KR940004384A - 반사 방지막 및 레지스트 패턴의 형성 방법 - Google Patents

반사 방지막 및 레지스트 패턴의 형성 방법 Download PDF

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Abstract

(목적) 정재파 효과를 충분히 저감할 수 있음과 동시에 인터 믹싱을 발생시키는 경우 없이, 더구나, 물 및 현상액에 대한 용해성도 양호한 신규 반사 방지막, 및 해상도, 현상성, 패턴 형상 등이 우수한 레지스트 패턴의 형성 방법을 제공한다.
(구성) 반사 방지막은 불포화 카르복실산 단량체 및(또는) 불포화 술폰산 단량체와 플루오로알킬(메타)아크릴레이트의 공중합체(염)을 함유한다.
레지스트 패턴은 기판상에 레지스트막을 형성하고, 이 레지스트막 위에 상기 반사 방지막을 형성한 다음, 방사선을 조사하여 현상함으로써 형성된다.

Description

반사 방지막 및 레지스트 패턴의 형성 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 레지스트 패턴의 단면 형상의 설명도.

Claims (2)

  1. 하기 식(1)로 표시되는 적어도 1종의 반복 단위 및(또는) 하기 식(2)로 표시되는 적어도 1종의 반복 단위와 하기 식(3)으로 표시되는 적어도 1종의 반복 단위를 갖는 공중합체 또는 그 염을 함유함을 특징으로 하는 반사 방지막.
    [식(1) 및 (2)에 있어서, R1내지 R4는 서로 동일하거나 상이한 것으로 수소원자 또는 유기기를 나타내며, A는 카르복실기 또는 술포기를 나타낸다]
    [식(3)에 있어서, R5는 수소원자 또는 유기기를 나타내고, Rf는 플루오로알킬기를 나타내고, B는 알킬렌기 또는 플루오로알킬렌기를 나타낸다]
  2. 기판상에 레지스트를 도포하여 레지스트막을 형성하고, 이 레지스트막에 소정 패턴 형상으로 방사선을 조사하고, 이어서 현상함으로써 레지스트 패턴을 형성함에 있어서, 미리 상기 레지스트막 위에 제1항 기재의 반사 방지막을 형성한 다음, 방사선을 조사하는 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴의 형성 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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