JP7145143B2 - 有機膜形成材料、有機膜の形成方法、パターン形成方法、および化合物 - Google Patents
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Description
被加工体上に、本発明の有機膜形成材料を用いてレジスト下層膜を形成し、
該レジスト下層膜の上に、ケイ素を含有するレジスト中間層膜材料を用いてレジスト中間層膜を形成し、
該レジスト中間層膜の上に、フォトレジスト組成物を含むレジスト上層膜材料を用いてレジスト上層膜を形成し、
該レジスト上層膜に回路パターンを形成し、
該パターンが形成された前記レジスト上層膜をマスクにして前記レジスト中間層膜をエッチングして、該レジスト中間層膜にパターンを転写し、
該パターンが転写された前記レジスト中間層膜をマスクにして前記レジスト下層膜をエッチングして、該レジスト下層膜にパターンを転写し、
さらに、該パターンが転写された前記レジスト下層膜をマスクにして前記被加工体をエッチングして、該被加工体にパターンを形成するパターン形成方法を提供する。
被加工体上に、本発明の有機膜形成材料を用いてレジスト下層膜を形成し、
該レジスト下層膜の上に、ケイ素原子を含有するレジスト中間層膜材料を用いてレジスト中間層膜を形成し、
該レジスト中間層膜の上に有機反射防止膜を形成し、
該有機反射防止膜上に、フォトレジスト組成物を含むレジスト上層膜材料を用いてレジスト上層膜を形成して4層膜構造とし、
該レジスト上層膜に回路パターンを形成し、
該パターンが形成された前記レジスト上層膜をマスクにして前記有機反射防止膜と前記レジスト中間層膜とをエッチングして、該有機反射防止膜および該レジスト中間層膜にパターンを転写し、
該パターンが転写された前記レジスト中間層膜をマスクにして前記レジスト下層膜をエッチングして、該レジスト下層膜にパターンを転写し、
さらに、該パターンが転写された前記レジスト下層膜をマスクにして前記被加工体をエッチングして、該被加工体にパターンを形成するパターン形成方法を提供する。
被加工体上に、本発明の有機膜形成材料を用いてレジスト下層膜を形成し、
該レジスト下層膜の上に、ケイ素酸化膜、ケイ素窒化膜およびケイ素酸化窒化膜から選ばれる無機ハードマスク中間膜を形成し、
該無機ハードマスク中間膜の上に、フォトレジスト組成物を含むレジスト上層膜材料を用いてレジスト上層膜を形成し、
該レジスト上層膜に回路パターンを形成し、
該パターンが形成された前記レジスト上層膜をマスクにして前記無機ハードマスク中間膜をエッチングして、該無機ハードマスク中間膜にパターンを転写し、
該パターンが形成された前記無機ハードマスク中間膜をマスクにして前記レジスト下層膜をエッチングして、該レジスト下層膜にパターンを転写し、
さらに、該パターンが形成された前記レジスト下層膜をマスクにして前記被加工体をエッチングして、該被加工体にパターンを形成するパターン形成方法を提供する。
被加工体上に本発明の有機膜形成材料を用いてレジスト下層膜を形成し、
該レジスト下層膜の上に、ケイ素酸化膜、ケイ素窒化膜およびケイ素酸化窒化膜から選ばれる無機ハードマスク中間膜を形成し、
該無機ハードマスク中間膜の上に有機反射防止膜を形成し、
該有機反射防止膜上に、フォトレジスト組成物を含むレジスト上層膜材料を用いてレジスト上層膜を形成して4層膜構造とし、
該レジスト上層膜に回路パターンを形成し、
該パターンが形成された前記レジスト上層膜をマスクにして前記有機反射防止膜と前記無機ハードマスク中間膜とをエッチングして、前記有機反射防止膜と前記無機ハードマスク中間膜にパターンを転写し、
該パターンが形成された無機ハードマスクをマスクにして前記レジスト下層膜をエッチングして、該レジスト下層膜にパターンを転写し、
さらに、該パターンが形成された前記レジスト下層膜をマスクにして前記被加工体をエッチングして、該被加工体にパターンを形成することを特徴とするパターン形成方法を提供する。
本発明の有機膜形成材料が含む化合物、すなわち有機膜形成用の化合物は、下記一般式(1)で示されるものである。
本発明の有機膜形成材料に用いられる化合物は、構造に応じて最適な方法を選択して製造することができる。以下、上記一般式(1)で示される化合物を合成する方法の一例について詳述する。なお、有機膜形成材料の化合物の製造方法は、これらに限定されるものではない。
また、本発明では、有機膜形成材料であって、上述の本発明の有機膜形成用化合物及び有機溶剤を含有する有機膜形成材料を提供する。有機膜形成材料は、有機膜形成用組成物ということもできる。なお、本発明の有機膜形成材料において、本発明の有機膜形成用化合物を単独又は複数組み合わせて用いることができる。
また、本発明では、基板上に、上記の有機膜形成材料が硬化した有機膜が形成されたものである半導体装置製造用基板を提供することができる。
本発明では、上述の有機膜形成材料を用い、リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜又は半導体製造用平坦化膜(有機平坦膜)として機能する有機膜を形成する方法を提供する。
本発明では、このような有機膜形成材料を用いた3層レジストプロセスによるパターン形成方法として、パターン形成方法であって、被加工体上に、本発明の有機膜形成材料を用いてレジスト下層膜を形成し、該レジスト下層膜の上に、ケイ素を含有するレジスト中間層膜材料を用いてレジスト中間層膜を形成し、該レジスト中間層膜の上に、フォトレジスト組成物を含むレジスト上層膜材料を用いてレジスト上層膜を形成し、該レジスト上層膜に回路パターンを形成し、該パターンが形成された前記レジスト上層膜をマスクにして前記レジスト中間層膜をエッチングして、該レジスト中間層膜にパターンを転写し、該パターンが転写された前記レジスト中間層膜をマスクにして前記レジスト下層膜をエッチングして、該レジスト下層膜にパターンを転写し、さらに、該パターンが転写された前記レジスト下層膜をマスクにして前記被加工体をエッチングして、該被加工体にパターンを形成するパターン形成方法を提供する。このパターン形成方法は、例えば、被加工基板にパターンを形成する方法であって、少なくとも、被加工基板上に本発明の有機膜形成材料を用いてレジスト下層膜を形成し、該レジスト下層膜上にケイ素原子を含有するレジスト中間層膜材料を用いてレジスト中間層膜(ケイ素含有レジスト中間層膜)を形成し、該レジスト中間層膜上に、フォトレジスト組成物を含むレジスト上層膜材料を用いてレジスト上層膜を形成して多層レジスト膜とし、前記レジスト上層膜のパターン回路領域を露光した後、現像液で現像して前記レジスト上層膜にレジストパターンを形成し、該得られたレジストパターンをエッチングマスクにして前記レジスト中間層膜をエッチングして、レジスト中間層膜パターンを形成し、該得られたレジスト中間層膜パターンをエッチングマスクにして前記レジスト下層膜をエッチングしてレジスト下層膜パターンを形成し、さらに、該得られたレジスト下層膜パターンをエッチングマスクにして前記被加工基板をエッチングして前記被加工基板にパターンを形成するパターン形成方法である。
3層レジストプロセスの場合、図1(A)に示したように、基板1の上に積層された被加工層2上に本発明の有機膜材料を用いてレジスト下層膜3を形成した後、レジスト中間層膜4を形成し、その上にレジスト上層膜5を形成する。
有機膜材料用の重合体(A1)~(A29)の合成には、下記に示すエポキシ化合物(化合物群B:(B1)~(B14))、フタルイミドまたはカルボン酸化合物(化合物群C:(C1)~(C9))を用いた。
(B1)EXA-850CRP(DIC(株)製)エポキシ当量:172
(B2)HP-4700(DIC(株)製)エポキシ当量:165
(B3)HP-4770(DIC(株)製)エポキシ当量:205
(B5)1032H60(三菱ケミカル(株)製)エポキシ当量:167
(B10)DAG-G(四国化成工業(株)製)エポキシ当量:168
(B11)TG-G(四国化成工業(株)製)エポキシ当量:92
(B13)エポライトMF(共栄化学工業(株)製) エポキシ当量:140
(B14)PETG(昭和電工(株)製) エポキシ当量:90
表1に示されるエポキシ化合物、フタルイミド化合物またはカルボン酸化合物を使用した以外は、合成例1と同じ反応条件で、表2-1~2-6に示されるような化合物(A2)~(A29)を生成物として得た。これらの化合物の重量平均分子量(Mw)、分散度(Mw/Mn)を求め、表2-1~2-6に示した。
エポキシ化合物(B2)20.0g、4-エチニル安息香酸17.7g、及び2-メトキシ-1-プロパノール200gを窒素雰囲気下、内温100℃で均一溶液としたのち、ベンジルトリエチルアンモニウムクロリド1.00gを加え内温120℃で12時間撹拌した。室温まで冷却後、メチルイソブチルケトン300mlを加え、2%NaHCO3水溶液100g、3%硝酸水溶液100gで2回、超純水100gで5回洗浄した。有機層を減圧乾固し化合物(R1)を得た。GPCにより重量平均分子量(Mw)、分散度(Mw/Mn)を求めたところ、Mw=1740、Mw/Mn=1.33であった。
エポキシ化合物(B2)20.0g、ブトキシ安息香酸23.3g、及び2-メトキシ-1-プロパノール200gを窒素雰囲気下、内温100℃で均一溶液としたのち、ベンジルトリエチルアンモニウムクロリド1.00gを加え内温120℃で12時間撹拌した。室温まで冷却後、メチルイソブチルケトン300mlを加え、2%NaHCO3水溶液100g、3%硝酸水溶液100gで2回、超純水100gで5回洗浄した。有機層を減圧乾固し化合物(R2)を得た。GPCにより重量平均分子量(Mw)、分散度(Mw/Mn)を求めたところ、Mw=1930、Mw/Mn=1.32であった。
エポキシ化合物(B2)20.0g、4-ヒドロキシ安息香酸16.7g、及び2-メトキシ-1-プロパノール200gを窒素雰囲気下、内温100℃で均一溶液としたのち、ベンジルトリエチルアンモニウムクロリド1.00gを加え内温120℃で12時間撹拌した。室温まで冷却後、メチルイソブチルケトン300mlを加え、2%NaHCO3水溶液100g、3%硝酸水溶液100gで2回、超純水100gで5回洗浄した。有機層を減圧乾固し化合物(R3)を得た。GPCにより重量平均分子量(Mw)、分散度(Mw/Mn)を求めたところ、Mw=1610、Mw/Mn=1.35であった。
4,4’―(4,4’-イソプロピリデンジフェノキシ)ジフタル酸無水物26.02gにN-メチル-2-ピロリドン100gを加え、窒素雰囲気下内温40℃で均一溶液とした後、あらかじめN-メチル-2-ピロリドン30gに溶解したm-エチニルアニリン11.72gをゆっくりと滴下し、内温40℃で3時間反応を行いアミド酸溶液を得た。得られたアミド酸溶液にピリジン3.96gを加え、さらに無水酢酸12.25gをゆっくりと滴下した後、内温60℃で4時間反応を行いイミド化を行った。反応終了後、室温まで冷却しメチルイソブチルケトン300gを加え、有機層を3%硝酸水溶液100gで洗浄後、さらに純水100gで6回洗浄を行い、有機層を減圧乾固した。残渣にTHF(テトラヒドロフラン)100gを加え均一溶液とした後、メタノール500gで晶出した。沈降した結晶をろ過で分別し、メタノール300gで2回洗浄を行い回収した。回収した結晶を70℃で真空乾燥することで(R4)を得た。
GPCにより重量平均分子量(Mw)、分散度(Mw/Mn)を求めたところ、Mw=850、Mw/Mn=1.01であった。
上記化合物(A-1)~(A-29)及び比較化合物(R-1)~(R-4)及び高沸点溶剤として(S1)1,6-ジアセトキシヘキサン:沸点260℃、(S2)トリプロピレングリコールモノメチルエーテル:沸点242℃、架橋剤としてXL1およびXL2、熱酸発生剤としてAG1を用い、PF636(OMNOVA社製)0.1質量%を含むプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)または2-メトキシ-1-プロパノール(PGME)を用いて表3-1および表3-2に示す割合で溶解させた後、0.1μmのフッ素樹脂製のフィルターで濾過することによって有機膜形成材料(UDL-1~32、比較例UDL-1~4)をそれぞれ調製した。
図2のように、上記の有機膜形成材料(UDL-1~32、比較例UDL-1~2)をそれぞれ、密集ホールパターン(ホール直径0.16μm、ホール深さ2.0μm、隣り合う二つのホールの中心間の距離0.32μm)を有するヘキサメチルジシラザン(HMDS)処理したSiO2ウエハー基板上に塗布し、ホットプレートを用いて大気中、表4-1および4-2に示す条件で焼成し、有機膜8を形成した。使用した基板は図2(G)(俯瞰図)及び(H)(断面図)に示すような密集ホールパターンを有する下地基板7(SiO2ウエハー基板)である。得られた各ウエハー基板の断面形状を、走査型電子顕微鏡(SEM)を用いて観察し、ホール内部にボイド(空隙)なく、有機膜で充填されているかどうかを確認した。結果を表4-1および4-2に示す。埋め込み特性に劣る有機膜形成材料を用いた場合は、本評価において、ホール内部にボイドが発生する。また、密着性が不足する場合は断面で基板からの剥がれが確認される。密着性および埋め込み特性が良好な有機膜形成材料を用いた場合は、本評価において、図2(I)に示されるようにホール内部にボイドなく有機膜が充填される。
有機膜形成材料(UDL-1~32、比較例UDL-1~4)をそれぞれ、巨大孤立トレンチパターン(図3(J)、トレンチ幅10μm、トレンチ深さ0.10μm)を有する下地基板9(SiO2ウエハー基板)上に塗布し、ホットプレートを用いて大気中、表5-1および5-2に示す条件で焼成した後、トレンチ部分と非トレンチ部分の有機膜10の段差(図3(K)中のdelta10)を、パークシステムズ社製NX10原子間力顕微鏡(AFM)を用いて観察した。結果を表5-1および5-2に示す。本評価において、段差が小さいほど、平坦化特性が良好であるといえる。なお、本評価では、深さ0.10μmのトレンチパターンを、通常膜厚200nmの有機膜材料を用いて平坦化しており、平坦化特性の優劣を評価するために厳しい評価条件となっている。
上記の有機膜形成材料(UDL-1~32、比較例UDL-1~4)を、SiO2ウエハー基板上に塗布し、ホットプレートを用いて大気中、表6-1および6-2に示す条件で焼成することにより膜厚200nmの有機膜を形成した。この有機膜付のウエハーを、1×1cmの正方形に切り出し、専用治具を用いて切り出したウエハーにエポキシ接着剤付きのアルミピンを取り付けた。その後、オーブンを用いて150℃で1時間、加熱しアルミピンを基板に接着させた。室温まで冷却した後、薄膜密着強度測定装置(Sebastian Five-A)を用いて抵抗力により、初期の密着性を評価した。
上記で調製したUDL-1~32、比較例UDL-1~4)でHMDS処理済みの膜厚200nmのSiO2膜が形成されたトレンチパターン(トレンチ幅10μm、トレンチ深さ0.10μm)を有するSiO2基板上に塗布し、大気中、Bare Si基板上で膜厚200nmになるように表10-1および10-2に示す条件で焼成することによりレジスト下層膜を形成した。その上にケイ素含有レジスト中間層材料(SOG-1)を塗布して220℃で60秒間ベークして膜厚35nmのレジスト中間層膜を形成し、レジスト上層膜材料(ArF用SLレジスト)を塗布し、105℃で60秒間ベークして膜厚100nmのレジスト上層膜を形成した。レジスト上層膜に液浸保護膜(TC-1)を塗布し90℃で60秒間ベークし膜厚50nmの保護膜を形成した。
レジストパターンのSOG膜への転写条件。
チャンバー圧力 10.0Pa
RFパワー 1,500W
CF4ガス流量 15sccm
O2ガス流量 75sccm
時間 15sec
チャンバー圧力 2.0Pa
RFパワー 500W
Arガス流量 75sccm
O2ガス流量 45sccm
時間 120sec
チャンバー圧力 2.0Pa
RFパワー 2,200W
C5F12ガス流量 20sccm
C2F6ガス流量 10sccm
Arガス流量 300sccm
O2 60sccm
時間 90sec
Claims (20)
- 下記一般式(1)で示される化合物および有機溶剤を含むものであることを特徴とする有機膜形成材料。
- 上記一般式(1)中の前記有機基Xが下記一般式(5)、(7)、(8)、(9)、(10)、(11)、(12)、(13)、(14)および(15)のいずれかであることを特徴とする請求項1に記載の有機膜形成材料。
- 前記一般式(1)中の前記R1基が前記一般式(2)~(4)で表されるいずれか1種以上と、下記一般式(16)および(17)で表されるいずれか1種以上とで構成されることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の有機膜形成材料。
- 酸発生剤、界面活性剤、架橋剤、および可塑剤のうち1種以上を更に含有するものであることを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の有機膜形成材料。
- 前記有機溶剤が、沸点が180℃未満の有機溶剤1種以上と、沸点が180℃以上の有機溶剤1種以上との混合物であることを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載の有機膜形成材料。
- 半導体装置の製造工程で適用される有機平坦膜として機能する有機膜の形成方法であって、
被加工基板上に請求項1~5のいずれか1項に記載の有機膜形成材料を回転塗布し、
該基板を100℃以上600℃以下の温度で、10秒~600秒の範囲で熱処理することにより硬化膜を形成することを特徴とする有機膜の形成方法。 - 半導体装置の製造工程で適用される有機平坦膜として機能する有機膜の形成方法であって、
被加工基板上に請求項1~5のいずれか1項に記載の有機膜形成材料を回転塗布し、
該基板を酸素濃度0.1%以上21%以下の雰囲気で熱処理することにより硬化膜を形成することを特徴とする有機膜の形成方法。 - 前記被加工基板として、高さ30nm以上の構造体または段差を有する被加工基板を用いることを特徴とする請求項6または7に記載の有機膜の形成方法。
- パターン形成方法であって、
被加工体上に、請求項1~5のいずれか1項に記載の有機膜形成材料を用いてレジスト下層膜を形成し、
該レジスト下層膜の上に、ケイ素を含有するレジスト中間層膜材料を用いてレジスト中間層膜を形成し、
該レジスト中間層膜の上に、フォトレジスト組成物を含むレジスト上層膜材料を用いてレジスト上層膜を形成し、
該レジスト上層膜に回路パターンを形成し、
該パターンが形成された前記レジスト上層膜をマスクにして前記レジスト中間層膜をエッチングして、該レジスト中間層膜にパターンを転写し、
該パターンが転写された前記レジスト中間層膜をマスクにして前記レジスト下層膜をエッチングして、該レジスト下層膜にパターンを転写し、
さらに、該パターンが転写された前記レジスト下層膜をマスクにして前記被加工体をエッチングして、該被加工体にパターンを形成することを特徴とするパターン形成方法。 - パターン形成方法であって、
被加工体上に、請求項1~5のいずれか1項に記載の有機膜形成材料を用いてレジスト下層膜を形成し、
該レジスト下層膜の上に、ケイ素原子を含有するレジスト中間層膜材料を用いてレジスト中間層膜を形成し、
該レジスト中間層膜の上に有機反射防止膜を形成し、
該有機反射防止膜上に、フォトレジスト組成物を含むレジスト上層膜材料を用いてレジスト上層膜を形成して4層膜構造とし、
該レジスト上層膜に回路パターンを形成し、
該パターンが形成された前記レジスト上層膜をマスクにして前記有機反射防止膜と前記レジスト中間層膜とをエッチングして、該有機反射防止膜および該レジスト中間層膜にパターンを転写し、
該パターンが転写された前記レジスト中間層膜をマスクにして前記レジスト下層膜をエッチングして、該レジスト下層膜にパターンを転写し、
さらに、該パターンが転写された前記レジスト下層膜をマスクにして前記被加工体をエッチングして、該被加工体にパターンを形成することを特徴とするパターン形成方法。 - パターン形成方法であって、
被加工体上に、請求項1~5のいずれか1項に記載の有機膜形成材料を用いてレジスト下層膜を形成し、
該レジスト下層膜の上に、ケイ素酸化膜、ケイ素窒化膜およびケイ素酸化窒化膜から選ばれる無機ハードマスク中間膜を形成し、
該無機ハードマスク中間膜の上に、フォトレジスト組成物を含むレジスト上層膜材料を用いてレジスト上層膜を形成し、
該レジスト上層膜に回路パターンを形成し、
該パターンが形成された前記レジスト上層膜をマスクにして前記無機ハードマスク中間膜をエッチングして、該無機ハードマスク中間膜にパターンを転写し、
該パターンが形成された前記無機ハードマスク中間膜をマスクにして前記レジスト下層膜をエッチングして、該レジスト下層膜にパターンを転写し、
さらに、該パターンが形成された前記レジスト下層膜をマスクにして前記被加工体をエッチングして、該被加工体にパターンを形成することを特徴とするパターン形成方法。 - パターン形成方法であって、
被加工体上に請求項1~5のいずれか1項に記載の有機膜形成材料を用いてレジスト下層膜を形成し、
該レジスト下層膜の上に、ケイ素酸化膜、ケイ素窒化膜およびケイ素酸化窒化膜から選ばれる無機ハードマスク中間膜を形成し、
該無機ハードマスク中間膜の上に有機反射防止膜を形成し、
該有機反射防止膜上に、フォトレジスト組成物を含むレジスト上層膜材料を用いてレジスト上層膜を形成して4層膜構造とし、
該レジスト上層膜に回路パターンを形成し、
該パターンが形成された前記レジスト上層膜をマスクにして前記有機反射防止膜と前記無機ハードマスク中間膜とをエッチングして、前記有機反射防止膜と前記無機ハードマスク中間膜にパターンを転写し、
該パターンが形成された無機ハードマスク中間膜をマスクにして前記レジスト下層膜をエッチングして、該レジスト下層膜にパターンを転写し、
さらに、該パターンが形成された前記レジスト下層膜をマスクにして前記被加工体をエッチングして、該被加工体にパターンを形成することを特徴とするパターン形成方法。 - 前記無機ハードマスク中間膜が、CVD法あるいはALD法によって形成されることを特徴とする請求項11または12に記載のパターン形成方法。
- 前記レジスト上層膜のパターン形成方法が、波長が10nm以上300nm以下の光を用いた光リソグラフィー、電子線による直接描画、ナノインプリンティング、またはこれらの組み合わせによるパターン形成であることを特徴とする請求項9~13のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
- 前記レジスト上層膜のパターン形成方法が、アルカリ現像または有機溶剤による現像を含むことを特徴とする請求項9~14のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
- 前記被加工体が、半導体装置基板、金属膜、金属炭化膜、金属酸化膜、金属窒化膜、金属酸化炭化膜または金属酸化窒化膜であることを特徴とする請求項9~15のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
- 前記被加工体が、ケイ素、チタン、タングステン、ハフニウム、ジルコニウム、クロム、ゲルマニウム、銅、銀、金、アルミニウム、インジウム、ガリウム、ヒ素、パラジウム、鉄、タンタル、イリジウム、コバルト、マンガン、モリブデンまたはこれらの合金を含むことを特徴とする請求項9~16のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
- 下記一般式(1)で示される化合物。
- 前記一般式(1)中の前記有機基Xが下記一般式(5)、(7)、(8)、(9)、(10)、(11)、(12)、(13)、(14)および(15)のいずれかであることを特徴とする請求項18に記載の化合物。
- 前記一般式(1)中の前記R1基が前記一般式(2)~(4)で表されるいずれか1種以上と、下記一般式(16)および(17)で表されるいずれか1種以上とで構成されることを特徴とする請求項18または請求項19に記載の化合物。
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JP2023048891A (ja) * | 2021-09-28 | 2023-04-07 | 信越化学工業株式会社 | 有機膜形成用組成物、パターン形成方法並びに有機膜形成用化合物及び重合体 |
JP2023056788A (ja) * | 2021-10-08 | 2023-04-20 | 信越化学工業株式会社 | 有機膜形成材料、パターン形成方法ならびに化合物 |
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US20240087880A1 (en) * | 2022-08-26 | 2024-03-14 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for depositing low-k dielectric films |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004339373A (ja) | 2003-05-15 | 2004-12-02 | Toagosei Co Ltd | 硬化性樹脂組成物 |
JP2017119670A (ja) | 2015-12-24 | 2017-07-06 | 信越化学工業株式会社 | 有機膜形成用化合物、有機膜形成用組成物、有機膜形成方法、及びパターン形成方法 |
WO2018212116A1 (ja) | 2017-05-15 | 2018-11-22 | 三菱瓦斯化学株式会社 | リソグラフィー用膜形成材料、リソグラフィー用膜形成用組成物、リソグラフィー用下層膜及びパターン形成方法 |
WO2019167359A1 (ja) | 2018-02-28 | 2019-09-06 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 化合物、樹脂、組成物及びそれを用いたリソグラフィー用膜形成材料 |
Family Cites Families (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000017048A (ja) * | 1998-07-03 | 2000-01-18 | Nippon Kayaku Co Ltd | イミド骨格を含有するエポキシ化合物及びこれを含有する硬化性エポキシ樹脂組成物 |
US6844273B2 (en) | 2001-02-07 | 2005-01-18 | Tokyo Electron Limited | Precleaning method of precleaning a silicon nitride film forming system |
JP3774668B2 (ja) | 2001-02-07 | 2006-05-17 | 東京エレクトロン株式会社 | シリコン窒化膜形成装置の洗浄前処理方法 |
CN100362430C (zh) | 2001-08-20 | 2008-01-16 | 日产化学工业株式会社 | 形成光刻用防反射膜的组合物 |
JP3981825B2 (ja) | 2002-12-24 | 2007-09-26 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法及び下層膜形成材料 |
WO2004066377A1 (ja) | 2003-01-24 | 2004-08-05 | Tokyo Electron Limited | 被処理基板上にシリコン窒化膜を形成するcvd方法 |
JP4355943B2 (ja) | 2003-10-03 | 2009-11-04 | 信越化学工業株式会社 | フォトレジスト下層膜形成材料及びパターン形成方法 |
US7303855B2 (en) | 2003-10-03 | 2007-12-04 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photoresist undercoat-forming material and patterning process |
JP4388429B2 (ja) | 2004-02-04 | 2009-12-24 | 信越化学工業株式会社 | レジスト下層膜材料ならびにパターン形成方法 |
JP4496432B2 (ja) | 2005-02-18 | 2010-07-07 | 信越化学工業株式会社 | フォトレジスト下層膜形成材料及びパターン形成方法 |
US7358025B2 (en) | 2005-03-11 | 2008-04-15 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photoresist undercoat-forming material and patterning process |
JP4662052B2 (ja) | 2005-03-11 | 2011-03-30 | 信越化学工業株式会社 | フォトレジスト下層膜形成材料及びパターン形成方法 |
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JP4659678B2 (ja) | 2005-12-27 | 2011-03-30 | 信越化学工業株式会社 | フォトレジスト下層膜形成材料及びパターン形成方法 |
CN101506736B (zh) | 2006-08-28 | 2013-07-10 | 日产化学工业株式会社 | 含有液体添加剂的形成抗蚀剂下层膜的组合物及下层膜形成方法、半导体装置制造方法 |
JP2008158002A (ja) | 2006-12-20 | 2008-07-10 | Jsr Corp | レジスト下層膜用組成物及びその製造方法 |
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JP5336306B2 (ja) | 2008-10-20 | 2013-11-06 | 信越化学工業株式会社 | レジスト下層膜形成方法、これを用いたパターン形成方法、及びレジスト下層膜材料 |
JP2010224319A (ja) * | 2009-03-24 | 2010-10-07 | Fujifilm Corp | 感光性組成物、感光性フィルム、感光性積層体、永久パターン形成方法、及びプリント基板 |
JP5609882B2 (ja) | 2009-09-29 | 2014-10-22 | Jsr株式会社 | パターン形成方法及びレジスト下層膜形成用組成物 |
JP5838101B2 (ja) * | 2012-02-06 | 2015-12-24 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、及びこれらを用いた電子デバイスの製造方法 |
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CN104885010B (zh) * | 2013-01-09 | 2019-06-04 | 日产化学工业株式会社 | 抗蚀剂下层膜形成用组合物 |
KR102460271B1 (ko) | 2015-04-03 | 2022-10-28 | 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 | 광가교기를 가지는 단차 기판 피복 조성물 |
TWI693470B (zh) * | 2015-06-30 | 2020-05-11 | 日商富士軟片股份有限公司 | 感光性樹脂組成物、硬化膜的製造方法、硬化膜及液晶顯示裝置 |
JP6714493B2 (ja) * | 2015-12-24 | 2020-06-24 | 信越化学工業株式会社 | 有機膜形成用化合物、有機膜形成用組成物、有機膜形成方法、及びパターン形成方法 |
TWI635079B (zh) * | 2016-07-08 | 2018-09-11 | 韓國化學研究院 | 高敏感肟酯光聚合起始劑以及包含該起始劑的光聚合組合物 |
WO2018163668A1 (ja) * | 2017-03-07 | 2018-09-13 | 富士フイルム株式会社 | 組成物、膜、光センサおよび分散剤 |
JP6718406B2 (ja) * | 2017-03-31 | 2020-07-08 | 信越化学工業株式会社 | レジスト下層膜材料、パターン形成方法、及びレジスト下層膜形成方法 |
CN110462520B (zh) | 2017-04-03 | 2023-03-03 | 日产化学株式会社 | 包含具有光交联基的聚醚树脂的高低差基板被覆组合物 |
KR20200110344A (ko) | 2018-01-23 | 2020-09-23 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 레지스트 하층막 형성용 조성물, 레지스트 하층막 및 그의 형성 방법 그리고 패터닝된 기판의 제조 방법 |
JP7308168B2 (ja) * | 2019-04-16 | 2023-07-13 | 信越化学工業株式会社 | 有機膜形成用材料、半導体装置製造用基板、有機膜の形成方法、パターン形成方法、及び有機膜形成用化合物 |
JP7285209B2 (ja) * | 2019-12-26 | 2023-06-01 | 信越化学工業株式会社 | 下層膜形成材料、下層膜の形成方法、及びパターン形成方法 |
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Patent Citations (4)
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JP2004339373A (ja) | 2003-05-15 | 2004-12-02 | Toagosei Co Ltd | 硬化性樹脂組成物 |
JP2017119670A (ja) | 2015-12-24 | 2017-07-06 | 信越化学工業株式会社 | 有機膜形成用化合物、有機膜形成用組成物、有機膜形成方法、及びパターン形成方法 |
WO2018212116A1 (ja) | 2017-05-15 | 2018-11-22 | 三菱瓦斯化学株式会社 | リソグラフィー用膜形成材料、リソグラフィー用膜形成用組成物、リソグラフィー用下層膜及びパターン形成方法 |
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