KR930001350A - 양화 감광성내식막 조성물 및 그로써 지지체를 코우팅하므로써 반도체 장치를 생성하는 방법 - Google Patents

양화 감광성내식막 조성물 및 그로써 지지체를 코우팅하므로써 반도체 장치를 생성하는 방법 Download PDF

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KR930001350A
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체터지 서브행카
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아이리인 티이 브라운
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Abstract

내용 없음

Description

양화 감광성내식막 조성물 및 그로써 지지체를 코우팅하므로써 반도체 장치를 생성하는 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (28)

  1. 필수적으로 하기 a)-d)의 혼합물로 구성되는 양화 감광성 내식막 조성물: a) 잠재 광산 1 내지 25%; b)필름 형성 중합체 10 내지 40%; c) 하기 구조식을 갖는 유기 첨가물 1 내지 40%:
    이때 R1및 R2는 페닐, 치환된 페닐 또는 알킬(CNH2N+1) (여기서 N은 바람직하게 1,2 또는 3); R3및 R4알킬(CNH2N+1), 바람직하게 4 내지 10 탄소원자를 갖는 시클로알킬, -CN, -NO2, 할로겐원자, -CX3(여기서 X는 할로겐원자), -SO3-R5(여기서 R5는 H, -CX3, -PO3,이때, R6는 알킬(CNH2N+1), 페닐, 나프틸, 안트릴 또는 하나 이상의 R3, R4또는 R5기로 치환된 안트릴),
    (여기서 R7, R8및 R9은 임의의 R3, R4또는 R5기일 수 있다) d) 적합한 용매.
  2. 제1항에 있어서, 상기 잠재 광산은 요오도늄 염 또는 설포늄염인 감광성내식막 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 상기 잠재 광산은 페닐 요오도늄 염 또는 페닐 설포늄 염인 감광성내식막 조성물.
  4. 제1항에 있어서, 상기 필름 형성 중합체는 이미드 중합체 또는 히드록시스티렌 중합체닌 감광성내식막 조성물.
  5. 제1항에 있어서, 상기 필름 형성 중합체는 신 불안정 기에 의해 블로킹된 이미드기 약 5% 내지 약 98%를 갖는 폴리이미드인 감광성 내식막 조성물.
  6. 제5항에 있어서, 상기 필름 형성 중합체는 폴리(말레이미드-코-스리텐)인 감광성내식막 조성물.
  7. 제1항에 있어서, 상기 필름 형성 중합체는 산 불안정 기에 의해 블로킹된 히드록시스티렌 기 약 5% 내지 98%를 갖는 히드록시 스티렌 중합체인 감광성 내식막 조성물.
  8. 제7항에 있어서, 상기 필름 형성 중합체는 폴리(히드록시스티렌) 또는 폴리(히드록시스티렌-설퍼디옥사이드)인 감광성 내식막 조성물.
  9. 제7항에 있어서, 상기 산 불안정 기는 옥시카르보닐기인 감광성 내식막 조성물.
  10. 제9항에 있어서, 상기 산 불안정 기는 t-부톡시 카르보닐기인 감광성 내식막 조성물.
  11. 제1항에 있어서, 상기 유기 첨가물은 아세탈 또는 캐탈인 감광성내식막 조성물.
  12. 제1항에 있어서, 상기 유기 첨가물은 1,4-디-0-토실-2,3-0-이프로필리덴-L-트레이톨; 올리고아세탈; 디아세톤-D-클루코스; 또는 3-0-아세틸-6-0-벤조일-5-0-(메틸설포닐)-1,2-이소프로필리덴-알파-D-글루코푸라노스로 구성되는 군으로 부터 선택되며, 다른 바람직한 첨가물은 1,2,3,4-디-0-이소프로필리덴-6-0-(톨릴-설포닐)-알파-D-갈락토 피라노스; 1,2,5,6-디-0-이소프로필리덴-3-0-(파라-톨릴설포닐)-알파-D-알로푸라노스; 1,2-0-이소프로필리덴-6-0-(파라-톨릴설포닐)-베타-L-이도-푸라노스, 2,2'-디-메틸-1,3-디옥솔란-4-메탄올 및 하기 구조식을 갖는 N-O 아세탈:
    (이때, n은 1 내지 15이고 R10은 알킬(CNH2N+1)이다)을 포함하는 감광성내식막 조성물.
  13. 제1항에 있어서, 상기 용매는 프로필렌 클리콜 모노-알킬 에테르, 프로필렌 클리콜 알킬에테르 아세테이트, 부틸 아세테이트, 크실렌, 에틸렌 클리콜 모노에틸 에테르 아세테이트 및 디글림으로 구성된 군으로 부터 선택되는 감광성 내식막 조성물.
  14. 제1항에 있어서, 상기 용매는 디글림인 감광성 내식막 조성물.
  15. 필수적으로 하기 a)-d)의 혼합물로 구성되는, 포지티브 작용 감광성내식막 조성물로 적당한 지지체를 코우팅시켜 지지체 상에 감광성내시막 상을 생생하므로써 반도체 장치를 생성하는 방법: a) 잠재 광산 1 내지 25%; b) 필름 형성 중합체 10 내지 40%; c) 하기 구조식을 갖는 유기 첨가물 1 내지 40%;
    이때 R1및 R2는 페닐, 치환된 페닐 또는 알킬(CNH2N+1)(여기서 N은 바람직하게 1,2 또는 3); R3및 R4알킬(CNH2N+1), 바람직하게 4 내지 10 탄소원자를 갖는 시클로알킬, -CN, -NO2, 할로겐원자, -CX3(여기서 X는 할로겐원자), -SO3-R5(여기서 R5는 H, -CX3,-PO3,이때, R6는 알킬(CNH2N+1), 페닐. 나프틸, 안트릴 또는 하나 이상의 R3, R4또는 R5기로 치환된 안트릴),
    (여기서 R7, R8및 R9은 임의의 R3, R4또는 R5기일 수 있다) d) 적합한 용매.
  16. 제15항에 있어서, 상기 잠재광산은 요오도늄 임 또는 설포늄 임인 방법.
  17. 제15항에 있어서, 상기 잠재 광산은 페닐 요오도늄 염 또는 페닐 설포늄 염인 방법.
  18. 제15항에 있어서, 상기 필름 형성 중합체는 이미드 중합체 또는 히드록시스티렌 중합체인 방법.
  19. 제15항에 있어서, 상기 필름 형성 중합체는 산 불안정기에 의해 블로킹된 이미드기 약 5% 내지 약 98%를 갖는 폴리이미드인 방법.
  20. 제19항에 있어서, 상기 필름 형성 중합체는 폴리(말레이미드-코-스티렌)인 방법.
  21. 제15항에 있어서, 상기 필름 형성 중합체는 산 불안정 기에 의해 블로킹된 히드록시스티렌기 약 5% 내지 98%를 갖는 히드록시스티렌 중합체인 방법.
  22. 제21항에 있어서, 상기 필름 형성 중합체는 폴리(히드록시스티렌) 또는 폴리(히드록시스티렌-설퍼디옥사이드)인 방법.
  23. 제21항에 있어서, 상기 산 불안정 기는 옥시카르보닐 기인 방법.
  24. 제23항에 있어서, 상기 산 불안정기는 t-부톡시 카르보닐 기인 방법.
  25. 제15항에 있어서, 상기 유기 첨가물은 아세탈 또는 케탈인 방법.
  26. 제15항에 있어서, 상기 유기 첨가물은 1.4-디-0-토실-2,3-0-이소프로필리델-L-트레이톨; 올리코아세탈; 디아세톤-D-글루코스; 또는 3-0-아세탈-6-0-벤조일-5-0-(메틸설포닐)-1,2-0-이소프로필리덴-알파-D-글루코푸라노스로 구성되는 군으로 부터 선택되며, 다른 바람직한 첨가물은 1,2,3,4-디-0-이소프로필리덴-6-0-(톨릴-설포닐)-알파-D-갈락토피라노스; 1,2,5,6-디-0-이소프로필리덴-3-0-(파라-톨릴설포닐)알파-D-알로푸라노스; 1,2-0-이소프로필리덴-6-0-(파라-톨틸설포닐)-베-L-이도-푸라노스, 2,2'-디-메틸-1,3-디옥솔란-4-메탄올 및 하기 구조식을 갖는 N-0 아세탈:
    (이때, n은 1 내지 15이고 R10은 알킬(CNH2N+1)이다)을 포함하는 방법.
  27. 제15항에 있어서, 상기 용매는 프로필렌글리콜 모노-알킬 에테르, 프로필렌 글리콜 에테르 아세테이트, 부틸 아세테이트, 크실렌, 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트 및 디글림으로 구성된 군으로 부터 선택되는 방법.
  28. 제15항에 있어서, 용매는 디글림인 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920010770A 1991-06-21 1992-06-20 양화 감광성내식막 조성물 및 그로써 지지체를 코우팅하므로써 반도체 장치를 생성하는 방법 KR930001350A (ko)

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