KR930021588A - 폴리스티렌 기제 광내식막 물질 - Google Patents

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Abstract

하기 일반식 (I)의 화합물은 다른 불포화 공단량체 부재 또는 존재하에서 중합되어 분자량Mw이 103내지 106이고 고해상도 및 매우 우수한 콘드라스트를 갖는 포지티브 광내식막을 제조하기에 적합한 중합체로 될 수 있다.
상기식에서, R1은 수소, 메틸 ,또는 할로겐이고, n은 2 또는 3이며, 또 R은 C1-C6알킬, 벤질, 2-테트라히드로푸란일, 2-테트라히드로피란일, C1-C6알콕시카르보닐, 페녹시카르보닐 또는 벤질옥시카르보닐이거나, 또는 2개 치환기 OR이 서로에 대해 오르토 위치에 있다면, 2개의 치환기 R은 합쳐져서 4개 이하의 C1-C6알킬기에의해 치환될 수 있는 에틸렌기를 형성하거나, 또는 C1-C6알킬리덴기를 형성할 수 있다.

Description

폴리스티렌 기제 광내식막 물질
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (11)

  1. 하기 일반식(I)의 화합물:
    상기식에서, R1은 수소, 메틸 또는 할로겐이고, n은 2 또는 3이며, 또 R은 C1-C6알킬, 벤질, 2-테트라히드로푸란일, 2-테드라히드로피란일, C1-C6알록시카르보닐, 페녹시카르보닐 또는 벤질옥시카르보닐이거나, 또는 2개 치환기 OR이 서로에 대해 오르토 위치에 있다면, 2개의 치환기 R은 합쳐져서 4개 이하의 C1-C6알킬기에의해 치환될 수 있는 에틸렌기를 형성하거나, 또는 C1-C6알킬리덴기를 형성한다.
  2. 제1항에 있어서, 제1 수소이고, n이 2이며 또 양쪽 치환기 OR은 비닐기에 대하여 3,4- 또는 3,5-위치에 존재하는 일반식(I)의 화합물.
  3. 제2항에 있어서, R이 삼차부톡시카르보닐, 2-테트라히드로푸란일 또는 2-테트라히드로피란일인 일반식(I) 의 화합물.
  4. 분자량 Mw이 103내지 106(겔 투과 크로마토그래피에 의해 측정) 이고 또 중합체에 존재하는 전체 구조적 단위체 양을 기준하여 100 내지 5몰%의 하기 일반식 (Ⅷ)의 구조적 반복 단위체 및 95 내지 0몰%의 하기 일반식(Ⅷ)의 구조적 반복 단위체를 함유하는 중합체.
    상기식에서, R1, R 및 n은 제1항에서 정의한 바와 같고, R2및 R3은 서로 독립해서 수소, 비치환되거나 또는 할로겐, 시아노 또는 니트로에 의해 치환된 C1-C4알킬이거나, 또는 비치확되거나 또는 힐로겐, C1-C4, 알콕시,히드록시, 시아노 또는 니트로에 의해 치환된 페닐 또는 나프틸이며, 또 R4및 R5는 서로 독립해서 수소 또는 할로겐 원자, 비치환되거나 또는 할로겐 원자, 시아노 또는 니드로에 의해 치환된 C1-C12알킬이거나, 또는 비치환되거나 또는 할로겐, 시아노 또는 시아노에 의해 치환된 페닐, 나프틸 또는 벤질, C1-C4알킬 또는 C1-C4알콕시이거나, -OR6, ―COOR7및 -COR5로 구성된 군으로 부터 선정된 라디칼, 또는 서로 합쳐져서 하기 일반식(IX) 내지 (XI)의 이가 라디칼을 의미하고,
    과 합쳐진 -OR6, ―COOR7및 -COR2로구성된 군으로 부터 선정된 라디칼이고. 이때 R5및 R7은 서로 독립해서 수소, 비치환되거나 또는 할로겐, 시아노 또는 니트로에 의해 치환된 C1-C12알킬이거나, 또는 비치환되거나 또는 할로겐, 시아노, 니트로, C1-C4알킬 또는 C1-C4알콕시에 의해 치환된 페닐 또는 나프틸이며, 또 R3은 R6과 동일한 의미를 갖거나 또는이고, 이때 R9및 R10은 서로 독립해서 R8과 동일한 의미를 갖는다.
  5. 제4항에 있어서, 100 내지 20몰%의 구조적 반복 단위체 (Ⅷ) 및 80 내지 0몰%의 구조적 반복 단위체 (Ⅷ)을 함유하는 중합체.
  6. 제4향에 있어서, R1수소이고, n이 2이며 또 양쪽 치환기 OR이 비닐 기에 대하여 3,4― 또는 3.5-위치에 존재하는 일반식(Ⅷ)의 구조적 반복 단위체를 함유하는 중합체.
  7. 제4항에 있어서, 일반식(Ⅷ)증의 R이 삼차부톡시카르보닐. 2-테트라히드로푸란일 또는2―테트라히드로피란일인 중합체.
  8. 제1항에 따른 일반식(I)의 화합물 또는 일반식 (I)의 화합물과95몰% 이하량의 하기 일반식(XII)의 화합물의 혼합물을 라디칼 중합반응시키는 것을 포함하는 제4항에 따른 중합체의 제조방법.
  9. (a)제4항에 정의된 중합체, 및 (b)화학선에 노출되면 산을 생성하는 물질을 포함하는 방사선 민감성 조성물.
  10. 제9항에 있어서, 성분(b)가 트리페닐술포늄 핵사플루오로아르세네이트, 트리페닐술포늄 핵사플루오로안 티모네이트 또는 트리페닐술포늄 트리플루오로술포네이트로 구성된 군으로 부터 선정되는 조성물.
  11. 집적 회로를 제조하기 위한 광내식막으로서 제9항에 청구된 조성물의 용도.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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