JP2002091001A - レジスト組成物及びそれに用いるレジスト用基材樹脂 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、透明性、エッチング耐性、及び密
着性に優れたレジスト用組成物、及びこれに用いる樹脂
を提供することを目的とする。 【解決手段】 本発明は、（Ａ）フッ素原子又はフッ素
含有低級アルキル基（ａ１）と耐ドライエッチング性を
付与する芳香族基（ａ２）とを有する、エチレン性二重
結合が開裂して形成される単位を含む重合体、及び
（Ｂ）放射線の照射により酸を発生する化合物、を含有
してなるレジスト組成物、並びにそれに用いるレジスト
用基材樹脂である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、感放射線レジスト
組成物及びそれに用いるレジスト用基材樹脂に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体素子の集積度はますます高
まり、既にデザインルール０．１８μｍのＬＳＩの量産
は開始され、２０００年末にはデザインルール０．１５
μｍのＬＳＩの量産が始まろうとしている。このような
半導体リソグラフィーでは、レジストに基剤樹脂成分と
して、例えばヒドロキシスチレン系樹脂や（メタ）アク
リル酸エステル系樹脂と酸発生剤を主要成分とする化学
増幅型のポジ又は上記両成分に加えて架橋剤を主要成分
とするネガ型レジストを採用することにより、或いはこ
れと有機又は無機の反射防止膜を組み合わせることによ
り、さらにはハーフトーンマスクやレベンソンマスクな
どの露光用マスクの工夫や輪帯照明、スキャン方式、レ
ンズの高ＮＡ（ＮＡ：レンズの開口数）化などの露光装
置の工夫によりデザインルール０．１３μｍ付近迄実用
化されようとしている。例えば、２成分系のＫｒＦ用ポ
ジ型レジスト組成物としては、ポリヒドロキシスチレン
の水酸基を部分的に酸解離性基で置換した樹脂を基材樹
脂とし、これに酸発生剤を配合したものが知られている
（特許第３０２２４１６号公報）。また、３成分系のＫ
ｒＦ用ポジ型レジスト組成物としては、酸解離性基を有
さないポリヒドロキシスチレンと酸発生剤と低分子量フ
ェノール化合物を酸解離性基で置換した溶解抑制剤を配
合したものが知られている(特開平６−１１８６４９号
公報)。ネガ型レジスト組成物としては、アルカリ可溶
性樹脂と酸発生剤とアミノ樹脂からなる架橋剤を配合し
たものが知られている(特許第２５８３６５１号公報)。
ＡｒＦ用ポジ型レジスト組成物としては、アダマンチル
基のような多環式脂肪族基をアクリル酸エステル樹脂側
鎖に有する基材樹脂と酸発生剤を配合したものが知られ
ている(特許第２８８１９６９号)。

【０００３】このような状況下で、微細加工を目的とし
て、樹脂の透明性を高める試みがなされてきている。例
えばＰＣＴ／ＵＳ９９／２１９１２号には、フッ素原子
を含有する多環状エチレン性不飽和化合物からの共重合
体を含有するレジスト組成物が開示されている。

【０００４】しかしながら、このような脂肪族多環式基
を含むフッ素含有レジストでは、耐エッチング性やレジ
ストパターン形状において十分とは言えず、改善が望ま
れている。また、ＫｒＦエキシマレーザー（２４８ｎ
ｍ）の次世代の露光光はＡｒＦエキシマレーザー（１９
３ｎｍ）、次世代の露光光はＦ₂レーザー（１５７ｎ
ｍ）のような真空紫外線（ＶＵＶ１９０〜１０５ｎｍ）
と言われているが、これまでＫｒＦポジレジストの基剤
樹脂として広く利用されてきたヒドロキシスチレン系樹
脂やＡｒＦポジレジストの基剤樹脂として知られている
（メタ）アクリル酸エステル系樹脂では、Ｆ₂レーザー
に対する透過性が低く高解像性のレジストパターンが得
られないため、さらに該レーザーに対する透過性の高い
感放射線レジスト組成物が望まれている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、透明性が高
く、解像性に優れるとともに、エッチング耐性の高いレ
ジスト用組成物、及びこれに用いる樹脂を提供すること
を目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】即ち本発明は、（Ａ）フ
ッ素原子又はフッ素含有低級アルキル基（ａ１）と耐ド
ライエッチング性を付与する芳香族基（ａ２）とを有す
る、エチレン性二重結合が開裂して形成される単位を含
む重合体、及び（Ｂ）放射線の照射により酸を発生する
化合物を含有してなるレジスト組成物である。

【０００７】また本発明は、一般式（ＩＩ）：

【化６】 （式中Ｒ³は水素原子又は低級アルキル基であり、Ｘは
水素原子又は酸解離性基である）で表わされる単位、及
び

【０００８】一般式（ＩＶ）：

【化７】 （式中Ｒ¹は、水素原子、低級アルキル基、フッ素原子
又はフッ素含有低級アルキル基であり、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷
はそれぞれ独立して水素原子又はフッ素化低級アルキル
基であり、但しそれらの内少なくとも一つはフッ素化低
級アルキル基である）で表わされる単位、を含む共重合
体からなるレジスト用基材樹脂である。

【０００９】本発明のレジスト組成物は、（Ａ）成分及
び放射線の照射により酸を発生する化合物（Ｂ）を含有
する。

【００１０】（Ａ）成分 本発明において（Ａ）成分は、フッ素原子又はフッ素含
有低級アルキル基（ａ１）と耐ドライエッチング性を付
与する芳香族基（ａ２）とを有する，エチレン性二重結
合が開裂して形成される単位を含む重合体である。

【００１１】（ａ１）基 （ａ１）基は、（Ａ）成分又はレジスト膜の透明性を向
上させる作用を有し、フッ素原子又はフッ素含有低級ア
ルキル基である。フッ素含有低級アルキル基としては炭
素数１〜５のアルキル基の水素原子の一部又は全部がフ
ッ素原子で置換されたものが挙げられ、具体的にはトリ
フルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ペンタフ
ルオロプロピル基、１，１−ビス（トリフルオロメチ
ル）エチル基等が挙げられる。

【００１２】（ａ２）基 （ａ２）基は、耐ドライエッチング性を付与する芳香族
基で、無置換のフェニル基、水酸基若しくは酸解離性基
で置換された水酸基を有するフェニル基又はアルコキシ
基を有するベンジル基であることが好ましい。ここで、
酸解離性基とは、アルカリに対する溶解抑制作用を有し
酸の存在下で解離することが可能な基のことをいい、こ
れまでにＫｒＦ又はＡｒＦポジレジストに提案されてい
るものを用いることができる。具体的には、ｔｅｒｔ−
ブチルオキシカルボニル基などの第３級アルキルオキシ
カルボニル基；ｔｅｒｔ−ブチルオキシカルボニルメチ
ル基などの第３級アルキルオキシカルボニルアルキル
基、ｔｅｒｔ−ブチル基などの第３級アルキル基、テト
ラヒドロピラニル基などの環状エーテル基、メトキシメ
チル基、メトキシエチル基、エトキシエチル基などの低
級アルコキシアルキル基等が挙げられる。アルコキシ基
としては、メトキシ基、エトキシ基等が挙げられる。

【００１３】この（ａ２）基の具体例としては、フェニ
ル基、ヒドロキシスチレン基、酸解離性基で置換された
ヒドロキシスチレン基、メトキシベンジル基、エトキシ
ベンジル基等が挙げられる。これらのうちヒドロキシス
チレン基、酸解離性基で置換されたヒドロキシスチレン
基はそのエチレン性ニ重結合が開裂して重合体単位を形
成できる。フェニル基、メトキシベンジル基、エトキシ
ベンジル基は、次のような(メタ)アクリル酸エステルを
得て、該エステルのエチレン性ニ重結合が開裂して重合
体単位を形成できる。

【００１４】そのような(メタ)アクリル酸エステルと
は、まず、クロロベンゼン、ｐ−メトキシクロロメチル
ベンゼン、ｐ−エトキシクロロメチルベンゼンのような
上記基の相当するハロゲン化物のグリニヤール試薬とビ
ス（トリフルオロメチル）ケトンとをグリニヤール反応
させる。これによりビス(１、１−トリフルオロメチル)
ベンジルアルコール、ビス（１、１−トリフルオロメチ
ル）ｐ−メトキシフェニルエチルアルコール、ビス
（１、１−トリフルオロメチル）ｐ−エトキシフェニル
エチルアルコールのようなフッ素及び芳香族基含有アル
コール誘導体が得られる。次いで、該アルコール誘導体
と(メタ)アクリル酸またはその塩化物などの(メタ)アク
リル酸誘導体とをエステル反応させることにより、フッ
素原子又はフッ素含有低級アルキル基及び芳香族基を有
する(メタ)アクリル酸エステル化物が得られる。

【００１５】（Ａ）成分は、前記（ａ）基と（ａ２）基
とを有する、エチレン性二重結合が開裂して形成される
単位を含む重合体であれば、特に限定されるものではな
いが、重合体の合成の容易性、価格などの工業実施化と
いう点から、フッ素原子又はフッ素含有低級アルキル基
を有する（メタ）アクリル酸エステルから誘導される単
位（ａ１’）と、ヒドロキシスチレン、ヒドロキシ（α
−メチル）スチレン又はその酸解離性基置換体から誘導
される単位（ａ２’）とを有する共重合体であることが
好ましい。更に、基板に対するレジスト層の密着性を付
与するヒドロキシ基を含有するエチレン性二重結合が開
裂して形成される単位（ａ３’）を有する共重合体であ
ることが好ましい。

【００１６】（ａ１’）単位としては次の一般式
（Ｉ）：

【化８】 で表される単位であることが好ましい。

【００１７】式中、Ｒ¹は水素原子、低級アルキル基、
フッ素原子又はフッ素含有低級アルキル基であり、Ｒ²
はフッ素含有低級アルキル基である。ここで、Ｒ¹の低
級アルキル基としては炭素数１〜５のアルキル基が好ま
しく、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基等が
挙げられる。フッ素含有低級アルキル基としては、トリ
フルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基等の炭素数
１〜５のアルキル基の水素原子の一部又は全部がフッ素
原子で置換したものが挙げられる。Ｒ²のフッ素含有低
級アルキル基としては、炭素数１〜５のアルキル基の水
素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換されたもの
で、具体的にはトリフルオロメチル基、ペンタフルオロ
エチル基、ペンタフルオロプロピル基、１，１−ビス
（トリフルオロメチル）エチル基等が挙げられる。（ａ
１’）基を相当するモノマーで表すとトリス（トリフル
オロメチル）メチルアクリレートまたはそのメタクリレ
ート、１，１−ビス（トリフルオロメチル）エチルアク
リレートまたはそのメタクリレート、ビス（トリフルオ
ロメチル）メチルアクリレートまたはそのメタクリレー
ト、（α−フルオロ）トリス（トリフルオロメチル）メ
チルアクリレート、（α−トリフルオロメチル）１，１
−ビス（トリフルオロメチル）エチルアクリレート、
（α−トリフルオロメチル）ビス（トリフルオロメチ
ル）メチルアクリレート等が挙げられる。これらのうち
１，１−ビス（トリフルオロメチル）エチルアクリレー
トまたはそのメタクリレート、ビス（トリフルオロメチ
ル）メチルアクリレートまたはそのメタクリレートが合
成の容易性、入手のしやすさなどから工業実施化という
点から好ましい。

【００１８】（ａ２’）単位としては次の一般式（Ｉ
Ｉ）：

【化９】 で表される単位であることが好ましい。

【００１９】式中Ｒ³は水素原子又は低級アルキル基で
あり、Ｘは水素原子又は酸解離性基である。Ｒ³の低級
アルキル基として炭素数１〜５のアルキル基が好まし
く、具体的にはメチル基、エチル基が好ましい。Ｘの酸
解離性基としては、前記したものが挙げられ、すなわ
ち、第３級アルキルオキシカルボニル基、第３級アルキ
ルオキシカルボニルアルキル基、第３級アルキル基、環
状エーテル基、低級アルコキシアルキル基から選択され
るいずれかである第３級アルキルオキシカルボニル基と
してｔｅｒｔ−ブチルオキシカルボニル基、第３級アル
キルオキシカルボニル基としてｔｅｒｔ−ブチルオキシ
カルボニルメチル基、第３級アルキル基としてｔｅｒｔ
−ブチル基、環状エーテル基としてテトラヒドロピラニ
ル基、低級アルコキシアルキル基としてエトキシエチル
基が挙げられる。特には、ｔｅｒｔ−ブトキシスチレン
が安価で容易に入手でき、また、ｔｅｒｔ−ブチル基は
酸処理により容易に脱離し、ヒドロキシスチレン単位を
生成することから、Ｘがｔｅｒｔ−ブチル基、水素原子
であることが好ましい。

【００２０】（ａ３’）単位としては次の一般式（ＩＩ
Ｉ）：

【化１０】 であることが好ましい。式中、Ｒ¹は水素原子、低級ア
ルキル基、フッ素原子又はフッ素含有低級アルキル基で
あり、Ｒ⁴は水素原子、ヒドロキシアルキル基、フッ素
含有ヒドロキシ低級アルキル基であり、Ｙは−ＣＯ−Ｏ
−又は低級アルキル基である。

【００２１】ここで、Ｒ¹の低級アルキル基としては炭
素数１〜５のアルキル基が好ましく、具体的にはメチル
基、エチル基、プロピル基等が挙げられる。フッ素含有
低級アルキル基としては、トリフルオロメチル基、ペン
タフルオロメチル基等の炭素数１〜５のアルキル基の水
素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換されたものが
挙げられる。Ｒ⁴のヒドロキシアルキル基のアルキル基
は炭素数１〜５のアルキル基が好ましく、ヒドロキシメ
チル基、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基等
が挙げられる。フッ素含有ヒドロキシ低級アルキル基の
アルキル基は、前記ヒドロキシアルキル基のアルキル基
の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換されたも
のである。低級アルキレン基としてはメチレン、エチレ
ン、プロピレン等の炭素数１〜５の低級アルキレン基が
挙げられる。（ａ３’）基を相当するモノマーで具体的
に表すとアクリル酸、メタクリル酸、（α−フルオロ）
アクリル酸、（α−トリフルオロメチル）アクリル酸、
又はこれらの２−ヒドロキシプロピルエステル、１−ト
リフルオロメチル−１−ヒドロキシ−３−ブテン等が挙
げられる。

【００２２】（ａ１’）、（ａ２’）及び（ａ３’）の
各単位の割合は、（Ａ）成分のアルカリ可溶性を考慮す
ると、２．３８重量％テトラメチルアンモニウムヒドロ
キシド水溶液に対する溶解性（単位時間当たりの膜減り
量）で０〜１０００Å／minとなるようにすることが好
ましい。具体的には、重合体を合成する際の仕込みのモ
ル％で、（ａ１’）２０〜６０モル％、好ましくは３０
〜５０モル％、（ａ２’）４０〜８０モル％、好ましく
は５０〜７０モル％である。（ａ３’）を含有する場合
には、（ａ１’）２０〜６０モル％、好ましくは３０〜
５０モル％、（ａ２’）２０〜７５モル％、好ましくは
３５〜７０モル％である。（ａ３’）５〜２０モル％、
好ましくは５〜１５モル％がよい。

【００２３】また、（Ａ）成分の重量平均分子量は、耐
エッチング性を考慮すると２，０００〜１００，００
０、好ましくは２，０００〜２０，０００がよい。

【００２４】（Ａ）成分の製造方法 （Ａ）成分は各（ａ１’）、（ａ２’）、（ａ３’）の
単位に相当する前駆体であるモノマーをジオキサン、テ
トラヒドロフランのような適当な有機溶媒中に溶解し、
過酸化ベンゾイル、２，２’−アゾイソブチロニトリ
ル、アセチルパーオキシド、ラウリルパーオキシドなど
のラジカル重合開始剤を加える公知のラジカル重合によ
りより得ることができる。

【００２５】（Ｂ）放射線の照射により酸を発生する化
合物 本発明における（Ｂ）成分は、放射線の照射により酸を
発生する化合物からなる酸発生剤である。（Ｂ）成分
は、放射線の照射により酸を発生する化合物であればよ
く特に限定されず、公知の酸発生剤を使用できる。この
ような酸発生剤としては、例えばジアゾメタン類、ニト
ロベンジル誘導体類、スルホン酸エステル類、オニウム
塩類、ベンゾイントシレート類、ハロゲン含有トリアジ
ン化合物類、シアノ基含有オキシムスルホネート類など
が挙げられるがこれらの中でジアゾメタン類やアニオン
が炭素数１〜１０のフルオロアルキルスルホン酸イオン
のオニウム塩が好適である。このジアゾメタン類の例と
しては、ビス（ｐ−トルエンスルホニル）ジアゾメタ
ン、ビス（１，１−ジメチルエチルスルホニル）ジアゾ
メタン、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタ
ン、ビス（２，４−ジメチルフェニルスルホニル）ジア
ゾメタンなどがある。オニウム塩のカチオンとしてはメ
チル基、エチル基、プロピル、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ
−ブチルのような低級アルキル基またはメトキシ基、エ
トキシ基のような低級アルコキシ基で置換されていても
よいフェニルヨードニウムまたはスルホニウムが挙げら
れる。アニオンとしては炭素数１〜１０のアルキル基の
水素原子の一部または全部がフッ素化されたフルオロア
ルキルスルホン酸イオンである。炭素数が長くなるほ
ど、またフッ素化率（アルキル基中のフッ素原子の割
合）が小さくなるほどスルホン酸としての強度が落ちる
ことから、炭素数１〜５のアルキル基の水素原子の全部
がフッ素化されたフルオロアルキルスルホン酸が好まし
い。

【００２６】具体的にはジフェニルヨードニウムのトリ
フルオロメタンスルホネートまたはノナフルオロブタン
スルホネート、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）
ヨードニウムのトリフルオロメタンスルホネートまたは
ノナフルオロブタンスルホネート、トリフェニルスルホ
ニウムのトリフルオロメタンスルホネートまたはノナフ
ルオロブタンスルホネート、トリ（４−メチルフェニ
ル）スルホニウムのトリフルオロメタンスルホネートま
たはノナフルオロブタンスルホネート等が挙げられる。
これらのうちトリフェニルスルホニウムのメタンスルホ
ネートまたはノナフルオロブタンスルホネートが好まし
い。これらは１種または２種以上同時に用いてもよい。

【００２７】（Ｂ）成分は、（Ａ）成分に対し、０．１
〜２０重量％、好ましくは１〜１０重量％の割合で用い
ることができる。（Ａ）成分がこの範囲より少ないと像
形成ができないし、逆に多いと均一なレジスト溶液とな
らずに好ましくない。

【００２８】溶解抑制剤 本発明のレジスト組成物は、ポジ型レジスト組成物とし
て用いる場合、溶解抑制剤を含有させてもよい。溶解抑
制剤としては、３成分系のＫｒＦ用ポジレジストにおい
て知られている分子量１０００以下のフェノール性水酸
基又はカルボキシル基を有する低分子量化合物の水酸基
又はカルボキシル基の少なくとも一つを酸解離性基で置
換したの化合物が挙げられる。この溶解抑制剤としては
既にこれまで多数のものが提案されており、そのような
ものから任意に用いることができる。そのような低分子
量化合物としては、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メ
タン、ビス（２，３，４−トリヒドロキシフェニル）メ
タン、２−（４−ヒドロキシフェニル）−２−（２’−
ヒドロキシフェニル）プロパン、２−（２，３，４−ト
リヒドロキシフェニル）−２−（２’，３’，４’−ト
リヒドロキシフェニル）プロパン、トリス（４−ヒドロ
キシフェニル）メタン、ビス（４−ヒドロキシ−３，５
−ジメチルフェニル）−２−ヒドロキシフェニルメタ
ン、ビス（４−ヒドロキシ−２，５−ジメチルフェニ
ル）−２−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒド
ロキシ−２，３，５−トリメチルフェニル）−２−ヒド
ロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−３，５
−ジメチルフェニル）−３，４−ジヒドロキシフェニル
メタン、ビス（４−ヒドロキシ−２，５−ジメチルフェ
ニル）−３，４−ジヒドロキシフェニルメタン、ビス
（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）−３，４−ジ
ヒドロキシフェニルメタン、ビス（３−シクロヘキシル
−４−ヒドロキシ−６−メチルフェニル）−４−ヒドロ
キシフェニルメタン、ビス（３−シクロヘキシル−４−
ヒドロキシ−６−メチルフェニル）−３，４−ジヒドロ
キシフェニルメタン、１−［１−（４−ヒドロキシフェ
ニル）イソプロピル］−４−［１，１−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）エチル］ベンゼン、フェノール、ｍ−
クレゾール、ｐ−クレーゾール、２，５−キシレノール
のホルマリン縮合物の２〜６核体、ビフェニルポリカル
ボン酸、ナフタレン（ジ）カルボン酸、ナフタレントリ
酢酸、ベンゾイル安息香酸、アントラセンカルボン酸、
２，２’−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン
酸、４，４’−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ペンタ
ン酸、コール酸、デオキシコール酸、ウルソコール酸及
びリトコール酸などの胆汁酸、などが挙げられる。酸解
離性基も多数のものが提案されているものの中から任意
に選択できる。そのような基としては、ｔｅｒｔ−ブト
キシカルボニルオキシメチル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカ
ルボニルオキシエチル基のような第３級アルキルオキシ
カルボニルアルキル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル
基、ｔｅｒｔ−アミルオキシカルボニル基のような第３
級アルキルオキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、
ｔｅｒｔ−アミル基などの第３級アルキル基、テトラヒ
ドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基などの環状エ
ーテル基、エトキシエチル基、メトキシプロピル基など
のアルコキシアルキル基、１−メチルシクロヘキシル
基、１−エチルシクロアルキル基などの１−低級アルキ
ルシクロアルキル基、１−メチルアダマンチル基、１−
エチルアダマンチル基などの１−低級アルキルポリシク
ロアルキル基などが好ましいものとして挙げられる。中
でも、コール酸、デオキシコール酸、ウルソコール酸及
びリトコール酸などの胆汁酸のｔｅｒｔ−ブチルエステ
ルが透明性が高く好ましい。溶解抑制剤の配合割合は、
（Ａ）成分１００重量部に対し、１〜１００重量部、好
ましくは３〜５０重量部が好ましい。

【００２９】架橋剤 本発明のレジスト組成物は架橋剤を含有させてネガ型レ
ジスト組成物としてもよい。架橋剤については特に制限
はなく、従来化学増幅型のネガ型レジストにおいて架橋
剤として慣用されているものの中から任意に選択して用
いることができる。

【００３０】このような架橋剤としては、ヒドロキシル
基又はアルコキシル基を有するアミノ樹脂が好ましく、
例えば、メラミン樹脂、尿素樹脂、グアナミン樹脂、グ
リコールウリル−ホルムアルデヒド樹脂、スクシニルア
ミド−ホルムアルデヒド樹脂、エチレン尿素−ホルムア
ルデヒド樹脂などを挙げることができる。これらはメラ
ミン、尿素、グアナミン、グリコールウリル、スクシニ
ルアミド、エチレン尿素を沸騰水中でホルマリンと反応
させてメチロール化、あるいはこれにさらに低級アルコ
ールを反応させてアルコキシ化することにより容易に得
られる。これらの中で、ヒドロキシルメチル基又はアル
コキシルメチル基を有するメラミン樹脂及び尿素樹脂が
好適であり、特にヘキサメトキシメチル化メラミン含有
量の多いメラミン樹脂が好ましい。

【００３１】このようなメラミン樹脂、尿素樹脂として
は、例えばニカラックＭＸ−７５０、ニカラックＭＷ−
３０、ニカラックＭＷ−３０ＨＭ、ニカラックＭＷ−１
００ＬＭ、ニカラックＭＸ−２９０（いずれも三和ケミ
カル社製）として入手することができる。そのほか、
１，３，５−トリス（メトキシメトキシ）ベンゼン、
１，２，４−トリス（イソプロポキシメトキシ）ベンゼ
ン、１，４−ビス（ｓｅｃ−ブトキシメトキシ）ベンゼ
ンなどのアルコキシル基を有するベンゼン化合物、２，
６−ジヒドロキシメチル−ｐ−クレゾール、２，６−ジ
ヒドロキシメチル−ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノールな
どのヒドロキシル基又はアルコキシル基を有するフェノ
ール化合物なども用いることができる。これらの架橋剤
は単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用い
てもよい。

【００３２】架橋剤の配合割合は、（Ａ）成分１００重
量部に対し、１〜７０重量部、好ましくは３〜５０重量
部が好ましい。

【００３３】添加剤 本発明の組成物には、必要に応じて上記以外の各種添加
剤を配合することができる。添加剤としては、例えば有
機カルボン酸、燐のオキソ酸若しくはその誘導体、有機
アミン等が挙げられる。

【００３４】有機カルボン酸としては、飽和または不飽
和脂肪族カルボン酸、脂環式カルボン酸、芳香族カルボ
ン酸等の有機カルボン酸を挙げることができるが、特に
限定されるものではない。飽和脂肪族カルボン酸として
は、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、イソ酪酸、シュ
ウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸等
の１価または多価カルボン酸が挙げられる。不飽和脂肪
族カルボン酸としては、アクリル酸、クロトン酸、イソ
クロトン酸、３−ブテン酸、メタクリル酸、４−ペンテ
ン酸、プロピオル酸、２−ブチン酸、マレイン酸、フマ
ル酸、アセチレンカルボン酸等が挙げられる。脂環式カ
ルボン酸としては、１，１−シクロヘキサンジカルボン
酸、１，２−シクロヘキサンジカルボン酸、１，３−シ
クロヘキサンジカルボン酸、１，４−シクロヘキサンジ
カルボン酸、１，１−シクロヘキシルジ酢酸等が挙げら
れる。芳香族カルボン酸としては、ｐ−ヒドロキシ安息
香酸、ｏ−ヒドロキシ安息香酸、２−ヒドロキシ−３−
ニトロ安息香酸、フタル酸、テレフタル酸、イソフタル
酸等の水酸基、ニトロ基、カルボキシル基等の置換基を
有する芳香族カルボン酸が挙げられる。

【００３５】燐のオキソ酸若しくはその誘導体として
は、具体的にはリン酸、亜リン酸、リン酸ジｎ−ブチル
エステル、リン酸ジフェニルエステル等のリン酸または
亜リン酸あるいはそれらのエステルのような誘導体、ホ
スホン酸、ホスホン酸ジメチルエステル、ホスホン酸ジ
ｎ−ブチルエステル、フェニルホスホン酸、ホスホン酸
ジフェニルエステル、ホスホン酸ジベンジルエステル等
のホスホン酸およびそれらのエステルのような誘導体、
ホスフィン酸、フェニルホスフィン酸等のホスフィン酸
およびそれらのエステルのような誘導体が挙げられるが
これらに限定されるものではない。

【００３６】有機アミンとしては、例えば、脂肪族アミ
ン、芳香族アミン、複素環式アミンが挙げられるがこれ
らに限定されるものではない。脂肪族アミンとしては、
ジエチルアミン、トリエチルアミン、ｎ−プロピルアミ
ン、ジ−ｎ−プロピルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミ
ン、トリイソプロパノールアミン、イソプロピルアミ
ン、ジブチルアミン、トリブチルアミン、トリペンチル
アミン、トリエタノールアミン、ジプロパノールアミ
ン、トリプロパノールアミン等が挙げられる。芳香族ア
ミンとしては、ベンジルアミン、アニリン、Ｎ−メチル
アニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、ｏ−メチルアニ
リン、ｍ−メチルアニリン、ｐ−メチルアニリン、Ｎ，
Ｎ−ジエチルアニリン、ジフェニルアミン、ジ−ｐ−ト
リルアミン等が挙げられる。複素環式アミンとしては、
ピリジン、ｏ−メチルピリジン、ｏ−エチルピリジン、
２，３−ジメチルピリジン、４−エチル−２−メチルピ
リジン、３−エチル−４−メチルピリジン等が挙げられ
る。

【００３７】これらの中で、トリエタノールアミン等の
脂肪族アミンが引置き経時特性に優れるので好ましい。

【００３８】有機カルボン酸または燐のオキソ酸若しく
はその誘導体の配合割合は（Ａ）成分に対し、０．０１
〜５重量％、好ましくは０．０２〜０．２重量％の範囲
である。この範囲であると、解像性および感度が向上し
好ましい。有機アミンの配合割合は（Ａ）成分に対し、
０．０１〜５重量％、好ましくは、０．０２〜０．２重
量％の範囲である。この範囲であると、レジストパター
ン形状および感度が向上し好ましい。

【００３９】また本発明の組成物には、さらに必要に応
じて、相容性のある添加物、例えばハレーション防止剤
や塗布性を向上させる界面活性剤等を適宜配合すること
ができる。

【００４０】溶剤 本発明の組成物は、上記した各成分を適当な有機溶剤に
溶解して溶液の形で用いるのが好ましい。このような溶
剤の例としては、従来のレジスト組成物に用いられる溶
剤を挙げることができ、例えばアセトン、メチルエチル
ケトン、シクロヘキサノン、メチルイソアミルケトン、
２−ヘプタノン等のケトン類；エチレングリコール、プ
ロピレングリコール、ジエチレングリコール、エチレン
グリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノ
アセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、あ
るいはこれらのモノメチルエーテル、モノエチルエーテ
ル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテルまたは
モノフェニルエーテル等の多価アルコール類およびその
誘導体；ジオキサンのような環式エーテル類；および乳
酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピル
ビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン
酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル等のエステル類
を挙げることができる。これらは単独で用いてもよい
し、２種以上を混合して用いてもよい。

【００４１】使用方法 本発明の組成物の好適な使用方法について一例を示す
と、まず、シリコンウェーハ等の基板上に、組成物の溶
液をスピンナー等で塗布し、乾燥して感光層を形成さ
せ、次いでパターンが描かれたホトマスクを介して露光
する。次にこれを露光後加熱（ＰＥＢ）した後、現像
液、例えば１〜１０重量％テトラメチルアンモニウムヒ
ドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液のようなアルカリ性水溶
液で現像すると、ポジ型であれば露光部が溶解除去され
て、またネガ型であれば未露光部が溶解除去されてマス
クパターンに忠実な画像（レジストパターン）を得るこ
とができる。なお、レジストパターンの解像性をさらに
高めるためには、感光層の膜厚を０．０５〜０．２μｍ
と薄膜化し、基板と本発明の組成物を用いて得られる感
光層との間に従来のポジ型レジストやネガ型レジスト或
いは反射防止膜を膜厚０．３５〜０．７μｍで介在させ
るとよい。なお、露光光としては、ＫｒＦレーザーなど
の遠紫外線、Ｆ₂レーザーなどの真空紫外線、ＥＵＶ、
ＥＢ、Ｘ線などを用いることができる。特には、Ｆ₂レ
ーザー、ＥＵＶに対して透明性が高く高解像性のレジス
トパターンが形成でき、また、上記薄膜化した場合でも
耐エッチング性に優れるので好ましい。

【００４２】レジスト用基材樹脂 本発明においては一般式（ＩＩ）：

【化１１】 （式中Ｒ³及びＸは前述のとおりである）で表わされる
単位、及び

【００４３】一般式（ＩＶ）：

【化１２】 （式中Ｒ¹は、水素原子、低級アルキル基、フッ素原子
又はフッ素含有低級アルキル基であり、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷
はそれぞれ独立して水素原子又はフッ素化低級アルキル
基であり、但しそれらの内少なくとも一つはフッ素化低
級アルキル基である）で表わされる単位を含む共重合体
からなるレジスト用基材樹脂が提供される。

【００４４】一般式（ＩＶ）中のＲ¹の低級アルキル基
は、炭素数１〜５のアルキル基が好ましく、具体的には
メチル基、エチル基が挙げられる。フッ素含有低級アル
キル基としてはトリフルオロメチル基、ペンタフルオロ
エチル基等の炭素数１〜５のアルキル基の水素原子の一
部又は全部がフッ素原子で置換されたものが挙げられ
る。Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷のフッ素化低級アルキル基として
は、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基等
の炭素数１〜５のアルキル基の水素原子の一部又は全部
がフッ素原子で置換されたものが挙げられる。一般式
（ＩＶ）で表わされる単位を誘導するモノマーの合成の
容易性、価格など工業実施化という点から、Ｒ¹がメチ
ル基で、Ｒ⁵とＲ⁶はフッ素化低級アルキル基好適にはト
リフルオロメチル基であり、Ｒ⁷が水素原子であること
が好ましい。共重合体中の一般式（ＩＩ）で表わされる
単位の割合は４０〜８０モル％、好ましくは５０〜７０
モル％である。一般式（ＩＶ）で表わされる単位の割合
は２０〜６０モル％、好ましくは３０〜５０モル％であ
る。

【００４５】共重合体の重量平均分子量は、耐エッチン
グ性を考慮すると２，０００〜１００，０００、好まし
くは２，０００〜２０，０００である。重量平均分子量
の測定方法は、ＧＰＣ（ゲル・パーミュエーション・ク
ロマトグラフ）法によるもので、その値はポリスチレン
換算値である。

【実施例】（合成例１） {１，１−ビス（トリフルオ
ロメチル）エチルメタクリレートの合成} ヘキサフルオロ−２−プロパノール８．４ｇ（０．０５
モル）とトリエチルアミン１．２ｇ（０．０１モル）を
ジエチルエーテル５０ｍｌに溶解し、室温で攪拌し、こ
れにメタクリル酸塩化物５．３ｇ（０．０５モル）のジ
エチルエーテル２０ｍｌ溶液を滴下した。さらに２４時
間攪拌した。反応溶液を飽和食塩水（３０ｍｌ×３）で
洗浄、乾燥（硫酸ナトリウム）し、ジエチルエーテルを
留去後、減圧蒸留し、１，１−ビス（トリフルオロメチ
ル）エチルメタクリレート３．０ｇ（収率２４％）を得
た。¹ Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃） δ＝６．２（ｓ，１Ｈ），５．７５（ｓ，１Ｈ），２．
０５（ｓ，３Ｈ），１．９５（ｓ，３Ｈ） ＩＲ（ｎｅａｔ）１７６８ｃｍ^-1（ν_C=O） （実施例１）反応容器中でｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシスチ
レン１２．３ｇ（０．０７ｍｏｌ）、１，１−ビス（ト
リフルオロメチル）エチルメタクリレート４．７ｇ
（０．０２ｍｏｌ）、メタクリル酸０．９ｇ（０．０１
ｍｏｌ）をテトラヒドロフラン７０ｇに溶解し、これに
アゾビスイソブチロニトリル０．９ｇ （０．００５ｍ
ｏｌ）を加え、７０℃で３時間還流した。反応終了後、
反応混合物を１０００ｍｌのメタノールに注下して析出
させ白色固体を得た。このメタノールへの注下を再度繰
り返し乾燥し生成物を得た。収量は９ｇであった。この
ポリマー（ポリマー１）の分子量をＧＰＣによって測定
したところ、ポリスチレン換算でＭｗ＝１２０００であ
った。

【００４６】（実施例２）反応容器中でｐ−ｔｅｒｔ−
ブトキシスチレン１２．３ｇ（０．０７ｍｏｌ）、１，
１−ビス（トリフルオロメチル）エチルメタクリレート
４．７ｇ（０．０２ｍｏｌ）、α−トリフルオロメチル
メタクリル酸１．４ｇ（０．０１ｍｏｌ）をテトラヒド
ロフラン７０ｇに溶解し、これにアゾビスイソブチロニ
トリル０．９ｇ（０．００５ｍｏｌ）を加え、７０℃で
３時間還流した。反応終了後、反応混合物を１０００ｍ
ｌのメタノールに注下して析出させ、白色固体を得た。
このメタノールへの注下を再度繰り返し乾燥し生成物を
得た。収量は８ｇであった。このポリマー（ポリマー
２）の分子量をＧＰＣによって測定したところ、ポリス
チレン換算でＭｗ＝１００００であった。

【００４７】（実施例３）反応容器中でｐ−ｔｅｒｔ−
ブトキシスチレン１２．３ｇ（０．０７ｍｏｌ）、１，
１−ビス（トリフルオロメチル）エチルメタクリレート
４．７ｇ（０．０２ｍｏｌ）、３−ブテン−１−オール
−１トリフルオロメチル１．３ｇ（０．０１ｍｏｌ）を
テトラヒドロフラン７０ｇに溶解し、これにアゾビスイ
ソブチロニトリル０．９ｇ（０．００５ｍｏｌ）を加
え、７０℃で３時間還流した。反応終了後、反応混合物
を１０００ｍｌのメタノールに注下して析出させ、白色
固体を得た。このメタノールへの注下を再度繰り返し乾
燥し生成物を得た。収量は８ｇであった。このポリマー
（ポリマー３）の分子量をＧＰＣによって測定したとこ
ろ、ポリスチレン換算でＭｗ＝１００００であった。

【００４８】（比較例１）反応容器中で、ｐ−ｔｅｒｔ
−ブトキシスチレン１２．３ｇ（０．０７ｍｏｌ）、ｔ
ｅｒｔ−ブチルメタクリレート２．８ｇ（０．０２ｍｏ
ｌ）、メタクリル酸０．９ｇ（０．０１ｍｏｌ）をテト
ラヒドロフラン７０ｇに溶解し、これにアゾビスイソブ
チロニトリル０．９ｇ（０．００５ｍｏｌ）を加え、７
０℃で３時間還流した。反応終了後、反応混合物を１０
００ｍｌのメタノールにて析出させ、白色固体を得た。
このメタノールへの注下を再度繰り返し乾燥し生成物を
得た。収量は１０ｇであった。このポリマー（ポリマー
Ｃ）の分子量をＧＰＣによって測定したところ、ポリス
チレン換算でＭｗ＝１２０００であった。

【００４９】（実施例４）ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシスチ
レン３２ｇ（０．１８ｍｏｌ）、１，１−ビス（トリフ
ルオロメチル）エチルメタアクリレート４．７ｇ（０．
０２ｍｏｌ）をテトラヒドロフラン１４０ｇに溶解し、
これにアゾビスイソブチロニトリル１．８ｇ（０．０１
ｍｏｌ）を加え、７０℃で３時間還流した。反応終了
後、反応混合物を１０００ｍｌのメタノールに注下して
析出させ、白色固体を得た。このメタノールへの注下を
再度繰り返し乾燥し生成物を得た。このポリマーをトリ
フルオロエタノールに溶解し、トリフルオロメタンスル
ホン酸を用いてｔ−Ｂｕ基の脱保護反応を定量的に行っ
た。ＦＴ−ＩＲによりｔ−Ｂｕ基の消失と水酸基の発現
を確認した後、水にて析出を行い、得られた白色固体を
乾燥した。収量は２０ｇであった。このポリマー（ポリ
マー４）の分子量をＧＰＣによって測定したところ、ポ
リスチレン換算でＭｗ＝４５００であった。

【００５０】ポリマー１〜４及びポリマーＣの構造を下
記に示す。

【化１３】

【００５１】

【化１４】

【００５２】（実施例５）ポリマー、酸発生剤、溶剤か
らなるレジストをＭｇＦ₂基板に膜厚１００ｎｍに回転
塗布し、真空紫外分光器ＶＵＶ−２００（ＪＡＳＣＯ）
にて１５７．６ｎｍの吸収を測定した。その結果を表１
に示す。表１よりポリマー１〜４は透明性が高いことが
分かる。

【表１】

【００５３】（実施例６）１００重量部のポリマー１
と、８重量部のビス（フェニルスルホニル）ジアゾメタ
ンをプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテー
ト２１６０重量部に溶解した。得られたレジスト溶液を
シリコン基板上に回転塗布し、９０℃で９０秒間プリベ
ークした。レジスト膜厚は１４０ｎｍであった。次いで
このレジストにＦ２エキシマレーザーＶＵＶＥＳ−４５
００（ＬＴＪ）密着露光機にて３１ｍＪ／ｃｍ²の露光
量でパターン照射し、１３０℃で９０秒間ＰＥＢを行っ
た。２．３８重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキ
シドの水溶液であるＮＭＤ−Ｗで６０秒間現像した。１
８０ｎｍの大きさの矩形なポジ型レジストパターンが形
成されていた。

【００５４】（比較例２）１００重量のポリマーＣと、
５重量部のビス（フェニルスルホニル）ジアゾメタンを
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート２
１６０重量部に溶解した。得られたレジスト溶液をシリ
コン基板上に回転塗布し、９０℃で９０秒間プリベーク
した。レジスト膜厚は１４０ｎｍであった。次いでこの
レジストにＦ２エキシマレーザーＶＵＶＥＳ−４５００
（ＬＴＪ）密着露光機にて露光した後、１３０℃で９０
秒間ＰＥＢを行った。２．３８重量％テトラメチルアン
モニウムヒドロキシドの水溶液であるＮＭＤ−Ｗで６０
秒間現像した。パターン形成されなかった。

【００５５】

【発明の効果】本発明によれば、高解像性で断面形状の
良好なレジストパターンが形成可能であり、またＦ₂レ
ーザーに対する透過性が高く、Ｆ₂レーザーを用いる
０．１５μｍ以下の超微細レジストパターン形成のリソ
グラフィープロセスに有効なレジスト組成物及びレジス
ト用基材樹脂が提供される。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０８Ｌ 33/16 Ｃ０８Ｌ 33/16 Ｇ０３Ｆ 7/004 ５０１ Ｇ０３Ｆ 7/004 ５０１ Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０２Ｒ (72)発明者 駒野 博司 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 東 京応化工業株式会社内 Ｆターム(参考） 2H025 AA01 AA02 AA09 AA14 AB16 AC08 AD03 BE00 BE10 BG00 CB14 CB17 CB41 CB45 CC20 4J002 BC121 BG011 BG071 BG081 EV206 EV296 FD140 FD200 GP03 4J100 AB07P AD07R AJ02R AJ03R AL08Q AL09R BA03P BB13Q BB18Q BB18R CA04 CA05 DA01 JA38

Claims (17)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （Ａ）フッ素原子又はフッ素含有低級ア
   ルキル基（ａ１）と耐ドライエッチング性を付与する芳
   香族基（ａ２）とを有する、エチレン性二重結合が開裂
   して形成される単位を含む重合体、及び（Ｂ）放射線の
   照射により酸を発生する化合物を含有してなるレジスト
   組成物。
2. 【請求項２】 （ａ２）基が、無置換のフェニル基、水
   酸基若しくは酸解離性基で置換された水酸基を有するフ
   ェニル基又はアルコキシ基を有するベンジル基である請
   求項１に記載のレジスト組成物。
3. 【請求項３】 （Ａ）成分が、フッ素原子又はフッ素含
   有低級アルキル基を有する（メタ）アクリル酸エステル
   から誘導される単位（ａ１’）と、ヒドロキシスチレ
   ン、ヒドロキシ（α−メチル）スチレン又はその酸解離
   性基置換体から誘導される単位（ａ２’）とを有する共
   重合体である請求項１又は２に記載のレジスト組成物。
4. 【請求項４】 （Ａ）成分が、（ａ１’）単位、（ａ
   ２’）単位及び基板に対するレジスト層の密着性を付与
   するヒドロキシ基を含有するエチレン性二重結合が開裂
   して形成される単位（ａ３’）を有する共重合体である
   請求項３に記載のレジスト組成物。
5. 【請求項５】 （ａ１’）が次の一般式（Ｉ）： 【化１】 （式中、Ｒ¹は水素原子、低級アルキル基、フッ素原子
   又はフッ素含有低級アルキル基であり、Ｒ²はフッ素含
   有低級アルキル基である）で表される単位である請求項
   ３又は４に記載のレジスト組成物。
6. 【請求項６】 （ａ２’）が次の一般式（ＩＩ）： 【化２】 （式中Ｒ³は水素原子又は低級アルキル基であり、Ｘは
   水素原子又は酸解離性基である）で表される単位である
   請求項３ないし５のいずれか１項に記載のレジスト組成
   物。
7. 【請求項７】 （ａ３’）が次の一般式（ＩＩＩ）： 【化３】 （式中、Ｒ¹は水素原子、低級アルキル基、フッ素原子
   又はフッ素含有低級アルキル基であり、Ｒ⁴は水素原
   子、ヒドロキシアルキル基、フッ素含有ヒドロキシ低級
   アルキル基であり、Ｙは−ＣＯ−Ｏ−基又は低級アルキ
   レン基である）で表される単位である請求項４ないし６
   のいずれか１項に記載のレジスト組成物。
8. 【請求項８】 （ａ２’）におけるＸが酸解離性基であ
   るポジ型の請求項６又は７に記載のレジスト組成物。
9. 【請求項９】 さらに分子量１０００以下の溶解抑制剤
   を含有してなる請求項８に記載のレジスト組成物。
10. 【請求項１０】 （ａ２’）におけるＸが水素原子であ
    り、さらに架橋剤を含有してなるネガ型の請求項６又は
    ７に記載のレジスト組成物。
11. 【請求項１１】 一般式（ＩＩ）： 【化４】 （式中Ｒ³は水素原子又は低級アルキル基であり、Ｘは
    水素原子又は酸解離性基である）で表わされる単位、及
    び一般式（ＩＶ）： 【化５】 （式中Ｒ¹は、水素原子、低級アルキル基、フッ素原子
    又はフッ素含有低級アルキル基であり、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷
    はそれぞれ独立して水素原子又はフッ素化低級アルキル
    基であり、但しそれらの内少なくとも一つはフッ素化低
    級アルキル基である）で表わされる単位、を含む共重合
    体からなるレジスト用基材樹脂。
12. 【請求項１２】 Ｒ⁵とＲ⁶がフッ素化低級アルキル基で
    あり、Ｒ⁷が水素原子である請求項１１に記載のレジス
    ト用基材樹脂。
13. 【請求項１３】 Ｒ⁵とＲ⁶がトリフルオロメチル基であ
    る請求項１２に記載のレジスト用基材樹脂。
14. 【請求項１４】 一般式（ＩＩ）における酸解離性基
    が、第３級アルキルオキシカルボニル基、第３級アルキ
    ルオキシカルボニルアルキル基、第３級アルキル基、環
    状エーテル基、低級アルコキシアルキル基から選択され
    るいずれかである請求項１１ないし１３のいずれか１項
    に記載のレジスト用基材樹脂。
15. 【請求項１５】 一般式（ＩＩ）における酸解離性基
    が、ｔｅｒｔ−ブチルオキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−
    ブチルオキシカルボニルメチル基、ｔｅｒｔ−ブチル、
    テトラヒドロピラニル基、エトキシエチル基から選択さ
    れるいずれかである請求項１４に記載のレジスト用基材
    樹脂。
16. 【請求項１６】 一般式（ＩＩ）におけるＸが、ｔｅｒ
    ｔ−ブチルである請求項１５に記載のレジスト用基材樹
    脂。
17. 【請求項１７】 一般式（ＩＩ）におけるＸが、水素原
    子である請求項１１ないし１３のいずれか１項に記載の
    レジスト用基材樹脂。