫基噁啉、氫硫基苯 本紙張尺度適用中國國家梯準(CNS ) Α4規格(2丨ΟΧ297公釐) """"" 17 n m· 1 - - « m m In 1 --'Ξ - i i I - -I- I— I - ^ J. —^n I --,- «^m . , -Jw,- 0¾. 1 A (請先間讀背面之注意事項再填寫本页) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(18 ) 並I*唑、苯丙噁嗉、苯並《唑酮、氫硫基苯並咪唑、尿唑 、硫尿嘧啶、氫碲基嘧啶、二苯甲酮及此等之衍生物,尤 其二苯甲酮具有感度及解析性之提昇效果優,同時可抑制 駐在波之影響,斷面形狀不致成為波狀,亦具有可形成矩 形之光阻圖案的作用,故較宜使用。此吸光劑之調配量相 對於上述(A)成分與(B)成分之合計虽,Μ調配不超過30重 量W的範圍,較佳係以調配0.5〜15重量,之範圍。若此 調配量超過30重量〆,因輪廊形狀變差,故不宜。 本發明之正型阻劑組成物當使用時,較佳係以上述成 分溶於溶劑之溶液形態使用。如此之溶劑的例可舉出如丙 嗣、甲乙酮、環己酮、甲基異戊基酮等之酮類;乙二酵、 乙二醇單乙酸酯、二乙二酵、二乙二酵單乙酸酯、丙二醇 丙二醇單乙酸酯、二丙二酵或二丙二酵單乙酸酯之單甲基 醚、單乙基醚、單丙基醚、單丁基醚或單苯基醚等之多價 酵類及其衍生物;如二噁烷等環式醚類;及乳酸甲酯、乳 酸乙酯、醋酸甲酯、醋酸乙酯、醋酸丁酯、丙酮酸甲酯、 丙酮酸乙酿、甲氧基丙酸甲酯、乙氧基丙酸乙酯等之酯類 。此等亦可單獨使用,亦可混合2種Μ上使用。 本發明之正型阻劑組成物進而依希望亦可添加含有具 混和性之添加物、例如用Μ改良阻劑膜性能之加成性樹脂 、可塑劑、安定劑、着色劑、界面活性劑等之慣用者。 將上述本發明之正型阻劑組成物溶解於溶劑中,再使 用旋轉器等而塗布於例如一設有氮化矽(SiN)膜、BPSG等 之絕緣膜的基板、設有氣化鈦、A卜Si-Cu、鯓等之金鼷膜 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2丨OX297公釐) : : 18 I—I---^裝"------訂-----Ίϋ 線 (請先間讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貞工消費合作社印製 A 7 B7 五、發明説明(19 ) 的基板上,乾燥之,形成感光層後,藉由縮小投影曝光裝 置等,介由所希望之光罩圖案而照射deep-UV光、準分子 雷射光,或,K電子束掃瞄,再使用顯像液例如1〜1〇重 量%四甲基銨氫氧化物水溶液般之弱鹼性水溶液等而進行 顯現處理,則對光罩圖案可形成忠實良好之阻劑圖案,而 不依存於各種基板。 其次,藉製造例及實胞例更詳细地說明本發明,但本 發明不限定於此等例。 戰诰例1 (羥基3莫耳涔被第三級丁氧基羰氧基取代之聚羥基苯 乙烯的合成) 將重虽平均分子量20000之聚羥基苯乙烯120g溶解於 Ν,Ν-二甲基乙醯胺680g中,於此溶液中加入二-第三级丁 基-二碳酸酯17.4s,攪拌混合而完全溶解之後,一面搅拌 一面於約15分鐘内滴入三乙胺59g 。滴入終了後,繼鑛攪 拌約3小時。然後,對所得到之溶液加人20倍量的純水, 攪拌混合而使一羥基被第三级丁氧基羰氧基取代之聚羥基 苯乙烯析出。Μ純水洗淨該析出物,脫水,乾燥,而得到 羥基之8莫耳火被第三級丁氧基羰氧基取代之聚羥基苯乙 烯 1 2 5 8。 拟诰例2 (羥基之2 0荑耳外被第三級丁氧基羰氧基取代之聚羥 基苯乙烯的合成) _.於製造例.1中,除了將二-第三級丁基-二碳酸酿之添 本紙張尺度適用中·國國家梯準(CNS ) Α4規格(210X297公釐)~~ ^^^1 t^n ^^^1 HI --* l n 1 ^—b^i - - I- nn.....I (^1 -i — I »9^ 0¾ 、VJ 穿 - : ... (請先間讀背面之注意事項再填寫本頁) 19 經濟部中央標準局t貞工消費合作社印裂 A7 B7 五、發明説明(20 ) 加量改為4 3 . 6 s Μ外,其餘同於製造例1 ,而得到羥基之2 0 莫耳知被第三级丁氧基羰氧基取代之聚羥基苯乙烯120g。 郸诰例3 (羥基之35莫耳〆被第三级丁氧基羰氧基取代之聚羥 基苯乙烯的合成) 於製造例1中,除了將二-第三級丁基-二碳酸酯之添 加量改為76.5gK外,其餘同於製造例1,而得到羥基之35 莫耳%被第三级丁氧基羰氧基取代之聚羥基苯乙烯145g。 靱诰例4 (羥基之39莫耳〆被第三級丁氧基羰氧基取代之聚羥 基苯乙烯的合成) 於製造例1中,除了將二-第三級丁基-二碳酸酯之添 加量改為85.OsM外,其餘同於製造例1,而得到羥基之39 莫耳涔被第三级丁氧基羰氧基取代之聚羥基苯乙烯150s:。 姆诰例5 (羥基之46莫耳%被第三級丁氧基羰氣基取代之聚羥 基苯乙烯的合成) 於製造例1中,除了將二-第三級丁基-二碳酸酿之添 加量改為100.3g Μ外,其餘同於製造例1,而得到羥基之 46奠耳知被第三級丁氧基羰氧基取代之聚羥基苯乙烯120s 0 郸诰例β (羥基之70莫耳涔被第三級丁氧基羥氧基収代之聚羥 基苯乙烯的.合成) __ 本紙張尺度適用中國國家揉準(€~5)八4規格.(2丨0乂297公釐) " 20 ——^------裝------訂------線 (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本页) 五、發明説明(2 1 ) A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印袋 於 製 造 例 1 中 9 除 了 將 二 -第三 三級丁基- 二 碳 酸 酿 之 添 加 量 改 為 1 5 3 g Μ 外 9 其 餘 同 於 製 造 例 1 , 而得到羥基之70 莫 耳 被 第 三 级 丁 氧 基 羰 氧 基 取 代 之 聚 羥 基 苯 乙 烯 180s 〇 捎 例 7 ( 羥 基 之 20 奠 耳 % 被 乙 氧 基 乙 氧 基 取 代 之 聚 羥 基 苯 乙 烯 的 合 成 ) 將 重 量 平 均 分 子 躉 20000之聚烴基苯乙烯1 20 g 溶 解 於 N , Η - 二 甲 基 乙 醢 胺 68 0 g 中 > 於 此 溶 液 中 加 入 1 - 氯 -1 - 乙 氧 基 乙 烷 2 1 .7 8 » 搅 拌 混 合 而 完 成 溶 解 之 後 * — 面 攢 拌 一 面 Μ 約 30分 鐘 滴 定 三 乙 胺 12 1 δ 0 滴 入 終 了 後 9 繼 續 攪 拌 3 小 時 0 然 後 f 對 所 得 到 之 溶 液 加 入 20 倍 董 的 純 水 » m 拌 混 合 而 得 到 羥 基 之 20 莫 耳 % 乙 氧 基 乙 氧 基 取 代 之 聚 羥 基 苯 乙 烯 120g 0 製 直 例 ( 羥 基 之 35 Μ 耳 % 被 乙 氧 基 乙 氣 基 取 代 之 聚 羥 基 苯 乙 烯 的 合 成 ) 將 重 量 平 均 分 子 ft 20 0 00之聚羥基苯乙烯1 20 g 溶 解 於 N . Ν - 二 甲 基 乙 醯 胺 68 0 g 中 t 於 此 溶 液 中 加 入 1 - 氛 -1 - 乙 氧 基 乙 焼 37 .2 攪 拌 混 合 而 完 全 溶 解 之 後 » 一 面 攪 拌 一 面 Μ 約 30分 鐘 滴 入 三 乙 胺 78 .8 g ( ,滴入终了後, 遒鑛搅拌3小 時 0 然 後 • 對 所 得 到 之 溶 液 加 人 20倍 簠 的 純 水 欖 拌 混 合 而 得 到 羥 基 之 35奠 耳 % 被 1 - 乙 氧 基 乙 氧 基 取 代 之 聚 羥 基 苯 乙 烯 1 30g 0 料 捎 例 9 ---一------裝------訂------ -線 I h . (請先閱讀背而之注意事項再填寫本頁) 本紙承尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2.10X297公釐) 21 五、發明説明(22 ) A7 B7 經濟部中央慄隼局員工消費合作社印裴 (羥基之46M耳〆被 乙 氧基- 乙 氧 基 取 代 之 聚 羥 基 苯 乙 烯 的 合 成 ) 於 製 造 例 7中, 除1- 氯 -1 -乙 氧 基 乙 烧 之 添 加 量 更 換 為 49 .9 g Μ外, 其餘同於製 造 例7 , 而 得 到 羥 基 之 46 莫 耳 % 被 乙 氧 基 乙 氧 基 取代 之聚羥基苯乙 烯 120g 〇 捎 例 10 ( 羥 基 之 8奠耳知被 甲 氧基- 正 丙 氧 基 取 代 之 聚 羥 基 苯 乙 烯 的 合 成 ) 將 重 量 平 均分 子量20 0 0 0之聚羥基苯乙烯1 20 g 溶 解 於 N , N - 二 甲 基 乙 醢胺 68 0g 中, 於此 溶 液 中 加 入 1 - 氛 -1 - 甲 氧 基 丙 烷 8 . 6 g ,攪拌 混合而完全溶 解 之 後 9 一 面 攪 拌 一 面 以 約 30分 鐘 滴 入 三乙 胺78. 8 g 。滴入終了後, 繼_攪拌3小 時 0 然 後 , 對 所 得到 之溶液加入20倍 董 的 純 水 » 攪 拌 混 合 而 使 一 羥 基 被 1 - 甲氧 基-正丙基氧 基 取 代 之 聚 羥 基 苯 乙 烯 析 出 0 Μ 純 水 洗 淨該 析出物, 脫水 9 乾 燥 > 而 得 到 羥 基 之 8 奠 耳 % 被 1 - 甲 氧基 -正丙 基 氧基取代之聚羥基苯乙烯1 25 丨g 弊 消 例 11 (羥基之39莫耳谇被 甲 氣基- •正 丙 氧 基 取 代 之 聚 羥 基 苯 乙 烯 的 合 成 ) 於 製 造 例 1 0中 ,除1 -氛-卜 甲 氧 基 丙 烧 之 添 加 量 更 換 為 42 < · <· ! g Μ ; ^ , ,其餘同於 製 造例] ί 0 , ,而得到羥基之39 奠 耳 % 被 1 -甲 氧 基 -正丙氣基 取 代之聚羥基苯乙烯13C )S 〇 料 例 12 --„-----\ / —裝------訂------ >線 - 一 „ ._. (請先閱讀骨*之注意事項再填苟本瓦) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS > A4規格(210X297公釐) 2 2 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 五、發明説明(23 ) (羥基之70莫耳〆被甲氧基- 正 丙 基 氧 基 取 代 之 聚 羥 基 苯 乙 烯 的 合 成 ) 於 製 造 例 10 中 $ 除 1 - 氛 -1 - 甲 氧 基 丙 之 添 加 量 更 換 為 75 .6 g Μ外, 其餘同於製造例1 〇, 而得到羥基之70 莫 耳 涔. 被 1 - 甲 氧 基 -正- 丙 基 氧 基 取 代 之 聚 羥 基 苯 乙 烯 150g 〇 a_ 施 例 1 將 製 造 例 2所得到羥基之20 莫 耳 % 被 第 三 級 丁 氧 基 羰 氧 基 取 代 之 聚 羥 基 苯 乙 烯 3 g 及 製 造 例 7所得到之羥基2 0 莫 耳 % 被 乙 氧 基 乙 氧 基 取 代 之 聚 羥 基 苯 乙 烯 7g 溶 解 於 丙 二 醇_ 單 甲 基 醚 乙 酸 酯 43 g中, 進而再加入雙( 環 己 基 磺 醯 ) 二 偶 氮 甲 烷 0 . 3 g 及 雙 (對- 第 三 级 丁 基 苯 基 ) rrfh m 错 三 氟 甲 焼 磺 酸 塩 0 . 2g 而 溶 解 9 所 得 到 之 溶 液 PA 0 . 2 u m 濾 膜 過 瀘 > 所 得 濾 液 調 製 成 正 型 阻 劑 的 塗 布 液 0 使 用 旋 轉 器 將 所 調 製 之 塗 布 液 塗 布 於 6 英 吋 矽 晶 圓 上 • Μ 加 埶 板 於 90 下 乾 燥 90 秒 而 得 到 膜 厚 0 . 7 L t m 之 阻 劑 膜 0 於 此 膜 上 使 用 縮 小 投 影 嗶 光 裝 置 NSR - 2 00 5 E X 8 A (N i k 〇 η 社 製 ), 以Κ r F 準 分 子 雷 射 (248 n m ) 介 由 测 試 圖 光 罩 進 行 曝 光 後 t 於 11 Ot:下加熱90秒, 然後, Μ 2 .38 里 量 % 四 甲 基 数 氫 氧 化 合 物 水 溶 液 進 行 m 拌 顯 像 6 5秒 , 水 洗 30 秒 » 乾 燥 而 形 成 阻 劑 圖 案 後 9 形 成 0 . 25 U m 線 路 與 空 間 圖 案 9 此 阻 劑 圖 案 斷 面 為 良 好 矩 形 形 吠 〇 又 9 巨 視 可 確 認 之 大 面 積 阻 劑 圆 案 t 在 被 黼 某 化 之 基 板 表 面 测 定 可 顯 琨 之 最 小 曝 光 逢 (Κ下稱嵌小_光量) 结 果 為 5 m J / c m 2 0 進 而 調 査 所 形 成 之 0 . 5 U Β 線 1 m 的 射 热 性 ( 因 热 而 產 生 流 動 之 溫 度 * 本紙張尺度適用中國國家梯準(CNS ) A4規格(2丨OX297公釐) 請 先 閱 背 意 事 項 再 填 J裝 頁 訂 線 23 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 A7 B7五、發明説明(24 ) 下稱耐熱性),结果為130 π。 啻袖ί例2 於實拖例1中*除添加水揚酸0.028!以外,其餘同於實 施例1,而調整正型阻劑塗布液。接著於實施例1相同條件 下形成阻劑圖形。結果,形成〇.23μπ>線路與空間圖案’ 此阻劑圖案斷面為良好矩形形狀。又,最小曝光量測定结 果為6mJ/cm2。調査所形成之〇.5w m線圖案之耐熱性结果 為 130 1C。 又除施予曝光處理之後,靜置30分鐘•於120C下加 熱處理90秒以外*其餘同於上述而形成阻劑圖案時’形成 一側面垂直良好之輪師形成的〇.23wm線路與空間圖某。 g敝例:j 將製造例3所得到羥基之35莫耳%被第三级丁氧基幾 氧基取代之聚羥基苯乙烯1.48s、及、製造例8所得到之羥 基35莫耳%被乙氧基乙氣基取代之聚羥基苯乙烯1.48s:溶 解於丙二酵單甲基醚乙酸酯16.8g中·進而再加入雙(環己 基磺醯)二偶氮甲烷〇.148s及二苯甲酮0.093g而溶解’所 得到之溶液M〇.2// m濾膜過濾,所得濾液調製成正型阻劑 的塗布液。 使用旋轉器將所調製之塗布液塗布於6英吋矽晶圓上 ,以加熱板於90¾下乾煉90秒而得到膜厚0.7« π之阻劑膜 。於此膜上使用縮小投影曝光裝置NSR-2005EX 8A(NU〇n 社製),介由測試圖光眾進行曝光後,於12〇υ下加熱90秒 *然後* M2.38簠量%四甲基銨氫氧化合物水溶液進行攪 本紙張尺度逋用中國國家標準(CNS > Α4規格(210X297公釐> """ 24 iate. n^l 1« nn HH^i H^J βηί β^βί n^i ^ V m·— l^i ml* am I. ^ . ^ . 0¾ 、V6 备 (請先閱讀背面之注意事項界填^本瓦)
A7 B7 五、發明説明(25) 拌顯像65秒,水洗30秒1 2乾燥而形成阻劑圖案後,形成 0.21// m線路與空間圈案•此阻劑圖案斷面為若干台形狀 ,但無駐在波的影響,為近Μ矩形良好者。又2 Μ目視可 確認之大面積阻劑圖案•在被圖菜化之基板表面測定可顯 琨之最小暍光量(以下稱最小曝光量),结果為7>nJ/Cffl2 。 進而調査所形成之0.5« id線圖案的耐熱性(因熱而產生流 動之溫度,Μ下稱耐熱性),结果為130t。但,胞予曝光 處理後,靜置15分鐘後2在120C下施予加熱處理90秒, 形成T型形狀,〇.3Wni之線路與空間圖菜為最小解析度。 寶細例4 於實胞例3之塗布液的調製中,除了二苯甲酮Μ外, 其餘同於實施例3之操作,形成阻劑圖案後,形成0.21 am線路空間圖案,此阻劑画案斷面係對若千波浪不致造 成障礙的程度者,且為良好矩形。又,測定最小曝光董, 结果為6m J/cm2 。進而調査所形成之〇.5W m線圖案的耐熱 性,结果為130Ό。 hh龄例1 將製造例3所得到之羥基35莫耳W被第三级丁氧基羥 氧基取代之聚羥基苯乙烯2.96g溶解於丙二醇單甲基醚乙 酸酯16.3g中,進而再加入雙(瑁己基磺酿)二偁氮甲烷 0.148g及二苯甲酮0.093g而溶解,所得到之溶液M〇,2w η 濾膜過濾,所得濾液調製成正型阻劑塗布液。 使用所調製之塗布液而播同於實胞例3之操作形成姐 劑圖案後,線路與空間麵案界限為〇.28tf a,且其阻劑圖案 ---,------^ I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 ( CNS ) ( 210 X297/^ ) 2 25 經濟部中央橾準局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明(26 ) 斷面為下搌折損之不良者。又,測定最小曝光量,結果為 3 5 m J / c οι 2。進而調査所形成之〇 . 5 w m線圖案的耐熱性,结 果為150t:。 hh酧例2 製造例8所得到羥基之35莫耳〆被乙氧基乙氧基取代 之聚羥基苯乙烯2.95g溶解於丙二醇單甲基醚乙酸酯16.8g 中,進而再加人雙(環己基磺酿)二偶氮甲烷〇.148g及二苯 甲酮0.093s而溶解,所得到之溶液M〇.2wm滤膜過濾,所 得«液調製成正型阻劑的塗布液。 使用所調製之塗布液而藉同於實施例3之操作形成阻 劑圖案後,線路與空間圖案之界限0.25am,其阻劑圖案斷 面為倒三角形狀之不良者。又,測定最小曝光量,结果為 7mJ/cm2。進而調査所形成之〇.5«πι線圖案的耐熱性,结 果為120¾。 g脓例5 將製造例3所得到羥基之35葜耳涔被第三級丁氧基羥 氧基取代之聚羥基苯乙烯(平均分子虽20000)1,48g、及、 製造例8所得到羥基之35莫耳涔被乙氧基乙氧基取代之聚 羥基苯乙烯(平均分子量20000)1.48g溶解於丙二酵單甲基 醚乙酸酯16.3g中,進而再加入雙(環己基磺醢)二偶氮甲 烷0.14 8g及二苯甲酮O.〇93g及鄰-羥基安息香酸〇.〇〇32g而 溶解,所得到之溶液Μ 0 . 2 w m濾膜過濉,所得濾液調製成 正型阻劑的塗布液。_使用旋轉器將所調製之塗布液塗布於6英吋矽晶圆上 本紙張尺度逋用中國國家梂準(CNS ) A4規格(2〖OX297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) .r 裝--! 線----! 26 經濟部中央標準局貝工消費合作社印策 A7 B7五、發明説明(27 ) ,K加熱板於90¾下乾燥90秒而得到膜厚0.7« m之阻劑膜 。於此膜上使用縮小投影曝光裝置H S R - 2 0 0 5 E X 8 A ( N i k ο η社 製),介由测試圖光罩進行曝光後,於120Ό下加熱90秒, 然後,M2.38重量知四甲基銨氫氧化合物水溶液進行槳攪 拌顯像6 5秒,水洗3 0秒,乾燥而形成阻劑圖案。所形成之 阻劑圖案斷面,其若干高起為呈圓形,但無駐在波之影響 而為近Μ矩形之良好者,並形成0.2 1«ιη之線路與空間圖 案。測定最小曝光量,结果為7raJ/cra2 °進而調査所形成 之0.5;um線圖案的耐熱性,结果為130t:。 又除施予暍光處理之後,靜置15分鐘,於120亡下加 热處理90秒Κ外,其餘同於上述而形成咀劑圖案時,形成 一側面垂直良好之輪師形狀的〇.21wm線路與空間圖案。 實_例ft 於實胞例5之塗布液的調製中,除二苯甲酮Μ外,其 餘藉同於實沲例之操作形成蛆劑圖案。所形成之阻劑圖案 斷面其若干高起為圼圃形,且圼波浪狀,但無構成陣礙之 程度,為近似矩形良好者,形成〇.23«m之線路與空間圖 案。又•测定最小曝光最,结果為3fflJ/cm2 。’進而,調査 所形成之0.5/zra線圃案的耐熱性,結果為130C。 又除腌予曝光邂理之後,靜置15分鐘.於12 0 加 熱處理90秒Κ外,其餘同於實施例3而形成圖案時,形成 良好之輪師形狀的π線路與空間圖案。 管舳例7 於實胞例5之塗布液的調製中,除不用鄰-羥基安息香 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) Ί n I 1 i— I— I ^ 本紙張尺度適用十國國家揉準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 27 經濟部中央標隼局員工消費合作社印裝 Μ Β7 五、發明説明(28) 酸而代之Μ加入市售之SAX(商品名、三井東壓化學社製) 0.0062g作為酚化合物Μ外,其餘同於實腌例3之操作,形 成阻劑圖案。所形成之阻劑圖案斷面無駐在波之影響旦為 矩形狀良好者,並形成〇.21win線路與空間_案。又,測 定最小暍光量,结果為7mJ/cm2。進而調査所形成之0.5 Mi線圖案的耐熱性,结果為130t:。 又除施予曝光處理之後,靜置15分鐘,於120t:下加 熱處理90秒Μ外,其餘同於實施例3而形成阻劑圖案後, 形成一側面垂直且為矩形之良好輪騨形狀的〇.21Wm線路 與空間圖案。 實_例8 於實腌例5之塗布液的調製中,不同郯-羥基安息香酸 而代之W加入丙烯酸〇.〇〇62g之外,其餘同於賁施例3之操 作,形成阻劑圖案。所形成之阻劑圖案斷面無駐在波的影 響,且為矩形狀良好者,並形成〇.21wra之線路與空間圖 案。又,測定最小瞜光董,结果為7mJ/cni2 。進而調査所 形成之0.5« m線圖案的耐熱性,结果為130 °C。 又除胞予曝光處理之後,靜置15分鐘,於120C下加 熱處埋90秒以外,其餘同於實胞例3而形成光阻圃案後, 形成一側面垂直良好之輪郝形狀的〇.21wm線路與空間圖 案。 將製造例4所得到羥基之39莫耳涔被第三級丁氧基羰 氧基取代之聚羥基苯乙烯l.〇5g、及、製造例11所得到羥 本紙張尺度適用中國國家梯準(CNS ) A4規格(210X297公釐) --.---一---.—1 —-裝-- (請先閱讀背面之注意事項再填筠本頁) 訂 .丨、線 28 經濟部中央樣隼局員工消费合作社印製 A7 B7 五、發明説明(2 9 ) 基之39莫耳〆被1-甲氧基-正丙基氧基取代之聚羥基苯乙 烯1.95g溶解於丙二醇單甲基醚乙酸酯16.8g中,進而再加 入雙(環己基磺醢)二偁氮甲烷〇.21g及鄰硝基安息香酸 0 . 0 0 9 g而溶解,所得到之溶液以0 . 2 w in濾膜過滤,所得滤 液調製成正型阻劑的塗布液。 使用旋轉器將所調製之塗布液塗布於6英吋矽晶圓上 ,Μ加熱板於90C下乾燥90秒而得到膜厚0.7/i m之阻劑瞑 。於此膜上使用縮小投影曝光裝置NSR-2005EX8A(Nikon社 製),介由測試圖光罩進行曝光後,於UOt:下加熱90秒, 然後,K2.38重置〆四甲基銨氫氧化合物水溶液進行攪拌 顯像65秒,水洗30秒.乾燥而形成阻劑圖菜後,形成0.21 線路與空間圖案。此阻劑圖案斷面為若干波浪狀且無 阻礙的程度者,並為近似矩形良好者。又,测定最小暍光 量,结果為15raJ/cm2。進而調査所形成之0.5w m線圖案的 耐熱性,结果為130 t:。 奩胞例1 0 於實施例9之塗布液的調製中,除將鄰-硝基安息番酸 改為SAX(商品名、三井東壓化學社製),進而加入二苯甲 酮0.12 gM外,其餘同於實施例9之操作,進行阻劑特性之 評價後,形成0 . 2 2 w in之線路與空間圖案,其阻劑圖案斷 面無駐在波之影響且為矩形良奸者。又,測定爵小曝光啬 ,结果為13mJ/cm2。進而調査所形成之0.5wra線圖案的耐 熱性,结果為1 3 0 1C 。 g确例1 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐> (請先Μ請背面之注意事項再填窝本頁) ^1:Ί 裝-- I訂 29 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(3 0) 於實施例9之塗布液的調製中,除郯-硝基安息香酸更 改為水楊酸,且其添量更改為〇.〇〇3g,進而加入二苯甲嗣 0.128以外,其餘同於實腌例9之操作而調製塗布液。 然後,進行同於實施例9之阻劑特性的評價後,並形 成0.2 2wm線路與空間圖案,其阻劑圖案斷面高起部分為 略帶圓形狀,但無駐在波的影響且為近似矩形良好者。又 ,餿小曝光董為7mJ/cm2。進而調査所形成之0.5wm之線 圖案的耐熱性,结果為1 3 0 t:。 實細例1 2 於實施例9之塗布液的調製中,除郯-硝基安息番酸更 改為1,1-環己烷二羧酸0.009克Μ外,其餘同於實腌例9之 操作而調製塗布液。 然後,進行同於實胞例9之阻劑特性的評價,形成 0 . 2 1 w m之線路與空間圖案,其阻劑_案斷面為若千波浪 吠,但為無阻礙之程度者,並為矩形良好者。又,測定最 小曝光量,结果為13mJ/cra2。進而調査所形成之0.5wid線 圖案的耐熱性,结果為1 3 0它。 又除施予曝光處理之後,靜置30分鐘,於110 TC下加 熱處理90秒Μ外,其餘同於上述而形成阻劑_案後,形成 一側面垂直良好之輪廓形狀的〇.21Wni之線路與空間圖案 〇 啻袖ί例1 3 於實施例12之塗布液的調製中,除進而加入二苯甲酮 0.12gM外,其餘同於實_例12之操作而調製正型阻劑之 本ϋ度適用中國國家標準(CNS > A4規格(210X 297公釐> (請先閲讀背面之注意事項再填^本f) .裝---
m flu— Kn { ^ s n i ^ --S n^i I i 叙--------- • nn ^m— iwl —l In 30 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(3 1 ) 塗布液。 然後,進而同於實施例12之阻劑特性的評價後,形成 0.21wm之線路與空間圖案,其阻劑圖案斷面無駐在波的 影響且為矩形良好者。又,最小曝光量為13mJ/cm2。進而 調査所形成之〇.5wm線圖案的耐熱性,结果為130它。 又,施予曝光處理之後,靜置30分鐘,於110 t:下加 熱下處理90秒者,係形成一側面為垂直且良好輪廊形狀之 0 . 2 1 w in線路與空間圖案。 I:卜,齩例3 將製造例1所得到羥基之8知被第三级丁氧基羰氧基取 代之聚羥基苯乙烯l.〇5s,及製造例10所得到羥基之8%被 甲氣基-正丙氧基取代之聚羥基苯乙烯1.95g溶解於丙二酵 單甲基醚乙酸酯16.8s中,進而再加入雙(環己基磺醯)二 偶氮甲烷0.211郯硝基安息香酸0.0098及二苯甲酮0.123 s而溶解,所得到之溶液M〇.21Wra滤膜過瀘,所得瀘液調 製成正型阻劑的塗布液。 有關上述塗布液,進行同於實施例9之胆劑特性評價 後,無法得到阻劑圖案,不能評價。 bh較例4 將製造例6所得到羥基之70允被第三級丁氧基羰氧基 取代之聚羥基苯乙烯l.〇5g,及製造例12所得到羥基之70 知被1-甲氧基-正丙氣基取代之聚羥基笨乙烯1.95s溶解 於丙二酵單甲基醚乙酸酯16.8g中,進而再加入雙(環己基 磺醣)二偁氮甲烷〇.21g、SAX(商品名、三井東颳化學社製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) — ί'----------^----------訂-----'々.^: (請先閲讀背面之注意事項再填ϊθ本f ) A7 B7 五、發明説明(32) )0.009g及二苯甲酮0.128g而溶解,所得到之溶液M0.2 wra滤膜過濾,所得濾液調製成正型阻劑的塗布液。 經濟部中央橾準局員工消費合作社印裝 有 m 上 述 塗 布 液 > 進 行同 於 實 施 例 9 之 阻 劑 特 性 評 價 後 « 線 路 與 空 間 Π3Ι 圖 案 之 界 限為 〇. 3 U e m 9 其 阻 劑 圖 案 斷 面 為 呈 T字形且不良者。 又, 最小曝光量為2 0 m J/ cm 2 0 進 而 t 調 査 所 形 成 之 0 . 5 u 1 in 線 圖 案的 耐 執 性 » 結 果 為 13 0 V。 比 較 例 5 將 製 造 例 1所得到羥基之8 被 第 三 級 丁 氧 基 羰 氧 基 取 代 之 聚 羥 基 苯 乙 烯 1 . 05 g , 及製造例1 2所得到羥基之7 0 被 1 - 甲 氧 基 -正丙基氣基取代之聚羥基苯乙烯1 .9 5 g 9 溶 解 於 丙 二 醇 單 甲 基 醚 乙 酸 酯 16.8 g中, 進而再加入雙( 環 己 基 磺 醢 )二偶氮甲烷0 .2 1 g 酞酸 〇. 0 0 9g 及 二 苯 甲 酮 0 . 1 28g 而 溶 解 t 所 得 到 之 溶 液 Μ 0 . 2 U B m 膜 過 m » 所 得 m 液 調 製 成 正 型 阻 劑 的 塗 布 液 0 有 闞 上 述 塗 布 液 » 進 行同 於 施 例 9 之 阻 劑 特 性 評 價 後 » 線 路 與 空 間 圖 案 之 界 限為 0 . 3 u m f 其 阻 劑 圖 案 斷 面 係 呈 倒 三 角 形 且 為 不 良 者 0 又. 最 小 曝 光 1 為 10 m J / C m2 0 進 而 調 査 所 形 成 之 0 . 5 /i m 線 圖案 的 耐 熱 性 > 结 果 為 13 0 V 宵 朐 例 1 4 於 實 拖 例 5中. 除Μ基板作為肜成氮化矽(S i N) 絕 緣 瞑 之 矽 晶 圓 外 t 其 餘 同 於 實施 例 5 而 肜 成 阻 劑 案 0 所 形 成 之 阻 劑 黼 案 斷 面 無 駐 在 波的 m 響 且 為 近 U 矩 形 之 良 好 者 » 並 形 成 0 . 23 U m之線路與空間圖案。 > 富 m 例· 15 本紙張尺度適用中國國家標隼(CNS〉A4規格(210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項#填寫本頁) -IffnnB t^m —Rnf ^^—^1 ml 1 s, t^i— n -5 k — 32 A7 B7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 五、發明説明( 33 ) 1 於 實 胞 例 5中, 除Μ基板作為形成TiN之 金 羼 膜 之 矽 晶 1 I 圓 外 t 其 餘 同 於 實 腌 例 5 而 形 成 阻 劑 圖 案 〇 所 形 成 之 阻 1 1; 劑 圈 案 斷 面 無 駐 在 波 的 影 響 且 為 近 似 矩 形 之 良 好 者 > 並 形 —V 請 先 閱 讀 背 1¾ 成 0 . 23 U 01之線路與空間圖案C I s_ m 例 1 I 於 實 施 例 7 中 9 除 Μ 基 板 作 為 形 成 B P S G 絕 緣 膜 之 矽 晶 意 事 1 1 1 圓 >x 外 » 其 餘 同 於 實 腌 例 7 而 形 成 阻 劑 圖 案 0 所 形 成 之 阻 項 再 填 寫 本 頁 劑 面 圖 案 斷 面 無 駐 在 波 的 影 響 且 為 近 似 矩 形 之 良 好 者 , 並 形 裝 1 成 0 . 23 U ΙΠ之線路與空間圖案 1 I s_ 脓 例 17 1 1 於 實 腌 例 3 中 t 除 以 基 板 作 為 形 成 T i Ν 金 屬 瞑 之 δ夕 晶 1 1 圓 Μ 外 9 其 餘 同 於 實 施 例 1 而 形 成 阻 劑 圖 案 0 所 形 成 之 阻 訂 1 劑 圖 案 m 面 係 於 基 板 界 面 部 顯 現 下 撖 折 損 者 > 並 肜 成 0 . 30 1 1 U HI之線路與空間圖案 > 1 s_ W\ 例 Η | 1 ! 將 製 造 例 4 所 得 到 羥 基 之 39莫 耳 % 被 第 三 級 丁 氧 基 羰 氧 基 取 代 之 聚 羥 基 苯 乙 烯 0 . 9 g ,及製造例8所 得 到 羥 基 之 35 1 1 | 莫 耳 % 被 乙 氧 基 乙 氧 基 取 代 之 聚 羥 基 苯 乙 烯 16 ,8 g 溶 解 於 1 1 丙 二 酵 單 甲 基 醚 乙 酸 酷 1 6 .8 g中, 進而再加入1 ,2 ,3 - 二. 羥 1 基 苯 苯 均 三 酸 酯 0 . 15 g . 水播酸(5 . 3 m g * Μ 孔 徑 0 . 2 L 1 m 之 m 1 膜 過 m 溶 解 而 得 到 之 溶 液 t 調 製 成 正 型 阻 劑 之 塗 布 液 〇 1 使 用 旋 轉 器 將 所 抽 網 製 之 塗 布 液 塗 布 於 6英吋矽晶圓上, 1 I K加热板在90t!下乾燥90秒而得到膜厚0 .7 U m 之 阻 劑 膜 1 I 〇 η 此 膜 上 使 用 霣 子 束 照 射 裝 置 HL - 80 00 (日 立 製 作 所 社 製 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 33 A7 B7 五、發明説明(3 4) )而描繪之後,於110¾下加熱90秒,再M2.38重量〆四 經濟部中央橾準局員工消費合作杜印«. 甲 基 銨 氫 氧 化 合 物 水 溶 液 進 行 攪 拌 顯 像 6 5秒 * 然 後 乾 燥 之 1 形 成 阻 劑 圖 案 後 t 再 形 成 0 . 12 U m 之 導 電 孔 9 此 阻 劑 圖 案 斷 面 為 垂 直 良 好 者 〇 又 * 測 定 此 時 之 曝 光 量 $ 结 果 為 25 U C / cm 2 〇 背 例 JL1 於 實 施 例 1 8 中 f 除 酸 產 生 劑 即 1 , 2 , 3 - 三 羥 基 苯 苯 均 三 酸 酯 改 為 雙 (對第三丁基苯基)碘 絲 三 氟 甲 烷 磺 酸 塩 y 其 添 加 量 為 0 . 15 Z 以 外 > 其 餘 同 於 實 施 例 18 r 而 調 製 正 型 阻 劑 之 塗 布 液 〇 然 後 > Μ 同 於 實 施 例 18 之 處 理 而 形 成 阻 劑 圖 案 後 > 形 成 0 . 15 U ID 之 導 電 孔 , 此 圖 案 斷 面 為 垂 直 且 良 好 者 0 又 9 此 時 之 曝 光 虽 為 10 U C/ cm 2 c > 實 例 2 0 於 實 施 例 18 中 9 除 酸 產 生 劑 即 1 , 2 , 3- 三 羥 基 苯 苯 均 三 酸 酯 改 為 對 - 甲 苯 磺 酸 2 , 6 - 二 硝 基 苯 甲 基 酯 f 且 其 添 加 量 為 0 . 15 g Μ 外 t 其 餘 同 於 實 施 例 18 1 而 調 製 正 型 阻 劑 之 塗 布 液 〇 然 後 * Μ 同 於 實 施 例 1 8 之 處 理 而 形 成 阻 劑 圖 案 後 * 形 成 0 . 1 4 U m之導電孔, 此阻劑圖案斷面為垂直且良P ?者| 0 又 1 此 時 之 曝 光 量 為 35 U C/ c m 1 2 ( 實 m 例 2 1 於 實 胞 例 18 丨中 • 除 酸 產 生 劑 即 1 , 2 , 3 - ,— 羥 基 苯 苯 均 三 酸 酯 改 為 三 苯 基 疏 m 三 m 甲 烷 磺 酸 塩 > 且 其 添 加 量 為 0 . 15 - I ( 「 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張又度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 34 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 _B7_ 五、發明説明(35) gM外,其餘同於實施例18,而調製正型阻劑之塗布液。 然後,以同於實腌例18之處理而形成阻劑圖案後,形 成0.15«!«之導電孔,此阻劑圖案斷面為垂直且良好者。 又,此時之曝光量為lOwC/cm2。 啻_例22 於實施例1中,除樹脂成分為製造例5所得之羥基乙 46莫耳%被第三级丁氧基羰氧基取代之聚羥基苯乙烯3g及 製造例9所得之羥基46莫耳%被乙氧基乙氧基取代之聚羥 基苯乙烯7gM外,餘同實施例1調製正型阻劑塗布液。接 著同實施例1之條件形成阻劑圖案。结果形成〇.25wm線路 與空間圖案,此阻劑圖栗斷面為若干T字形狀•為近似矩 形良好者。又測定最小暍光虽结果為7nJ/cra2 ,調査所形 成之0.5um線圖案的附熱性结果為130亡。 鸾脓例23 於賁施例22中·除添加0.02s水櫞酸外•餘同實胞例 22調製正型阻劑塗布液。接著同實施例22之條件形成阻劑 圖案。结果形成0.2 3um線路與空間圖案,此阻劑圖案斷 面為若干T字形狀*為近似矩形良好者。又測定最小曝光 量结果為8mJ/cm2 *調査所形成之0.5wm線圖案的耐熱性 结果為1 30 t:。 本紙張尺度適用中國國家梂準(CNS > A4規格(210X297公釐)
In mu - I - Hi. n - 1 η-Ηι.ί · In m^i I i 一OJ: L i-li (請先閱讀背面之注意亨項再填寫本頁) 35

Claims (1)

  1. 394861 公告本' 鉍 __I C8 - D8 經濟部中央標隼局Η工消費合作社印製 六、申請專利範圍 1 1 . 一 種 正 型 阻 劑 組 成 物 t 含 有 藉 (A) 酸 之 作 用 增 大 對 m 1 | 性 水 溶 液 之 溶 解 性 的 樹 脂 成 分 與 藉 (B ) 放 射 線 之 照 射 1 1 L 產 生 酸 的 化 合 物 , 且 其 (A)成分為(a) 20 -50 莫 耳 °A 之 S 請 1 羥 基 被 第 三 級 丁 氧 基 羰 氧 基 取 代 之 聚 羥 基 苯 乙 烯 、 與 先 閱 ! I 讀 I (b)20 - 50莫 耳 之 羥 基 被 通 式 (I ) 背 I 之 1 . R1 注 I 意 1» 事 I 1— 0- -C-OR:, ⑴ 項 I 1 再 /*"·· R2 填 寫 本 ff 裝 頁 1 ( 式 中 R 1 為 氫 原 子 或 甲 基 9 R 2 為 甲 基 或 乙 基 9 R 3 為 S—<< 1 I 低 级 烷 基 )所示之基取代的聚羥基苯乙烯之混合物c I 2 . 如 申 請 專 利 範 圍 第 1 項 之 正 型 阻 劑 組 成 物 9 其 (A) 成 I 分 為 (a)成分10〜70重量知與(b)成 分 30 90重 量 % 之 訂 I 混 合 物 0 1 | 3 . 如 請 專 利 範 圍 第 1 項 之 正 型 阻 劑 組 成 物 * 其 (B ) 成 1 | 分 為 雙 磺 m 二 偁 氮 甲 焼 糸 酸 產 生 劑 〇 1 I 4 . 如 甲 謫 專 利 範 圍 第 3 項 之 IE 型 阻 劑 組 成 物 9 其 雙 磺 醢. 1 二 偶 氮 甲 烷 系 酸 產 生 劑 為 雙 (環己基磺醢)二 偶 氮 甲 烧 1 1 或 雙 (2 ,4 -二甲基苯基磺醢)二 偶 氮 甲 〇 1 1 5 . 如 串 請 專 利 範 QBt 圍 第 1 項 之 正 型 阻 劑 組 成 物 » 其 特 微 在 | 於 (B ) 成 分 係 由 選 白 硝 基 苯 甲 基 系 酸 產 生 劑 聚 羥 基 1 化 合 物 之 脂 肪 族 或 芳 番 族 磺 酸 塩-糸 酸 產 生 劑 m 塩 % 1 1 酸 產 生 劑 > 及 安 息 番 酸 甲 苯 磺 塩 酯 系 酸 產 生 劑 所 構 成 1 1 I 之 群 中 至 少 —* 種 0 1 6 . 如 申 講 專 利 範 圃 第 5 項 正 型 阻 劑 組 成 物 其 硝 基 苯 1 本紙張尺度適用中國國家揉準(CNS )八4規格(210Χ297公釐) 3 6 .、-、 T/ A8 394861 S D8 經濟部中央標搫局員工消f合作社印製 六、申請專利範圍 1 甲 基 系 酸 產 生 劑 為 對 -甲苯磺酸2 _ - - * «· ,6 -二硝基苯甲基酯。 1 1 7 .如 甲 請 專 利 範 圍 第 5 項 之 正 型 阻 劑 組 成 物 » .— „其聚羥 基 1 I 化 合 物 之 脂 肪 族 或 芳 香 族 磺 酸 塩 % 酸 產 生 劑 為 1 , 2 , 3 - 請 1 三 羥 基 苯 甲 苯 磺 酸 塩 0 閱 I ik [ 8 .如 申 請 專 利 範 圍 第 5 項 之 正 型 阻 劑 組 成 物 9 其 絡 塩 系 背 1 之 ! 酸 產 生 劑 為 雙 (對第三級丁基苯基)碘 m 三 盘 m 甲 烷 磺 酸 意 1 事 塩 或 三 苯 基 硫 m 三 氟 甲 烷 磺 酸 塩 0 項 再 1 填 9 .如 申 請 專 利 範 圍 第 1 項 之 正 m 阻 劑 組 成 物 t 其 (B) 成 ▲ 裝 頁 1 分 之 調 配 虽 相 對 於 (A )成分100重 量 份 為 1〜2 0重董份。 1 1 0 .如 °請 專 利 範 圍 第 1 項 之 正 型 阻 劑 組 成 物 , 其 中 含 有 1 吸 光 劑 0 1 1 1 .如 請 專 利 範 圍 第 10項 之 正 型 阻 劑 組 成 物 t 其 吸 光 劑 訂 為 二 苯 甲 酮 0 | 12.- 種 正 型 阻 劑 組 成 物 , 含 有 藉 (A) 酸 之 作 用 增 大 對 鹼 1 I 性 水 溶 液 之 溶 解 性 的 樹 脂 成 分 藉 (B) 放 射 線 之 昭 射 1 ] i 產 生 酸 的 化 合 物 及 (C) 有 櫬 羧 酸 化 合 物 1 且 其 (A). 成 分 為 (a)20 - 50奠 耳 之 羥 基 被 第 三 級 丁 氧 基 羰 氧 基 1 1 取 代 之 聚 羥 基 苯 乙 烯 Λ 與 (b)20 - 50莫 耳 Μ 之 羥 基 被 通 1 1 式 (I) 1 R1 1 一 0- 1 C—〇Ra 1 ⑴ | 1 I ( 式 中 9 R 1 為 氫 原 子 或 甲 基 1 R 2 為 甲 基 或 乙 基 • R3 為 1 Ί 低 級 基 )所示之基取代的聚羥基苯乙烯之混合物< 3 1 1 本紙張尺度適用中國國家梂準(CNS ) A4規格UlOX297公釐) 31 ^94861 g D8 六、申請專利範圍 13. 如申請專利範圍第12項之正型阻劑組成物,其(A)成 分為(a)成分10〜70重量%與(b)成分30〜90重量涔之 混合物。 14. 如申請專利範圍第12項之正型阻劑組成物,其(B)成 分為雙磺醢二偁氮甲烷系酸產生劑。 1 5 .如申請專利範圍第1 4項之正型阻劑組成物,其雙磺酿 二偶氮甲烷系酸產生劑為雙(環己基磺醯)二偶氮甲烷 或雙(2,4-二甲基苯基磺醯)二偁氮甲烷。 16. 如申請專利範圍第.12項之正型阻劑組成物,其特激在 於(B)成分係由選自硝基苯甲基系酸產生劑、聚羥基 化合物之脂肪族泰芳香族磺酸酯糸酸產生劑、絲塩糸 酸產生劑、及安息香酸甲苯磺酸酯系酸產生劑所構成 之群中至少一種。 17. 如申請專利範圍第16項之正型阻劑組成物,其硝基苯 甲基糸酸產生劑為對-甲苯磺酸2,6-二硝基苯甲基酯。 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 (请先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 18. 如申請專利範圍第16項之正型阻劑組成物,其聚羥基 化合物之脂肪族或芳香族磺酸塩糸酸產生劑為1,2,3-三羥基苯甲苯磺酸酯。 19. 如申請專利範圍第16項之正型阻劑組成物,其錄塩系 酸產生劑為雙(對第三級了基苯基)碘鎌三氟甲烷磺酸 塩或三苯基硫絲三氟甲烷磺酸塩。 2 0 .如申請專利範圍第1 2項之正型阻劑組成物,其(B >成 分之調配量相對於(A)成分100重量份為1〜20重量份。 21.如申謫專利範圃第12項之正型阻劑組成物,其(C)成 本紙張尺度逋用中國國家揉準(CNS } A4規格(210X297公釐) 38 394861 A8 B8 C8 D8 、申請專利範圍 分為選自芳香族羧酸化合物、脂環族羧酸化合物、及 不飽和脂肪族羧酸化合物所構成之群中至少一種。 22.如申請專利範圍第21項之正型阻劑組成物,其芳香族 羧酸化合物為以通式(V) R1 COOH (V) [式中,R11及R12分別為氫原子、羥基、硝基、羧基 、乙烯基(但,R11及R12均為氫原子時除外)]所示之 化合物。 2 3.如申請專利範圍第21項之正型阻劑組成物,其芳香族 羧酸化合物乃Μ通式(W)
    (VI) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 (式中,η為0或1〜10的整数) 所示之化合物。 2 4 .如申謫專利範圃第2 1項之正型姐劑組成物,其脂瑁族 羧酸化合物為選自1,1-環己烷二羧酸、丨,2 -環己烷二 俊酸、1,3 -環己烷二羧酸、1,4 -瑁己烷二浚酸、1,2-環己基二醋酸中至少一種。 2 5.如申請専利範圍第21項之正型姐劑組成物,其不飽和 本紙張又度適用中國國家揉準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐). 39
TW084103540A 1994-04-25 1995-04-12 Positive resist composition TW394861B (en)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10749294 1994-04-25
JP13244994 1994-05-24
JP28616994 1994-10-27
JP6286168A JP2960656B2 (ja) 1994-04-25 1994-10-27 ポジ型レジスト組成物
JP2892595 1995-01-26

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW394861B true TW394861B (en) 2000-06-21

Family

ID=27521085

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW084103540A TW394861B (en) 1994-04-25 1995-04-12 Positive resist composition

Country Status (4)

Country Link
EP (1) EP0679951B1 (zh)
KR (1) KR0152009B1 (zh)
DE (1) DE69500131T2 (zh)
TW (1) TW394861B (zh)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0780732B1 (en) 1995-12-21 2003-07-09 Wako Pure Chemical Industries Ltd Polymer composition and resist material
DE69612182T3 (de) * 1996-02-09 2005-08-04 Wako Pure Chemical Industries, Ltd. Polymer und Resistmaterial
JP3206440B2 (ja) * 1996-06-28 2001-09-10 信越化学工業株式会社 化学増幅ポジ型レジスト材料
EP0819982A1 (en) * 1996-07-18 1998-01-21 Olin Microelectronic Chemicals, Inc. Radiation-sensitive composition
JP3679206B2 (ja) * 1996-09-20 2005-08-03 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物、それを用いた多層レジスト材料及びレジストパターン形成方法
TW546540B (en) 1997-04-30 2003-08-11 Wako Pure Chem Ind Ltd An agent for reducing the substrate dependence of resist and a resist composition
US6284427B1 (en) 1997-09-22 2001-09-04 Clariant Finance (Bvi) Limited Process for preparing resists
US6136502A (en) * 1997-10-08 2000-10-24 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist composition and patterning process
US6103447A (en) * 1998-02-25 2000-08-15 International Business Machines Corp. Approach to formulating irradiation sensitive positive resists
US6303263B1 (en) 1998-02-25 2001-10-16 International Business Machines Machines Irradiation sensitive positive-tone resists using polymers containing two acid sensitive protecting groups
TWI232855B (en) * 1998-05-19 2005-05-21 Jsr Corp Diazodisulfone compound and radiation-sensitive resin composition
SG78412A1 (en) 1999-03-31 2001-02-20 Ciba Sc Holding Ag Oxime derivatives and the use thereof as latent acids
KR100620439B1 (ko) * 2005-01-17 2006-09-11 삼성전자주식회사 감광성 폴리머, 이를 포함하는 포토레지스트 조성물 및이를 이용한 포토레지스트 패턴 형성 방법
CN102781911B (zh) 2010-02-24 2015-07-22 巴斯夫欧洲公司 潜酸及其用途
KR102537349B1 (ko) 2015-02-02 2023-05-26 바스프 에스이 잠재성 산 및 그의 용도
CN110105301B (zh) * 2019-05-10 2023-06-27 福建泓光半导体材料有限公司 一种抗蚀剂下层膜单体和组合物及图案形成方法
CN110128365B (zh) * 2019-05-10 2023-07-07 福建泓光半导体材料有限公司 一种抗蚀剂下层膜单体和组合物及图案形成方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3030672B2 (ja) * 1991-06-18 2000-04-10 和光純薬工業株式会社 新規なレジスト材料及びパタ−ン形成方法
EP0588544A3 (en) * 1992-09-14 1994-09-28 Wako Pure Chem Ind Ltd Fine pattern forming material and pattern formation process

Also Published As

Publication number Publication date
DE69500131T2 (de) 1997-07-31
KR0152009B1 (ko) 1998-10-01
EP0679951B1 (en) 1997-01-15
EP0679951A1 (en) 1995-11-02
KR950029860A (ko) 1995-11-24
DE69500131D1 (de) 1997-02-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW394861B (en) Positive resist composition
TW548522B (en) Positive-working photoresist composition and resist patterning method using same
TWI225967B (en) Photoresist composition containing photo radical generator with photoacid generator
TWI304155B (en) Negative type resist composition
JP3046225B2 (ja) ポジ型レジスト膜形成用塗布液
TWI263861B (en) Resist material and pattern forming method
TWI269941B (en) Negative radiation-sensitive resin composition
JPWO2004104702A1 (ja) 化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物及びレジストパターン形成方法
JPH1048814A (ja) 感放射線性樹脂組成物
TWI303352B (zh)
US20020028407A1 (en) Positive-working chemical-amplification photoresist composition
TWI361955B (zh)
CN1692314B (zh) 化学放大正性光致抗蚀剂组合物
TW538312B (en) Chemical amplification, positive resist compositions
JPH1130865A (ja) 感放射線性樹脂組成物
JP3553213B2 (ja) ポジ型レジスト組成物
US6548229B2 (en) Positive-working chemical-amplification photoresist composition and method for forming a resist pattern using the same
JP2960661B2 (ja) ポジ型レジスト組成物
TW538313B (en) Positive photoresist composition
JP2002091001A (ja) レジスト組成物及びそれに用いるレジスト用基材樹脂
JP2006030506A (ja) 微細パターンの形成方法と、それに用いる露光後ベーク用媒体
JP2001272781A (ja) ポジ型感放射線性樹脂組成物
JP3226270B2 (ja) ポジ型レジスト用基材樹脂
JP4375634B2 (ja) 感放射線性組成物
JPH0922117A (ja) ポジ型レジスト組成物

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees