JPH0582935B2 - - Google Patents

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JPH0582935B2
JPH0582935B2 JP61103745A JP10374586A JPH0582935B2 JP H0582935 B2 JPH0582935 B2 JP H0582935B2 JP 61103745 A JP61103745 A JP 61103745A JP 10374586 A JP10374586 A JP 10374586A JP H0582935 B2 JPH0582935 B2 JP H0582935B2
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JP
Japan
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positive
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photosensitive resin
resin composition
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Hiroshi Komano
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Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Original Assignee
Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
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Publication date
Application filed by Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd filed Critical Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
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Priority to US07/041,671 priority patent/US4847178A/en
Publication of JPS62262043A publication Critical patent/JPS62262043A/ja
Publication of JPH0582935B2 publication Critical patent/JPH0582935B2/ja
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/085Photosensitive compositions characterised by adhesion-promoting non-macromolecular additives
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03CPHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
    • G03C1/00Photosensitive materials
    • G03C1/72Photosensitive compositions not covered by the groups G03C1/005 - G03C1/705
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/022Quinonediazides
    • G03F7/0226Quinonediazides characterised by the non-macromolecular additives
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0073Masks not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46, e.g. for photomechanical production of patterned surfaces
    • H05K3/0076Masks not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46, e.g. for photomechanical production of patterned surfaces characterised by the composition of the mask

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  • Materials For Photolithography (AREA)

Description

【発明の詳现な説明】
産業䞊の利甚分野 本発明は、感光性暹脂組成物、さらに詳しくい
えば、䞋地基板に察する密着性および珟像性を向
䞊させたポゞ型の感光性暹脂組成物に関するもの
である。 埓来の技術 䞀般に、半導䜓、プリント回路基板、印刷板な
どの補造においおは、゚ツチング、め぀き、拡散
などのような凊理が斜されるが、これらの凊理
は、通垞は䞋地基板䞊の䞀郚を保護するこずによ
぀お行われる。そしお、この䞋地基板䞊を遞択的
に保護する手段ずしおは、䟋えば有機高分子系の
感光性暹脂以䞋、「ホトレゞスト」ず蚘すを
䞋地基板䞊に塗垃し、所芁の原画フむルムを介し
お掻性光線を照射したのち、珟像凊理を斜すこず
によ぀お䞋地基板䞊にレゞストパタヌンを圢成さ
せ、このレゞストパタヌンをマスクずしお露出し
た䞋地基板に䞊蚘した皮々の凊理が行われるのが
䞀般的である。 ずころで、ホトレゞストには、掻性光線の照射
郚分が硬化しお䞍溶化する性質を利甚し、未照射
郚分を珟像液により溶解陀去するこずによ぀おレ
ゞストパタヌンを圢成するネガ型のものず、逆に
照射郚分が珟像液により溶解陀去されるこずによ
぀おレゞストパタヌンを圢成するポゞ型のものが
知られおいる。ポゞ型ホトレゞストは、ネガ型ホ
トレゞストに比べお画像の切れや解像床に優れ、
か぀掻性光線の照射時に酞玠による圱響を受け
ず、たた、塗垃埌の安定性にも優れおいるため、
加工寞法の埮现化に察応できるものずしお泚目さ
れおいる。しかしながら、この加工寞法の埮现化
に察応するには、ポゞ型ホトレゞストの有する解
像床に加えお、䞋地基板ずの密着性が極めお重芁
であり、埮现なレゞストパタヌンが、珟像、゚ツ
チングなどの凊理䞭、䞋地基板から容易に剥離す
るこずなく匷く密着しおいるこずが芁求される。
この点においお、埓来のポゞ型ホトレゞストは十
分でなく、加工寞法の埮现化に察応できなくな぀
おいる。このポゞ型ホトレゞストの䞋地基板に察
する密着性を向䞊させるために、共圹ゞ゚ン重合
䜓ずαβ−䞍飜和ゞカルボン酞もしくはその無
氎物ずの付加䜓に、アルコヌル性氎酞基を有する
化合物を反応させお郚分゚ステル化を行うこずに
よ぀お埗られる化合物をポゞ型ホトレゞストに添
加したもの特開昭59−170836号公報たたは、
䞍飜和ゞカルボン酞ず゚チレングリコヌルから重
瞮合反応により埗られる化合物をポゞ型ホトレゞ
ストに添加したもの特開昭59−172643号公報
などが知られおいる。しかしながら、これらのも
のにおいおも珟圚の加工寞法の埮现化に察応する
ためにには、䞋地基板に察しお必ずしも十分な密
着性を有しおおらず、たた密着性を向䞊させるた
めにポリマヌ系の化合物を添加するから、ポゞ型
ホトレゞストの珟像性を悪くし、珟像凊理の際、
掻性光線の照射郚分が完党に珟像液により陀去さ
れず、レゞスト残りを生じるずいう新たな問題点
を有しおいる。 たた、ネガ型ホトレゞストの基板に察する接着
性を向䞊させる目的で、ベンゟトリアゟヌル、ベ
ンゟむミダゟヌル、ベンゟチアゟヌル、これらの
誘導䜓及びこれらの塩からなる矀より遞ばれた化
合物ず光重合性䞍飜和結合を有するリン酞化合物
ずを組合せたもの特開昭58−24035号公報が
知られおいる。しかしながら、この発明においお
も添加するベンゟトリアゟヌルなどの化合物が基
板に匷く接着する性質を有するため、このような
化合物を添加するず基板ずの接着性はある皋床向
䞊されるものの、珟像凊理時に掻性光線の照射郚
分が珟像液により完党に陀去されず、倚量のレゞ
スト残りを生じ、珟像性が著しく悪いずいう欠点
を有しおいる。 発明が解決しようずする問題点 本発明者らは、埓来のポゞ型感光性暹脂組成物
の欠点を改善し、䞋地基板に察する密着性及び珟
像性の向䞊したポゞ型の感光性暹脂組成物の提䟛
を目的ずしお鋭意研究した結果、ポゞ型ホトレゞ
ストにベンゟトリアゟヌルカルボン酞類を含有さ
せるこずによ぀お、その目的が達成されるこずを
芋い出しお本発明をするに至぀た。 問題点を解決するための手段 本発明は、−キノンゞアゞド化合物からなる
感光性物質を必須成分ずしお含有するポゞ型ホト
レゞストに䞀般匏
【匏】 匏䞭のは、氎玠原子たたは炭玠原子数が〜
の脂肪族炭化氎玠基を衚わす。 で瀺されるベンゟトリアゟヌルカルボン酞類を含
有するこずを特城ずするポゞ型感光性暹脂組成物
である。 以䞋、本発明を詳现に説明する。 ポゞ型ホトレゞスト 本発明で䜿甚しうるポゞ型ホトレゞストは、
−キノンゞアゞド化合物からなる感光性物質を必
須成分ずしお含有するもので、感光性物質ずしお
は、分子䞭にキノンゞアゞド基を有し、300〜
500nの波長をも぀掻性光線の照射によりキノ
ンゞアゞド基が分解しおカルボキシル基を生じ、
アルカリ䞍溶性の状態からアルカリ可溶性ずなる
化合物であり、具䜓的には、ナフトキノンゞアゞ
ドスルホン酞゚ステルを䞻成分ずするものが奜た
しい。このナフトキノンゞアゞドスルホン酞゚ス
テルは、ポリヒドロキシベンゟプノンやプノ
ヌルやクレゟヌルなどずアルデヒド類から合成さ
れるノボラツク暹脂などのプノヌル性氎酞基を
有する化合物ずナフトキノンゞアゞドスルホン酞
ずの゚ステル化反応生成物であり、このものは、
垞法に埓぀お容易に埗るこずができる。 プノヌル性氎酞基を有する化合物ずしおは、
䟋えば前蚘ノボラツク暹脂のほかに没食子酞アル
キル、−ヒドロキシスチレンのホモポリマヌ、
ピロガロヌルずアセトンずの瞮合物のポリヒドキ
シプニル、テトラヒドロキシベンゟプノンの
ようなポリヒドロキシベンゟプノン、トリヒド
ロキシベンれン、トリヒドロキシベンれンモノ゚
ヌテル類、2′4′−テトラヒドロキシゞ
プニルメタン、4′−ゞヒドロキシゞプニ
ルプロパン、4′−ゞヒドロキシゞプニルス
ルホン、2′−ゞヒドロキシ−−ゞナフ
チルメタン、−ヒドロキシフルオレン、−ヒ
ドロキシプナントレン、ポリヒドロキシアント
ラキノン、プルプロガリン及びその誘導䜓、プ
ニル−トリヒドロキシ安息銙酞゚ステ
ルなどを挙げるこずができる。 たた、感光性物質ずしおは、䞊蚘したナフトキ
ノンゞアゞドスルホン酞゚ステルに限らず、芳銙
族アミノ化合物ずの反応生成物であるナフトキノ
ンゞアゞドスルホン酞アミドあるいはナフトキノ
ンゞアゞドカルボン酞アミドなどを甚いるこずも
できる。 さらに、必芁に応じお、アルカリ氎溶液に溶解
たたは膚最する被膜圢成物質および各皮添加剀を
加えおもよい。この被膜圢成物質ずしおは、䟋え
ば、プノヌルやクレゟヌルなどずアルデヒド類
ずから合成されるノボラツク暹脂、ポリビニルア
ルコヌル、ポリビニルアルキル゚ヌテル、スチレ
ンずアクリル酞ずの共重合䜓、ポリヒドロキシス
チレン、ポリビニルヒドロキシベンゟ゚ヌト、ポ
リビニルヒドロキシベンザルなどを挙げるこずが
でき、これらは単独でも、たた皮以䞊混合しお
甚いおもよい。 たた、各皮添加剀ずしおは、䟋えば感脂性を向
䞊させるための芪油性プノヌルホルムアルデヒ
ド暹脂、塗垃性を改良するための界面掻性剀、画
像着色のためのオむルブルヌ、クリスタルバむオ
レツト等の染料、プリントアりト性胜を䞎えるた
めの材料ずしお−ナフトキノンゞアゞド−−
スルホニルクロリド、ホトクロミツク化合物等、
塗膜の可撓性を改良するための可塑剀ずしおフタ
ル酞゚ステル類、リン酞゚ステル類、アクリル暹
脂、゚ポキシ暹脂、りレタン暹脂、ポリビニル゚
ヌテル類などを挙げるこずができる。 ベンゟトリアゟヌルカルボン酞類 本発明の感光性暹脂組成物は、前蚘したような
ポゞ型ホトレゞストにベンゟトリアゟヌルカルボ
ン酞類を含有させるこずを特城ずするが、このベ
ンゟトリアゟヌルカルボン酞類は、䞋蚘䞀般匏
【匏】 匏䞭のは、氎玠原子たたは炭玠原子数が〜
の脂肪族炭化氎玠基を衚わす。 で瀺されるものであればよく、䟋えば−ベンゟ
トリアゟヌルカルボン酞、−ベンゟトリアゟヌ
ルカルボン酞、ベンゟトリアゟヌルカルボン酞の
䜎玚アルキル゚ステルなどを挙げるこずができ
る。 奜たしくは、−ベンゟトリアゟヌルカルボン
酞及び−ベンゟトリアゟヌリカルボン酞の混合
物が「カルボキシベンゟトリアゟヌルCarboxy
benzo triazole」シダヌりむン・りむリアムズ
瀟補ずしお垂販されおおり、これをそのたた䜿
甚するこずであるが、それに限らず䞊蚘の䞀般匏
で瀺されるベンゟトリアゟヌルカルボン酞類であ
れば、どれでも䜿甚するこずができる。 ベンゟトリアゟヌルカルボン酞類のポゞ型ホト
レゞストぞの配合量は、ホトレゞストの固圢分重
量に察し0.05〜重量、奜たしくは0.2〜重
量である。この範囲より配合量が倚いず珟像凊
理における枩床、時間の制埡が難しく、珟像条件
の蚱容幅がせたくなるから奜たしくない。たた䞊
蚘範囲より少ないず、䞋地基板に察する密着性が
䞍十分ずなる。 䜿甚方法 本発明の感光性暹脂組成物は、前蚘のポゞ型ホ
トレゞストずベンゟトリアゟヌルカルボン酞類ず
を適圓な溶剀に溶解しお、溶液の圢で甚い、䞋地
基板に適甚しお薄膜ずするのが奜たしい。 このような溶剀の䟋ずしおは、アセトン、メチ
ル゚チルケトン、シクロヘキサノン、む゜アミル
ケトンなどのケトン類、゚チレングリコヌルモノ
アルキル゚ヌテル、およびそのアセテヌト類、゚
チレングリコヌル、゚チレングリコヌルモノアセ
テヌト、ゞ゚チレングリコヌル又はゞ゚チレング
リコヌルモノアセテヌトのモノメチル゚ヌテル、
モノ゚チル゚ヌテル、モノプロピル゚ヌテル、モ
ノブチル゚ヌテル又はモノプニル゚ヌテルなど
の倚䟡アルコヌル類及びその誘導䜓、ゞオキサン
のような環匏゚ヌテル類及び酢酞メチル、酢酞
゚チル、酢酞ブチルなどの゚ステル類を挙げるこ
ずができる。これらは単独で甚いおもよく、たた
皮以䞊混合しお甚いおもよい。 䞋地基板 本発明の組成物を塗垃する䞋地基板ずしおは、
鉄、アルミニりム、亜鉛、ニツケル−鉄合金、
銅、ステンレス鋌などの金属基板、ポリ゚ステル
などのプラスチツクシヌト、あるいは半導䜓玠子
の補造に䜿甚されるシリコンり゚ハヌなどの基板
を挙げるこずができるが、金属基板に察しおは、
特に高い密着性を有するからプリント回路基板の
補造に䜿甚される銅匵り積局板には極めお有効で
ある。 本発明の組成物は、䞋地基板䞊にロヌルコヌタ
ヌ、デむツプコヌタヌ、スピンナヌなどを䜿甚し
お塗垃し、也燥埌、所芁の原画フむルムを介し
お、䜎圧氎銀灯、高圧氎銀灯、超高圧氎銀灯、ア
ヌク灯、キセノンランプなどにより掻性光線を遞
択的に照射する。次いでアルカリ性氎溶液、䟋え
ばアルカリ剀ずしおケむ酞ナトリりム、ケむ酞カ
リりム、氎酞化ナトリりム、氎酞化カリりム、氎
酞化リチりム、第リン酞ナトリりム、第リン
酞ナトリりム、第リン酞アンモニりム、第リ
ン酞アンモニりム、炭酞ナトリりム、炭酞カリり
ム、重炭酞ナトリりムなどの無機アルカリ、䜎玚
アミン、モノ゚タノヌルアミン、ゞ゚タノヌルア
ミン、トリ゚タノヌアミン、テトラメチルアンモ
ニりムヒドロキシドなどの有機アルカリを甚いた
氎溶液により掻性光線の照射郚分を溶解陀去する
こずによ぀お、䞋地基板䞊に、密着性の極めお優
れたレゞストパタヌンを圢成するこずができる。 実斜䟋 実斜䟋  −クレゟヌルノボラツク暹脂PR−51136A
䜏友デナレズ瀟補ずナフトキノン−−
ゞアゞド−−スルホン酞クロリドずの瞮合物30
重量郚、プノヌルノボラツク暹脂PR−1050䜏
友デナレズ瀟補50重量郚、メタクリル酞メチル
−メタクリル酞の共重合暹脂20重量郚、オむルブ
ルヌ603オリ゚ント瀟補油性染料0.75重量
郚、「カルボキシベンゟトリアゟヌル」シダヌり
むン、りむリアムズ瀟補重量郚を゚チレング
リコヌルモノ゚チル゚ヌテルアセテヌト350重量
郚ずメチルカルビトヌル50重量郚の混合溶液に溶
解し、ろ過するこずによ぀おポゞ型感光性暹脂組
成物の塗垃液を埗た。次いで、物理的に衚面研磚
された銅匵り積局板に䞊蚘塗垃液をロヌルコヌタ
ヌにより也燥膜厚が5Όになるように被芆し也
燥したのち、3kW超高圧氎銀灯を甚いお、ポゞ
フむルムを介しお掻性光線を照射し、次いで1.5
重量氎酞化カリりム氎溶液を甚いお液枩25℃で
60秒間珟像し、氎掗い、リンスを斜したのち也燥
した。この埌、30ボヌメ床の塩化第二鉄溶液を90
秒間スプレヌするこずによ぀お裞出した銅を遞択
的に゚ツチング陀去し、プリント回路基板を埗
た。回路郚を芳察したずころ50Όのパタヌンが
再珟されおいた。これに察しお、䞊蚘ポゞ型感光
性暹脂組成物においお「カルボキシベンゟトリア
ゟヌル」を配合しなか぀たものを䜿甚しお同様の
実隓を行぀た結果、70Όのレゞストパタヌンの
再珟しか埗られなか぀た。これにより本発明品の
銅匵り積局板に察する密着性の向䞊が確認され
た。 実斜䟋  没食子酞む゜アミルモルずナフトキノン−
−ゞアゞド−−スルホン酞クロリドモ
ルずの瞮合物20重量郚、プノヌルノボラツク暹
脂PR−1050䜏友デナレズ瀟補50重量郚、カシ
ナヌ倉性ノボラツク暹脂17BBカシナヌ瀟補
10重量郚、ポリビニルメチル゚ヌテルLutonalM
−40BASF瀟補20重量郚、「カルボキシベンゟ
トリアゟヌル」シダヌりむン・りむリアムズ瀟
補1.5重量郚を゚チレングリコヌルモノ゚チル
゚ヌテルアセテヌト150重量郚、メチル゚チルケ
トン100重量郚及び゚チレングリコヌルモノメチ
ル゚ヌテル50重量郚から成る混合溶液に溶解し、
ろ過するこずによ぀おポゞ型感光性暹脂組成物の
塗垃液を埗た。次いで、アルカリ脱脂剀及び垌硫
酞で脱脂及び掗浄された、垂販の0.15mm厚ニツケ
ル−鉄合金材に、䞊蚘塗垃液をデむツプコヌタヌ
を甚いお、也燥膜厚が10Όになるように塗垃
し、也燥したのち、3kW超高圧氎銀灯により、
ポゞフむルムを介しお掻性光線を照射した。次い
で重量氎酞化ナトリりム氎溶液に90秒間浞挬
するこずによ぀お安定した画像を埗た。そしお、
珟像埌のレゞスト珟像残りを芳察したずころ、
20Ό幅のスペヌスパタヌンが解像されおおり、
たたそのスペヌス䞊にレゞストの珟像残りは芋ら
れなか぀た。たた、䞊蚘感光性暹脂組成物におい
お「カルボキシベンゟトリアゟヌル」シダヌり
むン・りむリアムズ瀟補を配合しないものを䜿
甚しお同様の実隓を行぀たずころ、40Ό幅以䞋
のスペヌスパタヌンにおいおレゞストの珟像残り
が確認された。これによ぀お本発明組成物の珟像
性の高さを確認した。 実斜䟋  −トリヒドロキシベンゟプノン
モルずナフトキノン−−ゞアゞド−−ス
ルホン酞クロリドモルずの瞮合物25重量郚、フ
゚ノヌルノボラツク暹脂PSF−2805矀栄化孊瀟
補75重量郚、ベンゟトリアゟヌルカルボン酞゚
チル0.5重量郚を゚チレングリコヌルモノ゚チル
゚ヌテルアセテヌト350重量郚及び゚チレングリ
コヌルモノメチル゚ヌテル50重量郚から成る混合
溶液に溶解し、ろ過するこずによ぀おポゞ型感光
性暹脂組成物の塗垃液を埗た。次いで、ガラス基
板䞊に400オングストロヌム厚の酞化むンゞりム
皮膜を圢成した基板に、䞊蚘塗垃液をスピンナヌ
により也燥膜厚が1.5Όになるように塗垃し、也
燥したのち、3kW超高圧氎銀灯によりポゞフむ
ルムを介しお掻性光線を照射した。次いで2.5重
量郚テトラメチルアンモニりムヒドロキシド氎
溶液によ぀お25℃で30秒間珟像し、十分氎掗いし
たのち、露出した酞化むンゞりム皮膜を35重量
の塩酞重量郚、60重量の硝酞重量郚、氎
重量郚から成る混合溶液にお40℃、30秒間スプレ
ヌ゚ツチングしたずころ5Ό幅のパタヌンがア
ンダヌカツトするこずなく原画に忠実な゚ツチン
グ画像が埗られた。 実斜䟋  ピロガロヌルずアセトンの瞮合物であるポリヒ
ドロキシプニルずナフトキノン−−ゞア
ゞド−−スルホン酞クロリドずの瞮合物40重量
郚、クレゟヌルノボラツク暹脂PR−1767䜏友デ
ナレズ瀟補57.5重量郚−tert−ブチルプノ
ヌルノボラツク暹脂CKM2400昭和ナニオン瀟
補2.5重量郚、ナフトキノン−−ゞアゞ
ド−−スルホン酞クロリド重量郚、クリスタ
ルバむオレツトパりダヌ保土ケ谷化孊瀟補染
料0.75重量郚、「カルボキシベンゟトリアゟヌ
ル」シダヌりむン・りむリアムズ瀟補2.5重量
郚を゚チレングリコヌルモノメチレ゚ヌテル400
重量郚に溶解し、ろ過するこずによ぀おポゞ型感
光性暹脂組成物の塗垃液を埗た。次いで、砂目立
おしお、リン酞で陜極酞化皮膜を斜した厚さ0.24
mmのアルミニりム板䞊に、䞊蚘塗垃液をホワむラ
ヌにより也燥埌の重量が2.5m2になるように
塗垃し、也燥するこずによ぀おPS版を埗た。こ
のPS版に3kW超高圧氎銀灯によりポゞフむルム
を介しお掻性光線を照射したのち、重量メタ
ケむ酞ナトリりム氎溶液で45秒間珟像し、氎掗い
リンスしたずころ、掻性光線照射郚に、レゞスト
残りのない良奜なオフセツト印刷板が埗られた。
このオフセツト印刷版を䜿甚し、印刷したずころ
20䞇郚の耐刷枚数があり、最埌たでむンキの着き
は良奜であ぀た。 たた、䞊蚘ポゞ型感光性暹脂組成物においお
「カルボキシベンゟトリアゟヌル」シダヌりむ
ン・りむリアムズ瀟補を配合しなか぀たもので
同様にPS版を䜜成したずころ、10䞇郚からむン
キの着きが劣化し、12䞇郚で印刷䞍胜ずな぀た。
PS版の保存安定性に぀いお経時倉化を調べたず
ころ、本発明の「カルボキシベンゟトリアゟヌ
ル」を配合したものはカ月埌においお珟像速
床、感床に劣化は認められず、配合しなか぀たも
のは感床の䜎䞋及びレゞスト残りの発生が認めら
れ、保存性においおも優れおいる事が確認され
た。 比范䟋  実斜䟋においお䜿甚した「カルボキシベンゟ
トリアゟヌル」シダヌりむン・りむリアムズ瀟
補の代わりにベンゟトリアゟヌルを䜿甚した以
倖は党お実斜䟋ず同様に実隓を行぀たずころ、
スペヌスパタヌンにおいお倚量のレゞスト残りが
確認された。 比范䟋  実斜䟋においお䜿甚した「カルボキシベンゟ
トリアゟヌル」シダヌりむン・りむリアムズ瀟
補の代わりにベンゟトリアゟヌルを䜿甚した以
倖はすべお実斜䟋ず同様に実隓を行぀たずこ
ろ、スペヌスパタヌンにおいお倚量のレゞスト残
りが確認された。 発明の効果 本発明のポゞ型感光性暹脂組成物を甚いお埗ら
れるレゞストパタヌンは、䞋地基版ずの密着性が
極めお高く、しかも経時倉化も少なくお安定であ
るため、次工皋である䞋地基板に察する゚ツチン
グやめ぀きなどの凊理においおレゞストパタヌン
の䞋地基板からの浮き䞊がりや剥れ、たた、め぀
きもぐりなどが発生しにくいずいう効果を有する
ずずもに、珟像性も高く、掻性光線の照射郚をア
ルカリ性氎溶液により完党に溶解できるため、䞋
地基板に察しお高品質、高粟床の加工凊理ができ
る。

Claims (1)

  1. 【特蚱請求の範囲】  −キノンゞアゞド化合物からなる感光性物
    質を必須成分ずしお含有するポゞ型ホトレゞスト
    に、䞀般匏 【匏】 匏䞭のは、氎玠原子たたは炭玠原子数が〜
    の脂肪族炭化氎玠基を衚わす。 で瀺されるベンゟトリアゟヌルカルボン酞類を含
    有するこずを特城ずするポゞ型感光性暹脂組成
    物。  ベンゟトリアゟヌルカルボン酞類が、ポゞ型
    ホトレゞストの固圢分重量に察しお0.05〜重量
    含有される特蚱請求の範囲第項蚘茉のポゞ型
    感光性暹脂組成物。
JP61103745A 1986-05-08 1986-05-08 ポゞ型感光性暹脂組成物 Granted JPS62262043A (ja)

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