JP6714493B2 - 有機膜形成用化合物、有機膜形成用組成物、有機膜形成方法、及びパターン形成方法 - Google Patents
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Description
本発明の有機膜形成用化合物は、上記一般式(1A)で示されるものである。
また、本発明では、有機膜形成用の組成物であって、上述の本発明の有機膜形成用化合物及び有機溶剤を含有する有機膜形成用組成物を提供する。なお、本発明の有機膜形成用組成物において、上述の本発明の有機膜形成用化合物は、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
本発明では、半導体装置の製造工程で使用される有機平坦膜として機能する有機膜の形成方法であって、被加工基板上に上述の本発明の有機膜形成用組成物を回転塗布し、該有機膜形成用組成物を塗布した基板を100℃以上600℃以下の温度で10〜600秒間の範囲で熱処理することにより硬化膜を形成する有機膜形成方法を提供する。
[ケイ素含有レジスト下層膜を用いた3層レジストプロセス]
本発明では、被加工体上に上述の本発明の有機膜形成用組成物を用いて有機膜を形成し、該有機膜の上にケイ素原子を含有するレジスト下層膜材料を用いてレジスト下層膜を形成し、該レジスト下層膜の上にフォトレジスト組成物からなるレジスト上層膜材料を用いてレジスト上層膜を形成し、該レジスト上層膜に回路パターンを形成し、該回路パターンが形成されたレジスト上層膜をマスクにして前記レジスト下層膜にエッチングでパターンを転写し、該パターンが転写されたレジスト下層膜をマスクにして前記有機膜にエッチングでパターンを転写し、更に、該パターンが転写された有機膜をマスクにして前記被加工体にエッチングでパターンを転写するパターン形成方法を提供する。
また、本発明では、被加工体上に上述の本発明の有機膜形成用組成物を用いて有機膜を形成し、該有機膜の上にケイ素原子を含有するレジスト下層膜材料を用いてレジスト下層膜を形成し、該レジスト下層膜の上に有機反射防止膜を形成し、該有機反射防止膜上にフォトレジスト組成物からなるレジスト上層膜材料を用いてレジスト上層膜を形成し、該レジスト上層膜に回路パターンを形成し、該回路パターンが形成されたレジスト上層膜をマスクにして前記有機反射防止膜と前記レジスト下層膜にエッチングでパターンを転写し、該パターンが転写されたレジスト下層膜をマスクにして前記有機膜にエッチングでパターンを転写し、更に、該パターンが転写された有機膜をマスクにして前記被加工体にエッチングでパターンを転写するパターン形成方法を提供する。
また、本発明では、上述の本発明の有機膜形成用組成物を用いた3層レジストプロセスによるパターン形成方法として、被加工体上に上述の本発明の有機膜形成用組成物を用いて有機膜を形成し、該有機膜の上にケイ素酸化膜、ケイ素窒化膜、及びケイ素酸化窒化膜から選ばれる無機ハードマスクを形成し、該無機ハードマスクの上にフォトレジスト組成物からなるレジスト上層膜材料を用いてレジスト上層膜を形成し、該レジスト上層膜に回路パターンを形成し、該回路パターンが形成されたレジスト上層膜をマスクにして前記無機ハードマスクにエッチングでパターンを転写し、該パターンが転写された無機ハードマスクをマスクにして前記有機膜にエッチングでパターンを転写し、更に、該パターンが転写された有機膜をマスクにして前記被加工体にエッチングでパターンを転写するパターン形成方法を提供する。
また、本発明では、上述の本発明の有機膜形成用組成物を用いた4層レジストプロセスによるパターン形成方法として、被加工体上に上述の本発明の有機膜形成用組成物を用いて有機膜を形成し、該有機膜の上にケイ素酸化膜、ケイ素窒化膜、及びケイ素酸化窒化膜から選ばれる無機ハードマスクを形成し、該無機ハードマスクの上に有機反射防止膜を形成し、該有機反射防止膜上にフォトレジスト組成物からなるレジスト上層膜材料を用いてレジスト上層膜を形成し、該レジスト上層膜に回路パターンを形成し、該回路パターンが形成されたレジスト上層膜をマスクにして前記有機反射防止膜と前記無機ハードマスクにエッチングでパターンを転写し、該パターンが転写された無機ハードマスクをマスクにして前記有機膜にエッチングでパターンを転写し、更に、該パターンが転写された有機膜をマスクにして前記被加工体にエッチングでパターンを転写するパターン形成方法を提供する。
上記の(B1)を24.8g、上記の(C1)を75.2g、β−メルカプトプロピオン酸5mL、及び1,2−ジクロロエタン200mLを窒素雰囲気下、液温60℃で均一溶液とし、メタンスルホン酸10mLをゆっくりと加えた後、液温70℃で12時間撹拌した。室温まで冷却後、メチルイソブチルケトン400gを加え、有機層を純水1,000gで5回洗浄後、有機層を減圧乾固した。残渣にテトラヒドロフラン(THF)200gを加え均一溶液とした後、ヘキサン1,000gに晶出させた。晶出した結晶を桐山ロートでろ別し、ヘキサン300mLで2回洗浄を行った後、結晶を回収し60℃で真空乾燥することで下記に示される有機膜形成用化合物(A1)を得た。GPCにより重量平均分子量(Mw)、分散度(Mw/Mn)を求めたところ、Mw=558、Mw/Mn=1.01であった。
表1〜3に示される化合物群B、化合物群Cを用いた以外は、合成例1と同じ反応条件で、表1〜3に示されるような有機膜形成用化合物(A2)〜(A12)を生成物として得た。これらの化合物の重量平均分子量(Mw)及び分散度(Mw/Mn)を求めた。結果を表4に示す。
表3に示される化合物群B、化合物群Cを用いた以外は、合成例1と同じ反応条件で、表3に示されるような化合物(D1)を生成物として得た。この化合物(D1)の重量平均分子量(Mw)及び分散度(Mw/Mn)を求めた。結果を表4に示す。
1−ナフトール72.0g、37%ホルマリン溶液24.3g、及び2−メトキシ−1−プロパノール250gを窒素雰囲気下、液温80℃で均一溶液とした後、20%パラトルエンスルホン酸2−メトキシ−1−プロパノール溶液18gをゆっくり加え、液温110℃で12時間撹拌した。室温まで冷却後、メチルイソブチルケトン500gを加え、有機層を純水200gで5回洗浄後、有機層を減圧乾固した。残渣にTHF300mLを加え、ヘキサン2,000mLでポリマーを再沈させた。沈降したポリマーをろ過で分別し減圧乾燥して化合物(R1)を得た。GPCにより重量平均分子量(Mw)、分散度(Mw/Mn)を求めたところ、Mw=1,800、Mw/Mn=3.33であった。
9,9−フルオレニデン−ビスナフトール90.1g、37%ホルマリン溶液10.5g、及び2−メトキシ−1−プロパノール270gを窒素雰囲気下、液温80℃で均一溶液とした後、20%パラトルエンスルホン酸2−メトキシ−1−プロパノール溶液18gをゆっくり加え、液温110℃で8時間撹拌した。室温まで冷却後、メチルイソブチルケトン600gを加え、有機層を純水200gで5回洗浄後、有機層を減圧乾固した。残渣にTHF400mLを加え、ヘキサン2,000mLでポリマーを再沈させた。沈降したポリマーをろ過で分別し減圧乾燥して化合物(R2)を得た。GPCにより重量平均分子量(Mw)、分散度(Mw/Mn)を求めたところ、Mw=3,700、Mw/Mn=2.82であった。
2,7−ジプロパルギルオキシナフタレン78.8g、37%ホルマリン溶液21.6g、及び1,2−ジクロロエタン250gを窒素雰囲気下、液温70℃で均一溶液とした後、メタンスルホン酸5gをゆっくり加え、液温80℃で12時間撹拌した。室温まで冷却後、メチルイソブチルケトン500gを加え、有機層を純水200gで5回洗浄後、有機層を減圧乾固した。残渣にTHF300mLを加え、ヘキサン2,000mLでポリマーを再沈させた。沈降したポリマーをろ過で分別し減圧乾燥して化合物(R3)を得た。
GPCにより重量平均分子量(Mw)、分散度(Mw/Mn)を求めたところ、Mw=2,700、Mw/Mn=1.54であった。
上記の有機膜形成用化合物(A1)〜(A12)、化合物(D1)、(R1)〜(R3)、添加剤として架橋剤(CR1)、(CR2)、(CR3)、酸発生剤(AG1)、高沸点溶剤として(S1)1,6−ジアセトキシヘキサン(沸点260℃)又は(S2)トリプロピレングリコールモノメチルエーテル(沸点242℃)をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)、FC−4430(住友スリーエム(株)製)0.1質量%を含む溶媒中に表5に示す割合で溶解させ、0.1μmのフッ素樹脂製のフィルターで濾過することによって有機膜形成用組成物(UDL−1〜22)をそれぞれ調製した。なお、本発明の有機膜形成用化合物(A1)〜(A12)を含有するUDL−1〜17が本発明の有機膜形成用組成物であり、比較合成例で合成した化合物(R1)〜(R3)を含有するUDL−18〜22は比較用の有機膜形成用組成物である。
上記の有機膜形成用組成物(UDL−1〜22)をそれぞれ、密集ホールパターン(ホール直径0.16μm、ホール深さ0.50μm、隣り合う二つのホールの中心間の距離0.32μm)を有するSiO2ウエハー基板上に塗布し、ホットプレートを用いて250℃及び450℃で60秒間加熱し、有機膜を形成した。使用した基板は図3(G)(俯瞰図)及び(H)(断面図)に示すような密集ホールパターンを有する下地基板7(SiO2ウエハー基板)である。得られた各ウエハー基板の断面形状を、走査型電子顕微鏡(SEM)を用いて観察し、ホール内部にボイド(空隙)なく、有機膜で充填されているかどうかを確認した。結果を表6に示す。埋め込み特性に劣る有機膜形成用組成物を用いた場合は、本評価において、ホール内部にボイドが発生する。埋め込み特性が良好な有機膜形成用組成物を用いた場合は、本評価において、図3(I)に示されるように密集ホールパターンを有する下地基板7のホール内部にボイドなく有機膜8が充填される。
上記の有機膜形成用組成物(UDL−1〜22)をそれぞれ、巨大孤立トレンチパターン(図4(J)、トレンチ幅10μm、トレンチ深さ0.10μm)を有する下地基板9(SiO2ウエハー基板)上に塗布し、表7に記載のベーク条件で焼成した後、トレンチ部分と非トレンチ部分の有機膜10の段差(図4(K)中のdelta10)を、パークシステムズ社製NX10原子間力顕微鏡(AFM)を用いて観察した。結果を表7に示す。本評価において、段差が小さいほど、平坦化特性が良好であるといえる。なお、本評価では、深さ0.10μmのトレンチパターンを、有機膜形成用組成物を用いて通常膜厚約0.2μmの有機膜を形成することで平坦化しており、平坦化特性の優劣を評価するために、特殊な厳しい評価条件となっている。
上記の有機膜形成用組成物(UDL−1〜15、UDL−18〜22)をそれぞれ、シリコン基板上に塗布し、250℃で焼成して膜厚が約300nmとなるように有機膜を形成し、250℃で焼成後の膜厚T1を測定した。この基板を更に450℃で焼成し、450℃での焼成後の膜厚T2を測定し、これらの測定結果から、T2/T1で示される減膜率を算出した。結果を表8に示す。
上記の有機膜形成用組成物(UDL−1〜15、UDL−18〜22)をそれぞれ、膜厚300nmのSiO2膜が形成されている平坦なシリコンウエハー基板上に塗布し、450℃で60秒間焼成して、有機膜を形成した。その上にCVD−SiONハードマスクを形成し、更に有機反射防止膜材料(ARC−29A:日産化学社製)を塗布して210℃で60秒間ベークして膜厚80nmの有機反射防止膜を形成した。その上にレジスト上層膜材料としてArF用単層レジストを塗布し、105℃で60秒間ベークして膜厚100nmのフォトレジスト膜を形成した。フォトレジスト膜上に液浸保護膜材料(TC−1)を塗布し、90℃で60秒間ベークして膜厚50nmの保護膜を形成した。
チャンバー圧力 10.0Pa
RFパワー 1,500W
CF4ガス流量 75mL/min
O2ガス流量 15mL/min
時間 15sec
チャンバー圧力 2.0Pa
RFパワー 500W
Arガス流量 75mL/min
O2ガス流量 45mL/min
時間 120sec
チャンバー圧力 2.0Pa
RFパワー 2,200W
C5F12ガス流量 20mL/min
C2F6ガス流量 10mL/min
Arガス流量 300mL/min
O2ガス流量 60mL/min
時間 90sec
上記の有機膜形成用組成物(UDL−1〜15、UDL−18〜22)をそれぞれ、トレンチパターン(トレンチ幅10μm、トレンチ深さ0.10μm)を有するSiO2ウエハー基板上に塗布し、450℃で60秒間焼成して有機膜を形成する以外は、上記の平坦な基板におけるパターン形成試験と同様の方法で、CVD−SiONハードマスク、有機反射防止膜、フォトレジスト膜、保護膜を順次形成し、更に露光・現像、及びドライエッチングを行って、SiO2ウエハー基板にパターンを転写し、得られたパターンの断面形状を観察した。結果を表12に示す。
3…有機膜、 3’…有機膜形成用組成物、 3a…有機膜パターン、
4…ケイ素含有レジスト下層膜、 4a…ケイ素含有レジスト下層膜パターン、
5…レジスト上層膜、 5a…レジスト上層膜パターン、 6…露光部分、
7…密集ホールパターンを有する下地基板、 8…有機膜、
9…巨大孤立トレンチパターンを有する下地基板、 10…有機膜、
delta10…トレンチ部分と非トレンチ部分の有機膜の膜厚の差。
Claims (21)
- 前記有機膜形成用化合物のゲルパーミエーションクロマトグラフィー法によるポリスチレン換算の重量平均分子量Mwと数平均分子量Mnとの比率Mw/Mnが、1.00≦Mw/Mn≦1.25であることを特徴とする請求項1に記載の有機膜形成用化合物。
- 前記有機膜形成用化合物の前記一般式(1A´)から計算によって求められる分子量が、2,500以下であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の有機膜形成用化合物。
- 有機膜形成用の組成物であって、請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の有機膜形成用化合物及び有機溶剤を含有するものであることを特徴とする有機膜形成用組成物。
- 有機膜形成用の組成物であって、下記一般式(1A´´)で示されるものである有機膜形成用化合物、有機溶剤、及び、更に下記一般式(2A)で示される化合物及び下記一般式(3A)で示される化合物のいずれか又は両方を含有するものであることを特徴とする有機膜形成用組成物。
- 有機膜形成用の組成物であって、下記一般式(1A´´)で示されるものである有機膜形成用化合物及び有機溶剤を含有するものであり、かつ、前記有機溶剤は、沸点が180度未満の有機溶剤1種以上と、沸点が180度以上の有機溶剤1種以上との混合物であることを特徴とする有機膜形成用組成物。
- 前記有機溶剤は、沸点が180度未満の有機溶剤1種以上と、沸点が180度以上の有機溶剤1種以上との混合物であることを特徴とする請求項5に記載の有機膜形成用組成物。
- 前記有機膜形成用化合物のゲルパーミエーションクロマトグラフィー法によるポリスチレン換算の重量平均分子量Mwと数平均分子量Mnとの比率Mw/Mnが、1.00≦Mw/Mn≦1.25であることを特徴とする請求項5から請求項7のいずれか一項に記載の有機膜形成用組成物。
- 前記有機膜形成用化合物の前記一般式(1A´´)から計算によって求められる分子量が、2,500以下であることを特徴とする請求項5から請求項8のいずれか一項に記載の有機膜形成用組成物。
- 半導体装置の製造工程で使用される有機平坦膜として機能する有機膜の形成方法であって、被加工基板上に請求項4から請求項9のいずれか一項に記載の有機膜形成用組成物を回転塗布し、該有機膜形成用組成物を塗布した基板を100℃以上600℃以下の温度で10〜600秒間の範囲で熱処理することにより硬化膜を形成することを特徴とする有機膜形成方法。
- 半導体装置の製造工程で使用される有機平坦膜として機能する有機膜の形成方法であって、被加工基板上に請求項4から請求項9のいずれか一項に記載の有機膜形成用組成物を回転塗布し、該有機膜形成用組成物を塗布した基板を酸素濃度0.1%以上21%以下の雰囲気で熱処理することにより硬化膜を形成することを特徴とする有機膜形成方法。
- 前記被加工基板として、高さ30nm以上の構造体又は段差を有する被加工基板を用いることを特徴とする請求項10又は請求項11に記載の有機膜形成方法。
- 被加工体上に請求項4から請求項9のいずれか一項に記載の有機膜形成用組成物を用いて有機膜を形成し、該有機膜の上にケイ素原子を含有するレジスト下層膜材料を用いてレジスト下層膜を形成し、該レジスト下層膜の上にフォトレジスト組成物からなるレジスト上層膜材料を用いてレジスト上層膜を形成し、該レジスト上層膜に回路パターンを形成し、該回路パターンが形成されたレジスト上層膜をマスクにして前記レジスト下層膜にエッチングでパターンを転写し、該パターンが転写されたレジスト下層膜をマスクにして前記有機膜にエッチングでパターンを転写し、更に、該パターンが転写された有機膜をマスクにして前記被加工体にエッチングでパターンを転写することを特徴とするパターン形成方法。
- 被加工体上に請求項4から請求項9のいずれか一項に記載の有機膜形成用組成物を用いて有機膜を形成し、該有機膜の上にケイ素原子を含有するレジスト下層膜材料を用いてレジスト下層膜を形成し、該レジスト下層膜の上に有機反射防止膜を形成し、該有機反射防止膜上にフォトレジスト組成物からなるレジスト上層膜材料を用いてレジスト上層膜を形成し、該レジスト上層膜に回路パターンを形成し、該回路パターンが形成されたレジスト上層膜をマスクにして前記有機反射防止膜と前記レジスト下層膜にエッチングでパターンを転写し、該パターンが転写されたレジスト下層膜をマスクにして前記有機膜にエッチングでパターンを転写し、更に、該パターンが転写された有機膜をマスクにして前記被加工体にエッチングでパターンを転写することを特徴とするパターン形成方法。
- 被加工体上に請求項4から請求項9のいずれか一項に記載の有機膜形成用組成物を用いて有機膜を形成し、該有機膜の上にケイ素酸化膜、ケイ素窒化膜、及びケイ素酸化窒化膜から選ばれる無機ハードマスクを形成し、該無機ハードマスクの上にフォトレジスト組成物からなるレジスト上層膜材料を用いてレジスト上層膜を形成し、該レジスト上層膜に回路パターンを形成し、該回路パターンが形成されたレジスト上層膜をマスクにして前記無機ハードマスクにエッチングでパターンを転写し、該パターンが転写された無機ハードマスクをマスクにして前記有機膜にエッチングでパターンを転写し、更に、該パターンが転写された有機膜をマスクにして前記被加工体にエッチングでパターンを転写することを特徴とするパターン形成方法。
- 被加工体上に請求項4から請求項9のいずれか一項に記載の有機膜形成用組成物を用いて有機膜を形成し、該有機膜の上にケイ素酸化膜、ケイ素窒化膜、及びケイ素酸化窒化膜から選ばれる無機ハードマスクを形成し、該無機ハードマスクの上に有機反射防止膜を形成し、該有機反射防止膜上にフォトレジスト組成物からなるレジスト上層膜材料を用いてレジスト上層膜を形成し、該レジスト上層膜に回路パターンを形成し、該回路パターンが形成されたレジスト上層膜をマスクにして前記有機反射防止膜と前記無機ハードマスクにエッチングでパターンを転写し、該パターンが転写された無機ハードマスクをマスクにして前記有機膜にエッチングでパターンを転写し、更に、該パターンが転写された有機膜をマスクにして前記被加工体にエッチングでパターンを転写することを特徴とするパターン形成方法。
- 前記無機ハードマスクの形成を、CVD法又はALD法によって行うことを特徴とする請求項15又は請求項16に記載のパターン形成方法。
- 前記回路パターンの形成において、波長が10nm以上300nm以下の光を用いたリソグラフィー、電子線による直接描画、ナノインプリンティング、又はこれらの組み合わせによって回路パターンを形成することを特徴とする請求項13から請求項17のいずれか一項に記載のパターン形成方法。
- 前記回路パターンの形成において、アルカリ現像又は有機溶剤によって回路パターンを現像することを特徴とする請求項13から請求項18のいずれか一項に記載のパターン形成方法。
- 前記被加工体が、半導体装置基板、又は該半導体装置基板上に金属膜、金属炭化膜、金属酸化膜、金属窒化膜、金属酸化炭化膜、及び金属酸化窒化膜のいずれかが成膜されたものであることを特徴とする請求項13から請求項19のいずれか一項に記載のパターン形成方法。
- 前記被加工体を構成する金属が、ケイ素、チタン、タングステン、ハフニウム、ジルコニウム、クロム、ゲルマニウム、銅、銀、金、アルミニウム、インジウム、ガリウム、ヒ素、パラジウム、鉄、タンタル、イリジウム、モリブデン、又はこれらの合金であることを特徴とする請求項20に記載のパターン形成方法。
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