KR920010355A - 광감제 축합물의 제조방법 - Google Patents

광감제 축합물의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR920010355A
KR920010355A KR1019910021831A KR910021831A KR920010355A KR 920010355 A KR920010355 A KR 920010355A KR 1019910021831 A KR1019910021831 A KR 1019910021831A KR 910021831 A KR910021831 A KR 910021831A KR 920010355 A KR920010355 A KR 920010355A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
diazo
sulfonyl chloride
phenolic compound
gamma
solvent
Prior art date
Application number
KR1019910021831A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100211614B1 (ko
Inventor
엔 카안나 디네쉬
이이 포트빈 로버트
Original Assignee
아이리인 티이 브라운
획스트 세라니이즈 코오포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 아이리인 티이 브라운, 획스트 세라니이즈 코오포레이션 filed Critical 아이리인 티이 브라운
Publication of KR920010355A publication Critical patent/KR920010355A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100211614B1 publication Critical patent/KR100211614B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/22—Exposing sequentially with the same light pattern different positions of the same surface
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C303/00—Preparation of esters or amides of sulfuric acids; Preparation of sulfonic acids or of their esters, halides, anhydrides or amides
    • C07C303/26—Preparation of esters or amides of sulfuric acids; Preparation of sulfonic acids or of their esters, halides, anhydrides or amides of esters of sulfonic acids
    • C07C303/28—Preparation of esters or amides of sulfuric acids; Preparation of sulfonic acids or of their esters, halides, anhydrides or amides of esters of sulfonic acids by reaction of hydroxy compounds with sulfonic acids or derivatives thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/022—Quinonediazides
    • G03F7/0226—Quinonediazides characterised by the non-macromolecular additives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C2602/00—Systems containing two condensed rings
    • C07C2602/02—Systems containing two condensed rings the rings having only two atoms in common
    • C07C2602/04—One of the condensed rings being a six-membered aromatic ring
    • C07C2602/10—One of the condensed rings being a six-membered aromatic ring the other ring being six-membered, e.g. tetraline

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

광감제 축합물의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (9)

  1. 일반식(A) :
    (식에서 R은
    Ra는H, -OH 할로겐 또는 저급알킬이고, 적어도 2내지 6개이하의 Ra라디칼은 -OH이고, X는 C-C 단일결합, 또는이고, n은 1또는 2임)로 표시되는 페놀화합물을 디아조 설포닐 클로라이드와 산스캐빈저 존재하에서 락톤 용매에서 축합하고, 이때 디아조 성분의 약 50내지 100몰%가 2,1,4-디아조이고 상기 디아조성분의 0내지 약 50몰%가 2,1,5-디아조이며, 상기 페놀 화합물은, 평균적으로, 상기 디아졸 설포닐 클로라이드로 에스테르화되는 히드록시기 약 60몰%내지 약 100몰%를 가지며, 후속으로 상기 광감제 축합물을 분리함으로 구성되는 감광제 축합물의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 용매 매질은 감마-부티로락톤, 감마-발레로락톤 및 델타-발레로락톤으로 구성되는 군으로부터 선택되는 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 용매는 감마-부티로락톤을 포함하는 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 락톤용매는 광감제의 제조를 위해 용매로서 보통사용되는 다른 용매와 혼합되는 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 설포닐 클로라이드는 2,1,4-디아조설포닐 클로라이드 및 2,1,5-디아조 설포닐 클로라이드를 포함하는 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 설포닐 클로라이드는 2,1,4-디아조설포닐 클로라이드를 포함하는 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 페놀 화합물은 벤조페논을 포함하는 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 벤조페논은 2,3,4,4'-테트라히드록시 벤조페논을 포함하는 방법.
  9. 일반식 (A) :
    (식에서 R은
    Ra는 H, -OH, 할로겐 또는 저급알킬이고, 적어도 2내지 6개이하의 Ra라디칼은 -OH이고, X는 C-C 단일결합 또는이고, n은 1 또는 2임)로 표시되는 페놀화합물을 디아조 설포닐 클로라이드와 산스캐빈저 존재하, 감마-부리로락톤 용매에서 축합시키며, 이때 디아조성분의 약 50내지 100몰%가 2,1,4-디아조이고 상기 디아조성분의 0내지 약 50몰%가 2,1,5-디아조이며, 상기 페놀 화합물은, 평균적으로, 상기 디아졸 설포닐 클로라이드로 에스테르화되는 히드록시기 약 60몰%내지 약 100몰%를 가지며, 후속으로 상기 광감제 축합물을 분리함으로 구성되는 감광제 축합물의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
KR1019910021831A 1990-11-28 1991-11-27 락톤 용매를 사용한 나프토퀴논 디아지드 에스테르의 제조 방법 KR100211614B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US07/619,154 1990-11-28
US07/619,154 US5300396A (en) 1990-11-28 1990-11-28 Process of making naphthoquinone diazide esters using lactone solvents
US7/619,154 1990-11-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR920010355A true KR920010355A (ko) 1992-06-26
KR100211614B1 KR100211614B1 (ko) 1999-08-02

Family

ID=24480683

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019910021831A KR100211614B1 (ko) 1990-11-28 1991-11-27 락톤 용매를 사용한 나프토퀴논 디아지드 에스테르의 제조 방법

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5300396A (ko)
EP (1) EP0488686B1 (ko)
JP (1) JPH0539254A (ko)
KR (1) KR100211614B1 (ko)
DE (1) DE69113407T2 (ko)
HK (1) HK20496A (ko)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3365874B2 (ja) * 1994-10-05 2003-01-14 富士写真フイルム株式会社 キノンジアジドの合成法およびこれを含むポジ型レジスト
US5541033A (en) * 1995-02-01 1996-07-30 Ocg Microelectronic Materials, Inc. Selected o-quinonediazide sulfonic acid esters of phenolic compounds and their use in radiation-sensitive compositions
US5936071A (en) * 1998-02-02 1999-08-10 Clariant Finance (Bvi) Limited Process for making a photoactive compound and photoresist therefrom
US20050196206A1 (en) * 2004-03-08 2005-09-08 Canon Kabushiki Kaisha Image forming apparatus
CN114436910B (zh) * 2020-11-02 2024-01-26 北京鼎材科技有限公司 重氮萘醌磺酸酯化合物、树脂组合物

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL247588A (ko) * 1959-01-21
US3852771A (en) * 1973-02-12 1974-12-03 Rca Corp Electron beam recording process
US4929536A (en) * 1985-08-12 1990-05-29 Hoechst Celanese Corporation Image reversal negative working O-napthoquinone diazide and cross-linking compound containing photoresist process with thermal curing
DE3837499A1 (de) * 1988-11-04 1990-05-23 Hoechst Ag Verfahren zur herstellung von substituierten 1,2-naphthochinon-(2)-diazid-4-sulfonsaeureestern und deren verwendung in einem strahlungsempfindlichen gemisch
JP2697039B2 (ja) * 1988-12-06 1998-01-14 住友化学工業株式会社 ポジ型レジスト組成物の製造方法
US4957846A (en) * 1988-12-27 1990-09-18 Olin Hunt Specialty Products Inc. Radiation sensitive compound and mixtures with trinuclear novolak oligomer with o-naphthoquinone diazide sulfonyl group

Also Published As

Publication number Publication date
KR100211614B1 (ko) 1999-08-02
DE69113407D1 (de) 1995-11-02
US5300396A (en) 1994-04-05
HK20496A (en) 1996-02-09
EP0488686A1 (en) 1992-06-03
EP0488686B1 (en) 1995-09-27
DE69113407T2 (de) 1996-03-21
JPH0539254A (ja) 1993-02-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR860001779A (ko) 퀴논 유도체의 제조방법
KR870008228A (ko) 토오너 조성물
KR880014418A (ko) 폴리실란 및 감광성 조성물
KR890004201A (ko) 포지티브 방사선-감수성 혼합물
KR970071142A (ko) 반사 방지 코팅용 조성물
KR890008603A (ko) 양화형 감광성 전착 피복 조성물
KR970002470A (ko) 포지티브형 포토레지스트 조성물
KR970022548A (ko) 감광성 조성물
KR920010355A (ko) 광감제 축합물의 제조방법
KR927003488A (ko) 술폰화제 및 술폰화법
KR960042214A (ko) 포지티브형 내식막 조성물
KR900002125A (ko) 내식막 조성물
KR910018493A (ko) 대전방지성 및 이온도전성 수지조성물
EP0300751A3 (en) Polyesters of 4,4'-dihydroxydicyclohexyl
KR920013028A (ko) 광증감제 조성물
KR910006779A (ko) 감방사선성 포지티브 레지스트 조성물
KR870001274A (ko) 표면 피복용 수지 조성물
KR930019618A (ko) (1,2-나프토퀴논 2-디아지드)설폰산 에스테르, 이를 사용하여 제조된 방사선-감수성 혼합물 및 방사선-감수성 기록 물질
KR940022195A (ko) 감광성수지
KR920000371A (ko) 분체의 고결 방지방법
KR880006177A (ko) 구아니디노 메틸벤조산 유도체
KR920000825A (ko) 수용성 공중합 폴리에스테르 수지 조성물
KR970012009A (ko) 감광성 조성물
KR910001016A (ko) 수성조성물
KR960022802A (ko) 생분해성 수지 조성물

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20040412

Year of fee payment: 6

LAPS Lapse due to unpaid annual fee