KR970703551A - 건식 현상가능한 포지티브 레지스트(dry-developable positive resist) - Google Patents

건식 현상가능한 포지티브 레지스트(dry-developable positive resist) Download PDF

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지크프리트 비르클레
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Abstract

건식현상가능한 포지티브 TSI-레지스트는 하기 성분을 함유한다 : -적합한 용매, -광활성 성분으로서 강산 생성제, -기본 성분으로서 말레산 무수물 및 부가의 기본 성분으로서 글리시딜메타크릴레이트 및/또는 스티렌 유도체를 가진 공중합체 또는 터폴리머 형태의 기본 중합체 : 및 -경우에 따라 첨가제.

Description

건식 현상가능한 포지티브 레지스트(DRY-DEVELOPABLE POSITIVE RESIST)
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (10)

  1. 하기 성분을 함유하는 것을 특징으로 하는 건식 현상가능한 포지티브 TSI-레지스트 : -적합한 용매, -광활성 성분으로서 강산 생성제, -기본 성분으로서 말레산 무수물 및 부가의 기본 성분으로서 글리시딜메타크릴레이트 및/또는 하기 구조식(1)의 스티렌 유도체를 가진 공중합체 또는 터폴리머 형태의 기본 중합체:
    상기 식에서, R1=H 또는 CH3, R2=H 또는 R3, R3=(CH2)m-OX, 여기서, X는 (CH2)a-CH3, (CH2)b-OCH3, CO-(CH2)c-CH3또는 CO-(CH2)d-O-(CH2)e-CH3이고, m, a, b, c, d 및 e는 -서로 독립적으로 -0 내지 5의 정수임, -경우에 따라, m=0일 때는 필수적으로, 하기 구조식(2)의 첨가제:
    상기 식에서, R4=CO-(CH2)n-CH3또는 CO-C6H5, 여기서, n은 0 내지 5의 정수 임.
  2. 제1항에 있어서, 기본 중합체가 말레산 무수물 및 글리시딜메타크릴레이트로 이루어진 공중합체인 것을 특징으로 하는 레지스트.
  3. 제1항에 있어서, 기본 중합체가 말레산 무수물 및 4-(아세톡시에틸)-스티렌으로 이루어진 공중합체인 것을 특징으로 하는 레지스트.
  4. 제1항에 있어서, 기본 중합체가 말레산 무수물, 4-(아세톡시메틸)-스티렌 및 말레산으로 이루어진 터폴리머인 것을 특징으로 하는 레지스트.
  5. 제1항에 있어서, 기본 중합체가 말레산 무수물 및 p-메톡시스티렌으로 이루어진 공중합체인 것을 특징으로 하는 레지스트.
  6. 제5항에 있어서, 레지스트가 첨가제로서 p-비스(아세톡시메틸)-벤졸을 함유하는 것을 특징으로 하는 레지스트.
  7. 제1항 내지 6항 중 어느 한 항에 있어서, 광활성 성분이 오늄염인 것을 특징으로 하는 레지스트.
  8. 제7항에 있어서, 광활성 성분이 디페닐요도늄-트리플루오르메탄술포네이트 및/또는 트리페닐술포늄-트리플루오로메탄술포네이트인 것을 특징으로 하는 레지스트.
  9. 제1항 내지 8항 중 어느 한 항에 있어서, 용매가 메톡시프로필아세테이트 또는 디에틸렌글리콜디메틸에테르인 것을 특징으로 하는 레지스트.
  10. 단출 레지스트 기술에 대한 제1항 내지 9항 중 어느 한 항에 따른 레지스트의 용도.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960706662A 1994-05-25 1995-05-11 건식현상가능한포지티브레지스트 KR100382253B1 (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100683480B1 (ko) * 2001-12-13 2007-02-16 샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드 불소 함유 중합성 단량체 및 중합체, 이를 이용한반사방지막 물질 및 레지스트 조성물

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU3964199A (en) * 1998-04-07 1999-10-25 Euv Limited Liability Corporation Thin layer imaging process for microlithography using radiation at strongly attenuated wavelengths
KR20010031071A (ko) 1998-08-11 2001-04-16 레빈 제임스 피. 공중합체 레지스트용 단일 성분 현상제
US6426177B2 (en) 1998-08-11 2002-07-30 International Business Machines Corporation Single component developer for use with ghost exposure
US6436605B1 (en) 1999-07-12 2002-08-20 International Business Machines Corporation Plasma resistant composition and use thereof
US6348407B1 (en) * 2001-03-15 2002-02-19 Chartered Semiconductor Manufacturing Inc. Method to improve adhesion of organic dielectrics in dual damascene interconnects
TWI335218B (en) * 2003-02-19 2011-01-01 Panion & Bf Biotech Inc Ferric organic compounds, uses thereof and methods of making same
CN103035512B (zh) * 2012-11-02 2015-08-19 上海华虹宏力半导体制造有限公司 一种非感光性聚酰亚胺钝化层的制作方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4491628A (en) * 1982-08-23 1985-01-01 International Business Machines Corporation Positive- and negative-working resist compositions with acid generating photoinitiator and polymer with acid labile groups pendant from polymer backbone
CA1248402A (en) * 1983-09-16 1989-01-10 Larry E. Stillwagon Method of making articles using gas functionalized plasma developed layer
US4552833A (en) * 1984-05-14 1985-11-12 International Business Machines Corporation Radiation sensitive and oxygen plasma developable resist
US4551418A (en) * 1985-02-19 1985-11-05 International Business Machines Corporation Process for preparing negative relief images with cationic photopolymerization
US4613398A (en) * 1985-06-06 1986-09-23 International Business Machines Corporation Formation of etch-resistant resists through preferential permeation
US4657845A (en) * 1986-01-14 1987-04-14 International Business Machines Corporation Positive tone oxygen plasma developable photoresist
GB8611229D0 (en) * 1986-05-08 1986-06-18 Ucb Sa Forming positive pattern
NL8700421A (nl) * 1987-02-20 1988-09-16 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
EP0307752B1 (en) * 1987-09-16 1995-02-22 Hoechst Aktiengesellschaft Poly(3-mono- and 3,5-disubstituted-4-acetoxystyrenes and 4-hydroxy-styrenes)and their use
US4921778A (en) * 1988-07-29 1990-05-01 Shipley Company Inc. Photoresist pattern fabrication employing chemically amplified metalized material
US5023164A (en) * 1989-10-23 1991-06-11 International Business Machines Corporation Highly sensitive dry developable deep UV photoresist
DE59010864D1 (de) * 1990-04-12 1999-04-15 Siemens Ag Verfahren zur Erzeugung einer Resiststruktur
EP0453610B1 (de) * 1990-04-27 1996-06-26 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur Erzeugung einer Resiststruktur
EP0492256B1 (de) * 1990-12-20 1996-08-14 Siemens Aktiengesellschaft Photolithographische Strukturerzeugung
US5296332A (en) * 1991-11-22 1994-03-22 International Business Machines Corporation Crosslinkable aqueous developable photoresist compositions and method for use thereof
US5399604A (en) * 1992-07-24 1995-03-21 Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. Epoxy group-containing resin compositions
JPH06250390A (ja) * 1993-02-26 1994-09-09 Nippon Oil & Fats Co Ltd 光硬化性樹脂組成物

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100683480B1 (ko) * 2001-12-13 2007-02-16 샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드 불소 함유 중합성 단량체 및 중합체, 이를 이용한반사방지막 물질 및 레지스트 조성물

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