TW449674B - Positive-working photoresist composition - Google Patents

Description

I-. Α7 Β7 五、發明説明（i ) 發明背景 -.:4'^.--為 本發明係關於一種新穎的正型處理光阻組成物1或更 詳而言之，係關於一種溶液狀之化學敏化型正型處理光阻 組成物|其能給予一種精細分立的圖案光阻層，具有極佳 的剖面輪廓且對光化射線有高感光度以及具有高圖案解析 度。 鲤濟部中央梂準局貝工消費合作社印製 J.曾声 内亡 ?:有閧 '生物 由左 不得

I 如已知的，各種半導體器件如1C、LSI等之製造中廣 泛實施利用正型處理的光阻組成物來進行光刻蝕造圓作業 »利用正型處理的光阻組成物來進行光刻蝕造圖作業係首 先在基材如半導體晶片之表面上形成一光阻組成物層，然 後使光阻層暴露於光化射線如紫外光下，該光化射線係經 過一帶有所欲之設計圖案的光罩，因而形成該圖案之潛像 ，然後用顯像劑溶液將紫外光曝光區的光阻層溶解掉而使 其顯像，留下具有圖案的光阻層*以便在基材表面之後續 處理如蝕刻中供當作保護性阻體•上述光刻蝕造圖中所用 的正型處理光阻組成物典型上係具有一配方包括：當作膜 形成劑的鹸可溶性酚醛清漆樹脂及當作感光性成分的含餛 二疊氮基之化合物，均勻溶於有機溶劑中。 隨著半導體科技年年朝向於使半導體裝置增加高積髄 程度的趨勢，VLSI等的製造程序需要極高度精細的光刻蝕 造圖作業，有時在次微米級或季（quater)微米級範圍內。 達到該髙度精細造圖的要求自然係依光阻組成物的工作特 性而定且亦依光化射線例如紫外光的有效波長而定•例如 ，光刻蝕造圖作業中所用的紫外光之波長範圍係趨向於由 本紙張尺度適用中國围宗桎進f 、A<1iew / A7 B7 五、發明説明（2 ) g-線及i-線減到深紫外光及激元電射束如KrF雷射束，以 當作此科技中的一重要光源》 當作光阻組成物之一類的化學敏化型光阻組成物現正 在積極開發中，因爲較短波長的紫外光如深紫外光及激元 雷射束可比上述形態包含酚醛清漆樹脂及含醌二疊氮基化 合物的習用光阻組成物較適用於成像曝光，以便提供藉催 化反應得到高解析度及髙感光度的可能性及藉光化射線之 照射產生酸而使鏈反應之量子產量大於1 * 因爲已經開發的化學敏化型光阻組成物具有要符合寬 度爲0.3微米或甚至更細的極精細造圖要求之目的，所以 最近的一注意力係針對分立或分離的光阻圓案之剖面輪廓 。例如，有些案例中，基材表面上駐立的圖案光阻層之剖 面輪廓朝著基材表面向下逐漸減少寬度，最後圖案光阻層 倒塌在基材表面上。當要使用化學敏化型光阻組成物於極 精細的光刻蝕造圖中，該現象係爲要被解決的一非常嚴重 之問題》

I 經濟部中夬標準局員工消費合作社印裝 發明概述 鑑於上述情勢，本發明因此具有一目的*即提供一種 溶液狀之化學敏化型正型處理的光阻組成物，其可給予一 種極細分立的圖案光阻層*具有極佳的芷交割面輪廓且具 有高感光度和高解析度· 因此，本發明之正型處理的光阻組成物包括均勻溶液 形式的：_ 本ϋ尺度適用中國國家梯準（CNS ) A4規格（210X297公釐) —

五、發明説明（3 ) (a) —化合物，被光化射線照射時可以產生酸； (b) —樹脂化合物，在酸之存在下其在鹼水溶液中的 溶解度可增加； (c) 一有機溶劑，選自酮化合物、醚化合物及酯化合 物：及 (d) N，N-二烷基羧醯胺，用量範圍係爲成分（b)重量的 0. 1至重量5¾ * 較佳實施例之詳細說明 如上所述|本發明之正型處理的光阻組成物中的必需 成分係包括上述定義的成分（a)至（d)。成分（a)係一種用 光化射線照射而能放出酸的化合物，以下稱爲酸產生劑， 其不受特殊限制的且可選自那些習用化學敏化型光阻組成 物中所用的化合物，包括： 經濟部中央標率局貝工消費合作社印製

i) 雙（磺醯基）重氮甲烷化合物，如雙（對甲苯磺醯基）重氮 甲烷、甲基磺醯基對甲苯磺醯基重氮甲烷、環己基磺醯基 1,1-二甲基乙基磺醯基重氮甲烷、雙（1,卜二甲基乙基磺 醯基）重氮甲烷、雙（1-甲基乙基磺醯基）重氮甲烷、雙（環 己基磺醯基）重氮甲烷、雙（2 ,4-二甲基苯基磺醯基）重氮 甲烷、雙（4-乙基苯基磺醯基）重氮甲烷、雙（3-甲基苯基 磺醯基）重氮甲烷、雙（4-甲氧基苯基磺醯基）重氮甲烷、 雙（4-氟苯基磺醯基）重氮甲烷、雙（4-氯苯基磺醯基）重氮 甲烷、雙（4-第三丁基苯基磺酿基）重氮甲烷等等； ii) 磺醯基羰基烷化合物，如2-甲基-2-(對甲苯磺醯基）乙 本紙锒又度遒用中«嗶家梯单（CNS )A4规格（210X297公嫠） 496 7 4 A7 B7 五、發明説明（，） 基苯基酮，2-環己基羰基- 2-(對甲苯磺醯基）丙烷、對甲 基硫本基（1-甲礦酿基-1-甲基）乙基銅、2，4-二甲基_2-( 對甲苯磺醢基）戊-3-酮等等； iii) 磺醯基羰基重氮甲烷化合物，如對甲苯磺醯基環己基 羰基重氮甲烷、卜重氮基-卜甲基磺醯基-4-苯基-2-丁酮 、環己基羰基環己基磺醯基重氮甲烷、卜環己基磺醯基-卜重氮基_3,-二甲基-2-丁酮、1-重氮基-1-(1, 1-二甲基 乙基磺醯基）-3, 3-二甲基-2-丁酮、1-乙醯基-1-(1-甲基 乙基磺醢基）重氮甲烷、1-重氮基-1-(對甲苯磺醯基）-3, 3-二甲基-2-丁酮' 1-苯磺醯基-1-重氮基-3, 3-二甲基-2-丁酮、1-重氮基-1-(對甲苯磺醢基）-3-甲基-2-丁酮、2-重氮基-2-(對甲苯磺醯基）環己基醋酸酯、2-苯磺醯基-2-重氮基第三丁基醋酸酯、2-重氮基-2-甲磺醯基異丙基醋 酸酯、2-苯磺醯基-2-重氮基環己基醋酸酯、2-重氮基-2 -(對甲苯磺醯基）第三丁基醋酸酯等等； iv) 硝苯基磺酸酯化合物， 如2-硝苯基對甲苯磺酸酯、 經濟部中央標準局貝工消費合作社印装 、2,6-二硝苯基對甲苯磺酸、2, 4-二硝苯基4-三氟甲基苯 磺酸酯等等；及 V)多羥基化合物與脂族或芳族磺酸之酯，如五倍子酚甲磺 酸酯、五倍子酚苯磺酸酯、五倍子酚對甲苯磺酸酯、五倍 子酚對甲氧苯磺酸酯、五倍子酚采磺酸酯、五倍子酚苄磺 酸酯、五倍子酸烷酯與甲磺酸的酯類、五倍子酸烷酯與苯 磺酸的酯類、五倍子酸烷酯與對甲苯磺酸的酯類、五倍子 酸院酯與4—甲氧苯磺酸的酯類，五倍子酸烷酯與采磺酸 本紙張尺度適用中國國家標進（CNS ) A4規柊（210 乂297公餘） 449674 Α7 Β7 五、發明説明（5 ) 的酯類、五倍子酸與笮磺酸的酯類等等。上’述五倍子酸烷 酯中的烷基較佳爲具有15個或較小數目的碳原子，而辛基 及月桂基係特佳的。除了上述指名的五類i)至v)外|亦可 用鎌鹽如雙（4-第三丁基苯基）銚三氟甲烷磺酸鹽、三苯 銃三氟甲烷磺酸鹽等等當作成分（a)·上述指名的酸產生 劑中·較佳爲雙（磺醯基）重氮甲烷化合物|用雙（環己基 磺醯基）重氮甲烷或雙（2, 4-二甲基苯基磺醯基）重氮甲烷 可以得到令人十分滿意的結果。這些酸產生劑可以依需要 以單獨或以兩種或多種的組合來使用。 本發明光阻組成物中的成分（b)係爲樹脂化合物，在 酸之存在下其在鹸水溶液中的溶解度可增加。該樹脂係化 學敏化型光阻組成物技藝中所熟知的，而此處可用任任該 組成物中所習用者，不必特別限制。適合的樹脂化合物之 例子包括聚（羥苯乙烯）樹脂·其至少一部分羥基被保護基 所取代，例如被第三丁氧羰氧基、第三丁氧基及第三戊氧 羰氧基以及縮醛基如烷氧烷氧基、四氫吡喃氧基及四氫呋 晡氧基。 經濟部中央標準局員土消費合作社印製 —部分羥基被上述指名的保護基所取代的該聚（羥苯 乙烯）樹脂之獲得係可藉共聚合羥苯乙烯與一經取代的羥 苯乙烯，或另可選擇地，藉聚合物反應將保驥碁引入聚（ 羥苯乙烯）內·許多種該經取代之聚（羥苯乙烯）樹脂係已 知的，包括日本專利公開2-209977中所揭示的4-羥苯乙烯 與第三丁氧羰氧苯乙烯的共聚物，日本專利公開2-1 9 847 中所掲示的4-羥苯乙烯與4-四氫吡喃氧基苯乙烯的共聚物 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4规格（210κ297公釐）~' 一 449674 A7 B7 五、發明説明（6 ) ，曰本專利公開2-62544中所掲示的4-羥苯乙烯與第三丁 氧苯乙烯的共聚物、日本專利公開3- 2 8 2 5 5 0中所掲示的一 部分羥基被縮醛基取代的聚（羥苯乙烯）、日本專利公開5-249682中所揭示的一部分羥基被烷氧烷氧基取代的聚（羥 苯乙烯）等等。道些部分經取代的聚（羥苯乙烯）可依需要 以單獨或以兩種或多種的組合來使用。部分經取代的聚（ 羥苯乙烯）樹脂之一較佳組合係爲第一種樹脂與第二種樹 脂的組合•該第一種樹脂係一種聚（羥苯乙烯）樹脂，其10 至60%的羥基被第三丁氧羰氧基所取代：該第二種樹脂係 一種聚（羥苯乙烯）樹脂，其10至60¾的羥基被以下通式所 代表的基所取代 -0-CR1R2(0R3) (I) 11 -1 Λ玆 事説乳九%;把 1 4. 5. 1 經濟部中央梯準局員工消費合作社印裝 其中R1係氫原子或甲基，R2係甲基或乙基|及R3係低級烷 基具有例如1至4個碳原子。 * 上述通式Ο)所代表的取代基之例子爲卜甲氧乙氧基 、1-乙氧乙氧基、卜正丙氧乙氧基、1-異丙氧乙氧基、ΙΕ丁氧乙 氧基， 卜異丁氧乙氧基、1-(1,卜二甲基乙氧基 )-卜甲基乙氧基、1-甲氧基-卜甲基乙氧基、卜乙氧基-卜 甲乙氧基、卜甲氧基-1-甲基乙氧基、卜乙氧基-卜甲基乙 氧基、卜甲基-1-正丙氧乙氧基、1-異丁氧基-卜甲基乙氧 基、1-甲氧正丙氧基及卜乙氧正丙氧基。就增加的感光度 與解析度之間的良好平衡而言，以上指名的取代碁中’較 '1 ..¾.. •導: - Α4 Ns c /V 率 棣 家 國 a 肀 逋

五、發明説明（7 ) 佳爲1-乙氧乙氧基及1-甲氧正沔氧基。當成分（b)係一種 上述第一種與第二種聚（羥苯乙烯）樹脂之組合時，第一種 對第二種的較佳比例範圍係10:90至70:30重量比，或更佳 20:80至50:50重量比》當藉光化射線之照射而使酸由成分 (a)釋出時，第三丁氧羰氧基及乙氧乙氧基被光之活性分 解到一種程度，其在樹脂化合物之溶解性行爲與第三丁氧 羰氧基之溶解性抑制力間得到良好平衡，俾達成組成物之 高感光度、高解析度及高耐熱性。當兩種樹脂的摻合比例 超出上述特定範圍外時，則不能完全表現該些優點· 藉已知用第三丁氧羰氧基來取代聚（羥苯乙烯）樹脂中 一部分羥基的取代反應，例如用二第三丁基二碳酸酯等， 可以得到上述第一種經取代之聚（羥苯乙烯）樹脂。取代度 之範圍爲10至60¾，或較佳20至50%，當取代度太低時*用 該當作成分（b)之一部分的樹脂所配成的光阻組成物係不 能得到具有優良正交剖面輪廓的圖案光阻層，當取代度太 髙時，用該當作成分（b)之一部分的樹脂所配成的光阻組 成物之感光度會降低》 藉已知用上述通式（I)所代表的基來取代聚（羥苯乙烯 )櫧脂中一部分羥基的取代反應，例如用卜氯-卜乙氧乙烷 、卜氯-1-甲氧丙烷等，可以得到上述第二種經取代之聚（ 羥苯乙烯）樹脂。取代度之範圍爲10至60%*或較佳20至 50¾，當取代度太低時，用該當作成分（b)之一部分的樹脂 所配成的光阻組成物係不能得到具有優良正交剖面輪廓的 圖案光阻層，當取代度太高時·用該當作成分（b)之一部 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 2. 3.1 i 4·云 妹 5·奄 經濟部中央標準局貝工消費合作杜印製 [· -·, I 擊

-10 - 449674 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印繁 五、發明説明（8 ) 分的樹脂所配成的光阻組成物之感光度會降低* 較佳爲上述當作成分（b)的樹脂成分係具有重量平均 分子量範圍爲300 0至30000，如由凝膠滲透層析法（GPC)參 照具有特定分子量的聚苯乙烯樹脂所測得的。若樹脂之分 子量太低時|則組成物所形成的光阻層將具有較差的薄膜 性質，而若其分子量太高時，則光阻層在鹸水溶液中的溶 解度會降低而使得顯像處理產生困難* 成分（c)係有機溶劑，其用於溶解組成物的其它成分 以便得到均勻溶液•溶劑係由下列中選出：酮化合物、醚 化合物及酯化合物，包括丙酮、甲基乙基酮、環己酮、甲 基異戊基酮及2-庚酮當作酮化合物的例子，單醋酸酯單烷 基，例如單甲基、單乙基、單丙基、單丁基及單苯基，多 元醇之酯類如乙二醇、丙二醇及二丙二醇之酯類*及上述 指名的多元醇之單-或二甲醚，單-或二乙醚，單-或二丙 醚及單··或二丁醚及單-或二苯醚和二噁烷當作醚化物之例 子，及乳酸甲酯、乳酸乙酯、醋酸甲酯、醋酸乙酯、醋酸 丁-、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、甲氧基丙酸甲酯及乙氧 丙酸乙酯當作酯化合物之例子。道些有機溶劑可以依需要 以單獨或以兩種或多種的組合來使用*當作本發明光阻組 成物的成分（c)之有機溶劑的用量雖然未受特別限制的* 但一般範圍是成分（a)與成分（b)之總量的3至10倍》 當作相對於成分（b)的成分（a)之酸產生劑的用量範圈 係每一百重量份的成分（b)用1至20重量份，較佳2至10重 量份。若成分（a)之用量太小時，則使成分的化學敏化效 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（2IOX29?公势）

2.説 人 .號， * i 事七 3. 说 詞之 4. 由左 晰不 .5.發明, m A7 B7 五、發明説明（9 ) 果不足以使獲得具有高感光度的光阻組成物，.而若成分（a )的用量太大時，則成分（a)與其它成分的相容性會有問題 而不能得到均勻溶液。 2. 3. ; 4. v 財 5·赛 雖然上述成分（a)、（b)及（c)係頗傳統的，至少在一 般觀念係如此，但是本發明光阻組成物的最獨特特徵係在 於一種非常獨特成分之配方，其爲當作成分（d)的N，N-二 烷基羧醯胺。就改良分立圖案之光阻層的剖面輪廓而言· 該化合物較佳爲分子中具有1至4個碳原子之低級羧酸的N， N-二烷基醯胺，每一烷基具有1至4個碳成子》特別是，成 分（d)較佳爲Ν,Ν-二甲基甲醯胺及N，N-二甲基乙醯胺，雖 然不對其作特別限制。Ν，Ν-二烷基羧醯胺可以依需要以單 獨或以兩種或多種的組合來使用。從組成物之感光度與分 立圖案光阻層之剖面輪廓間獏得良好平衡的觀點而言，本 發明光阻組成物中的成分（d)用量範圍係爲成分（b)用量的 0, 1至5重量％，較佳0. 5至3重量％ •若其用量太小，則對分 立圚案光阻層之剖面輪廓的改良效果將不足的，若其用量 4» 經濟部中央標隼局貝工消費合作杜印製 太大，則光阻組成物的感光度會相當地減少，增加用量超 過上述上限並沒有額外利益· 當然若需要*本發明包含上述必需成分（a)至（d)的光 阻組成物可更進一步混合有各種已知的添加劑，包括輔助 樹脂、塑化劑及安定劑以改良光阻層之膜特性、著色劑、 界面活性劑等等習用於光阻組成物中者，各以限定之量* 利用上述本發明光阻組成物與利用習知正型處理光阻 組成物所作的光刻蝕刻造圖工作程序，兩者間並無特別不 A 49 6 74 . A? * 1 B7 五、發明説明（10) 同。例如，利用一適當的塗佈機如旋轉器將上述必需及視 需要選用的成分所製備的塗被溶液狀的本發明光阻組成物 均勻塗在基材表面上，如半導體晶片表面上，接著乾燥以 得到在基材表面上的光阻層，其然後在一縮小的投影曝光 機上經光化射線如深紫外光、激元雷射朿等穿過一帶有圓 案的光罩而曝光成像，得到一種圖案之潛像，接著用鹸水 溶液如1至10重量的氧氧化四甲銨水溶液來作顯像處理· 而在未曝光區留下光阻層，以得到光罩圖案之完全複製的 圖案光阻層。 以下藉實例來更詳細說明本發明的正型處理光阻組成 物，不過這些實例決非用以限制本發明之範圍》以下說明 中，術語"份•’係指"重量份"《 實例1 經濟部中央標準局負工消費合作社印裝 將100份的第一種聚（羥苯乙基）樹脂〈其39¾的羥基被 第三丁氧羰氧基所取代且具有重童平均分子量爲10000〉 與第二種聚（羥苯乙基）樹脂〈其39¾的羥基被乙氧乙氧基 所取代且具有重量平均分子量爲10000>以3: 7重量比的混 合物、7份的雙（環己基磺醯基）重氮甲烷及2份的N，N-二甲 基乙酿胺均勻溶解於49 0份的丙二醇單甲基醚醋酸酯中， 接著將其過濾經0.2微米孔直徑的薄膜過濾器，而製備得 溶液狀的正型處理光阻組成物》 將所製備的光阻溶液塗於旋轉器上的半導體晶片表面 ，接著於9(TC乾燥90秒鐘以得到乾燥厚度爲0.7微米的光 本^：尺度適用中國國家標準（〇阳）八4規格（210父297公釐） ' 449674 . A7 J 4 B7 五、發明説明（u ) 阻層* 在一縮小的投影曝光機（Nikon公司製造的NSR-200 5EX8A型）上經紫外光使光阻層被曝光成像，給予lrnJ/cm2 增量的逐步增加之曝光劑量，接著在11 0°C加熱90秒鐘作 曝光後的烘烤處理，及於23°C在2. 38重量5C的氫氧化四銨 水溶液中作顯像處理6 5秒鐘*在流水中作沖洗處理30秒鐘 及乾燥以得到線寬度爲0. 25微米的分立圓案光阻層，如掃 描電子顯微鏡所檢驗的，其具有極隹的正交剖面輪廓。藉 上述曝光試驗測得該組成物之感光度爲38mJ/cm2 。 實例2 實驗程序實質上與實例1相同，除了 N，N-二甲基乙醯 胺之用量由2份減到1份外。所得分立圖案光阻層的剖面輪 廓的正交性係與實例1同樣令人滿意。組成物的感光度亦 大約與實例1者相同。 眚例3 經濟部中央標率局員工消費合作社印製 * 實驗程序實質上與實例1相同，除了用N，N-二甲基甲 醯胺代替N，N-二甲基乙醯胺外•所得分立圖案光阻層的剖 面輪廓的正交性係與實例1同樣令人滿意•組成物的感光 度亦大約與實例1者相同* 富例4 實驗程序實質上與實例3相同，除了 n, N-二甲基甲醯 胺的用量由2份增加到3份外。所得分立圖案光阻層的剖面 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4現格（2丨0><29.7公聲 6 9 4 4 B7 五、發明説明（ 12

經濟部中央標隼局貝工消費合作社印裝 輪廓的正交性係與實例1同樣令人滿意。組成物的感光度 亦大約與實例.1者相同。 實例5 實驗程序實質上與實例1相同，除了用同量的2-庚酮 代替丙二醇單甲基醚醋酸酯外。具有寬度爲0.25微米的分 立圖案光阻餍的剖面輪廓之正交性係十分令人滿意的*光 阻組成物的感光度爲40mJ/cm2 。 音例6 實驗程序實質上與實例1相同，除了用同量的二乙二 醇二甲基醚代替丙二醇單甲基醚醋酸酯外《具有寬度爲 0.25微米的分立圖案光阻層的剖面輪廓之正交性係十分令 人滿意的。光阻組成物的感光度爲39mJ/cm2 * 比較例 實驗程序實質上與實例1相同，除了省掉光阻溶液配 方中的N，N-二甲基乙醯胺外。光阻層的剖面輪廓之檢驗顯 示分立圖案光阻層倒下及躺在基材表面上。 本紙張尺度適用中國國家標隼{〇呢）六4規格（2丨0；<297公瘦） ----------装------1T------.^ 上請先問t*:背面之注意事項再4々 _月> -15 -

Claims (1)

1. 4496 A8 ^ B8 ^ if —------- C8 D8 六、申請專利範圍 附件一（A):第85106340號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國89年1 0月修正 1. 一種正型處理光阻組成物，其包括均勻溶液形式的： (a) —化合物，被光化射線照射時可以產生酸，其係 選自雙（磺醯基）重氮甲烷化合物、磺醯基羰基烷化合物 、磺醯基羰基重氮甲烷化合物、硝苯基磺酸酯化合物、 多羥基化合物與脂族或芳族磺酸之酯及錨鹽中，此化合 物之量對每1GQ重量份之成份（b)爲1至2G重量份； (b) 聚（羥苯乙烯）樹脂，其羥基爲第三丁氧羰氧基所 取代； (c) —有機溶劑，選自酮化合物、醚化合物及酯化合 物，此有機溶劑之量爲成分（a)與（b)之總童的3至10倍 重量：及 (d) N,N-二甲基甲醯胺或N，N-二甲基乙醯胺，用量範 圍爲成分（b)用量的0.8至4重量％。 經濟部ii'u.)«i-ii:?M 工消·合作fi卬災 ---------裝.__------，.訂 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 2. 如申請專利範圍第1項之正型處理光阻組成物，其中 成分（b)爲聚（羥苯乙烯）樹脂，其1〇至60¾的羥基爲第三 丁氧羰氧基所取代。 3. —種正型處理光阻組成物，其包括均勻溶液形式的： (a )—化合物，被光化射線照射時可以產生酸，其係 選自雙（磺醯基）重氮甲烷化合物、磺醯基羰基烷化合 __物、碏醯某羰甚重氣甲烷化合物、@茏甚碏酸酯化合 表婊张又度適用中國國家棣率（CNS ) A4規格（210X297公釐） 4 4 3674 A8 B8 C8 _____D8 六、申請專利範圍 物、多羥基化合物與脂族或芳族磺酸之酯及鎰鹽中， 此化合物之量對每1QQ重量份之成份（b)爲1至20重量 份： (b) 聚（羥苯乙烯）樹脂（其10至60¾的羥基被以下通式 所代表的基所取代） -〇-CR1R2C〇R3), 其中R1係氫原子或甲基，R2係甲基或乙基，及R3係具有 1至4個碳原子的低級烷基： (c) 一有機溶劑，選自酮化合物*醚化合物及酯化合 物，此有機溶劑之量爲成分Ca)與（b)之總量的3至10倍 重量；及 (d) N,N-二甲基甲醯胺或Ν,Ν-二甲基乙醯胺’用量範 圍爲成分（b)用量的0.8至4重量％ 11 4. 一種正型處理光阻組成物，其包括均勻溶液形式的： 經4部^总財淡^:9工"費合作社卬絜 ---1 - - - tLk— Bi^ii^i —Inf 一 — {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) (a) —化合物，被光化射線照射時可以產生酸，其係 選自雙（磺醯基）重氮甲烷化合物、磺醯基羰基烷化合物 、磺醯基羰基重氮甲烷化合物'硝苯基磺酸酯化合物、 多羥基化合物與脂族或芳族磺酸之酯及·鹽中’此化合 物之量對每100重量份之成份（b)爲1至20重量份： (b) 第一種聚（羥苯乙烯）樹脂（其10至60¾的羥基被·第 三丁氧羰氧基所取代）與第二種聚（羥苯乙烯）樹脂（其10 革{^°»的摁甚被以下涌式所代寿的基所取代）的組合 尺度適用中國國^^ ( CNsTXl说格(2丨0X 297公釐) 49674 Α8 BS C8 D8 夂、申請專利範園 -o-cr1r2(or3), (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 其中R1係氫原子或甲基1 R2係甲基或乙基，及R3係具有 1至4個碳原子的低級烷基，重量比例在範圍10 : 90至70 : 30內； (c) 一有機溶劑，選自酮化合物、醚化合物及酯化合‘ 物，此有機溶劑之量爲成分（a)與（b)之總童的3至10倍 重量：及 (d) N，N-二甲基甲醯胺或N，N-二甲基乙醯胺，用量範 圍爲成分（b)用量的0.8至4重量％» 5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之正型處理光阻組成 物1其中成分（a)係雙（環己基磺醯基）重氮甲烷或雙（2, 4-二甲基苯基磺醯基）重氮甲烷。 經濟部智忽时4局：只工./]骨合作社印袈 6. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之正型處理光阻組成 物，其中聚（羥苯乙烯）樹脂具'有重量平均分子量範圍爲 3 0 0 0 至 3 0000 » 7. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之正型處理光阻組成 物，其中成分（d)的用量範圍係爲成分（b)用量的0.8至3 重量» 夂紙張尺度適用中國國家標車（CNS ) Μ洗格（210Χ297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 附件2a.第8S106340號專利申謂 4 43 6 7 4 中文說明窖修正頁民國87年8切_正 --------. . ' ^ B5 四、中文發明摘要（發明之名稱： 正型處理的光阻組成物 茲提出一種新穎的化學敏化型正型處理的光阻組成物 ，其能給予一種精細圖案光阻層，具有極佳的剖面輪廓， 及分立分離的圖案，具髙感光度和高解析度•該組成物包 括：除了（a)—化合物，被光化射線照射會產生酸，（b)含 有第三丁氧羰氧基或-O-CPPCOR3)(其中R1， R2和R3如 說明書中所定義者）基團之聚（羥苯乙烯）樹脂或前述兩 種樹脂之組合，在酸之存在下其在鹼性顯像劑溶液中的溶 解度可增加，及（c) 一有機溶劑，其係酮、醚或酯，當作 化學敏化型光阻組成物的基本成分之外，還有（d)N，N-二 烷基羧醯胺，如Ν,Ν-二甲基甲醯胺及Ν,Ν-二甲基乙醯胺， 以相對於成分（b)的特定比例存在。 英文發明摘要（發明之名稱： ） Positive-working photoresist conposition Proposed is a novel positive-working photoresist composition of the chemical sensitization type capable of giving a finely patterned resist layer having an excellent cross sectional profile even for a discretely isolated pattern with high sensitivity and high resolution. The composition comprises, besides (a) a compound generating an acid by the irradiation with actinic rays, (b) a tert-butoxycarbonyloxy group or -0-CRiR2(0R3) (wherein R1, R2 and R3 are as defined in the specification) group-containing poly(hydroxystyrene) resin or a combination of the aforementioned two resins, which is capable of being imparted with increased solubility in an alkaline developer solution in the presence of an acid and (c) an organic solvent which is a ketone, ether or ester as the basic ingredients of the chemical sensitization type photoresist compositions, (d) an N,N-dialkyl carboxylic acid amide such as Ν,Ν-dimethyl formamide and N,N-dimethyl acetamide in a specified proportion relative to the component (b). 本紙張尺度適用中國國家#準（C,NS ) A4况格（210X297公釐) ~ ~ -2 — ------------^------ir------0 請先閲讀背面t注意事項再填飞 Λ各梱) 4496 A8 ^ B8 ^ if —------- C8 D8 六、申請專利範圍 附件一（A):第85106340號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國89年1 0月修正 1. 一種正型處理光阻組成物，其包括均勻溶液形式的： (a) —化合物，被光化射線照射時可以產生酸，其係 選自雙（磺醯基）重氮甲烷化合物、磺醯基羰基烷化合物 、磺醯基羰基重氮甲烷化合物、硝苯基磺酸酯化合物、 多羥基化合物與脂族或芳族磺酸之酯及錨鹽中，此化合 物之量對每1GQ重量份之成份（b)爲1至2G重量份； (b) 聚（羥苯乙烯）樹脂，其羥基爲第三丁氧羰氧基所 取代； (c) —有機溶劑，選自酮化合物、醚化合物及酯化合 物，此有機溶劑之量爲成分（a)與（b)之總童的3至10倍 重量：及 (d) N,N-二甲基甲醯胺或N，N-二甲基乙醯胺，用量範 圍爲成分（b)用量的0.8至4重量％。 經濟部ii'u.)«i-ii:?M 工消·合作fi卬災 ---------裝.__------，.訂 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 2. 如申請專利範圍第1項之正型處理光阻組成物，其中 成分（b)爲聚（羥苯乙烯）樹脂，其1〇至60¾的羥基爲第三 丁氧羰氧基所取代。 3. —種正型處理光阻組成物，其包括均勻溶液形式的： (a )—化合物，被光化射線照射時可以產生酸，其係 選自雙（磺醯基）重氮甲烷化合物、磺醯基羰基烷化合 __物、碏醯某羰甚重氣甲烷化合物、@茏甚碏酸酯化合 表婊张又度適用中國國家棣率（CNS ) A4規格（210X297公釐）