KR970027119A - 아세탈기를 함유하는 알콕시-스틸렌 중합체와 그의 제조방법 및 알콕시-스틸렌 중합체를 주요 구성성분으로 하는 화학증폭형 포토레지스트 재료 - Google Patents

아세탈기를 함유하는 알콕시-스틸렌 중합체와 그의 제조방법 및 알콕시-스틸렌 중합체를 주요 구성성분으로 하는 화학증폭형 포토레지스트 재료 Download PDF

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Abstract

본 발명은 아세탈기를 함유하는 다음 일반식(I)의 알콕시-스틸렌 중합체와 그의 제조방법 및 이를 주요성분으로 하는 고감도, 고해상성의 화학증폭형 네가티브 레지스트 재료를 제공하는데 있다.
여기에서, R1과 R3는 -H또는 -CH3이고, R2는
또는이고, R4, R5, R6, R7및 R8은 -H, 알킬기, 또는 아릴기이며 각각은 독립적이다. m+n=1 이고, k=1~5의 정수이며, 1=0~5의 정수이다.
본 발명에서 제조된 레지스트는 파장이 짧은 원자외선에 대해 뛰어난 투명성을 갖을 뿐만 아니라 고감도이며 해상도 및 드라이 엣칭에 대한 내성이 높고 알칼리 현상이 가능하다.

Description

아세탈기를 함유하는 알콕시-스틸렌 중합체와 그의 제조방법 및 알콕-스틸렌 중합체를 주요 구성성분으로 하는 화학증폭형 포토레지스트 재료
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (4)

  1. 다음 일반식(I)로 표시되고 중량 평균분자량이 500~10,000,000인 알콕시-스틸렌 중합체
    상기 일반식에서, R1과 R3는 -H 또는 -CH3이고, R2는
    이고, R4, R5, R6, R7및 R8은 각각 독립적이며 이들은 -H, 알킬기, 또는 아릴기를 나타내며 m+n=1이다. k=1~5의 정수이며, 1=0~5의 정수이다.
  2. 다음 일반식(II)로 표시되는 아세탈기를 함유하는 알콕시-스틸렌을 중합개시제를 사용하여 중합반응시켜 다음 일반식(I) 로 표시되는 알콕시-스틸렌 중합체를 제조하는 방법
    상기 일반식에서, R1과 R3는 -H 또는 -CH3이고, R2는
    이고, R4, R5, R6, R7및 R8은 각각 독립적이며 이들은 -H, 알킬기, 또는 아릴기를 나타내며 m+n=1이고 n=0이다. k=1~5의 정수이며, 1=0~5의 정수이다.
    여기에서, R1은 -H 또는 -CH3이며, R2는
    이며, R4, R5, R6, R7그리고 R8은 각각 독립적이며 이들은 -H, 알킬기, 또는 아릴기를 나타낸다. k=1~5의 정수이며, 1=0~5의 정수이다.
  3. 다음 일반식(III)으로 표시되는 폴리비닐페놀의 -OH기의 활성수소를 다음 일반식(IV), (V)또는 (VI)으로 표시되는 아세탈기를 함유하는 할로겐화물을 치환 반응시켜 다음 일반식 (I)로 표시되는 알콕시-스틸렌 중합체를 제조하는 방법.
    상기 일반식에서, R1과 R3는 -H 또는 -CH3이고, R2는
    이고, R4, R5, R6, R7및 R8은 각각 독립적이며 이들은 -H, 알킬기, 또는 아릴기를 나타내며 m+n=1이다. k=1~5의 정수이며, 1=0~5의 정수이다.
    여기에서, R은 -H 또는 -CH3이다.
    상기 일반식(IV), (V), (VI)에서 X는 Cl 또는 Br을 나타내고, R4, R5, R6, R7및 R8은 각각 독립적이며 이들은 -H, 알킬기, 또는 아릴기를 나타낸다. k=1~5의 정수이며, 1=0~5의 정수이다.
  4. 다음 일반식(I)로 표시되는 아세탈기를 함유하는 알콕시-스텔렌 중합체 1종 이상을 베이스수지로 하고 산발생제를 함유하는 화학증폭형 레지스트 재료.
    여기에서, R1과 R3는 -H 또는 -CH3이고, R2는
    또는이고, R4, R5, R6, R7및 R8은 각각 독립적이며 이들은 -H, 알킬기, 또는 아릴기를 나타내며, m+n=1이다.. k=1~5의 정수이고, 1=0~5의 정수이다. 중량평균 분자량은 500~10,000,000이다.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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