JP5598489B2 - ビフェニル誘導体、レジスト下層膜材料、レジスト下層膜形成方法及びパターン形成方法 - Google Patents
ビフェニル誘導体、レジスト下層膜材料、レジスト下層膜形成方法及びパターン形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5598489B2 JP5598489B2 JP2012058407A JP2012058407A JP5598489B2 JP 5598489 B2 JP5598489 B2 JP 5598489B2 JP 2012058407 A JP2012058407 A JP 2012058407A JP 2012058407 A JP2012058407 A JP 2012058407A JP 5598489 B2 JP5598489 B2 JP 5598489B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- resist
- pattern
- resist underlayer
- underlayer film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C39/00—Compounds having at least one hydroxy or O-metal group bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring
- C07C39/12—Compounds having at least one hydroxy or O-metal group bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring polycyclic with no unsaturation outside the aromatic rings
- C07C39/17—Compounds having at least one hydroxy or O-metal group bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring polycyclic with no unsaturation outside the aromatic rings containing other rings in addition to the six-membered aromatic rings, e.g. cyclohexylphenol
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D161/00—Coating compositions based on condensation polymers of aldehydes or ketones; Coating compositions based on derivatives of such polymers
- C09D161/04—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only
- C09D161/06—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only of aldehydes with phenols
- C09D161/12—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only of aldehydes with phenols with polyhydric phenols
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/094—Multilayer resist systems, e.g. planarising layers
Description
三層プロセスにおいて珪素含有レジスト中間層膜に反射防止膜としての機能を持たせることができれば、レジスト下層膜に二層プロセスの時のような反射防止膜としての最高の効果は特に必要がない。三層プロセスの場合のレジスト下層膜としては、反射防止膜としての効果よりも基板加工における高いエッチング耐性が要求される。
そのために、芳香族基を多く含有し、エッチング耐性が高いノボラック樹脂が三層プロセス用のレジスト下層膜として用いられてきた。
レジスト中間層膜のk値として0.2以下の低い値と、適切な膜厚設定によって、1%以下の十分な反射防止効果を得ることができる。
通常反射防止膜として、膜厚100nm以下で反射を1%以下に抑えるためにはk値が0.2以上であることが必要であるが(図3参照)、レジスト下層膜である程度の反射を抑えることができる三層レジスト膜のレジスト中間層膜としては0.2より低い値のk値が最適値となる。
図5のk値が0.2のレジスト下層膜は、二層プロセスに最適化されたレジスト下層膜を想定しており、図6のk値が0.6のレジスト下層膜は、波長193nmにおけるノボラック樹脂やポリヒドロキシスチレンのk値に近い値である。
レジスト下層膜の膜厚は基板のトポグラフィーによって変動するが、レジスト中間層膜の膜厚は殆ど変動せず、設定した膜厚で塗布できると考えられる。
ここで、特許文献10(特開2010−122656号公報)にビスナフトール基を有するレジスト下層膜形成材料が提案されており、n値、k値共に目標値に近く、エッチング耐性に優れる特徴を有している。
ガラス状のカーボン膜は800℃以上の加熱によって形成される(非特許文献4:Glass Carbon Bull.Chem.Soc.JPN.41(12)3023−3024(1968))。しかしながら、デバイスダメージやウエハーの変形への影響を考えると、リソグラフィーのウエハープロセスでの加熱できる温度の上限は600℃以下、好ましくは500℃以下である。
(式中、環構造Ar1、Ar2はベンゼン環又はナフタレン環を表す。x、zはそれぞれ独立に0又は1を表す。)
(式中、環構造Ar1、Ar2はベンゼン環又はナフタレン環を表す。x、zはそれぞれ独立に0又は1を表す。Lは単結合又はメチレン基を表す。)
(式中、環構造Ar1、Ar2はベンゼン環又はナフタレン環を表す。x、zはそれぞれ独立に0又は1を表す。)
等を好ましく例示できる。フルオレン環構造、ベンゾフルオレン構造は特に好ましい。また、これらの基中の水素原子はハロゲン原子、炭化水素基、水酸基、アルコキシ基、ニトロ基、シアノ基等で置換されていてもよい。
(破線は結合手を表す。)
等を好ましく例示できる。
(式中、環構造Ar1、Ar2は上記の通り、MはLi又はMgX、Xはハロゲン原子を表す。)
本発明の一般式(1)で表されるビフェニル誘導体は、リソグラフィーで用いられる少なくとも三層を有する多層レジスト膜のレジスト下層膜の材料である。上述の通りレジスト下層膜に対する要求特性、特にエッチング耐性、耐熱性、基板のエッチング中によれの発生がない等の特性の実現のためには、炭素原子密度が高く水素原子密度が低い膜が必要とされる。そのため用いる下層膜材料も炭素原子密度が高い(水素原子密度が低い)ことが望まれる。
(式中、nは分子量が700〜50,000になる任意の自然数である。)
〈1〉化合物(6)はナフトール構造2つに対して常に1つのフルオレンを有する。それに対して本発明のビフェニル誘導体(1)はナフトール又はフェノール構造2つに対して2つのフルオレン骨格と1つのビフェニル骨格を有すこととなる。つまり、本発明のビフェニル誘導体は、化合物(6)に比べて、常にフルオレン骨格とビフェニル骨格1つずつ分だけエッチング耐性に優位な芳香環が多くなる構造を有する。これにより、フルオレン及びビフェニル骨格で炭素原子密度が多くなると共にフェノール又はナフトールの水酸基が希釈され、酸素原子密度、水素原子密度を小さくすることができる。
〈2〉化合物(6)は単量体(Monomer)であり、下層膜材料として使用するためにはノボラック化などの手法により高分子(Polymer)化することが必須であるが、本発明のビフェニル誘導体(1)は、単独での成膜も可能でありノボラック化等の高分子化をせずにそのまま樹脂として用いることが可能である。
〈3〉ノボラック化された樹脂(6’)ではノボラック架橋−CH2−のために炭素原子密度が低下する(水素原子密度が上昇する)が、本発明のビフェニル誘導体はポリマー化を行う必要がないためこのような不利益がない。
〈4〉(6’)のノボラック樹脂は埋め込み性の改善のため低分子成分を添加する必要があるが、本発明のビフェニル誘導体(1)は単体で埋め込みが可能である。また、埋め込み性改善のための低分子成分として用いることも可能であり、他のポリマーと組み合わせて使用し、良好なエッチング耐性と埋め込み性を付与することが可能である。
〈5〉(6’)のノボラック樹脂は埋め込み性の改善のため低分子成分を添加することで高温条件下でのハードベーク時のアウトガス及び膜減りが問題となるが、本発明のビフェニル誘導体(1)は高温ベーク時に自身の架橋性により高分子量化が可能で、かつ高い耐熱性を持っているため、アウトガス及び膜減りの低減が可能である。
〈6〉本発明のビフェニル誘導体は、必要があれば重縮合可能なモノマーとのノボラック化等の方法により高分子化させることもできる。
これらの利点による下層膜の特性の向上については、実施例で詳しく述べる。
(式中、環構造Ar1、Ar2はベンゼン環又はナフタレン環を表す。x、zはそれぞれ独立に0又は1を表す。Lは単結合又は炭素数1〜20、好ましくは1〜15のアルキレン基を表す。nは分子量が200,000以下、好ましくは700〜50,000となるような任意の自然数を表す。)
(式中、環構造Ar1、Ar2はベンゼン環又はナフタレン環を表す。x、zはそれぞれ独立に0又は1を表す。Lは単結合又は炭素数1〜20、好ましくは1〜15のアルキレン基を表す。wは自然数を表すが、好ましくは1〜5、特に1〜3である。nは分子量が200,000以下、好ましくは700〜50,000となるような任意の自然数を表す。)
(A)一般式(1)又は一般式(2)で表されるビフェニル誘導体又は一般式(2)で表されるビフェニル誘導体を繰り返し単位の一部として含有する高分子化合物
を必須成分とし、
(B)有機溶媒
を含むものであるが、スピンコート特性、段差基板の埋め込み特性、膜の剛性や耐溶媒性を上げるために
(C)ブレンド用化合物又はブレンド用ポリマー、
(D)架橋剤、
(E)酸発生剤
を加えてもよい。
(式中、環構造Ar1、Ar2はベンゼン環又はナフタレン環を表す。Xは単結合又は炭素数1〜20のアルキレン基を表す。mは0又は1を表す。nは分子量が100,000以下、好ましくは700〜50,000となるような任意の自然数を表す。)
で表されるフルオレン、ベンゾフルオレン類とジナフチルエーテル類との脱水縮合によって得られるナフタレン樹脂、下記一般式(8)
(式中、環構造Ar1、Ar2はベンゼン環又はナフタレン環を表す。nはゲルパーミエーションクロマトグラフィーによるポリスチレン換算重量平均分子量が100,000以下、好ましくは700〜50,000となるような任意の自然数を表す。)
で表されるフルオレン、ベンゾフルオレン類と1,1’−ビ−2−ナフトールとの脱水縮合によって得られるナフタレン樹脂、特開2008−158002号公報記載のフラーレン樹脂化合物などをブレンドすることもできる。上記ブレンド用化合物又はブレンド用ポリマーの配合量は、本発明の一般式(1)又は(2)で表されるビフェニル誘導体又はそれを含有する高分子化合物100質量部に対して0〜1,000質量部、好ましくは0〜500質量部である。
具体的には、架橋剤としては、メチロール基、アルコキシメチル基、アシロキシメチル基から選ばれる少なくとも一つの基で置換されたメラミン化合物、グアナミン化合物、グリコールウリル化合物又はウレア化合物、エポキシ化合物、チオエポキシ化合物、イソシアネート化合物、アジド化合物、アルケニルエーテル基などの二重結合を含む化合物を挙げることができる。これらは添加剤として用いてもよいが、ポリマー側鎖にペンダント基として導入してもよい。また、ヒドロキシ基を含む化合物も架橋剤として用いられる。その配合量は、(A)成分100質量部に対して0〜50質量部、特に3〜50質量部が好ましい。
具体的には、酸発生剤としては、オニウム塩、ジアゾメタン誘導体、グリオキシム誘導体、ビススルホン誘導体、N−ヒドロキシイミド化合物のスルホン酸エステル、β−ケトスルホン酸誘導体、ジスルホン誘導体、ニトロベンジルスルホネート誘導体、スルホン酸エステル誘導体等が挙げられ、(A)成分100質量部に対して0〜50質量部、特に0.1〜50質量部の添加量とすることができる。
具体的には、塩基性化合物としては、第一級、第二級、第三級の脂肪族アミン類、混成アミン類、芳香族アミン類、複素環アミン類、カルボキシル基を有する含窒素化合物、スルホニル基を有する含窒素化合物、水酸基を有する含窒素化合物、ヒドロキシフェニル基を有する含窒素化合物、アルコール性含窒素化合物、アミド誘導体、イミド誘導体等が挙げられる。塩基性化合物の配合量は、(A)成分100質量部に対して0〜2質量部、特に0.001〜2質量部が好ましい。
また、露光光としては、波長300nm以下の高エネルギー線、具体的には248nm、193nm、157nmのエキシマレーザー、3〜20nmの軟X線、電子ビーム、X線等を挙げることができる。
三層プロセスの場合、図1(A)に示したように、基板1の上に積層された被加工層2上に本発明によりレジスト下層膜3を形成した後、レジスト中間層膜4を形成し、その上にレジスト上層膜5を形成する。次いで、図1(B)に示したように、レジスト上層膜の所用部分6を露光し、PEB及び現像を行ってレジストパターン5aを形成する(図1(C))。この得られたレジストパターン5aをマスクとし、CF系ガスを用いてレジスト中間層膜4をエッチング加工してレジスト中間層膜パターン4aを形成する(図1(D))。レジストパターン5aを除去後、この得られたレジスト中間層膜パターン4aをマスクとしてレジスト下層膜3を酸素プラズマエッチングし、レジスト下層膜パターン3aを形成する(図1(E))。更にレジスト中間層膜パターン4aを除去後、レジスト下層膜パターン3aをマスクに被加工層2をエッチング加工して、基板にパターン2aを形成するものである(図1(F))。
無機ハードマスク中間層膜を用いる場合、レジスト中間層膜4が無機ハードマスク中間層膜であり、BARCを敷く場合はレジスト中間層膜4とレジスト上層膜5との間にBARC層を設ける。BARCのエッチングはレジスト中間層膜4のエッチングに先立って連続して行われる場合もあるし、BARCだけのエッチングを行ってからエッチング装置を変えるなどしてレジスト中間層膜4のエッチングを行うことができる。
[合成例]
なお、分子量の測定法は、溶媒としてテトラヒドロフランを用いたゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)によるポリスチレン換算の重量平均分子量(Mw)、数平均分子量(Mn)を求め、分散度(Mw/Mn)を求めた。
窒素雰囲気下、マグネシウム26.4g(1.09mol)を秤量した5Lの4つ口フラスコ内に脱水THF(テトラヒドロフラン)1,000mlで予め溶解した4,4’−ジブロモビフェニル168g(0.54mol)、塩化リチウム23.0g(0.54mol)をマグネシウムが浸る程度に加えた。ジブロモエタンを少量加え、反応をスタートさせた後、発熱を維持したまま残りのTHF溶液を3時間かけ滴下した。滴下終了後、THF500mlを加え、還流下で8時間熟成してGrignard試薬を調製した。内温55℃まで冷却した後、予め脱水THF400mlに溶解した9−フルオレノン150g(0.83mol)を2時間かけ滴下した。滴下終了後、還流下で5時間半熟成を行い、氷浴でフラスコを冷却し、飽和塩化アンモニウム水溶液1,000mlと純水1,000mlで反応をクエンチした。このとき溶液は白色の析出物が生じ、懸濁液となった。反応溶液にMIBK(メチルイソブチルケトン)150mlを追加し、懸濁液のまま分液ロートに移し変え、水層を抜き出し、更に純水500mlで分液水洗を行った後、有機層を減圧濃縮した。ジイソプロピルエーテルで再結晶を行い、生じた白色の結晶を濾別し、乾燥することでビフェニル誘導体(9)を109g、収率51.0%で得た。
IR(D−ATR):ν=3539,3064,3039,1605,1495,1447,1164,1030,909,820,771,754,736cm-1。
1H−NMR(600MHz in DMSO−d6):δ=6.34(2H,−OH,s),7.24(4H,t),7.27(8H,d),7.36(4H,t−t),7.45(4H,d),7.81(4H,d)ppm。
13C−NMR(150MHz in DMSO−d6):δ=82.44,120.10,124.66,125.66,126.28,128.07,128.51,138.41,139.14,144.19,151.23ppm。
ビフェニル誘導体(9)40.3g(78.4mmol)、2−ナフトール23.73g(164.6mmol)、1,2−ジクロロエタン240mlを1Lの3つ口フラスコに秤量した。30℃のオイルバス中で撹拌しながら、メタンスルホン酸7.3mlをゆっくり滴下した。滴下終了後オイルバスの温度を50℃に上げ、6時間反応を行った。室温まで放冷後、MIBK500mlで希釈し、不溶分を濾別して分液ロートに移し変え、300mlの超純水で分液水洗を9回繰り返した。有機層を減圧濃縮し、残渣にTHF800ml加え、溶解させた後、ヘキサン2,500mlで晶出後、結晶を濾別、乾燥することでビフェニル誘導体(10)を51.6g、収率85.8%で得た。
IR(KBr):ν=3528,3389,3059,3030,1633,1604,1506,1493,1446,1219,1181,750,740cm-1。
1H−NMR(600MHz in DMSO−d6):δ=6.98(2H,d−d),7.05(2H,s−d),7.17(4H,d),7.24(2H,d−d),7.29(4H,t),7.38(4H,t),7.40(2H,s),7.45(4H,d),7.50(6H,d),7.58(2H,d),7.93(4H,d),9.72(2H,−OH,s)ppm。
13C−NMR(150MHz in DMSO−d6):δ=64.59,108.35,118.77,120.58,125.19,126.11,126.36,126.62,126.94,127.16,127.71,127.88,128.20,129.35,133.39,138.14,139.26,139.59,144.82,150.56,155.39ppm。
TG−DTA(Air;30→500℃):−3.92%、
TG−DTA(He;30→500℃):−17.71%。
空気中では高温で脱水素反応を伴う酸化カップリング反応による架橋反応が起きることでHe中に比べ熱分解が抑制されている。また、空気中における500℃での重量減少はわずかに3.92%と優れた耐熱性を示した。
ビフェニル誘導体(9)10.0g(19.0mmol)、フェノール3.66g(39.0mmol)、1,2−ジクロロエタン60mlを200mlの3つ口フラスコに秤量し、水浴中で撹拌し、メタンスルホン酸2.4mlをゆっくり滴下した。滴下終了後オイルバスの温度を50℃に上げ、2時間反応を行った。室温まで放冷後、MIBK150mlで希釈し、不溶分を濾別して分液ロートに移し変え、100mlの超純水で分液水洗を4回繰り返した。有機層を減圧濃縮し、残渣にTHF28.8g加え、溶解させた後、ヘキサン900mlで晶出、濾別し、乾燥することでビフェニル誘導体(11)を8.3g、収率65.5%で得た。
IR(KBr):ν=3501,3371,3031,1693,1604,1594,1508,1446,1174cm-1。
1H−NMR(600MHz in DMSO−d6):δ=6.63(4H,d),6.93(4H,d),7.12(4H,d),7.28(4H,dd),7.36(4H,dd),7.41(4H,d),7.43(4H,d),7.89(4H,d),9.33(2H,−OH,s)ppm。
13C−NMR(150MHz in DMSO−d6):δ=63.99,115.02,120.43,125.98,126.49,127.50,127.77,128.06,128.74,135.26,138.05,139.42,145.18,150.99,156.12ppm。
窒素雰囲気下、マグネシウム24.3g(1.00mol)を秤量した5Lの4つ口フラスコ内に、脱水THF1,000mlで予め溶解した4,4’−ジブロモビフェニル156g(0.50mol)、塩化リチウム22.5g(0.53mol)をマグネシウムが浸る程度に加えた。ジブロモエタンを少量加え、反応をスタートさせた後、発熱を維持したままTHF溶液を5時間かけ滴下した。滴下終了後、THF500mlを加え、還流下で4時間熟成してGrignard試薬を調製した。内温50℃まで冷却した後、予め脱水THF1,500mlに懸濁した9−ベンゾ[b]フルオレノン177.3g(0.77mol)を30分かけ滴下した。滴下終了後、還流下で5時間熟成を行い、氷浴でフラスコを冷却し、飽和塩化アンモニウム水溶液1,000mlで反応をクエンチした。反応溶液にMIBK500mlを追加し、分液ロートに移し変え、水層を抜き出し、更に純水500ml、飽和食塩水で分液水洗を行った後、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。乾燥剤を濾別し、溶媒を留去した後、カラムクロマトグラフィーで精製を行い、ビフェニル誘導体(12)を53.2g、収率21.1%で得た。
IR(KBr):ν=3543,3427,3050,1637,1607,1504,1494,1251,1168,1038,882,817,781,755cm-1。
1H−NMR(600MHz in DMSO−d6):δ=6.49(2H,−OH,s),7.29〜7.32(8H,m),7.41〜7.48(10H,m),7.75(2H,s),7.86(2H,d),7.95(2H,d),7.97(2H,d),8.31(2H,d)ppm。
13C−NMR(150MHz in DMSO−d6):δ=82.03,118.21,120.72,123.52,125.05,125.75,125.83,126.22,126.31,128.03,128.33,128.84,128.87,133.35,133.64,137.85,138.40,138.59,144.90,149.64,151.07ppm。
ビフェニル誘導体(12)5.0g(8.13mmol)、2−ナフトール2.58g(17.9mmol)、1,2−ジクロロエタン30mlを1Lの3つ口フラスコに秤量した。室温で撹拌しながらメタンスルホン酸1.5mlをゆっくり滴下し、室温で4時間反応を行った。酢酸エチル100mlで希釈し、不溶分を濾別して分液ロートに移し変え、30mlの超純水で分液水洗を7回繰り返した。有機層を減圧濃縮した後、メタノールで再結晶を行うことでビフェニル誘導体(13)を6.4g、収率90.8%で得た。
IR(KBr):ν=3545,3325,3048,1634,1604,1505,1492,1433,1216,1176,875,750cm-1。
1H−NMR(600MHz in DMSO−d6):δ=6.97(2H,d−d),7.06(2H,s−d),7.21(4H,d),7.32(4H,t),7.40〜7.50(16H,m),7.60(2H,d),7.83(2H,d),7.96〜7.98(4H,m),8.06(2H,d),8.43(2H,d),9.72(2H,−OH,s)ppm。
13C−NMR(150MHz in DMSO−d6):δ=64.21,108.35,118.62,118.77,121.13,124.89,125.40,125.81,126.14,126.40,126.59,127.01,127.16,127.97,128.23,128.33,128.68,129.43,132.98,133.10,133.35,138.04,138.44,138.93,139.87,145.42,148.98,150.91,155.40ppm。
TG−DTA(Air;30→500℃):4.58%、
TG−DTA(He;30→500℃):11.44%。
空気中では高温で脱水素反応を伴う酸化カップリング反応による架橋反応が起きることでHe中に比べ熱分解が抑制されている。また、空気中における500℃での重量減少はわずかに4.58%と優れた耐熱性を示した。
(nは後述する表2に記載の重量平均分子量を与える数である。)
ビフェニル誘導体(10)10.0g(13.0mmol)、1−メトキシ−2−プロパノール30mlを200mlの3つ口フラスコに秤量し、75℃のオイルバス中でN2雰囲気下で撹拌し、溶解させた。パラホルムアルデヒド0.25g(7.8mmol)を加え、予め調製した20質量%p−トルエンスルホン酸1水和物の1−メトキシ−2−プロパノール溶液2.5gを滴下した。滴下終了後、オイルバスの温度を85℃に上げ、4時間反応を行った。室温まで放冷後、MIBK100mlで希釈し、不溶分を濾別して分液ロートに移し変え、30mlの超純水で分液水洗を8回繰り返した。有機層を減圧濃縮してポリマーを回収し、減圧乾燥することでビフェニル誘導体(14)を10.0g、収率99%で得た。
IR(ATR):ν=3459,3344,3027,2954,1696,1601,1493,1447,1277,1210cm-1。
Mw=4,921、Mw/Mn=1.75。
TG−DTA(Air;30→500℃):−22.48%、
TG−DTA(He;30→500℃):−20.20%。
300〜500℃の重量減少はHe中では12.65%に対して空気中では10.62%となった。高温下では脱水素反応を伴う酸化カップリング反応による架橋反応が起きるため空気中での熱分解はHe中に比べ抑制されている。
(nは後述する表2に記載の重量平均分子量を与える数である。)
ビフェニル誘導体(11)2.0g(3.0mmol)、1−メトキシ−2−プロパノール10mlを100mlの3つ口フラスコに秤量し、75℃のオイルバス中でN2雰囲気下で撹拌し、溶解させた。パラホルムアルデヒド0.057g(1.8mmol)を加え、予め調製した20質量%p−トルエンスルホン酸1水和物の1−メトキシ−2−プロパノール溶液0.5gを滴下した。滴下終了後、オイルバスの温度を85℃に上げ、4時間反応を行った。室温まで放冷後、MIBK50mlで希釈し、不溶分を濾別して分液ロートに移し変え、20mlの超純水で分液水洗を8回繰り返した。有機層を減圧濃縮してポリマーを回収し、減圧乾燥することでビフェニル誘導体(15)を2.0g、収率98%で得た。
IR(ATR):ν=3500,3343,3028,2955,1698,1607,1507,1493,1447,1263,1224,1174cm-1。
Mw=15,881、Mw/Mn=7.52。
TG−DTA(Air;30→500℃):−25.11%、
TG−DTA(He;30→500℃):−36.60%。
300〜500℃の重量減少はHe中では24.62%に対して空気中では13.44%となった。高温下では脱水素反応を伴う酸化カップリング反応による架橋反応が起きるため空気中での熱分解はHe中に比べ抑制されている。
なお、Binder Polymer3,4の合成方法は下記の合成例に記載した。
2,2’−ジナフチルエーテル30.0g(111mmol)、9−フルオレノン20.0g(111mmol)、1,2−ジクロロエタン120mlを3つ口フラスコに加え、オイルバス中で溶解させた。溶解を確認後、3−メルカプトプロピオン酸0.6ml、メタンスルホン酸6.0mlを滴下し、還流下で13時間反応を行った。反応終了後、トルエン500mlで希釈後、分液ロートに移し、水洗分液を行った。水洗を繰り返し、水層が中性になったのを確認後、有機層を減圧濃縮し、残渣にTHF250mlを加え、ヘキサン2,250mlでポリマーを晶出し、減圧乾燥することでナフタレン誘導体(1)を得た。
Mw=2,867、Mw/Mn=1.95。
IR(KBr):ν=3055,1910,1596,1502,1463,1255,1219,1193,1165cm-1。
n=〜6.0(Mwから算出)、〜5.45(13C−NMRから算出)。
1,1’−ビ−2,2’−ナフトール15.9g(5.6mmol)、9−フルオレノン10.0g(5.6mmol)、1,2−ジクロロエタン125mlを3つ口フラスコに加え、オイルバス中で溶解させた。溶解を確認後、3−メルカプトプロピオン酸0.3ml、メタンスルホン酸3.0mlを滴下し、還流下で10時間反応を行った。反応終了後、酢酸エチル300mlで希釈後、分液ロートに移し、水洗分液を行った。水洗を繰り返し、水層が中性になったのを確認後、有機層を減圧濃縮し、残渣にTHF100mlを加え、ヘキサン1,300mlでポリマーを晶出した。晶出したポリマーを濾別し、減圧乾燥することでナフタレン誘導体(2)を得た。
Mw=3,013、Mw/Mn=1.57。
IR(KBr):ν=3529,3060,2969,1912,1620,1596,1500,1474,1447,1383,1343,1276,1217,1147cm-1。
n=〜6.08(Mwから算出)、〜4.87(1H−NMRから算出)。
CyH(シクロヘキサノン、以下同様)
上記のように調製したレジスト下層膜溶液をシリコン基板上に塗布して、UDL−1〜16、比較例UDL−2,3を350℃で60秒間ベークし、UDL−17〜32、比較例UDL−1,4〜6を230℃で60秒間ベークし、それぞれ膜厚200nmの下層膜を形成した。但し、比較例UDL−1は後述のように成膜できなかった。その後、J.A.ウーラム社の入射角度可変の分光エリプソメーター(VASE)で波長193nmにおけるUDL−1〜32、比較例UDL−2〜6の屈折率(n,k)を求めた。結果を表5,6に併記する。
[実施例1〜47、比較例1〜7]
UDL−1〜32、比較例UDL−2〜6をシリコン基板上に塗布して、空気雰囲気下、表7,8に示す温度でそれぞれ60秒間ベークした。その後、膜厚を測定し、その上にPGMEAをディスペンスし、30秒間放置し、スピンドライ、100℃で60秒間ベークしてPGMEAを蒸発させ、膜厚を測定し、PGMEA処理前後の膜厚差を求めた。結果を表7,8に併記する。
UDL−1〜32、比較例UDL−2〜6をシリコン基板上に塗布して、空気雰囲気下、表7,8に示す温度でそれぞれ60秒間ベークした。それぞれ膜厚350nmの下層膜を形成し、下記条件でCF4/CHF3系ガスでのエッチング試験を行った。この場合、東京エレクトロン(株)製ドライエッチング装置TE−8500を用い、エッチング前後のポリマー膜の膜厚差を求めた。結果を表7,8に併記する。
チャンバー圧力 40.0Pa
RFパワー 1,000W
CHF3ガス流量 10ml/min
CF4ガス流量 100ml/min
Heガス流量 200ml/min
時間 20sec
上記と同様にUDL−1〜32、比較例UDL−2〜6をシリコン基板上に塗布して、空気雰囲気下、表7,8に示す温度でそれぞれ60秒間ベークした。それぞれ膜厚350nmの下層膜を形成し、下記条件でO2系ガスでのエッチング試験を行った。この場合、東京エレクトロン(株)製ドライエッチング装置TE−8500を用い、エッチング前後のポリマー膜の膜厚差を求めた。結果を表7,8に併記する。
チャンバー圧力 40.0Pa
RFパワー 100W
O2ガス流量 30ml/min
N2ガス流量 70ml/min
時間 60sec
FC−4430(住友スリーエム(株)製)0.1質量%を含む溶媒PGMEA中に下記式で示される珪素含有中間層用ポリマー2.0質量部、溶媒100質量部の割合で溶解させ、0.1μmのフッ素樹脂製のフィルターで濾過することによって、上記例示した下層膜上へ塗布する珪素含有中間膜溶液を調製した。このように調製した珪素含有中間層溶液を以下SiL−1と表記する。
レジスト上層膜材料としては、表9に示す組成の樹脂、酸発生剤、塩基性化合物をFC−4430(住友スリーエム(株)製)0.1質量%を含む溶媒中に溶解させ、0.1μmのフッ素樹脂製のフィルターで濾過することによって調製した。後述の表11,12中において、レジスト上層膜材料をArF用SLレジストと表記した。
[実施例48〜79、比較例8〜13]
(下層膜の成膜)
下層膜材料(UDL−1〜32、比較例UDL−2〜6)を、膜厚200nmのSiO2膜が形成された直径300mmSiウエハー基板上に塗布して、後述する表11,12中、実施例48〜79、比較例8〜13に示すようなベーク条件でベークして膜厚200nmのレジスト下層膜を形成した。なお、レジスト下層膜のベーク雰囲気は空気雰囲気下で行った。
その上に上記、珪素含有レジスト中間層材料(SiL−1)を塗布して200℃で60秒間ベークして膜厚35nmのレジスト中間層膜を形成した。
レジスト上層膜材料(ArF用SLレジスト溶液)を後述する表11,12中、実施例48〜79、比較例8〜13で示す下層膜上に塗布し、105℃で60秒間ベークして膜厚100nmのレジスト上層膜を形成した。レジスト上層膜に液浸保護膜を塗布し、90℃で60秒間ベークし、膜厚50nmの保護膜を形成した。
次いで、ArF液浸露光装置((株)ニコン製;NSR−S610C,NA1.30、σ0.98/0.65、35度ダイポール偏光照明、6%ハーフトーン位相シフトマスク)で露光し、100℃で60秒間ベーク(PEB)し、2.38質量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)水溶液で30秒間現像し、43nm1:1のポジ型のラインアンドスペースパターンを得た。
次いで、東京エレクトロン(株)製エッチング装置Teliusを用いてドライエッチングによるレジストパターンをマスクにして珪素含有レジスト中間層膜(SOG)の加工、珪素含有レジスト中間層膜をマスクにしてレジスト下層膜、得られたレジスト下層膜パターンをマスクにしてSiO2膜の加工を行った。エッチング条件は下記に示す通りである。
チャンバー圧力 10.0Pa
RFパワー 1,500W
CF4ガス流量 75ml/min
O2ガス流量 15ml/min
時間 15sec
チャンバー圧力 2.0Pa
RFパワー 500W
Arガス流量 75ml/min
O2ガス流量 45ml/min
時間 120sec
チャンバー圧力 2.0Pa
RFパワー 2,200W
C5F12ガス流量 20ml/min
C2F6ガス流量 10ml/min
Arガス流量 300ml/min
O2ガス流量 60ml/min
時間 90sec
[実施例80〜88、比較例14,15]
Si基板上に厚み500nmで直径が160nmの密集ホールパターンが形成されているSiO2段差基板上に、平坦な基板上で200nmの膜厚になるよう調製されたUDL−1,2,3,6,7,8,12,14,16と比較例UDL−2,5を塗布し、350℃で60秒間ベークした。基板を割断し、ホールの底まで膜が埋め込まれているかどうかをSEMで観察した。結果を表13に示す。
[実施例89〜97、比較例16,17]
UDL−1,2,3,6,7,8,12,14,16と比較例UDL−2,3をSi基板上に塗布し、350℃で60秒間ベークし、膜厚200nmの下層膜を形成できる条件で、350℃ベーク中にホットプレートオーブン中に発生するパーティクルをリオン社製パーティクルカウンターKR−11Aを用いて0.3μmと0.5μmサイズのパーティクル数を測定した。結果を表14に示す。
また、表6中の比較例UDL−1の比較Additive1は、単体では成膜することができず、比較例UDL−3にあるように、BinderとなるPolymerがないと成膜できない。一方、本発明の実施例であるビフェニル誘導体Compound1〜3を単体でフォーミュレーションしたUDL−1〜3は成膜可能であり、利点として挙げることができる。
また、表7,8に示すように、上記表3中に示された熱酸発生剤TAG1、架橋剤XL1を用いた場合、低温のベークが可能となり、溶媒に不溶のレジスト下層膜が形成された(実施例32〜47)。
更に、表7,8に示すように、本発明の方法で形成したレジスト下層膜のCF4/CHF3ガスエッチングの速度、並びにO2ガスエッチングの速度は、Binder Polymer5及び比較Polymer6,7(比較例1〜7)よりもエッチング速度が遅く、非常に高いエッチング耐性を有する。
2 被加工層
3 レジスト下層膜
4 レジスト中間層膜
5 レジスト上層膜
6 所用(露光)部分
5a レジストパターン
4a レジスト中間層膜パターン
3a レジスト下層膜パターン
2a パターン
Claims (12)
- 下記一般式(1)で表されるビフェニル誘導体。
(式中、環構造Ar1、Ar2はベンゼン環又はナフタレン環を表す。x、zはそれぞれ独立に0又は1を表す。) - 下記一般式(2)で表される部分構造を有するビフェニル誘導体。
(式中、環構造Ar1、Ar2はベンゼン環又はナフタレン環を表す。x、zはそれぞれ独立に0又は1を表す。Lは単結合又はメチレン基を表す。) - (i)請求項1に記載の一般式(1)で表されるビフェニル誘導体又は(ii)請求項2に記載の一般式(2)で表される部分構造を有するビフェニル誘導体又は(iii)上記(ii)のビフェニル誘導体を繰り返し単位の一部として含有する高分子化合物を用いたレジスト下層膜材料。
- 更に、有機溶媒を含有する請求項3に記載のレジスト下層膜材料。
- 更に、架橋剤及び酸発生剤を含有する請求項3又は4に記載のレジスト下層膜材料。
- リソグラフィーで用いられる少なくとも三層を有する多層レジスト膜のレジスト下層膜の形成方法であって、請求項3〜5のいずれか1項に記載のレジスト下層膜材料を基板上にコーティングし、そのコーティングしたレジスト下層膜材料を150℃を超え600℃以下の温度で、10〜600秒間の範囲で熱処理して硬化させることを特徴とするレジスト下層膜形成方法。
- 請求項3〜5のいずれか1項に記載のレジスト下層膜材料をスピンコート法で基板上にコーティングすることを特徴とする請求項6に記載のレジスト下層膜形成方法。
- リソグラフィーにより基板にパターンを形成する方法であって、少なくとも、基板上に請求項6又は7に記載のレジスト下層膜形成方法によりレジスト下層膜を形成し、そのレジスト下層膜の上に珪素原子を含有するレジスト中間層膜材料を用いてレジスト中間層膜を形成し、そのレジスト中間層膜の上にフォトレジスト組成物からなるレジスト上層膜材料を用いてレジスト上層膜を形成して、上記レジスト上層膜のパターン回路領域を露光した後、現像液で現像して上記レジスト上層膜にレジストパターンを形成し、得られたレジストパターンをエッチングマスクにして上記レジスト中間層膜をエッチングし、得られたレジスト中間層膜パターンをエッチングマスクにして上記レジスト下層膜をエッチングし、得られたレジスト下層膜パターンをエッチングマスクにして基板をエッチングして基板にパターンを形成することを特徴とするパターン形成方法。
- リソグラフィーにより基板にパターンを形成する方法であって、少なくとも、基板上に請求項6又は7に記載のレジスト下層膜形成方法によりレジスト下層膜を形成し、そのレジスト下層膜の上に珪素酸化膜、珪素窒化膜及び珪素酸化窒化膜から選ばれる無機ハードマスク中間層膜を形成し、その無機ハードマスク中間層膜の上にフォトレジスト組成物からなるレジスト上層膜材料を用いてレジスト上層膜を形成して、上記レジスト上層膜のパターン回路領域を露光した後、現像液で現像して上記レジスト上層膜にレジストパターンを形成し、得られたレジストパターンをエッチングマスクにして上記無機ハードマスク中間層膜をエッチングし、得られた無機ハードマスク中間層膜パターンをエッチングマスクにして上記レジスト下層膜をエッチングし、得られたレジスト下層膜パターンをエッチングマスクにして基板をエッチングして基板にパターンを形成することを特徴とするパターン形成方法。
- リソグラフィーにより基板にパターンを形成する方法であって、少なくとも、基板上に請求項6又は7に記載のレジスト下層膜形成方法によりレジスト下層膜を形成し、そのレジスト下層膜の上に珪素酸化膜、珪素窒化膜及び珪素酸化窒化膜から選ばれる無機ハードマスク中間層膜を形成し、その無機ハードマスク中間層膜の上に有機反射防止膜を形成し、その有機反射防止膜の上にフォトレジスト組成物からなるレジスト上層膜材料を用いてレジスト上層膜を形成して、上記レジスト上層膜のパターン回路領域を露光した後、現像液で現像して上記レジスト上層膜にレジストパターンを形成し、得られたレジストパターンをエッチングマスクにして上記有機反射防止膜と上記無機ハードマスク中間層膜をエッチングし、得られた無機ハードマスク中間層膜パターンをエッチングマスクにして上記レジスト下層膜をエッチングし、得られたレジスト下層膜パターンをエッチングマスクにして基板をエッチングして基板にパターンを形成することを特徴とするパターン形成方法。
- 無機ハードマスク中間層膜が、CVD法あるいはALD法によって形成されることを特徴とする請求項9又は10に記載のパターン形成方法。
- レジスト上層膜材料が珪素原子含有ポリマーを含まず、上記中間層膜をマスクにして行うレジスト下層膜のエッチングを酸素ガス又は水素ガスを主体とするエッチングガスを用いて行うことを特徴とする請求項8〜11のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012058407A JP5598489B2 (ja) | 2011-03-28 | 2012-03-15 | ビフェニル誘導体、レジスト下層膜材料、レジスト下層膜形成方法及びパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011069703 | 2011-03-28 | ||
JP2011069703 | 2011-03-28 | ||
JP2012058407A JP5598489B2 (ja) | 2011-03-28 | 2012-03-15 | ビフェニル誘導体、レジスト下層膜材料、レジスト下層膜形成方法及びパターン形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012214720A JP2012214720A (ja) | 2012-11-08 |
JP5598489B2 true JP5598489B2 (ja) | 2014-10-01 |
Family
ID=46927800
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012058407A Active JP5598489B2 (ja) | 2011-03-28 | 2012-03-15 | ビフェニル誘導体、レジスト下層膜材料、レジスト下層膜形成方法及びパターン形成方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8835697B2 (ja) |
JP (1) | JP5598489B2 (ja) |
KR (1) | KR101681796B1 (ja) |
TW (1) | TWI455917B (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014024831A (ja) * | 2012-06-18 | 2014-02-06 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 有機膜形成用化合物、これを用いた有機膜材料、有機膜形成方法、パターン形成方法 |
KR20190013730A (ko) * | 2016-05-20 | 2019-02-11 | 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 | 레지스트 하층막 형성 조성물 |
Families Citing this family (41)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8906590B2 (en) | 2011-03-30 | 2014-12-09 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Antireflective coating composition and process thereof |
EP2780392B1 (en) * | 2011-11-18 | 2016-06-29 | Greene, Tweed & Co. | Crosslinking compounds for high glass transition temperature polymers |
JP5516557B2 (ja) * | 2011-12-06 | 2014-06-11 | 信越化学工業株式会社 | レジスト保護膜材料及びパターン形成方法 |
CN104067175B (zh) * | 2012-02-01 | 2018-01-02 | 日产化学工业株式会社 | 含有具有杂环的共聚树脂的抗蚀剂下层膜形成用组合物 |
US8906592B2 (en) | 2012-08-01 | 2014-12-09 | Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. | Antireflective coating composition and process thereof |
EP3916035A1 (en) * | 2012-10-22 | 2021-12-01 | Delsper LP | Method for controlling cross-linking reaction rate and of a cross-linking compound |
SG11201505815TA (en) | 2013-01-28 | 2015-08-28 | Delsper LP | Anti-extrusion compositions for sealing and wear components |
US9256128B2 (en) | 2013-03-12 | 2016-02-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
US9245751B2 (en) | 2013-03-12 | 2016-01-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Anti-reflective layer and method |
US9543147B2 (en) | 2013-03-12 | 2017-01-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Photoresist and method of manufacture |
US9502231B2 (en) | 2013-03-12 | 2016-11-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Photoresist layer and method |
EP2970568B1 (en) * | 2013-03-15 | 2021-08-18 | Delsper LP | Cross-linked organic polymers for use as elastomers |
KR102066229B1 (ko) * | 2013-03-26 | 2020-01-15 | 주식회사 동진쎄미켐 | 레지스트 하층막 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 |
KR101655394B1 (ko) * | 2013-04-25 | 2016-09-07 | 제일모직 주식회사 | 레지스트 하층막용 조성물, 이를 사용한 패턴 형성 방법 및 상기 패턴을 포함하는 반도체 집적회로 디바이스 |
US9152051B2 (en) | 2013-06-13 | 2015-10-06 | Az Electronics Materials (Luxembourg) S.A.R.L. | Antireflective coating composition and process thereof |
JP6165690B2 (ja) | 2014-08-22 | 2017-07-19 | 信越化学工業株式会社 | 有機膜形成用組成物の製造方法 |
KR101788091B1 (ko) | 2014-09-30 | 2017-11-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 중합체, 유기막 조성물, 유기막, 및 패턴형성방법 |
JP6378146B2 (ja) | 2014-10-16 | 2018-08-22 | 信越化学工業株式会社 | 多層膜形成方法及びパターン形成方法 |
KR102316585B1 (ko) | 2015-03-10 | 2021-10-26 | 삼성전자주식회사 | 하드마스크용 중합체, 상기 중합체를 포함하는 하드마스크용 조성물, 및 이를 이용한 반도체 소자의 패턴 형성 방법 |
US10053539B2 (en) | 2015-12-01 | 2018-08-21 | Jsr Corporation | Composition for film formation, film, production method of patterned substrate, and compound |
KR102456124B1 (ko) | 2015-12-08 | 2022-10-19 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 막 형성용 조성물, 막, 패턴이 형성된 기판의 제조 방법 및 화합물 |
JP6346161B2 (ja) * | 2015-12-15 | 2018-06-20 | 株式会社東芝 | パターン形成方法 |
JP6714493B2 (ja) * | 2015-12-24 | 2020-06-24 | 信越化学工業株式会社 | 有機膜形成用化合物、有機膜形成用組成物、有機膜形成方法、及びパターン形成方法 |
KR101770749B1 (ko) * | 2016-01-11 | 2017-08-23 | 최상준 | 반사방지용 하드마스크 조성물 |
KR20180108654A (ko) * | 2016-02-15 | 2018-10-04 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 레지스트 하층막 형성용 조성물, 레지스트 하층막 및 패터닝된 기판의 제조 방법 |
KR102612701B1 (ko) * | 2017-07-14 | 2023-12-12 | 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 | 레지스트 하층막 형성 조성물, 레지스트 하층막, 레지스트 패턴의 형성방법 및 반도체장치의 제조방법 |
US10514605B2 (en) | 2017-08-04 | 2019-12-24 | International Business Machines Corporation | Resist multilayer film-attached substrate and patterning process |
US11042090B2 (en) | 2017-08-04 | 2021-06-22 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Composition for forming organic film |
KR102154678B1 (ko) * | 2017-12-29 | 2020-09-10 | 삼성에스디아이 주식회사 | 화합물, 유기막 조성물 및 패턴 형성 방법 |
US11022882B2 (en) * | 2018-06-20 | 2021-06-01 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Compound and composition for forming organic film |
JP6981945B2 (ja) | 2018-09-13 | 2021-12-17 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法 |
JP7232692B2 (ja) * | 2019-04-04 | 2023-03-03 | 大阪ガスケミカル株式会社 | フルオレン化合物及びその製造方法 |
JP7217695B2 (ja) * | 2019-11-28 | 2023-02-03 | 信越化学工業株式会社 | 有機膜形成用材料、パターン形成方法、及び重合体 |
US20220197143A1 (en) * | 2020-12-18 | 2022-06-23 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Adhesion promoting photoresist underlayer composition |
KR20230029051A (ko) * | 2021-08-23 | 2023-03-03 | 삼성에스디아이 주식회사 | 하드마스크 조성물, 하드마스크 층 및 패턴 형성 방법 |
JP2023124171A (ja) | 2022-02-25 | 2023-09-06 | 信越化学工業株式会社 | 有機膜形成用平坦化剤、有機膜形成用組成物、有機膜形成方法、及びパターン形成方法 |
JP2023129266A (ja) | 2022-03-03 | 2023-09-14 | 信越化学工業株式会社 | 金属酸化膜形成用組成物、パターン形成方法、及び金属酸化膜形成方法 |
JP2023166976A (ja) | 2022-05-10 | 2023-11-22 | 信越化学工業株式会社 | 金属酸化膜形成用組成物、パターン形成方法、及び金属酸化膜形成方法 |
JP2024008372A (ja) | 2022-07-08 | 2024-01-19 | 信越化学工業株式会社 | 金属酸化膜形成用組成物、パターン形成方法、及び金属酸化膜形成方法 |
JP2024024828A (ja) | 2022-08-10 | 2024-02-26 | 信越化学工業株式会社 | ウェハエッジ保護膜形成方法、パターン形成方法、及びウェハエッジ保護膜形成用組成物 |
IL305619A (en) | 2022-09-14 | 2024-04-01 | Shinetsu Chemical Co | Compound for forming a metal-containing layer, composition for forming a metal-containing layer, printing method, and semiconductor masking sensitizer |
Family Cites Families (51)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
IL90218A0 (en) | 1988-05-13 | 1989-12-15 | Abbott Lab | Retroviral protease inhibitors |
JP2657740B2 (ja) | 1992-10-08 | 1997-09-24 | 日本電信電話株式会社 | ポジ型レジスト材料 |
JPH08234422A (ja) * | 1995-02-27 | 1996-09-13 | Nippon Zeon Co Ltd | ポジ型レジスト組成物 |
JPH08234423A (ja) * | 1995-02-27 | 1996-09-13 | Nippon Zeon Co Ltd | ポジ型レジスト組成物 |
US5886119A (en) | 1995-08-08 | 1999-03-23 | Olin Microelectronic Chemicals, Inc. | Terpolymers containing organosilicon side chains |
JP3505990B2 (ja) | 1997-01-31 | 2004-03-15 | 信越化学工業株式会社 | 高分子シリコーン化合物、化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法 |
TW432257B (en) | 1997-01-31 | 2001-05-01 | Shinetsu Chemical Co | High molecular weight silicone compound, chemically amplified positive resist composition and patterning method |
JPH11154638A (ja) | 1997-11-20 | 1999-06-08 | Toshiba Corp | パターン形成方法 |
US6268457B1 (en) | 1999-06-10 | 2001-07-31 | Allied Signal, Inc. | Spin-on glass anti-reflective coatings for photolithography |
JP4288776B2 (ja) | 1999-08-03 | 2009-07-01 | Jsr株式会社 | 反射防止膜形成組成物 |
US6461717B1 (en) | 2000-04-24 | 2002-10-08 | Shipley Company, L.L.C. | Aperture fill |
JP4019247B2 (ja) | 2000-06-02 | 2007-12-12 | 信越化学工業株式会社 | 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
KR100555285B1 (ko) | 2000-06-02 | 2006-03-03 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 고분자 화합물, 레지스트 조성물 및 패턴 형성 방법 |
US6420088B1 (en) | 2000-06-23 | 2002-07-16 | International Business Machines Corporation | Antireflective silicon-containing compositions as hardmask layer |
JP3971088B2 (ja) | 2000-06-30 | 2007-09-05 | 株式会社東芝 | パターン形成方法 |
JP3852107B2 (ja) | 2000-11-14 | 2006-11-29 | Jsr株式会社 | 反射防止膜形成組成物 |
DE60105523T2 (de) | 2000-11-14 | 2005-09-29 | Jsr Corp. | Antireflektionsbeschichtungszusammensetzung |
JP3504247B2 (ja) | 2000-12-15 | 2004-03-08 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
US6576562B2 (en) | 2000-12-15 | 2003-06-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Manufacturing method of semiconductor device using mask pattern having high etching resistance |
JP3774668B2 (ja) | 2001-02-07 | 2006-05-17 | 東京エレクトロン株式会社 | シリコン窒化膜形成装置の洗浄前処理方法 |
US6844273B2 (en) | 2001-02-07 | 2005-01-18 | Tokyo Electron Limited | Precleaning method of precleaning a silicon nitride film forming system |
JP3981825B2 (ja) | 2002-12-24 | 2007-09-26 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法及び下層膜形成材料 |
JP4382750B2 (ja) | 2003-01-24 | 2009-12-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理基板上にシリコン窒化膜を形成するcvd方法 |
JP4369203B2 (ja) | 2003-03-24 | 2009-11-18 | 信越化学工業株式会社 | 反射防止膜材料、反射防止膜を有する基板及びパターン形成方法 |
JP4069025B2 (ja) * | 2003-06-18 | 2008-03-26 | 信越化学工業株式会社 | レジスト下層膜材料ならびにパターン形成方法 |
JP4355943B2 (ja) | 2003-10-03 | 2009-11-04 | 信越化学工業株式会社 | フォトレジスト下層膜形成材料及びパターン形成方法 |
US7303855B2 (en) | 2003-10-03 | 2007-12-04 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photoresist undercoat-forming material and patterning process |
JP4388429B2 (ja) | 2004-02-04 | 2009-12-24 | 信越化学工業株式会社 | レジスト下層膜材料ならびにパターン形成方法 |
KR20060056712A (ko) * | 2004-11-22 | 2006-05-25 | 삼성전자주식회사 | 포토리소그래피에 사용되는 바텀 레지스트용 폴리머 및 그제조 방법 |
TWI382080B (zh) * | 2005-02-15 | 2013-01-11 | Tosoh Corp | 具有懸掛結構之π-共軛化合物、其製造方法及使用方法 |
JP4496432B2 (ja) | 2005-02-18 | 2010-07-07 | 信越化学工業株式会社 | フォトレジスト下層膜形成材料及びパターン形成方法 |
TWI338816B (en) | 2005-03-11 | 2011-03-11 | Shinetsu Chemical Co | Photoresist undercoat-forming material and patterning process |
JP4662052B2 (ja) | 2005-03-11 | 2011-03-30 | 信越化学工業株式会社 | フォトレジスト下層膜形成材料及びパターン形成方法 |
JP4575214B2 (ja) | 2005-04-04 | 2010-11-04 | 信越化学工業株式会社 | レジスト下層膜材料およびパターン形成方法 |
JP5192641B2 (ja) | 2005-10-07 | 2013-05-08 | 大阪瓦斯株式会社 | フルオレン骨格を有する化合物およびその製造方法 |
TW200741353A (en) * | 2006-02-27 | 2007-11-01 | Mitsubishi Gas Chemical Co | Compound for forming antireflective film and antireflective film |
EP1845132B8 (en) | 2006-04-11 | 2009-04-01 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Silicon-containing film-forming composition, silicon-containing film, silicon-containing film-bearing substrate, and patterning method |
JP4716037B2 (ja) | 2006-04-11 | 2011-07-06 | 信越化学工業株式会社 | ケイ素含有膜形成用組成物、ケイ素含有膜、ケイ素含有膜形成基板及びこれを用いたパターン形成方法 |
US7745104B2 (en) | 2006-08-10 | 2010-06-29 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Bottom resist layer composition and patterning process using the same |
JP4823959B2 (ja) | 2006-08-10 | 2011-11-24 | 信越化学工業株式会社 | レジスト下層膜材料及びパターン形成方法 |
KR101116963B1 (ko) | 2006-10-04 | 2012-03-14 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 고분자 화합물, 레지스트 재료, 및 패턴 형성 방법 |
JP4858714B2 (ja) | 2006-10-04 | 2012-01-18 | 信越化学工業株式会社 | 高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法 |
JP2008158002A (ja) | 2006-12-20 | 2008-07-10 | Jsr Corp | レジスト下層膜用組成物及びその製造方法 |
KR100908601B1 (ko) * | 2007-06-05 | 2009-07-21 | 제일모직주식회사 | 반사방지 하드마스크 조성물 및 이를 이용한 기판상 재료의패턴화 방법 |
JP4793592B2 (ja) | 2007-11-22 | 2011-10-12 | 信越化学工業株式会社 | 金属酸化物含有膜形成用組成物、金属酸化物含有膜、金属酸化物含有膜形成基板及びこれを用いたパターン形成方法 |
JP5336306B2 (ja) | 2008-10-20 | 2013-11-06 | 信越化学工業株式会社 | レジスト下層膜形成方法、これを用いたパターン形成方法、及びレジスト下層膜材料 |
JP5085569B2 (ja) * | 2009-01-06 | 2012-11-28 | 信越化学工業株式会社 | レジスト下層膜形成方法およびこれを用いたパターン形成方法 |
JP5385006B2 (ja) * | 2009-05-25 | 2014-01-08 | 信越化学工業株式会社 | レジスト下層膜材料及びこれを用いたパターン形成方法 |
JP5782276B2 (ja) * | 2010-03-25 | 2015-09-24 | 大阪ガスケミカル株式会社 | フルオレン多核体化合物およびその製造方法 |
JP5556773B2 (ja) * | 2010-09-10 | 2014-07-23 | 信越化学工業株式会社 | ナフタレン誘導体及びその製造方法、レジスト下層膜材料、レジスト下層膜形成方法及びパターン形成方法 |
JP5925721B2 (ja) * | 2012-05-08 | 2016-05-25 | 信越化学工業株式会社 | 有機膜材料、これを用いた有機膜形成方法及びパターン形成方法 |
-
2012
- 2012-03-15 JP JP2012058407A patent/JP5598489B2/ja active Active
- 2012-03-20 US US13/424,455 patent/US8835697B2/en active Active
- 2012-03-26 TW TW101110388A patent/TWI455917B/zh active
- 2012-03-27 KR KR1020120030916A patent/KR101681796B1/ko active IP Right Grant
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014024831A (ja) * | 2012-06-18 | 2014-02-06 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 有機膜形成用化合物、これを用いた有機膜材料、有機膜形成方法、パターン形成方法 |
US9261788B2 (en) | 2012-06-18 | 2016-02-16 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Compound for forming organic film, and organic film composition using the same, process for forming organic film, and patterning process |
US9977330B2 (en) | 2012-06-18 | 2018-05-22 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Compound for forming organic film, and organic film composition using the same, process for forming organic film, and patterning process |
US10007183B2 (en) | 2012-06-18 | 2018-06-26 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Compound for forming organic film, and organic film composition using the same, process for forming organic film, and patterning process |
KR20190013730A (ko) * | 2016-05-20 | 2019-02-11 | 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 | 레지스트 하층막 형성 조성물 |
KR102391745B1 (ko) | 2016-05-20 | 2022-04-28 | 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 | 레지스트 하층막 형성 조성물 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101681796B1 (ko) | 2016-12-01 |
JP2012214720A (ja) | 2012-11-08 |
KR20120110048A (ko) | 2012-10-09 |
US8835697B2 (en) | 2014-09-16 |
US20120252218A1 (en) | 2012-10-04 |
TWI455917B (zh) | 2014-10-11 |
TW201302691A (zh) | 2013-01-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5598489B2 (ja) | ビフェニル誘導体、レジスト下層膜材料、レジスト下層膜形成方法及びパターン形成方法 | |
JP5229278B2 (ja) | ナフタレン誘導体、レジスト下層膜材料、レジスト下層膜形成方法及びパターン形成方法 | |
JP5556773B2 (ja) | ナフタレン誘導体及びその製造方法、レジスト下層膜材料、レジスト下層膜形成方法及びパターン形成方法 | |
JP5653880B2 (ja) | レジスト下層膜形成材料及びパターン形成方法 | |
JP5118073B2 (ja) | レジスト下層膜形成方法及びこれを用いたパターン形成方法 | |
KR101425234B1 (ko) | 레지스트 하층막 형성 방법, 이것을 이용한 패턴 형성 방법, 및 레지스트 하층막 재료 | |
JP5385006B2 (ja) | レジスト下層膜材料及びこれを用いたパターン形成方法 | |
KR101687848B1 (ko) | 레지스트 하층막 재료 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 | |
JP5859420B2 (ja) | レジスト下層膜材料、レジスト下層膜材料の製造方法、及び前記レジスト下層膜材料を用いたパターン形成方法 | |
JP5085569B2 (ja) | レジスト下層膜形成方法およびこれを用いたパターン形成方法 | |
JP5266294B2 (ja) | レジスト下層膜材料及びこれを用いたパターン形成方法 | |
JP5266299B2 (ja) | レジスト下層膜材料及びこれを用いたパターン形成方法 | |
JP2017021337A (ja) | レジスト下層膜材料、パターン形成方法、及び化合物 | |
JP6378146B2 (ja) | 多層膜形成方法及びパターン形成方法 | |
JP6196190B2 (ja) | 多層膜形成方法及びパターン形成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140225 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140526 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140603 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140623 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140715 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140728 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5598489 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |