JPH0641050A

JPH0641050A - （１，２− ナフトキノン−２− ジアジド）スルフォン酸エステル、それを用いて調製した放射線感応性混合物および放射線感応性記録材料

Info

Publication number: JPH0641050A
Application number: JP5087883A
Authority: JP
Inventors: Gerhard Buhr; ゲアハルト、ブール; Wolfgang Zahn; ウォルフガング、ツァーン; Fritz Erdmann; フリッツ、エルトマン; Siegfried Scheler; ジークフリート、シェラー
Original assignee: Hoechst AG
Current assignee: Hoechst AG
Priority date: 1992-03-23
Filing date: 1993-03-23
Publication date: 1994-02-15
Anticipated expiration: 2020-08-24
Also published as: EP0563663A1; KR930019618A; EP0563663B1; KR100272384B1; DE59301187D1; US5563018A; JP3686683B2; DE4209343A1

Abstract

(57)【要約】【目的】リソグラフ性能に不利な影響を与えずに、フ
ォトレジストに使用される溶媒に対する溶解度と、レジ
ストの保存寿命を著しく改良した、新規のナフトキノン
ジアジド、およびそれを使用した放射線感応性混合物な
らびに放射線感応性記録材料の提案。【構成】 (1,2- ナフトキノン-2- ジアジド)-4-スルフ
ォン酸および（または）(7- メトキシ-1,2- ナフトキノ
ン-2- ジアジド)-4-スルフォン酸で完全にエステル化さ
れた2,3,4-トリヒドロキシベンゾフェノンと、それを用
いた放射線感応性化合物ならびに放射線感応性記録材
料。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、置換トリヒドロキシベ
ンゾフェノンの新規な(1,2- ナフトキノン-2- ジアジ
ド) スルフォン酸エステル、およびそれを用いて調製し
た、水不溶性であるが、水性アルカリ溶液には可溶か、
すくなくとも膨潤可能である、ポリマー状バインダー
と、少なくとも一つの放射線感応性化合物と、を含んで
なる放射線感応性混合物に関する。本発明は、基質と放
射線感応性層からなる放射線感応性材料にも関する。

【０００２】

【従来の技術】電子部品製造の中で重要なステップは、
像様照射、ならびにそれに引き続く、パターンをつける
材料に塗布された放射線感応性層の現像、である。その
ような層は、ポジ型でもネガ型でもよい。

【０００３】ポジ型層において、光活性成分は、(1,2-
ナフトキノン-2- ジアジド) 単位を含むものが一般に使
われる。そのような成分のうちの多くは、芳香族ポリヒ
ドロキシ化合物と(1,2- ナフトキノン-2- ジアジド) ス
ルフォン酸の第一級エステルである。そのようなエステ
ルの大多数が、Jaromir Kosar 著"Light-SensitiveSyst
ems" John Wiley + Sons、米国ニューヨーク、1965年、
の 343 〜351 頁に開示されている。

【０００４】電子部品製造に当たって小型化が進行し
て、より一層小さなパターンの登場が求められている。
これには、より高い解像力をもつ放射線感応性フォトレ
ジストが必要となる。解像度は、放射線感応性層中のジ
アゾキノンの含有量を増加させることで改良されること
が知られている（H.Munzel, J.Lux, R.Schulz 著"A- an
d B-Paramete dependent Submicron Stepper Performan
ce of Positive Type Photoresist" マイクロエレクト
ロニック・エンジニアリング６巻(1987)、 421〜426
頁）。P.Trefonas III and B.K.Daniels（"New Princip
le for Image Enhancement in Single Layer Positive
Photoresist"プロシーディング・オブ・ＳＰＩＥ、771
(1987)、 194〜 210頁）は、複数のジアゾナフトキノン
単位を含んでなる化合物により、より硬い階調と、その
結果より優れた解像度とが達成できることを指摘してい
る。

【０００５】複数のジアゾナフトキノン単位を含んでな
り、たびたび特許明細書に開示されて、頻繁に使用され
る化合物は、(1,2- ナフトキノン-2- ジアジド)-4-また
は-5- スルフォン酸とポリヒドロキシベンゾフェノンと
のエステルである。ポリヒドロキシベンゾフェノンの中
では、2,3,4-トリヒドロキシベンゾフェノンが好まし
い。

【０００６】しかしながら、これらのエステルの欠点
は、一般に使用される溶媒に対する溶解度が比較的低い
ということであり、その結果、放射線感応性混合物中に
おけるそれらの濃度を所望の範囲まで増加させることが
できない。従って、さらなる解像力は、この方法では増
加させることができない。さらに、これらのエステルを
使用して調製したレジスト混合物は、適当な保存寿命を
持っていない。

【０００７】これらの欠点はすでに知られており、特開
平 01-017049号明細書に開示されている。レジストの保
存寿命は、(1,2- ナフトキノン-2- ジアジド)-5-スルフ
ォン酸と2,3,4-トリヒドロキシ-2'-メチルベンゾフェノ
ンのエステルを使用することで改良された。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】従って本発明の目的
は、フォトレジストに使用される溶媒に対して改良され
た溶解度を有し、化学的に均一な形態で容易に調製がで
きて、放射線感応性混合物のリソグラフ性能に不利な影
響を与えない、(1,2- ナフトキノン-2- ジアジド)スル
フォン酸と2,3,4-トリヒドロキシベンゾフェノンのエス
テル、を提案することである。さらに、新規のナフトキ
ノンジアジドの使用は、レジストの保存寿命を著しく改
良することをも意図するものである。意図されていると
ころによれば、この新規のナフトキノンジアジドは、レ
ジストの吸収性能に影響しないか、あるいは、ほんのわ
ずか影響するだけである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】この目的は、(1,2- ナフ
トキノン-2- ジアジド)-4-スルフォン酸および（また
は）(7- メトキシ-1,2- ナフトキノン-2- ジアジド)-4-
スルフォン酸で完全にエステル化された、2,3,4-トリヒ
ドロキシ-3'-メチル- 、- エチル- 、- プロピル- また
は- イソプロピル- ベンゾフェノンにより達成される。

【００１０】特開平01-017049 号明細書に、(1,2- ナフ
トキノン-2- ジアジド)-5- スルフォン酸により完全に
エステル化された3'- メチル-2,3,4- トリヒドロキシベ
ンゾフェノンが保存寿命が適当でないレジスト処方を与
えたと述べられているにもかかわらず、前記エステルに
より目的が達成されたことは驚くべきことである。

【００１１】本発明による化合物は、3'- メチル-2,3,4
- トリヒドロキシベンゾフェノンのエステルが好まし
い。

【００１２】本発明の化合物は、当業者に既知の方法で
調製することができる。通常は、3'- アルキル置換-2,
3,4- トリヒドロキシベンゾフェノンを(1,2- ナフトキ
ノン-2- ジアジド)-4-スルフォン酸または(7- メトキシ
-1,2- ナフトキノン-2- ジアジド) スルフォン酸の反応
性誘導体と、好ましくはスルフォニルクロライドととも
に、反応させる。ケトンまたは塩素化炭化水素のような
不活性な溶媒中で、炭酸ナトリウムや第３級アミン、例
えばトリエチルアミン、のような有機または無機の塩基
の存在下に、反応を行うことが好ましい。しかしなが
ら、本発明による(ナフトキノンジアジド) スルフォン
酸エステルは、相転移触媒条件、例えばメチレンクロラ
イドと炭酸ナトリウムまたはテトラアルキルアンモニウ
ム水酸化物の水性溶液からなる二相系において適当な触
媒、例えばテトラブチルアンモニウムブロマイド、を用
いた条件、の下でも調製することができる。

【００１３】さらに本発明は、水不溶性であるが水性ア
ルカリ溶液には可溶か、すくなくとも膨潤可能である、
ポリマー状バインダーと、少なくとも一つの放射線感応
性化合物と、を含んでなる放射線感応性混合物にも関す
る。ここで放射線感応性化合物は前記の種類のエステル
である。

【００１４】本発明による化合物の比率は、すべての場
合において本発明の混合物の総重量を基準にして 5〜40
重量% 、好ましくは10〜35重量% 、特に15〜30重量% 、
である。

【００１５】本発明による(1,2- ナフトキノン-2- ジア
ジド)-4-スルフォン酸エステルに加え、混合物にさらに
ほかの放射線感応性成分を含ませてもよい。この場合、
放射線感応性混合物中の本発明によるエステルの比率
は、広い範囲で変化させることができる。ある場合に
は、混合物中の本発明のエステルが少ない量であって
も、ほかの放射線感応性成分と一緒に、放射線感応性混
合物全体に予期せぬ高い溶解度と保存寿命を与えるのに
十分であることもある。一般に、本発明によるエステル
の比率は、すべての場合において全放射線感応性成分の
重量を基準にして、 5〜99重量% 、好ましくは20〜80重
量% 、特に30〜70重量% 、である。

【００１６】さらなる放射線感応性成分として適当なも
のは、特に、完全にまたは部分的に( ナフトキノンジア
ジド) スルフォン酸でエステル化された、トリ- または
テトラ- ヒドロキシベンゾフェノン、である。

【００１７】本発明による放射線感応性混合物は、本発
明による混合物に使用する溶媒に溶解し、加えて水性ア
ルカリに可溶または少なくとも膨潤可能な、ポリマー状
の水溶性樹脂バインダーをさらに含んでなる。

【００１８】多くのポジ型複写材料におけるバインダー
として有利であることがわかっているノボラック縮合樹
脂は、本発明による混合物中でも特に有用で有利である
ことがわかった。後者の調製のための出発成分として、
一般にフェノール、クレゾールおよびキシレン、ならび
にアルキルフェノールを使用することができる。アルデ
ヒドまたはケトンは第二の成分である。混合物中のノボ
ラック樹脂の種類と比率は適用する目的に応じて変えて
もよい。一般に、ノボラックの比率は、すべての場合に
おいて混合物の固体総重量を基準にして、60〜95重量%
の間、好ましくは65〜90重量% の間、特に好ましくは70
〜85重量% の間、である。

【００１９】側鎖にヒドロキシフェニル基を含むポリマ
ー成分は、同様にバインダーとして適当である。これら
は、特に、ビニルフェノール、ならびにアクリル酸およ
びメタクリル酸のポリヒドロキシまたはアミノヒドロキ
シ芳香族、例えばハイドロキノン、ピロカテコール、レ
ゾルシン、ピロガロールおよびヒドロキシアニリン、の
エステルおよびアミドからなるモノマー単位を含んでな
る。ホモポリマーに加え、コポリマーも適当である。コ
ポリマーはさらなるモノマー単位、例えばスチレン、メ
タクリル酸エステル、アクリル酸エステル、ビフェニロ
ールメタクリレートまたはビフェニロールアクリレー
ト、のモノマー単位、を含んでもよい。これらポリマー
のノボラックとの混合物を使用してもよい。混合物中の
バインダーの種類と比率は適用する目的に応じて変える
ことができるが、それに相当する比率はノボラックに対
しては特定される。

【００２０】さらに、その上ほかの成分、例えば色素、
可塑剤、湿潤剤、接着促進剤その他、を本発明により放
射線感応性混合物に添加して、特定の要件を満たしても
よい。

【００２１】基質物質を被覆するために、例えば本発明
による複写材料を製造するために、一般に混合物は溶媒
に溶解される。溶媒の選択は、設計された塗布工程、層
の厚さおよび乾燥条件、に適合すべきである。適当な溶
媒は、特に（イ）ケトン、例えばブタノンおよびN-メチ
ルピロリドン、（ロ）グリコールモノエーテル、例えば
エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレング
リコールモノメチルエーテルおよびモノエチルエーテ
ル、（ハ）グリコールエーテルアセテート、例えばエチ
レングリコールエチルエーテルアセテートおよびプロピ
レングリコールアルキルエーテルアセテート、および
（ニ）エステル、例えばブチルアセテート、である。溶
媒混合物も使用することができる。混合物は、さらに芳
香族、例えばキシレン、も含んでよい。原則的に、適当
な溶解力と層成分と不可逆な反応をしないすべての溶媒
（溶媒混合物）を使うことができる。

【００２２】本発明による混合物は放射線感応性成分と
して複写材料、特にマイクロチップ製造用のフォトレジ
スト、に使用できる。好ましい層支持体はシリコンウェ
ファーであり、それは表面が酸化されていてもよい。同
様に適当なのは、窒化シリコン、ポリシリコン、シリコ
ンオキサイド、ポリイミドまたは金属、例えばアルミニ
ウム、適当な物質でドーピングされたシリコン、の基
板、およびガリウム／ヒ素合金からなるウェファー、で
ある。

【００２３】さらに本発明による混合物は、プリント回
路基板の製造に使用することができる。最後に、放射線
感応性印刷版にも使用できる。この場合、適当な層支持
体は、特に、適当な前処理をされたアルミニウム板であ
る。

【００２４】従って、本発明のひとつの態様は、層支持
体と放射線感応性層からなり、当該層が本発明による前
記混合物からなる、記録材でもある。

【００２５】精密電子工業で使用される層支持体は、回
転法(spinning-on) により被覆されるのが有利である。
しかしながら、他の塗布技術、例えばスプレー法、ロー
ル法、浸漬法、ならびにフラットフィルムダイス、ドク
ターブレードまたはキャスト塗布法による塗布、も使用
してもよい。

【００２６】現像処理の間、照射により影響された放射
線感応性領域は除去されて、原版のポジ像があとに残
る。現像は水性アルカリ溶液中で行う。後者は、金属イ
オンが入っていなくてもよいし、ナトリウムおよび（ま
たは）カリウムのような金属イオンを含んでいてもよ
い。現像溶液を、例えばシリケート、ボーレートまたは
フォスフェートの溶液、あるいは適当な塩溶液混合物、
により緩衝液処理してもよい。少量の界面活性剤を含む
ことも有効である。

【００２７】放射線感応性混合物として適当な成分を選
べば、ネガ像を生成されることもできる。すなわち、例
えば、原版を通して照射した層を、もし必要であればア
ミンを気化させると共に、加熱して、次に全表面を照射
して、その後現像だけを行う。

【００２８】本発明の放射線感応性混合物は、集積回路
または個別部品の製造に好ましく使用される。そのよう
な場合、それらは種々の処理ステップ、例えば層基質の
エッチング、層基質中へのイオン挿入または層基質上へ
の物質の沈積、のマスキング材として作用する。

【００２９】リソグラフの重要な評価基準は、とりわけ
レジストの解像度、すなわち、レジストとともに生成さ
れ得る最小のパターンであり、現像耐性、すなわち、照
射エネルギーの変化に伴うパターンの寸法変化であり、
そして照射線感度、すなわち、リソグラフ処理による寸
法的に正確な原版パターン複写に必要な照射エネルギ
ー、である。レジストの複写処理のために、一方でリソ
グラフの特性値がレジストの貯蔵の間に変わらないこ
と、他方でレジスト層の均一性を損なう粒子（結晶また
はゲル粒子）が貯蔵の間に析出しないこと、が大切であ
る。そのような粒子は、レジスト層の欠陥を招き、そし
て、リソグラフ処理の収率低下につながる。さらに、そ
のような粒子はレジストを塗布機に送るポンプのフィル
ターに目詰まりをたびたび生じさせ、より多くのフィル
ター交換が必要になる。

【００３０】本発明によるエステルは、非置換2,3,4-ト
リヒドロキシベンゾフェノンの( ナフトキノンジアジ
ド)-4-スルフォン酸エステルを含む混合物と少なくとも
同等に良好のリソグラフ性能を有しながら、十分に改良
された保存寿命をもつ混合物を生じる。

【００３１】本発明による混合物の諸例を以下に述べる
が、本発明の発想をそれらの例に限定する訳ではない。

【実施例】

【００３２】例１ａ）2,3,4-トリヒドロキシ-3'-ベンゾフェノン 13.6g の3-メチル安息香酸を14.4mlの三フッ化ホウ素エ
ーテラートに加えたものに 12.6gのピロガロールを徐々
に添加する。反応混合物を80℃で 2.5時間加熱し、放冷
し、冷却中に50mlの水を添加して、次にメチレンクロラ
イドで抽出する。有機層を中和して、乾燥する。次に、
溶媒を除去する。水から再結晶できる 13.1gの2,3,4-ト
リヒドロキシ-3'-メチルベンゾフェノンが後に残る。こ
れは融点が 108.5〜 110℃の淡黄色結晶の形状で得られ
る。

【００３３】燃焼分析：理論値（％）実測値（％） C 68.85 68.7 H 4.95 4.9¹ H-NMR(DMSO-d₆中) ： 2.40ppm s, 3H, -CH₃ 6.49ppm d, 1H,トリヒドロキシフェニル基の芳香環水
素 6.99ppm d, 1H,トリヒドロキシフェニル基の芳香環水
素 7.43ppm m, 4H,トリル基の芳香環水素ＩＲ分析（圧縮KBr テ゛ィスク中）： 1632cm^-1 Ｃ＝Ｏ結合

【００３４】ｂ）(1,2- ナフトキノン-2- ジアジド)-4-
スルフォン酸により完全にエステル化された2,3,4-トリ
ヒドロキシ-3'-メチルベンゾフェノン 12.09gの(1,2- ナフトキノン-2- ジアジド)-4-スルフォ
ニルクロライドおよび3.66gの2,3,4-トリヒドロキシ-3'
-メチルベンゾフェノンを 100mlのアセトニトリルに加
えたものに、 4.55gのN-メチルモルフォリンをゆっくり
と滴下する。室温で 1.5時間後、反応混合物を 800mlの
0.1N塩酸に注ぎ、沈澱生成物(8.8g)を吸引瀘過により瀘
別する。融点が約 170℃（分解を伴う）の黄色固体を得
る（化合物１）。

【００３５】燃焼分析：一水和物として単離理論値（％）実測値（％） C 55.11 54.9 H 2.73 2.4 N 8.76 8.8 S 10.03 10.0 ＵＶ分析（エチレングリコールアセテート中）： λ_max 378nm ＩＲ分析（圧縮KBr テ゛ィスク中）： 1628cm^-1 Ｃ＝Ｏ結合 2145cm^-1 Ｃ＝Ｎ＝Ｎ結合

【００３６】例２（化合物２）１ｂに記載されているのと同様に、2,3,4-トリヒドロキ
シ-3'-メチルベンゾフェノンを３倍モル量の(7- メトキ
シ-1,2- ナフトキノン-2- ジアジド)-4-スルフォニルク
ロライドと反応させて、相当する完全にエステル化され
た生成物を形成させる。

【００３７】例３（化合物３）１ｂに記載されているのと同様に、2,3,4-トリヒドロキ
シ-3'-メチルベンゾフェノンを３倍モル量の、0.9 重量
部の(7- メトキシ-1,2- ナフトキノン-2- ジアジド)-4-
スルフォニルクロライドと 0.1重量部の(1,2- ナフト
キノン-2- ジアジド)-4-スルフォニルクロライドの混合
物（重量部はいずれもナフトキノンジアジドの総重量に
対して）、と反応させて、相当するエステルを形成させ
る。

【００３８】例４（化合物４）１ｂに記載されているのと同様に、 0.5重量部の2,3,4-
トリヒドロキシ-3'-メチルベンゾフェノンと 0.5重量部
の2,3,4-トリヒドロキシベンゾフェノン（重量部はいず
れもトリヒドロキシベンゾフェノンの総重量に対して）
を３倍モル量の、 0.9重量部の(7- メトキシ-1,2- ナフ
トキノン-2- ジアジド)-4-スルフォニルクロライドと
0.1重量部の(1,2- ナフトキノン-2- ジアジド)-4-スル
フォニルクロライドの混合物（重量部はいずれもナフト
キノンジアジドの総重量に対して）、と反応させて、相
当する完全にエステル化された生成物を形成させる。

【００３９】比較例１（化合物５）１ｂに記載されているのと同様に、2,3,4-トリヒドロキ
シベンゾフェノンを３倍モル量の(1,2- ナフトキノン-2
- ジアジド)-4-スルフォニルクロライドと反応させて、
相当するトリスエステルを形成させる。

【００４０】比較例２（化合物６）１ｂに記載されているのと同様に、2,3,4-トリヒドロキ
シベンゾフェノンを３倍モル量の(7- メトキシ-1,2- ナ
フトキノン-2- ジアジド)-4-スルフォニルクロライドと
反応させて、相当するトリスエステルを形成させる。

【００４１】比較例３（化合物７）１ｂに記載されているのと同様に、2,3,4-トリヒドロキ
シベンゾフェノンを３倍モル量の、 0.9重量部の(7- メ
トキシ-1,2- ナフトキノン-2- ジアジド)-4-スルフォニ
ルクロライドと 0.1重量部の(1,2- ナフトキノン-2- ジ
アジド)-4-スルフォニルクロライドの混合物（重量部は
いずれもナフトキノンジアジドの総重量に対して）、と
反応させて、相当するトリスエステルを形成させる。

【００４２】比較例４（化合物８）１ｂに記載されているのと同様に、2,3,4-トリヒドロキ
シ-3'-メチルベンゾフェノンを３倍モル量の(7- メトキ
シ-1,2- ナフトキノン-2- ジアジド)-5-スルフォニルク
ロライドと反応させて、相当するトリエステルを形成さ
せる。

【００４３】応用例１（溶解度）化合物１と化合物５の溶解度を比較するために、両方の
化合物を結晶の状態と、次にそれから調製した飽和プロ
ピレングリコールメチルエーテルアセテート溶液で、用
意した。溶液中の含有量をＵＶ分光吸収でλ_maxを測定
し, 既知濃度の溶液から得られたキャリブレーション直
線に比較することで、決定する。化合物１の溶解度は
1.7重量% 、そして化合物５の溶解度は 0.4重量% であ
り、これは溶解度の増加が４倍であることを意味する。

【００４４】応用例２（溶解度）化合物２、３、４、６、７および８の溶解度を調べるた
め、ナフトキノンジアジドの25重量% ノボラック含有プ
ロピレングリコールメチルエーテルアセテート(PGMEA)
飽和溶液を調製する。この方法で得られる溶液は、フォ
トレジストにおける実際の条件を非常によく示すもので
ある。飽和溶液の濃度は、ＵＶ分光吸収でλ_maxを測定
し, 既知濃度の溶液から得られたキャリブレーション直
線に比較することで、測定する。結果は、表１に示して
ある。

【００４５】

【００４６】応用例３（保存寿命とリソグラフ性能）保存寿命とリソグラフ性能を測定するために、下記の処
方によるフォトレジストを本発明による化合物と比較化
合物から調製する。ナフトキノンジアジド 5.6重量部 m-およびp-クレゾールならびにキシレンからなる平均分子量Ｍ_Wが4200（ポリスチレン基準品を比較として）のノボラック 18.7重量部プロピレングリコールメチルエーテルアセテート 36.5重量部

【００４７】保存寿命を示すものとして、レジストを室
温で貯蔵して、ナフトキノンがレジスト溶液から析出し
始めるまでに経過する時間を利用する。得られた結果を
表２に示す。

【００４８】相対値による放射線感度（マスクパターン
がレジストに転写されるのに必要な照射エネルギーで定
義される）、暗食刻（レジストが現像中に未照射の領域
で食刻されること）、および階調（レジストの溶解力を
示すものとして）を、リソグラフ性能として表２に特記
する。

【００４９】表２には、層の厚さを規格化したレジスト
の、λ_maxにおけるＵＶ吸収値も示してある。

【００５０】表２レジスト性能化合物ＵＶ吸収相対放射暗食刻階調貯蔵寿命番号 (at λ_max) 線感度 (nm) （日）１ 0.599 1.03 14 1.5 17 ２ 0.409 1.05 8 2.5 >49 ３ 0.411 1.02 7 2.4 >49 ４ 0.410 0.95 12 2.5 >49 ５ 0.616 1.00 8 1.5 5 ６ 0.421 0.94 10 2.1 14 ７ 0.421 0.90 12 2.3 16

【００５１】表２には、本発明によるナフトキノンジア
ジドのＵＶ吸収、放射線感度、暗食刻および階調は比較
化合物から判別が出来ないのに対して、本発明によるナ
フトキノンジアジドの貯蔵寿命がかなり改良されている
ことが、はっきりと示されている。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者フリッツ、エルトマンドイツ連邦共和国エルトビレ、アム、シュタインバーク、３ (72)発明者ジークフリート、シェラードイツ連邦共和国ウィースバーデン‐ナウロート、シュトルムシュトラーセ、５

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】(1,2- ナフトキノン-2- ジアジド)-4-スル
フォン酸および（または）(7- メトキシ-1,2- ナフトキ
ノン-2- ジアジド)-4-スルフォン酸で完全にエステル化
された2,3,4-トリヒドロキシ-3'-メチル- 、- エチル-
、- プロピル- または- イソプロピル- ベンゾフェノ
ン。
【請求項２】(1,2- ナフトキノン-2- ジアジド)-4-スル
フォン酸および（または）(7- メトキシ-1,2- ナフトキ
ノン-2- ジアジド)-4-スルフォン酸で完全にエステル化
された2,3,4-トリヒドロキシ-3'-メチルベンゾフェノ
ン。
【請求項３】水不溶性であるが水性アルカリ溶液には可
溶か、すくなくとも膨潤可能であるポリマー状バインダ
ーと、少なくとも一つの、請求項１に記載の放射線感応
性化合物と、を必須成分として含んでなることを特徴と
する、放射線感応性混合物。
【請求項４】請求項１の化合物の比率が、すべての場合
において混合物中の固体総重量を基準にして 5〜40重量
% 、好ましくは10〜35重量% 、特に15〜30重量% 、であ
る、請求項３に記載の放射線感応性混合物。
【請求項５】さらにほかの放射線感応性化合物を含んで
なり、請求項１に記載の放射線感応性化合物の比率が、
すべての場合において全放射線感応性化合物の重量を基
準にして、 5〜99重量% 、好ましくは20〜80重量% 、特
に30〜70重量% 、である、請求項３に記載の放射線感応
性混合物。
【請求項６】ポリマー状バインダーがノボラックであ
り、後者のの比率が、すべての場合において混合物の固
体総重量を基準にして、60〜95重量% の間、好ましくは
65〜90重量% の間、特に好ましくは70〜85重量% の間、
である、請求項３に記載の放射線感応性混合物。
【請求項７】バインダーが、側鎖のヒドロキシフェニル
基を有するポリマー状化合物である、請求項３〜５のい
ずれか１項に記載の放射線感応性混合物。
【請求項８】層基質と放射線感応性層からなり、層が請
求項３〜７のいずれか１項に記載の放射線感応性混合物
を含んでなることを特徴とする、放射線感応性記録材
料。