KR930019618A - (1,2-나프토퀴논 2-디아지드)설폰산 에스테르, 이를 사용하여 제조된 방사선-감수성 혼합물 및 방사선-감수성 기록 물질 - Google Patents

(1,2-나프토퀴논 2-디아지드)설폰산 에스테르, 이를 사용하여 제조된 방사선-감수성 혼합물 및 방사선-감수성 기록 물질 Download PDF

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Abstract

본 발명은 (1,2-나프토퀴논 2-다아지드)-4-설폰산 및/또는 (7-메톡시-1,2-나프트퀴논 2-다아지드)-4-설폰산으로 완전히 에스테르화된 2,3,4-트리하이드록시-3'-메틸-, -에틸-, -프로필- 및 -이소프로필벤조페논, 수성 알칼리 용액중에 용해되거나 적어도 팽창될 수 있는 수-불용성 중합성 결합제를 함유하는, 이로부터 제조된 방사선-감수성 혼합물 및 기판 및 본 발명에 따른 혼합물로 이루어진 방사선-감수성 층을 포함하는 방사선-감수성 기록물질에 관한 것이다.

Description

(1,2-나프토퀴논 2-다아지드)설폰산 에스테르, 이를 사용하여 제조된 방사선-감수성 혼합물 및 방사선-감수성 기록 물질
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (9)

  1. (1,2-나프토퀴논 2-다아지드)-4설폰산 및/또는 (7-메톡시-1, 2-나프토퀴논 2-다아지드)-4-설폰산으로 완전히 에스테르화된 2,3,4-트리하이드록시-3'-메틸-, -에틸-, -프로필- 또는 -이소프로필벤조페논.
  2. (1,2-나프토퀴논 2-다아지드)-4-설폰산 및/또는 (7-메톡시-1,2-나프토퀴논 2-다아지드)-4-설폰산으로 완전히 에스테르화된 2,3,4-트리하이드록시-3'-메틸벤조페논.
  3. 필수성분으로서, 유기 용매 및 알칼리 수용액중에 용해되거나 적어도 팽창되는 중합성, 수-불용성 결합제 및 제1항에서 청구된 화합물인 하나 이상의 방사선-감수성 화합물을 함유하는 방사선-감수성 혼합물.
  4. 제3항에 있어서, 제1항에서 청구된 방사선-감수성 화합물의 비가 혼합물중 고체의 총 중량을 기준으로 하여 5 내지 40중량%, 바람직하게는 10 내지 35중량%, 특히 바람직하게는 15 내지 30중량%인 방사선-감수성 혼합물.
  5. 제3항에 있어서, 다른 방사선-감수성 화합물을 함유하며 제1항에서 청구된 화합물의 비가 방사선-감수성 화합물의 총 중량을 기준으로 하여 5 내지 99중량%, 바람직하게는 20 내지 80중량%, 특히 바람직하게는 30 내지 70중량%인 방사선-감수성 혼합물.
  6. 제3항에 있어서, 중합성 결합제가 노볼락이고, 제1항에서 청구된 방사선-감수성 화합물의 비가 혼합물중의 고체 성분의 총중량을 기준으로 하여, 60 내지 95중량%, 바람직하게는 65 내지 90중량%, 특히 바람직하게는 70 내지 85중량%인 방사선-감수성 혼합물.
  7. 제3항 내지 제5항중 어느 한 항에 있어서, 결합제가 축쇄 하이드록시페닐 그룹을 가지는 중합성 화합물인 방사선-감수성 혼합물.
  8. 층 기판 및 제3항 내지 제7항 중 어느 한항에서 청구된 방사선-감수성 혼합물로 이루어진 방사선-감수성층을 포함하는 방사선-감수성 기록 물질.
  9. ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930004385A 1992-03-23 1993-03-22 (1,2-나프토퀴논 2-디아지드)-4-설폰산으로 에스테르화된 2,3,4-트리하이드록시벤조페논, 이를 함유하는 방사선-감수성 혼합물 및 방사선-감수성 기록재료 KR100272384B1 (ko)

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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3615699B2 (ja) * 2000-09-26 2005-02-02 Ｎｅｃトーキン栃木株式会社 密閉型電池およびその製造方法
NL1019155C2 (nl) 2001-10-11 2003-04-14 Compark Octrooi B V Transportinrichting en werkwijze voor het transporteren van een voertuig.
KR100995417B1 (ko) * 2008-08-14 2010-11-18 삼성에스디아이 주식회사 이차전지
WO2012043578A1 (ja) 2010-09-30 2012-04-05 株式会社Ｇｓユアサ 電池及び電池の製造方法
JP6213372B2 (ja) * 2014-05-19 2017-10-18 トヨタ自動車株式会社 二次電池および二次電池の製造方法
KR101637224B1 (ko) * 2014-11-03 2016-07-07 주식회사 비츠로셀 누액 및 크랙 방지구조를 갖는 전지의 헤더

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3100077A1 (de) * 1981-01-03 1982-08-05 Hoechst Ag, 6000 Frankfurt Lichtempfindliches gemisch, das einen naphthochinondiazidsulfonsaeureester enthaelt, und verfahren zur herstellung des naphthochinondiazidsulfonsaeureesters
US4929536A (en) * 1985-08-12 1990-05-29 Hoechst Celanese Corporation Image reversal negative working O-napthoquinone diazide and cross-linking compound containing photoresist process with thermal curing
US4931381A (en) * 1985-08-12 1990-06-05 Hoechst Celanese Corporation Image reversal negative working O-quinone diazide and cross-linking compound containing photoresist process with thermal curing treatment
US5217840A (en) * 1985-08-12 1993-06-08 Hoechst Celanese Corporation Image reversal negative working o-quinone diazide and cross-linking compound containing photoresist process with thermal curing treatment and element produced therefrom
US4863827A (en) * 1986-10-20 1989-09-05 American Hoechst Corporation Postive working multi-level photoresist
JP2558716B2 (ja) * 1987-07-10 1996-11-27 東洋合成工業株式会社 ポジ型ホトレジスト組成物
NO891062L (no) * 1988-03-31 1989-10-02 Thiokol Morton Inc Positiv fotofoelsom sammensetning.
JP2636348B2 (ja) * 1988-07-20 1997-07-30 住友化学工業株式会社 ポジ型レジスト用組成物
DE3837500A1 (de) * 1988-11-04 1990-05-23 Hoechst Ag Neue, strahlungsempfindliche verbindungen, hiermit hergestelltes strahlungsempfindliches gemisch und aufzeichnungsmaterial
KR0184870B1 (ko) * 1990-02-20 1999-04-01 아사구라 다기오 감방사선성 수지 조성물

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