JP4375634B2 - 感放射線性組成物 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は一般に放射線に感応する感放射線性組成物に関するものであり、詳しくは平板印刷版や半導体集積回路を作成するレジストとして好適な感放射性組成物に関するものである。特に、波長150〜300nmのディ−プUV露光用に適した感放射線性組成物に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体集積回路の高集積度化が進み、例えばダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ−(DRAM)を例にとれば、現在では、64Mビットの記憶容量を持つものの本格生産が開始されている。それにともない集積回路の生産に不可欠のフォトリソグラフィ−技術に対する要求も年々きびしくなってきている。例えば、64MビットDRAMの生産には、0.25μmレベルのリソグラフィ−技術が必要とされ、更に高集積度化の進んだ256MDRAMでは0.20μm以下のレベルのリソグラフィ−技術が必要とされている。
【0003】
0.25μmレベル以下のリソグラフィ−には従来から使われている水銀灯のi線(365nm)の波長よりも短いKrFエキシマレ−ザ−光(248nm)やArFエキシマレ−ザ−光(193nm)光源を使うことが必至となっている。このような短波長露光に適したポジ型レジストとして、高感度化に適した化学増幅型ポジ型フォトレジストが種々提案されている。化学増幅型レジストとは、放射線(紫外線、遠紫外線、X線、例えば電子線のような荷電粒子線等)の照射により発生した酸の触媒作用により放射線照射部の現像液に対する溶解性を制御するレジストであり、発生剤と酸触媒反応によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大するような化合物を含有し、この酸触媒反応により高感度化が実現できる。
【0004】
上記化学増幅型レジストとしては、たとえば特開昭63−197941にはポリビニルフェノールの水酸基の一部をtert−ブチルオキシ基で置換した樹脂成分とオニウム塩を組み合わせたレジスト組成が、また、特開平5−249682号公報には、ポリビニルフェノールの水酸基の一部をエトキシエチル基で置換した樹脂成分とビス(シクロヘキシルスルホニル)ジアゾメタンをを組み合わせたレジスト組成等が開示されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
これら化学増幅型ポジ型フォトレジストに特有の問題として、1)空気中の塩基性物質がレジスト表面に付着する事により酸が失活し、レジストの表面が難溶化する現象(T-top の形成)、2)露光と露光後ベ−ク(PEB)との間の引置き時間に対する安定性の問題、すなわち、露光とPEBとの間に時間が空くと発生した酸の拡散に由来するパタ−ン寸法の問題(PED)等がある。
これらの問題を解決する試みとして、特開平5−232706や特開平7−92681が知られている。具体的には、例えばポリビニルフェノールの水酸基の一部をtert−ブチルオキシ基で置換した樹脂成分と光酸発生剤からなるレジスト組成に有機アミン化合物やカルボン酸アミド化合物を添加した組成である。この考え方は、露光部で発生した酸を塩基性物質で中和し、塩を形成することにより酸の拡散を押さえたり、露光部に十分な酸を発生させることで空気中の微量な塩基性物質の影響を小さくするというものである。従って、必然的にレジストの感度が大きく低下したり、生成した塩の種類つまり光酸発生剤と塩基性物質の組み合わせにより、露光部の溶解性が大きく異なってくることになる。特開平7−92681には、カルボン酸アミドを含む組成物では、レジスト表面の難溶化層の生成が抑制されることが開示され、例えば安息香酸アミド、ヒドロキシ安息香酸アミド等を含むレジストの例が示されている。しかしながら我々の検討の結果、フェノ−ル性水酸基を有するカルボン酸アミドを使用した場合、レジストパタ−ンの残膜性が大きく劣化し、スカムが発生し、解像力も劣ることがわかった。さらに、特開平9−5987および同9−127698にはカルボン酸アルキルアミドが孤立パタ−ンの形状に効果があることが示されているが、解像力の点で不十分であることがわかった。
本発明の目的は、前記従来技術の問題点を解決し、クオ−タ−ミクロンリソグラフィ−に対応できる高解像度を有する感放射線性組成物を提供することである。特に、パタ−ン形状がアンダ−カットといった形状がなく、残膜性を落とすことなくスカムや膜荒れ形状のない感放射線性組成物を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は鋭意研究を重ねた結果、酸の作用でアルカリ可溶性が増大する樹脂光酸発生剤及びカルボン酸アミドを含有する感放射線性組成物に於て、カルボン酸アミドとして分子内にアルコ−ル性水酸基を有するカルボン酸アミド化合物を選択したときに、上記課題を解決することがわかり、本発明に到達した。
即ち、本発明の要旨は酸の作用でアルカリ可溶性が増大する樹脂及び光酸発生剤を含有する感放射線性組成物に於て、更に分子内にアルコール性水酸基を含有するカルボン酸アミド類を含有することを特徴とする感放射線性組成物に存する。
【0007】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の酸の作用でアルカリ可溶性が増大する樹脂としては、水酸基、カルボキシル基等のアルカリ可溶性を付与する基を有するアルカリ可溶性樹脂のアルカリ可溶性付与基の少なくとも一部を、後述の光酸発生剤から生成する酸の作用で脱離してアルカリ可溶性が増大する機能を有する酸分解性保護基で保護した構造を有する樹脂であれば、いずれでもよい。かかる酸の作用でアルカリ可溶性が増大する樹脂としては、より具体的には本発明の樹脂は、フェノ−ル性水酸基を有するアルカリ可溶性樹脂(以下、ベ−ス樹脂ということがある)のフェノ−ル性水酸基の少なくとも一部が酸分解性保護基で保護された樹脂が挙げられる。
【0008】
フェノ−ル性水酸基を有するアルカリ可溶性樹脂としては、ノボラック樹脂あるいはポリビニルフェノ−ルもしくはその誘導体である。すでに半導体の製造に使われているKrFエキシマ−レ−ザ−の波長を考慮すると、その波長での吸光度が低いポリビニルフェノ−ル又はその誘導体が好ましい。ポリビニルフェノ−ルの誘導体としては、例えばヒドロキシスチレン類単独での重合またはヒドロキシスチレンと各種のビニルモノマ−とを共重合して得られる樹脂である。ヒドロキシスチレンと共重合するビニルモノマ−としては、スチレン、アクリル酸、ビニルアルコ−ルまたは、これらの誘導体などが用いられる。
【0009】
ポリビニルフェノ−ルとしては、具体的には、o−ヒドロキシスチレン、m−ヒドロキシスチレン、p−ヒドロキシスチレン、2−(o−ヒドロキシフェニル)プロピレン、2−(m−ヒドロキシフェニル)プロピレン、2−(p−ヒドロキシフェニル)プロピレンなどのヒドロキシスチレン類の単独または2種以上をラジカル重合開始剤、アニオン重合開始剤またはカチオン重合開始剤の存在下で重合した樹脂が用いられる。また、重合後樹脂の吸光度を下げるために水素添加を行なったものを用いてもよく、又、芳香族化合物モノマ−中に本発明に悪影響を与えない限りハロゲン原子、ニトロ基、エステル基等の置換基を有しても良い。
【0010】
尚、上記ヒドロキシ芳香族化合物は本発明に悪影響を与えないかぎりハロゲン原子、ニトロ基、エステル基等の置換基を有していても良い。又、これらの樹脂は必要に応じ、更に、水素等により還元し、短波長領域の吸光度を低くしたものを用いても良い。ベ−ス樹脂の重量平均分子量は、ゲルパ−ミェ−ションクロマトグラフィ−(GPC)によるポリスチレン換算値で通常1000以上50000以下、塗膜性の点で好ましくは2000以上30000以下、さらに好ましくは3000以上20000以下のものが用いられる。
フェノ−ル性水酸基を有するアルカリ可溶性樹脂のフェノ−ル性水酸基の少なくとも一部が酸分解性保護基で保護された樹脂における酸分解性保護基としては前記の機能を有するならばいずれでもよいが、下記式(1)あるいは式(2)で表わされるものが好ましい。
【0011】
【化3】
【0012】
(式中、R1 及びR2 は独立に、水素原子または置換されていてもよいアルキル基であり、R1 とR2 は結合して環を形成しても良い。R3 は置換されていてもよいアルキル基でありR2 とR3 は結合して環を形成していてもよい。R4は置換されていてもよいアルキル基又はアルコキシ基を表わす。)これらの酸分解性保護基は単独で用いても併用して用いてもよい。
式(1)に於て、R1 、R2 で表わされるアルキル基の炭素数は好ましくは1〜6であり、R3 で表わされるアルキル基の炭素数は好ましくは1〜12である。R1 及びR2 は独立に水素原子または炭素数1〜2のアルキル基が好ましく、R3 は炭素数1〜10のアルキル基が好ましい。又、上記アルキル基は、合成上の点で無置換であるのが好ましい。
【0013】
式(1)で示される基の具体的な例としては、エトキシメチル基、エトキシエチル基、エトキシプロピル基、プロポキシエチル基、n−ブトキシエチル基、iso−ブトキシエチル基、sec−ブトキシエチル基、t−ブトキシエチル基、シクロヘキシルオキシメチル基、シクロヘキシルオキシエチル基、メンチルオキシエチル基、イソボルニルオキシエチル基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。中でもエトキシエチル基、n−プロポキシエチル基、iso−ブトキシエチル基、エトキシプロピル基、シクロヘキシルオキシエチル基が好ましく、特にエトキシエチル基が好ましい。
【0014】
式(2)においてR4 で表わされるアルキル基及びアルコキシ基の炭素数は、好ましくは1〜6、特に1〜4である。式(2)で示される具体的な例としては、メチルカルボニル基、エチルカルボニル基、n−プロピルカルボニル基、iso−プロピルカルボニル基、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、n−プロピルオキシカルボニル基、iso−プロピルオキシカルボニル基、sec−ブチルオキシカルボニル基、t−ブチルオキシカルボニル基等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。中でもR4がアルコキシ基であるのが好ましく、特にはエチルオキシカルボニル基、iso−プロピルオキシカルボニル基、t−ブチルオキシカルボニル基が好ましく、さらに好ましくはエチルオキシカルボニル基、t−ブチルオキシカルボニル基である。炭素数が6以上の場合には、最適焦点から焦点距離をずらした(以下デフォ−カスした)場合、形状の劣化が生じる怖れがある。
【0015】
また、酸分解性保護基の導入率としては、画像形成能および耐熱性の点から、通常アルカリ可溶性付与基(フェノール性水酸基を有するアルカリ可溶性樹脂の場合はフェノ−ル性水酸基)の合計に対して20〜70モル%が適当であり、より好ましい導入率としては25〜60モル%である。
酸の作用でアルカリ可溶性が増大する樹脂の重量平均分子量は、酸分解性保護基の導入率により変動し、ベ−ス樹脂のそれより大ではあるが、その場合でも通常、ポリスチレン換算値(ゲル・パ−ミエ−ション・クロマトグラフィ測定)で1,000以上50,000以下、好ましくは2,000以上30,000以下、さらに好ましくは3,000以上25,000以下のものが用いられる。
分子量が、この範囲よりも小さいとレジストとしての十分な塗膜が得られず、耐熱性も劣り、この範囲よりも大きいと露光部分のアルカリ現像液に対する溶解性が小さくなり、レジストのパタ−ンが得られない傾向がある。
【0016】
更に、本発明の樹脂はその分子量分布(Mw/Mn)が狭いものが好ましい。分子量分布が広い場合は低分子量や高分子量のポリマ−が存在し、低分子量のポリマ−が多く存在すると耐熱性が低下する場合があり、高分子量のポリマ−が多く存在するとアルカリに対して溶解し難いものを含み、パタ−ン形成後の裾引きの原因となる場合がある。また分子量分布の広い樹脂を酸分解性基で保護した場合には、溶解性にばらつきが生じ、露光部と未露光部の現像コントラストが下がってしまうため高解像が得難くなる。それ故、微細なパタ−ン寸法に好適に用いられるレジスト材料を得るには、樹脂の分子量分布は1.0〜1.6、特に1.1〜1.4の狭分散であることが好ましい。
【0017】
本発明の光酸発生剤とは露光に用いられる光または電子線などの放射線の作用によって、酸を発生するものを意味し、かかる作用を有するものであれば、何でも用いることができるが、具体的には、たとえば、トリフェニルスルホニウムメタンスルホネ−ト、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネ−ト、トリフェニルスルホニウムp−トルエンスルホネ−ト、特許−2719748号、特開平9−244234号、同9−258435号、同10−10715号、同10−213904号記載の化合物等のスルホニウム塩、ジフェニルヨ−ドニウムトリフルオロメタンスルホネ−ト、ジフェニルヨ−ドニウムp−トルエンスルホネ−ト、ジ(4−tertブチルフェニル)ヨ−ドニウムカンファ−スルホネ−ト、特開平9−244234号、同9−258435号、同10−10715号、同10−213904号記載の化合物等のヨ−ドニウム塩、p−トルエンスルホン酸エチル、p−トルエンスルホン酸ブチル、p−トルエンスルホン酸フェニル、1,2,3−トリ(p−トルエンスルホニルオキシ)ベンゼン、p−トルエンスルホン酸ベンゾインエステル、メタンスルホン酸メチル、メタンスルホン酸エチル、メタンスルホン酸ブチル、1,2,3−トリ(メタンスルホニルオキシ)ベンゼン、メタンスルホン酸フェニル、メタンスルホン酸ベンゾインエステル、トリフルオロメタンスルホン酸メチル、トリフルオロメタンスルホン酸エチル、トリフルオロメタンスルホン酸ブチル、1,2,3−トリ(トリフルオロメタンスルホニルオキシ)ベンゼン、トリフルオロメタンスルホン酸フェニル、トリフルオロメタンスルホン酸ベンゾインエステル、などのスルホン酸エステル類、o−ニトロベンジル−p−トルエンスルホネ−トなどのo−ニトロベンジルエステル類、特開平9−95479号、同9−211846号、同9−208554号等に記載のオキシムスルホン酸エステル類、ジフェニルジスルホンなどのジスルホン類、ビス(フェニルスルホニル)メタン、ビス(シクロヘキシルスルホニル)メタンなどのビススルホニルメタン類、等が挙げられる。更に、スルホニルジアゾメタン骨格を有するスルホニルジアゾメタン系の化合物、具体的にはビス(フェニルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(シクロヘキシルスルホニル)ジアゾメタンなどのビススルホニルジアゾメタン類などを挙げることができる。特に好ましいものとしてはスルホニルジアゾメタン系の化合物であり、具体的には特開平9−5990号、同4−219757号、同5−249682号、同4−210960号公報等により公知の化合物及びシクロヘキシルスルホニル−(o−メトキシフェニルスルホニル)ジアゾメタン、シクロヘキシルスルホニル−(p−メトキシフェニルスルホニル)ジアゾメタン、シクロペンチルスルホニル−(o−メトキシフェニルスルホニル)ジアゾメタン、シクロペンチルスルホニル−(p−メトキシフェニルスルホニル)ジアゾメタン、シクロヘキシルスルホニル−(o−フルオロフェニルスルホニル)ジアゾメタン、シクロヘキシルスルホニル−(p−フルオロフェニルスルホニル)ジアゾメタン、シクロペンチルスルホニル−(o−フルオロフェニルスルホニル)ジアゾメタン、シクロペンチルスルホニル−(p−フルオロフェニルスルホニル)ジアゾメタン、シクロヘキシルスルホニル−(o−クロロフェニルスルホニル)ジアゾメタン、シクロヘキシルスルホニル−(p−クロロフェニルスルホニル)ジアゾメタン、シクロペンチルスルホニル−(o−クロロフェニルスルホニル)ジアゾメタン、シクロペンチルスルホニル−(p−クロロフェニルスルホニル)ジアゾメタン、シクロヘキシルスルホニル−(o−トリフルオロメチルフェニルスルホニル)ジアゾメタン、シクロヘキシルスルホニル−(p−トリフルオロメチルフェニルスルホニル)ジアゾメタン、シクロペンチルスルホニル−(o−トリフルオロメチルフェニルスルホニル)ジアゾメタン、シクロペンチルスルホニル−(p−トリフルオロメチルフェニルスルホニル)ジアゾメタン、シクロヘキシルスルホニル−(o−トリフルオロメトキシフェニルスルホニル)ジアゾメタン、シクロヘキシルスルホニル−(p−トリフルオロメトキシフェニルスルホニル)ジアゾメタン、シクロペンチルスルホニル−(o−トリフルオロメトキシフェニルスルホニル)ジアゾメタン、シクロペンチルスルホニル−(p−トリフルオロメトキシフェニルスルホニル)ジアゾメタン、シクロヘキシルスルホニル−(2,4,6−トリメチルフェニルスルホニル)ジアゾメタン、シクロヘキシルスルホニル−(2,3,4−トリメチルフェニルスルホニル)ジアゾメタン、シクロヘキシルスルホニル−(2,4,6−トリエチルフェニルスルホニル)ジアゾメタン、シクロヘキシルスルホニル−(2,3,4−トリエチルフェニルスルホニル)ジアゾメタン、シクロペンチルスルホニル−(2,4,6−トリメチルフェニルスルホニル)ジアゾメタン、シクロペンチルスルホニル−(2,3,4−トリメチルフェニルスルホニル)ジアゾメタン、シクロペンチルスルホニル−(2,4,6−トリエチルフェニルスルホニル)ジアゾメタン、シクロペンチルスルホニル−(2,3,4−トリエチルフェニルスルホニル)ジアゾメタン、フェニルスルホニル(o−メトキシフェニルスルホニル)ジアゾメタン、フェニルスルホニル(p−メトキシフェニルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(o−メトキシフェニルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(p−メトキシフェニルスルホニル)ジアゾメタン、フェニルスルホニル−(2,4,6−トリメチルフェニルスルホニル)ジアゾメタン、フェニルスルホニル−(2,3,4−トリメチルフェニルスルホニル)ジアゾメタン、フェニルスルホニル−(2,4,6−トリエチルフェニルスルホニル)ジアゾメタン、フェニルスルホニル−(2,3,4−トリエチルフェニルスルホニル)ジアゾメタン、2,4−ジメチルフェニルスルホニル−(2,4,6−トリメチルフェニルスルホニル)ジアゾメタン、2,4−ジメチルフェニルスルホニル−(2,3,4−トリメチルフェニルスルホニル)ジアゾメタン、フェニルスルホニル(o−フルオロフェニルスルホニル)ジアゾメタン、フェニルスルホニル(p−フルオロフェニルスルホニル)ジアゾメタンなどのビススルホニルジアゾメタン類が好ましい。
【0018】
これらの光酸発生剤は単独で用いても、これらのうち2種以上を混合して用いてもよい。
光酸発生剤の総含有量は感放射線性組成物の固型分を100重量部とすると0.1〜20重量部、より好ましくは、0.5〜10重量部で用いられる。酸発生剤の量がこの範囲よりも少ないと感度が劣り、酸発生剤がこの範囲よりも多いと、酸発生剤によるレジスト膜の溶解性の低下により、レジストパタ−ンが台形になり解像力の低下を引き起こす恐れがある。
【0019】
本発明の特徴は感放射線性組成物中にアルコ−ル性水酸基をもったカルボン酸アミド類を含有するところにある。アルコ−ル性水酸基をもったカルボン酸アミド類は弱い酸拡散抑止効果と現像性を改善する効果を兼ね備えており、引き置きの問題を解決し、かつスカムのないパタ−ンを形成することができる。
【0020】
本発明に於いて分子内にアルコール性水酸基を有するカルボン酸アミド類とはカルボン酸アミド骨格を有し、置換基としてその分子内にアルコ−ル性水酸基をもっていれば特に限定されることはなく、第1〜3級アミドの何れでもよい。アルコ−ル性水酸基の置換位置は、窒素上のアルキル基上にあっても、カルボニルに結合したアルキル基上にあっても良く、又アルキル鎖の末端にあっても途中にあっても良い。好ましくは第1カルボン酸アミドであり、レジストの露光波長における透明性の観点から分子内にベンゼン環を含まない方が好ましい。特には下記式(3)に記載の構造が好ましい。
【0021】
【化4】
【0022】
(式中Q1 は置換されていてもよいアルキル基であり、Q2 及びQ3 は独立に水素原子または置換されていても良いアルキル基であるがQ1 〜Q3 の少なくとも1つは水酸基で置換されたアルキル基である。)
Q1 のアルキル基の炭素数は、好ましくはC1〜C20さらに好ましくはC6〜C18である。またQ2 、Q3 のアルキル基の炭素数は好ましくはC2〜C6である。
【0023】
該アミドの具体的な例としては、酢酸モノエタノ−ルアミド、プロピオン酸モノエタノ−ルアミド、ヘキサン酸モノエタノ−ルアミド、オクタン酸モノエタノ−ルアミド、デカン酸モノエタノ−ルアミド、ラウリン酸モノエタノ−ルアミド、ステアリン酸モノエタノ−ルアミド、ヤシ油脂肪酸モノエタノ−ルアミド、酢酸モノイソプロパノ−ルアミド、プロピオン酸モノイソプロパノ−ルアミド、ヘキサン酸モノイソプロパノ−ルアミド、オクタン酸モノイソプロパノ−ルアミド、デカン酸モノイソプロパノ−ルアミド、ラウリン酸モノイソプロパノ−ルアミド、ステアリン酸モノイソプロパノ−ルアミド、ヤシ油脂肪酸モノイソプロパノ−ルアミドなどのモノアルカノ−ルアミド類、特に上記式(3)に於て、Q2 が水酸基で置換されたアルキル基であり、Q1 、Q3 がアルキル基である化合物、酢酸ジエタノ−ルアミド、プロピオン酸ジエタノ−ルアミド、ヘキサン酸ジエタノ−ルアミド、オクタン酸ジエタノ−ルアミド、デカン酸ジエタノ−ルアミド、ラウリン酸ジエタノ−ルアミド、ステアリン酸ジエタノ−ルアミド、ヤシ油脂肪酸ジエタノ−ルアミド、酢酸ジイソプロパノ−ルアミド、プロピオン酸ジイソプロパノ−ルアミド、ヘキサン酸ジイソプロパノ−ルアミド、オクタン酸ジイソプロパノ−ルアミド、デカン酸ジイソプロパノ−ルアミド、ラウリン酸ジイソプロパノ−ルアミド、ステアリン酸ジイソプロパノ−ルアミド、ヤシ油脂肪酸ジイソプロパノ−ルアミドなどのジアルカノ−ルアミド類、特に、上記式(3)に於て、Q2 及びQ3 が水酸基で置換されたアルキル基であり、Q1 がアルキル基である化合物、等のアルカノールアミド類が挙げられ、好ましくはジアルカノ−ルアミド類である。
これらは2種以上混合して用いても良い。
【0024】
これらの添加量は通常酸の作用でアルカリ可溶性が増大する樹脂の100重量部に対し、0.1〜10重量部であり、さらに好ましくは0.5〜5重量部である。
添加量がこれより少ないと、膜表面の荒れが改善されず効果が傾る傾向にあり、添加量が多いと解像力および感度が低下する傾向にある。
【0025】
本発明の感放射線性組成物には本発明の効果を損なわない程度に添加剤を加えることができる。添加剤の例としてはアミン化合物、カルボン酸化合物、溶解抑制剤、界面活性剤、色素、増感剤等が挙げられる。
アミン化合物は、酸に対して塩基として作用する化合物であり、露光から露光後ベ−クまでの間に、プリベ−ク時に発生した酸又は露光時に酸発生剤から発生した酸が移動してレジストパタ−ンが寸法変動を起こすのを防ぐために有効である。従って、上記のごとき酸発生剤から生じた酸を中和しうる化合物であれば、特に限定されないが、有機アミン化合物が挙げられる。しかしながら、この化合物は非常に少量で感度が大きく変化するため、前記アミド化合物に対して補助的に使用される。具体的な化合物としては、例えば、ピリミジン、2−アミノピリミジン、4−アミノピリミジン、5−アミノピリミジン、2,4−ジアミノピリミジン、2,5−ジアミノピリミジン、4,5−ジアミノピリミジン、4,6−ジアミノピリミジン、2,4,5−トリアミノピリミジン、2,4,6−トリアミノピリミジン、4,5,6−トリアミノピリミジン、2,4,5,6−テトラアミノピリミジン、2−ヒドロキシピリミジン、4−ヒドロキシピリミジン、5−ヒドロキシピリミジン、2,4−ジヒドロキシピリミジン、2,5−ジヒドロキシピリミジン、4,5−ジヒドロキシピリミジン、4,6−ジヒドロキシピリミジン、2,4,5−トリヒドロキシピリミジン、2,4,6−トリヒドロキシピリミジン、4,5,6−トリヒドロキシピリミジン、2,4,5,6−テトラヒドロキシピリミジン、2−アミノ−4−ヒドロキシピリミジン、2−アミノ−5−ヒドロキシピリミジン、2−アミノ−4,5−ジヒドロキシピリミジン、2−アミノ−4,6−ジヒドロキシピリミジン、4−アミノ−2,5−ジヒドロキシピリミジン、4−アミノ−2,6−ジヒドロキシピリミジン、2−アミノ−4−メチルピリミジン、2−アミノ−5−メチルピリミジン、2−アミノ−4,5−ジメチルピリミジン、2−アミノ−4,6−ジメチルピリミジン、4−アミノ−2,5−ジメチルピリミジン、4−アミノ−2,6−ジメチルピリミジン、2−アミノ−4−メトキシピリミジン、2−アミノ−5−メトキシピリミジン、2−アミノ−4,5−ジメトキシピリミジン、2−アミノ−4,6−ジメトキシピリミジン、4−アミノ−2,5−ジメトキシピリミジン、4−アミノ−2,6−ジメトキシピリミジン、2−ヒドロキシ−4−メチルピリミジン、2−ヒドロキシ−5−メチルピリミジン、2−ヒドロキシ−4,5−ジメチルピリミジン、2−ヒドロキシ−4,6−ジメチルピリミジン、4−ヒドロキシ−2,5−ジメチルピリミジン、4−ヒドロキシ−2,6−ジメチルピリミジン、2−ヒドロキシ−4−メトキシピリミジン、2−ヒドロキシ−4−メトキシピリミジン、2−ヒドロキシ−5−メトキシピリミジン、2−ヒドロキシ−4,5−ジメトキシピリミジン、2−ヒドロキシ−4,6−ジメトキシピリミジン、4−ヒドロキシ−2,5−ジメトキシピリミジン、4−ヒドロキシ−2,6−ジメトキシピリミジンなどのピリミジン化合物類、ピリジン、メチルピリジン、N,N−ジメチルアミノピリジン、2,6−ジメチルピリジン等のピリジン化合物類、ジエタノ−ルアミン、トリエタノ−ルアミン、トリイソプロパノ−ルアミン、トリス(ヒドロキシメチル)アミノメタン、ビス(2−ヒドロキシエチル)イミノトリス(ヒドロキシメチル)メタンなどのヒドロキシアルキル基を有するアミン類、2−アミノフェノ−ル、3−アミノフェノ−ル、4−アミノフェノ−ルなどのアミノフェノ−ル類などが挙げられるが、ピリジン類またはヒドロキシアルキル基をもつアミン類が好ましい。ヒドロキシアルキル基の炭素数1以上4以下が好ましい。
【0026】
アミン化合物を併用する場合、通常、光酸発生剤の含有量に対して、0.1〜50モル%が好ましく、さらに好ましくは、1〜30モル%である。
有機カルボン酸は、環境からの塩基性物質の侵入によるレジスト性能の低下を抑制する目的で使用される。有機カルボン酸の具体例としては、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、n−酪酸、iso−酪酸、蓚酸、マロン酸、琥珀酸、グルタル酸、アジピン酸、アクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸、フマル酸などの脂肪族カルボン酸、ピルビン酸などのケトカルボン酸、安息香酸、サリチル酸、m−ヒドロキシ安息香酸、p−ヒドロキシ安息香酸、2,4−ジヒドロキシ安息香酸、2,5−ジヒドロキシ安息香酸、2,6−ジヒドロキシ安息香酸、フタル酸、テレフタル酸、イソフタル酸などの芳香族カルボン酸、あるいは特開平9−6001、特開平9−6002号公報等に記載された化合物が挙げられる。カルボン酸化合物を添加する場合、その添加量は感放射線性組成物の固型分100重量部に対して、0.001〜2重量部、好ましくは0.005〜1重量部の割合で用いられる。
【0027】
溶解抑制剤とはアルカリ現像液に対するレジストの未露光部の溶解性を制御する化合物で、酸触媒作用により脱離する基を有する低分子化合物である。好ましくはフェノ−ル性水酸基やカルボキシル基等の酸性官能基の水素原子を酸触媒作用により脱離する基で保護した化合物である。具体的には特開平9−62006、特開平9−278699、特開平9−50127、特開平9−166873、特開平10−97075号公報等に記載された化合物が挙げられる。
溶解抑制剤を添加する場合、その添加量は感放射線性組成物の固型分100重量部に対して、1〜50重量部、好ましくは5〜30重量部の割合で用いられる。
【0028】
本発明における感放射線性組成物は、前述の樹脂、光酸発生剤、アルコ−ル性水酸基を有するカルボン酸アミド化合物及び任意の添加剤の上記各成分を溶解させ得る適当な溶媒に溶解して用いる。好ましい溶媒としてはシクロヘキサノン、メチルアミルケトン、2−ヘプタノンなどのケトン系溶媒、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、メチルセロソルブアセテ−ト、エチルセロソルブアセテ−トなどのセロソルブ系溶媒、ジエチルオキサレ−ト、ピルビン酸エチル、エチル−2−ヒドロキシブチレ−ト、エチルアセトアセテ−ト、酢酸ブチル、酢酸アミル、酪酸エチル、酪酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、3−メトキシプロピオン酸メチル、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸メチルなどのエステル系溶媒、プロピレングリコ−ルモノメチルエ−テル、プロピレングリコ−ルモノエチルエ−テル、プロピレングリコ−ルモノブチルエ−テル、プロピレングリコ−ルモノメチルエ−テルアセテ−ト、プロピレングリコ−ルモノエチルエ−テルアセテ−ト、プロピレングリコ−ルモノブチルエ−テルアセテ−ト、ジプロピレングリコ−ルジメチルエ−テルなどのプロピレングリコ−ル系溶媒、あるいはこれらの混合溶媒、あるいはさらに芳香族炭化水素を添加したものなどが挙げられる。溶媒の使用割合は、感放射線性組成物の固形分の総量に対して重量比で1〜20倍の範囲であることが望ましい。
【0029】
本発明の感放射線性組成物を用いて半導体基板上にレジストパタ−ンを形成する場合には、通常、上記のような溶媒に溶解した本発明の感放射線性組成物を半導体基板上に塗布し、プリベ−ク、露光によるパタ−ンの転写、露光後ベ−ク、現像の各工程を経てフォトレジストとして使用することができる。半導体基板は、通常半導体製造用基板として使用されているものであり、シリコン基板、ガリウムヒ素基板などである。尚、基板上及びレジスト膜上には必要により公知の種々の反射防止膜を用いることも可能である。
【0030】
例えば、特開平6−148896号、同6−118630号、同6−148896号、同5−241332号、USP5688987号、同5693691号、同5368989号、同5234990号、同5110697号等に記載の反射防止膜が使用できる。
塗布には通常スピンコ−タ−が使用され、露光には、低圧水銀灯の254nm、エキシマレ−ザ−などを光源とする157nm、193nm、222nm、248nmの光または電子線など200〜300nmの波長の光が好適に用いられ、特にエキシマレ−ザ−を光源とするのが有利である。露光の際の光は、単色光でなくブロ−ドであってもよい。また、位相シフト法や変形照明による露光も適用可能である。
【0031】
本発明の感放射線性組成物の現像液には、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水などの無機アルカリ類、エチルアミン、n−プロピルアミンなどの第1級アミン類、ジエチルアミン、ジ−n−プロピルアミンなどの第2級アミン類、トリエチルアミン、N,N−ジエチルメチルアミンなどの第3級アミン類、テトラメチルアンモニウムハイドロオキシド、トリメチルヒドロキシエチルアンモニウムハイドロオキシドなどの第4級アンモニウム塩、もしくはこれにアルコ−ル、界面活性剤などを添加したものを使用することができる。
本発明の感放射線性組成物は超LSIの製造のみならず一般のIC製造用、マスク製造用、画像形成用、液晶画面製造用、カラ−フィルタ−製造用あるいは平版印刷用としても有用である。特に、半導体集積回路作成用として有用である
【0032】
【実施例】
次に実施例を挙げて本発明を更に詳しく説明するが、本発明はその要旨を越えない限り実施例により何等制約を受けない。
合成例1 p−(1−エトキシエトキシ)スチレン−ヒドロキシスチレン共重合体の合成
窒素導入管、撹拌機、温度計を備えた1Lの四つ口フラスコにポリビニルフェノ−ル(重量平均分子量18000)100gと1、3−ジオキソラン500mLとを加え溶液とした後、エチルビニルエ−テル30.0gを加え、しばらく攪拌し均一な溶液とした。これに、35%塩酸0.25mlを加え、ウオ−タ−バスで40℃に加熱し2時間撹拌を続けた。その後、この反応溶液に28%アンモニア水2.5mLを加え30分間攪拌した。この反応液を純水9L中に滴下して得られた沈殿をろ取した。さらに、この沈殿物をアセトンに溶解させ、その溶液を純水に滴下し沈殿させることにより目的の樹脂を回収した。回収した樹脂を真空乾燥して、100gのp−(1−エトキシエトキシ)スチレン−ヒドロキシスチレン共重合体(樹脂1)を得た。得られた樹脂の重量平均分子量は23000であった。得られた樹脂を重水素化アセトンに溶解し、プロトンNMRスペクトルを測定し、δ値6.2〜7.0の芳香族水素のシグナルとδ値5.2〜5.5のアセタ−ルメチン水素のシグナルとの面積比よりアセタ−ル化率をもとめると40%となった。
【0033】
合成例2 p−(1−エトキシエトキシ)スチレン−p−(エチルオキシカルボニルオキシ)スチレン−ヒドロキシスチレン共重合体の合成
窒素導入管、撹拌機、温度計を備えた1Lの四つ口フラスコにポリビニルフェノ−ル(重量平均分子量15000)90gと1,3−ジオキソラン450mLとを加え溶解させた後、エチルビニルエ−テル35.5gを加え、しばらく攪拌し均一な溶液とした。これに、35%塩酸0.15mlを加え、ウオ−タ−バスで40℃に加熱し2時間撹拌を続けた。その後、この反応溶液に28%アンモニア水2.5mLを加え30分間攪拌した。この反応液を純水9L中に滴下して得られた沈殿をろ取した。さらに、この沈殿物をアセトンに溶解させ、その溶液を純水に滴下し沈殿させることにより目的の樹脂を回収した。回収した樹脂を真空乾燥して、88gのp−(1−エトキシエチル化)ポリビニルフェノ−ルを得た。窒素導入管、撹拌機、温度計を備えた1Lの四つ口フラスコに、上記の方法で合成したp−(1−エトキシエチル化)ポリビニルフェノ−ル10gおよび0.005gのN,N−ジメチルアミノピリジンにアセトン45mLを加え溶解させた溶液を加えた後、ジエチルジカ−ボネ−ト0.85gを滴下した。ウオ−タ−バスで40℃に加熱し、5時間撹拌を続けた。この反応液を純水1L中に滴下して、得られた沈殿をろ取した。さらにこの沈殿物をアセトンに溶解させ、その溶液を純水に滴下し沈殿させることにより目的の樹脂を回収した。回収した樹脂を真空乾燥して、10gのp−(1−エトキシエトキシ)スチレン−p−(エチルオキシカルボニルオキシ)スチレン−p−ヒドロキシスチレン共重合体(樹脂2)を得た。得られた樹脂の重量平均分子量は19000であった。得られた樹脂を重水素化アセトンに溶解し、プロトンNMRスペクトルを測定し、δ値6.2〜7.0の芳香族水素のシグナルとδ値5.2〜5.5のアセタ−ルメチン水素のシグナルとδ値4.1〜4.5のメチレン水素のシグナルとの面積比より導入率をもとめるとそれぞれエトキシエチル基33%、エチルオキシカルボニル基8%となった。
【0034】
実施例1
合成例1で合成した樹脂1 1.0g、光酸発生剤として、シクロヘキシルスルホニル−(4−メトキシフェニルスルホニル)ジアゾメタン(PAG1と略す)0.02g、ラウリン酸ジエタノ−ルアミド(三洋化成社製)0.01gおよびプロピレングリコ−ルモノメチルエ−テルアセテ−ト(PGMEA)5.4gを混合し、レジスト感光液とした。この感光液を、シリコン基板上に下層用反射防止膜(Brewer Science社製、DUV42)を塗布したウェハにスピンコ−トし、ホットプレ−ト上で90℃、60秒間ベ−クし、膜厚0.72μmのレジスト膜とした。この基板上のレジスト膜をニコン社製KrFエキシマレ−ザ縮小投影露光装置(NA=0.42)を用いて露光した後、ホットプレ−ト上で110℃、60秒間ベ−クした。この後、このレジスト膜をテトラメチルアンモニウムヒドロキシド2.38重量%水溶液で1分間現像した。この現像後に得られたレジストパタ−ンを走査電子顕微鏡で観察することにより感度、即ち、0.30μmのライン アンド スペ−ス(L/S)が1:1に解像している露光量(以下、E0と表す)と解像度(露光量E0に於ける限界解像度)を評価した。また膜表面の荒れについては0.30μmL/S部分を走査電子顕微鏡で観察したところ、膜荒れなく良好であった。感度、解像度、パタ−ン形状等の結果を表−1に示す。
【0035】
実施例2〜6及び比較例1〜2
レジスト感光液中の各成分を表−1に記載のものに変更した以外は、実施例1と同様に調液し、評価を行った。結果を表−1に示す。
尚、膜表面荒れは、実施例1と同レベルのものを「良」、実施例1よりわずかに荒れが認められるものを「少」、実施例1より著しく荒れが認められるものを「多」と示した。
表−1から明らかな様に、本発明は本発明と異なるカルボン酸アミドを使用した比較例よりも、パタ−ン形状が良好でスカムがなくかつ、レジストパタ−ンの表面荒れが小さい。また、実施例1のレジストはPEDに対してもレジスト線幅の変化はほとんどなかった。
【0036】
【表1】
【0037】
【発明の効果】
本発明の感放射線性組成物は、その構成成分として特定の構造を有するカルボン酸アミド化合物を用いることにより、良好な感度および解像力を維持しつつ、レジストパタ−ンの表面荒れが小さく、しかも良好な形状のパタ−ン得られる。更に、PEDに対する性能変化も小さく半導体製造プロセスで実用上極めて有用である。
Claims (5)
- 該カルボン酸アミド類がアルカノールアミドであることを特徴とする請求項1に記載の感放射線性組成物。
- 感放射線性組成物中にさらにアミン化合物を含有することを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の感放射線性組成物。
- 光酸発生剤がスルホニルジアゾメタン系化合物であることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の感放射線性組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15128599A JP4375634B2 (ja) | 1999-05-31 | 1999-05-31 | 感放射線性組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15128599A JP4375634B2 (ja) | 1999-05-31 | 1999-05-31 | 感放射線性組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000338678A JP2000338678A (ja) | 2000-12-08 |
JP4375634B2 true JP4375634B2 (ja) | 2009-12-02 |
Family
ID=15515349
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15128599A Expired - Lifetime JP4375634B2 (ja) | 1999-05-31 | 1999-05-31 | 感放射線性組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4375634B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4615115B2 (ja) * | 2000-11-17 | 2011-01-19 | ローム・アンド・ハース電子材料株式会社 | 化学増幅型フォトレジスト組成物および前記組成物を用いたフォトレジストレリーフ画像の形成方法 |
JP2013182174A (ja) * | 2012-03-02 | 2013-09-12 | Toyo Ink Sc Holdings Co Ltd | 感光性樹脂組成物 |
JP6283477B2 (ja) * | 2012-06-25 | 2018-02-21 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC | アミド成分を含むフォトレジスト |
-
1999
- 1999-05-31 JP JP15128599A patent/JP4375634B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2000338678A (ja) | 2000-12-08 |
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A621 | Written request for application examination |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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