JPH0684343B2 - 第二ジアミンのビス―１，２―ナフトキノン―２―ジアジド―スルホン酸アミド及びこれを含有する複写材料用放射線感性混合物 - Google Patents
第二ジアミンのビス―１，２―ナフトキノン―２―ジアジド―スルホン酸アミド及びこれを含有する複写材料用放射線感性混合物Info
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- JPH0684343B2 JPH0684343B2 JP62024911A JP2491187A JPH0684343B2 JP H0684343 B2 JPH0684343 B2 JP H0684343B2 JP 62024911 A JP62024911 A JP 62024911A JP 2491187 A JP2491187 A JP 2491187A JP H0684343 B2 JPH0684343 B2 JP H0684343B2
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- diazide
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
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- Materials For Photolithography (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、新規の第二ジアミンのビス−1,2−ナフトキ
ノン−２−ジアジド−スルホン酸アミド、放射線感性混
合物及びこれを含有する複写材料に関する。
ノン−２−ジアジド−スルホン酸アミド、放射線感性混
合物及びこれを含有する複写材料に関する。
従来の技術 1,2−ナフトキノン−２−ジアジド−スルホン酸の多数
の誘導体、特に芳香族エステルがすでに公知であり、こ
れらはポジチブ作用の複写材料中の感光性成分として使
用することができる。ジヤロミル・コサール（Jaromir
Kosar）著、“ライト−センシテイブ・システムス（Lig
ht−Sensitive Systems）”ジヨン・ウイリー（John Wi
ley）＋サンズ（Sons）／ニユーヨーク、1965年、343〜
351頁に多数の感光性ナフトキノン−ジアジドが記載さ
れている。
の誘導体、特に芳香族エステルがすでに公知であり、こ
れらはポジチブ作用の複写材料中の感光性成分として使
用することができる。ジヤロミル・コサール（Jaromir
Kosar）著、“ライト−センシテイブ・システムス（Lig
ht−Sensitive Systems）”ジヨン・ウイリー（John Wi
ley）＋サンズ（Sons）／ニユーヨーク、1965年、343〜
351頁に多数の感光性ナフトキノン−ジアジドが記載さ
れている。
電子構成要素の製造における継続的小型化はさらにより
小さな構造の製作を必要とする。このような構成要素の
製造中で重要な過程は、構成されるべき材料に施こされ
る感光性フイルムの画像に応じた露光及び引続いての現
像である。
小さな構造の製作を必要とする。このような構成要素の
製造中で重要な過程は、構成されるべき材料に施こされ
る感光性フイルムの画像に応じた露光及び引続いての現
像である。
露光のために使用される光の波長は感光性構造の解像力
を限定する因子であり、より小さな寸法を有する構造は
より短かい波長の光で製作され得る。しかしながら常用
の材料は可視又は近紫外線範囲（365〜450nm）でのみ良
好な感光性を示し、従つてそれらはより短かい波長範囲
（300〜350nm）では全く不十分な感光性を有する。
を限定する因子であり、より小さな寸法を有する構造は
より短かい波長の光で製作され得る。しかしながら常用
の材料は可視又は近紫外線範囲（365〜450nm）でのみ良
好な感光性を示し、従つてそれらはより短かい波長範囲
（300〜350nm）では全く不十分な感光性を有する。
このために使用されるナフトキノン−ジアジド誘導体は
いわゆる中間紫外線（mid−UV）（300〜350nm）で不適
当な吸収特性を有し、すなわち材料はなかんずく313nm
での露光により、たとえあつたにしてもほんの僅かに漂
白されるにすぎない。
いわゆる中間紫外線（mid−UV）（300〜350nm）で不適
当な吸収特性を有し、すなわち材料はなかんずく313nm
での露光により、たとえあつたにしてもほんの僅かに漂
白されるにすぎない。
この範囲の吸収に対するナフトキノン−ジアジド中の置
換基の効果はすでに研究されていて（グラント・ウイル
ソン（Grant Willson）等著、デザイン・オブ・ア・ポ
ジテイブ・レジスト・フオー・プロジエクシヨン・トリ
グラフイー・イン・ザ・ミツド−UV（Design of a posi
tive resist for projection Lithography in the mid
−UV）；シツクスス・インターナシヨナル・テクニカル
・コンフエレンス・オン・ホトポリマース（Sixth Inte
rnational Technical Conference on photopolymer
s）、1982年11月エレンヴイレ（Ellenville）/USA）、
ナフトキノン−ジアジド−４−及び−５−アルキルスル
ホネートは300〜350nmの範囲で有利な吸収特性を有する
ことが判明している。
換基の効果はすでに研究されていて（グラント・ウイル
ソン（Grant Willson）等著、デザイン・オブ・ア・ポ
ジテイブ・レジスト・フオー・プロジエクシヨン・トリ
グラフイー・イン・ザ・ミツド−UV（Design of a posi
tive resist for projection Lithography in the mid
−UV）；シツクスス・インターナシヨナル・テクニカル
・コンフエレンス・オン・ホトポリマース（Sixth Inte
rnational Technical Conference on photopolymer
s）、1982年11月エレンヴイレ（Ellenville）/USA）、
ナフトキノン−ジアジド−４−及び−５−アルキルスル
ホネートは300〜350nmの範囲で有利な吸収特性を有する
ことが判明している。
露光装置中で常用される水銀蒸気ランプは、300〜350nm
の波長範囲で、313及び334nmでの２本の発光線を有し、
従つてこの波長範囲における適当な材料の露光が可能で
ある。
の波長範囲で、313及び334nmでの２本の発光線を有し、
従つてこの波長範囲における適当な材料の露光が可能で
ある。
中間−UVにおける露光の際の不十分な感光性の不利な点
はすでに認められていて、それを克服する試みが、欧州
特許出願（EP−Ａ）第0085761号明細書に、米国特許第4
397937号明細書に相応して、脂肪族ジオールのビス−1,
2−ナフトキノン−２−ジアジド−スルホン酸エステル
の使用によつて行なわれた。しかしながらそれまでのと
ころ極めて限られた数の三環ジオールが挙げられただけ
であり、更につけ加えると、それらの製造は極めて高価
な触媒として４−ジメチルアミノ−ピリジンの使用を伴
なつてのみ可能である。また後者は欧州特許出願（EP−
Ａ）第0147596号明細書に挙げられているナフトキノン
−ジアジド−スルホン酸の脂肪族エステルに適用され、
その製造は４−ジメチルアミノピリジン又は４−（１−
ピロリジノ）−ピリジンの使用を伴なつてのみ可能であ
る。
はすでに認められていて、それを克服する試みが、欧州
特許出願（EP−Ａ）第0085761号明細書に、米国特許第4
397937号明細書に相応して、脂肪族ジオールのビス−1,
2−ナフトキノン−２−ジアジド−スルホン酸エステル
の使用によつて行なわれた。しかしながらそれまでのと
ころ極めて限られた数の三環ジオールが挙げられただけ
であり、更につけ加えると、それらの製造は極めて高価
な触媒として４−ジメチルアミノ−ピリジンの使用を伴
なつてのみ可能である。また後者は欧州特許出願（EP−
Ａ）第0147596号明細書に挙げられているナフトキノン
−ジアジド−スルホン酸の脂肪族エステルに適用され、
その製造は４−ジメチルアミノピリジン又は４−（１−
ピロリジノ）−ピリジンの使用を伴なつてのみ可能であ
る。
例えばエーテルの製造のためのアルキル化剤として使用
されるアリールスルホン酸アルキルエステルの不安定性
は（ホウベン−ウイル（Houben−Weyl）著、メトーデン
・デア・オルガニツシエン・ヒエミー（Methoden der O
rganischen Chemie）〔メソツズ・オブ・オルガニツク
・ケミストリー（Methods of Organic Chemistry）〕IX
巻、674頁及び次頁、４版、1955年；テイーメ出版（G.T
hieme Verlag）、シユツツガルト参照）、文献で一般に
知られている。
されるアリールスルホン酸アルキルエステルの不安定性
は（ホウベン−ウイル（Houben−Weyl）著、メトーデン
・デア・オルガニツシエン・ヒエミー（Methoden der O
rganischen Chemie）〔メソツズ・オブ・オルガニツク
・ケミストリー（Methods of Organic Chemistry）〕IX
巻、674頁及び次頁、４版、1955年；テイーメ出版（G.T
hieme Verlag）、シユツツガルト参照）、文献で一般に
知られている。
発明が解決しようとする問題点 本発明の目的は、光活性成分として、中間−UV範囲（30
0〜350nm）での露光の際に感光性混合物に従来公知の混
合物のそれよりも高い感光性を与える新規の、安定した
1,2−ナフトキノン−２−ジアジド−スルホン酸誘導体
を得ることであり、それらの混合物は可視又は近紫外線
範囲での露光の際に現時点で使用される混合物のそれに
少なくとも比較可能であるか又はもつと良好である感光
性を有する。更にまたそれらの誘導体は工業的に製造す
ることが容易でなくてはならない。
0〜350nm）での露光の際に感光性混合物に従来公知の混
合物のそれよりも高い感光性を与える新規の、安定した
1,2−ナフトキノン−２−ジアジド−スルホン酸誘導体
を得ることであり、それらの混合物は可視又は近紫外線
範囲での露光の際に現時点で使用される混合物のそれに
少なくとも比較可能であるか又はもつと良好である感光
性を有する。更にまたそれらの誘導体は工業的に製造す
ることが容易でなくてはならない。
問題点を解決するための手段 本発明は、一般式I: 〔式中Ｒは１〜14個の炭素原子を有し、その炭素鎖はエ
ーテル酸素原子によつて遮断されていて良い直鎖又は分
枝鎖のアルキル基、シクロアルキル基又はアルアルキル
基であり、R1は２〜12個の炭素原子を有し、その炭素鎖
はエーテル酸素原子によつて遮断されていて良いアルキ
レン基、又は８〜18個の炭素原子を有するアリールジア
ルキル基であり、多環状化合物の場合には−Ｏ−によっ
て結合されうる芳香族基であつてよく、R2及びR3は同一
又は異なつていて良く、水素原子又は１又は２個の炭素
原子を有する非置換又は置換されたアルキル基であり、
又はＲ及びR1は一緒に４〜16個の炭素原子を有するシク
ロアルキル基によつて形成され、多環状化合物の場合に
は、１〜６個の炭素原子の炭素鎖によつて結合されうる
脂環式基であつてよく、D1及びD2は同一又は異なつてい
て、1,2−ナフトキノン−２−ジアジド−４−又は−５
−スルホニル基である〕の第二ジアミンのビス−1,2−
ナフトキノン−２−ジアジド−スルホン酸アミドに関す
る。
ーテル酸素原子によつて遮断されていて良い直鎖又は分
枝鎖のアルキル基、シクロアルキル基又はアルアルキル
基であり、R1は２〜12個の炭素原子を有し、その炭素鎖
はエーテル酸素原子によつて遮断されていて良いアルキ
レン基、又は８〜18個の炭素原子を有するアリールジア
ルキル基であり、多環状化合物の場合には−Ｏ−によっ
て結合されうる芳香族基であつてよく、R2及びR3は同一
又は異なつていて良く、水素原子又は１又は２個の炭素
原子を有する非置換又は置換されたアルキル基であり、
又はＲ及びR1は一緒に４〜16個の炭素原子を有するシク
ロアルキル基によつて形成され、多環状化合物の場合に
は、１〜６個の炭素原子の炭素鎖によつて結合されうる
脂環式基であつてよく、D1及びD2は同一又は異なつてい
て、1,2−ナフトキノン−２−ジアジド−４−又は−５
−スルホニル基である〕の第二ジアミンのビス−1,2−
ナフトキノン−２−ジアジド−スルホン酸アミドに関す
る。
式中Ｒは１〜８個、有利に１〜４個の炭素原子を有し、
その炭素鎖はエーテル酸素原子によつて遮断されていて
良い直鎖又は分枝鎖の、非置換又はヒドロキシル基で置
換されたアルキル基又はシクロアルキル基又は７〜14個
の炭素原子を有するアルアルキル基であり、R1は２〜10
個の炭素原子を有し、その炭素鎖は１又は２個のエーテ
ル酸素原子によつて遮断されていて良いアルキレン基、
又は８〜14個の炭素原子を有するアルアルキレン基であ
り、多環状化合物の場合には、−Ｏ−によって結合され
うる芳香族基であつてよく、R2及びR3は同一又は異なつ
ていて良く、水素原子又は１又は２個の炭素原子を有す
る非置換又は置換されたアルキル基、例えば１個又はそ
れ以上の弗素原子によつて置換されたアルキル基であ
り、又はＲ及びR1は一緒に４〜16個の炭素原子を有する
シクロアルキル基によつて形成され、多環状化合物の場
合には、１〜６個の炭素原子の炭素鎖によつて結合され
うる脂環式基であつてよく、D1及びD2は同一又は異なつ
ていて、1,2−ナフトキノン−２−ジアジド−４−又は
−５−スルホニル基である、式Ｉの化合物が有利であ
る。
その炭素鎖はエーテル酸素原子によつて遮断されていて
良い直鎖又は分枝鎖の、非置換又はヒドロキシル基で置
換されたアルキル基又はシクロアルキル基又は７〜14個
の炭素原子を有するアルアルキル基であり、R1は２〜10
個の炭素原子を有し、その炭素鎖は１又は２個のエーテ
ル酸素原子によつて遮断されていて良いアルキレン基、
又は８〜14個の炭素原子を有するアルアルキレン基であ
り、多環状化合物の場合には、−Ｏ−によって結合され
うる芳香族基であつてよく、R2及びR3は同一又は異なつ
ていて良く、水素原子又は１又は２個の炭素原子を有す
る非置換又は置換されたアルキル基、例えば１個又はそ
れ以上の弗素原子によつて置換されたアルキル基であ
り、又はＲ及びR1は一緒に４〜16個の炭素原子を有する
シクロアルキル基によつて形成され、多環状化合物の場
合には、１〜６個の炭素原子の炭素鎖によつて結合され
うる脂環式基であつてよく、D1及びD2は同一又は異なつ
ていて、1,2−ナフトキノン−２−ジアジド−４−又は
−５−スルホニル基である、式Ｉの化合物が有利であ
る。
本発明は、放射線感性混合物中の放射線感性成分として
のビス−1,2−ナフトキノン−２−ジアジド−スルホン
酸アミドの使用及びそれから製造される放射線感性複写
材料にも関する。
のビス−1,2−ナフトキノン−２−ジアジド−スルホン
酸アミドの使用及びそれから製造される放射線感性複写
材料にも関する。
本発明によるナフトキノン−ジアジド化合物は放射線感
性混合物中の放射線感性成分として使用され、４−又は
５−スルホニル誘導体は個々に放射線感性成分として又
は混合物として又は混合された4,5−スルホニル誘導体
として使用される。４−及び５−スルホニル誘導体の混
合物の使用が特に有利である。このような混合物又は4/
5混合スルホンアミドも、中間−UV範囲（300〜350nm）
での有利な均一の高吸収を示し、その範囲内で313nm及
び334nmでの２本のHg発光線が位置している。
性混合物中の放射線感性成分として使用され、４−又は
５−スルホニル誘導体は個々に放射線感性成分として又
は混合物として又は混合された4,5−スルホニル誘導体
として使用される。４−及び５−スルホニル誘導体の混
合物の使用が特に有利である。このような混合物又は4/
5混合スルホンアミドも、中間−UV範囲（300〜350nm）
での有利な均一の高吸収を示し、その範囲内で313nm及
び334nmでの２本のHg発光線が位置している。
本発明による化合物は公知方法により、第二ジアミンを
反応性のナフトキノン−ジアジド−スルホン酸誘導体、
例えば酸クロリドと反応させることによつて製造され
る。アルコールと比較してアミンのより高い反応性のた
めに、かつ高価な触媒の使用を避けるために、この製造
はより少ない経費で行なうことができる。有利な方法
は、不活性溶剤、例えばケチン又は塩素置換された炭化
水素中での、無機又は有機塩基、例えば炭酸ナトリウム
又は第三アミン、例えばトリエチルアミンの存在する反
応である。しかしながら、本発明によるナフトキノン−
ジアジド−スルホン酸アミドは、相転移触媒反応の条件
下で、例えば塩化メチレン／炭酸ナトリウム又はテトラ
アルキルアンモニウムヒドロキシドの水溶液の系中で適
当な触媒、例えば臭化テトラブチルアンモニウムを用い
て製造することもできる。
反応性のナフトキノン−ジアジド−スルホン酸誘導体、
例えば酸クロリドと反応させることによつて製造され
る。アルコールと比較してアミンのより高い反応性のた
めに、かつ高価な触媒の使用を避けるために、この製造
はより少ない経費で行なうことができる。有利な方法
は、不活性溶剤、例えばケチン又は塩素置換された炭化
水素中での、無機又は有機塩基、例えば炭酸ナトリウム
又は第三アミン、例えばトリエチルアミンの存在する反
応である。しかしながら、本発明によるナフトキノン−
ジアジド−スルホン酸アミドは、相転移触媒反応の条件
下で、例えば塩化メチレン／炭酸ナトリウム又はテトラ
アルキルアンモニウムヒドロキシドの水溶液の系中で適
当な触媒、例えば臭化テトラブチルアンモニウムを用い
て製造することもできる。
本発明によるナフトキノン−ジアジド−スルホン酸アミ
ドの製造のための一般的説明を下記に示す： 第二ジアミン0.1モルをアセトン400ml中の1,2ナフトキ
ノン−２−ジアジド−スルホン酸クロリド0.2モル及び
炭酸ナトリウム又はトリエチルアミン0.22モルに攪拌し
ながら滴加し、温度を冷却によつて25℃以下に保つ。滴
加終了後、攪拌を１時間続け、かつ ａ）ナフトキノン−ジアジド−スルホン酸アミドがすで
に沈殿した場合には、後者を吸引によつて濾過し、冷ア
セトンで、次いで水で洗浄し、濾過残渣を減圧下で、又
は適度に上昇する温度で還流空気乾燥炉中で乾燥させ、
又は ｂ）ビス−ナフトキノン−ジアジド−スルホン酸アミド
が反応混合物中に完全に溶けている場合には、装入物か
ら吸引濾過によつて無機成分を除去する。濾液を４％塩
酸水の10倍量中に混入攪拌し、沈殿するビス−スルホン
酸アミドを濾過し、酸が無くなるまで水で洗浄し、ａ）
と同様に乾燥させる。
ドの製造のための一般的説明を下記に示す： 第二ジアミン0.1モルをアセトン400ml中の1,2ナフトキ
ノン−２−ジアジド−スルホン酸クロリド0.2モル及び
炭酸ナトリウム又はトリエチルアミン0.22モルに攪拌し
ながら滴加し、温度を冷却によつて25℃以下に保つ。滴
加終了後、攪拌を１時間続け、かつ ａ）ナフトキノン−ジアジド−スルホン酸アミドがすで
に沈殿した場合には、後者を吸引によつて濾過し、冷ア
セトンで、次いで水で洗浄し、濾過残渣を減圧下で、又
は適度に上昇する温度で還流空気乾燥炉中で乾燥させ、
又は ｂ）ビス−ナフトキノン−ジアジド−スルホン酸アミド
が反応混合物中に完全に溶けている場合には、装入物か
ら吸引濾過によつて無機成分を除去する。濾液を４％塩
酸水の10倍量中に混入攪拌し、沈殿するビス−スルホン
酸アミドを濾過し、酸が無くなるまで水で洗浄し、ａ）
と同様に乾燥させる。
このように、1,2−ナフトキノン−２−ジアジド−スル
ホンアミドは良好〜極めて良好に、屡々殆んど定量的収
率で得られる。この方法で製造される本発明による化合
物は放射線感性混合物中への使用前にそれ以上の精製は
不必要である程の純度で得られる。純度は屡々良好であ
るので、燃焼分析により実験的に測定される値は計算値
に相応する。しかしながら若干の場合には適当な溶剤又
は溶剤混合物中の再結晶又は再沈殿が有利である。
ホンアミドは良好〜極めて良好に、屡々殆んど定量的収
率で得られる。この方法で製造される本発明による化合
物は放射線感性混合物中への使用前にそれ以上の精製は
不必要である程の純度で得られる。純度は屡々良好であ
るので、燃焼分析により実験的に測定される値は計算値
に相応する。しかしながら若干の場合には適当な溶剤又
は溶剤混合物中の再結晶又は再沈殿が有利である。
本発明による化合物の使用で製造した本発明による放射
線感性混合物は、実際に高い感光性によつて特色付けら
れ、この感光性は可視又は近紫外線範囲において慣用系
に一般に優れ、かつ中間紫外線範囲においてこのために
公知の系のそれよりも著しく、良好である。また本発明
によるナフトキノン−ジアジド化合物の組成を有する放
射線感性混合物は高エネルギー放射線、例えば電子ビー
ム又はＸ−線に対する良好な感性を示し、かつ良好なリ
トグラフイー結果を与える。更に極めて良好なコントラ
スト値が放射線感性層で達成される。
線感性混合物は、実際に高い感光性によつて特色付けら
れ、この感光性は可視又は近紫外線範囲において慣用系
に一般に優れ、かつ中間紫外線範囲においてこのために
公知の系のそれよりも著しく、良好である。また本発明
によるナフトキノン−ジアジド化合物の組成を有する放
射線感性混合物は高エネルギー放射線、例えば電子ビー
ム又はＸ−線に対する良好な感性を示し、かつ良好なリ
トグラフイー結果を与える。更に極めて良好なコントラ
スト値が放射線感性層で達成される。
混合物の高い感光性はミクロ電子工学回路又は構成要素
の生産おける、特にウエフアのスループツト（throughp
ut）が最も時間を浪費する処理段階によつて決定される
ウエフアのいわゆる“インライン”処理における本質的
因子である。ここにおける臨界点は露光時間、すなわち
露光装置中のスループツトである。特に単色光放射又は
より短かい波長の化学線光での露光の場合には、これは
通常過去では不満足な循環時間になり、これからは不十
分なウエフアのスループツトになり、最後には受け入れ
られない遅い生産率となる。
の生産おける、特にウエフアのスループツト（throughp
ut）が最も時間を浪費する処理段階によつて決定される
ウエフアのいわゆる“インライン”処理における本質的
因子である。ここにおける臨界点は露光時間、すなわち
露光装置中のスループツトである。特に単色光放射又は
より短かい波長の化学線光での露光の場合には、これは
通常過去では不満足な循環時間になり、これからは不十
分なウエフアのスループツトになり、最後には受け入れ
られない遅い生産率となる。
放射線感性混合物中の本発明によるナフトキノン−ジア
ジド−スルホン酸アミドの濃度は比較的に広い範囲内で
変動して良い。一般に割合は混合物の固体含量の重量に
相対して約４％〜40％、有利に６％及び25％の間であ
る。
ジド−スルホン酸アミドの濃度は比較的に広い範囲内で
変動して良い。一般に割合は混合物の固体含量の重量に
相対して約４％〜40％、有利に６％及び25％の間であ
る。
また本発明による感光性混合物はポリマーの、水に不溶
性の樹脂バインダーを含有し、これは本発明による混合
物のために使用する溶剤に溶解し、かつ水性アルカリに
も可溶でるか又は少なくとも湿潤可能である。
性の樹脂バインダーを含有し、これは本発明による混合
物のために使用する溶剤に溶解し、かつ水性アルカリに
も可溶でるか又は少なくとも湿潤可能である。
またナフトキノン−ジアジドを基礎とする多くのポジチ
ブ複写材料におけるノボラツク縮合樹脂試料は、新規の
ナフトキノン−ジアジドスルホン酸アミドを有する本発
明による混合物のための添加物として特に有用でかつ有
利である。ノボラツク樹脂の特性及び量は適用に依り異
なつて良い。総固体中60％及び96％、特に有利に75〜95
％のノボラツク割合が有利である。特別な要求、例えば
付着、表面平滑、特別な吸収特性等のために、感光性混
合物は湿潤剤、付着助剤及び染料のような物質を少量含
有しても良い。
ブ複写材料におけるノボラツク縮合樹脂試料は、新規の
ナフトキノン−ジアジドスルホン酸アミドを有する本発
明による混合物のための添加物として特に有用でかつ有
利である。ノボラツク樹脂の特性及び量は適用に依り異
なつて良い。総固体中60％及び96％、特に有利に75〜95
％のノボラツク割合が有利である。特別な要求、例えば
付着、表面平滑、特別な吸収特性等のために、感光性混
合物は湿潤剤、付着助剤及び染料のような物質を少量含
有しても良い。
その他の適当なバインダーは側鎖中にフエノール性ヒド
ロキシル基を有するポリマーバインダー、例えばビニル
フエノール又はアクリル酸及びメタクリル酸と、例えば
ヒドロキノン、ピロカテコール、レゾルシノール、ピロ
ガロール又はヒドロキシフエニルアミンとのエステル及
びアミドである。ホモポリマーに加えて、前記のモノマ
ーのお互いのコポリマー又はその他の重合可能なモノマ
ー、例えばスチレン、メタクリル酸メチル、アルリル酸
メチル、メタクリル酸ビフエニロール又はアクリル酸ビ
フエニロールとのコポリマーも本発明による混合物中の
バインダーとして使用することもできる。ポリマーとノ
ボラツクとの混合物を使用することもできる。バインダ
ーの特性及び量は適用に依り異なつて良いが、主にノボ
ラツクのために与えられた範囲に相当する。
ロキシル基を有するポリマーバインダー、例えばビニル
フエノール又はアクリル酸及びメタクリル酸と、例えば
ヒドロキノン、ピロカテコール、レゾルシノール、ピロ
ガロール又はヒドロキシフエニルアミンとのエステル及
びアミドである。ホモポリマーに加えて、前記のモノマ
ーのお互いのコポリマー又はその他の重合可能なモノマ
ー、例えばスチレン、メタクリル酸メチル、アルリル酸
メチル、メタクリル酸ビフエニロール又はアクリル酸ビ
フエニロールとのコポリマーも本発明による混合物中の
バインダーとして使用することもできる。ポリマーとノ
ボラツクとの混合物を使用することもできる。バインダ
ーの特性及び量は適用に依り異なつて良いが、主にノボ
ラツクのために与えられた範囲に相当する。
本発明による複写材料の製造のための適当な支持体を被
覆するために、混合物を一般に溶剤中に溶かす。溶剤の
選択は意図された被覆処理、層厚及び乾燥条件に匹敵し
なければならない。本発明による混合物のために適当な
溶剤は、ケトン例えばメチルエチルケトン、又はＮ−メ
チル−ピロリドン、アルコールエーテル例えばエチレン
グリコールモノエチルエーテル又はプロピレングリコー
ルモノエチルエーテル、アルコールエーテル−アセテー
ト、例えばエチレングリコールモノエチルエーテル−ア
セテート又はプロピレングリコールモノエチルエーテル
−アセテート、及びエステル例えば酢酸ブチルである。
溶剤の混合物を使用することもでき、これは特にキシレ
ンを含有することもできる。原則的に、層成分と不可逆
反応をしない全ての溶剤を使用することができる。
覆するために、混合物を一般に溶剤中に溶かす。溶剤の
選択は意図された被覆処理、層厚及び乾燥条件に匹敵し
なければならない。本発明による混合物のために適当な
溶剤は、ケトン例えばメチルエチルケトン、又はＮ−メ
チル−ピロリドン、アルコールエーテル例えばエチレン
グリコールモノエチルエーテル又はプロピレングリコー
ルモノエチルエーテル、アルコールエーテル−アセテー
ト、例えばエチレングリコールモノエチルエーテル−ア
セテート又はプロピレングリコールモノエチルエーテル
−アセテート、及びエステル例えば酢酸ブチルである。
溶剤の混合物を使用することもでき、これは特にキシレ
ンを含有することもできる。原則的に、層成分と不可逆
反応をしない全ての溶剤を使用することができる。
本発明による化合物は複写材料中の放射線感性成分とし
て、例えばミクロ電子工学的工業のためのフオトレジス
トとして使用することができる。有利な支持体はシリコ
ーンウエフアであり、これは表面だけ酸化されていても
良い。慣例のミクロ電子工学製作工程中に生じる層、例
えば窒化珪素、ポリシリコーン、酸化珪素、ポリイミド
又は金属例えばアルミニウム及び適当なドーピング材料
を添加されたシリコーンは同様に本発明による混合物の
ための支持体として適当である。GaAs合金のウエフアも
適当な支持体である。更に本発明による化合物をバイン
ダーとの混合物として、この目的のために慣例の支持体
が使用されるプリント配線基板の製作中に使用すること
ができる。更に可能な支持体は、適当な前処理をうけて
いて、かつ印刷版の製作のために適当であるアルミニウ
ム板である。
て、例えばミクロ電子工学的工業のためのフオトレジス
トとして使用することができる。有利な支持体はシリコ
ーンウエフアであり、これは表面だけ酸化されていても
良い。慣例のミクロ電子工学製作工程中に生じる層、例
えば窒化珪素、ポリシリコーン、酸化珪素、ポリイミド
又は金属例えばアルミニウム及び適当なドーピング材料
を添加されたシリコーンは同様に本発明による混合物の
ための支持体として適当である。GaAs合金のウエフアも
適当な支持体である。更に本発明による化合物をバイン
ダーとの混合物として、この目的のために慣例の支持体
が使用されるプリント配線基板の製作中に使用すること
ができる。更に可能な支持体は、適当な前処理をうけて
いて、かつ印刷版の製作のために適当であるアルミニウ
ム板である。
ミクロ電子工学工業で慣例の支持体のコーテイングは公
知方法でワーラーコーテイング（Whirler−Coating）に
よつて実施する。しかしながら、噴霧、ローラー適用、
浸漬、スロツトダイの使用、ナイフ塗布又は流し込みに
よる応用をこれら及びその他の支持体に使用することも
できる。
知方法でワーラーコーテイング（Whirler−Coating）に
よつて実施する。しかしながら、噴霧、ローラー適用、
浸漬、スロツトダイの使用、ナイフ塗布又は流し込みに
よる応用をこれら及びその他の支持体に使用することも
できる。
常用の光源を露光のために使用し、その光学系は中間紫
外線範囲における科学線光に対してのみ透過可能である
露光装置を特に有利に使用することができる。現像に使
用し、かつ少量の湿潤剤を含有することもできるカルカ
リ水溶液は、感光性層の光のあてられた部分を除去し、
従つて原画のポジチブ画像を生成させる。
外線範囲における科学線光に対してのみ透過可能である
露光装置を特に有利に使用することができる。現像に使
用し、かつ少量の湿潤剤を含有することもできるカルカ
リ水溶液は、感光性層の光のあてられた部分を除去し、
従つて原画のポジチブ画像を生成させる。
本発明による放射線感性混合物を集積回路又は別個の電
気構成要素の製作のためのリトグラフイー処理に有利に
使用する。この際これらを種々の処理段段、例えば支持
体のエツチング、支持体へのイオンの移入又は支持体上
への材料の沈積のためのマスキング材料として使用す
る。
気構成要素の製作のためのリトグラフイー処理に有利に
使用する。この際これらを種々の処理段段、例えば支持
体のエツチング、支持体へのイオンの移入又は支持体上
への材料の沈積のためのマスキング材料として使用す
る。
感光性の比較のために、フオトレジスト処方、すなわち
放射線感性成分対バインダーの重量比及び現像液を、現
像段階中で、本発明による混合物が常用の現像液中で現
像された比較レジストとほぼ同じ損失を暗所で常に有す
る様に選択する。暗所での損失は、感光性層の層厚にお
ける減少を示し、それは非露光部分においてすら現像段
階中に現像液中でほとんどの場合僅かな層の溶解によつ
てひきおこされる。比較は常に同一層厚で実施した。層
厚を適当な固体含量を選択することによつて調整した。
放射線感性成分対バインダーの重量比及び現像液を、現
像段階中で、本発明による混合物が常用の現像液中で現
像された比較レジストとほぼ同じ損失を暗所で常に有す
る様に選択する。暗所での損失は、感光性層の層厚にお
ける減少を示し、それは非露光部分においてすら現像段
階中に現像液中でほとんどの場合僅かな層の溶解によつ
てひきおこされる。比較は常に同一層厚で実施した。層
厚を適当な固体含量を選択することによつて調整した。
濾過後、放射線感性混合物を適当な支持体、例えばシリ
コーンウエフアにワーラーコーテイングによつて適用し
た。コーテイングワーラーの回転速度の調整によつて、
フオトレジストの層厚を正確に調整することができる。
層を循環空気乾燥室中で90℃で30分間乾燥させた。乾燥
処理後、感光性比較のために使用されるフオトレジスト
の層厚は1.0μｍであつた。
コーンウエフアにワーラーコーテイングによつて適用し
た。コーテイングワーラーの回転速度の調整によつて、
フオトレジストの層厚を正確に調整することができる。
層を循環空気乾燥室中で90℃で30分間乾燥させた。乾燥
処理後、感光性比較のために使用されるフオトレジスト
の層厚は1.0μｍであつた。
より低い及びより高い層厚を本発明による混合物で当然
生成することもでき、その場合には放射線感性成分対バ
インダー及び総固体成分の割合を、最良のリトグラフイ
ー結果を得るために、適用に依り適合させなければなら
ない。
生成することもでき、その場合には放射線感性成分対バ
インダー及び総固体成分の割合を、最良のリトグラフイ
ー結果を得るために、適用に依り適合させなければなら
ない。
感光性比較は、慣用の波長（365〜436nm）を用いて、か
つ中間紫外線範囲（300〜350nm）での露光により実施し
た。メサス（Messrs.）ズース（Ｓss）GmbH ＆ Co.か
らの接触露光装置を使用した。露光力を露光波長範囲に
適当なセンサーと適合させたオプテイカル・アソシエイ
テス・モデル（Optical Associates Model）205 UVパ
ワーメーター（Powermeter）によつて測定した。Hgラン
プ及び一定の波長範囲を分離するための適当な光学系を
露光装置中に設置した。このフオトレジストを一定の露
光力で異なる時間露光し、次いで適当な現像液中で現像
し、現像時間は同じ長さであつた。適当な現像液は、金
属イオンを含有しないが、ナトリウム及び／又はカリウ
ムイオンのような金属イオンを含有することもできるア
ルカリ水溶液である。現像溶液を例えばシリケート、ボ
レート又はホフフエート溶液又は塩溶液の適当な混合物
で緩衝することができ、かつ現像溶液は少量の界面活性
剤を含有することもできる。
つ中間紫外線範囲（300〜350nm）での露光により実施し
た。メサス（Messrs.）ズース（Ｓss）GmbH ＆ Co.か
らの接触露光装置を使用した。露光力を露光波長範囲に
適当なセンサーと適合させたオプテイカル・アソシエイ
テス・モデル（Optical Associates Model）205 UVパ
ワーメーター（Powermeter）によつて測定した。Hgラン
プ及び一定の波長範囲を分離するための適当な光学系を
露光装置中に設置した。このフオトレジストを一定の露
光力で異なる時間露光し、次いで適当な現像液中で現像
し、現像時間は同じ長さであつた。適当な現像液は、金
属イオンを含有しないが、ナトリウム及び／又はカリウ
ムイオンのような金属イオンを含有することもできるア
ルカリ水溶液である。現像溶液を例えばシリケート、ボ
レート又はホフフエート溶液又は塩溶液の適当な混合物
で緩衝することができ、かつ現像溶液は少量の界面活性
剤を含有することもできる。
使用された感光性測定は、現像段階中の放射線感性層0.
5μｍを溶解させるために必要である露光エネルギー密
度の値であつた。層厚を、層厚測定器、スロアン・デク
タク（Sloan Dektak）Ｉ又はデクタクII又はルドルフ
（Rudolph）FTMによつて測定した。
5μｍを溶解させるために必要である露光エネルギー密
度の値であつた。層厚を、層厚測定器、スロアン・デク
タク（Sloan Dektak）Ｉ又はデクタクII又はルドルフ
（Rudolph）FTMによつて測定した。
前記の条件下で、本発明による放射線感性混合物は、可
視又は近紫外線範囲での露光で、慣用のフオトレジスト
と少なくとも比較可能であり、殆んどの場合により良好
である感光性を示し、かつ中間紫外線範囲での露光で
は、慣用フオトレジストのそれの約２倍である著しく増
加された感光性を示す。
視又は近紫外線範囲での露光で、慣用のフオトレジスト
と少なくとも比較可能であり、殆んどの場合により良好
である感光性を示し、かつ中間紫外線範囲での露光で
は、慣用フオトレジストのそれの約２倍である著しく増
加された感光性を示す。
本発明によるビス−1,2−ナフトキノン−２−ジアジド
−スルホン酸アミド及び本発明による感光性混合物の例
を下記するが、発明概念はそれらに限定されるものでは
ない。
−スルホン酸アミド及び本発明による感光性混合物の例
を下記するが、発明概念はそれらに限定されるものでは
ない。
実施例 例１〜44 表１参照。
例45 シリコーンウエフアを次の組成のコーテイング溶液で、
層厚1.0μｍが乾燥後に得られるようにワーラーコーテ
イングする： クレゾール／ホルムアルデヒドノボラツク 21.24重量部 （DIN53181に依る溶融範囲106℃〜115℃） 化合物21 0.88重量部 化合物24 0.88重量部 及びプロピレングリコールモノメチル エーテル−アセテート 77.00重量部。
層厚1.0μｍが乾燥後に得られるようにワーラーコーテ
イングする： クレゾール／ホルムアルデヒドノボラツク 21.24重量部 （DIN53181に依る溶融範囲106℃〜115℃） 化合物21 0.88重量部 化合物24 0.88重量部 及びプロピレングリコールモノメチル エーテル−アセテート 77.00重量部。
層を一定の露光力で異なる時間露光し、次いで0.530Nの
緩衝化NaOH中で現像する。層0.5μｍを現像処理により
溶解するために必要なエネルギー密度は、慣用のフオト
レジストのために要求されるエネルギー密度よりも中間
紫外線範囲での露光後では50％低く、かつ365〜436nmで
の露光後では25％低い。前記の混合物中の化合物21を化
合物５によつて代える場合及び化合物24を化合物６によ
つて代える場合も同様の結果が得られる。前記の慣用の
フオトレジストは31％溶液中で相対的計数吸収係数0.74
を有する。その固体画分はクレゾール／ホルムアルデヒ
ドノボラツク及び適当なナフトキノン−ジアジド誘導体
より成る。
緩衝化NaOH中で現像する。層0.5μｍを現像処理により
溶解するために必要なエネルギー密度は、慣用のフオト
レジストのために要求されるエネルギー密度よりも中間
紫外線範囲での露光後では50％低く、かつ365〜436nmで
の露光後では25％低い。前記の混合物中の化合物21を化
合物５によつて代える場合及び化合物24を化合物６によ
つて代える場合も同様の結果が得られる。前記の慣用の
フオトレジストは31％溶液中で相対的計数吸収係数0.74
を有する。その固体画分はクレゾール／ホルムアルデヒ
ドノボラツク及び適当なナフトキノン−ジアジド誘導体
より成る。
例46 シリコーンウエフアを次のものより成るコーテイング溶
液で、層厚1.0μｍが乾燥後に得られるようにワーラー
コーテイングする： クレゾール／ホルムアルデヒドノボラツク 22.22重量部 （DIN53181に依る溶融範囲122℃〜132℃） 化合物17 1.39重量部 化合物25 1.39重量部 及びプロピレングリコールモノメチル エーテル−アセテート 75.00重量部。
液で、層厚1.0μｍが乾燥後に得られるようにワーラー
コーテイングする： クレゾール／ホルムアルデヒドノボラツク 22.22重量部 （DIN53181に依る溶融範囲122℃〜132℃） 化合物17 1.39重量部 化合物25 1.39重量部 及びプロピレングリコールモノメチル エーテル−アセテート 75.00重量部。
露光を例45の場合と同様に実施する；現像を0.478N緩衝
化NaOH中で行なう。現像処理によつて層0.5μｍを溶解
するために必要なエネルギー密度は、慣用のフオトレジ
ストのために要求されるエネルギー密度よりも、中間紫
外線範囲での露光後では50％低く、かつ365〜436nmでの
露光後では30％低い（例45参照）。前記の化合物17及び
25の組合せを化合物30/31、16/17又は25/26の相応する
混合物によつて又は化合物９、18又は27によつて代える
場合に同様の結果が得られる。その場合にはコーテイン
グ溶液の固体含量を換えることができる。現像液の規定
度を特別な混合物に調整させねばならない。
化NaOH中で行なう。現像処理によつて層0.5μｍを溶解
するために必要なエネルギー密度は、慣用のフオトレジ
ストのために要求されるエネルギー密度よりも、中間紫
外線範囲での露光後では50％低く、かつ365〜436nmでの
露光後では30％低い（例45参照）。前記の化合物17及び
25の組合せを化合物30/31、16/17又は25/26の相応する
混合物によつて又は化合物９、18又は27によつて代える
場合に同様の結果が得られる。その場合にはコーテイン
グ溶液の固体含量を換えることができる。現像液の規定
度を特別な混合物に調整させねばならない。
例47 シリコーンウエフアを次のものより成るコーテイング溶
液で、層厚1.0μｍが乾燥後に得られるように、ワーラ
ーコーテイングする： クレゾール／ホルムアルデヒドノボラツク 18.67重量部 （DIN53181に依る溶融範囲122℃〜132℃） 化合物６ 2.33重量部 及びプロピレングリコールモノメチル エーテル−アセテート 79.00重量部。
液で、層厚1.0μｍが乾燥後に得られるように、ワーラ
ーコーテイングする： クレゾール／ホルムアルデヒドノボラツク 18.67重量部 （DIN53181に依る溶融範囲122℃〜132℃） 化合物６ 2.33重量部 及びプロピレングリコールモノメチル エーテル−アセテート 79.00重量部。
露光を例45に示した様に実施する。現像を0.484N緩衝化
NaOH中で行なう。中間紫外線範囲中での露光後、現像処
理により層0.5μｍを溶解するのに必要なエネルギー密
度は慣用のフオトレジストのために要求されるエネルギ
ー密度よりも45％低く、かつ365〜436nmでの露光後では
25％低い（例45参照）。化合物６を化合物５、16、17、
21、22、25又は26によつて代えることができ、現像液規
定度を再び調整しなければならない。
NaOH中で行なう。中間紫外線範囲中での露光後、現像処
理により層0.5μｍを溶解するのに必要なエネルギー密
度は慣用のフオトレジストのために要求されるエネルギ
ー密度よりも45％低く、かつ365〜436nmでの露光後では
25％低い（例45参照）。化合物６を化合物５、16、17、
21、22、25又は26によつて代えることができ、現像液規
定度を再び調整しなければならない。
例48 シリコーンウエフアを次のものよりなるコーテイング溶
液で、層厚1.0μｍが乾燥後に得られるように、ワーラ
ーコーテイングする： ポリ−（ピロカテコールモノメタクリレート） 13.9重量部 化合物42 2.8重量部 及びプロピレングリコールモノメチル エーテル−アセテート 83.3重量部。
液で、層厚1.0μｍが乾燥後に得られるように、ワーラ
ーコーテイングする： ポリ−（ピロカテコールモノメタクリレート） 13.9重量部 化合物42 2.8重量部 及びプロピレングリコールモノメチル エーテル−アセテート 83.3重量部。
非露光層部分における低い溶解性と結びつけて、露光後
に得られる層は0.36NNaOH中の良好な溶解性によつて顕
著である。化合物42を特に化合物５、13、19、20、23、
32又は40によつて又はナフトキノン−４−及び−５−ス
ルホニル誘導体の混合物、例えば28/29によつて代える
ことができ、かつ現像液規定度を調整しなければならな
い。
に得られる層は0.36NNaOH中の良好な溶解性によつて顕
著である。化合物42を特に化合物５、13、19、20、23、
32又は40によつて又はナフトキノン−４−及び−５−ス
ルホニル誘導体の混合物、例えば28/29によつて代える
ことができ、かつ現像液規定度を調整しなければならな
い。
例49 クレゾール／ホルムアルデヒドノボラツク 7.6重量部 （DIN53181による溶融範囲106℃〜115℃） 化合物21 0.96重量部 及びエチレングリコールモノエチルエーテル−アセテー
ト、酢酸ブチル及びキシレン（重量比9:1:1）よりなる
溶剤混合物 91.44重量部 よりなるコーテイング溶液を、電気分解により粗面化し
かつ陽極処理したアルミニウム支持体に、層重量2.34g/
m2が乾燥後に得られるように、施こす。被覆された印刷
板を、乾燥後、0.15〜1.95の13本の等しい密度帯を有す
るポジチブハーフトーン原画下で、10秒間5KW金属ハロ
ゲン化物燈で120cmの距離で露光し、かつ メタ珪酸ナトリウム・９H2O 5.3重量部 燐酸三ナトリウム・12H2O 3.4重量部 燐酸二水素ナトリウム（無水） 0.3重量部 及び水 91.0重量部 よりなる現像液で１分間現像し、露光層部分を除去す
る。これにより、４楔段を有する急激な階調の印刷画像
が得られる。前記の組成中の化合物21を化合物５、７、
10、14、23又は30によつて、又は14/15、16/17又は28/2
9（各々の場合に、２種の放射線感性化合物の１方0.48
重量部）の混合物によつて代える場合に、同様の結果が
得られる。
ト、酢酸ブチル及びキシレン（重量比9:1:1）よりなる
溶剤混合物 91.44重量部 よりなるコーテイング溶液を、電気分解により粗面化し
かつ陽極処理したアルミニウム支持体に、層重量2.34g/
m2が乾燥後に得られるように、施こす。被覆された印刷
板を、乾燥後、0.15〜1.95の13本の等しい密度帯を有す
るポジチブハーフトーン原画下で、10秒間5KW金属ハロ
ゲン化物燈で120cmの距離で露光し、かつ メタ珪酸ナトリウム・９H2O 5.3重量部 燐酸三ナトリウム・12H2O 3.4重量部 燐酸二水素ナトリウム（無水） 0.3重量部 及び水 91.0重量部 よりなる現像液で１分間現像し、露光層部分を除去す
る。これにより、４楔段を有する急激な階調の印刷画像
が得られる。前記の組成中の化合物21を化合物５、７、
10、14、23又は30によつて、又は14/15、16/17又は28/2
9（各々の場合に、２種の放射線感性化合物の１方0.48
重量部）の混合物によつて代える場合に、同様の結果が
得られる。
例50 化合物40又は42 3.9重量部 クレゾール／ホルムアルデヒドノボラツク 19.5重量部 （DIN53181に依り溶融範囲106℃〜115℃） ポリビニルメチルエーテル（Ｋ値45〜55を有する） 6.5重量部 染料、スーダン・ブルー（Sudan Blue）II 0.4重量部 （C.I.ソルヴエント・ブルー（Solvent Blue）35） プロピレングリコールモノエチルエーテル−アセテート 49.7重量部 プロピレングリコールモノエチルエーテル 10.0重量部 及び酢酸ブチル 10.0重量部 の溶液をプリント配線基板の製作に極めて適当である複
写レジストに施こす。この複写レジストをプリント配線
基板の製作に適当である銅板又はその他の基体に、特に
ローラー応用により適用することができる。
写レジストに施こす。この複写レジストをプリント配線
基板の製作に適当である銅板又はその他の基体に、特に
ローラー応用により適用することができる。
Claims (8)
- 【請求項１】式I: ［式中Ｒは１〜14個の炭素原子を有し、その炭素鎖はエ
ーテル酸素原子によって遮断されていて良い直鎖又は分
枝鎖のアルキル基、シクロアルキル基又はアルアルキル
基であり、R1は２〜12個の炭素原子を有し、その炭素鎖
はエーテル酸素原子によって遮断されていて良いアルキ
レン基、又は８〜18個の炭素原子を有するアリーレンジ
アルキル基であり、多環状化合物の場合には、−Ｏ−に
よって結合されうる芳香族基であってよく、又はＲ及び
R1は一緒になって４〜16個の炭素原子を有するシクロア
ルキル基によって形成され、多環状化合物の場合には、
１〜６個の炭素原子の炭素鎖によって結合されうる脂環
式基であってよく、D1及びD2は同一又は異なっていて、
1,2−ナフトキノン−２−ジアジド−４−又は−５−ス
ルホニル基である］の第二ジアミンのビス−1,2−ナフ
トキノン−２−ジアジド−スルホン酸アミド。 - 【請求項２】式中Ｒは１〜８個の炭素原子を有し、その
炭素鎖はエーテル酸素原子によって遮断されていて良い
直鎖又は分枝鎖のアルキル基又はシクロアルキル基又は
７〜14個の炭素原子を有するアルアルキル基であり、R1
又は２〜10個の炭素原子を有し、その炭素鎖は１又は２
個のエーテル酸素原子によって遮断されていて良いアル
キレン基、又は８〜14個の炭素原子を有するアリーレン
ジアルキル基であり、多環状化合物の場合には、−Ｏ−
によって結合されうる芳香族基であってよく、又はＲ及
びR1は一緒になって４〜16個の炭素原子を有するシクロ
アルキル基によって形成され、多環状化合物の場合に
は、１〜６個の炭素原子の炭素鎖によって結合されうる
脂環式基であってよく、D1及びD2は同一又は異なってい
て、1,2−ナフトキノン−２−ジアジド−４−又は−５
−スルホニル基である、特許請求の範囲第１項記載の化
合物。 - 【請求項３】水に不溶性でかつアルカリ性水溶液に可溶
又は膨潤可能なポリマー樹脂バインダー及び少なくとも
１種の式： ［式中Ｒは１〜14個の炭素原子を有し、その炭素鎖はエ
ーテル酸素原子によって遮断されていて良い直鎖又は分
枝鎖のアルキル基、シクロアルキル基又はアルアルキル
基であり、R1は２〜12個の炭素原子を有し、その炭素鎖
はエーテル酸素原子によって遮断されていて良いアルキ
レン基、又は８〜18個の炭素原子を有するアリーレンジ
アルキル基であり、多環状化合物の場合には、−Ｏ−に
よって結合されうる芳香族基であってよく、又はＲ及び
R1は一緒になって４〜16個の炭素原子を有するシクロア
ルキル基によって形成され、多環状化合物の場合には、
１〜６個の炭素原子の炭素鎖によって結合されうる脂環
式基であってよく、D1及びD2は同一又は異なっていて、
1,2−ナフトキノン−２−ジアジド−４−又は−５−ス
ルホニル基である］の第二ジアミンのビス−1,2−ナフ
トキノン−２−ジアジド−スルホン酸アミドを含有す
る、複写材料用放射線感性混合物。 - 【請求項４】放射線感性成分は、４−又は５−スルホニ
ル誘導体の各々単独であるか、又は混合物であるか、又
は混合4,5−スルホニル誘導体である、特許請求の範囲
第３項記載の混合物。 - 【請求項５】放射線感性成分は、４−及び５−スルホニ
ル誘導体の混合物である、特許請求の範囲第４項記載の
混合物。 - 【請求項６】水中に不溶で、アルカリ水溶液中に可溶又
は膨潤可能である、樹脂性ポリマー結合剤及び1,2−ナ
フトキノン−２−ジアジド−スルホン酸誘導体を含有す
る、複写材料用放射線感性混合物において、これは少な
くとも１種の式I: ［式中Ｒは１〜14個の炭素原子を有し、その炭素鎖はエ
ーテル酸素原子によって遮断されていて良い直鎖又は分
枝鎖のアルキル基、シクロアルキル基又はアルアルキル
基であり、R1は２〜12個の炭素原子を有し、その炭素鎖
はエーテル酸素原子によって遮断されていて良いアルキ
レン基、又は８〜18個の炭素原子を有するアリーレンジ
アルキル基であり、多環状化合物の場合には、−Ｏ−に
よって結合されうる芳香族基であってよく、又はＲ及び
R1は一緒になって４〜16個の炭素原子を有するシクロア
ルキル基によって形成され、多環状化合物の場合には、
１〜６個の炭素原子の炭素鎖によって結合されうる脂環
式基であってよく、D1及びD2は同一又は異なっていて、
1,2−ナフトキノン−２−ジアジド−４−又は−５−ス
ルホニル基である］の第二ジアミンのビス−1,2−ナフ
トキノン−２−ジアジド−スルホン酸アミドを含有する
ことを特徴とする、複写材料用放射線感性混合物。 - 【請求項７】1,2−ナフトキノン−２−ジアジド−スル
ホン酸誘導体として少なくとも１種の式I: ［式中Ｒは１〜８個の炭素原子を有し、その炭素鎖はエ
ーテル酸素原子によって遮断されていてよい直鎖又は分
枝鎖のアルキル基、シクロアルキル基又は７〜14個の炭
素原子を有するアルアルキル基であり、R1は２〜10個の
炭素原子を有し、その炭素鎖は１又は２個のエーテル酸
素原子によって遮断されていて良いアルキレン基、又は
８〜14個の炭素原子を有するアリーレンジアルキル基で
あり、−Ｏ−によって結合されうる芳香族基であってよ
く、又はＲ及びR1は一緒になって４〜16個の炭素原子を
有するシクロアルキル基によって形成され、多環状化合
物の場合には、１〜６個の炭素原子の炭素鎖によって結
合されうる脂環式基であってよく、D1及びD2は同一又は
異なっていて、1,2−ナフトキノン−２−ジアジド−４
−又は−５−スルホニル基である］の化合物を含有する
特許請求の範囲第６項記載の混合物。 - 【請求項８】放射線感性成分は、混合物の固体含量に対
して４〜40％である、特許請求の範囲第６項又は第７項
に記載の混合物。
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