KR960038480A - 화학적으로 증폭된 포지티브형 레지스터 조성물 - Google Patents

화학적으로 증폭된 포지티브형 레지스터 조성물 Download PDF

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Abstract

트리메틸실릴기로 보호된 말단실라놀기, 광산발생제 및 선택적으로 용해저해제를 갖는 특정 폴리실록산으로 이루어진 화학적 증폭된 포지티브 레지스트 조성물을 제공한다.

Description

화학적으로 증폭된 포지티브형 레지스터 조성물
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (10)

  1. 트리메틸실릴기로 보호된 말단 실라놀기를 갖는 일반 조성식(1)의 폴리실록산(A) :
    R1(OSiMe3)aSiO(3-a)/2······(1)
    (상기식에서 R1은및로 구성된 군으로부터 선택된 1가의 유기기이며, 단, R1중의 적어도 하나는Me는 메틸기이고, Q1은 산불안정기이고, a는 0.001 내지 0.05 범위의 양수이고 n은 1, 2 도는 3이다)과 광 산발생제로 이루어지는 것을 특징으로 하는 화학적으로 증폭된 포지티브 레지스트 조성물
  2. 제1항에 있어서, 상기 폴리실록산(A)은 5,000 내지 50,000의 중량평균분자량을 갖는 것을 특징으로 하는 조성물
  3. 제1항에 있어서, 상기 폴리실록산(A)은 일반식(3)
    (상기식에서, Me, a 및 n은 상기 정의된 바와 같다)의 반복단위로 구성된 폴리실록산을 헥사메틸디실라잔이나 트레메틸실릴클로라이드와 반응시켜 그것의 실라놀기의 수소원자를 트리메틸실릴화하고, 생성된 폴리실록산을 그것의 매톡시기의 메틸기를 트리메틸실릴기로 치환하기 위해 트리메틸실릴요오다이드와 반응시키고, 생성된 폴리실록산을 일반식(6)
    (상기식에서, Me, a 및 n은 상기 정의된 바와 같다)의 반복단위로 이루어진 페놀성 수산기를 갖는 폴리실록산으로 가수분해하고 식 (6)의 반복단위로 이루어진 폴리실록산의 일부 페놀성 수산기를 산불안정기로 치환하여 얻어지는 것을 특징으로 하는 조성물
  4. 제1항에 있어서, 광 산발생제가 일반식(11)의 오늄염인 것을 특징으로 하는 조성물
    (R)mJM ······(11)
    상기식에서 R은 치환 또는 미치환 방향족기들 로부터 독립적으로 선택되고, J는 술포늄 또는 요오도늄, M은 톨루엔술포네이트 또는 트리플루오로메탄술포네이트기이며, m은 2 또는 3이다.
  5. 제1항에 있어서, 추가로 용해저해제로 이루어지는 것을 특징으로 하는 조성물
  6. 트리메틸실릴기로 보호된 말단 실라놀기를 갖는 일반 조성식(2)의 폴리실록산(B) :
    R2(OSiMe3)aSiO(3-a)/2······(2)
    (상기식에서 R2는및로 구성된 군으로부터 선택된 1가의 유기기이고 단, R2중의 적어도 하나는이고 R2중의 적어도 하나는이며, Me는 메틸기, Q2는 트리메틸실릴기를 제외한 산불안정기이고, a는 0.001 내지 0.05의 범위내의 양수이고, n은 1, 2 또는 3이다)과 광 산발생제로 이루어지는 것을 특징으로 하는 화학적으로 증폭된 포지티브 레지스트 조성물
  7. 제6항에 있어서, 상기 폴리실록산 (B)는 5,000 내지 50,000의 중량평균분자량을 갖는 것을 특징으로 하는 조성물
  8. 제6항에 있어서, 상기 폴리실록산(B)은 일반식(7)
    (상기식에서 Me, a 및 n은 정의된 바와 같다)의 반복단위로 이루어진 폴리실록산을 트리메틸실릴요오다이드와 반응시켜 그것의 실라놀기를 트리메틸실릴화하고 그것의 메톡시기의 메틸기를 트리메틸실릴기로 치환하고, 생성된 폴리실록산을 가수분해하여 페놀성 수산기를 도입하고, 생성된 폴리실록산을 헥사메틸디실라잔 또는 트리메틸실릴클로라이드와 반응시켜 페놀성 수산기의 일부 수소원자를 트리메틸실릴화하고, 잔여실라놀기의 수소원자를 트리메틸실릴화하여 일반식(10a) 및 (10b)
    (상기식에서, Me, a 및 n은 상기에서 정의된 바와 같다)의 반복단위로 이루어진 폴리실록산을 얻으며, 식(10a) 및 (10b)의 반복단위로 이루어진 폴리실록산의 일부 잔여 페놀성 수산기를 산불안정기로 치환하여 얻어지는 것을 특징으로 하는 조성물
  9. 제6항에 있어서, 광 산발생제가 일반식(11)의 오늄염인 것을 특징으로 하는 조성물
    (R)mJM ······(11)
    상기식에서 R은 치환 또는 미치환 방향족기들로부터 독립적으로 선택되고, J는 술포늄 또는 요오도늄이고, M은 톨루엔술포네이트 또는 트리폴루오로메탄술포네이트기이고, m은 2 또는 3이다.
  10. 제6항에 있어서, 추가로 용해저해제로 이루어지는 것을 특징으로 하는 조성물
KR1019960010161A 1995-04-04 1996-04-04 화학적으로 증폭된 포지티브형 레지스트 조성물 KR100238567B1 (ko)

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